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Diese Erfindung bezieht sich auf die Epitaxie von
Hochtemperatur-Supraleiter-Materialien auf Silizium und speziell auf
Verfahren und Strukturen, bei denen
Hochtemperatur-Kupferoxid-Supraleiter auf einem Substrat mit einer (001)-Silizium-Oberfläche
epitaxisch gebildet werden.
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Vor kurzem änderte die bemerkenswerte Entdeckung von J. G.
Bednorz und K. A. Müller, die in Z. Phys. B. - Condensed Matter 64,
189 (1986) und in Europhysics Letters, 3, 379 (1987)
veröffentlicht wurde, die Richtung und die Bedeutung der
Supraleitungstechnologie vollständig. Ihre Entdeckung bestand darin, daß
gewisse Metalloxide deutlich oberhalb von 23K supraleitende
Übergangstemperaturen aufweisen können. Diese Materialien werden oft
als "Hochtemperatur-Supraleiter" bezeichnet. Seit den
ursprünglichen Entdeckungen von Bednorz und Müller wurde weltweit
mit sehr großem Aufwand geforscht und entwickelt, um diese Arten
supraleitender Materialien weiter zu untersuchen, um den
Temperaturbereich, über dem die Materialien supraleitend sind, noch
weiter auszudehnen und die grundlegenden Mechanismen für die
Supraleitung in dieser Klasse von Materialien zu verstehen.
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Bednorz und Müller zeigten zuerst supraleitendes Verhalten in
gemischten Kupferoxiden, die typischerweise Seltenerd- bzw.
seltenerd-ähnliche Elemente und Erdalkalielemente, beispielsweise
La, Ba, Sr, ..., enthalten und eine perovskitähnliche Struktur
besitzen. Es wurde festgestellt, daß Materialien, die im
sogenannten Y-Ba-Cu-O-System die sogenannte "1-2-3"-Phase enthalten,
eine supraleitende Übergangstemperatur oberhalb von 77K
aufweisen.
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R. B. Laibowitz und Mitarbeiter waren die ersten, die ein
Verfahren zur Herstellung dünner Filme dieser Materialien fanden
und beschrieben. Diese Dünnfilmstrukturen und die Verfahren zu
ihrer Herstellung werden in Phys. Rev. B, 35, 8821 (1987)
beschrieben. Bei dieser Technik wird ein Dampftransportverfahren
benutzt, bei dem die Komponenten des supraleitenden Films
verdampft und in einer Sauerstoffatmosphäre auf einem Substrat
abgelagert werden und anschließend der abgelagerte Film weiter
geglüht wird.
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Chang et al beschreiben in "Thin-film YBaCuO superconductors
formed by Cu/BaO/Y&sub2;O&sub3; layer structures", Appl. Phys. Lett. 52 (1),
4. Januar 1988, S. 72 - 74, Supraleiterdünnfilme, die eine
Mischung von 1-2-3- und 2-1-1-Grünphasen enthalten, die auf MgO-
oder SrTiO&sub3;-Substraten ohne Zwischenpufferschicht abgelagert sind
und mit Schichten von Y&sub2;O&sub3;, BaO und Cu beginnen, die während
eines Glühschrittes einen YBa&sub2;Cu&sub3;O&sub7;-Film mit überschüssigem freiem
Kupfer bilden würden. Chang et al berichten, daß auf Silizium-
oder Siliziumoxid-Substraten abgelagerte Proben von
Halbleitermaterialien "nichtleitend" wurden.
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Gurvitch et al beschreiben in "Preparation and substrate
reactions of superconducting Y-Ba-Cu-O films", Appl. Phys. Lett. 51
(13), 28. September 1987, S. 1027 - 1029, die Ablagerung eines
einphasigen YBa&sub2;Cu&sub3;O&sub7;-Materials auf ZrO&sub2;- und SrTiO&sub3;-Substraten
über dazwischenliegenden Pufferschichten von Y&sub2;O&sub3;, Ag, Nb, Cu,
NbN, VN und SiO&sub2;. Diese Autoren stellten auch fest, daß auf
Silizium und Siliziumoxid abgelagerte supraleitende Filme nach dem
Glühen "nicht supraleitend waren und sich in einigen Fällen
abschälten".
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EP-A-0 288 711 und EP-A-0 317 493 enthalten weitere Hinweise,
die die Ablagerung von Filmen oder Schichten von Hochtemperatur-
Supraleiter-Materialien allgemein beschreiben. Das erste dieser
Dokumente beschreibt einen Plasmasprühbeschichtungsprozeß,
während die zweite eine Methode zur Beschichtung eines Substrates
beschreibt, indem eine Lösung aufgesprüht und danach der
aufgetragene Film mit einem Muster versehen wird, um eventuell eine
gemusterte Schicht von Hochtemperatur-Supraleiter-Material zu
erzeugen.
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Die Epitaxie von Hochtemperatur-Supraleiterfilmen wurde auf
verschiedenen Substraten ausgeführt, einschließlich SrTiO&sub3;.
Insbesondere wurden, wie in einer Arbeit von P. Chaudhari et al
(veröffentlicht in den Physical Review Letters, 58, 2684, Juni
1987) erwähnt wird, Supraleitende Filme, die hochkritische
Ströme führen können, epitaxisch abgelagert. Während jedoch
epitaxische Filme auf Substraten realisiert wurden, deren Gitter stark
mit dem des supraleitenden Filmes übereinstimmt, hat noch
niemand erfolgreich Epitaxie auf einem Substrat wie zum Beispiel
Silizium realisiert, dessen Gitter nicht gut zu dem des
Hochtemperatur-Supraleiterfilms paßt. Weiterhin würde die
Bereitstellung eines epitaxischen Films, der seine supraleitenden
Eigenschaften bei hohen Temperaturen beibehält, ohne auch die
wünschenswerten Eigenschaften des Siliziums zu zerstören, ein
bedeutendes Ergebnis sein, weil gezeigt wurde, daß Materialien
auf der Grundlage von Silizium mit
Hochtemperatur-Supraleiterfilmen so reagieren, daß die Supraleitfähigkeit dieser Filme
zerstört wird.
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Demzufolge ist die Bereitstellung eines Verfahrens zur
epitaxischen Ablagerung von Hochtemperatur-Supraleiterfilmen auf einem
Substrat mit Silizium und die auf diese Weise erzeugte
Film-Substrat-Kombination ein Hauptziel der vorliegenden Erfindung.
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Ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung besteht darin, die
Epitaxie von Hochtemperatur-Supraleiterfilmen auf Silizium so
zur Verfügung zu stellen, daß die Hochtemperaturbearbeitung, die
für die Erzeugung der supraleitenden Eigenschaften in diesen
Filmen erforderlich ist, die supraleitenden Filme und das
siliziumhaltige Substrat nicht ungünstig beeinflußt.
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Ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung besteht darin, die
Epitaxie von Hochtemperatur-Supraleiterfilmen auf einem
siliziumhaltigen Substrat zur Verfügung zu stellen, wobei die Film-
Substrat-Kombination widerstandsfähig gegenüber den
Hochtemperatur-Verarbeitungsschritten
ist.
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Ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung besteht darin,
epitaxische Kombinationen aus Hochtemperatur-Supraleitungs-Filmen
und einer Siliziumbasis zur Verfügung zu stellen, die mit vielen
Verfahren hergestellt werden können, sofern die richtigen
Kristallorientierungen zwischen dem Substrat und dem supraleitenden
Film eingehalten werden.
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Epitaxische Filme von Hochtemperatur-Supraleitern werden auf
einem siliziumhaltigen Substrat zur Verfügung gestellt, wobei
die Epitaxie auf einer (001)-Fläche des siliziumhaltigen
Substrates geschieht. Da der gegenwärtige technologische Stand bei
der Herstellung von Hochtemperatur-Supraleiterfilmen die
Verwendung von hohen Temperaturen erfordern kann, um in den
supraleitenden Filmen den richtigen Sauerstoffgehalt zu erhalten, kann
zwischen der Silizium-(001)-Fläche und dem epitaxischen
supraleitenden Film eine Zwischenschicht notwendig sein. Diese
Zwischenschicht kann dünn sein (beispielsweise in der Größenordnung
von 100 nm), und es wird ein Material gewählt, das als
Diffusionsbarriere für Si-Atome wirkt. Die Zwischenschicht ist
epitaxisch zur darunterliegenden Si-(001)-Fläche und darf weder mit
dem Silizium noch mit dem supraleitenden Film reagieren. Sie muß
kein Isolator sein, aber bei speziellen
Bauelementekonfigurationen kann ein isolierendes Material von Vorteil sein. Ebenso kann
ihre Dicke entsprechend der speziellen Anwendung und der
Zusammensetzung des Substrates und des Supraleiters gewählt werden.
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In der vorliegenden Erfindung geschieht die Epitaxie nur auf der
(001)-Siliziumfläche. Weil die Hochtemperatur-Supraleiterfilme
keine Gitterkonstante besitzen, die mit der des Siliziums ganz
oder beinahe übereinstimmt, muß die Einheitszelle des
supraleitenden Films zusätzlich so angeordnet werden, daß zwei der drei
Kristallachsen des supraleitenden Films bezüglich des
Siliziumgitters um 45º gedreht sind, während die dritte Achse des
supraleitenden Films parallel zu einer Normalen der
(001)-Siliziumfläche liegt. Wenn beispielsweise die Einheitszelle des
Hochtemperatur-Supraleiterfilms
die Achsen a, b und c enthält, kann die
c-Achse normal zur (001)-Siliziumfläche liegen, während die
Kristallachsen a und b bezüglich dieser Achsen in der
Siliziumeinheitszelle um 45º gedreht sind.
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Zu den geeigneten Zwischenschichten gehören solche mit BaO,
SrO, CuO, Y&sub2;O&sub3;, CaF&sub2; und BaF&sub2; und Legierungen daraus (zum Beispiel
BaSrO&sub2;).
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Diese und weitere Ziele, Eigenschaften und Vorteile werden aus
der folgenden ausführlicheren Beschreibung der bevorzugten
Realisierungen ersichtlich. Es wird auf die beigefügten Zeichnungen
Bezug genommen; dabei ist
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Fig. 1 eine Seitenansicht der Epitaxie-Kombination
"supraleitender Film - Si-Substrat", einschließlich einer
dünnen Zwischenschicht zwischen dem supraleitenden Film
und dem Siliziumsubstrat.
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Fig. 2 eine Draufsicht auf die (001)-Siliziumfläche, die die
Anordnung einer Einheitszelle von
Hochtemperatur-Supraleiter-Material auf dieser Fläche und die
45º-Drehung der Achsen der Einheitszelle des
supraleitenden Films bezüglich der Siliziumeinheitszelle
zeigt.
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Fig. 3 eine schematische Darstellung, in der die c-Achse der
Hochtemperatur-Supraleiter-Einheitszelle normal zur
(001)-Siliziumfläche ist, wobei der Supraleiter durch
die hier im Anschluß zu beschreibenden Formeln A&sub1;B&sub2;Cu&sub3;O7-ε
oder (A1-xBx)&sub2;CuO4-ε dargestellt werden kann.
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Fig. 4 eine schematische Darstellung, in der die c-Achse der
Einheitszelle des Hochtemperatur-Supraleiterfilms
parallel zur (001)-Siliziumfläche ist, wobei der
Supraleiterfilm eine Formel A&sub1;B&sub2;Cu&sub3;O7-ε besitzt.
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Es wird ein Verfahren zur Verfügung gestellt, Hochtemperatur-
Supraleiter-Materialien auf der Basis von Kupferoxid epitaxisch
auf Si (001) abzulagern. Typischerweise enthalten diese Klassen
von supraleitenden Materialien ein Seltenerdelement bzw.
seltenerd-ähnliches Element bzw. ein Erdalkalielement. Repräsentative
Formeln für derartige Materialien sind (A1-xBx)&sub2;CuO4-ε und A&sub1;B&sub2;Cu&sub3;O7-ε,
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wobei A ein dreiwertiges Element ist (z.B. La, Y und
Seltenerdelemente), B ein Erdalkalielement (z.B. Ca, Sr, Ba),
und x und ε sind Variable. Diese supraleitenden Materialien
enthalten alle CuO-Ebenen, die ein beinahe quadratisches
Gitter mit Gitterkonstanten a≈b = 0,378 bis 0,395 besitzen.
Die Einheitszelle des Gitters der Silizium-(001)-Fläche hat
Gitterkonstanten a = b = 0,543 nm. Um auf dieser Fläche
Epitaxie zu erreichen, muß die Einheitszelle des
Supraleiterfilms bezüglich der Siliziumfläche um 45º gedreht
werden, um eine genügend große Übereinstimmung der
Gitterkonstante zu erreichen. Wenn dies geschehen ist, kann die
Supraleiter-Einheitszelle mit dem Gitter der Silizium-(001)-
Fläche in Übereinstimmung gebracht werden, für das dann a =
b = 0,543 nm/ [2] = 0,384 nm ist. Beispiele werden unter
Bezugnahme auf Fig. 2, 3 und 4 angeführt.
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Obwohl es wünschenswert wäre, direkten Kontakt zwischen dem
Supraleiterfilm und der (001)-Siliziumfläche herzustellen, ergibt
sich ein Problem, wenn gegenwärtig bekannte Verfahren zur
Erreichung von Hochtemperatur-Supraleiter-Materialien verwendet
werden. Für die Herstellung dieser Materialien sind Temperaturen
von ungefähr 900 ºC erforderlich, um in dem Supraleiterfilm die
richtige Kristallstruktur und die notwendigen Sauerstoffmengen
zu erhalten. Bei Temperaturen oberhalb von ungefähr 600 ºC
bilden sich jedoch an der Grenzfläche des Supraleiterfilmes und des
darunterliegenden Siliziumsubstrates Silikate. Die Bildung
dieser Silikate zerstört die Supraleitfähigkeit des Filmes und
beeinträchtigt das Siliziumsubstrat. Somit wurde erkannt, daß
zwischen dem supraleitenden Film und dem darunterliegenden
Siliziumsubstrat eine Zwischenschicht vorgesehen werden sollte, falls
nicht verbesserte Verarbeitungsschritte gefunden werden können,
um die richtige Kristallstruktur und den richtigen
Sauerstoffgehalt bei niedrigeren Temperaturen herzustellen.
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Eine andere Erwägung besteht darin, daß eine Temperatur von
ungefähr 400 ºC erforderlich ist, um im Supraleiter über genügend
Sauerstoffmobilität zur Erreichung der richtigen Stöchiometrie
zu verfügen. Also gibt es zwischen 400 ºC und ungefähr 600 ºC
ein Fenster, das eine direkte Epitaxie auf Si (001) erlauben
würde, falls bei diesen Temperaturen eine ausreichende Ordnung
und eine genügende Sauerstoffkonzentration hergestellt werden
könnten.
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Fig. 1 veranschaulicht eine epitaxiale Struktur, die eine
Zwischenschicht zwischen dem Silizium-(001)-Substrat und dem darauf
epitaxisch abgelagerten supraleitenden Film benutzt. In dieser
Struktur befindet sich auf dem Siliziumsubstrat 10 eine dünne
epitaxische Schicht 12, die als Puffer zwischen der
supraleitenden Schicht 14 und dem Siliziumsubstrat 10 dient. Die
Zwischenschicht 12 muß gewisse Eigenschaften besitzen: sie muß
epitaxisch zur Silizium-(001)-Fläche sein, sie muß für Siliziumatome
und für Atome in der supraleitenden Schicht 14 eine
Diffusionsbarriere sein, und sie darf weder mit dem Siliziumsubstrat 10
noch mit dem Supraleiterfilm 14 reagieren. Es ist nicht
unbedingt notwendig, daß es sich um ein isolierendes Material
handelt, obwohl dies in vielen Mehrschichtstrukturen eine
wünschenswerte Eigenschaft ist. Ihre Dicke ist nicht kritisch, sie
wird gewählt, um die Interdiffusion zwischen dem Substrat 10 und
dem supraleitenden Film 14 zu verhindern. Beispiele für
Materialien, die als Zwischenschichten benutzt werden können, enthalten
BaO, SrO, CuO, Y&sub2;O&sub3;, CaF&sub2; und BaF&sub2; und Legierungen daraus. Es ist
auch möglich, die Zwischenschicht 12 aus mehreren dünnen
Schichten zusammenzusetzen, beispielsweise einer Schicht CaF&sub2; und einer
Schicht BaF&sub2;. Die wichtige Eigenschaft besteht darin, daß die
Zwischenschicht epitaxisch zur darunterliegenden Siliziumschicht
ist und chemische und physikalische Barrieren zwischen der
supraleitenden Schicht 14 und dem Silizium 10 bereitstellt.
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Es wurde erwähnt, daß die Einheitszelle des Supraleitermaterials
nicht mit der Siliziumeinheitszelle übereinstimmt. Man kann aber
eine geeignete Epitaxie erhalten, wenn die Epitaxie auf der
(001)-Fläche des Siliziums geschieht und wenn die Einheitszelle
des Supraleitermaterials bezüglich der Einheitszelle des
Siliziumsubstrates richtig orientiert ist. Dies erfordert, wie in Fig.
2 veranschaulicht, eine 45º-Drehung der Einheitszelle des
Supraleiterfilms bezüglich des Siliziums. Diese Abbildung ist eine
Draufsicht auf eine Si-(001)-Fläche und veranschaulicht die a-
und b-Kristallachsen der Siliziumfläche, die Positionen der
Siliziumatome und die notwendige Orientierung der Einheitszelle
des Hochtemperatur-Supraleiters bezüglich der Siliziumfläche.
Die Siliziumatome werden durch die Kreise dargestellt, während
die Einheitszelle des Supraleiters durch das Quadrat 16
dargestellt wird. Gleichgültig, ob die c-Achse der
Supraleitereinheitszelle senkrecht oder parallel zur Si-(001)-Fläche ist,
werden zwei der drei Kristallachsen der Supraleitereinheitszelle
bezüglich der entsprechenden Kristallachsen der
Siliziumeinheitszelle um 45º gedreht. Dies wird in Fig. 3 und 4
ausführlicher veranschaulicht.
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In Fig. 3 liegt die c-Achse der Supraleitereinheitszelle 16
normal zur (001)-Siliziumfläche, während die a- und b-Achsen der
Supraleitereinheitszelle parallel zur Si-(001)-Fläche liegen.
Das Siliziumsubstrat hat eine kubische Einheitszelle 18, deren
Kristallachsen in dieser Zeichnung dargestellt sind. Wie man
sehen kann, sind die a- und b-Achsen der
Supraleitereinheitszelle bezüglich der entsprechenden Achsen der Siliziumeinheitszelle
um 45º gedreht, während die c-Achse des Supraleiters parallel zu
einer Normalen der Silizium-(001)-Fläche liegt.
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Fig. 4 stellt Oxidmaterial bezüglich eines Siliziumsubstrates
dar. Hier liegt die c-Achse der Supraleitereinheitszelle 16
parallel zur Si-(001)-Siliziumfläche, während die a- oder b-Achse
der Supraleitereinheitszelle senkrecht zur Si-(001)-Fläche
liegt. Wiederum sind zwei der drei Kristallachsen der
Supraleitereinheitszelle bezüglich der entsprechenden Achsen der
Siliziumeinheitszelle
18 um 45º gedreht, um Epitaxie zu erreichen.
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Sowohl in Fig. 3 als auch in Fig. 4 ist die Zwischenschicht 12
nicht dargestellt, um die Zeichnung zu vereinfachen. Es ist aber
für Fachleute verständlich, daß die Zwischenschicht mit dem
darunterliegenden Silizium epitaxisch übereinstimmt und deshalb die
in diesen Abbildungen dargestellten Kristallorientierungen nicht
ändern würde.
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Beispiele für supraleitende Materialien, deren Gitter mit einer
Silizium-(001)-Fläche übereinstimmen, sind La1,85Ba0,15CuO&sub4; mit a = b
= 0,378 nm (-2% Fehlanpassung) und Y&sub1;Ba&sub2;Cu&sub3;O7-ε mit a = =,382 nm, b
= 0,388 nm, c/3 = 0,389 nm (ungefähr 1% Fehlanpassung). Beide
Materialklassen können Epitaxie aufweisen, wobei die c-Achse des
Supraleiters normal zur Si-(001)-Fläche liegt. In diesem
Beispiel liegen die CuO-Ebenen des Supraleiters parallel zur
Substratfläche. Für die Materialklasse A&sub1;B&sub2;Cu&sub3;O7-ε ist es möglich,
Epitaxie mit der c-Achse des Supraleiters entweder senkrecht
oder parallel zur Si-(001)-Fläche zu erreichen. Wenn die c-Achse
parallel zur Si-(001)-Fläche liegt, liegen die CuO-Ebenen im
Supraleiter senkrecht zur Siliziumfläche.
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Auf diese Weise kann Epitaxie Supraleitermaterialien mit
wohldefinierter Orientierung zur Verfügung stellen. Anwendungen
dieser epitaxialen Strukturen umfassen elektrische Verbindungen mit
niedrigem Widerstand in elektronischen Geräten, magnetische
Abschirmung und dreidimensionale Bauelementestrukturen.
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Fachleute werden zu schätzen wissen, daß die vorliegende
Erfindung sowohl auf epitaxiale Strukturen mit Silizium-(001)-Flächen
und Mischungen auf der Basis von Kupferoxid, die irgendwelche
Kombinationen von Seltenerd- oder seltenerd-ähnlichen Elementen
bzw. Erdalkalielementen enthalten, als auch auf
Kupferoxidsupraleiter, die keine Seltenerdelemente enthalten, anwendbar ist.
Weiterhin wird für Fachleute ersichtlich sein, daß die Si-(001)-
Fläche kristallographisch äquivalent zur Si-(100)-Fläche ist und
die Bezeichnung dieser Flächen nur eine Sache der Wahl der
Koordinaten
ist, die benutzt wurden, um die Richtungen und Flächen
zu definieren.
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Es ist auch einzusehen, daß diese Erfindung eine wesentliche
Epitaxie auch ergibt, wenn die Gitterkonstante etwa bis zu 20
Prozent abweicht. Wenn die Abweichung kleiner wird, erhöht sich
natürlich die Qualität der epitaxischen Ablagerung, und die
Fehlstellendichte im abgelagerten Supraleiterfilm nimmt auch ab.
Durch richtige Wahl der Zwischenschicht und der Zusammensetzung
der Supraleiterschicht kann durch Drehung der Kristallachsen
eine sehr enge Übereinstimmung erreicht werden, um Materialien
mit geringer Defektstellendichte zu erreichen.
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Es sollte weiterhin verständlich sein, daß die Dicke der
Supraleiterschicht beliebig ist und entsprechend der speziellen
Anwendung gewählt wird, für die epitaxische Filme erforderlich
sind.
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Es ist für Fachleute auch verständlich, daß die Verfahren, die
zur Bildung der Zwischenschicht und der Supraleiterschicht
benutzt werden, gut bekannt sind. Beispielsweise wird die
Zwischenschicht leicht durch chemische Dampfablagerung oder
vorzugsweise durch molekulare Strahlepitaxie gebildet, bei der eine
sehr dünne Schicht von hoher Qualität auf dem Si-(001)-Substrat
abgelagert werden kann. Die Supraleiterschicht kann mit gut
bekannten, die Dampfablagerung einschließenden Verfahren, wie zum
Beispiel Ionenstrahlzerstäubung oder Verdampfung in einer
Sauerstoffatmosphäre, abgelagert werden. Im allgemeinen würde die
Siliziumsubstratfläche erhitzt werden, um irgendwelche dort
gebildeten Oxide zu entfernen, was ein
Standardherstellungsverfahren ist. Atomar saubere Siliziumflächen würden in eine
Ultrahochvakuumkammer gebracht, danach würde die Zwischenschicht
abgelagert. Vorzugsweise ist auch die Supraleiterschicht in dem
gleichen Ultrahochvakuum abzulagern, um die Wirkung von
Verschmutzungen usw. zu reduzieren.
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Die Erfindung ist auf die Epitaxie einer auf Kupferoxid
beruhenden
Hochtemperatur-Supraleiterschicht auf einer silizium-(001)-
haltigen Fläche gerichtet, wobei zwei der drei Kristallachsen
der Einheitszelle des Supraleitermaterials bezüglich des
Siliziumgitters um 45º gedreht werden und die dritte Achse der
Supraleiter-Einheitszelle parallel zu einer Normalen der
(001)-Siliziumfläche liegt. Das Substrat enthält Materialien wie
eigenleitendes oder dotiertes Silizium und Silizium, das epitaxische
Metallsilizidschichten mit (001)-Flächenorientierungen enthält.
Ein Beispiel ist (001)-Silizium mit eingebetteten und koplanaren
epitaxialen Metallsilizidleiterbahnen. Auf einem solchen
Substrat kann ein Hochtemperatur-Supraleiter-Oxid epitaxisch
gebildet werden, wobei die Prinzipien dieser Erfindung benutzt
werden, so daß der Supraleiter sowohl das (001)-Silizium als auch
das (001)-Metallsilizid überlagert.