DE602004009256T2 - Lithographischer Apparat und Methode zur Kompensation von thermischer Deformation in einem lithographischen Apparat - Google Patents

Lithographischer Apparat und Methode zur Kompensation von thermischer Deformation in einem lithographischen Apparat Download PDF

Info

Publication number
DE602004009256T2
DE602004009256T2 DE602004009256T DE602004009256T DE602004009256T2 DE 602004009256 T2 DE602004009256 T2 DE 602004009256T2 DE 602004009256 T DE602004009256 T DE 602004009256T DE 602004009256 T DE602004009256 T DE 602004009256T DE 602004009256 T2 DE602004009256 T2 DE 602004009256T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
deformation
support frame
temperature
thermal
support
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE602004009256T
Other languages
English (en)
Other versions
DE602004009256D1 (de
Inventor
Dominicus J. P. A. Franken
Wilhelmus J. Box
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Publication of DE602004009256D1 publication Critical patent/DE602004009256D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE602004009256T2 publication Critical patent/DE602004009256T2/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70258Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B7/00Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
    • G02B7/008Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements with means for compensating for changes in temperature or for controlling the temperature; thermal stabilisation
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70825Mounting of individual elements, e.g. mounts, holders or supports
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G03F7/70891Temperature

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Indication And Recording Devices For Special Purposes And Tariff Metering Devices (AREA)
  • Automatic Control Of Machine Tools (AREA)

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen lithografischen Apparat und ein Verfahren zur Kompensation von thermischen Deformationen in einem lithografischen Apparat.
  • Ein lithografischer Apparat ist eine Maschine, die ein gewünschtes Muster auf einem Zielabschnitt eines Substrates aufbringt. Lithografische Apparate können zum Beispiel bei der Herstellung von integrierten Schaltkreisen (ICs) verwendet werden. Unter dieser Bedingung kann ein Bemusterungsmittel, wie zum Beispiel eine Maske, verwendet werden, um ein Schaltkreismuster zu erzeugen, dass einer einzelnen Schicht des ICs entspricht, und dieses Muster kann auf einem Zielabschnitt (der z. B. einen Teil von einem oder mehreren Chips umfasst) auf einem Substrat (z. B. einem Silicon-Wafer) abgebildet werden, der eine Schicht aus strahlungsempfindlichem Material (Schutzschicht) umfasst. Im Allgemeinen enthält ein einzelnes Substrat ein Netzwerk von aneinander angrenzenden Zielabschnitten, die nacheinander belichtet werden. Bekannte lithografische Apparate beinhalten so genannte Schrittschaltwerke, in welchen jeder Zielabschnitt bestrahlt wird, indem ein gesamtes Muster auf den Zielabschnitt in einem Zug bestrahlt wird, und so genannte Scanner, in welchen jeder Zielabschnitt bestrahlt wird, indem das Ziel durch den Projektionsstrahl in einer gegebenen Belichtung abgetastet wird (die „Abtast"-Richtung), während das Substrat synchron parallel oder antiparallel zu dieser Richtung abgetastet wird.
  • Ein lithografischer Apparat beinhaltet Komponenten, wie zum Beispiel Strahlungsquellen, die Hitze erzeugen. Andere Elemente in dem lithografischen Apparat, wie zum Beispiel Stützrahmen und optische und andere Elemente werden einer thermischen Belastung von den Hitze erzeugenden Komponenten ausgesetzt. Es wurde herausgefunden, dass die thermische Belastung, der bestimmte Elemente in dem lithografischen Apparat ausgesetzt sind, die Abbildungsqualität des Apparates beeinträchtigt. Es ist eine Aufgabe der Erfindung, dieses Problem zu adressieren.
  • Weiter ist es, um die Größe von Merkmalen, die abgebildet werden können, indem ein lithografischer Apparat verwendet wird, wünschenswert, die Wellenlänge der Beleuchtungs-Strahlung zu verringern. Ultraviolette Wellenlängen von weniger als 180 nm werden hierfür momentan verwendet, zum Beispiel 157 nm oder 126 nm. Es werden ebenfalls extreme ultra violette (EUV), ebenfalls als weiche Röntgen-Strahlen bezeichnete Wellenlängen von weniger als 50 nm verwendet, zum Beispiel 13,5 nm.
  • Eine Folge der Verwendung von kürzeren Wellenlängen ist, dass, während thermische Stabilität innerhalb des Abbildungssystems in dem lithografischen Apparat weiter ein Problem bleibt, herausgefunden worden ist, dass Apparate, die bei kürzeren Wellenlängen arbeiten, wie zum Beispiel solchen kleiner als 180 nm, selbst gegenüber thermischen Stabilitätsproblemen anfälliger sind, als solche, die bei höheren Wellenlängen arbeiten.
  • Ein Apparat, der bei einer kürzeren Wellenlänge arbeitet, wird zum Beispiel in unserer anhängigen europäischen Patentanmeldung Nr. 1178357 beschrieben. In EP1178357 ist ein lithografischer Apparat bekannt, von welchem sich bestimmte Komponenten einer Vakuumkammer befinden. Der Projektionsstrahl bildet die Maske auf das Substrat über eine Anzahl von Spiegeln ab. Eine derartige Anordnung wird zum Beispiel benötigt, wenn ein EUV-Strahl verwendet wird, da ein EUV-Abbildungsstrahl ungeeignet für Abbildungszwecke in Gasen bei atmosphärischem Druck wäre, und da zur Zeit keine Strahlen brechenden optischen Elemente für EUV-Strahlung verfügbar sind. Dieselben Anordnungen sind für andere Strahltypen notwendig.
  • Die europäische Patentanmeldung Nr. 1178357 merkt an, dass ein Betrieb unter Vakuum Temperatur Stabilitätsprobleme hervorrufen kann, da Wärmestrahlung von den Wänden der Vakuumkammer oder von der Vakuumpumpe zu einer thermischen Ausdehnung oder einem Zusammenziehen führen kann. Dies führt bei temperaturkritischen Komponenten, wie dem Referenzrahmen, einschließlich dem Stützrahmen, dem Substrattisch oder dem Projektionssystem, zu Abbildungsfehlern.
  • Insbesondere beeinflussen thermische Stabilitätseffekte die Bildqualität, da der Abschnitt der optischen Elemente, insbesondere die Spiegel in EUV-lithografischen Projektionsapparaten, erreicht werden und während der Belichtung extrem genau aufrechterhalten werden müssen. Zum Beispiel müssen in EUV-Apparaten die Spiegel mit einer Genauigkeit von +/– 0,1 nm oder weniger positioniert werden. Da die optischen Elemente, wie zum Beispiel Spiegel, auf einem Stützrahmen unterstützt bzw. getragen werden, versteht es sich, dass die Temperaturschwankungen, welche den Stützrahmen dazu bringen kann, sich zu deformieren, ebenfalls bewirken kann, dass die Position der Spiegel variiert.
  • Üblicherweise wird dieses Problem adressiert, indem Apparate entworfen werden, die so wenig wie möglich auf thermische Schwankungen reagieren. Zum Beispiel, indem Stützrahmen und andere kritische Strukturen aus Materialien, wie zum Beispiel Zerodur (Han delsmarke) oder Invar konstruiert werden, welche spezialisierte Materialien sind, die im Stand der Technik als NZTE(fast null thermische Ausdehnung)-Materialien oder Ähnliches bezeichnet werden. Derartige Materialien sind so ausgelegt, dass sie einen sehr geringen Ausdehnungskoeffizienten aufweisen. Obwohl die Verwendung dieser Materialien die thermomechanische Stabilität des Apparates verbessert, weisen sie verschiedene Nachteile auf, einschließlich Kosten, Herstellbarkeit und Zerbrechlichkeit der verwendeten Materialien, wie zum Beispiel Zerodur, die zu der Komplexität der Herstellung hinzu kommen. Ebenfalls ist es problematisch, Glasmaterialien miteinander zu verbinden, welches einer der Faktoren ist, die zu dem mehr allgemeinen Problem der Herstellbarkeit von NZTE-Materialien, wie zum Beispiel Zerodur, beitragen.
  • Ein weiterer Ansatz, um das Problem der thermischen Stabilität zu lösen, wie zum Beispiel in EP 1178357 beschrieben ist, ist, ein Hitzeschild bereitzustellen, das zwischen Hitzequellen und temperaturkritischen Komponenten angebracht wird. Ein weiterer Ansatz wird in US 5,581,324 offenbart.
  • Es wurde herausgefunden, dass trotz aller Versuche, die Auswirkungen, die Temperaturfluktuationen auf einen lithografischen Apparat haben, der bei irgendeiner Wellenlänge arbeitet, zu minimieren, dieser Einfluss nicht vollständig beseitigt werden kann. Weiter weisen, wie oben erwähnt die Materialien und Techniken, die verwendet werden, um die Probleme der thermischen Stabilität zu bekämpfen, ihre Nachteile auf, und zwar im Allgemeinen zusätzlich zur Komplexität und den Kosten des Apparates.
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die Probleme zu adressieren, die bei herkömmlichen Apparaten in Bezug auf eine thermomechanische Stabilität angetroffen werden. Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Apparat bereitzustellen, bei welchem die Position von wenigstens einem beweglichen optischen Element in dem Projektionssystem thermomechanisch stabil ist.
  • Entsprechend eines Aspekts der vorliegenden Erfindung wird ein lithografischer Apparat nach Anspruch 1 bereitgestellt.
  • Durch Fühlen der Temperatur an wenigstens einer Stelle ist es möglich, die thermische Deformation eines Elementes auszugleichen. Indem eher eine Deformations-Ausgleichseinheit zum Ausgleichen bereitgestellt wird, als zu versuchen, eine Deformation des Elementes zu beseitigen, die durch Temperatur hervorgerufen wird, ist es nicht länger erforderlich, Elemente aus spezialisierten Materialien wie zum Beispiel einem NZTE-Material, wie zum Beispiel Zerodur, in dem lithografischen Apparat herzustellen, die einer thermischen Belastung ausgesetzt werden. Stattdessen können günstigere, weniger zerbrechliche und leichter zu verarbeitende Materialien verwendet werden. Dies stellt die Vorteile einer Reduzierung der Material- und Herstellungskosten und einer Erhöhung der Herstellbarkeit von bestimmten Elementen in dem lithografischen Apparat bereit, die einer thermischen Belastung ausgesetzt sind. Als ein Ergebnis wird, wenn eine thermische Belastung auf einem Projektionssystem-Stützrahmen kompensiert wird, die thermische Stabilität so verbessert, dass eine Positionierungsgenauigkeit des beweglichen optischen Elementes, das durch den Projektionssystem-Stützrahmen unterstützt bzw. getragen wird, von einem Bruchteil von Nanometern über einen Belichtungszeitraum erreicht wird, zum Beispiel über mehrere Minuten. Indem eine Steuerungseinheit bereitgestellt wird, wird eine direkte Steuerungsschleife zwischen dem Element, das einer thermischen Belastung ausgesetzt ist, und der Temperatur, die bei dem Element abgetastet wird, eingerichtet.
  • Bei einer bevorzugten Ausführungsform wird eine Modellierungseinheit bereitgestellt, welche das Modell erzeugt, wobei eine Finite-Elemente-Modellierung verwendet wird. Es wurde herausgefunden, dass die Finite-Elemente-Modellierung verwendet werden kann, um effektiv und genau Elemente zu modellieren, die aus einem homogenen Material bestehen, wie zum Beispiel Zerodur oder Metall, Invar oder Aluminium. Bei einer alternativen Ausführungsform wird die Deformation der Struktur für mehrere Temperaturverteilungen gemessen und es wird eine experimentelle Passung verwendet, um ein Modell für die thermische Deformations-Kompensation-Einheit zu erzeugen.
  • Bei einer bevorzugten Ausführungsform ist der wenigstens eine Temperatursensor direkt auf dem Element angebracht. Durch Anbringen des wenigstens einen Temperatursensors direkt auf dem Element wird die Genauigkeit der abgetasteten Temperatur, und somit die Kompensation von jeder thermischen Belastung jeweils genauer abgetastet und kompensiert.
  • Bei einer bevorzugten Ausführungsform ist der wenigstens eine Temperatursensor entweder auf einer Innenseite oder einen Außenseite des Elementes angebracht. Indem der wenigstens eine Temperatursensor entweder auf einer Innenseite oder einer Außenseite des Elementes angebracht wird, wird die Genauigkeit der abgetasteten Temperatur des Elementes, und damit die Kompensation jeder thermischen Belastung sogar jeweils noch genauer abgetastet und kompensiert.
  • Das Element ist ein Stützrahmen. Indem eine thermische Deformation in einem Stützrahmen ausgeglichen wird, wohingegen früher derartige Stützrahmen notwendigerweise aus teueren spezialisierten Materialien hergestellt wurden, können in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung günstigere Materialien, wie zum Beispiel Metalle, wie zum Beispiel Invar und Aluminium als Materialien für einen Stützrahmen verwendet werden. Indem ein Stützrahmen aus Metall, wie zum Beispiel Invar oder Aluminium verwendet wird, können auf dem Gebiet der Dynamik Vorteile erzielt werden, der Rahmen ist weniger zerbrechlich, die Herstellbarkeit des Stützrahmens wird verbessert, die Verbindungstechnologie, d. h. die Fähigkeit, unterschiedliche Komponenten miteinander zu verbinden, wird vereinfacht, und die Freiheit der Auslegung des Stützrahmens wird erhöht. Weiter werden die Kosten und die Bearbeitungszeit des Rahmens verringert. Weiter wurde herausgefunden, dass homogene Materialien, wie zum Beispiel Metalle, genau und effektiv modelliert werden können, indem die Finite-Elemente-Modellierung entsprechend einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird.
  • Bei einer bevorzugten Ausführungsform ist der Stützrahmen wenigstens einer eines Quellenrahmens, um eine Strahlungsquelle zu unterstützen bzw. zu tragen, ein Beleuchtungs-Einrichtungs-Rahmen, um ein Beleuchtungssystem zu unterstützen bzw. zu tragen, ein Bemusterungsmittel-Stützrahmen, um ein Bemusterungsmittel zu unterstützen bzw. zu tragen, ein Projektionssystem-Stützrahmen, um ein Projektionssystem zu unterstützen bzw. zu tragen, ein erster Referenz-Stützrahmen, um entweder den Projektionssystem-Stützrahmen oder ein Messsystem zu unterstützen bzw. zu tragen, ein zweiter Referenz-Stützrahmen, um den ersten Referenz-Stützrahmen zu unterstützen bzw. zu tragen und ein Substrat-Stützrahmen, um ein Substrat zu unterstützen bzw. zu tragen. Auf diese Weise weist die vorliegende Erfindung eine Anwendung für unterschiedliche Elemente in dem lithografischen Apparat auf.
  • Bei einer bevorzugten Ausführungsform ist ein weiteres Element wenigstens eines von optischen Elementen und ein Element, das in einem Messsystem umfasst wird. Auf diese Weise kann zusätzlich zu Stützrahmen die vorliegende Erfindung auf optische Elemente, wie zum Beispiel Spiegel und Linsen und Elemente in einem Messsystem, wie zum Beispiel Spiegelblöcken, angewendet werden.
  • Bei einer bevorzugten Ausführungsform ist das weitere Element ein bewegliches optisches Element, das auf dem Stützrahmen unterstützt bzw. getragen wird, und das Steuerungssignal bewirkt, dass die Position des weiteren beweglichen optischen Elementes so eingestellt wird, um die Deformation des Elementes auszugleichen, und zwar als Antwort auf die wenigstens eine Temperatur, die durch den wenigstens einen Sensor abgetastet wird.
  • Auf diese Weise kann, statt sicherzustellen zu müssen, dass der Stützrahmen sich um einen Minimalbetrag verformt, eine Betrachtung für jegliche Deformation durch die optischen Elemente erfolgen. Somit werden die Herstellungstoleranzen reduziert. Gleichzeitig wird die Genauigkeit des Systems, zum Beispiel des Beleuchtungssystems oder Projektionssystems, in welchem das bewegliche optische Element angebracht ist, verbessert.
  • Bei einer bevorzugten Ausführungsform wird wenigstens ein Temperatursensor direkt auf dem Stützrahmen und dem optischen Element angebracht, wobei die Position des optischen Elementes durch die Temperaturen bestimmt wird, die durch die Temperatursensoren abgetastet werden, die auf dem Stützrahmen und dem optischen Element angebracht sind. Durch Messung der Temperatur direkt auf dem Stützrahmen und dem optischen Element wird die Genauigkeit der Kompensationen der thermischen Deformation der Struktur weiter verbessert.
  • Bei einer bevorzugten Ausführungsform stellt die Verarbeitungseinheit, die auf den Sensor reagiert, ein Deformationssignal bereit, das auf die Deformation hinweist, wobei die Verarbeitungseinheit das Deformationssignal auf der Basis von Deformationsdaten und der abgetasteten Temperatur ableitet, wobei die Deformationsdaten aus dem Modell abgeleitet werden und die Deformation des Rahmens als eine Funktion der Temperatur an wenigstens einer Stelle darstellt. Durch Bereitstellen eines Deformationssignals, das von der abgetasteten Temperatur und Deformationsdaten abgeleitet wird, ist eine genaue Abschätzung bzw. Bewertung der Deformation erreichbar, welches der Einstellungseinheit ein genau bestimmtes Deformationssignal bereitstellt.
  • Bei einer bevorzugten Ausführungsform umfasst der Apparat Folgendes: wenigstens eines eines Beleuchtungssystems, um einen Projektionsstrahl von Strahlung bereitzustellen, eine Unterstützungsstruktur für ein Unterstützungs-Bemusterungsmittel, wobei das Bemusterungsmittel dazu dient, dem Projektionsstrahl ein Muster in seinem Querschnitt mitzugeben, einen Substrattisch, um ein Substrat zu halten, und ein Projektionssystem, um den bemusterten Strahl auf einen Zielabschnitt des Substrates zu projizieren.
  • Bei einer bevorzugten Ausführungsform liegen die Deformationsdaten in der Form eines thermischen Deformationsmodells vor. Durch Bereitstellen der Deformationsdaten in der Form eines thermischen Deformationsmodelles können Deformationsdaten bereitgestellt werden, die sich auf mehrere Parameter und Betriebsbedingungen des Apparates beziehen. Somit wird die Genauigkeit, mit welcher eine Deformation des Stützrahmens ausgeglichen wird, weiter verbessert.
  • Bei einer bevorzugten Ausführungsform kompensiert die thermische Kompensation-Deformationseinheit einen thermischen Effekt auf eine Struktur des Elementes. Auf diese Weise wird der thermische Effekt der Struktur selbst kompensiert.
  • Bei einer bevorzugten Ausführungsform befindet sich der wenigstens eine Temperatursensor an einer Stelle bzw. Stellen, wo die Struktur des Elementes eine hohe Festigkeit aufweist. Es wurde herausgefunden, dass Temperatursensoren, die an Stellen platziert werden, wo die Struktur eine hohe Festigkeit aufweist, besonders gute Ergebnisse bereitstellen, da die Temperatur an diesen Stellen das thermomechanische Verhalten der gesamten Struktur dominiert.
  • Gemäß eines weiteren Aspektes der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren bereitgestellt, um eine thermische Deformation in einem lithografischen Apparat nach Anspruch 1 zu kompensieren.
  • Entsprechend eines noch weiteren Aspektes der vorliegenden Erfindung wird ein Anwender-Endgerät bereitgestellt, das betreibbare Mittel umfasst, um das Verfahren von irgendeinem der Ansprüche 21 bis 27 auszuführen.
  • Entsprechend eines noch weiteren Aspektes der vorliegenden Erfindung wird ein computerlesbares Speichermedium bereitgestellt, das ein Programm speichert, welches, wenn es auf einem Computer läuft, den Computer steuert, um das Verfahren von irgendeinem der Ansprüche 21 bis 27 auszuführen.
  • Obwohl in diesem Text spezielle Hinweise auf die Verwendung des lithografischen Apparates bei der Chip-Herstellung erfolgen, sollte verstanden werden, dass der lithografische Apparat, der hierein beschrieben wird, andere Anwendungen aufweisen kann, zum Beispiel die Herstellung von integrierten optischen Systemen, von Führungs- und Detektionsmustern für Speicher für magnetische Domänen, Flüssigkeitskristallanzeigen (LEDs), magnetische Dünnfilm-Köpfe, etc. Der erfahrene Handwerker wird erkennen, dass im Kontext derartiger alternativer Anwendungen jede Verwendung des Begriffes „Wafer" oder „Chip" hierin jeweils als Synonym mit dem mehr allgemeineren Ausdruck „Substrat" oder „Zielabschnitt" betrachtet werden kann. Das Substrat, auf das sich hierin bezogen wird, wird vor oder nach einer Belichtung bearbeitet, in zum Beispiel einer Leiterbahn (ein Werkzeug, das typischerweise eine Schutzschicht auf ein Substrat aufbringt und die belichtete Schutzschicht entwickelt) oder ein Messtechnik- oder Inspektion-Werkzeug. Wo immer anwendbar, kann die Offenbarung hierin auf derartige und andere Substrat-Verarbeitungs-Werkzeuge angewendet werden. Weiter kann das Substrat mehr als einmal bearbeitet werden, zum Beispiel um einen Multischicht-IC zu erzeugen, sodass der Ausdruck Substrat, der hierin verwendet wird, sich ebenfalls auf ein Substrat beziehen kann, das bereits mehrere verarbeitete Schichten enthält.
  • Die Begriffe „Strahlung" und „Strahl", die hierin verwendet werden, umfasst alle Typen von elektromagnetischer Strahlung, einschließlich ultravioletter (UV) Strahlung (die z. B. eine Wellenlänge von 365, 355, 248, 193, 157 oder 126 nm aufweisen) und extreme ultraviolette Strahlung (EUV) (die z. B. eine Wellenlänge im Bereich von 5–20 nm aufweist) als auch Teilchenstrahlen, wie zum Beispiel Ionenstrahlen oder Elektronenstrahlen.
  • Der Begriff „Bemusterungsmittel", der hierin verwendet wird, sollte breit interpretiert werden, als er sich auf ein Mittel bezieht, das verwendet werden kann, um ein Projektionsstrahl in seinem Querschnitt ein Muster mitzugeben, wie zum Beispiel, um ein Muster in dem Zielabschnitt des Substrates zu erzeugen. Es ist zu beachten, dass das Muster, das den Projektionsstrahl mitgegeben wird, nicht genau dem gewünschten Muster in dem Zielabschnitt des Substrates entsprechen kann. Im Allgemeinen entspricht das Muster, das dem Projektionsstrahl mitgegeben wird, einer bestimmten funktionalen Schicht in einer Vorrichtung, die in dem Zielabschnitt erzeugt wird, wie zum Beispiel einem integrierten Schaltkreis.
  • Bemusterungsmittel können durchlässig oder reflektierend sein. Beispiele für Bemusterungsmittel beinhalten Masken, programmierbare Spiegelfelder und programmierbare LCD-Elemente. Masken sind in der Lithografie gut bekannt, und beinhalten Maskentypen, wie zum Beispiel binäre, wechselnde Phasenverschiebungs- und abgeschwächte Phasenverschiebungs- als auch verschiedene Hybrid-Maskentypen. Ein Beispiel eines programmierbaren Spiegelfeldes verwendet eine Matrix-Anordnung von kleinen Spiegeln, von denen jeder einzeln geneigt werden kann, um einen einfallenden Strahlungsstrahl in unterschiedlichen Richtungen zu reflektieren; auf diese Weise wird der reflektierte Strahl gemustert. In jedem Beispiel von Bemusterungsmitteln kann die Stützstruktur zum Beispiel ein Rahmen oder ein Tisch sein, welcher fixiert oder beweglich, wie gewünscht, sein kann, und welcher sicherstellt, dass das Bemusterungsmittel an der gewünschten Position ist, zum Beispiel in Bezug auf das Projektionssystem. Jede Verwendung des Begriffes „Strichplatte" oder „Maske" hierin kann synonym mit mehr allgemeineren Begriff „Bemusterungsmittel" betrachtet werden.
  • Der Begriff „Projektionssystem", der hierin verwendet wird, sollte breit als verschiedene Typen von Projektionssystemen umfassend verstanden werden, einschließlich brechender optischer Systeme, reflektierender optischer Systeme und katadioptrischer Systeme, die zum Beispiel für Belichtungsstrahlen geeignet sind, oder für andere Faktoren, wie zum Beispiel die Verwendung einer Immersions-Flüssigkeit unter der Verwendung eines Vakuums. Jede Verwendung des Begriffes „Linse" hierein kann als Synonym mit dem mehr allgemeineren Begriff „Projektionssystem" betrachtet werden.
  • Das Beleuchtungssystem kann ebenfalls verschiedene Typen von optischen Komponenten, einschließlich brechender, reflektierender, katadioptrischer Komponenten zum Ausrichten, Formen oder Steuern des Projektionsstrahls der Strahlung umfassen, und derartige Komponenten können ebenfalls unten gemeinsam oder einzeln als „Linse" bezeichnet werden.
  • Der lithografische Apparat kann von einem Typ sein, der zwei (duale Stufen) oder mehrere Substrattische aufweist (und/oder zwei oder mehr Maskentische). In derartigen „Mehrfachstufen-Maschinen" können die zusätzlichen Tische parallel verwendet werden, oder vorbereitende Schritte können auf einem oder mehreren Tischen ausgeführt werden, während einer oder mehrere andere Tische für eine Belichtung verwendet werden.
  • Der lithografische Apparat kann ebenfalls von einen Typ sein, bei welchem das Substrat in eine Flüssigkeit eintaucht, die einen relativ hohen Brechungsindex aufweist, zum Beispiel Wasser, um einen Zwischenraum zwischen dem finalen Element des Projektionssystems und dem Substrat zu füllen. Immersions-Flüssigkeiten können ebenfalls auf andere Zwischenräume in dem lithografischen Apparat angewendet werden, zum Beispiel zwischen der Maske und dem ersten Element des Projektionssystems. Immersions-Techniken sind im Stand der Technik gut bekannt, um die numerische Apertur des Projektionssystems zu erhöhen. Der lithografische Apparat kann ebenfalls vom Typ einer Flachbildschirm-Anzeige sein.
  • Ausführungsformen der Erfindung werden nun nur als Beispiel beschrieben, mit Bezug auf die beigefügten schematischen Zeichnungen, bei welchen entsprechende Bezugszeichen entsprechende Teile bezeichnen, und in welchen Folgendes gilt:
  • 1 stellt einen lithografischen Apparat entsprechend einer Ausführungsform der Erfindung dar;
  • 2 stellt Details eines lithografischen Apparates einschließlich einer Temperatur-Deformations-Kompensations-Schaltung entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar; und
  • 3a und 3b stellen einen Stützrahmen dar, auf welchem eine Vielzahl von Sensoren angebracht ist.
  • 1 stellt einen lithografischen Apparat entsprechend einer bestimmten Ausführungsform der Erfindung schematisch dar, der Apparat umfasst Folgendes:
    • – ein Beleuchtungssystem (Beleuchter) IL, um einen Projektionsstrahl PB von Strahlung (z. B. UV- oder EUV-Strahlung) bereitzustellen.
    • – eine erste Stützstruktur (z. B. einen Maskentisch) MT, um ein unterstützendes Bemusterungsmittel (z. B. eine Maske) MA zu unterstützen bzw. zu tragen, die mit einem ersten Positionierungsmittel PM zum genauen Positionieren des Bemusterungsmittels in Bezug auf den Gegenstand PL verbunden ist;
    • – einem Substrattisch (z. B. einen Wafer-Tisch) WT, um ein Substrat zu halten (z. B. einen Schutzschild-beschichteten Wafer) W, der mit einem zweiten Positionierungsmittel PW verbunden ist, um das Substrat in Bezug den Gegenstand PL genauer zu positionieren; und
    • – ein Projektionssystem (z. B. eine reflektierende Projektionslinse) PL zum Abbilden eines Musters, das dem Projektionsstrahl PB durch ein Bemusterungsmittel MA auf einen Zielabschnitt C (der z. B. einen oder mehrere Chips umfasst) des Substrates W mitgegeben wird.
  • Wie hier dargestellt, ist der Apparat von einem reflektiven Typ (der z. B. eine reflektierende Maske oder ein programmierbares Spiegelfeld eines oben erwähnten Typs verwendet). Alternativ kann der Apparat von einem durchlässigen Typ sein (der z. B. eine durchlässige Maske verwendet).
  • Der Beleuchter IL empfängt einen Strahlungsstrahl einer Strahlungsquelle SO. Die Quelle und der lithografische Apparat können getrennte Einheiten sein, zum Beispiel wenn die Quelle eine Plasma-Entladungsquelle ist. In einem derartigen Fall wird die Quelle nicht als ein Teil des lithografischen Apparates betrachtet und der Strahlungsstrahl geht im Allgemeinen von der Quelle SO durch den Beleuchter IL durch, und zwar mit der Hilfe eines Strahlungssammlers, der zum Beispiel geeignete Sammel-Spiegel und/oder spektrale Reinheitsfilter umfasst. In anderen Fällen kann die Quelle ein integraler Bestandteil des Apparates sein, zum Beispiel wenn die Quelle eine Quecksilberlampe ist. Die Quelle SO und der Beleuchter IL können als ein Beleuchtungssystem bezeichnet werden.
  • Der Beleuchter IL kann Einstellungsmittel zum Einstellen der Winkelintensitätsverteilung des Strahles umfassen. Im Allgemeinen werden wenigstens die äußere und/oder innere radiale Ausdehnung (üblicherweise jeweils als σ-aus und σ-innen bezeichnet) der Intensitätsverteilung in einer Augenhöhe eingestellt. Der Beleuchter stellt einen positionierten Strahlungsstrahl bereit, der als Projektionsstrahl PB bezeichnet wird, der eine gewünschte Gleichmäßigkeit und Intensitätsverteilung in seinem Querschnitt aufweist.
  • Der Projektionsstrahl PB fällt auf die Maske MA ein, welche auf dem Maskentisch MT gehalten wird. Indem er durch die Maske MA reflektiert wird, geht der Projektionsstrahl PB durch die Linse PL durch, welche den Strahl auf einen Zielabschnitt C des Substrates W fokussiert. Mit der Hilfe des zweiten Positionierungsmittels PW und einem Positionssensor IV2 (z. B. einer interferometrischen Vorrichtung) kann der Substrattisch WT genau bewegt werden, zum Beispiel um unterschiedliche Zielpositionen C in dem Weg des Strahls PB zu positionieren. Ähnlich können das erste Positionierungsmittel PM und ein Positionssensor IV1 verwendet werden, um die Maske MA in Bezug auf den Weg des Strahls PB genau zu positionieren, z. B. nach einer mechanischen Zurückholung von einer Maskenbibliothek oder während einer Abtastung. Im Allgemeinen wird eine Bewegung der Objekttische MT und WT mit der Hilfe von einem lang gestreckten Modul (Grob-Positionierung) und einem kurzgestreckten Modul (Fein-Positionierung), welche einen Teil der Positionierungsmittel PM und PW ausbilden, realisiert. Jedoch kann in dem Fall eines Schrittschaltwerks (das einem Scanner gegenübersteht) der Maskentisch MT nur mit einem kurzgestreckten Aktuator verbunden sein, oder kann fixiert sein. Eine Maske MA und ein Substrat W können ausgerichtet werden, indem Maskenausrichtungs-Markierungen verwendet werden und Substratausrichtungs-Markierungen P1, P2.
  • Der dargestellte Apparat kann in den folgenden, bevorzugten Betriebsarten verwendet werden:
    • 1. Bei der Schritt-Betriebsart werden der Maskentisch MT und der Substrattisch WT im Wesentlichen stationär gehalten, während ein gesamtes Muster, das einem Projektionsstrahl mitgegeben wird, in einem Zug auf einen Zielabschnitt C projiziert wird (d. h. eine einzelne statische Belichtung). Der Substrattisch WT wird dann in die X- und/oder Y-Richtung verschoben, sodass ein unterschiedlicher Zielabschnitt C belichtet werden kann. Bei der Schritt-Betriebsart beschränkt die maximale Größe des Belichtungsfeldes die Größe des Zielabschnittes C, der mit einer einzigen statischen Belichtung abgebildet werden kann.
    • 2. Bei der Abtast-Betriebsart werden der Maskentisch MT und der Substrattisch WT synchron abgetastet, während ein Muster, das dem Projektionsstrahl mitgegeben wird, auf einem Zielabschnitt C abgebildet wird (d. h. eine einzelne dynamische Belichtung). Die Geschwindigkeit und die Richtung des Substrattisches WT relativ zu dem Maskentisch MT wird bestimmt, indem die (Ent-)Magnetisierung und Bild-Umkehrcharakteristika des Projektionssystems PL bestimmt werden. Bei der Abtast-Betriebsart beschränkt die maximale Größe des Belichtungsfeldes die Breite (in der Nicht-Abtastrichtung) des Zielabschnittes bei einer einzelnen dynamischen Belichtung, wohingegen die Länge der Abtastbewegung die Höhe (in der Abtastrichtung) des Zielabschnittes bestimmt.
    • 3. Bei einer anderen Betriebsart wird der Maskentisch MT im Wesentlichen stationär gehalten, wobei er ein programmierbares Bemusterungsmittel hält, und der Substrattisch WT wird bewegt oder abgetastet, während ein Muster, das dem Projektionsstrahl mitgegeben wird, auf einen Zielabschnitt C projiziert wird. Bei dieser Betriebsart wird im Allgemeinen eine gepulste Strahlungsquelle verwendet und das programmierbare Bemusterungsmittel wird wie gewünscht aktualisiert nach jeder Bewegung des Substrattisches WT oder zwischen nacheinander folgenden Strahlungspulsen während einer Abtastung. Diese Betriebsart kann leicht auf eine maskenlose Lithografie angewendet werden, die programmierbare Bemusterungsmittel verwendet, wie zum Beispiel programmierbare Spiegelfelder eines Types wie oben beschrieben.
  • Kombinationen und/oder Variationen der oben beschriebenen Betriebsarten können insgesamt oder vollständig unterschiedliche Betriebsarten der Verwendung können eingesetzt werden.
  • Bei dem lithografischen Apparat, der bei einer bestimmten Wellenlänge arbeitet, zum Beispiel EUV, alpha- und gamma-Strahlung, werden bestimmte Apparate-Komponenten, zum Beispiel das Projektionssystem, der Beleuchter, die Maske und der Maskentisch und der Wafer und der Wafertisch in einer Vakuumkammer angebracht, die ausgepumpt wird, wobei eine Vakuumpumpe verwendet wird. Während die vorliegende Erfindung eine bestimmte Anwen dung für solche Apparate aufweist, die Komponenten in einer Vakuumkammer aufweisen, da herausgefunden worden ist, dass die Vakuumpumpe die thermische Instabilität von lithografischen Apparaten erhöht, weist die vorliegende Erfindung andere Anwendungen für lithografische Apparate auf, die keine Vakuumkammer und -pumpe umfassen, da eine thermische Instabilität ein Problem in diesen Apparaten zu sein scheint.
  • Die vorliegende Erfindung findet bei vielen Elementen innerhalb eines lithografischen Apparates Anwendung. Mit Bezug auf 2-4, wird eine spezielle Ausführungsform in Bezug auf die Kompensation von thermischer Deformation innerhalb des Projektionssystems beschrieben. Jedoch ist die Erfindung nicht in dieser Hinsicht beschränkt. Die Erfindung ist auf jede Art von Stützrahmen in dem lithografischen Apparat anwendbar, zusätzlich zu anderen Elementen in einem lithografischen Apparat, wie zum Beispiel optischen Elementen, die bewegbar sein können, wie zum Beispiel Spiegel und Linsen, und ebenfalls anderen Elementen mit einem Messsystem IF1, IF2, wie zum Beispiel Spiegel-Blöcken.
  • Zum Beispiel Elemente, deren thermische Deformationen zum Kompensieren berücksichtigt werden können, aber nicht auf einen Quellen-Rahmen zum Unterstützen der Strahlungsquelle SO beschränkt sind, einem Beleuchtungs-Rahmen zum Unterstützen des Beleuchtungssystems IL, einem Bemusterungsmittel-Stützrahmens MT, zum Unterstützen bzw. Tragen eines Bemusterungsmittels MA, einem Projektionssystem-Stützrahmen, zum Unterstützen bzw. Tragen eines Projektionssystems PL, einem ersten Referenz-Stützrahmen MF, zum Unterstützen bzw. Tragen wenigstens eines des Projektionssystem-Stützrahmens und einem Messsystem IF1, IF2, einem zweiten Referenz-Stützrahmen BF, um den ersten Referenz-Stützrahmen MF zu unterstützen bzw. zu tragen und einem Substrat-Stützrahmen WT, um ein Substrat WA zu unterstützen bzw. zu tragen. Es ist in Bezug auf die schematische Art von 1 zu beachten, dass der oben zitierte Stützrahmen, wo er nicht in 1 speziell bezeichnet wird, so betrachtet wird, um jeweils ein Teil der Quelle SO, des Beleuchtungssystems IL, des Projektionssystems PL auszubilden. Wie erwähnt, können durch Kompensation der thermischen Deformationen bei Elementen, die einer thermischen Belastung ausgesetzt sind, alternative Materialien für die Elemente verwendet werden. Zum Beispiel kann wenigstens einer der ersten Referenz-Stützrahmen MF und des zweiten Referenz-Stützrahmens BF aus entweder Invar oder Aluminium hergestellt werden. Es ist zu beachten, dass im Stand der Technik der erste Referenz-Stützrahmen MF als ein Messtechnik-(oder Metro-)Rahmen und der zweite Referenz-Stützrahmen BF als der Basis-Rahmen bezeichnet werden kann. Bei ei ner Ausführungsform wird ein Steuerungssignal an ein weiteres Element in dem Apparat ausgegeben, was bewirkt, dass das weitere Element eine Korrektur der Deformation berücksichtigt. Bei einer weiteren Ausführungsform wird das weitere Element auf dem Element unterstützt bzw. getragen. Bei einer noch weiteren Ausführungsform berücksichtigt das Steuerungssignal die Deformation bei einem Sollwert für die Steuerung des weiteren Elements. Bei einer weiteren Ausführungsform wird das Steuerungssignal an ein weiteres Element in dem Apparat ausgegeben, was bewirkt, dass das weitere Element die Korrektur der Deformation berücksichtigt. Das weitere Element kann zum Beispiel ein optisches Element, wie zum Beispiel ein Spiegel oder eine Linse, sein. Bei einer Ausführungsform bewirkt das Steuerungssignal, dass das weitere Element sich als Antwort auf die berechnete Deformation durch die thermische Deformations-Kompensationseinheit bewegt. Wie mit Bezug auf 2 bis 4 beschrieben, kann das weitere Element auf dem Element unterstützt bzw. getragen werden. Somit wird jede Deformation des Elementes ausgeglichen, indem das weitere Element gesteuert wird, zum Beispiel das weitere Element zu bewegen, um die Deformation des Elementes auszugleichen. Bei einer Ausführungsform berücksichtigt das Steuerungssignal die Deformation bei einem Sollwert für die Steuerung des weiteren Elementes.
  • 2 stellt Details eines lithografischen Apparates dar, der eine Temperatur-Deformations-Kompensations-Schaltung entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beinhaltet. Die Ausführungsform der Erfindung, die in und mit Bezug auf 2 gezeigt und beschrieben wird, besteht in Bezug auf das Projektionssystem PL und den Projektionssystem-Stützrahmen 4. Jedoch ist, wie oben diskutiert, die Erfindung nicht auf dieses Beispiel beschränkt und kann auf solche weiteren Situationen, wie oben mit Bezug auf 1 beschrieben, angewendet werden. Für solche Elemente, die dieselben Bezugszeichen wie ein Element aufweisen, dass in 1 bezeichnet und beschrieben wird, wird auf 1 Bezug genommen. Das Projektionssystem PL umfasst typischerweise ein Element 4. Das Element, das in 2 gezeigt wird, ist ein Stützrahmen, insbesondere der Projektionssystem-Stützrahmen. Das Projektionssystem PL umfasst weiter eine Vielzahl von weiteren Elementen. In 2 sind die weiteren Elemente M1, M6 eine Vielzahl von optischen Elementen M1–M6. Die optischen Elemente, die in der Ausführungsform gezeigt sind, die in 2 gezeigt sind, sind Spiegel. Wenigstens einer der Spiegel ist beweglich angeordnet. Typischerweise sind alle die Spiegel, mit Ausnahme des Spiegels M5, beweglich. Die Spiegel sind so angeordnet, um den bemusterten Strahl von der Maske zu dem Wafer zu führen. Typi scherweise sind alle Spiegel, außer dem Spiegel M5, beweglich. Wie erwähnt, ist die Genauigkeit, mit welcher die Spiegel positioniert werden, extrem hoch. Die Position der Spiegel wird durch eine Steuerungseinheit 14 gesteuert. Ein Positionssensor 25 wird bereitgestellt, um die Position des Spiegels zu bestimmen. Ein Aktuator 26 wird so angepasst, um ein Steuerungssignal cs von der Steuerungseinheit 14 zu empfangen und den Spiegel dazu zu bringen, sich zu einer gewünschten Position als Antwort auf das Steuerungssignal cs zu bewegen. Die Spiegel werden in einem Stützrahmen 4 bereitgestellt. Der Stützrahmen 4 kann einen Referenzrahmen 4 umfassen und eine Vielzahl von Sensorrahmen 28. Die Vielzahl von Sensorrahmen 28 ist so angepasst, um in dem Referenzrahmen 4 befestigt zu werden, wobei ein verbindendes Element 27 verwendet wird. Der Sensorrahmen 28 ist ein Rahmen, der angepasst ist, um ein optisches Element M1–M6 zu unterstützen bzw. zu tragen, typischerweise ein bewegbarer Spiegel, der Positionssensor 25 und der Aktuator 26. Ein getrennter Sensorrahmen 28 kann für jeden Spiegel M1–M6 bereitgestellt werden. Typischerweise jedoch wird ein getrenntes Spiegel-Modul für M1–M4 und M6 bereitgestellt. M5 ist typischerweise stationär und direkt auf dem Stützrahmen 4 befestigt. Typischerweise wird der Spiegel M5 nicht mit Sensoren oder Aktuatoren bereitgestellt. Eine derartige Unteranordnung wird üblicherweise als ein „Spiegel-Modul" bezeichnet. Die Spiegel können im thermischen Kontakt mit dem Stützrahmen sein. Insbesondere beeinflusst jede thermische Instabilität des Stützrahmens die optischen Elemente. In 2 sind, um der Einfachheit willen, nur zwei Sensorrahmen gezeigt, jedoch werden typischerweise alle beweglichen Spiegel auf ihrem eigenen Sensorrahmen 28 gehalten bzw. getragen. Üblicherweise wird jeder Sensorrahmen 28 in dem Referenzrahmen 4 befestigt, wobei eine so genannte „statisch bestimmte Schnittstelle" 27 verwendet wird. Eine derartige Schnittstelle kann zum Beispiel eine Vielzahl von Elementen 27 umfassen (von welchen nur einige wenige in 2 gezeigt sind), die angeordnet sind, um das Spiegel-Modul in Bezug auf den Rahmen 4 in einer solchen Weise zu befestigen, dass jedes Element 27 nur einmal jeden der sechs Freiheitsgrade beschränkt. In 2 wird die Unterstützung des Spiegels auf dem Stützrahmen schematisch durch Stangen 27 dargestellt, die Spiegel M1 und M6 unterstützt bzw. trägt. Die Spiegel M2–M4 werden typischerweise auf eine ähnliche Art und Weise unterstützt bzw. getragen, obwohl aus Gründen der Einfachheit in 2 die Unterstützungsglieder nur für Spiegel M1 und M6 gezeigt werden. Typischerweise ist M5 stationär, somit unterscheiden sich seine Unterstützungsgliedern von denen für M1–M4 und M6. Obwohl die „statisch bestimmte Schnittstelle", die mit Bezug auf 2 beschrieben wird, eine herkömmliche Weise des Befestigens eines Spiegels in einem Stütz rahmen darstellt, ist die vorliegende Erfindung nicht in dieser Hinsicht beschränkt und ist für eine Anwendung in irgendeinem Apparat geeignet, wobei ein bewegliches optisches Element auf einem Stützrahmen unabhängig von der Art des Stützgliedes unterstützt bzw. getragen wird. Da die optischen Elemente (Spiegel) in dem Stützrahmen 4 unterstützt bzw. getragen werden, wird verstanden, dass eine Deformation in dem Stützrahmen, die durch eine Temperaturfluktuation in dem lithografischen Apparat verursacht wird, dazu führen kann, dass sich die Position des Spiegels verändert. Um dieses Problem zu adressieren, wird eine thermische Deformation-Kompensationseinheit 10, 15 bereitgestellt. Die thermische Deformations-Kompensationseinheit 10, 15 umfasst wenigstens einen Temperatursensor 10, um die Temperatur an wenigstens einer Stelle auf dem Rahmen 4 abzutasten. In 2 ist ein Temperatursensor 10 in der Umgebung eines Spiegels M6 gezeigt. Jedoch kann eine Anzahl von Sensoren über den Stützrahmen 4 bereitgestellt werden. Die Gesamtzahl der Sensoren kann ungefähr 50 betragen, dies ist jedoch nicht beschränkend. Trotzdem ist die Stelle für jeden Sensor für die Erfindung nicht kritisch, bei einer besonderen Ausführungsform werden Sensoren 10 in der Umgebung von Spiegeln M1–M6 bereitgestellt, insbesondere in solchen Bereichen, wo die Sensorrahmen in Berührung mit den Referenzrahmen kommen. Bei einer alternativen Ausführungsform, wo die optischen Elemente auf alternative Art und Weisen in einem Stützrahmen 4 befestigt sind, können die Temperatursensoren an solchen Positionen angeordnet sein, wo die optischen Elemente von dem Rahmen durch eine alternative Befestigung oder Unterstützungs- bzw. Halteelemente unterstützt bzw. getragen werden. Für Situationen, in denen zum Beispiel kein Sensor-Rahmen bereitgestellt wird, für Ausführungsformen, wo die Spiegelpositions-Sensoren direkt auf dem Stützrahmen befestigt sind, befindet sich ein Temperatursensor an derselben Position wie der Spiegel-Positionssensor, da dieser Positionssensor die Position des optischen Elementes, d. h. des Spiegels, bestimmt. Weiter können Sensoren an Stellen angebracht sein, an denen bekannt ist, dass Deformationen auftauchen, da gerade Deformationen an einer Stelle relativ entfernt von einem optischen Element einen Einfluss auf die Position des optischen Elementes haben können. Bei einer speziellen Ausführungsform wurde herausgefunden, dass Temperatursensoren, die an Stellen angebracht sind, wo die Struktur eine hohe Festigkeit aufweist, insbesondere gute Resultate erzielen, da die Temperatur an diesen Stellen das thermomechanische Verhalten der gesamten Struktur dominiert. Bei einer speziellen Ausführungsform werden Temperatursensoren sowohl auf dem Stützrahmen als auch den optischen Elementen angebracht. Auf diese Weise kann die Genauigkeit der Kompensation weiter verbessert werden. Die Art und Weise, in welcher die vorliegende Er findung eine gegebene Deformation aufgrund der Temperatur an einer bestimmten Stelle kompensiert, wird unten detaillierter beschrieben.
  • Der Stützrahmen 4 stellt einen Rahmen bereit, auf welchem die optischen Elemente M1–M6 bereitgestellt werden. Typischerweise ist der Stützrahmen 4 ein Gehäuse. Der Projektionsstrahl PB tritt in das Gehäuse über eine Öffnung oder ein Fenster 7 ein, das in dem Gehäuse ausgebildet ist, und verlässt das Gehäuse über eine Öffnung oder ein Fenster 11. Das Gehäuse kann ebenfalls eine Festigkeitsplatte 8 umfassen, die über der Mitte des Gehäuses angebracht ist. Bei dieser speziellen Ausführungsform wird eine weitere Öffnung oder ein weiteres Fenster 9 in der Festigkeitsplatte 8 bereitgestellt, um es dem Projektionsstrahl zu ermöglichen, sich durch das Gehäuse auszubreiten. Der Stützrahmen 4 kann aus niedrigen Ausdehnungsmaterialien bestehen. Jedoch erlaubt die Erfindung die Verwendung anderer Materialien, einschließlich Metalle, für den Stützrahmen 4. Bei einer speziellen Ausführungsform besteht der Stützrahmen 4 aus Invar (Schutzmarke). Der Stützrahmen kann alternativ aus anderen Metallen, wie zum Beispiel Aluminium oder Keramik-Materialien bestehen. Im Allgemeinen ist die Erfindung in einem großen Ausmaß von der Material unabhängig.
  • Um in der Lage zu sein, das Modell für die thermische Deformation ausreichend zu berechnen, sollte die mathematische Darstellung der thermischen Eigenschaften und ein Verhalten des Materials ungefähr so gut wie möglich der Realität entsprechen. Alternativ kann zum Beispiel für exotische und anisotrope Materialien das thermische Deformationsmodell experimentell bestimmt werden, zum Beispiel durch Messung der Deformation für diese Struktur für mehrere Temperaturverteilungen und einer Passung eines thermischen Deformationsmodell in den experimentellen Daten, zum Beispiel eine Regressionsanalyse. Natürlich sollte die Temperaturmessung ebenfalls genau genug sein. Verschiedene Materialien sind bekannt, deren Verhalten mehr oder weniger linear ist, d. h. dass sie thermische Expansionskoeffizienten und thermische Leitfähigkeitskoeffizienten aufweisen, die mehr oder weniger konstant in Bezug auf die Zeit und als eine Funktion der absoluten Temperatur sind; bestimmt in dem Temperaturbereich über welchem ein lithografischer Apparat arbeitet, d. h. von ungefähr 20 Grad Celsius zu ungefähr 30 Grad Celsius. Jedoch kann im Allgemeinen, selbst wenn ein Temperaturverhalten nicht linear ist, was zu einem bestimmten Ausmaß bereitgestellt wird, eine Deformation noch genau genug vorhergesagt werden, um ausreichend kompensiert zu werden. Somit ist die Erfindung im Allgemeinen nicht auf Materialien mit linearen Materialeigenschaften beschränkt. Jedoch genügt es, wenn Materialeigenschaften linear sind, die Temperaturunterschiede zwischen einem bestimmten Zeitumfang zu messen, anstatt der abso luten Temperaturen. Ebenfalls erfordern Materialien mit hohen thermischen Ausdehnungskoeffizienten eine noch genauere Messung der Temperaturänderungen, um in der Lage zu sein, dass optische Bildstörungen oder Messfehler, die zu einem Verlust oder einer Überlappung und einem Fokus aufgrund einer endlichen Kompensation oder Deformation des Stützrahmens führen, innerhalb bestimmter Grenzen bleiben. Somit sind im Allgemeinen Materialien mit allen Arten von thermischen Ausdehnungskoeffizienten erlaubt. Jedoch gilt, dass je höher der Wert ist, umso genauer ist die Messung der Temperatur oder der Temperaturänderungen.
  • In Bezug auf Aluminium wird kommentiert, dass sein thermischer Ausdehnungskoeffizient recht hoch ist, typischerweise 20 bis 40 Mal höher als Invar. Daher wird der Betrag der thermischen Deformation, die kompensiert werden muss, in Bezug auf einen Invar-Stützrahmen erhöht. Jedoch stellt Aluminium Vorteile bereit, wie zum Beispiel relativ niedrige Kosten, einfache Herstellbarkeit und Robustheit, weiter weist Aluminium eine hohe thermische Leitfähigkeit und eine spezifische Wärme auf, die zu einer niedrigeren und noch gleichförmigeren Veränderung in Temperaturen führt, welche wiederum zu einer noch gleichförmigeren Deformation und daher einem einfachen thermischen Deformationsmodell führt. Wie bei Invar kann Aluminium eine gut bekannte „Verbindungstechnologie" ausnutzen, und hier gibt es einen großen Freiheitsumfang für ein Design. Weiter ist für Aluminium das Verhältnis der Dichte zu Youngs Modulen (rho/E) fast gleich dem von Zerodur. Das Verhältnis der Dichte zu Youngs Modulen ist ein bekanntes Maß, das verwendet wird, um die Schwierigkeit zu bestimmen, ein gewünschtes dynamisches Verhalten zu erzielen.
  • Bei einer alternativen Ausführungsform wird eine Stützstruktur bereitgestellt, die ein keramisches Material umfasst. Die Wahl eines keramischen Materials kann aus unterschiedlichen verfügbaren Keramiken heraus erfolgen. Keramische Materialien weisen eine breite Bandbreite von entsprechenden Eigenschaften auf, wie zum Beispiel Elastbarkeit, einen thermischen Ausdehnungskoeffizient und eine Leitung und das Verhältnis der Dichte zu Youngs Modul (rho/E).
  • Bei den Ausführungsformen wird, wie zum Beispiel in lithografischen Apparaten, die bei EUV- und anderen Wellenlängen arbeiten, das Projektionssystem PL in einer Vakuumkammer angeordnet. Öffnungen 5 werden in einem Rahmen bereitgestellt, durch welchen eine Vakuumkammer (nicht gezeigt) den Raum evakuiert, der durch den Stützrahmen 4 eingeschlossen wird.
  • Die thermische Deformations-Kompensationseinheit 10, 15 umfasst wenigstens einen Temperatursensor 10, welcher auf oder in der Umgebung des Stützrahmens 4 angeordnet ist.
  • Der Temperatursensor 10 erzeugt ein Signal, das auf eine Temperatur bei einer bestimmten Stelle hinweist. Der Temperatursensor 10 ist mit der Justier-Einheit 15 verbunden. Die Justier-Einheit 15 beinhaltet ein Verarbeitungselement, wie zum Beispiel eine Verarbeitungseinheit 12 und eine Steuerungseinheit 14. Die Verarbeitungseinheit 12 ist Teil einer Steuerungsschleife, einschließlich der Steuerungseinheit 14, um ein Steuerungssignal es zu erzeugen. Ebenfalls wird eine Speichereinheit 16 bereitgestellt, um Daten zu speichern, die durch die Modulierungseinheit 18 erzeugt wird, auf welche die Verarbeitungseinheit 12 Zugriff hat, und eine Modulierungseinheit 18, um Daten zu erzeugen, die auf die Deformation an einer bestimmten Stelle hinweisen, die durch die Temperatur an der Stelle hervorgerufen wird, zu welcher die Verarbeitungseinheit 12 und die Speichereinheit 16 Zugriff haben. Zusätzlich zu dem Empfangen von Daten von der Verarbeitungseinheit 12 kann die Steuerungseinheit 14 ebenfalls Eingaben von anderen Steuerungsschaltkreisen 20 des lithografischen Apparates empfangen.
  • Die Elemente, die in der Steuerungsschleife enthalten sind, können durch elektrische Geräte oder andere Elemente verbunden sein, wie zum Beispiel optische Elemente, einschließlich optischer Fasern oder planaren Wellenleitern. Alternativ können sie durch andere Elemente verbunden werden, wie zum Beispiel eine IR-Verbindung, wo eine Blickrichtung zwischen dem Temperatursensor und wenigstens einer Komponente der Justier-Einheit 15, wie zum Beispiel der Verarbeitungseinheit 12, erforderlich ist. Wo die Steuerungs-Schleifenelemente der Justier-Einheit 15 mit dem Temperatursensor oder -sensoren 10 über elektrische Drähte oder andere Mittel verbunden sind, wie zum Beispiel optische Fasern, oder eine IR-Verbindung, kann die Verbindung herkömmlich zugeführt werden oder durch existierende Öffnungen eingerichtet werden, die in dem Stützrahmen 4 ausgebildet sind, wie zum Beispiel Öffnungen 5. Somit wird die mechanische Stabilität des Stützrahmens 4 nicht beeinträchtigt, oder die Herstellung durch die Ausbildung von zusätzlichen Löchern oder Merkmalen in dem Stützrahmen 4 verkompliziert. Die Datenübertragung kann ebenfalls über andere drahtlose Mittel erfolgen.
  • Die Elemente der Steuerungsschleife, einschließlich der Justier-Einheit 15, können lokal in dem lithografischen Apparat angebracht sein, oder in der Umgebung des lithografischen Apparates. Alternativ können sie an einer entfernten Stelle angeordnet sein, zum Beispiel einer entfernten Steuerungsstelle. Insbesondere wird vorgesehen, dass die Modulierungseinheit 18 und die Speichereinheit 16 an einer Stelle entfernt von dem lithografischen Apparat angeordnet sein. Bei einer derartigen Ausführungsform wird die Verarbeitungseinheit 12 so angepasst, um entfernten Zugriff auf die Speichereinheit 16 und die Modulierungseinheit 18 zu erhalten.
  • Die Verarbeitungseinheit 12 ist so angepasst, um das Signal zu empfangen, das durch einen bestimmten Temperatursensor erzeugt wird. Bei einer Ausführungsform enthält das Signal, das durch einen bestimmten Temperatursensor 10 erzeugt wird, eine Komponente, welche die Stelle der abgetasteten Temperatur der Verarbeitungseinheit 12 identifiziert. Alternativ beinhaltet die Verarbeitungseinheit 12 einen adressierbaren Speicher, welcher es für eine bestimmte abgetastete Temperatur ermöglicht, der Verarbeitungseinheit 12 zugeordnet zu werden, und zwar mit der bestimmten Stelle, für welche die abgetastete Temperatur zugeordnet wird. Wenn die Stelle des Abtastens und der Temperatur identifiziert worden ist, erhält die Verarbeitungseinheit 12 Zugriff zu der Speichereinheit 16. In einer Speichereinheit 16 werden Daten, die das mechanische Verhalten des Stützrahmens 4 als eine Funktion der Temperatur beschreiben, gespeichert, insbesondere speichert die Speichereinheit 16 die Deformationsdaten an einer bestimmten Stelle als eine Funktion der Temperatur. Für eine bestimmte Temperaturablesung an einer bestimmten Stelle, insbesondere der Stelle oder der Stellen, an denen ein optisches Element entweder direkt oder indirekt in Kontakt mit dem Stützrahmen 4 steht, berechnet die Verarbeitungseinheit 12 die Deformation des Rahmens 4 basierend auf Modellrechnungen, die vorher ausgeführt wurden. Somit werden die entsprechende Deformationsdaten für eine bestimmte Stelle erhalten. Die Deformationsdaten werden der Speichereinheit 16 durch eine Modulierungseinheit 18 bereitgestellt. Die Modulierungseinheit 18, welche ebenfalls in direkter Verbindung mit der Verarbeitungseinheit 12 stehen kann, erzeugt ein computererzeugtes Modell des Stützrahmens 4 über seine Oberfläche als eine Funktion der Temperatur. Es wurde herausgefunden, dass für eine Konstruktion, die aus einem homogenen Material besteht, ein derartiges Metall, das Invar und Aluminium beinhaltet, besonders gut modelliert werden kann, indem die Finite-Elemente-Modellierung verwendet wird. Somit ist es abhängig von der Anzahl der Sensoren möglich, die Deformation des Stützrahmens 4 als eine Funktion der Temperatur zu berechnen, die an verschiedenen Stellen auf der Innenseite und der Außenseite des Stützrahmens gemessen wird. Basierend auf den Daten, die der Verarbeitungseinheit 12 verfügbar sind, erzeugt die Verarbeitungseinheit 12 ein Deformations-Kompensationssignal dcs, welches auf die Deformation hinweist, die durch die abgetastete Temperatur an einer bestimmten Stelle hinweist. Das Deformations-Kompensationssignal dcs wird der Steuerungseinheit 14 bereitgestellt, welche als Antwort auf das Deformations-Kompensationssignal und irgendwelche anderen Steuerungssignale die es von den anderen Steuerungseinheiten 20 empfangen kann, ein Steuerungssignal cs erzeugt. Das Steuerungssignal cs, das durch die Steuerungseinheit 14 erzeugt wird, zieht somit jede Deformation an dem Sollwert für die Positions-Steuerungsschleifen der optischen Elemente für jedes „Spiegel-Modul" in Betracht. Das Steuerungssignal cs wird auf das optische Element angewendet, zum Beispiel über einen Aktuator 26, um zu bewirken, dass die Position des optischen Elementes in Übereinstimmung mit dem Steuerungssignal cs verändert wird.
  • Bei einer bestimmten Ausführungsform werden computerumfassende Einheiten/Elemente 12, 14, 15, 16, 18 bereitgestellt, die ein mathematisches Modell 180 enthalten, das ein thermisches Verhalten des Stützrahmens 4 beschreibt. Unter Verwendung dieses Modells 180 ist es möglich, die Störung des Rahmens 4 als eine Funktion von entweder einer absoluten oder einer relativen Temperatur an einer Anzahl von Positionen vorauszusagen. Verzerrungen werden verstanden als eine Verschiebung eines Rahmenpunktes in Bezug auf einen anderen Punkt. Das Modell 180 wird zum Beispiel bestimmt, während des Designprozesses des Stützrahmens 4 oder der Projektions-Optikanordnung PL. Alternativ kann es einen Anzahl von Werten umfassen, die für jeden Stützrahmen 4 zugeführt und/oder eingestellt werden, oder jede Erzeugung von Stützrahmen. Es wird ebenfalls vorgesehen, dass das Modell 180 für jede Projektionskasten-Anordnungs-PL feinjustiert werden kann. Dies kann entweder manuell oder automatisch ausgeführt werden, und zwar während einem Aufbau der Belichtungseinheit. Es ist weiter vorgesehen, dass die Feinjustierung unterbrechend wiederholt werden kann, zum Beispiel alle paar Monate, oder nach einem bestimmten, vorher festgelegten Intervall. Nochmals kann diese Feinjustierung manuell oder automatisch ausgeführt werden. Automatische Justierung oder Selbst-Kalibrierung ist durch Messen von aktuellen Temperaturen des Stützrahmens 4 möglich, während gleichzeitig das aktuelle optische Bild auf der Wafer-Seite gemessen wird und seine Verzerrung berechnet wird, zum Beispiel indem eine interferometrische Technik verwendet wird.
  • Die Eingabe für das Modell 18 kann eine absolute oder relative Temperatur sein, die in einer Vielzahl von Stellen durch Temperatursensoren 10 gemessen werden. Basierend auf diesen Werten berechnet dieses mathematische Modell 180 eine Verzerrung. Die Genauigkeit der berechneten Verzerrung wird von der Genauigkeit des mathematischen Modells und der Genauigkeit die gemessenen Temperaturen abhängen. Indem die berechneten Verzerrungs-Werte verwendet werden, werden Spiegel-Verschiebungen, die durch die Verzerrung hervorgerufen werden könnten, berechnet. Dann werden die Verschiebungen, die durch die Aktuatoren 26 erforderlich sind, durch Entgegenwirken solchen Spiegel-Verschiebungen berechnet.
  • Schließlich ein Ausgleich solcher späteren Verschiebungen durch Aktuatoren 26 ausgeführt, und um vorzugsweise Spiegel-Verschiebungen von Stützrahmen-Verzerrungen zu beseitigen.
  • Bei einer bestimmten Ausführungsform umfasst eine Justier-Einheit 15 die zentrale Verarbeitungseinheit (CPU) 12 eines Computers und die Computerausgabe 14. Die Speichereinheit 16 umfasst einen Computerspeicher. Die Modulierungseinheit 18 umfasst das mathematische Modell 180, das in dem Computer gespeichert ist. Die andere Steuerungsschaltung 20 umfasst eine externe Eingabe. Ebenfalls wird, da der Computer von dem lithografischen Apparat getrennt ist, vorgesehen, dass der Computer nicht notwendigerweise einen getrennten Computer aufweist. Bei einer derartigen Ausführungsform ist das Computermodell 18 und alle erforderliche Software Teil der „Maschinen-Software". Vorzugsweise verwendet der Computer die SUN-Computer-Plattform, wie das EUV, TWINSCAN oder die PAS-Belichtungseinheit (SUN ist eine Schutzmarke). Alternativ kann es eine zugeordnete Satelliten-Verarbeitungseinheit sein, von welcher es eine Vielzahl gibt, die über die Belichtungseinheiten verteilt sind. Diese zugewiesene Verarbeitungseinheit mit ihrem RAM kann sich nahe der kompensierten thermischen Deformationsstruktur befinden oder Teil der kompensierten thermischen Deformationsstruktur-Anordnung sein. Vorzugsweise jedoch kommuniziert sie mit der Hauptmaschinen-Software, wobei z. B. Sollwerte, Anweisungen, Werte, Zeitabläufe und Daten von anderen Einheiten empfangen werden und Logins, Stati, Kalibrierungsergebnisse, etc. hochgeladen werden. Zugriff auf und Ankopplung an dieses Modell mit seinen numerischen Werten, seinen Aktivitäten, etc., kann ausgeführt werden, indem ein Benutzerschnittstellen-Terminal mit jeder Belichtungseinheit bereitgestellt wird.
  • 3a und 3b stellen einen Stützrahmen 4 dar, auf welchem eine Vielzahl von Temperatursensoren 10 angebracht ist. 3a zeigt einen Stützrahmen 4 in drei Dimensionen, wobei die nach vorne gerichtete äußere Wand des Stützrahmens 4 weggelassen worden ist, um das Innere des Stützrahmens 4 zu zeigen. 3b zeigt eine ebene Ansicht einer Seite der inneren zugewandten Wand des Stützrahmens. Wie erwähnt, können die Temperatursensoren 10 auf der Innenseite oder der Außenseite des Stützrahmens 4 oder an beiden angeordnet sein. Weiter können die Temperatursensoren oben auf dem Material angeordnet sein, aber jedenfalls innerhalb des Materials, da dies ein spezielles genaues Lesen bereitstellt. Die Ver teilung der Sensoren und ihre genaue Anzahl sind für die Erfindung nicht kritisch. Jedoch kann, je größer die Anzahl von Sensoren ist, umso genauer die Deformation abgeschätzt und somit kompensiert werden. Die Sensoren 10 werden verwendet, um Temperaturen mit einer Auflösung von wenigstens 0,1 mK zu messen und außerdem sind sie für Nicht-Vakuum-Bedingungen geeignet, sind geeignet für eine Verwendung bei solchen Bedingungen, die in evakuierten Kammern herausgefunden wurden. Es wird kommentiert, dass die absolute Genauigkeit der Sensoren nicht wesentlich ist. Die Sensoren 10 sind kleine und einfache Komponenten, die nicht großartig zur Komplexität des Rahmens 4 beitragen und die Funktion oder Herstellbarkeit des Stützrahmens 4 nicht beeinträchtigen. Optional wird ein Schild 13 um den Sensor herum bereitgestellt, um ihn von anderen Effekten des Projektionsstrahles zu schätzen. Da der Projektionsstrahl durch den Rahmen durch Spiegel gelenkt wird, ist es unwahrscheinlich, dass irgendeine wesentliche Menge von Strahlung auf die Sensoren einfällt, da die Sensoren auf dem Stützrahmen angebracht sind, welcher nicht in dem Ausbreitungsweg des Projektionsstrahles PB liegt. Jedoch schützen, da Streuung bewirkt, dass eine bestimmte Lichtmenge in alle Winkel reflektiert wird, die Schilde die Sensoren vor jedem gestreuten Licht.
  • Die Deformation-Kompensationsverarbeitung kann zu bestimmten Zeitintervallen ausgeführt werden, während der Apparat betriebsbereit ist. Alternativ kann sie kontinuierlich über eine bestimmte Zeitspanne ausgeführt werden, zum Beispiel während einer Belichtung. Es wurde herausgefunden, dass die Verwendung der vorliegenden Erfindung zu 90–98% effektiv in einem Kompensation einer Deformation des Stützrahmens ist, die durch Temperaturschwankungen bewirkt wird, der einen Verstärkungsfaktor von 10 bis 50 aufweist. Somit können die thermischen Anforderungen an das Material, aus dem der Rahmen hergestellt ist, auf ein gewisses Maß entspannt werden, um wenigstens eine vergleichbare thermische Stabilität mit herkömmlichen Rahmen zu erzielen. Dadurch wird die Wahl von Materialien, die offen für Betrachtungen für den Stützrahmen ist, weit erhöht, zum Beispiel durch Metalle wie zum Beispiel Invar oder andere Materialien, wie oben diskutiert.
  • Während bestimmte Ausführungsformen der Erfindung oben beschrieben wurden, wird angenommen, dass die Erfindung anders als beschrieben ausgeübt werden kann. Die Erfindung ist in den Ansprüchen beschrieben.

Claims (28)

  1. Lithografischer Apparat, der Folgendes umfasst: ein Element (4), das einer thermischen Belastung ausgesetzt wird, eine thermische Kompensations-Deformations-Einheit (10, 12, 14, 15) zum Kompensieren einer Deformation des Elements (4) in dem lithografischen Apparat, die durch die thermische Belastung hervorgerufen wird, wobei die thermische Kompensations-Deformations-Einheit (10, 12, 14, 15) Folgendes umfasst: wenigstens einen Temperatursensor (10), um eine Temperatur an wenigstens einer Stelle auf dem Element (4) abzutasten, eine Verarbeitungseinheit (12), um die Deformation des Elements (4), die durch die thermische Belastung hervorgerufen wird, als Funktion der Temperatur, die an der Stelle abgetastet wird, zu berechnen, wobei die Deformation berechnet wird, indem Daten aus einem computererzeugten Modell von dem Element (4) verwendet werden, sodass eine passende Korrektur erfolgen kann, oder für die Deformation in dem lithografischen Apparat berücksichtigt werden kann, dadurch gekennzeichnet, dass das Element (4) ein Stützrahmen ist, um ein weiteres Element (M1–M6) zu stützen bzw. zu tragen.
  2. Apparat nach Anspruch 1, der weiter eine Modellierungseinheit (18) umfasst, um das Modell (180) des Elementes (4) zu erzeugen.
  3. Apparat nach Anspruch 2, wobei die Modellierungseinheit (18) das Modell (180) verwendet, das durch eine Finite-Elemente-Modellierung oder durch eine experimentelle Passung erzeugt wird.
  4. Apparat nach irgendeinem der vorangegangenen Ansprüche, wobei die thermische Deformations-Kompensations-Einheit (10, 12, 14, 15) weiter eine Steuerungseinheit (14) umfasst, so eingerichtet, um ein Steuerungssignal (cs) als Antwort auf die berechnete Informati on auszugeben, wobei das Steuerungssignal (cs) die Deformation korrigiert oder berücksichtigt.
  5. Apparat nach Anspruch 4, wobei das Steuerungssignal (cs) an das weitere Element (M1–M6) in dem Apparat ausgegeben wird, und bewirkt, dass das weitere Element (M1–M6) die Deformation korrigiert oder berücksichtigt.
  6. Apparat nach Anspruch 5, wobei das weitere Element (M1–M6) auf dem Element (4) gestützt bzw. getragen wird.
  7. Apparat nach irgendeinem der Ansprüche 4–6, wobei das Steuerungssignal (cs) die Deformation in einem Sollwert für die Steuerung des weiteren Elementes (M1–M6) berücksichtigt.
  8. Apparat nach irgendeinem der vorangegangen Ansprüche, der weiter eine Speichereinheit (16) umfasst, um das computererzeugte Modell (180) zu speichern.
  9. Apparat nach irgendeinem der vorangegangenen Ansprüche, wobei der wenigstens eine Temperatursensor (10) direkt auf dem Element (4) angeordnet ist.
  10. Apparat nach Anspruch 9, wobei der wenigstens eine Temperatursensor (10) auf wenigstens einer der Innenseite und Außenseite des Elementes (4) angeordnet ist.
  11. Apparat nach Anspruch 1, wobei der Stützrahmen (4) wenigstens einer aus dem folgenden ist: ein Quellen-Rahmen ist, um eine Strahlungsquelle (SO) zu stützen bzw. zu tragen, ein Beleuchtungs-Einrichtungs-Rahmen, um ein Beleuchtungssystem (IL) zu stützen bzw. zu tragen, ein Bemusterungsmittel (MA)-Transportrahmen, um das Bemusterungsmittel zu stützen bzw. zu tragen, ein Projektionssystem-Stützrahmen, um ein Projektionssystem (PL) zu stützen bzw. zu tragen, ein erster Referenz-Stützrahmen (MF), um wenigstens entweder den Projektionssystem-Stützrahmen oder ein Messsystem zu stützen bzw. zu tragen, ein zweiter Referenz-Stützrahmen (BF), um den ersten Referenz-Stützrahmen zu stützen bzw. zu tragen, und ein Substrat-Stützrahmen, um ein Substrat (W) zu stützen bzw. zu tragen.
  12. Apparat nach Anspruch 1, wobei wenigstens einer des ersten Referenz-Stützrahmens (MF) und des zweiten Referenz-Stützrahmens (BF) wenigstens entweder aus Invar oder Aluminium hergestellt wird.
  13. Apparat nach irgendeinem der vorangegangenen Ansprüche 1–10, wobei das weitere Element (M1–M6) wenigstens eines von optischen Elementen (M1–M6) ist, und ein Element in einem Messsystem (IF) umfasst wird.
  14. Apparat nach Anspruch 1 oder Anspruch 10, wobei das weitere Element (M1–M6) ein bewegliches optisches Element ist, das auf dem Stützrahmen gestützt bzw. getragen wird, und das das Steuerungssignal (cs) bewirkt, dass die Position des weiteren beweglichen optischen Elementes so eingestellt wird, um die Deformation des Elementes zu kompensieren, und zwar als Antwort auf die wenigstens eine Temperatur, die durch den wenigstens einen Sensor (10) abgetastet wird.
  15. Apparat nach Anspruch 14, wobei wenigstens ein Temperatursensor (10) direkt auf dem Stützrahmen (4) und dem optischen Element (M1–M6) angebracht ist, wobei die Position des optischen Elementes (M1–M6) durch die Temperaturen bestimmt wird, die von den Temperatursensoren (10) abgetastet werden, der auf dem Stützrahmen (4) und dem optischen Element (M1–M6) angebracht ist.
  16. Apparat nach irgendeinem der vorangegangenen Ansprüche, wobei die Verarbeitungseinheit (12), die auf dem Sensor (10) antwortet, ein Deformationssignal (ds) bereitstellt, das auf die Deformation hinweist, wobei die Verarbeitungseinheit (12) das Deformationssignal (ds) auf der Basis von Deformationsdaten und der abgetasteten Temperatur ableitet, wobei die Deformationsdaten aus dem Modell (180) abgeleitet werden, und die Deformation des Rahmens (4) als eine Funktion der Temperatur an der wenigstens einen Stelle darstellt.
  17. Apparat nach irgendeinem der vorangegangenen Ansprüche 11–16, wobei der Projektionssystem-Stützrahmen (4) eine Vielzahl von optischen Elementen (M1–M6) hält bzw. trägt, einschließlich wenigstens eines beweglichen optischen Elementes, wobei die Vielzahl von optischen Elementen (M1–M6) in dem Rahmen (4) in einer beabstandeten Beziehung angebracht sind, wobei die thermische Deformations-Kompensation-Einheit (10, 12, 14, 15) eine Einstell- bzw. Justier-Einheit (15) umfasst, um die Position von wenigstens einer der Vielzahl von beweglichen Elementen (M1–M6) als Antwort auf die abgetastete Temperatur einzustellen.
  18. Apparat nach irgendeinem der vorangegangenen Ansprüche, der Folgendes umfasst: wenigstens eines aus dem folgenden: ein Beleuchtungssystem (IL), um einen Projektionsstrahl von Strahlung bereitzustellen, eine Stützstruktur (MT) zum Unterstützen von Bemusterungsmitteln (MA), wobei das Bemusterungsmittel (MA) dazu dient, dem Projektionsstrahl ein Muster in seinem Querschnitt mitzugeben, einen Substrattisch (WT), um ein Substrat (W) zu stützen bzw. zu tragen, und ein Projektionssystem (PS), um den bemusterten Strahl auf einen Zielabschnitt des Substrates (W) zu projizieren.
  19. Apparat nach irgendeinem der vorangegangenen Ansprüche, wobei die thermische Kompensations-Deformations-Einheit (10, 12, 14, 15) einen thermischen Effekt auf einer Struktur des Elementes (4) kompensiert.
  20. Apparat nach irgendeinem der vorangegangenen Ansprüche, wobei der wenigstens eine Temperatursensor (10) an Stellen (s) angeordnet ist, wo die Struktur des Elementes (4) eine hohe Festigkeit aufweist.
  21. Verfahren zum Kompensieren von thermischen Deformationen bei einem lithografischen Apparat, wobei der lithografische Apparat ein Element (4) umfasst, das einer thermischen Belastung ausgesetzt wird, wobei das Verfahren Folgendes umfasst: – es wird eine Temperatur an wenigstens einer Stelle auf dem Element (4), – es wird eine Deformation des Elementes (4), die durch die thermische Belastung hervorgerufen wird, als eine Funktion der Temperatur berechnet, die an der Stelle abgetastet wird, wobei die Deformation berechnet wird, indem Daten von einem computererzeugten Modell (180) des Elementes oder durch ein empirisches thermisches Deformationsmodell verwendet wird, – es wird die Deformation des Elementes (4) berechnet, dadurch gekennzeichnet, dass das Element einen Stützrahmen (4) zum Stützen bzw. Tragen eines weiteren Elementes (M1–M6) ist.
  22. Verfahren nach Anspruch 21, das weiter Folgendes umfasst: – es wird das Element moduliert, wobei ein Computer verwendet wird, um das Modell (180) des Elementes (4) als eine Funktion der Temperatur zu erzeugen.
  23. Verfahren nach Anspruch 22, wobei die Modellierung wenigstens entweder eine Finite-Elemente-Modellierung oder eine empirische Modellierung beinhaltet.
  24. Verfahren nach irgendeinem der vorangegangenen Ansprüche 21–23, welches weiter Folgendes umfasst: – es wird ein Steuerungssignal (cs) als Antwort auf die berechnete Deformation ausgegeben, wobei das Steuerungssignal (cs) die Deformation korrigiert oder berücksichtigt.
  25. Verfahren nach Anspruch 24, wobei das Steuerungssignal (cs) an ein weiteres Element (M1–M6) in dem Apparat ausgegeben wird, und wobei bewirkt wird, dass das weitere Element (M1–M6) die Deformation berechnet oder berücksichtigt.
  26. Verfahren nach irgendeinem der vorangegangenen Ansprüche 21–25, wobei das Element (4) eine Vielzahl von beweglichen Elementen (M1–M6) hält bzw. trägt, die auf dem Element (4) in einer beabstandeten Beziehung angebracht sind, wobei das Verfahren Folgendes umfasst: – es wird die Position von wenigstens einer der Vielzahl von beweglichen Elementen (M1–M6) als Antwort auf die abgetastete Temperatur eingestellt bzw. justiert.
  27. Verfahren nach irgendeinem der vorangegangenen Ansprüche 21–26, wobei das Verfahren Folgendes umfasst: – es wird der wenigstens eine Temperatursensor (10) auf dem Element (4) angeordnet.
  28. Computerlesbares Speichermedium, das ein Programm speichert, das, wenn es auf einem Computer läuft, den Computer steuert, um das Verfahren irgendeiner der Ansprüche 21–27 auszuführen.
DE602004009256T 2003-09-04 2004-08-26 Lithographischer Apparat und Methode zur Kompensation von thermischer Deformation in einem lithographischen Apparat Active DE602004009256T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP03077784A EP1513017A1 (de) 2003-09-04 2003-09-04 Lithographischer Apparat und Methode zur Herstellung einer Vorrichtung
EP03077784 2003-09-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE602004009256D1 DE602004009256D1 (de) 2007-11-15
DE602004009256T2 true DE602004009256T2 (de) 2008-07-10

Family

ID=34130244

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE602004009256T Active DE602004009256T2 (de) 2003-09-04 2004-08-26 Lithographischer Apparat und Methode zur Kompensation von thermischer Deformation in einem lithographischen Apparat

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7151588B2 (de)
EP (1) EP1513017A1 (de)
JP (1) JP4700941B2 (de)
KR (1) KR100775545B1 (de)
CN (1) CN100470369C (de)
DE (1) DE602004009256T2 (de)
SG (1) SG109603A1 (de)
TW (1) TWI279649B (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009030124A1 (de) * 2009-06-24 2010-12-30 Carl Zeiss Sms Gmbh Hochstabile Optik und Verfahren zu deren Herstellung
DE102015211286A1 (de) * 2015-06-18 2016-12-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildungssystem und verfahren

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7561251B2 (en) * 2004-03-29 2009-07-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7830493B2 (en) * 2005-10-04 2010-11-09 Asml Netherlands B.V. System and method for compensating for radiation induced thermal distortions in a substrate or projection system
DE102005056914A1 (de) * 2005-11-29 2007-05-31 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsystem
EP1981066B1 (de) * 2006-01-30 2014-01-22 Nikon Corporation Haltevorrichtung für ein optisches glied und belichtungsvorrichtung
US7936443B2 (en) * 2006-05-09 2011-05-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8908144B2 (en) * 2006-09-27 2014-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2008112756A (ja) * 2006-10-27 2008-05-15 Canon Inc 光学素子駆動装置及びその制御方法、露光装置、並びにデバイス製造方法
US7692766B2 (en) * 2007-05-04 2010-04-06 Asml Holding Nv Lithographic apparatus
NL2003039A1 (nl) * 2008-07-22 2010-01-25 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP5417443B2 (ja) * 2008-08-18 2014-02-12 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 投影システム、リソグラフィ装置、放射ビームをターゲット上に投影する方法およびデバイス製造方法
KR101619280B1 (ko) * 2008-09-30 2016-05-10 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 투영 시스템 및 리소그래피 장치
DE102009009221A1 (de) * 2009-02-17 2010-08-26 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie mit einem Aktuatorsystem
JP5815987B2 (ja) * 2011-05-20 2015-11-17 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
US10120283B2 (en) * 2011-06-06 2018-11-06 Nikon Corporation Illumination method, illumination optical device, and exposure device
CN102411268B (zh) * 2011-11-30 2014-01-29 上海华力微电子有限公司 光刻装置及提高光刻机套准精度的方法
CN104380201B (zh) 2012-05-31 2016-11-23 卡尔蔡司Smt有限责任公司 具有多个度量支撑单元的光学成像设备
WO2017092815A1 (en) * 2015-12-03 2017-06-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical imaging arrangement with actively adjustable metrology support units
CN108700830B (zh) * 2016-03-10 2020-12-25 Asml荷兰有限公司 测量系统、光刻设备和器件制造方法
WO2017198286A1 (en) * 2016-05-17 2017-11-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Mounting arrangement for an optical imaging arrangement
WO2017202976A1 (en) * 2016-05-25 2017-11-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Position measurement of optical elements in a lithographic apparatus
DE102016225707A1 (de) 2016-12-21 2018-06-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithographiesystem sowie verfahern
US10444643B2 (en) 2017-03-24 2019-10-15 Nikon Research Corporation Of America Lithographic thermal distortion compensation with the use of machine learning
CN110520799B (zh) 2017-04-12 2022-06-10 Asml荷兰有限公司 反射镜阵列
JP6875925B2 (ja) 2017-05-09 2021-05-26 キヤノン株式会社 光学装置、投影光学系、露光装置、および物品製造方法
CN111542785A (zh) 2018-01-04 2020-08-14 Asml荷兰有限公司 光刻设备和方法
US11619780B2 (en) * 2019-02-28 2023-04-04 Molex, Llc Variable dual-directional thermal compensator for arrayed waveguide grating (AWG) modules
KR20210134904A (ko) * 2019-03-12 2021-11-11 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 투영 시스템 내의 수차를 예측하기 위한 방법 및 장치
DE102020200120A1 (de) 2020-01-08 2020-02-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Kompensation einer Bewegung und Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56112732A (en) 1980-02-12 1981-09-05 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Exposure device
JPH07101663B2 (ja) 1987-02-09 1995-11-01 キヤノン株式会社 マスク保持装置
US4963921A (en) * 1985-06-24 1990-10-16 Canon Kabushiki Kaisha Device for holding a mask
US4825247A (en) * 1987-02-16 1989-04-25 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus
US5105075A (en) * 1988-09-19 1992-04-14 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus
JPH02185016A (ja) * 1989-01-12 1990-07-19 Nikon Corp 投影光学装置
EP0480616B1 (de) 1990-10-08 1997-08-20 Canon Kabushiki Kaisha Projektionsbelichtungsapparat mit einer Vorrichtung zur Ausgleichung der Verzeichnung einer Projektionslinse
US5581324A (en) * 1993-06-10 1996-12-03 Nikon Corporation Thermal distortion compensated projection exposure method and apparatus for manufacturing semiconductors
JP3368091B2 (ja) 1994-04-22 2003-01-20 キヤノン株式会社 投影露光装置及びデバイスの製造方法
JPH0845827A (ja) * 1994-07-28 1996-02-16 Canon Inc 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
JPH0888164A (ja) * 1994-09-20 1996-04-02 Nikon Corp 投影露光装置
US5883704A (en) * 1995-08-07 1999-03-16 Nikon Corporation Projection exposure apparatus wherein focusing of the apparatus is changed by controlling the temperature of a lens element of the projection optical system
JPH0992613A (ja) * 1995-09-21 1997-04-04 Nikon Corp 温調装置及び走査型露光装置
JPH1083954A (ja) * 1996-09-09 1998-03-31 Nikon Corp 露光装置
JPH10208994A (ja) 1997-01-16 1998-08-07 Nec Corp 露光方法及び露光装置
JPH10326732A (ja) * 1997-05-26 1998-12-08 Nikon Corp 焦点位置検出装置、露光装置及び露光方法
WO1999018604A1 (fr) * 1997-10-07 1999-04-15 Nikon Corporation Procede et appareil d'exposition par projection
JP2000100685A (ja) * 1998-09-17 2000-04-07 Nikon Corp 露光装置及び該装置を用いた露光方法
JP2001015405A (ja) * 1999-06-28 2001-01-19 Nikon Corp 露光装置
EP1178357A1 (de) 2000-08-03 2002-02-06 Asm Lithography B.V. Lithographischer Apparat
JP2002118050A (ja) * 2000-10-10 2002-04-19 Canon Inc ステージ装置、露光装置、半導体デバイス製造方法、半導体製造工場、および露光装置の保守方法
DE10134387A1 (de) * 2001-07-14 2003-01-23 Zeiss Carl Optisches System mit mehreren optischen Elementen
US20050099611A1 (en) * 2002-06-20 2005-05-12 Nikon Corporation Minimizing thermal distortion effects on EUV mirror
EP1477850A1 (de) * 2003-05-13 2004-11-17 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009030124A1 (de) * 2009-06-24 2010-12-30 Carl Zeiss Sms Gmbh Hochstabile Optik und Verfahren zu deren Herstellung
DE102015211286A1 (de) * 2015-06-18 2016-12-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildungssystem und verfahren
US10386733B2 (en) 2015-06-18 2019-08-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system

Also Published As

Publication number Publication date
TWI279649B (en) 2007-04-21
CN1591195A (zh) 2005-03-09
KR20050025067A (ko) 2005-03-11
SG109603A1 (en) 2005-03-30
DE602004009256D1 (de) 2007-11-15
EP1513017A1 (de) 2005-03-09
TW200519546A (en) 2005-06-16
JP2005101593A (ja) 2005-04-14
US7151588B2 (en) 2006-12-19
JP4700941B2 (ja) 2011-06-15
CN100470369C (zh) 2009-03-18
KR100775545B1 (ko) 2007-11-09
US20050140950A1 (en) 2005-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE602004009256T2 (de) Lithographischer Apparat und Methode zur Kompensation von thermischer Deformation in einem lithographischen Apparat
DE102007017630B4 (de) Verfahren zum Steigern der Messgenauigkeit beim Bestimmen der Koordinaten von Strukturen auf einem Substrat
EP2115535B9 (de) Verfahren und vorrichtung zur überwachung von mehrfachspiegelanordnungen in einem beleuchtungssystem einer mikrolithographischen projektionsbelichtungsanlage
DE60035567T2 (de) Lithographischer Projektionsapparat mit System zur Positionierung eines Reflektors
DE60036844T2 (de) Lithographischer Apparat mit einer Maskenklemmvorrichtung
DE69531568T2 (de) Apparat zur Projektionsbelichtung und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung unter Verwendung desselben
DE102005052757B4 (de) Vorrichtung zur Positionsmessung eines Objekts mit einem Laser-Interferometersystem
DE102008015631A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Vermessung von Masken für die Photolithographie
KR100714468B1 (ko) 리소그래피 장치, 제어 시스템 및 디바이스 제조방법
DE60120825T2 (de) Lithographischer Apparat, Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung, sowie durch dieses Verfahren hergestellte Vorrichtung
DE102011077223B4 (de) Messsystem
DE102009033818A1 (de) Temperiervorrichtung für eine optische Baugruppe
DE102007046927A1 (de) Kalibrierung einer Positionsmesseinrichtung einer optischen Einrichtung
DE10150129C1 (de) Verfahren zum Kalibrieren einer Laserbearbeitungsmaschine, Kalibriereinrichtung für Laserbearbeitungsmaschinen sowie Substrathalter für eine Laserbearbeitungsmaschine
DE102016204535A1 (de) Messmikroskop zur Vermessung von Masken für lithographische Verfahren sowie Messverfahren und Kalibrierverfahren hierfür
DE102007000981A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Vermessen von Strukturen auf einer Maske und zur Berechnung der aus den Strukturen resultierenden Strukturen in einem Photoresist
DE102020214130A1 (de) Verfahren zur Temperierung eines optischen Elementes und optische Baugruppe
DE102015221773A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Charakterisierung eines durch wenigstens einen Lithographieschritt strukturierten Wafers
DE60218412T2 (de) Lithographischer Apparat, Verfahren zur Herstellung eines Artikels und Computerprogramm dafür
EP1513021A1 (de) Lithographischer Apparat und Methode zur Kompensation von thermischer Deformation in einem lithographischen Apparat
EP4212962B1 (de) Verfahren und vorrichtung zum bestimmen des erwärmungszustandes eines optischen elements in einem optischen system für die mikrolithographie
DE102017219754A1 (de) Optisches System und Lithographieanlage
EP1664934B1 (de) Immersions-lithographie-verfahren und vorrichtung zum belichten eines substrats
WO2008071268A1 (de) Vorrichtung und verfahren zur vermessung von lithographiemasken
DE10260610B4 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Ausbilden von Mustern

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition