DE68926387T2 - Wärmebeständige Kunststoffpaste sowie damit hergestellte integrierte Schaltungsanordnung - Google Patents
Wärmebeständige Kunststoffpaste sowie damit hergestellte integrierte SchaltungsanordnungInfo
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- DE68926387T2 DE68926387T2 DE68926387T DE68926387T DE68926387T2 DE 68926387 T2 DE68926387 T2 DE 68926387T2 DE 68926387 T DE68926387 T DE 68926387T DE 68926387 T DE68926387 T DE 68926387T DE 68926387 T2 DE68926387 T2 DE 68926387T2
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- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 claims description 128
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 98
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 89
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 89
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 59
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 51
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 48
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 39
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 claims description 24
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 claims description 24
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 19
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 16
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 claims description 13
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 11
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 5
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 67
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 22
- NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOC(C)=O NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 17
- WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N Acetic anhydride Chemical compound CC(=O)OC(C)=O WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 12
- ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N tetraglyme Chemical compound COCCOCCOCCOCCOC ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 10
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 8
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 8
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 7
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 6
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- -1 for example Polymers 0.000 description 6
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 6
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 6
- ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 232Th Chemical compound [232Th] ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 238000012674 dispersion polymerization Methods 0.000 description 5
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 5
- DNYWZCXLKNTFFI-UHFFFAOYSA-N uranium Chemical compound [U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U] DNYWZCXLKNTFFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005292 vacuum distillation Methods 0.000 description 5
- CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 1,3-Dimethyl-2-imidazolidinon Chemical compound CN1CCN(C)C1=O CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N anhydrous diethylene glycol Natural products OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N bpda Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 4
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 4
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 4
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 4
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 4
- SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N trimellitic anhydride Chemical compound OC(=O)C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RDMFEHLCCOQUMH-UHFFFAOYSA-N 2,4'-Diphenyldiamine Chemical group C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=CC=C1N RDMFEHLCCOQUMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CNPVJWYWYZMPDS-UHFFFAOYSA-N 2-methyldecane Chemical compound CCCCCCCCC(C)C CNPVJWYWYZMPDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XZOQPRNOAGCWNT-UHFFFAOYSA-N 4-[[(3,4-dicarboxyphenyl)-dimethylsilyl]oxy-dimethylsilyl]phthalic acid Chemical compound C=1C=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=CC=1[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 XZOQPRNOAGCWNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 5-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-carbonyl)-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C(C=2C=C3C(=O)OC(=O)C3=CC=2)=O)=C1 VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 125000004177 diethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 3
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical group CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 3
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N triglyme Chemical compound COCCOCCOCCOC YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 3
- QPFMBZIOSGYJDE-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2-tetrachloroethane Chemical compound ClC(Cl)C(Cl)Cl QPFMBZIOSGYJDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1CC KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 1-Octanol Chemical compound CCCCCCCCO KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 2
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009102 absorption Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000005260 alpha ray Effects 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- GMSCBRSQMRDRCD-UHFFFAOYSA-N dodecyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCOC(=O)C(C)=C GMSCBRSQMRDRCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- JBKVHLHDHHXQEQ-UHFFFAOYSA-N epsilon-caprolactam Chemical compound O=C1CCCCCN1 JBKVHLHDHHXQEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBFHTYHTHYHCDJ-UHFFFAOYSA-N gamma-caprolactone Chemical compound CCC1CCC(=O)O1 JBFHTYHTHYHCDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 2
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 2
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 125000002256 xylenyl group Chemical class C1(C(C=CC=C1)C)(C)* 0.000 description 2
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-dichlorophosphoryloxybenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1OP(Cl)(Cl)=O VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YWMDVXGHNXBWRX-UHFFFAOYSA-N 1-isocyanato-4-[4-[2-[4-(4-isocyanatophenoxy)phenyl]propan-2-yl]phenoxy]benzene Chemical compound C=1C=C(OC=2C=CC(=CC=2)N=C=O)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1OC1=CC=C(N=C=O)C=C1 YWMDVXGHNXBWRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOMPBXWFMAJRRU-UHFFFAOYSA-N 3-ethyloxiran-2-one Chemical compound CCC1OC1=O ZOMPBXWFMAJRRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Diphenylmethane Diisocyanate Chemical compound C1=CC(N=C=O)=CC=C1CC1=CC=C(N=C=O)C=C1 UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APXJLYIVOFARRM-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(3,4-dicarboxyphenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]phthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 APXJLYIVOFARRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BEKFRNOZJSYWKZ-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(4-aminophenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(N)C=C1 BEKFRNOZJSYWKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMKWGXGSGPYISJ-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[2-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propan-2-yl]phenoxy]aniline Chemical compound C=1C=C(OC=2C=CC(N)=CC=2)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 KMKWGXGSGPYISJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004953 Aliphatic polyamide Substances 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YGYAWVDWMABLBF-UHFFFAOYSA-N Phosgene Chemical compound ClC(Cl)=O YGYAWVDWMABLBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000012644 addition polymerization Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229920003231 aliphatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 125000005442 diisocyanate group Chemical group 0.000 description 1
- GUVUOGQBMYCBQP-UHFFFAOYSA-N dmpu Chemical compound CN1CCCN(C)C1=O GUVUOGQBMYCBQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000011874 heated mixture Substances 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940078487 nickel acetate tetrahydrate Drugs 0.000 description 1
- OINIXPNQKAZCRL-UHFFFAOYSA-L nickel(2+);diacetate;tetrahydrate Chemical compound O.O.O.O.[Ni+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O OINIXPNQKAZCRL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 1
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009974 thixotropic effect Effects 0.000 description 1
- 239000012905 visible particle Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- PAPBSGBWRJIAAV-UHFFFAOYSA-N ε-Caprolactone Chemical compound O=C1CCCCCO1 PAPBSGBWRJIAAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft eine neue hitzebeständige Harzpaste, die als Überzugsmaterial für Siebdruckverfahren gut verwendet werden kann, und deren Verwendung bei der Herstellung von integrierten Schaltungen.
- Im allgemeinen weisen Harzlösungen nur schwerlich Thixotropie auf. Thixotropie ist als die Erscheinung definiert, wonach die scheinbare Viskosität eines Objekts zeitweise durch Deformation des Objekts, während die Temperatur konstant gehalten wird, abnimmt. Sie ist als Fließeigenschaft von Pasten für Siebdruckverfahren wichtig, deren Viskosität unter hohen Scherraten während des Drucks zeitweise abnehmen sollte, so daß die Pasten fließen können. Sie sollte jedoch nach dem Übertragen der Pasten auf Basissubstanzen auf den Ursprungswert zurückkehren, um ein Auslaufen oder Fließen der Pasten zu verhindern. Eine Methode, um Harzlösungen Thixotropie zu verleihen, ist die Umwandlung der Harzlösungen in Pasten, indem feine Harzteuchen als Füllmittel in der Harzlösung dispergiert werden. Verschiedene solcher Pasten sind bekannt. Bekannte Harzlösungen für Verwendungen, die keine so hohe Hitzebeständigkeit erfordern, sind Harzlösungen von beispielsweise Kolophonium-modifizierten Phenolharzen, Kolophonium-modifizierten Maleinsäureharzen, Melaminharzen und Epoxyharzen. Bekannte Harzlösungen für Verwendungen, die hohe Hitzebeständigkeit erfordern, schließen Harzlösungen von hochgradig wärmebeständigen Harzen, beispielsweise Polyaminsäureharze, die Vorläufer für Polyimidharze sind, bestimmte Polyimidharze, Polyamid-Imid-Harze und Polyamidharze, die in Lösungsmittel löslich sind, ein. Bekannte feine Harzteilchen, die in diesen Harzlösungen unter Bildung von Pasten dispergiert werden, für Verwendungen, die keine so hohe Hitzebeständigkeit erfordern, schließen beispielsweise feine Teilchen aliphatischer Polyamidharze, feine Teilchen von Melaminharzen, feine Teilchen von Epoxyharzen und feine Teilchen von Phenolharzen ein. Bekannte feine Teilchen, für Verwendungen, die hohe Hitzebeständigkeit erfordern, schließen feine Teilchen hochwärmebeständiger Harze, beispielsweise feine Teilchen von Polyimidharzen, feine Teilchen von Polyamid-Imid-Harzen und feine Teilchen von Polyamidharzen ein.
- Bei der Herstellung von Halbleitern und Leiterplatten werden Isolierschichten und Schichten zum Schutz der Oberfläche im allgemeinen unter Einsatz einer Siebdrucktechnik gebildet. Diese Isolierschichten und Schichten zum Schutz der Oberfläche benötigen hohe Hitzebeständigkeit, Flexibilität, Feuchtigkeitsbeständigkeit und Korrosionsbeständigkeit. Für diese Verwendungen wurden Pasten für Siebdruckverfahren hergestellt, indem feine Teilchen anorganischer oder organischer Stoffe als Füllmittel in den oben beschriebenen Lösungen hochgradig wärmebeständiger Harze dispergiert wurden. Jedoch setzen anorganische feine Teilchen die den Harzen immanente Flexibilität herab, da diese hart sind und, bedingt durch ihre große Schwere, große Volumenprozente innerhalb der Pasten besetzen. Ungenügende Flexibilität führt zur Bildung von Rissen in Folien, und anorganische feine Teilchen verletzten leicht die Oberflächen von Halbleitern. Deshalb besitzen Isolierschichten und Schutzschichten, die aus anorganische feine Teilchen enthaltenden Pasten gebildet wurden, nicht die notwendige Betriebssicherheit.
- Andererseits wurden organische feine Teilchen mit ausgezeichneter Flexibilität als Teilchen, die möglicherweise die oben beschriebenen Probleme lösen könnten, untersucht. Jedoch neigen diese bei der Dispersion als Füllmittel in einer Folie dazu, zwischen ihren Oberflächen und dem als Haftmittel dienenden Harz Leerstellen zu lassen, wodurch die Flexibilität, Feuchtigkeitsbeständigkeit und Korrosionsbeständigkeit direkt herabgesetzt wird. Ein solcher Defekt scheint schlimmer im Fall von Pasten, die unter Verwendung anorganischer feiner Teilchen, die eine schlechte Affinität zu Harzen aufweisen, hergestellt werden. Demgemäß sind Folien, die ausgehend von herkömmlichen Pasten hergestellt werden und die die feinen Teilchen als Füllstoffe, so wie sie sind, in den Filmen aufweisen, nicht einheitlich und enthalten tendenziell Leerstellen unabhängig davon, ob die Füllstoffe anorganische feine Teilchen oder organische feine Teilchen sind. Demgemäß liefern solche Filme bei Verwendungen, die hohe Flexibilität, Feuchtigkeitsbeständigkeit und Korrosionsbeständigkeit erfordem, nicht notwendigerweise zufriedenstellende Ergebnisse.
- Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung liegt darin, die oben beschriebenen Probleme zu lösen und eine hitzebeständige Harzpaste bereitzustellen, die Thixotropie aufweist und Filme liefert, die bezüglich der Hitzebeständigkeit, Flexibilität, Feuchtigkeitsbeständigkeit und Korrosionsbeständigkeit ausgezeichnet sind.
- Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung liegt in der Bereitstellung von Bauelementen, die Isolierschichten oder Schichten zum Schutz der Oberfläche besitzen und ausgehend von der hitzebeständigen Harzpaste hergestellt werden.
- Demgemäß stellt die vorliegende Erfindung eine hitzebeständige Harzpaste bereit, die im wesentlichen aus folgenden Bestandteilen besteht:
- einer ersten organischen Flüssigkeit (A&sub1;),
- einer zweiten organischen Flüssigkeit (A&sub2;),
- einem hitzebeständigem Harz (B), das in dem aus der ersten organischen Flüssigkeit (A&sub1;) und der zweiten organischen Flüssigkeit (A&sub2;) bestehenden Gemisch organischer Flüssigkeiten löslich ist, und
- einen Teilchen eines hitzebeständigen Harzes (C), das in der ersten organischen Flüssigkeit (A&sub1;) löslich ist, jedoch in der zweiten organischen Flüssigkeit (A&sub2;) unlöslich ist,
- worin die erste organische Flüssigkeit (A&sub1;), die zweite organische Flüssigkeit (A&sub2;) und das hitzebeständige Harz (B) in eine Lösung gebracht werden, in der die feinen Teilchen eines hitzebeständigen Harzes (C) dispergiert sind, und die feinen Teilchen eines hitzebeständigen Harzes (C) eine mittlere Teilchengröße von 40 µm oder weniger aufweisen.
- Die vorliegende Erfindung stellt weiterhin ein Bauelement für integrierte Schaltungen bereit, worin eine schichtförmige Isolierung durch mindestens eine, zwischen zwei benachbarten Leiterschichten eingeschobene Isolierschicht erreicht wird, wobei die Isolierschicht aus einem hitzebeständigen Harz hergestellt wird, das durch Erwärmen der erfindungsgemäßen hitzebeständigen Harzpaste erhältlich ist.
- Die vorliegende Erfindung stellt ferner ein Bauelement für integrierte Schaltungen bereit, worin der Schutz der Oberfläche eines Halbleiterchips durch eine Schicht zum Schutz der Oberfläche, die die Oberfläche des Halbleiterchips in fester Weise abdeckt, erreicht wird, wobei die Schicht zum Schutz der Oberfläche aus einem hitzebeständigen Harz hergestellt wird, das durch Erwärmen der erfindungsgemäßen hitzebeständigen Harzpaste erhältlich ist.
- Darüber hinaus stellt die vorliegende Erfindung ein Bauelement für integrierte Schaltungen bereit, worin eine schichtförmige Isolierung durch mindestens eine, zwischen zwei benachbarten Leiterschichten eingeschobene Isolierschicht erreicht wird, und der Schutz der Oberfläche eines Halbleiterchips durch eine Schicht zum Schutz der Oberfläche, die die Oberfläche des Halbleiterchips in fester Weise bedeckt, erreicht wird, wobei sowohl die Isolierschicht, als auch die Schicht zum Schutz der Oberfläche aus einem hitzebeständigen Harz hergestellt werden, das durch Erwärmen der erfindungsgemäßen hitzebeständigen Harzpaste erhältlich ist.
- Die erfindungsgemäße hitzebeständige Harzpaste ist im wesentlichen aus einer Lösung zusammengesetzt, die aus der ersten organischen Flüssigkeit (A&sub1;), der zweiten organischen Flüssigkeit (A&sub2;) und dem hitzebeständigen Harz (B), das hauptsächlich als Bindemittel fungiert, und feinen Teilchen eines hitzebeständigen Harzes (C), das hauptsächlich dazu da ist, der Paste Thixotropie zu verleihen, besteht. Innerhalb der hitzebeständigen Harzpaste können die Oberflächen der feinen Teilchen (C) bis zu einem bestimmten Grad durch (A&sub1;) angelöst werden, solange die feinen Teilchen in der Paste dispergiert verbleiben, ohne daß sie sich miteinander verbinden oder zusammenkleben. Die organischen Flüssigkeiten (A&sub1;) und (A&sub2;) sind verdampfbare Flüssigkeiten. Die feinen Teilchen eines hitzebeständigen Harzes (C) in der erfindungsgemäßen Paste einer hitzebeständigen Harzmischung bleiben in der Lösung aus (A&sub1;), (A&sub2;) und (B) dispergiert und verleihen der Paste Thixotropie. Beim Erwärmen lösen sich die feinen Teilchen (C) in (A&sub1;), und schließlich wird eine einheitliche Folie gebildet, in der (C) und (B) einheitlich gelöst sind. Das heißt, in der hitzebeständigen Harzpaste verhindert das Vorhandensein von (A&sub2;), daß sich (C) in (A&sub1;) löst. Beim Erwärmen der hitzebeständigen Harzpaste beginnen (A&sub1;) und (A&sub2;) zu verdampfen. Gleichzeitig wird es für (C) leicht, sich in (A&sub1;) zu lösen, selbst wenn eine geringe Menge an (A&sub2;) noch verbleibt, wobei (C) mit (B) vermischt wird. Wird das Erwärmen fortgesetzt, setzt sich auch das Verdampfen von (A&sub1;) und (A&sub2;) aus der Paste fort, und schließlich verbleiben lediglich (B) und (C) in einem Zustand, in dem sie miteinander einheitlich vermischt sind, wobei sie eine einheitliche Harzfolie auf der Oberfläche oder zwischen Schichten eines Bauelements für integrierte Schaltungen oder ähnlichen, auf die die hitzebeständige Harzpaste aufgetragen wurde, bilden. Demgemäß besitzt die erfindungsgemäße hitzebeständige Harzpaste ausgezeichnete Thixotropie, was sich direkt auf die Druckeffizienz auswirkt, und die resultierende Folie ist einheitlich ohne Krater (pin hole) und Leerräume, was eine ausgezeichnete Flexibilität, Feuchtigkeitsbeständigkeit und Korrosionsbeständigkeit sicherstellt. Vorzugsweise ist (A&sub2;) leichter zu verdampfen als (A&sub1;). Sofern sich (A&sub2;) schwerer verdampfen läßt als (A&sub1;), verbleibt (C) in der Harzfolie im Ausgangszustand von feinen Teilchen, wobei es nicht möglich ist, eine einheitliche Folie bereitzustellen.
- Fig. 1 ist eine rasterelektronenmikroskopische Aufnahme, die einen vergrößerten Querschnitt der aus der Paste gemäß Vergleichsbeispiel 2 gebildeten Folie zeigt.
- Fig. 2 ist eine rasterelektronenmikroskopische Aufnahme, die einen vergrößerten Querschnitt des aus der hitzebeständigen Harzpaste gemäß Beispiel 2 gebildeten Folie zeigt.
- Fig. 3 ist eine Teilansicht eines Bauelements für Festkörperschaltkreise, das eine Ausführungsform des erfindungsgemäßen Bauelements für integrierte Schaltungen darstellt.
- Fig. 4 ist eine Teilansicht eines Bauelements für Hybrid-integrierte Schaltungen, das eine weitere Ausführungsform des erfindungsgemäßen Bauelements für integrierte Schaltungen darstellt.
- Fig. 5 ist eine Teilansicht eines Multichip-Amaturenbretts mit hoher Dichte, das eine Ausführungsform des erfindungsgemäßen Bauelements für integrierte Schaltungen ist.
- Die im Rahmen der vorliegenden Erfindung verwendbare erste organische Flüssigkeit (A&sub1;) löst zusammen mit der zweiten organischen Flüssigkeit (A&sub2;) das hitzebeständige, in einem aus (A&sub1;) und (A&sub2;) bestehenden Gemisch organischer Flüssigkeiten lösliche Harz (B) und alleine die feinen Teilchen eines hitzebeständigen Harzes (C). Vorzugsweise wird eine Flüssigkeit (A&sub1;) verwendet, die schwerer aus der Paste zu verdampfen ist als (A&sub2;) und ebenfalls ein gutes Lösungsmittel für (B) ist.
- Die im Rahmen der vorliegenden Erfindung verwendbare zweite organische Flüssigkeit (A&sub2;) löst zusammen mit der ersten organischen Flüssigkeit (A&sub1;) das hitzebeständige, in einem aus (A&sub1;) und (A&sub2;) bestehenden Gemisch organischer Flüssigkeiten lösliche Harz (B) (im folgenden wird (B) manchmal als lösliches, hitzebeständiges Harz (B) bezeichnet), sie löst jedoch alleine nicht die feinen Teilchen eines hitzebeständigen Harzes (C) (im folgenden wird (C) manchmal als feine Teilchen eines nicht-löslichen, hitzebeständigen Harzes bezeichnet) Die zweite organische Flüssigkeit (A&sub2;) verdampft leichter aus der Paste als (A&sub1;) und ist ein gutes oder schlechtes Lösungsmittel für (B).
- Die Leichtigkeit, mit der (A&sub1;) und (A&sub2;) aus der Paste verdampfen, hängt von den Siedepunkten, den Dampfdrücken und den Affinitätsgraden von (A&sub1;) und (A&sub2;) zu (B) und (C) ab.
- Im allgemeinen verdampft eine organische Flüssigkeit um so leichter aus der Paste, je niedriger ihr Siedepunkt, je höher der Dampfdruck und je geringer die Affinität zu den Harzen ist.
- In der vorliegenden Erfindung variiert die konkrete Kombination von (A&sub1;) und (A&sub2;) in Abhängigkeit von den Arten der verwendeten (B) und (C), und es kann jede Kombination verwendet werden, solange eine erfindungsgemäße Paste erhalten werden kann. Einige konkrete Beispiele der organischen Flüssigkeiten (A&sub1;) und (A&sub2;) schließen die im "Lösungsmittelhandbuch" (publiziert von Kodansha in 1976) auf S. 143 bis 853 beschriebenen organischen Flüssigkeiten ein. Einige typische Beispiele, die verwendet werden können, schließen die folgenden ein:
- Stickstoff enthaltende Verbindungen, wie z.B. N-Methylpyrrolidon, Dimethylacetamid, Dimethylformamid, 1,3-Dimethyl- 3,4,5,6-tetrahydro-2(1H)-pyrimidinon und 1,3-Dimethyl-2-imidazolidinon;
- Schwefelverbindungen, wie z.B. Sulfolan und Dimethylsulfoxid; Lactone, wie z.B. γ-Butyrolacton, γ-Caprolacton, α-Butyrolacton und ε-Caprolacton;
- Ether, wie z.B. Dioxan, 1,2-Dimethoxyethan, Diethylenglycoldimethyl- (oder diethyl-, dipropyl- oder dibutyl-)ether, Triethylenglycoldimethyl- (oder diethyl-, dipropyl-, oder dibutyl-)ether und Tetraethylenglycoldimethyl- (oder diethyl-, dipropyl- oder dibutyl-)ether;
- Ketone, wie z.B. Methylethylketon, Methylisobutylketon, Cydohexanon und Acetophenon;
- Alkohole, wie z.B. Butanol, Octanol, Ethylenglycol, Glycerin, Diethylenglycolmonomethyl- (oder monoethyl-)ether, Triethylenglycolmonomethyl- (oder monoethyl)ether und Tetraethylenglycolmonomethyl- (oder monoethyl)ether;
- Phenole, wie z.B. Phenol, Cresol und Xylenol;
- Ester, wie z.B. Ethylacetat, Butylacetat, Ethyl-Cellosolveacetat und Butyl-Cellosolveacetat;
- Kohlenwasserstoffe, wie z.B. Toluol, Xylol, Diethylbenzol und Cyclohexan;
- halogenierte Kohlenwasserstoffe; wie z.B. Trichlorethan, Tetrachlorethan und Monochlorbenzol; und Wasser.
- (A&sub1;) und (A&sub2;) können jeweils in Kombination von zwei oder mehr Arten verwendet werden.
- Das hitzebeständige Harz (B), das in den aus der ersten organischen Flüssigkeit (A&sub1;) und der zweiten organischen Flüssigkeit (A&sub2;) bestehenden Gemisch organischer Flüssigkeiten löslich ist, kann entweder ein hitzehärtbares oder ein thermoplastisches Harz sein. Einige Beispiele für hitzehärtbare, lösliche hitzebeständige Harze, die verwendet werden, sind durch Additionspolymerisation erhältliche Polyimidharze, wie z.B. Polyimidharze mit Acetylen-Endgruppen, Polyimidharze mit Maleimid-Endgruppen, Polyimidharze mit Norbornan-Endgruppen (BT-Harze (hergestellt von Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc., Handelsname) und KERIMID (hergestellt von Rhone-Poulenc S. A., Handelsname). Die thermoplastischen, löslichen, hitzebeständigen Harze, die verwendet werden, sind Polyamidharze, Polyamid-Imid-Harze und Polyimidharze (einschließlich Polyaminsäureharzen, die Vorläufer für die Polyimidharze sind). Hier schließen die Polyamidharze auch solche ein, die, zusätzlich zu Amidbindungen, Etherbindungen, Esterbindungen oder sowohl Ether- als auch Esterbindungen enthalten, und verschiedene Vorläufer davon. Polyamid-Imid-Harze schließen auch solche ein, die, zusätzlich zu Amid- und Imidbindungen, Etherbindungen, Esterbindungen oder sowohl Ether- als auch Esterbindungen enthalten, und verschiedene Vorläufer davon. Polyimidharze schließen solche ein, die, zusätzlich zu Imidbindungen, Etherbindungen, Esterbindungen oder sowohl Etherals auch Esterbindungen enthalten, und verschiedene Vorläufer davon.
- Veranschaulichende Beispiele für Vorläufer von Polyimidharzen sind Zusammensetzungen oder Polyaminsäureester-Oligomere, die jeweils durch Vermischen oder Umsetzen von Diaminen mit Tetracarbonsäureestern, die erhalten werden durch Umsetzung von Tetracarbonsäuredianhydriden mit Alkoholen, Alkoholderivaten oder Gemischen davon, hergestellt werden.
- Weitere Beispiele für Vorläufer der Polyamidharze sind Zusammensetzungen oder Polyaminsäure-Oligomere, die jeweils durch Vermischen oder Umsetzen von Diaminen mit Komplexen, die durch Umsetzung von Tetracarbonsäuredianhydriden mit Lösungsmitteln, die in der Lage sind Komplexe mit den Tetracarbonsäuredianhydriden zu bilden, erhalten werden, hergestellt werden. Bevorzugte Beispiele für die Lösungsmittel schließen N-Methylpyrrolidon, Pyridin und ε-Caprolactam ein.
- Typische Beispiele für verwendbare Polyamidharze, Polyamid- Imid-Harze und Polyimidharze schließen Umsetzungsprodukte von Polycarbonsäuren oder reaktiven Derivaten davon mit Diaminen (beispielsweise, die in der offengelegten, japanischen Patentanmeldung Nr. 63-205640 beschriebenen) oder durch Umsetzung der Diamine mit Phosgen oder Thinylchlorid erhältlichen Diisocyanaten ein. Einige konkrete Beispiele schließen die in der offengelegten japanischen Patentanmeldung Nr. 57-64955 beschriebenen löslichen Polyamidharze, die in der offengelegten japanischen Patentanmeldung Nr. 1-40570 beschriebenen löslichen Polyamid-Imid-Harze und die in der offengelegten japanischen Patentanmeldung Nr. 62-283154 beschriebenen löslichen Polyimidharze ein. In Anbetracht der Fähigkeit den Pasten gute Filmbildungs-Eigenschaften und den Folien gute Flexibilität zu verleihen, besitzen bevorzugte thermoplastische, lösliche, hitzebeständige Harze (B) eine in Dimethylformamid bei einer Konzentration von 0,5 g/dl und bei einer Temperatur von 30ºC gemessene reduzierte Viskositäten von mindestens 0,3. Ferner besitzen die löslichen, hitzebeständigen Harze (B) vorzugsweise Temperaturen, bei denen die Zersetzung durch Wärme beginnt, von 250ºC oder höher, weiter bevorzugt von 350ºC oder höher. Das lösliche, hitzebeständige Harz (B) kann einzeln oder als Gemisch von zwei oder mehr derselben verwendet werden.
- Beispiele für die im Rahmen der vorliegenden Erfindung verwendbaren feinen Teilchen eines hitzebeständigen Harzes (C), die in der ersten organischen Flüssigkeit (A&sub1;) löslich sind, jedoch in der zweiten organischen Flüssigkeit (A&sub2;) unlöslich sind und in der aus (A&sub1;), (A&sub2;) und dem löslichen hitzebeständigen Harz (B) bestehenden Lösung dispergiert werden, sind feine Teilchen eines hitzebeständigen Harzes, das ausgewählt wird unter den oben beschriebenen löslichen, hitzebeständigen Harzen (B). Feine Teilchen der oben beschriebenen Polyamidharze, Polyamid-Imid-Harze und Polyimidharze (einschließlich Polyaminsäureharzen, die Vorläufer für die Polyimidharze sind) werden vorzugsweise wegen ihrer hohen Hitzebeständigkeit und guten Löslichkeit in der ersten organischen Flüssigkeit (A&sub1;) vorzugsweise verwendet. Berücksichtigt man die Einfachheit und niedrigen Kosten bei der Herstellung der feinen Teilchen und die Fähigkeit den Pasten Thixotropie zu verleihen, sind feine Teilchen von Polyamidharzen, Polyamid-Imid- Harzen und Polyimidharzen, die durch eine nicht-wässrige Dispersionspolymerisation hergestellt werden (beispielsweise die in den offengelegten japanischen Patentanmeldungen Nr. 60-48531 und 59-230018 beschriebenen Verfahren) und eine mittlere Teilchengröße von 40 µm oder weniger besitzen, besonders bevorzugt. Sofern die erfindungsgemäße Paste für Siebdruckverfahren verwendet wird, werden vorzugsweise feine Teilchen eines hitzebeständigen Harzes (C) mit einer mittleren Teilchengröße von 0,1 bis 5 µm verwendet, um ausgeglichene Eigenschaften bezüglich der Thixotropie einer Paste und der Dicke und Einheitlichkeit der resultierenden Folie zu erreichen. Solche feinen Teilchen eines hitzebeständigen Harzes (C) sind unter Einsatz der oben beschriebenen, nicht-wässrigen Dispersionspolymerisation erhältlich.
- Zusätzlich zu der oben beschriebenen nicht-wässrigen Dispersionspolymerisation können die feinen Teilchen eines hitzebeständigen Harzes (C) auch durch jedes andere Verfahren, beispielsweise ein Verfahren, wobei ein pulverförmiges, aus einer Harzlösung gewonnenes Harz mechanisch gemahlen wird, ein Verfahren, wobei eine hohe Scherspannung unter gleichzeitiger Zugabe eines schlechten Lösungsmittels an die Harzlösung angelegt wird, wobei das Harz abgetrennt wird und das abgetrennte Harz durch die hohe Scherung in feine Teilchen vermahlen wird, und ein Verfahren, wobei versprühte ölartige Tropfen einer Harzlösung getrocknet werden, um feine Teilchen zu erhalten, hergestellt werden. Bei der Verwendung feiner Teilchen eines thermoplastischen hitzebeständigen Harzes (C) werden vorzugsweise Harze mit einer reduzierten Viskosität von mindestens 0,3 verwendet, da diese den Pasten gute Filmbildungs-Eigenschaften und den resultierenden Folien gute Flexibilität verleihen können.
- Vorzugsweise werden feine Teilchen eines hitzehärtbaren oder thermoplastischen, wärmebeständigen Harzes (C) verwendet, die Temperaturen für den Beginn der Zersetzung durch Wärme von 250ºC oder mehr, insbesondere bevorzugt von 350ºC oder mehr, besitzen. Es ist möglich, feine Teilchen einer Harzart oder feine Teilchen von zwei oder mehr Arten von Harzen zu verwenden.
- Besonders bevorzugte Ausführungsformen der erfindungsgemäßen hitzebeständigen Harzpaste werden im folgenden beschrieben.
- Zunächst können die Kombinationen der ersten organischen Flüssigkeit (A&sub1;) und der zweiten organischen Flüssigkeit (A&sub2;) in beispielsweise die folgenden beiden Arten (a) und (b) unterteilt werden.
- (a) Kombinationen von mindestens einer Art von (A&sub1;), die ausgewählt wird unter den oben beschriebenen Stickstoff enthaltenden Verbindungen, wie z.B. N-Methylpyrrolidon, Dimethylacetamid und 1,3-Dimethyl-2-imidazolidinon, Schwefelverbindungen, wie z.B. Dimethylsulfoxid, Lactone, wie z.B. γ- Butyrolacton und Phenole, wie z.B. Xylenol, und mindestens einer Art von (A&sub2;), die ausgewählt wird unter den oben beschriebenen Ethern, wie z.B. Dioxan, Diethylenglycoldimethylether und Triethylenglycoldimethylether, Ketonen, wie z.B. Cyclohexanon, Estern, wie z.B. Butyl-Cellosolveacetat, Alkoholen, wie z.B. Butanol, und Kohlenwasserstoffen, wie z.B. Xylol,
- und
- (b) Kombinationen von mindestens einer Art von (A&sub1;), die ausgewählt wird unter den oben beschriebenen Ethern, wie z.B. Tetraethylenglycoldimethylether, und Ketonen, wie z.B. Cyclohexanon, und mindestens einer Art von (A&sub2;), die ausgewählt wird unter den oben beschriebenen Estern, wie z.B. Butyl-Cellosolveacetat und Ethylacetat, Alkoholen, wie z.B. Butanol und Methylcarbitol, und Kohlenwasserstoffen, wie z.B. Xylol.
- Beispiele für das lösliche, hitzebeständige Harz (B) und die feinen Teilchen eines hitzebeständigen Harzes (C), die in Verbindung mit den organischen Flüssigkeitsgemischen gemäß Kombination (a) anwendbar sind, schließen die folgenden ein.
- Einige Beispiele für (B), die zusammen mit dem organischen Flüssigkeitsgemisch gemäß Kombination (a) anwendbar sind, schließen hitzebeständige Harze, die jeweils die folgenden durch die folgenden Formeln (1) bis (10) dargestellten wiederkehrenden Einheiten aufweisen, ein.
- ist,
- worin m eine ganze Zahl mit einem Wert von 1 bis 100 ist. (In den folgenden Formeln besitzt X die gleiche Bedeutung wie oben definiert.)
- worin jedes R&sub1; und jedes R&sub2; unabhängig Wasserstoff oder eine Kohlenwasserstoffgruppe mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen ist.
- ist,
- worin m eine ganze Zahl mit einem Wert von 1 bis 100 ist.
- worin
- jedes R&sub3; und jedes R&sub4; unabhängig Methyl, Ethyl, Propyl oder Phenyl ist.
- worin X eine ganze Zahl mit einem Wert von 0 oder 2 ist.
- Einige Beispiele für (C), die zusammen mit dem organischen Flüssigkeitsgemisch gemäß Kombination (a) anwendbar sind, schließen feine Teilchen hitzebeständiger Harze, die jeweils durch die folgenden Formeln (11) bis (19) dargestellte wiederkehrende Einheiten aufweisen, ein.
- ist.
- (In den folgenden Formeln hat Y die gleiche Bedeutung wie oben definiert.)
- worin
- ist.
- (In den folgenden Formeln hat Z die gleiche Bedeutung wie oben definiert.)
- Beispiele für (B) und (C), die zusammen mit den oben beschriebenen organischen Flüssigkeitsgemischen gemäß Kombination (b) anwendbar sind, schließen hitzebeständige Harze, die jeweils die durch die folgenden Formeln (20) und (21) dargestellten wiederkehrenden Einheiten aufweisen, und das durch die obige Formel (6) dargestellte Polysiloxanimid ein.
- worin
- ist,
- R&sub5; und R&sub6; unabhängig -(CH&sub2;)&sub3;- oder sind, und
- m eine ganze Zahl mit einem Wert von 1 bis 100 ist.
- Beispiele für (C), die zusammen mit den organischen Flüssigkeitsgemischen gemäß Kombination (b) anwendbar sind, schließen das durch die Formel (1) dargestellte wiederkehrende Einheiten aufweisende Polyetheramid-Imid, worin X
- ist,
- und die oben beschriebenen Polyimide, die jeweils durch die Formeln (5) bis (9) dargestellte wiederkehrende Einheiten aufweisen, ein, mit der Maßgabe, daß diejenigen mit den Formeln (5), (6) und (8), in denen X
- ist,
- ausgeschlossen sind.
- Jedes der oben beschriebenen Beispiele für die Harze (B) und (C) kann ebenfalls zwei oder mehrere Arten der durch die obigen Formeln (1) bis (21) dargestellten wiederkehrenden Einheiten aufweisen.
- (A&sub1;) und (A&sub2;) werden vorzugsweise in einem Verhältnis von 30 (A&sub1;):70(A&sub2;) bis 70(A&sub1;):30(A&sub2;) als Gew.-Teile verwendet, wobei die Summe von (A&sub1;) und (A&sub2;) 100 Gew.-Teile beträgt. Bei einer Menge von (A&sub1;) von weniger als 30 Gew.-Teilen verschlechtern sich manchmal die filmbildenden Eigenschaften von (C). Übersteigt sie 70 Gew.-Teile, kann es zur Auflösung von (C) in der aus (A&sub1;), (A&sub2;) und (B) bestehenden Lösung kommen, und (C) läßt sich nur unter Schwierigkeiten in der Paste dispergieren.
- In Anbetracht der herkömmlichen Verarbeitungszeit der Paste während des Siebdruckverfahrens besitzen (A&sub1;) und (A&sub2;) vorzugsweise Siedepunkte von 100ºC oder mehr. Die Konzentrationen an (C) und (B) in der Paste werden vorzugsweise so eingestellt, daß die Paste eine Viskosität von 30 bis 10000 Poise und einen Thixotropie-Index von mindestens 1,5 aufweist. Bei einer Viskosität der Paste von weniger als 30 Poise neigt die gedruckte Paste zum Laufen. Sofern sie 10000 Poise übersteigt, kann dies zur Herabsetzung der Druckeffizienz führen. Der besonders bevorzugte Bereich der Viskosität der Paste beträgt 300 bis 5000 Poise.
- Vorzugsweise werden 50 bis 70 Gew.-Teile (B), bezogen auf 95 bis 30 Gew.-Teile (C) verwendet, wobei die Gesamtmenge an verwendetem (B) und (C) 100 Gew.-Teile beträgt.
- Der Thixotropie-Index der Paste ist das Verhältnis von η&sub1; zu η&sub1;&sub0;, d.h. der η&sub1;/η&sub1;&sub0;-Wert, wobei η&sub1; und η&sub1;&sub0; die scheinbaren Viskositäten, die bei einer Probenmenge von 0,4 g und einer Meßtemperatur von 25ºC bei einer Umdrehungsgeschwindigkeit von 1 U/min. bzw. 10 U/min. unter Verwendung eines Viskosimeters vom E-Typ (hergestellt von Tokyo Keiki Co., Ltd., EHD-U-Typ) gemessen werden.
- Die Konzentration der Gesamtsumme an (C) und (B) in der erfindungsgemäßen Paste beträgt vorzugsweise 10 bis 90 Gew.-%. Beträgt sie weniger als 10 Gew.-%, wird es schwierig eine getrocknete Folie mit großer Dicke herzustellen. Übersteigt sie 90 Gew.-%, kann dies zu einer schlechten Fließfähigkeit der Paste führen.
- Die Trockenfolien-Dicke und die Flexibilität der aus der erfindungsgemäßen Paste gebildeten Folie variieren in Abhängigkeit davon, ob die verwendeten (B) und (C) hitzehärtbare oder thermoplastische Harze sind. Da im allgemeinen hitzehärtbare Harze ein relativ geringes Molekulargewicht und hervorragende Löslichkeit besitzen, erlaubt die Verwendung von (B) vom hitzehärtbaren Typ eine Erhöhung der Konzentration von (B) in der Paste, was zu einer Erhöhung der Trockenfolien-Dicke führt.
- Jedoch besitzen gehärtete hitzehärtbare Harze im allgemeinen ziemlich schlechte Flexibilität. Auf der anderen Seite weisen thermoplastische Harze Eigenschaften auf, die denen von hitzehärtbaren Harzen bezüglich der Löslichkeit und Flexibilität entgegenstehen. Demgemäß besteht eine der erwünschten Kombinationen von (B) und (C) aus (B) als hitzehärtbares Harz und (C) als thermoplastisches Harz. Beispiele solcher wünschenswerter Kombinationen sind die in den folgenden Beispielen 5 und 6 eingesetzten Kombinationen von (B) und (C).
- Als Verfahren zum Dispergieren von (C) in der aus (A&sub1;), (A&sub2;) und (B) bestehenden Lösung kann jedes in der Farbindustrie eingesetzte Verfahren, beispielsweise Kneten mittels Walzen oder einer Vermischvorrichtung verwendet werden, und es bestehen keinerlei Beschränkungen, solange ausreichendes Dispergieren sichergestellt werden kann. Am stärksten bevorzugt ist das Wiederholen des Knetens mit einer Walzenmühle mit drei Walzen.
- Die erfindungsgemäße Paste besitzt vorzugsweise einen Thixotropie-Index von 1,5 oder mehr. Ist dieser niedriger als 1,5, neigt die Paste nach dem Auftragen auf eine Basissubstanz zum Laufen, was zu Schwierigkeiten beim Erreichen der erforderlichen Genauigkeit bezüglich der Muster führt.
- Nach dem Auftragen auf eine Basissubstanz wird die erfindungsgemäße Paste vorzugsweise 1 bis 120 Min. bei 150 bis 500ºC erwärmt, wobei eine feste Folie gebildet wird.
- Die erfindungsgemäße Paste kann je nach Bedarf Additive, wie z.B. Antischäummittel, Pigmente, Farbstoffe, Plastifiziermittel und Antioxidantien enthalten.
- Die erfindungsgemäße, hitzebeständige Harzpaste kann in weiten Bereichen zur Bildung von Isolierschichten zur schichtförmigen Isolierung oder Schichten zum Schutz der Oberfläche in, beispielsweise, Bauelementen für Festkörperschaltkreise, wobei deren Substrate Siliciumwafer sind, Bauelementen für integrierte Schaltungen vom Hybrid-Typ, Thermoköpfen, Bildcentern und Multichip-Amaturenbrettern hoher Dichte, deren Substrate Keramik- oder Glas-Substrate sind und verschiedenen Leiterplatten, wie z.B. flexiblen und steifen Leiterplatten zur Bildung verschiedener hitzebeständiger Drucktinten und hitzebeständiger Haftmittel verwendet werden. Sie sind deshalb in verschiedenen industriellen Anwendungsgebieten gut verwendbar.
- Bei der Verwendung der erfindungsgemäßen hitzebeständigen Harzpaste zur Bildung von Schichten zum Schutz der Oberfläche von Halbleitersubstraten, wie z.B. Halbleiterchips von Bauelementen für Festkörper-integrierte Schaltkreise ist es erwünscht, die Menge an Substanzen als Quelle für α-Strahlen, die in den Schichten zum Schutz der Oberfläche enthalten sind, wie z.B. Uran oder Thorium, und die Menge an ionisierbaren Verunreinigungen, die in den Schichten zum Schutz der Oberfläche enthalten sind, wie z.B. Natrium, Kalium, Kupfer und Eisen, zu verringern. Die Gesamtmenge an Substanzen als Quelle für α-Strahlen, wie z.B. Uran und Thorium, beträgt vorzugsweise 1 ppb oder weniger, weiter bevorzugt 0,2 ppb oder weniger. Der Grund hierfür liegt darin, daß, sofern bei einem Übergang von 0,2 auf 1 ppb zu niedrigeren Werten hin eine starke Abnahme der negativen Einflüsse der von den Schichten zum Schutz der Oberfläche abgestrahlten α-Strahlen, die zu Funktionsstörungen der Bauelemente führt, beobachtet wird. Sofern eine Möglichkeit besteht, daß der Gesamtgehalt an Substanzen als Quelle von α-Strahlen, wie z.B. Uran und Thorium, den Bereich von 0,2 bis 1 ppb in einer Schicht zum Schutz der Oberfläche übersteigt, kann der Gesamtgehalt an Substanzen als Quelle für α-Strahlen, wie z.B. Uran und Thorium, durch Reinigung der für die Herstellung der Paste verwendeten Substanzen, beispielsweise der Monomere und Lösungsmittel, die für die oben beschriebenen Harze (B) und (C) verwendet werden, der für die Reinigung der Harze verwendeten Fällungsmittel und der organischen Flüssigkeiten (A&sub1;) und (A&sub2;), verringert werden. Beispielsweise kann die Reinigung herkömmlicherweise durch Destillation, Sublimation, Umkristallisation oder Extraktion der für die Herstellung der Harze (B) und (C) verwendeten Monomere und Lösungsmittel, der zur Reinigung der Harze verwendeten Fällungsmittel und der organischen Flüssigkeiten (A&sub1;) und (A&sub2;) und darüber hinaus durch Wiederholen des Ausfällens der synthetisierten Harzlösung in einem gereinigten schlechten Lösungsmittel durchgeführt werden.
- Um Korrosion oder Löcher in Halbleiter-Substraten mit den aus der erfindungsgemäßen Paste gebildeten Schichten zum Schutz der Oberfläche zu verringern, beträgt der Gesamtgehalt an ionisierbaren Verunreinigungen, die in den Schichten zum Schutz der Oberfläche enthalten sind, wie z.B. Natrium, Kahum, Kupfer und Eisen, in den Schichten zum Schutz der Oberfläche nicht mehr als 2 ppm, weiter bevorzugt nicht mehr als 1 ppm. Sofern die Möglichkeit besteht, daß der Gesamtgehalt an ionisierbaren Verunreinigungen innerhalb einer Schicht zum Schutz der Oberfläche den Bereich von 1 bis 2 ppm übersteigt, kann die Gesamtmenge an ionisierbaren Verunreinigungen durch Reinigung der oben beschriebenen Monomere, usw., die zur Herstellung der Harze (B) und (C) verwendet werden, in der gleichen Weise mittels der oben beschriebenen Reinigungsverfahren reduziert werden. Es ist nicht nötig sämtliche oben beschriebenen Substanzen, wie z.B. Monomere zu reinigen. Beispielsweise können entweder lediglich die Monomere oder lediglich die Monomere und Lösungsmittel gereinigt werden.
- Einige Beispiele des erfindungsgemäßen Bauelements für integrierte Schaltungen schließen Bauelemente für Festkörper integrierte Schaltungen, Bauelemente für integrierte Schaltungen vom Hybrid-Typ und Multichip-Amaturenbretter hoher Dichte ein, worin die erfindungsgemäße hitzebeständige Harzpaste zur Bildung von Schichten zum Schutz der Oberfläche für den Oberflächenschutz oder Isolierschichten für eine schichtförmige Isolierung in Leiterschichten verwendet wird.
- In dem erfindungsgemäßen Bauelement für Festkörper-integrierte Schaltungen ist eine Oberfläche des in dem Element befindlichen Halbleiterchips fest mit einem Träger verbunden und die entgegengesetzte Oberfläche mit einer Schicht zum Schutz der Oberfläche bedeckt, die eine Folie eines hitzebeständigen Harzes darstellt, die durch Auftragen der erfindungsgemäßen hitzebeständigen Harzpaste und anschließendes Erwärmen der aufgetragenen Schicht gebildet wird. Eine Ausführungsforrn des erfindungsgemäßen Bauelements für Festkörper-integrierte Schaltungen besitzt die als Seitenansicht in Fig. 3 gezeigte Struktur, worin ein Chip mit hohem Integrationsgrad (LSI-Chip) 2 (d.h., ein Halbleiter-Chip), dessen eine Oberfläche mit einem Träger 6 fest verbunden ist und dessen andere Oberfläche mit einer Schicht eines hitzebeständigen Harzes 1 (d.h. einer Schicht zum Schutz der Oberfläche), die durch Auftragen der erfindungsgemäßen hitzebeständigen Harzpaste und anschließendem Erwärmen der aufgetragenen Schicht gebildet wird, in einer Verpackung 4 aus einem Harz vom gesättigten Typ eingeschlossen ist, und nach unten gewinkelte Führungen 5 aus der Verpackung aus Harz 4 herausragen, deren Enden in der Verpackung 4 mit dem LSI-Chip 2 über verbindende Leitungen 3 verbunden sind.
- In dem erfindungsgemäßen Bauelement für integrierte Schaltungen vom Hybrid-Typ wird die erfindungsgemäße hitzebeständige Harzpaste beispielsweise zur Bildung mindestens einer Isolierschicht in dem folienartigen integrierten Schaltkreis gebildet. D. h., die Isolierschicht ist eine gemusterte Schicht eines hitzebeständigen Harzes, die unter Verwendung der hitzebeständigen Harzpaste gebildet wird und zwischen zwei benachbarten gemusterten Leiterschichten eingeschoben wird, um die beiden Leiterschichten in vorbestimmten Bereichen zu isolieren. Eine Ausführungsform des erfindungsgemäßen Bauelements für integrierte Schaltkreise vom Hybrid-Typ besitzt die als Teilansicht in Fig. 4 gezeigte Struktur, worin sich auf einem Aluminiumoxid-Träger 13 (d.h. einem isolierenden Träger) eine Widerstandsschicht 12, eine erste Leiterschicht 11 und eine zweite Leiterschicht 9 übereinander befinden, wobei ein folienartiger integrierter Schaltkreis in dem Bauelement gebildet wird. Dabei sind die erste und zweite Leiterschicht 11 und 9 in bestimmten Bereichen durch eine gemusterte Schicht eines hitzebeständigen Harzes (d.h. einer Isolierschicht) 10 gegeneinander isoliert. Diese Isolierschicht wird durch Auftragen der erfindungsgemäßen hitzebeständigen Harzpaste auf die erste Leiterschicht 11 und anschließendes Erwärmen unter Bildung einer gemusterten Schicht eines hitzebeständigen Harzes 10 gebildet. Auf dieser wird anschließend die zweite Leiterschicht 9 gebildet und ein Diodenchip 7 (d.h. ein Halbleiter-Chip) auf dem folienartigen integrierten Schaltkreis mittels zwischen dem Diodenchip 7 und dem filmartigen integrierten Schaltkreis eingeschobenen Lötteilen 8 befestigt.
- In dem erfindungsgemäßen Multichip-Amaturenbrett mit hoher Dichte wird die erfindungsgemäße hitzebeständige Harzpaste zur Bildung einer mehrschichtigen Leiterschicht aus leitfähiger Substanz/hitzebeständigem Harz verwendet, die auf einer mehrschichtigen Keramik-Leiterplatte gebildet wird und mit dieser fest verbunden ist. Die mehrschichtige Leiterschicht aus leitfähiger Substanz/hitzebeständigem Harz kann durch wiederholte Bildung einer leitfähigen Schicht auf der mehrschichtigen Keramik-Leiterplatte durch jede bekannte Technik und wiederholte Bildung einer Schicht eines hitzebeständigen Harzes (Isolierschicht) durch Auftragen der erfindungsgemäßen hitzebeständigen Harzpaste auf die gebildete Leiterschicht unter anschließendem Erwärmen der aufgetragenen Schicht hergestellt werden. Eine Ausführungsform des erfindungsgemäßen Multichip-Amaturenbretts mit hoher Dichte ist in Form einer Teilansicht in Fig. 5 gezeigt. Darin wird auf einer mehrschichtige Keramik-Leiterplatte 20 eine mehrschichtige Leiterschicht 19 aus Kupfer/hitzebeständigem Harz, die aus Schichten eines hitzebeständigen Harzes 14 (d.h. einer Isolierschicht) gemusterten leitfähigen Kupferschichten 15 und Leitern 16 zur Verbindung der gemusterten Kupfer-Leiterschichten zur Bildung eines vorbestimmten Leitungskreises besteht, gebildet. Ferner werden LSI-Chips 17 (d.h. Halbleiter- Chips) auf der mehrschichtigen Leiterschicht 19 aus Kupfer/hitzebeständigem Harz über verbindende Lötteile 18, die zwischen den LSI-Chips 17 und der mehrschichtigen Leiterschicht 19 eingeschoben werden, befestigt.
- In einen mit einem Thermometer, einer Rührvorrichtung, einem Stickstoff-Einlaßrohr und einem Wasserabscheider versehenen Vier-Hals-Kolben wurden die obigen Bestandteile unter Rühren eingebracht und das Gemisch wurde, während gasförmiger Stickstoff durch das Gemisch geleitet wurde, auf 160ºC erwärmt. Die Temperatur wurde langsam auf 205ºC erhöht, währende abdestilliertes Wasser aus dem System entfernt wurde und man ließ die Umsetzung innerhalb eines Temperaturbereichs von 205 bis 210 ºC voranschreiten. Der Endpunkt der Umsetzung wurde durch Messen der Gardner-Viskosität überwacht, und es wurde ein Polyetheramid-Imid-Harz mit einer reduzierten Viskosität von 0,41 dl/g erhalten. Die reduzierte Viskosität des erhaltenen Harzes wurde in Dimethylformamid bei einer Konzentration von 0,5 g/dl bei 30ºC gemessen (das gleiche gilt auch später). Die erhaltene N-Methylpyrrolidon-Lösung des Polyetheramid-Imid-Harzes wurde mit N-Methylpyrrolidon auf ungefähr 25 Gew.-% verdünnt. Die erhaltene Lösung wurde unter starkem Rühren mit einer Mischvorrichtung in Wasser gegossen und ein festes Polyetheramid-Imid-Harz erhalten. Dieses wurde ausreichend mit heißem Wasser gewaschen und anschließend durch Kochen mit großen Mengen von Wasser und Methanol weiter gewaschen. Nach dem Filtrieren wurde das feste Harz bei 150ºC unter Einsatz eines Heißlufttrockners 6 Stunden lang getrocknet. Es wurde ein pulverförmiges Polyetheramid-Imid-Harz erhalten, das die durch die folgende Formel dargestellte wiederkehrende Einheit besaß und in N- Methylpyrrolidon löslich war.
- In einen mit einem Thermometer, einer Rührvorrichtung, einer Stickstoff-Einlaßröhre und einem Wasserabscheider versehenen Vier-Hals-Kolben wurden 218 g (1 Mol) Pyromellithsäuredianhydrid und 1,672 g N-Methylpyrrolidon (Wassergehalt: 0,03%) eingegeben, während gasförmiger Stickstoff durch das Gemisch geleitet wurde. Das Gemisch wurde durch Erwärmen auf 50ºC unter Rühren und Beibehalten dieser Temperatur für eine halbe Stunde vollständig gelöst, wobei sich eine einheitliche Lösung bildete. 100 g (0,5 Mol) 4,4'-Diaminodiphenylether und 99 g (0,5 Mol) 4-4'-Diaminophenylmethan wurden zu der Lösung zugegeben. Das Gemisch wurde durch sofortiges Erwärmen auf 110ºC und Beibehaltung der Temperatur für 20 Minuten vollständig gelöst, wobei sich eine einheitliche Lösung bildete. Anschließend wurde die Temperatur in ungefähr zwei Stunden auf 200ºC erhöht und die Umsetzung wurde 3 Stunden lang unter Beibehaltung der Temperatur bei 200ºC durchgeführt. Während des Erwärmens wurde eine Abtrennung feiner Teilchen eines Polyimidharzes bei ungefähr 140ºC beobachtet. Während der Umsetzung wurde abdestilliertes Wasser sofort aus dem System entfernt.
- In der so erhaltenen N-Metyhlpyrrolidon-Dispersion wurde eine Dispersion gelblich-brauner feiner Teilchen eines Polyimid- Harzes beobachtet, die durch Filtration aufgefangen wurden. Die feinen Teilchen eines Polyimidharzes wurden anschließend zweimal mit siedendem Aceton versetzt und danach 5 Stunden lang unter vermindertem Druck bei 200ºC getrocknet. Die feinen Teilchen eines Polyimidharzes waren porös, besaßen eine nahezu runde Form, eine mittlere Teilchengröße von 8 µm und eine maximale Teilchengröße von nicht mehr als 40 µm. Die mittlere Teilchengröße wurde unter Einsatz einer TA-II- Zählvorrichtung, die von Coulter Electronics, Inc. hergestellt wurde, gemessen (das gleiche soll auch später gelten). Die feinen Teilchen eines Polyimidharzes waren in N- Methylpyrrolidon unlöslich. Das Polyimidharz besaß die durch die folgende Formel dargestellten wiederkehrenden Einheiten.
- 15 g des in (1) hergestellten, pulverförmigen, löslichen Polyetheramid-Imids, 25 g der in (2) hergestellten, feinen Teilchen eines Polyimidharzes und 60 g N-Methylpyrrolidon wurden in einer Mörtelmühle vorgeknetet und anschließend geknetet, indem sie sechsmal durch eine Hochgeschwindigkeits- Walzenmischvorrichtung mit 3 Walzen geleitet wurden, wobei eine Paste mit darin dispergierten feinen Teilchen eines Harzes erhalten wurde.
- In einen mit einem Thermometer, einer Rührvorrichtung und einem Allihn-Kühler versehenen Vier-Hals-Kolben wurden 185,7 g ISOPAR-H (Handelsname eines von Esso Standard Oil Co., Ltd. hergestellten aliphatischen Kohlenwasserstoffs), 106,8 g Laurylmethacrylat und 6,1 g 2-Hydroxyethylmethacrylat eingebracht und anschließend auf 100ºC erwärmt. In das Gemisch wurde ein vorher hergestelltes Gemisch aus 106,9 g Laurylmethacrylat, 24,5 g 2-Hydroxyethylmethacrylat und 2,4 g Benzoylperoxid-Paste (Benzoylperoxid-Gehalt: 50 Gew.-%) über 2 Stunden hinweg unter Rühren zugetropft, während gasförmiger Stickstoff durch das Gemisch geleitet wurde. Nachdem eine Stunde lang bei 100ºC gehalten wurde, wurde das Gemisch auf 140ºC erwärmt, und man ließ anschließend 4 Stunden lang bei der gleichen Temperatur reagieren. Die so erhaltene Lösung des Dispersionsstabilisators enthielt nach zweistündigem Trocknen bei 170ºC 55 Gew.-% nicht-flüchtige Bestandteile. Das Zahlenmittel des Molekulargewichts des erhaltenen Dispersionsstabilisators betrug 66800 (das Zahlenmittel des Molekulargewichts wurde durch Gelpermeations-Chromatographie unter Verwendung der Arbeitskurve von Polystyrol mit bekanntem Molekulargewicht bestimmt).
- In einen mit einem Thermometer, einer Rührvorrichtung und einem Allihn-Kühler versehenen 500 ml Vier-Hals-Kolben wurden 35,1 g 4,4'-Diphenylmethandiisocyanat, 16,3 g MR-100 (ein aromatisches Polyisocyanat, das von Nippon Polyurethane Co., Ltd. hergestellt wurde), 19 g der in (a) erhaltenen Lösung des Dispersionsstabilisators (Gehalt an nicht-flüchtigen Bestandteilen: 40 Gew.-%), 150 g ISOPAR-H und 9,0 g N-Metylpyrrolidon eingegeben, während gasförmiger Stickstoff durch das Gemisch hindurchgeleitet wurde. Anschließend wurde unter Rühren bei 380 U/min. auf 100ºC erwärmt.
- Anschließend wurde nach der Zugabe von 38,5 g Trimellitsäureanhydrid, das vorher pulverisiert worden war, das erhaltene Gemisch eine Stunde bei 100ºC, eine Stunde bei 115ºC, eine Stunde bei 125ºC, eine Stunde bei 140ºC und zwei Stunden bei 170ºC gehalten, wobei umgesetzt wurde. Die so gebildeten braunen feinen Teilchen eines Polyamid-Imid-Harzes, die in einer kontinuierlichen Phase aus ISOPAR-H dispergiert waren, wurden durch Filtration aufgefangen, in Wasser und Methanol, in dieser Reihenfolge, gekocht, filtriert und 5 Stunden lang bei vermindertem Druck bei 60ºC getrocknet. Die feinen Teilchen eines Polyamid-Irnid-Harzes waren in N- Methylpyrrolidon unlöslich, nicht porös und besaßen eine kugelförmige Gestalt.
- Als Ergebnis der Analyse mittels Infrarotabsorptionsspektroskopie (IR) dieses Polyamid-Imid-Harzes wurden durch Imidbindungen bedingte Absorptionen bei 1780 cm&supmin;¹ und durch Amidbindungen bedingte Absorptionen bei 1560 crn&supmin;¹ und 1540 cm&supmin;¹ beobachtet. Die feinen Teilchen eines Polyamid-Imid-Harzes besaßen einen mittleren Teilchendurchmesser von ungefähr 3 µm und eine maximale Teilchengröße von nicht mehr als 40 µm.
- 15 g des in Vergleichsbeispiel 1(1) erhaltenen pulverförmigen, löslichen Polyetheramid-Imid-Harzes, 25 g der in diesem Vergleichsbeispiel (1). (b) erhaltenen feinen Teilchen eines Polyamid-Imid-Harzes und 60 g N-Methylpyrrolidon wurden in einer Mörtelmühle vorgeknetet, und anschließend wurden sie geknetet, indem sie sechsmal durch eine Hochgeschwindigkeits- Walzenmischvorrichtung mit drei Walzen geleitet wurden, wobei eine Paste mit darin dispergierten feinen Teilchen eines Harzes erhalten wurde.
- Alle obigen Bestandteile außer Trimellithsäureanhydrid wurden in einen mit einem Thermometer, einem Rührer, einem Stickstoff-Einlaßrohr und einem Wasserabscheider versehenen Vier- Hals-Kolben unter Rühren eingebracht, und die Masse wurde langsam auf 205 ºC erwärmt, während gasförmiger Stickstoff durch die Masse geleitet wurde. Nachdem sie bei 205ºC eine Stunde lang gehalten worden war, wurde die Masse auf 175ºC abgekühlt und Trimellithsäureanhydrid über 10 Min. hinweg bei der gleichen Temperatur zugegeben. Anschließend wurde das Gemisch erwärmt und bei einer Temperatur im Bereich von 205 bis 210ºC umgesetzt. Das nach der Zugabe von Trimellithsäureanhydrid abdestillierte Wasser wurde sofort aus dem Reaktionssystem entfernt und man ließ die Umsetzung ablaufen, während das abdestillierte N-Methylpyrrolidon wieder aufgefüllt wurde. Der Endpunkt der Umsetzung wurde durch Messung der Gardner-Viskosität gesteuert, und es wurde ein Polyamid-Irnid- Harz mit einer reduzierten Viskosität von 0,50 dl/g erhalten. Aus der resultierenden Lösung eines Polyamid-Imid-Harzes wurde ein pulverförmiges Polyamid-Imid-Harz erhalten. Dieses wurde in einem Lösungsmittelgemisch aus N-Methylpyrrolidon (A&sub1;) und Diethylenglycoldimethylether (A&sub2;), die in diesem Beispiel verwendet wurden, löslich und besaß die durch die folgende Formel dargestellte wiederkehrende Einheit.
- In einen mit einem Thermometer, einer Rührvorrichtung und einern Stickstoff-Einlaßrohr versehenen Vier-Hals-Kolben wurden 10,711 g (0,0364 Mol) 3,3',4,4'-Biphenyltetracarbonsäuredianhydrid, 7,289 g (0,0364 Mol) 2,4'-Diaminodiphenylether und 72 g N-Methylpyrrolidon eingebracht, während gasförmiger Stickstoff durch den Kolben geleitet wurde. Unter Rühren wurde bei Raumtemperatur 10 Stunden lang umgesetzt. Bedingt durch die Bildung von Polyaminsäuren mit hohem Molekulargewicht erhöhte sich die Viskosität des Reaktionssystems in einem solchen Grad, daß es schwierig wurde zu rühren. Nach der Zugabe einer kleinen Menge Wasser zur Steuerung des Molekulargewichts wurde das Reaktionsgemisch bei 60ºC erwärmt. Nach der Zugabe von 52 g Essigsäureanhydrid und 26 g Pyridin ließ man das resultierende Gemisch 12 Stunden lang bei Raumtemperatur stehen. Die erhaltene Paste wurde in Methanol gegeben und die ausgefallenen feinen Teilchen eines festen Harzes wurden aufgefangen. Nach ausreichendem Waschen durch Kochen in Methanol wurde das feste Harz 10 Stunden lang bei 80ºC unter vermindertem Druck getrocknet, wobei ein pulverförmiges Polyimidharz (reduzierte Viskosität: 0,68 dl/g) mit der durch die folgende Formel dargestellten wiederkehrenden Einheit erhalten wurde.
- Das Polyimidharz wurde mit einer Mühle zu einem Pulver gemahlen, wobei feine Teilchen eines Polyimidharzes mit einer mittleren Teilchengröße von 4,5 µm und einer maximalen Teilchengröße von nicht mehr als 40 µm erhalten wurden.
- Die feinen Teilchen des Polyimidharzes waren in N-Methylpyrrolidon (A&sub1;) löslich, jedoch in Diethylenglycoldimethylether (A&sub2;) unlöslich.
- 15 g des in obigem (1) gemäß dieses Beispiels hergestellten, pulverförmigen, löslichen Polyamid-Imid-Harzes (B), 25 g des in obigem (2) gemäß dieses Beispiels erhaltenen, feinen Teilchen des Polyimidharzes (C), 24 g N-Methylpyrrolidon (A&sub1;) und 36 g Diethylenglycoldimethylether (A&sub2;) wurden in einem Mörtelmischer vorgeknetet. Die geknetete Masse wurde weiter geknetet, indem sie sechsmal durch eine Hochgeschwindigkeits- Walzenmischvorrichtung mit drei Walzen geleitet wurde, wobei eine hitzebeständige Harzpaste mit darin dispergierten feinen Teilchen eines Polyimidharzes erhalten wurde.
- 15 g des in Beispiel 1(1) hergestellten, pulverförmigen, löslichen, hitzebeständigen Harzes (B), 25 g feiner Teilchen aus POLYIMIDE-2080 (ein von The Upjohn Co. hergestelltes Polyimidharz) als feine Teilchen eines hitzebeständigen Harzes (C), die bis zu einer mittleren Teilchengröße von 3,5 µm und einer maximalen Teilchengröße von nicht mehr als 40 µm gemahlen worden waren, 24 g N-Methylpyrrolidon (A&sub1;) und 36 g Diethylenglycoldimethylether (A&sub2;) wurden in einem Mörtelmischer vorgeknetet. Die geknetete Masse wurde weiter geknetet, indem sie sechsmal durch eine Hochgeschwindigkeits-Walzenmischvorrichtung mit drei Walzen geleitet wurde, wobei eine hitzebeständige Harzpaste mit darin dispergierten feinen Teilchen aus POLYIMIDE-2080 mit der durch die folgenden Formel dargestellten wiederkehrenden Einheit erhalten wurde.
- Die feinen Teilchen aus POLYIMIDE-2080 waren in N-Methylpyrrolidon (A&sub1;) löslich, jedoch in Dietylenglycoldimethylether (A&sub2;) unlöslich.
- Die Arbeitsgänge gemäß Beispiel 1(2) wurden wiederholt, außer daß 10,711 g (0,0364 Mol) 3,3',4,4'-Biphenyltetracarbonsäuredianhydrid durch 11,729 g (0,0364 Mol) 3,3',4,4'-Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid ersetzt wurden, wobei ein pulverförmiges Polyimidharz (reduzierte Viskosität: 0,50 dl/g) erhalten wurde, das in einem Lösungsmittelgemisch aus N-Methylpyrrolidon (A&sub1;) und Dioxan/Diethylenglycoldirnethylether (A&sub2;), das in diesem Beispiel 1 verwendet wurde, löslich war und die durch die folgende Formel dargestellte wiederkehrende Einheit aufwies
- In eine durch Auflösen von 12 g des in (1) gemäß dieses Beispiels erhaltenen, löslichen Polyimidharzes (B) in 24 g N- Methylpyrrolidon (A&sub1;), 12 g Dioxan und 24 g Diethylenglycoldimethylether (A&sub2;) erhaltenen Lösung wurden 28 g der in Beispiel 1 (2) hergestellten feinen Teilchen eines Polyimidharzes (C) zugegeben. Die Masse wurde in einem Mörtelmischer vorgeknetet und anschließend weitergeknetet, indem sie sechsmal durch eine Hochgeschwindigkeits-Walzenmischvorrichtung mit drei Walzen geleitet wurde, wobei eine hitzebeständige Harzpaste mit darin dispergierten feinen Teilchen eines Polyimidharzes erhalten wurde.
- Die in Beispiel 1 (2) hergestellten feinen Teilchen eines Polyimidharzes (C) waren in N-Methylpyrrolidon (A&sub1;) löslich, jedoch in Dioxandiethylenglycoldimethylether (A&sub2;) unlöslich.
- In einen mit einem Thermometer, einer Rührvorrichtung und einem Stickstoff-Einlaßrohr versehenen Vier-Hals-Kolben wurden 44,424 g (0,1 Mol) 1,1,1,3,3,3-Hexafluor-2,2-bis(3,4-dicarboxyphenyl)propandianhydrid und 33,426 g (0,1 Mol) 1,1,1,3,3,3-Hexafluor-2,2-bis(4-aminophenyl)propan und 441 g N-Methylpyrrolidon eingebracht, während gasförmiger Stickstoff durch den Kolben geleitet wurde. Man ließ unter Rühren 6 Stunden lang bei Raumtemperatur reagieren. Bedingt durch die Bildung von Polyaminsäure mit einem hohen Molekulargewicht stieg die Viskosität des Reaktionssystems in einem solchen Grad, daß es schwierig wurde mit dem Rühren fortzufahren. Nachdem weitere 4 Stunden lang bei 60ºC umgesetzt worden war, wurde das Reaktionsgemisch abgekühlt. Nach der Zugabe von 143 g Essigsäureanhydrid und 72 g Pyridin ließ man das Reaktionsgemisch 12 Stunden lang bei Raumtemperatur stehen. Die so erhaltene Paste wurde in Wasser eingebracht und die ausgefallenen feinen Teilchen eines festen Harzes aufgefangen. Nach dem ausreichenden Waschen durch Kochen in Methanol wurde das aufgefangene feste Harz unter vermindertem Druck bei 80ºC 10 Stunden lang getrocknet, wobei ein pulverförmiges Polyimidharz (reduzierte Viskosität: 0,62 dl/g) erhalte wurde, das in einem Lösungsmittelgemisch aus Tetraethylenglycoldimethylether (A&sub1;) und Butyl-Cellosolve-Acetat (A&sub2;) löslich war und die durch die folgende Formel dargestellte wiederkehrende Einheit besaß.
- Gemäß den Arbeitsgängen gemäß Vergleichsbeispiel 2(1) (b) wurde die nicht-wässrige Dispersionspolymerisation wiederholt, außer daß 4,4'-Diphenylmethyldiisocyanat und MR-100 durch 62,1 g 2,2-bis[4-(4-Isocyanatphenoxy)phenyl]propan ersetzt wurden, und 9,0 g N-Methylpyrrolidon durch 100 g N- Methylpyrrolidon ersetzt wurde, wobei feine Teilchen eines Polyamid-Imid-Harzes mit einem mittleren Teilchendurchmesser von 10 µm und einem maximalen Teilchendurchmesser von 40 µm oder weniger erhalten wurden, die die durch die folgende Formel dargestellte wiederkehrende Einheit aufwiesen
- Die feinen Teilchen des Polyamid-Imid-Harzes waren in Tetraethylenglycoldirnethylether (A&sub1;) löslich, jedoch in Butyllcellosolveacetat (A&sub2;) unlöslich.
- In eine Lösung, die durch Auflösen von 15 g des gemäß dem obigen (1) gemäß dieses Beispiels hergestellten, löslichen Polyimidharzes (B) in einem Gemisch aus 42 g Tetraethylenglycoldimethylether (A&sub1;), und 18 g Butyl-Cellosolveacetat (A&sub2;) hergestellt wurde, wurden 25 g gemäß der obigen (2) dieses Beispiels erhaltene feine Teilchen eines Polyamid-Imid-Harzes (C) zugegeben. Die Masse wurde in einem Mörtelmischer vorgeknetet und anschließend weitergeknetet, indem sie sechsmal durch eine Hochgeschwindigkeits-Walzenmischvorrichtung mit drei Walzen geleitet wurde, wobei eine hitzebeständige Harzpaste mit darin dispergierten, löslichen feinen Teilchen eines Polyamid-Imid-Harzes erhalten wurde.
- In einen mit einem Thermometer, einer Rührvorrichtung und einem Stickstoff-Einlaßrohr versehenen Vier-Hals-Kolben wurden 175,5 g Maleinsäureanhydrid und 500 g Aceton eingebracht, während gasförmiger Stickstoff durch den Kolben geleitet wurde. Das Gemisch wurde anschließend auf Rückflußtemperatur erwärmt. Anschließend wurde eine vorher durch Auflösen von 346,5 g 2,2-bis[4-(4-Aminophenoxy)phenyl]propan in 670 g Aceton hergestellte Lösung tropfenweise zu dem erwärmten Gemisch über eine Stunde hinweg zugegeben. Nach halbstündigem Umsetzen bei Rückflußtemperatur fiel Bismaleinaminsäure aus. Anschließend wurde zu dem Reaktionsgemisch ein Flüssigkeitsgemisch aus 250 g Essigsäureanhydrid, 30 g Triethylamin und 1,7 g Nickelacetat-Tetrahydrat bei Rückflußtemperatur zugegeben, und die resultierende Masse wurde 3 Stunden lang bei Rückflußtemperatur umgesetzt und anschließend abgekühlt. Die er-6 haltene Lösung wurde in gekühltes Wasser eingegeben, und der erhaltene Niederschlag wurde ausreichend mit Wasser gewaschen Der Niederschlag wurde filtriert und bei 60ºC 10 Stunden lang unter vermindertem Druck getrocknet. 100 g des erhaltenen Pulvers wurden in 200 g Aceton bei 50ºC gelöst und die resultierende Lösung 24 Stunden lang bei Raumtemperatur stehen gelassen. Die resultierenden Kristalle wurden abfiltriert und bei 70ºC 5 Stunden lang unter vermindertem Druck getrocknet, wobei Bismaleinsäureimid (B) erhalten wurde, das in einem Lösungsmittelgemisch aus N-Methylpyrrolidon (A&sub1;) und Butyl-Cellosolveacetat (A&sub2;), das in diesem Beispiel verwendet wurde, löslich war.
- 37,5 g des gemäß obigen (1) dieses Beispiels erhaltenen löslichen Bismaleinsäureimids (B), 25 g feine Teilchen von POLYIMIDE-2080 (C) (die feinen Teilchen von POLYIMIDE-2080 waren in N-Methylpyrrolidon (A&sub1;) löslich, jedoch in Butyl- Cellosolve-Acetat (A&sub2;) unlöslich), die in Beispiel 2 verwendet wurden, als feine Teilchen eines Polyamidharzes, 18 g N- Methylpyrrolidon (A&sub1;) und 19,5 g Butyl-Cellosolve-Acetat (A&sub2;) wurden in einem Mörtelmischer vorgeknetet. Die geknetete Masse wurde anschließend weitergeknetet, indem sie sechsmal durch eine Hochgeschwindigkeits-Walzenmischvorrichtung mit drei Walzen geleitet wurde, wobei eine hitzebeständige Harzpaste mit darin dispergierten feinen Teilchen eines löslichen Polyimidharzes erhalten wurde.
- In einen mit einem Thermometer, einer Rührvorrichtung, einem Stickstoff-Einlaßrohr und einem Kühlrohr versehenen Vier- Hals-Kolben wurden 153,058 g (0,475 Mol) 3,3',4,4'-Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid, 139,930 g (0,475 Mol) 3,3',4,4'-Biphenyltetracarbonsäuredianhydrid, 21,326 g (0,0500 Mol) [1,3-Bis-(3,4-dicarboxyphenyl)-1,1,3,3-tetramethyldisiloxan]dianhydrid, 92,601 g (2,01 Mol) Ethanol und 567 g 1,3-Dimethyl-2-imidazolidinon eingebracht und die eingebrachte Masse wurde unter Rühren auf 100 ºC erwärmt. Anschließend wurde die erwärmte Masse bei 100ºC 4 Stunden lang umgesetzt, wobei Halbester der Tetracarbonsäuredianhydride erhalten wurden. Nach dem Abkühlen des Reaktionsgemischs auf 40ºC wurden 200,240 g (1,000 Mol) 4,4'-Diaminodiphenylether und 850 g Triethylenglycoldimethylether zugegeben und gelöst, wobei eine Lösung eines hitzebeständigen Harzes (Harzkonzentration: 30 Gew.-%) erhalten wurde.
- Zu 50 g der gemäß der oben beschriebenen (1) erhaltenen Lösung eines hitzebeständigen Harzes (Harzkonzentration: 30 Gew.-%) wurden als feine Teilchen eines Polyimids 20 g POLY- IMIDE-2080 (C), das in Beispiel 2 verwendet wurde, zugegeben, und das Gemisch wurde in einem Mörtelmischer vorgeknetet und anschließend geknetet, indem es sechsmal durch eine Walzenmischvorrichtung mit drei Walzen geleitet wurde, wobei eine hitzebeständige Harzpaste mit darin dispergierten feinen Teilchen eines unlöslichen Polyimidharzes erhalten wurde.
- Die feinen Teilchen aus POLYIMIDE-2080 waren in 1,3-Dimethyl- 2-imidazolidinon (A&sub1;) löslich, jedoch in Triethylenglycoldimethylether (A&sub2;) unlöslich.
- Jede der in Vergleichsbeispielen 1 und 2 und Beispielen 1 bis 6 erhaltenen Pasten wurde auf einen Wafer aus Einkristall- Silicium mittels eines Siebdruckverfahrens aufgebracht, so daß die aufgebrachten Folien der Paste eine im wesentlichen einheitliche Dicke besaßen und anschließend eine Stunde lang bei 100ºC, eine halbe Stunde lang bei 200ºC und eine halbe Stunde lange bei 250ºC erwärmt. Die Eigenschaften der so gebildeten Folien wurde bestimmt und die Ergebnisse in Tabelle 1 gezeigt.
- Die Einheitlichkeit der Folien wurde bestimmt, indem eine rasterelektronenmikroskopische Aufnahme der Oberfläche und des Querschnitts eines Films, die auf 1000 bis 10000 Durchmesser vergrößert wurde, bezüglich des Vorhandenseins von Kratern oder Leerräumen durch Augenschein untersucht wurde. Jede Folie wurde von einem Wafer abgelöst und mit Wiederholungen in einem Winkel von 180º gebogen. Die Biegefestigkeit wurde über die Anzahl von Biegevorgängen, die die Folie aushielt bis sie brach, bestimmt.
- Die Dicke der Folien wurde mit einem elektromagnetischen Meßinstrument für Fumdicken gemessen.
- Fig. 1 und 2 zeigen jeweils die rastermikroskopischen Aufnahmen der Querschnitte der aus den gemäß Vergleichsbeispiel 1 und Vergleichsbeispiel 2 erhaltenen Pasten hergestellten Folien. Tabelle 1 Vergleichsbeispiel Beispiel N-Methylpyrrolidon Tetraethylenglycoldimethylether 1,3-Dimethyl-2-imidazolidinon Diethylenglycoldimethylether Dioxan-Diethylenglycoldimethylether Butylcellosolveacetat Löslichkeit von (C) in (A&sub1;) Thixotropie-Index (η&sub1;/η&sub1;&sub0;) Einheilichkeit der Folie (visuelle Beobachtung) Foliendicke (µm) Biegefestigkeit (Anzahl der Wiederholungen) unlöslich schlecht (viele Löcher und Leerräume) schlecht (viele Leerräume) löslich mehr als
- Die in Tabelle 1 gezeigten Daten zeigen, daß die hitzebeständigen Harzpasten gemäß Beispielen 1 bis 4 und 6, die durch Kombination bestimmter organischer Flüssigkeiten (A&sub1;, A&sub2;), löslicher, hitzebeständiger Harze (B) und feiner Teilchen eines hitzebeständigen Harzes (C) hergestellt wurden, bezüglich der Einheitlichkeit der Folien und Biegefestigkeit, die ein vorläufiges Kriterium für die Flexibilität gibt, besser als die Pasten gemäß Vergleichsbeispielen 1 und 2, die nach der Folienbildung verbleibende Füllstoffe enthielten, waren. Es wurde ebenfalls gezeigt, daß die Paste gemäß Beispiel 5, die unter Verwendung eines hitzehärtbaren Harzes mit einem niedrigen Molekulargewicht als lösliches, hitzebeständiges Harz (B) hergestellt wurde, in der Lage ist, eine dickere Fohe zu bilden.
- Ferner wiesen die hitzebeständigen Harzpasten gemäß Beispielen 1 bis 6 ausreichende Thixotropie auf.
- Die rasterelektronenmikroskopische Aufnahme (Fig. 1) der gemäß Vergleichsbeispiel 2 erhaltenen Folie zeigt, daß der in die Folie gemischte kugelförmige Füllstoff wie er war in der Folie blieb und daß dort zahlreiche Leerräume existierten. Auf der anderen Seite zeigten Untersuchungen an einer Teilphotographie der in Beispiel 2 erhaltenen Folie (Fig. 2), daß keine sichtbaren Teilchen oder Leerräume vorhanden waren. Dies zeigt eine außerordentliche Einheitlichkeit der Folie. In Fig. 1 und 2 stellt die obere Hälfte stellt eine rasterelektronenmikroskopische Aufnahme dar, die auf 1000 Durchmesser vergrößert worden war, und die untere Hälfte eine rasterelektronenmikroskopische Aufnahme der in der oberen Hälfte gezeigten und mit einem weißen Rahmen umkreiste Fläche, die auf 10000 Durchmesser vergrößert worden war, dar.
- 11,602 g (0,0360 Mol) 3,3',4,4'-Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid, das durch Umkristallisation aus Essigsäureanhydrid gereinigt worden war, 0,808 g (0,0019 Mol) [1,3-Bis(3,4-dicarboxyphenyl)-1,1,3,3-tetramethyldisiloxan]dianhydrid, das aus einem Flüssigkeitsgemisch, das Toluol und Diethylether in einem Gewichtsverhältnis von 1:1 enthielt, umkristallisiert worden war, 7,589 g (0,0379 Mol) 2,4'-Diaminodiphenylether, der aus einem Flüssigkeitsgemisch, das Methanol und Wasser in einem Gewichtsverhältnis von 8:2 (Methanol:Wasser) enthielt, umkristallisiert worden war, und 72 g N-Methylpyrrolidon, das durch Vakuumdestillation gereinigt worden war, wurden in einen mit einem Thermometer, einer Rührvorrichtung, einem Stickstoffeinlaß-Rohr und einem Wasserabscheider versehenen Vier-Hals-Kolben eingebracht, während gasförmiger Stickstoff durch den Kolben geleitet wurde. Die Masse wurde 10 Stunden lang bei Raumtemperatur unter Rühren umgesetzt. Danach wurde die Temperatur auf 200ºC erhöht und die Umsetzung bei der gleichen Temperatur 8 Stunden lang fortgesetzt. Das während der Umsetzung erzeugte Wasser wurde sofort aus dem Reaktionssystem entfernt. Die resultierende Lösung wurde in durch Destillation gereinigtes Methanol eingegeben, und das ausgefallene feste Harz aufgefangen. Das erhaltene feste Harz wurde durch Kochen in Methanol ausreichend gewaschen, durch Destillation gereinigt und anschließend bei 80ºC 10 Stunden lang unter vermindertem Druck getrocknet, wobei ein pulverförmiges Polyimidharz erhalten wurde. Dieses war in einem Lösungsmittelgemisch aus N- Methylpyrrolidon (A&sub1;) und Diethylenglycoldimethylether (A&sub2;), das in diesem Beispiel verwendet wurde, löslich und besaß die durch die folgenden Formeln dargestellten wiederkehrenden Einheiten.
- In einen mit einem Thermometer, einer Rührvorrichtung, einem Stickstoff-Einlaßrohr und einem Wasserabscheider versehenen Vier-Hals-Kolben wurden 11,156 g (0,0379 Mol) 3,3',4,4'-Biphenyltetracarbonsäuredianhydrid, das durch Umkristallisation aus Essigsäureanhydrid gereinigt worden war, 0,851 g (0,0020 Mol) [1,3-Bis(3,4-dicarboxyphenyl)-1,1,3,3-tetramethyldisiloxan]dianhydrid, das aus einem Flüssigkeitsgemisch, das Toluol und Diethylether in einem Gewichtsverhältnis von 1 : 1 enthielt, umkristallisiert worden war, 7,993 g (0,0399 Mol) 2,4'-Diaminodiphenylether, der aus einem Flüssigkeitsgemisch, das Methanol und Wasser in einem Gewichtsverhältnis von 8:2 (Methanol:Wasser) enthielt, umkristallisiert worden war, und 80 g N-Methylpyrrolidon, das durch Vakuumdestillation gereinigt worden war, eingebracht, wobei gasförmiger Stickstoff durch den Kolben geleitet wurde. Die Masse in dem Kolben wurde 10 Stunden lang bei Raumtemperatur unter Rühren umgesetzt. Anschließend wurde die Temperatur auf 200ºC erhöht und die Umsetzung bei der gleichen Temperatur 10 Stunden lang fortgesetzt. Das während der Umsetzung gebildete Wasser wurde sofort aus dem Reaktionssystem entfernt. Die erhaltene Lösung wurde mit 644 g N-Methylpyrrolidon, die durch Vakuumdestillation gereinigt worden waren, verdünnt, wobei eine Lösung mit einer Harz-Konzentration von ungefähr 2,5 Gew.-% erhalten wurde. Die Lösung wurde mit einem Sprühtrockner vom Mobile Miner-Typ, hergestellt von Ashizawa-Niro Atomizer Ltd., sprühgetrocknet, wobei feine Teilchen erhalten wurden. Die feinen Teilchen wurden anschließend glasiert, wobei feine Teilchen eines Polyimidharzes mit einer mittleren Teilchengröße von 4 µm und einer maximalen Teilchengröße von nicht mehr als 40 µm erhalten wurden. Das Polyimidharz besaß eine reduzierte Viskosität von 0,64 dl/g. Die feinen Teilchen des Polyimidharzes waren in N-Methylpyrrolidon (A&sub1;) löslich, jedoch in Diethylenglycoldimethylether (A&sub2;) unlöslich. Das Polyamidharz besaß durch die folgenden Formeln dargestellte wiederkehrende Einheiten.
- 6 g des gemäß der obigen (1) hergestellten löslichen Polyimidharzes (B) wurden in einem Gemisch aus 17 g (N)-Methylpyrrolidon (A&sub1;), das durch Vakuumdestillation gereinigt worden war und 25 g Diethylenglycoldimethylether (A&sub2;), der durch Vakuumdestillation gereinigt worden war, gelöst. Zu der resultierenden Lösung wurden 14 g der gemäß der obigen (2) hergestellten feinen Teilchen eines Polyimidharzes (C) zugegeben. Die erhaltene Masse wurde in einem Mörtelmischer vorgeknetet. Sie wurde anschließend weitergeknetet, indem sie sechsmal durch eine Hochgeschwindigkeits-Walzenmischvorrichtung mit 3 Rollen geleitet wurde, wobei eine hitzebeständige Harzpaste mit darin dispergierten feinen Teilchen eines Polyimidharzes erhalten wurde. Nach dem Entfernen der organischen Flüssigkeiten (Lösungsmittel) wurde der Gehalt an Uran und Thorium durch Radioaktivitätsanalyse bestimmt und betrug 0,02 ppb oder weniger und 0,05 ppb oder weniger. Der Gesamtgehalt an ionisierbaren Verunreinigungen, Na, K, Cu, und Fe, betrug 2 ppm oder weniger.
- Die Paste wurde anschließend auf die Oberfläche eines RAM vom MOS-Typ mit einem Integrationsgrad von 16 K Bits mittels einem Siebdruckverfahren aufgetragen und anschließend bei 100ºC, 150ºC, 200ºC, 250ºC und 350ºC jeweils eine halbe Stunde lang wärmebehandelt, wobei ein Polyimidschutzfilm mit einer Dicke von ungefähr 20 µm erhalten wurde. Das erhaltene Halbleiter-Bauelement wurde durch Vergießen mit einem niedrig schmelzenden Glas bei ungefähr 450ºC verschlossen, wobei das Bauelement in einer Keramikverpackung verschlossen wurde. Der soft error-Index des erhaltenen Halbleiter-Bauelements betrug 30 Bits.
Claims (7)
1. Hitzebeständige Harzpaste, im wesentlichen bestehend
aus:
einer ersten organischen Flüssigkeit (A&sub1;),
einer zweiten organischen Flüssigkeit (A&sub2;), wobei die
Flüssigkeit (A&sub2;) leichter als die erste organische
Flüssigkeit (A&sub1;) aus der hitzebeständigen Paste
verdampft,
einem hitzebeständigen Harz (B),
das ausgewählt wird aus der Gruppe bestehend aus
Polyamidharzen, Polyamidimidharzen und Polyimidharzen,
und in dem aus der ersten organischen Flüssigkeit (A&sub1;)
und der zweiten organischen Flüssigkeit (A&sub2;) bestehenden
Gemisch organischer Flüssigkeiten löslich ist, sowie
feinen Teilchen eines hitzebeständigen Harzes (C), das
ausgewählt wird aus der Gruppe bestehend aus
Polyamidharzen, Polyamidimidharzen und Polyimidharzen,
und in der ersten organischen Flüssigkeit (A&sub1;) löslich
ist, jedoch in der zweiten organischen Flüssigkeit (A&sub2;)
unlöslich ist,
worin die erste organische Flüssigkeit (A&sub1;), die zweite
organische Flüssigkeit (A&sub2;) und das hitzebeständige Harz (B) in
eine Lösung gebracht werden, in der die feinen Teilchen eines
hitzebeständigen Harzes (C) dispergiert sind, und
die feinen Teilchen eines hitzebeständigen Harzes (C) eine
mittlere Teilchengröße von 40 µm oder weniger aufweisen.
2. Hitzebeständige Harzpaste gemäß Anspruch 1, worin das
Gewichtsverhältnis der ersten organischen Flüssigkeit (A&sub1;) zu
der zweiten organischen Flüssigkeit (A&sub2;), (A&sub1;): (A&sub2;), im
Bereich von 30:70 bis 70:30 liegt.
3. Hitzebeständige Harzpaste gemäß Anspruch 1 oder 2, die
einen Thixotropie-Index von mindestens 1,5 aufweist.
4. Hitzebeständige Harzpaste gemäß Anspruch 3, worin die
feinen Teilchen eines hitzebeständigen Harzes (C) mittels
einer Polymerisationsmethode in einer nicht-wässrigen
Dispersion zur Herstellung von hitzebeständigen Harzen hergestellt
werden.
5. Bauelement für integrierte Schaltungen, worin eine
schichtförmige Isolierung durch mindestens eine, zwischen
zwei benachbarten Leiterschichten eingeschobene
Isolierschicht erreicht wird, wobei die Isolierschicht aus
einem hitzebeständigen Harz hergestellt wird, das durch
Erwärmen der hitzebeständigen Harzpaste gemäß einem der
Ansprüche 1 bis 4 erhältlich ist.
6. Bauelement für integrierte Schaltungen, worin der Schutz
der Oberfläche eines Halbleiterchips durch eine Schicht zum
Schutz der Oberfläche, die die Oberfläche des Halbleiterchips
in fester Weise abdeckt, erreicht wird, wobei die Schicht zum
Schutz der Oberfläche aus einem hitzebeständigen Harz
hergestellt wird, das durch Erwärmen der hitzebeständigen
Harzpaste gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4 erhältlich ist.
7. Bauelement für integrierte Schaltungen, worin eine
schichtförmige Isolierung durch mindestens eine, zwischen
zwei benachbarten Leiterschichten eingeschobene
Isolierschicht erreicht wird, und der Schutz der Oberfläche eines
Halbleiterchips durch eine Schicht zum Schutz der Oberfläche,
die die Oberfläche des Halbleiterchips in fester Weise
bedeckt, erreicht wird, wobei sowohl die Isolierschicht als
auch die Schicht zum Schutz der Oberfläche aus einem
hitzebeständigen Harz hergestellt werden, das durch Erwärmen der
hitzebeständigen Harzpaste gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4
erhältlich ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33397688 | 1988-12-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE68926387D1 DE68926387D1 (de) | 1996-06-05 |
DE68926387T2 true DE68926387T2 (de) | 1996-11-28 |
Family
ID=18272097
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE68926387T Expired - Lifetime DE68926387T2 (de) | 1988-12-29 | 1989-12-22 | Wärmebeständige Kunststoffpaste sowie damit hergestellte integrierte Schaltungsanordnung |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5087658A (de) |
EP (1) | EP0384036B1 (de) |
KR (1) | KR930002237B1 (de) |
DE (1) | DE68926387T2 (de) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5196251A (en) * | 1991-04-30 | 1993-03-23 | International Business Machines Corporation | Ceramic substrate having a protective coating thereon and a method for protecting a ceramic substrate |
JPH10330616A (ja) * | 1997-05-30 | 1998-12-15 | Hitachi Chem Co Ltd | 耐熱樹脂ペースト |
US6281275B1 (en) | 1998-05-29 | 2001-08-28 | Alchemetal Corp. | Polymeric coating compositions, polymer coated substrates, and methods of making and using the same |
MY131961A (en) * | 2000-03-06 | 2007-09-28 | Hitachi Chemical Co Ltd | Resin composition, heat-resistant resin paste and semiconductor device using them and method for manufacture thereof |
US6627477B1 (en) * | 2000-09-07 | 2003-09-30 | International Business Machines Corporation | Method of assembling a plurality of semiconductor devices having different thickness |
DE10243513A1 (de) * | 2002-09-19 | 2004-04-01 | Robert Bosch Gmbh | Elektrisches und/oder mikromechanisches Bauelement und Verfahren |
TWI321975B (en) * | 2003-06-27 | 2010-03-11 | Ajinomoto Kk | Resin composition and adhesive film for multi-layered printed wiring board |
WO2005051511A1 (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-09 | Mitsubishi Chemical Corporation | 有機化合物微粒子の製造方法 |
US8765867B2 (en) * | 2004-09-28 | 2014-07-01 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Heat-resistant resin paste and method for producing same |
US7695797B2 (en) * | 2006-06-27 | 2010-04-13 | Hexcel Corporation | Corrosion resistant honeycomb |
WO2008015839A1 (fr) * | 2006-07-31 | 2008-02-07 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Pâte de résine résistante à la chaleur |
JP2012069594A (ja) * | 2010-09-21 | 2012-04-05 | Pi R & D Co Ltd | 太陽電池内の絶縁膜形成用ポリイミド樹脂組成物及びそれを用いた太陽電池内の絶縁膜形成方法 |
JP5655206B2 (ja) * | 2010-09-21 | 2015-01-21 | 株式会社ピーアイ技術研究所 | 太陽電池の裏面反射層形成用ポリイミド樹脂組成物及びそれを用いた太陽電池の裏面反射層形成方法 |
WO2014042144A1 (ja) * | 2012-09-12 | 2014-03-20 | 新日鐵住金株式会社 | 固体被膜形成用組成物及び管状ねじ継手 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56114335A (en) * | 1980-02-13 | 1981-09-08 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device and its manufacture |
GB2152060B (en) * | 1983-12-02 | 1987-05-13 | Osaka Soda Co Ltd | Electrically conductive adhesive composition |
US4495321A (en) * | 1983-12-19 | 1985-01-22 | Atlantic Richfield Company | Polyimide and/or polyamide-imide compositions in mixed solvents |
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DE3772822D1 (de) * | 1986-02-19 | 1991-10-17 | Hoechst Celanese Corp | Massen aus aromatischen polybenzimidazolen und aromatischen polyimiden oder aromatischen polyaetherimiden. |
US5037862A (en) * | 1987-06-11 | 1991-08-06 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Polyamide-imide resin pastes |
-
1989
- 1989-12-18 US US07/452,520 patent/US5087658A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-12-22 DE DE68926387T patent/DE68926387T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-12-22 EP EP89123823A patent/EP0384036B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-12-29 KR KR1019890020133A patent/KR930002237B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0384036B1 (de) | 1996-05-01 |
KR930002237B1 (ko) | 1993-03-27 |
EP0384036A2 (de) | 1990-08-29 |
DE68926387D1 (de) | 1996-06-05 |
US5087658A (en) | 1992-02-11 |
EP0384036A3 (en) | 1990-12-27 |
KR900009872A (ko) | 1990-07-05 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition |