JPH04342497A - 複合酸化物超電導薄膜の成膜方法 - Google Patents
複合酸化物超電導薄膜の成膜方法Info
- Publication number
- JPH04342497A JPH04342497A JP3144022A JP14402291A JPH04342497A JP H04342497 A JPH04342497 A JP H04342497A JP 3144022 A JP3144022 A JP 3144022A JP 14402291 A JP14402291 A JP 14402291A JP H04342497 A JPH04342497 A JP H04342497A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- oxide superconducting
- substrate
- superconducting thin
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 18
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910002370 SrTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010671 solid-state reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0576—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers characterised by the substrate
- H10N60/0632—Intermediate layers, e.g. for growth control
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/725—Process of making or treating high tc, above 30 k, superconducting shaped material, article, or device
- Y10S505/73—Vacuum treating or coating
- Y10S505/731—Sputter coating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/725—Process of making or treating high tc, above 30 k, superconducting shaped material, article, or device
- Y10S505/73—Vacuum treating or coating
- Y10S505/732—Evaporative coating with superconducting material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/725—Process of making or treating high tc, above 30 k, superconducting shaped material, article, or device
- Y10S505/736—From free metal precursors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化物超電導薄膜の作
製方法に関する。より詳細には、本発明は、Ｙ系等のＣ
ｕ複合酸化物による超電導薄膜の成膜にあたって、特に
Ｓｉウェハを基板として所望する結晶配向性を制御性良
く形成するための新規な方法に関する。
製方法に関する。より詳細には、本発明は、Ｙ系等のＣ
ｕ複合酸化物による超電導薄膜の成膜にあたって、特に
Ｓｉウェハを基板として所望する結晶配向性を制御性良
く形成するための新規な方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】超電導現象は、液体ヘリウムによる冷却
が必須な極低温における固有の現象であると考えられて
いた。しかしながら、［Ｌａ，Ｂａ］２ＣｕＯ４ が３
０Ｋで超電導状態を示すことがベドノーツ、ミューラー
等によって１９８６年に報告されて以来、１９８７年に
はＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ の超電導臨界温度が９０Ｋであ
ることがチュー等により報告され、続いて１９８８年に
は所謂Ｂｉ系等の複合酸化物系超電導材料が １００Ｋ
以上の臨界温度を有することが前田等により報告された
。
が必須な極低温における固有の現象であると考えられて
いた。しかしながら、［Ｌａ，Ｂａ］２ＣｕＯ４ が３
０Ｋで超電導状態を示すことがベドノーツ、ミューラー
等によって１９８６年に報告されて以来、１９８７年に
はＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ の超電導臨界温度が９０Ｋであ
ることがチュー等により報告され、続いて１９８８年に
は所謂Ｂｉ系等の複合酸化物系超電導材料が １００Ｋ
以上の臨界温度を有することが前田等により報告された
。
【０００３】これらの一連の複合酸化物系超電導材料は
、廉価な液体窒素による冷却で超電導現象を実現するこ
とができるので、超電導技術の実用的な応用の可能性が
俄に検討されるようになってきた。また、当初は固相反
応法により焼結体として合成されていた複合酸化物系超
電導材料は、今日では薄膜として合成することにより除
々に品質の高いものが得られるようになってきている。
、廉価な液体窒素による冷却で超電導現象を実現するこ
とができるので、超電導技術の実用的な応用の可能性が
俄に検討されるようになってきた。また、当初は固相反
応法により焼結体として合成されていた複合酸化物系超
電導材料は、今日では薄膜として合成することにより除
々に品質の高いものが得られるようになってきている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】酸化物超電導薄膜のエ
レクトロニクス分野への応用を考えた場合、特に結晶方
位のそろった薄膜を成膜することが求められる。即ち、
酸化物超電導材料は、その超電導特性に顕著な結晶異方
性を有していることが知られており、目的とする用途に
応じて成膜時にその結晶配向性を制御する必要がある。
レクトロニクス分野への応用を考えた場合、特に結晶方
位のそろった薄膜を成膜することが求められる。即ち、
酸化物超電導材料は、その超電導特性に顕著な結晶異方
性を有していることが知られており、目的とする用途に
応じて成膜時にその結晶配向性を制御する必要がある。
【０００５】従って、例えば、酸化物超電導薄膜を基板
の成膜面と平行に超電導電流を流す超電導電流路として
利用する場合は、結晶のｃ軸が基板の成膜面と直角にな
るように酸化物超電導薄膜を成膜する必要がある。即ち
、このような用途で求められる酸化物超電導薄膜は（０
０１）配向膜である。また、積層型ＳＩＳ素子等への応
用においては、超電導電流を基板の成膜面と垂直に流す
必要がある。従って、この場合は、超電導薄膜の結晶ｃ
軸が基板の成膜面と平行になるように、即ち、（１００
）配向膜または（１１０）配向膜となるように酸化物超
電導薄膜を成膜する必要がある。
の成膜面と平行に超電導電流を流す超電導電流路として
利用する場合は、結晶のｃ軸が基板の成膜面と直角にな
るように酸化物超電導薄膜を成膜する必要がある。即ち
、このような用途で求められる酸化物超電導薄膜は（０
０１）配向膜である。また、積層型ＳＩＳ素子等への応
用においては、超電導電流を基板の成膜面と垂直に流す
必要がある。従って、この場合は、超電導薄膜の結晶ｃ
軸が基板の成膜面と平行になるように、即ち、（１００
）配向膜または（１１０）配向膜となるように酸化物超
電導薄膜を成膜する必要がある。
【０００６】そこで、複合酸化物超電導体は、特定の材
料の基板上に特定の条件で成膜した場合にのみ、特定の
結晶配向性を形成することができる。即ち、酸化物超電
導薄膜を成膜する際に使用する下地基板としては、酸化
物超電導材料と格子マッチングがとれ、且つ、酸化物超
電導材料との元素の相互拡散が少ない材料を選択する必
要がある。具体的には、ＭｇＯ単結晶の（１００）面や
、ＳｒＴｉＯ３ 単結晶の（１００）面または（１１０
）面等が使用されている。
料の基板上に特定の条件で成膜した場合にのみ、特定の
結晶配向性を形成することができる。即ち、酸化物超電
導薄膜を成膜する際に使用する下地基板としては、酸化
物超電導材料と格子マッチングがとれ、且つ、酸化物超
電導材料との元素の相互拡散が少ない材料を選択する必
要がある。具体的には、ＭｇＯ単結晶の（１００）面や
、ＳｒＴｉＯ３ 単結晶の（１００）面または（１１０
）面等が使用されている。
【０００７】しかしながら、上述のような酸化物単結晶
基板は、一般に高価な上に供給が少なく、酸化物超電導
体の実用化を考えた場合に極めて不利な要件のひとつで
あると考えられている。又、酸化物単結晶基板は大径の
ものが入手し難く、酸化物超電導薄膜が今後大面積化し
ていくことを考えた場合に適切な材料とは考え難い。そ
こで、廉価且つ高品質な基板材料として現在最も安定に
供給されているＳｉウェハを下地基板として酸化物超電
導薄膜を作製することが提案されている。
基板は、一般に高価な上に供給が少なく、酸化物超電導
体の実用化を考えた場合に極めて不利な要件のひとつで
あると考えられている。又、酸化物単結晶基板は大径の
ものが入手し難く、酸化物超電導薄膜が今後大面積化し
ていくことを考えた場合に適切な材料とは考え難い。そ
こで、廉価且つ高品質な基板材料として現在最も安定に
供給されているＳｉウェハを下地基板として酸化物超電
導薄膜を作製することが提案されている。
【０００８】ところが、酸化物超電導薄膜の成膜のため
にＳｉ基板を使用した場合には、酸化物超電導薄膜と基
板材料であるＳｉとの反応により、得られる薄膜の超電
導特性が著しく劣化または消失する場合がある。
にＳｉ基板を使用した場合には、酸化物超電導薄膜と基
板材料であるＳｉとの反応により、得られる薄膜の超電
導特性が著しく劣化または消失する場合がある。
【０００９】また、基板材料との反応を防止する目的で
、基板の成膜面上にバッファ層を形成した上で酸化物超
電導薄膜を成膜する方法も提案されているが、この方法
でも酸化物超電導薄膜の結晶方位を制御できる段階には
到っていない。
、基板の成膜面上にバッファ層を形成した上で酸化物超
電導薄膜を成膜する方法も提案されているが、この方法
でも酸化物超電導薄膜の結晶方位を制御できる段階には
到っていない。
【００１０】本発明は、上記従来技術の問題点を解決し
、Ｓｉ基板を使用して結晶性の優れた酸化物超電導薄膜
を成膜することができる新規な成膜方法を提供すること
をその目的としている。
、Ｓｉ基板を使用して結晶性の優れた酸化物超電導薄膜
を成膜することができる新規な成膜方法を提供すること
をその目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明に従う
と、Ｓｉウェハを基板として酸化物超電導薄膜を成膜す
る方法において、酸化物超電導薄膜の成膜に先立って、
Ｓｉ基板を１０−６Ｔｏｒｒ以上の高真空中で ９００
℃以上に加熱処理する第１工程と、該第１工程後に該Ｓ
ｉ基板上にＺｒＯ２ 薄膜を成膜する第２工程と、該第
２工程後にＺｒＯ２ 薄膜を装荷した該Ｓｉ基板を大気
中で ８００〜８５０ ℃でアニール処理する第３工程
とを含むことを特徴とする複合酸化物超電導薄膜の成膜
方法が提供される。
と、Ｓｉウェハを基板として酸化物超電導薄膜を成膜す
る方法において、酸化物超電導薄膜の成膜に先立って、
Ｓｉ基板を１０−６Ｔｏｒｒ以上の高真空中で ９００
℃以上に加熱処理する第１工程と、該第１工程後に該Ｓ
ｉ基板上にＺｒＯ２ 薄膜を成膜する第２工程と、該第
２工程後にＺｒＯ２ 薄膜を装荷した該Ｓｉ基板を大気
中で ８００〜８５０ ℃でアニール処理する第３工程
とを含むことを特徴とする複合酸化物超電導薄膜の成膜
方法が提供される。
【００１２】
【作用】本発明に係る酸化物超電導薄膜の成膜方法は、
まず、Ｓｉウェハの成膜面に対して特定の前処理を行っ
た後にバッファ層を形成する工程を含むことをその主要
な特徴としている。
まず、Ｓｉウェハの成膜面に対して特定の前処理を行っ
た後にバッファ層を形成する工程を含むことをその主要
な特徴としている。
【００１３】即ち、本発明に係る方法においては、まず
、使用するＳｉウェハを高真空中で加熱処理する。この
ような処理により、Ｓｉウェハの表面は高度に清浄化さ
れる。この処理において、処理時の真空度は、１０−６
Ｔｏｒｒ以下とすることが好ましい。又、加熱温度は、
９００℃以上とすることが好ましい。また、上述のよ
うな加熱清浄化処理に先立ってＳｉウェハを希弗化水素
液等で洗浄しておくことも有利である。
、使用するＳｉウェハを高真空中で加熱処理する。この
ような処理により、Ｓｉウェハの表面は高度に清浄化さ
れる。この処理において、処理時の真空度は、１０−６
Ｔｏｒｒ以下とすることが好ましい。又、加熱温度は、
９００℃以上とすることが好ましい。また、上述のよ
うな加熱清浄化処理に先立ってＳｉウェハを希弗化水素
液等で洗浄しておくことも有利である。
【００１４】尚、最終的に（１１０）配向または（００
１）配向した酸化物超電導薄膜を成膜する場合は（１０
０）面を成膜面としたＳｉウェハを使用する。
１）配向した酸化物超電導薄膜を成膜する場合は（１０
０）面を成膜面としたＳｉウェハを使用する。
【００１５】次に、上述のようにして清浄化したＳｉウ
ェハ上に、ＺｒＯ２ 薄膜を成膜する。このＺｒＯ２
薄膜は、酸化物超電導薄膜を成膜するための直接の下地
となるバッファ層であるり、スパッタリング法、ＭＢＥ
法等により成膜することができる。
ェハ上に、ＺｒＯ２ 薄膜を成膜する。このＺｒＯ２
薄膜は、酸化物超電導薄膜を成膜するための直接の下地
となるバッファ層であるり、スパッタリング法、ＭＢＥ
法等により成膜することができる。
【００１６】尚、このバッファ層としてのＺｒＯ２ 薄
膜は、その膜厚を １００Å〜１０００Åとすることが
好ましい。 即ち、バッファ層の膜厚が上記範囲よりも薄い場合は、
基板から酸化物超電導薄膜へのＳｉの拡散を阻止するこ
とができない。逆に、バッファ層がこれよりも厚い場合
は、バッファ層の表面性状が劣化して、バッファ層上に
成膜する酸化物超電導薄膜の膜特性がかえって劣化する
。
膜は、その膜厚を １００Å〜１０００Åとすることが
好ましい。 即ち、バッファ層の膜厚が上記範囲よりも薄い場合は、
基板から酸化物超電導薄膜へのＳｉの拡散を阻止するこ
とができない。逆に、バッファ層がこれよりも厚い場合
は、バッファ層の表面性状が劣化して、バッファ層上に
成膜する酸化物超電導薄膜の膜特性がかえって劣化する
。
【００１７】続いて、上述のようにして形成したＺｒＯ
２ 薄膜を装荷したＳｉ基板を、大気中で８００〜８５
０ ℃の温度範囲に加熱することにより、アニール処理
を行う。このような処理により、ＺｒＯ２ 薄膜の表面
性状が平滑化され、直上に形成される酸化物超電導薄膜
の結晶性が改善される。尚、処理時間は、１時間〜５時
間の範囲が好ましい。
２ 薄膜を装荷したＳｉ基板を、大気中で８００〜８５
０ ℃の温度範囲に加熱することにより、アニール処理
を行う。このような処理により、ＺｒＯ２ 薄膜の表面
性状が平滑化され、直上に形成される酸化物超電導薄膜
の結晶性が改善される。尚、処理時間は、１時間〜５時
間の範囲が好ましい。
【００１８】上記処理において、加熱温度が上記範囲よ
りも低い場合は、アニール処理の効果が得られない。一
方、加熱温度が上記範囲よりも高くなると、Ｓｉの拡散
が激しくなると共に、ＺｒＯ薄膜自体の膜特性も劣化す
る。
りも低い場合は、アニール処理の効果が得られない。一
方、加熱温度が上記範囲よりも高くなると、Ｓｉの拡散
が激しくなると共に、ＺｒＯ薄膜自体の膜特性も劣化す
る。
【００１９】以上のような前処理を経たＳｉウェハ上で
は、Ｙ系、Ｂｉ系、Ｔｌ系等の複合酸化物超電導体薄膜
が良好に結晶成長する。尚、複合酸化物超電導薄膜の成
膜は、スパッタリング法等の公知の成膜法をいずれも適
用できる。
は、Ｙ系、Ｂｉ系、Ｔｌ系等の複合酸化物超電導体薄膜
が良好に結晶成長する。尚、複合酸化物超電導薄膜の成
膜は、スパッタリング法等の公知の成膜法をいずれも適
用できる。
【００２０】以下、実施例を挙げて本発明をより具体的
に説明するが、以下の開示は本発明の一実施例に過ぎず
、本発明の技術的範囲を何ら限定するものではない。
に説明するが、以下の開示は本発明の一実施例に過ぎず
、本発明の技術的範囲を何ら限定するものではない。
【００２１】
【実施例】本発明に係る成膜方法に従って、Ｙ−Ｂａ−
Ｃｕ複合酸化物の（００１）配向膜を作製した。
Ｃｕ複合酸化物の（００１）配向膜を作製した。
【００２２】基板としては（１００）面を成膜面とした
１０枚のＳｉウェハを用意した。
１０枚のＳｉウェハを用意した。
【００２３】まず、５枚のＳｉウェハを、５０％の希弗
化水素酸液で洗浄した後、１×１０−６Ｔｏｒｒ以下に
排気した炉中で、 ９３０℃に１時間保持した。
化水素酸液で洗浄した後、１×１０−６Ｔｏｒｒ以下に
排気した炉中で、 ９３０℃に１時間保持した。
【００２４】次に、上記の処理を終えたＳｉウェハ５枚
と、その他のＳｉウェハ５枚に対して、それぞれＺｒＯ
２ 薄膜を成膜した。成膜法はＭＢＥ法とし、ターゲッ
トとしては金属Ｙを使用した。成膜条件は、下記の表１
に示す通りである。
と、その他のＳｉウェハ５枚に対して、それぞれＺｒＯ
２ 薄膜を成膜した。成膜法はＭＢＥ法とし、ターゲッ
トとしては金属Ｙを使用した。成膜条件は、下記の表１
に示す通りである。
【００２５】
【表１】
【００２６】最後に、上記バッファ層を装荷した１０枚
のＳｉウェハの各々に、マグネトロンスパッタリング法
によりＹ−Ｂａ−Ｃｕ複合酸化物薄膜を成膜した。使用
したターゲットは、Ｙ：Ｂａ：Ｃｕの比が１：２：３．
８ となるように調製された複合酸化物焼結体である。 下記の表２に示す通りである。
のＳｉウェハの各々に、マグネトロンスパッタリング法
によりＹ−Ｂａ−Ｃｕ複合酸化物薄膜を成膜した。使用
したターゲットは、Ｙ：Ｂａ：Ｃｕの比が１：２：３．
８ となるように調製された複合酸化物焼結体である。 下記の表２に示す通りである。
【００２７】
【表２】
【００２８】以上のようにして作製した１０個の試料に
ついて、それぞれ超電導臨界温度Ｔｃおよび臨界電流密
度Ｊｃ を測定した。測定結果は表３に示す。尚、臨界
電流密度Ｊｃ は、７７Ｋで測定した。
ついて、それぞれ超電導臨界温度Ｔｃおよび臨界電流密
度Ｊｃ を測定した。測定結果は表３に示す。尚、臨界
電流密度Ｊｃ は、７７Ｋで測定した。
【００２９】
【表３】
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る方法
によれば、Ｓｉウェハを基板として使用しながら、結晶
配向性の優れた複合酸化物超電導薄膜を成膜することが
可能になる。
によれば、Ｓｉウェハを基板として使用しながら、結晶
配向性の優れた複合酸化物超電導薄膜を成膜することが
可能になる。
【００３１】酸化物超電導薄膜作製におけるＳｉウェハ
の使用は、基板が廉価で供給が安定していることだけで
はなく、微細加工技術等についての膨大な技術的蓄積に
より、種々のデバイスの作製にも有利に作用する。また
、Ｓｉウェハは、相当大径のものが廉価に供給されてお
り、酸化物超電導薄膜の大面積化にも充分対応できる。
の使用は、基板が廉価で供給が安定していることだけで
はなく、微細加工技術等についての膨大な技術的蓄積に
より、種々のデバイスの作製にも有利に作用する。また
、Ｓｉウェハは、相当大径のものが廉価に供給されてお
り、酸化物超電導薄膜の大面積化にも充分対応できる。
Claims (1)
- 【請求項１】Ｓｉウェハを基板として酸化物超電導薄膜
を成膜する方法において、酸化物超電導薄膜の成膜に先
立って、Ｓｉ基板を１０−６Ｔｏｒｒ以上の高真空中で
９００℃以上に加熱処理する第１工程と、該第１工程
後に該Ｓｉ基板上にＺｒＯ２ 薄膜を成膜する第２工程
と、該第２工程後にＺｒＯ２ 薄膜を装荷した該Ｓｉ基
板を大気中で８００〜８５０ ℃でアニール処理する第
３工程とを含むことを特徴とする複合酸化物超電導薄膜
の成膜方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3144022A JPH04342497A (ja) | 1991-05-20 | 1991-05-20 | 複合酸化物超電導薄膜の成膜方法 |
| DE69203294T DE69203294T2 (de) | 1991-05-20 | 1992-05-20 | Verfahren zur Herstellung einer supraleitenden Dünnschicht aus einer oxidverbindung. |
| US07/885,848 US5252553A (en) | 1991-05-20 | 1992-05-20 | Process for preparing a superconducting thin film of compound oxide |
| EP92401377A EP0519769B1 (en) | 1991-05-20 | 1992-05-20 | A process for preparing a superconducting thin film of compound oxide |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3144022A JPH04342497A (ja) | 1991-05-20 | 1991-05-20 | 複合酸化物超電導薄膜の成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04342497A true JPH04342497A (ja) | 1992-11-27 |
Family
ID=15352508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3144022A Withdrawn JPH04342497A (ja) | 1991-05-20 | 1991-05-20 | 複合酸化物超電導薄膜の成膜方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5252553A (ja) |
| EP (1) | EP0519769B1 (ja) |
| JP (1) | JPH04342497A (ja) |
| DE (1) | DE69203294T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100644410B1 (ko) * | 2005-08-05 | 2006-11-10 | 삼성전자주식회사 | 금속 산화막의 형성 방법 및 이를 이용한 반도체커패시터의 제조 방법 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3579690B2 (ja) * | 2000-09-01 | 2004-10-20 | 独立行政法人 科学技術振興機構 | 複合酸化物系薄膜の作製方法及びその装置並びにそれにより作製した複合酸化物系薄膜。 |
| WO2003034448A1 (en) * | 2000-12-06 | 2003-04-24 | The Regents Of The University Of California | Superconducting composite structures |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US488231A (en) * | 1892-12-20 | Sylvania | ||
| JPH04214097A (ja) * | 1990-12-13 | 1992-08-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導薄膜の作製方法 |
-
1991
- 1991-05-20 JP JP3144022A patent/JPH04342497A/ja not_active Withdrawn
-
1992
- 1992-05-20 EP EP92401377A patent/EP0519769B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-05-20 US US07/885,848 patent/US5252553A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-05-20 DE DE69203294T patent/DE69203294T2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100644410B1 (ko) * | 2005-08-05 | 2006-11-10 | 삼성전자주식회사 | 금속 산화막의 형성 방법 및 이를 이용한 반도체커패시터의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0519769B1 (en) | 1995-07-05 |
| DE69203294D1 (de) | 1995-08-10 |
| EP0519769A2 (en) | 1992-12-23 |
| EP0519769A3 (en) | 1993-03-03 |
| US5252553A (en) | 1993-10-12 |
| DE69203294T2 (de) | 1996-03-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2232448C2 (ru) | Способ получения пленки оксидного сверхпроводника и оксидное сверхпроводниковое изделие | |
| Gurvitch et al. | Preparation and substrate reactions of superconducting Y‐Ba‐Cu‐O films | |
| US6226858B1 (en) | Method of manufacturing an oxide superconductor wire | |
| JPH029717A (ja) | ケイ素及び二酸化ケイ素基板上における超伝導酸化物フイルムの製法 | |
| JP2002505032A5 (ja) | ||
| EP0533945A1 (en) | Production method for oxide superconductor film | |
| JPH04300292A (ja) | 複合酸化物超電導薄膜の成膜方法 | |
| JPH04342497A (ja) | 複合酸化物超電導薄膜の成膜方法 | |
| JPH04214097A (ja) | 超電導薄膜の作製方法 | |
| JPH01167221A (ja) | 超電導薄膜の作製方法 | |
| CN1258618C (zh) | 一种在金属基底上形成织构外延膜的方法 | |
| JPH01166419A (ja) | 超電導薄膜の作製方法 | |
| JPH02252697A (ja) | 超伝導セラミックス薄膜の製法 | |
| CN113838965B (zh) | 一种独立式高温超导薄膜的制备方法 | |
| JPH04300273A (ja) | 複合酸化物超電導薄膜の成膜方法 | |
| JPH01152770A (ja) | 超電導薄膜を有する基板 | |
| JPH01111718A (ja) | 超電導薄膜の形成方法 | |
| JP2577056B2 (ja) | 複合酸化物超電導薄膜の作製方法 | |
| JPH04275906A (ja) | 超電導薄膜の作製方法 | |
| JP2840475B2 (ja) | 酸化物超伝導薄膜の製造方法 | |
| JPH01176216A (ja) | 複合酸化物超電導薄膜の作製方法 | |
| JPH01203298A (ja) | 酸化物セラミツク超電導材料を備えた細長い導体の製造方法と装置 | |
| JPH01164727A (ja) | 超電導薄膜の作成方法 | |
| JPH0227612A (ja) | 酸化物系超電導線材 | |
| JPH01167218A (ja) | 超電導薄膜の作製方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980806 |