DE602006021081D1 - Integrierte Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung abgeschirmter Verbindung - Google Patents

Integrierte Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung abgeschirmter Verbindung

Info

Publication number
DE602006021081D1
DE602006021081D1 DE602006021081T DE602006021081T DE602006021081D1 DE 602006021081 D1 DE602006021081 D1 DE 602006021081D1 DE 602006021081 T DE602006021081 T DE 602006021081T DE 602006021081 T DE602006021081 T DE 602006021081T DE 602006021081 D1 DE602006021081 D1 DE 602006021081D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor device
integrated semiconductor
shielded connection
making shielded
making
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE602006021081T
Other languages
English (en)
Inventor
Tsuyoshi Ueno
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Publication of DE602006021081D1 publication Critical patent/DE602006021081D1/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/5222—Capacitive arrangements or effects of, or between wiring layers
    • H01L23/5225—Shielding layers formed together with wiring layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
DE602006021081T 2005-02-02 2006-02-02 Integrierte Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung abgeschirmter Verbindung Active DE602006021081D1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005026600 2005-02-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE602006021081D1 true DE602006021081D1 (de) 2011-05-19

Family

ID=36435746

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE602006021081T Active DE602006021081D1 (de) 2005-02-02 2006-02-02 Integrierte Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung abgeschirmter Verbindung

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7576382B2 (de)
EP (1) EP1688996B1 (de)
DE (1) DE602006021081D1 (de)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7843033B2 (en) 2008-02-08 2010-11-30 Freescale Semiconductor, Inc. Shielded integrated circuit pad structure
JP5294883B2 (ja) * 2009-01-05 2013-09-18 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 液晶表示装置および電子機器
US8853832B2 (en) * 2009-01-22 2014-10-07 Stmicroelectronics Inc. Methods and apparatus for reducing coupling in a MOS device
US8253198B2 (en) * 2009-07-30 2012-08-28 Micron Technology Devices for shielding a signal line over an active region
JP2011100989A (ja) 2009-10-09 2011-05-19 Renesas Electronics Corp 半導体装置
US7999361B1 (en) 2010-02-19 2011-08-16 Altera Corporation Shielding structure for transmission lines
US9087840B2 (en) * 2010-11-01 2015-07-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Slot-shielded coplanar strip-line compatible with CMOS processes
US8853833B2 (en) * 2011-06-13 2014-10-07 Micron Technology, Inc. Electromagnetic shield and associated methods
CN103619605B (zh) 2011-06-27 2015-11-25 惠普发展公司，有限责任合伙企业 墨水液面传感器和相关方法
JP5847527B2 (ja) 2011-10-13 2016-01-27 ルネサスエレクトロニクス株式会社 ディジタル制御発振装置および高周波信号処理装置
EP2925528B1 (de) * 2012-11-30 2019-01-02 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Flüssigkeitsausstossvorrichtung mit integriertem tintenpegelfühler
CN103943599A (zh) * 2013-01-17 2014-07-23 中国科学院微电子研究所 互连结构及其制造方法
US9960124B2 (en) 2013-10-23 2018-05-01 General Electric Company Integrated shield structure for mixed-signal integrated circuits
US9992859B2 (en) 2015-09-25 2018-06-05 Intel Corporation Low loss and low cross talk transmission lines using shaped vias
US9755029B1 (en) 2016-06-22 2017-09-05 Qualcomm Incorporated Switch device performance improvement through multisided biased shielding
JP6862921B2 (ja) * 2017-03-01 2021-04-21 株式会社リコー アナログ信号バス駆動回路、及び光電変換装置
US10939541B2 (en) * 2017-03-31 2021-03-02 Huawei Technologies Co., Ltd. Shield structure for a low crosstalk single ended clock distribution circuit
US10410934B2 (en) * 2017-12-07 2019-09-10 Micron Technology, Inc. Apparatuses having an interconnect extending from an upper conductive structure, through a hole in another conductive structure, and to an underlying structure
US10770391B2 (en) 2018-03-27 2020-09-08 Qualcomm Incorporated Transistor with gate extension to limit second gate effect

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH021928A (ja) 1988-06-10 1990-01-08 Toshiba Corp 半導体集積回路
JP3294590B2 (ja) 1989-03-17 2002-06-24 株式会社日立製作所 半導体装置
JPH0547943A (ja) 1991-08-19 1993-02-26 Seiko Epson Corp 半導体集積装置
US6066537A (en) * 1998-02-02 2000-05-23 Tritech Microelectronics, Ltd. Method for fabricating a shielded multilevel integrated circuit capacitor
JP2000058752A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Hitachi Ltd 半導体装置
JP3221415B2 (ja) 1998-11-18 2001-10-22 日本電気株式会社 アナログ信号パッドのシールド法、および半導体集積回路
JP2000269211A (ja) 1999-03-15 2000-09-29 Nec Corp 半導体装置
JP2001044305A (ja) 1999-07-29 2001-02-16 Mitsui High Tec Inc 半導体装置
JP2001144091A (ja) 1999-11-11 2001-05-25 Sanyo Electric Co Ltd 半導体集積回路
JP3746979B2 (ja) * 2001-10-03 2006-02-22 富士通株式会社 半導体装置及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP1688996B1 (de) 2011-04-06
EP1688996A2 (de) 2006-08-09
US20060192288A1 (en) 2006-08-31
US7576382B2 (en) 2009-08-18
EP1688996A3 (de) 2008-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE602006021081D1 (de) Integrierte Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung abgeschirmter Verbindung
DE112007002801T8 (de) Abschirmungsleiter und Verfahren zur Herstellung des Abschirmungsleiters
DE602006021318D1 (de) Insektizidzusammensetzungen und verfahren zur hersn
DE102007032290B8 (de) Transistor, integrierte Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltung
DE602004027597D1 (de) Halbleiterdrucksensor und Verfahren zur Herstellung
DE602006021341D1 (de) Rauchgasnassentschwefelungsvorrichtung und verfahren zur rauchgasnassentschwefelung
DE602006007458D1 (de) Verfahren und vorrichtung zur bohrlochfluidanalyse
DE602004013489D1 (de) Halbleiter-Speicherbauelement und Verfahren zur Herstellung desselben
DE602005009344D1 (de) Verfahren und vorrichtung zur übertragung von leitenden teilen bei der herstellung von halbleiterbauelementen
DE602005003730D1 (de) Nichthaftende Vorrichtungen zur Maskierung und Verfahren zur Herstellung derselben
DE602005025249D1 (de) Reinigungsvorrichtung und verfahren zur herstellung selbiger
DE602007000624D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Charakterisierung von winkelaufgelöster spektroskopischer Lithografie
DE502005001625D1 (de) Beschichtetes Bauteil und Verfahren zur Herstellung
DE602005005366D1 (de) Elektromagnetisches Abschirmgehäuse und Verfahren zur Herstellung
DE602005014371D1 (de) Einrichtung und verfahren zur unabhängigen positionierung
DE502006002714D1 (de) Parkhilfsvorrichtung und verfahren zur parkunterstützung
DE602005022657D1 (de) III-V Nitrid Halbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung
DE602006003973D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Wasserbehandlung
DE602005013692D1 (de) Halbleiterbauelement und verfahren zu seiner herstellung
DE502006003351D1 (de) Verfahren und vorrichtung zur wankwinkelbestimmung für insassenschutzvorrichtungen
DE602006000223D1 (de) Elektronisches Gerät und Verfahren zur Herstellung das selbe
DE112005003619A5 (de) Verfahren und Vorrichtung zur gesundheitlichen Orientierung
DE602007009955D1 (de) Schaltung und verfahren zur lärmminderung
DE602005018265D1 (de) Verfahren zur Herstellung 3-O-geschützter Morphinone und 3-O-geschützter Morphinon-Dienol-Carboxylate
DE112007003777A5 (de) Leiteranordnung und Verfahren zur Herstellung derselben