DE602004004977T2 - Konduktanz-spannungs-basierende Methode zur Leckstrombestimmung in Dielektrika - Google Patents

Konduktanz-spannungs-basierende Methode zur Leckstrombestimmung in Dielektrika Download PDF

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Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • 1. Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft die Bestimmung der Qualität eines Dielektrikums auf einem Halbleiterwafer.
  • 2. Beschreibung des Standes des Technik
  • Ein Halbleiterwafer zur Herstellung von integrierten Schaltkreisen umfasst typischerweise ein Dielektrikum, das über einer oberen Fläche des Halbleiterwafers liegt. Vor der Bearbeitung des Halbleiterwafers ist es, um auf diesem IC-Arrays zu bilden, zweckmäßig, die verschiedenen, dem Dielektrikum zugeordneten Parameter zu bestimmen. Zwei dieser Parameter beziehen sich auf die äquivalente Oxiddicke (EOT) und den Leckstrom (ILeck).
  • Üblicherweise wurden separate Geräte und Sonden verwendet, um diese Parameter zu messen.
  • Die Europäische Patentanmeldung EP 1 353 366 A2 beschreibt eine nicht-invasive Messung des Halbleiterwafers, umfassend das Aufsetzen einer Sonde mit einer elastisch verformbaren Spitze auf einer Risslinie, das Anlegen einer elektrischen Stimulation an der Sonde, das Messen einer Reaktion auf die elektrische Stimulation und das Bestimmen wenigstens einer elektrischen Eigenschaft des Halbleiterwafers aus der Reaktion.
  • In „In-line, Non-destructive Electrical Metrology of Nitrided Silicon Dioxide and High-k Gate Dielectric Layers", R.J. Hillard, P.Y. Hung, W. Chism, C. Win Ye, W.H. Howland, L.C. Tan und C.E. Kalnas, Charakterisierung und Messkunde für die ULSI-Technologie, Internationale Konferenz 2003, D.G. Seiler et al. (Verfasser), Amerikanisches Institut für Physik (2003), Seiten 796–801, wird ein Verfahren zur Messung der Eigenschaften von Dielektrika mit einer elastischen Sonde beschrieben. Anschließende elektrische Messungen können mit der Kapazitäts-Spannungs-Methode, der Leitwert-Spannungs-Methode und der Strom-Spannungs-Methode erfolgen.
  • Durch die Verwendung von separaten Geräten und Sonden steigen die Schwierigkeiten, die Kosten und die Anzahl solcher Messungen pro Zeiteinheit, wobei darüber hinaus die Messung des Leckstroms bisher die Verwendung von zwei Frequenzen erfordert hat.
  • Es ist daher die Aufgabe, die zuvor genannten und andere Probleme durch die Schaffung eines Verfahrens zu beseitigen, bei dem der Leckstrom unter Verwendung einer einzigen Frequenz bestimmt werden kann. Es ist darüber hinaus die Aufgabe, ein Verfahren zu schaffen, bei dem die Messungen, die zur Bestimmung des Leckstroms eines Dielektrikums verwendet werden, auch verwendet werden können, um daraus andere für das Dielektrikum relevante Parameter abzuleiten.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bestimmung des Leckstroms eines Dielektrikums, das über einem Halbleiterwafer liegt. Das Verfahren umfasst das Bereitstellen eines Halbleiterwafers, der ein Dielektrikum aufweist, das über wenigstens einem Teil des Halbleiterwafers liegt, und das Bereitstellen einer Sonde mit einer elastisch verformbaren leitenden Spitze. Die Sonde wird mit dem Dielektrikum in Kontakt gebracht, und eine Gleichspannung mit einer überlagerten Wechselspannung wird zwischen der Sondenspitze und dem Halbleiterwafer angelegt. Anschließend erfolgt ein Durchlauf der Gleichspannung von einer ersten Gleichspannung zu einer zweiten Gleichspannung. Die Phasenwinkel zwischen der Wechselspannung und einem durch das Dielektrikum in Abhängigkeit von der Wechselspannung während des Durchlaufs der Gleichspannung fließenden Wechselstroms werden ermittelt. Die Änderungen des Leitwerts des Halbleiterwafers und des Dielektrikums als Funktion der Änderungen der Spannung der durchlaufenden Gleichspannung werden aus den ermittelten Phasenwinkeln bestimmt. Auf der Grundlage der somit bestimmten Änderungen des Leitwertes wird der Leckstrom des Dielektrikums bestimmt.
  • Der Schritt des Bestimmens der Änderungen des Leitwertes als Funktion der Änderungen der Spannung der durchlaufenden Gleichspannung kann die Bestimmung aus den ermittelten Phasenwinkeln der Änderungen des Widerstands des Halbleiterwafers und des Dielektrikums als Funktion der Änderungen der Spannung der durchlaufenden Gleichspannung umfassen. Aus den somit bestimmten Änderungen des Widerstands können die Änderungen des Leitwertes des Halbleiterwafers und des Dielektrikums als Funktion der Änderungen der Spannung der durchlaufenden Gleichspannung bestimmt werden.
  • Der Schritt des Bestimmens des Leckstroms kann die Bestimmung des Leckstroms aus den Änderungen des Leitwerts in Abhängigkeit von den Änderungen der Spannung der durchlaufenden Gleichspannung umfassen: Insbesondere kann das Bestimmen des Leckstroms die Bestimmung der Steigung der Änderungen des Leitwerts in Abhängigkeit von den Änderungen der Spannung der durchlaufenden Gleichspannung für eine oder mehrere Gleichspannungen, bei denen sich der Halbleiterwafer im Zustand der Akkumulation befindet, umfassen.
  • Die Bestimmung des Leckstroms kann auch oder alternativ die Bestimmung der ersten Ableitung der Änderungen des Leitwerts als Funktion der Änderungen der Spannung der durchlaufenden Gleichspannung, und die mathematische Kombination (Multiplikation) eines Spannungswertes, bei dem sich der Halbleiterwafer im Zustand der Akkumulation befindet, mit der ersten Ableitung umfassen, um den Leckstrom zu erhalten.
  • Vorzugsweise hat die Wechselspannung eine konstante Amplitude und eine festgelegte Frequenz.
  • Ein anderes Verfahren zur Bestimmung des Leckstroms eines Dielektrikums, das über einem Halbleiterwafer liegt, umfasst das Kontaktieren der Sondenspitze mit einem Dielektrikum, das auf einem Halbleiterwafer gebildet ist, und das Anlegen einer elektrischen Stimulation zwischen der Sondenspitze und dem Halbleiterwafer, die bewirkt, dass der Halbleiter vom Zustand der Akkumulation in einen Zustand der Depletion (Verarmung) übergeht oder umgekehrt. Aus der angelegten elektrischen Stimulation können die Leitwerte des Dielektrikums und des Halbleiterwafers bestimmt werden. Ein Leckstrom des Dielektrikums kann dann aus den somit bestimmten Leitwerten bestimmt werden.
  • Die elektrische Stimulation umfasst vorzugsweise eine Wechselspannung, die einer Gleichspannung überlagert ist, die von einer ersten Gleichspannung zu einer zweiten Gleichspannung durchläuft. Die Wechselspannung hat vorzugsweise eine konstante Amplitude und eine festgelegte Frequenz.
  • Der Leckstrom wird vorzugsweise aus einer Änderung der Leitwerte in Abhängigkeit von einer Änderung der Gleichspannung während des Durchlaufs bestimmt. Die Änderung der Leitwerte in Abhängigkeit von der Änderung der Gleichspannung während des Durchlaufs wird vorzugsweise bestimmt, wenn sich der Halbleiterwafer im Zustand der Akkumulation befindet. Der Schritt des Bestimmens der Leitwerte kann die Bestimmung der Phasenwinkel zwischen der Wechselspannung und eines Wechselstroms, der aus dem Anlegen der Wechselspannung zwischen der Sondenspitze und dem Halbleiterwafer während des Durchlaufs der Gleichspannung resultiert, und die Bestimmung der Leitwerte aus den Phasenwinkeln umfassen.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 zeigt eine Kombination aus einem Blockschaltbild und einer Seitenansicht im Schnitt eines Systems zur Erfassung eines Leckstroms eines Dielektrikums, das über einem Halbleiterwafer liegt;
  • 2 ist eine Ansicht des in 1 gezeigten Systems, umfassend einen Schaltkreis, der mit der in 1 gezeigten Sonde, dem Dielektrikum, dem Halbleiterwafer und der Haltevorrichtung äquivalent ist;
  • 3 ist eine Kennlinie der Änderung der Kapazität des in 2 gezeigten Kondensators in Abhängigkeit von der Änderung der Spannung;
  • 4 zeigt drei Kennlinien einer Änderung des Widerstandswertes des in 2 gezeigten Widerstands in Abhängigkeit einer Änderung der Spannung für drei verschiedene Dicken des Dielektrikums; und
  • 5 zeigt drei Kennlinien der Änderungen des Leitwerts der in 2 gezeigten Schaltung in Abhängigkeit der Änderungen der Spannung.
  • GENAUE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung wird im Folgenden anhand der beigefügten Figuren beschrieben, wobei gleiche Teile durch gleiche Bezugszeichen angegeben sind.
  • In Bezug auf 1 umfasst eine Vorrichtung 2 zur Messung des Leckstroms eines Dielektrikums, wie z.B. der dielektrischen Schicht 4, die über einer Oberseite 6 eines Halbleiterwafers 8 liegt, eine elektrisch leitende Vakuum-Haltevorrichtung 10 zum Halten einer Rückseite 12 des Halbleiterwafers 8 mittels eines (nicht gezeigten) Vakuums. Die Vorrichtung 2 umfasst darüber hinaus eine Sonde 20 mit einem Schaft 22 mit einer leitenden Spitze 24 an einem Ende davon.
  • Mittel 30 zur Erzeugung eines Kontakts vom aus dem Stand der Technik bekannten Typ steuern die vertikale Bewegung der Haltevorrichtung 10 und/oder der Sonde 20 in den durch den Pfeil 14 angegebenen Richtungen, um die Sonde 20 und den Halbleiterwafer 8 aufeinander zu zu bewegen, so dass ein distales Ende 28 der leitenden Spitze 24 mit dem Dielektrikum 4 in Kontakt gedrückt wird. Die Kombination aus dem distalen Ende 28 der leitenden Spitze 24 in Kontakt mit dem Dielektrikum 4, das über dem Halbleiterwafer 8 liegt, bildet einen Kondensator C (in 2 zu sehen), wobei die leitende Spitze 24 und der Halbleiterwafer 8 die leitenden Platten des Kondensators C bilden und das Dielektrikum 4 das Dielektrikum zwischen den Platten des Kondensators C bildet.
  • Ein Mittel 32 zum Anlegen einer elektrischen Stimulation und eine Messeinrichtung 34 sind zwischen der leitenden Spitze 24 und der Haltevorrichtung 10 parallel geschaltet. Die Haltevorrichtung 10 ist typischerweise mit der Referenzerde verbunden. Dies stellt jedoch keine Einschränkung der Erfindung dar, da die Haltevorrichtung 10 alternativ an eine Referenzwechsel- oder Referenzgleichvorspannung angeschlossen werden kann.
  • Die leitende Spitze 24 besteht aus einem elastisch verformbaren Material, wie z.B. einem glatten, hochglanzpolierten Metall wie etwa Tantalum, einem leitenden Elastomer oder einem leitenden Polymer. Vorzugsweise ist die leitende Spitze 24 halbkugelförmig mit einem Krümmungsradius von zwischen 10 Mikrometer und 100 Zentimeter. Dies stellt jedoch keine Einschränkung der Erfindung dar.
  • In 2 und weiterhin Bezug nehmend auf 1 bildet, wie zuvor beschrieben, die Kombination aus dem distalen Ende 28 der leitenden Spitze 24 in Kontakt mit dem Dielektrikum 4, das über dem Halbleiterwafer 8 liegt, den Kondensator C. Darüber hinaus sind dieser Kombination ein elektrischer Widerstand R, der im Wesentlichen aus dem elektrischen Widerstand des Halbleiterwafers 8 resultiert, und eine mit dem Kondensator C parallel geschaltete Diode D, die den Tunnelleckstrom über den Kondensator C darstellt, zugeordnet. Demzufolge kann die leitende Spitze 24 in Kontakt mit dem Dielektrikum 4, das über dem Halbleiterwa fer 8 liegt, durch ein Ersatzschaltbild E dargestellt werden, das einen Widerstand R in Reihenschaltung mit der Parallelschaltung aus dem Kondensator C und der Diode D umfasst, wie in 2 gezeigt.
  • In 3 und weiterhin Bezug nehmend auf die 1 und 2 wird, wenn die leitende Spitze 24 mit dem Dielektrikum 4 in Kontakt ist, durch die Mittel 32 zum Anlegen einer elektrischen Stimulation zwischen der leitenden Spitze 24 und der Haltevorrichtung 10 eine elektrische Stimulation vom Gleichspannungstyp (im Folgenden CV-Typ genannt), aufweisend eine Wechselspannung mit einer konstanten Amplitude und einer festgelegten Frequenz, die einer Gleichspannung überlagert ist, die einen Durchlauf von einer ersten Anfangsspannung 40, bei der sich der Halbleiterwafer 8 im Zustand der Akkumulation befindet, zu einer zweiten Endspannung 42, bei der sich der Halbleiterwafer 8 im Zustand der Depletion (Verarmung) befindet, oder umgekehrt vollzieht. Während des Durchlaufs der Gleichspannung werden die Phasenwinkel zwischen der Wechselspannung und einem Wechselstrom, der in Reaktion auf die Wechselspannung durch das Dielektrikum 4 fließt, erfasst. Diese Phasenwinkel resultieren aus der Phasenverschiebung, die durch den Kondensator C, die Diode D und den Widerstand R des Ersatzschaltbildes E bewirkt wird. Hierbei wurde festgestellt, dass die Kapazität des Kondensators C und/oder die Leitfähigkeit durch die Diode D als Funktion der angelegten Gleichspannung während des Anlegens der elektrischen Stimulation vom CV-Typ zwischen der leitenden Spitze 24 und der Haltevorrichtung 10 infolge des Übergangs des Halbleiterwafers 8 von einem Zustand der Akkumulation in einen Zustand der Depletion (Verarmung) variieren kann. Da sich die Kapazität des Kondensators C und/oder die Leitfähigkeit der Diode D während des Durchlaufs der angelegten Gleichspannung verändern, ändert sich der Phasenwinkel zwischen der Wechselspannung, die der durchlaufenden Gleichspannung überlagert wird, und des Wechselstroms, der aus dem Anlegen der Wechselspannung resultiert, als Funktion der angelegten Gleichspannung.
  • Unter Anwendung allgemein bekannter Phasenanalyseverfahren können die Kapazität C des Kondensators und der Widerstandswert des elektrischen Widerstands R an jedem Punkt des Durchlaufs der Gleichspannung zwischen der Anfangsspannung 40 und der Endspannung 42 aus der Amplitude und der Frequenz der angelegten Wechselspannung und dem jeweils an jedem Punkt ermittelten Phasenwinkel bestimmt werden. Beispielhafte grafische Darstellungen der Kapazität des Kondensators C und des Widerstandswerts des elektrischen Widerstands R für den Durchlauf der Gleichspannung zwischen der Anfangsspannung 40 und der Endspannung 42 sind jeweils durch die Kennlinien 44 und 46 in den 3 und 4 für ein Dielektrikum 4 mit einer Dicke von acht Angström (Å) angegeben. 4 enthält darüber hinaus eine Kennlinie 48 für den Widerstandswert des elektrischen Widerstands R für ein Dielektrikum 4 mit einer Dicke von 306 Å. Und schließlich enthält 4 eine Kennlinie 50 für den Widerstandswert des elektrischen Widerstands R für ein Dielektrikum 4 mit hohem Leckstrom mit einer Dicke von 20 Å.
  • In 5 und weiterhin Bezug nehmend auf die 1 bis 4 kann die Kennlinie 46 für den Widerstandswert des elektrischen Widerstands R in einfacher Weise in eine Kennlinie 52 für den Leitwert G zwischen der Anfangsspannung 40 und der Endspannung 42 konvertiert werden, indem die reelle Zahl „eins" (1) durch den Wert des Widerstands R, d.h. 1/R, an jedem Punkt entlang der Kennlinie 46 dividiert wird. In ähnlicher Weise können die Leitwertkurven 54 und 56 in 5 aus den Widerstandskurven 48 bzw. 50 in 4 hergeleitet werden.
  • Wenn die Leitwertkennlinie 52 einmal bestimmt wurde, kann der Leckstrom (ILeck), der durch das Dielektrikum 4 fließt, aus der Steigung einer Linie 58 bestimmt werden, welche die Kennlinie 52 bei einer Spannung, z.B. einer Spannung 43 nach der Anfangsspannung 40, bei der sich der Halbleiterwafer 8 in einem Zustand der Akkumulation während des Durchlaufs der Gleichspannung befindet, tangiert. Insbesondere kann der Wert von ILeck aus der Steigung der Tangente 58 unter Verwendung der folgenden Gleichung: ILeck ~ (dG/dV)Vacc 2 bestimmt werden, wobei
    • dG/dV
    = Steigung der Tangente 58; und
    Vacc
    = eine Spannung, z.B. Spannung 43, bei der sich der Halbleiterwafer 8 in einem Zustand der Akkumulation während des Durchlaufs der Gleichspannung befindet.
  • Zusätzlich oder alternativ kann eine erste Ableitung der Leitwertkennlinie 52 bestimmt werden, und ILeck, der durch das Dielektrikum 4 fließt, kann mathematisch durch Kombination (Multiplikation) dieser ersten Ableitung mit dem Quadrat einer Spannung, z.B. Spannung 43, bei der sich der Halbleiterwafer 8 in einem Zustand der Akkumulation während des Durchlaufs der Gleichspannung befindet, bestimmt werden. In ähnlicher Weise können die Steigungen der Linien 60 und 62, die jeweils die Kennlinien 54 bzw. 56 tangieren, bei einer Spannung, z.B. Spannung 43, bei der sich der Halbleiterwafer 8 in einem Zustand der Akkumulation während des Durchlaufs der Gleichspannung befindet, bestimmt werden und daraus der Leckstrom des entsprechenden Dielektrikums 4 bestimmt werden. Zusätzlich oder alternativ können die ersten Ableitungen der Kennlinien 54 und 56 bestimmt werden und jede dieser ersten Ableitungen kann mit dem Quadrat einer Spannung, z.B. Spannung 43, bei der sich der Halbleiterwafer 8 in einem Zustand der Akkumulation während des Durchlaufs der Gleichspannung befindet, mathematisch kombiniert (multipliziert) werden, um den Wert von ILeck zu bestimmen.
  • Die in den 3–5 gezeigten Verläufe ergeben sich durch die elektrische Stimulation vom CV-Typ des Halbleiterwafers 8, der aus Silizium des P-Typs hergestellt ist. Eine spiegelbildliche Darstellung der in den 3–5 gezeigten Verläufe würde aus einer elektrischen Stimulation resultieren, die bei einem Halbleiterwafer 8, der aus Silizium vom N-Typ hergestellt ist, angewendet wird.
  • Wie 5 zu entnehmen ist, ist die Steigung der Kennlinie 56 und folglich der Leckstrom eines sehr undichten Dielektrikums 4 mit 20 Angström größer als die Steigung der Kennlinie 52 und folglich größer als der Leckstrom, der einem gut funktionierenden Dielektrikum 4 mit 8 Å zugeordnet ist. Darüber hinaus ist der Leckstrom, der aus der Kennlinie 52 für das gut funktionierende Dielektrikum 4 mit 8 Å bestimmt wird, viel größer als der Leckstrom, der aus der Kennlinie 54 für ein gut funktionierendes Dielektrikum 4 mit 306 Å bestimmt wird. Dem Fachmann auf diesem Gebiet ist somit klar, dass der Leckstrom für ein Dielektrikum, das in der zuvor angegebenen Weise bestimmt wurde, als ein Maß für die Wirksamkeit des Dielektrikums verwendet werden kann. Aus diesem Grund können Halbleiterwafer mit Dielektrika mit einem Leckstrom, der sich außerhalb des vorbestimmten Leckstrom-Bereichs befindet, für die weitere Verwendung als unbrauchbar eingestuft werden und somit noch vor der weiteren kostenintensiven Bearbeitung aussortiert werden.
  • Wie gezeigt, kann eine elektrische Stimulation vom CV-Typ nicht nur verwendet werden, um die Änderung der Kapazität als Funktion einer Änderung der Gleichspannung zu bestimmen, aus der wiederum die Parameter eines Dielektrikums, wie z.B. EOT, bestimmt werden kann, sondern auch verwendet werden, um eine Änderung der Leitfähigkeit als Funktion der Änderung der Gleichspannung zu bestimmen, aus der wiederum der Leckstrom des Dielektrikums bestimmt werden kann. Folglich können durch das Anlegen einer elektrischen Stimulation vom CV-Typ mehrere Parameter eines Dielektrikums und/oder eines Halbleiterwafers bestimmt werden.
  • Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsformen beschrieben. Nahe liegende Modifizierungen und Änderungen ergeben sich aus der vorangehenden genauen Beschreibung. Es sei darauf hingewiesen, dass die Erfindung sämtliche dieser Modifizierungen und Änderungen, die in den Schutzbereich der beigefügten Ansprüche fallen, einschließt.

Claims (7)

  1. Verfahren zur Bestimmung eines Leckstroms eines auf einem Halbleiterwafer liegenden Dielektrikums, bestehend aus: a) dem Bereitstellen eines Halbleiterwafers (8), der ein Dielektrikum (4) aufweist, das über wenigstens einem Teil (6) des Halbleiterwafers liegt, b) dem Bereitstellen einer Sonde (20) mit einer elastisch verformbaren, leitenden Spitze (24), c) dem Kontaktieren der Sondenspitze mit dem Dielektrikum, d) dem Anlegen einer Gleichspannung mit einer überlagerten Wechselspannung zwischen der Sondenspitze und dem Halbleiterwafer, e) dem Durchlauf der angelegten Gleichspannung mit der überlagerten Wechselspannung von einer ersten Gleichspannung zu einer zweiten Gleichspannung, f) dem Ermitteln der Phasenwinkel zwischen der Wechselspannung und einem durch das Dielektrikum in Abhängigkeit von der Wechselspannung während des Durchlaufs der Gleichspannung fließenden Wechselstroms, g) dem Bestimmender ermittelten Phasenwinkel, der Änderungen des Leitwerts des Halbleiterwafers und des Dielektrikums als Funktion der Änderungen der Spannung der durchlaufenen Gleichspannung, gekennzeichnet durch h) Bestimmen des Leckstroms des Dielektrikums aus den Änderungen des Leitwerts.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass Schritt g) umfasst: das Bestimmen aus den Phasenwinkeln, die beim Schritt (f) ermittelt werden, der Änderungen des Leitwerts des Halbleiterwafers und des Dielektrikums als Funktion der Änderungen der Spannung der durchlaufenen Gleichspannung.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt h) die Bestimmung des Leckstroms aus den Änderungen des Leitwerts in Abhängigkeit von den Änderungen der Spannung der durchlaufenen Gleichspannung umfasst.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt h) die Bestimmung der Steigung der Änderungen des Leitwerts in Abhängigkeit von den Änderungen der Spannung der durchlaufenen Gleichspannung für eine Gleichspannung, bei der sich der Halbleiterwafer im Zustand der Akkumulation befindet, umfasst.
  5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt h) umfasst: die Bestimmung der ersten Ableitung der Änderungen des beim Schritt g) bestimmten Leitwerts, und die mathematische Kombination einer Spannung, bei der der Halbleiterwafer im Zustand der Akkumulation ist, mit der ersten Ableitung, um den Leckstrom zu erhalten.
  6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die elastisch verformbare, leitende Spitze (24) aus einem der folgenden Materialien hergestellt wird: einem leitenden Metall, einem leitenden Elastomer, und einem leitenden Polymer.
  7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Wechselspannung eine konstante Amplitude hat.
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