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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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1. Gebiet der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung, wie sie in dem unabhängigen Anspruch definiert ist,
bezieht sich auf einen Fernsehtuner, umfassend ein abgestimmtes Bandschaltschaltungssystem,
das auf ein hohes Band oder ein niedriges Band abgestimmt ist, und
ein Bandschaltschaltungssystem für
die Steuerung der Bandschaltung der oben beschriebenen abgestimmten
Schaltung. Das Dokument EP-A-0
457 932 offenbart ein Beispiel eines Tuners, der ein Bandschalten umfasst.
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2. Beschreibung der in
Verbindung stehenden Technik
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Die
Schaltung eines bekannten Fernsehtuners wird in 5 gezeigt.
Ein abgestimmtes Eingangsschaltungssystem 41 für den Empfang
von VHF-Fernsehsignalen umfasst: eine abgestimmte Einzelschaltung,
die mit vier in Reihe geschalteten Induktivitätsvorrichtungen 41a, 41b, 41c und 41d und einer
Varaktordiode 41e versehen ist; und eine Schaltdiode 41f,
die mit den zwei Induktivitätsvorrichtungen 41b und 41c parallel
geschaltet ist. Mit dieser Konfiguration kann das abgestimmte Eingangsschaltungssystem 41 durch
EIN- oder AUS-Schalten der Schaltdiode 41f auf ein hohes
Band oder ein niedriges Band geschaltet und abgestimmt werden. Die Schaltdiode 41f wird
von einem Bandschaltschaltungssystem 42 auf EIN oder AUS
geschaltet. Die Kathode der Schaltdiode 41f ist durch einen
Widerstand 43 masseverbunden und mit einem ersten Anschluss 42a des
Bandschaltschaltungssystems 42 verbunden und die Anode
davon ist mit einem zweiten Anschluss 42b verbunden.
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Das
Bandschaltschaltungssystem 42 hat eine eingebaute Schaltschaltung 42c,
die von einem Eingangsbandschaltsignal S gesteuert wird. Wenn ein
Fernsehsignal des hohen Bandes empfangen wird, wird eine Hochpegelschaltungsspannung
an den zweiten Anschluss 42b ausgegeben. Wenn ein Fernsehsignal
des niedrigen Bandes empfangen wird, wird eine Hochpegelschaltspannung
an den ersten Anschluss 42a ausgegeben.
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In
der dem abgestimmten Eingangsschaltungssystem 41 folgenden
Stufe ist ein Hochfrequenzverstärker 44 angeordnet
und in der dem Hochfrequenzverstärker 44 folgenden
Stufe ist eine abgestimmte Zwischenstufenschaltung vorgesehen.
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Die
abgestimmte Zwischenstufenschaltung 45 wird von einer abgestimmten
Doppelschaltung gebildet. Die folgenden Elemente sind auf der Primärseite der
abgestimmten Zwischenstufenschaltung 45 vorgesehen. Ein
erstes Ende einer Induktivitätsvorrichtung 45a ist
mit dem Ausgangsanschluss des Hochfrequenzverstärkers 44 verbunden.
Eine Induktivitätsvorrichtung 45b ist
mit der Induktivitätsvorrichtung 45a in
Reihe geschaltet. Eine Schaltdiode 45c ist an einem Ende
mit einem Knoten zwischen den zwei Induktivitätsvorrichtungen 45a und 45b und
am anderen Ende mit der Masse verbunden. Eine Varaktordiode 45d ist
zwischen das erste Ende der Induktivitätsvorrichtung 45a und
eine Masse geschaltet.
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Die
folgenden Elemente sind auf der Sekundärseite der abgestimmten Zwischenstufenschaltung 45 vorgesehen.
Ein erstes Ende einer Induktivitätsvorrichtung 45e ist
durch eine Varaktordiode 46 mit einem Mischer 47 verbunden.
Eine Induktivitätsvorrichtung 45f ist
mit der Induktivitätsvorrichtung 45e in Reihe
geschaltet. Eine Schaltdiode 45g ist an einem Ende mit
einem Knoten zwischen den zwei Induktivitätsvorrichtungen 45e und 45f und
am anderen Ende mit einer Masse verbunden. Eine Varaktordiode 45h ist
zwischen das erste Ende der Induktivitätsvorrichtung 45e und
eine Masse geschaltet.
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Dem
Mischer 47 wird ein lokales Oszillationssignal von einem
lokalen Oszillator zugeführt
und an die Kathoden der Varaktordioden 41e, 45d, 45h und 46 wird
eine Abstimmspannung angelegt, wenn auch nicht gezeigt.
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Die
Induktivitätsvorrichtung 45b der
Primärseite
und die Induktivitätsvorrichtung 45f der
Sekundärseite
sind miteinander verbunden und ein Knoten dazwischen ist in einem
Hochfrequenzbereich durch eine Kopplungsinduktivitätsvorrichtung 45i masseverbunden.
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Die
Kathoden der Schaltdioden 45c und 45g sind miteinander
verbunden und sind für
eine Gleichstromspannung in einem Hochfrequenzbereich durch einen
Gleichstromsperrkondensator 48 bzw. einen Widerstand 49 masseverbunden.
Die Kathoden der Schaltdioden 45c und 45g sind
mit dem ersten Anschluss 42a des Bandschaltschaltungssystems 42 verbunden
und die Anoden davon sind mit dem zweiten Anschluss 42b verbunden.
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In
dem wie oben konfigurierten Fernsehtuner wird, wenn ein Fernsehsignal
des hohen Bandes empfangen wird, der zweite Anschluss 42b des Bandschaltschaltungssystems 42 ein
Hochpegel, um die Schaltdioden 41f, 45c und 45g einzuschalten. Folglich
werden das abgestimmte Eingangsschaltungssystem 41 und
die abgestimmte Zwischenstufenschaltung 45 auf ein hohes
Band abgestimmt. Wenn ein Fernsehsignal des niedrigen Bandes empfangen
wird, wird der erste Anschluss 42a des Bandschaltschaltungssystems 42 ein
Hochpegel, um die Schaltdioden 41f, 45c und 45g auszuschalten.
Folglich werden das abgestimmte Eingangsschaltungssystem 41 und
die abgestimmte Zwischenstufenschaltung 45 auf ein niedriges
Band abgestimmt.
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In
der oben beschriebenen bekannten Konfiguration wird eine Schaltspannung
getrennt an die Anode und die Kathode von jeder Schaltdiode angelegt.
Außerdem
sind zwei Schaltanschlüsse
für die Ausgabe
von Schaltspannungen für
das Bandschaltschaltungssystem vorgesehen, so dass sie getrennt mit
der Anode und der Kathode von jeder Schaltdiode verbunden sind.
Dementsprechend wird die Verdrahtung kompliziert und die Konfiguration
des Bandschaltschaltungssystems ist auch beschränkt.
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ZUSAMMENFASSUNG
DER ERFINDUNG
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Dementsprechend
es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung eine einfache Verbindung zwischen
Schaltdioden und einem Bandschaltschaltungssystem zu implementieren
und auch die Verwendung von zwei verschiedenen Typen von Bandschaltschaltungssystemen
zu ermöglichen.
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Um
die oben genannte Aufgabe zu lösen, umfasst
ein Fernsehtuner der vorliegenden Erfindung ein mit einer Schaltdiode
versehenes abgestimmtes Bandschaltschaltungssystem. Das abgestimmte
Bandschaltschaltungssystem wird so geschaltet, dass es auf ein hohes
Band oder ein niedriges Band abgestimmt wird, davon abhängig, ob
die Schaltdiode eingeschaltet oder ausgeschaltet ist. Es ist ein
Bandschaltschaltungssystem vorgesehen, um das Bandschalten des abgestimmten
Bandschaltschaltungssystems zu steuern. Es ist eine Leiterplatte
vorgesehen, auf der mindestens das abgestimmte Bandschaltschaltungssystem
und das Bandschaltschaltungssystem montiert sind. Das Bandschaltschaltungssystem
umfasst mindestens einen Schalttransistor, der eingeschaltet ist,
wenn das abgestimmte Bandschaltschaltungssystem auf das hohe Band
abgestimmt ist, und der ausgeschaltet ist, wenn das abgestimmte
Bandschaltschaltungssystem auf das niedrige Band abgestimmt ist.
Eine Hochpegelspannung wird an die Anode der Schaltdiode angelegt.
Eine erste mit dem Kollektor des Schalttransistors verbundene Verbindungsfläche und
eine zweite mit der Kathode der Schaltdiode verbundene Verbindungsfläche sind
auf der Leiterplatte angeordnet. Ein leitender Verbinder oder ein
Inverter ist zwischen die erste Verbindungsfläche und die zweite Verbindungsfläche geschaltet.
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Mit
der oben beschriebenen Konfiguration kann die Verbindung zwischen
der Schaltdiode und dem Bandschaltschaltungssystem vereinfacht werden.
Wenn ein NPN-Transistor in der Bandschaltschaltung verwendet wird,
ist der leitende Verbinder zwischen die erste und die zweite Verbindungsfläche geschaltet.
Wenn ein PNP-Transistor in dem Bandschaltschaltungssystem verwendet
wird, ist der Inverter zwischen die erste und die zweite Verbindungsfläche geschaltet.
Auf diese Art können
beide Typen von Bandschaltschaltungssystem verwendet werden, wobei
die Schaltdiode eingeschaltet werden kann, wenn ein Fernsehsignal
des hohen Bandes empfangen wird und die Schaltdiode ausgeschaltet werden
kann, wenn ein Fernsehsignal des niedrigen Bandes empfangen wird.
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In
dem oben genannten Fernsehtuner kann auf der Leiterplatte eine dritte
Verbindungsfläche,
die masseverbunden ist, in der Nachbarschaft der ersten und der
zweiten Verbindungsfläche
vorgesehen sein. Der Inverter kann von einem NPN Transistor gebildet werden,
wobei die Basis des NPN-Transistors mit der ersten Verbindungsfläche verbunden
ist, der Kollektor des NPN-Transistors mit der zweiten Verbindungsfläche verbunden
ist und der Emitter des NPN-Transistors mit der dritten Verbindungsfläche verbunden
ist.
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Mit
dieser Anordnung kann, wenn ein PNP-Transistor in dem Bandschaltschaltungssystem verwendet
wird, die Schaltdiode von dem NPN-Transistor ein- oder ausgeschaltet werden.
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Eine
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung wird jetzt mit Bezug auf die begleitenden
diagrammatischen Zeichnungen beispielhaft beschrieben. In denen
ist:
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1 ein
Schaltungsdiagramm, das einen Fernsehtuner der vorliegenden Erfindung
darstellt;
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2 ein
Schaltungsdiagramm, das einen Fernsehtuner gemäß einer ersten Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung darstellt;
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3 ein
Schaltungsdiagramm, das einen Fernsehtuner gemäß einer zweiten Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung darstellt;
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4 die
Darstellung eines Musters von in dem Fernsehtuner der vorliegenden
Erfindung verwendeten Verbindungsflächen; und
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5 ein
Schaltungsdiagramm, das einen bekannten Fernsehtuner darstellt.
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BESCHREIBUNG
DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
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Ein
Fernsehtuner der vorliegenden Erfindung wird unten mit Bezug auf 1 bis 4 beschrieben.
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1 ist
ein Schaltungsdiagramm, das einen Fernsehtuner der vorliegenden
Erfindung darstellt. Die in 1 gezeigte
Schaltung ist auf einer (nicht gezeigten) Leiterplatte gebildet.
Ein von einer Antenne (nicht gezeigt) empfangenes VHF-Fernsehsignal wird
einem abgestimmten Eingangsschaltungssystem 1 zugeführt. Das
abgestimmte Eingangsschaltungssystem 1 umfasst: eine abgestimmte
Einzelschaltung, die mit vier in Reihe geschalteten Induktivitätsvorrichtungen 1a, 1b, 1c und 1d und
einer Varaktordiode 1e versehen ist; und eine Schaltdiode 1f,
die mit den zwei Induktivitätsvorrichtungen 1b und 1c parallel
geschaltet ist. Die Anode der Schaltdiode 1f ist der Reihe
nach über
die Induktivitätsvorrichtungen 1c, 1b und 1a und
einen Widerstand 2 masseverbunden und ist auch mit einem
Stromversorgungsanschluss B verbunden.
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Die
Schaltdiode 1f wird von dem Bandschaltschaltungssystem 3 derart
umgeschaltet, dass sie eingeschaltet ist, wenn ein Fernsehsignal
des hohen Bandes empfangen wird, und ausgeschaltet ist, wenn ein
Fernsehsignal des niedrigen Bandes empfangen wird. Die Kathode der
Schaltdiode 1f ist mit einer zweiten auf der Leiterplatte
gebildeten Verbindungsfläche 4 verbunden.
Die zweite Verbindungsfläche 4 ist über einen
Hochziehwiderstand 5 mit dem Stromversorgungsanschluss
B verbunden.
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Das
Bandschaltschaltungssystem 3 umfasst einen eingebauten
Schalttransistor vom PNP-Typ oder NPN-Typ, der unten erörtert wird,
und der Schalttransistor wird von einem Eingangsbandschaltsignal
S ein- oder ausgeschaltet. Das heißt, wenn ein Fernsehsignal
des hohen Bandes empfangen wird, ist der Schalttransistor eingeschaltet,
und wenn ein Fernsehsignal des niedrigen Bandes empfangen wird,
ist der Schalttransistor ausgeschaltet. Der Kollektor des Schalttransistors
ist mit einer ersten auf der Leiterplatte gebildeten Verbindungsfläche 6 verbunden.
Die erste Verbindungsfläche 6 ist
in der Nachbarschaft der zweiten Verbindungsfläche 4 vorgesehen und
ein leitender Verbinder oder ein Inverter, der unten erörtert wird,
ist zwischen die erste Verbindungsfläche 6 und die zweite
Verbindungsfläche 4 geschaltet.
Eine dritte Verbindungsfläche 7,
die masseverbunden ist, ist in der Nachbarschaft der ersten Verbindungsfläche 6 und
der zweiten Verbindungsfläche 4 vorgesehen.
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Ein
Hochfrequenzverstärker 8 ist
in der dem abgestimmten Eingangsschaltungssystem 1 folgenden
Stufe vorgesehen und eine abgestimmte Bandschaltzwischenstufenschaltung 9 ist
in der dem Hochfrequenzverstärker 8 folgenden
Stufe vorgesehen.
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Die
abgestimmte Zwischenstufenschaltung 9 wird von einer doppelt
abgestimmten Schaltung gebildet. Die folgenden Elemente sind auf
der Primärseite
der abgestimmten Zwischenstufenschaltung 9 vorgesehen.
Ein erstes Ende einer Induktivitätsvorrichtung 9a ist
mit dem Ausgabeanschluss des Hochfrequenzverstärkers 8 verbunden.
Eine Induktivitätsvorrichtung 9b ist
mit der Induktivitätsvorrichtung 9a in
Reihe geschaltet. Die Anode einer Schaltdiode 9c ist direkt
mit dem Knoten zwischen den zwei Induktivitätsvorrichtungen 9b und 9c verbunden
und deren Kathode ist in einem Hochfrequenzbereich mit einer Masse
verbunden. Eine Varaktordiode 9d ist zwischen das erste
Ende der Induktivitätsvorrichtung 9a und
eine Masse geschaltet.
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Die
folgenden Elemente sind auf der Sekundärseite der abgestimmten Zwischenstufenschaltung 9 vorgesehen.
Ein erstes Ende einer Induktivitätsvorrichtung 9e ist über eine
Varaktordiode 10 mit einem Mischer 11 verbunden.
Eine Induktivitätsvorrichtung 9f ist
mit der Induktivitätsvorrichtung 9e in
Reihe geschaltet. Die Anode einer Schaltdiode 9g ist mit
einem Knoten zwischen den zwei Induktivitätsvorrichtungen 9e und 9f verbunden
und deren Kathode ist in einem Hochfrequenzbereich mit einer Masse
verbunden. Eine Varaktordiode 9h ist zwischen das erste Ende
der Induktivitätsvorrichtung 9e und
eine Masse geschaltet.
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Ein
Ende einer Kopplungsinduktivitätsvorrichtung 9i ist
mit der Induktivitätsvorrichtung 9b der Primärseite und
mit der Induktivitätsvorrichtung 9f der
Sekundärseite
verbunden. Das andere Ende der Kopplungsinduktivitätsvorrichtung 9i ist
in einem Hochfrequenzbereich mit einer Masse verbunden und ist auch
mit dem Stromversorgungsanschluss B verbunden. Folglich wird an
die Anoden der zwei Schaltdioden 9c und 9g von
dem Stromversorgungsanschluss B konstant eine Spannung angelegt.
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Die
Kathoden der Schaltdioden 9c und 9g sind mit der
zweiten Verbindungsfläche 4 verbunden. Wenn
ein Fernsehsignal des hohen Bandes empfangen wird, werden die Schaltdioden 9c und 9g von dem
Bandschaltschaltungssystem 3 eingeschaltet. Wenn ein Fernsehsignal
des niedrigen Bandes empfangen wird, werden die Schaltdioden 9c und 9g von dem
Bandschaltschaltungssystem 3 ausgeschaltet. Dementsprechend
ist die abgestimmte Zwischenstufenschaltung 9 ein- oder
ausgeschaltet, so dass sie auf ein hohes Band oder ein niedriges
Band abgestimmt ist.
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Eine
Abstimmspannung wird an die Kathoden der Varaktordioden 1e, 9d, 9h und 10 angelegt, wenn
auch nicht gezeigt. Ein von einem lokalen Oszillator nicht gezeigt)
ausgegebenes Oszillationssignal wird dem Mischer 11 zugeführt.
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2 stellt
eine Ausführungsform
des wie oben beschrieben konfigurierten Fernsehtuners der vorliegenden
Erfindung dar. Es wird jetzt angenommen, dass das Bandschaltschaltungssystem 3 in
der oben beschriebenen Konfiguration einen NPN-Transistor 3a verwendet.
In diesem Fall ist, wie in 2 gezeigt,
der NPN-Transistor 3a mit einem leitenden Verbinder 21 verbunden,
der von einem Widerstand oder einem Leiter gebildet wird, der zwischen
der ersten Verbindungsfläche 6 und
der zweiten Verbindungsfläche 4 angeordnet
ist. Dann wird der Kollektor des NPN-Transistors 3a über den
leitenden Verbinder 21 von den Schaltdioden 1f, 9c und 9g zu
dem Versorgungsanschluss B hochgezogen.
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In
diesem Zustand ist, wenn ein Fernsehsignal eines hohen Bandes empfangen
wird, der NPN-Transistor 3a eingeschaltet, um die Kollektorspannung
zu senken, wobei die Schaltdioden 1f, 9c und 9g eingeschaltet
werden. Folglich wird das abgestimmte Eingangsschaltungssystem 1 von
den Induktivitätsvorrichtungen 1a und 1d und
der Varaktordiode 1e auf ein hohes Band abgestimmt. Die
Abstimmfrequenz wird von der an die Varaktordiode 1e angelegten
Abstimmspannung geändert.
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Die
Primärseite
der abgestimmten Zwischenstufenschaltung 9 wird von der
Induktivitätsvorrichtung 9a und
der Varaktordiode 9d auf ein hohes Band abgestimmt und
die Sekundärseite
der abgestimmten Zwischenstufenschaltung 9 wird von der
Induktivitätsvorrichtung 9e und
der Varaktordiode 9h auf ein hohes Band abgestimmt. Die
Abstimmfrequenz wird von der an die Varaktordioden 9d und 9h angelegten
Abstimmspannung geändert.
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Wenn
dahingegen ein Fernsehsignal des niedrigen Bandes empfangen wird,
ist der NPN-Transistor 3a ausgeschaltet. In diesem Fall
werden die Schaltdioden 1f, 9c und 9g ausgeschaltet,
da eine Spannung vom Stromversorgunganschluss B an die Kathoden
der Schaltdioden 1f, 9c und 9g angelegt wird.
Folglich werden die Induktivitätsvorrichtungen 1b und 1c dem
abgestimmten Eingangsschaltungssystem 1 hinzugefügt, das
dann auf ein niedriges Band abgestimmt wird. Auch in der abgestimmten Zwischenstufenschaltung 9 wird
die Induktivitätsvorrichtung 9b der
Primärseite
zugefügt
und die Induktivitätsvorrichtung 9f der
Sekundärseite
zugefügt
und folglich wird die abgestimmte Zwischenstufenschaltung 9 auf
ein niedriges Band abgestimmt.
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3 stellt
eine andere Ausführungsform des
Fernsehtuners der vorliegenden Erfindung dar. Es wird jetzt angenommen,
dass das Bandschaltschaltungssystem 3 einen PNP-Transistor 3b verwendet.
In diesem Fall ist, wie in 3 gezeigt,
ein Inverter 22, wie z.B. ein NPN-Transistor, zwischen die
erste Verbindungsfläche 4 und
die zweite Verbindungsfläche 6 geschaltet.
Eine Spannung von dem Stromversorgungsanschluss B wird an den Emitter des
PNP-Transistors 3b geliefert.
Wenn der Inverter 22 ein NPN-Transistor ist, ist der Kollektor
des PNP-Transistors 3b mit der Basis des NPN-Transistors 22 verbunden
und der Emitter des NPN-Transistors 22 ist mit einer dritten
Verbindungsfläche 7 verbunden.
Der Kollektor des PNP-Transistors 3b wird von den Schaltdioden 1f, 9c und 9g zu
dem Stromversorgungsanschluss B hochgezogen.
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In
diesem Fall sind, wenn ein Fernsehsignal des hohen Bandes empfangen
wird, der PNP-Transistor 3b und der NPN-Transistor 22 eingeschaltet, und
sind dann die Schaltdioden 1f, 9c und 9g eingeschaltet.
Wenn ein Fernsehsignal des niedrigen Bandes empfangen wird, sind
der PNP-Transistor 3b und der NPN-Transistor 22 ausgeschaltet
und sind dann die Schaltdioden 1f, 9c und 9g ausgeschaltet.
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4 stellt
ein Beispiel für
ein bestimmtes Muster der auf einer Leiterplatte 20 gebildeten
ersten Verbindungsfläche 6,
zweiten Verbindungsfläche 4 und
dritten Verbindungsfläche 7 dar.
Die Verbindungsflächen 6, 4 und 7 sind
jedoch nicht auf dieses Muster beschränkt. Die erste Verbindungsfläche 6 umfasst
einen ersten Verbindungsteil 6a und einen zweiten Verbindungsteil 6b.
Die zweite Verbindungsfläche 4 umfasst
einen ersten Verbindungsteil 4a und einen zweiten Verbindungsteil 4b.
Der erste Verbindungsteil 6a der ersten Verbindungsfläche 6,
der erste Verbindungsteil 4a der zweiten Verbindungsfläche 4 und
die dritte Verbindungsfläche 7 sind
derart angeordnet, dass sie Scheitel eines Dreiecks bilden. Der zweite
Verbindungsteil 6b der ersten Verbindungsfläche 6 und
der zweite Verbindungsteil 4b der zweiten Verbindungsfläche 4 sind
derart angeordnet, dass sie sich gegenüber liegen. Der leitende Verbinder 21 ist zwischen
die zweiten Verbindungsteile 6b und 4b geschaltet
oder der NPN-Transistor 22 ist zwischen die ersten Verbindungsteile 6a und 4a und
die dritte Verbindungsfläche 7 geschaltet.