DE19744651A1 - Halbleitertestvorrichtung zum Messen des Versorgungsstromes einer Halbleitereinrichtung - Google Patents
Halbleitertestvorrichtung zum Messen des Versorgungsstromes einer HalbleitereinrichtungInfo
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- G01R31/30—Marginal testing, e.g. by varying supply voltage
- G01R31/3004—Current or voltage test
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleitertestvorrich
tung. Speziell betrifft sie eine Halbleitertestvorrichtung zum
Anlegen einer Versorgungsspannung an eine Halbleitereinrich
tung, die einen Kondensator zwischen einem Versorgungsanschluß
und einem Masseanschluß aufweist, zum Messen eines Versor
gungsstromes.
Fig. 4 ist ein Blockschaltbild, das eine Struktur einer der An
melderin bekannten Halbleitertestvorrichtung zeigt.
Wie in Fig. 4 gezeigt ist, weist die Halbleitertestvorrichtung
einen Überbrückungskondensator 50 (Kapazitanz), der zwischen
einem Versorgungsanschluß 41 und einem Masseanschluß 42 einer
zu testenden integrierten Halbleiterschaltungseinrichtung 40
(im folgenden als IC bezeichnet) geschaltet ist. Der Überbrüc
kungskondensator 50 ist derart vorgesehen, daß Rauschen ent
fernt wird und Schwingen verhindert wird. Es wird angenommen,
daß der Überbrückungskondensator 50 von Fig. 4 einen externen
Kondensator, der mit dem IC 40 zum Testen verbunden ist, und
einen internen Kondensator, der im voraus in dem IC 40 vorgese
hen ist, darstellt.
Die Halbleitertestvorrichtung weist eine Steuereinheit 30, ei
nen D/A-Wandler 31, Widerstandselemente 32, 33 und 35, Operati
onsverstärker 34 und 36 und einen A/D-Wandler 37 auf. Die Steu
ereinheit 30 ist beispielsweise aus einem Personalcomputer der
art gebildet, daß die folgende Steuerung vorgesehen ist. Nach
dem ein digitaler Code an den D/A-Wandler 31 angelegt ist und
eine Versorgungsspannung Vcc an das IC 40 angelegt ist, wird
ein Warten für einen Versorgungsstrom Icc des IC 40 derart
durchgeführt, daß er nach einem Ablauf einer vorbestimmten Zeit
stabilisiert ist. Dann wird der Versorgungsstrom Icc des IC 40
entsprechend einem digitalen Code von dem A/D-Wandler 37 erhal
ten.
Der D/A-Wandler 31 wandelt einen digitalen Code von der Steuer
einheit 30 in eine analoge Spannung um. Der Operationsverstär
ker 34 und die Widerstandselemente 32 und 33 bilden einen Ver
stärker, der die analoge Spannung von dem D/A-Wandler 31 derart
verstärkt, daß eine Versorgungsspannung Vcc des IC 40 erzeugt
wird. Das Widerstandselement 35 ist derart vorgesehen, daß ein
Strom I1, der von dem Operationsverstärker 34 zu dem Versor
gungsanschluß 41 des IC 40 fließt, in eine Spannung umgewandelt
wird. Genauer ist das Widerstandselement 32 zwischen einem Aus
gabeanschluß des D/A-Wandlers 31 und einem nicht-invertierenden
Eingabeanschluß des Operationsverstärkers 34 geschaltet. Das
Widerstandselement 33 ist zwischen dem nicht-invertierenden
Eingabeanschluß des Operationsverstärkers 34 und dem Versor
gungsanschluß 41 des IC 40 geschaltet. Das Widerstandselement
35 ist zwischen dem Ausgabeanschluß des Operationsverstärkers
34 und dem Versorgungsanschluß 41 des IC 40 geschaltet. Der
nicht-invertierende Eingabeanschluß des Operationsverstärkers
34 und der Masseanschluß 42 des IC 40 sind mit der Masse ver
bunden.
Der Operationsverstärker 36 verstärkt die Spannung über die
Elektroden des Widerstandselementes 35, d. h. die Spannung über
den Versorgungsanschluß 41 des IC 40 und den Ausgabeanschluß
des Operationsverstärkers 34. Der A/D-Wandler 37 wandelt die
Ausgabespannung V1 des Operationsverstärkers 36 in einen digi
talen Code, der an die Steuereinheit 30 angelegt wird.
Der Betrieb dieser Halbleitertestvorrichtung wird im folgenden
beschrieben.
Wenn ein IC 40 auf die Halbleitertestvorrichtung gesetzt ist,
wird ein digitaler Code von der Steuereinheit 30 an den A/D-
Wandler 31 angelegt, wodurch die Versorgungsspannung Vcc von
dem Operationsverstärker 34 über das Widerstandselement 35 an
den Versorgungsanschluß 41 des IC 40 angelegt wird. Der Strom
I1, der von dem Operationsverstärker 34 zu dem IC 40 fließt,
wird durch das Widerstandselement 35 in eine Spannung umgewan
delt. Dieser Spannung wird durch den Operationsverstärker 36
verstärkt. Die Ausgabespannung V1 des Operationsverstärkers 36
wird durch den A/D-Wandler 37 derart in einen digitalen Code
umgewandelt, daß er der Steuereinheit 30 zur Verfügung gestellt
wird. Entsprechend diesem digitalen Code wird der Versor
gungsstrom Icc des IC 40 durch die Steuereinheit 30 erhalten.
Der Versorgungsstrom Icc des IC 40 wird auf einem Anzeigebild
schirm 30a der Steuereinheit 30 dargestellt.
Bei dieser der Anmelderin bekannten Halbleitertestvorrichtung
verursacht das Anlegen des Versorgungsstromes Vcc an den Ver
sorgungsanschluß 41 des IC 40 einen Überstrom I2 derart, daß er
zu dem Überbrückungskondensator 50 derart geleitet wird, daß es
in einer Variation des Stromes I1 = Icc + I2 resultiert. Daher
gab es eine beträchtliche Zeit, nachdem die Versorgungsspannung
Vcc angelegt ist und bis der Überstrom I2 derart gedämpft ist,
daß eine Messung des Versorgungsstromes Icc des IC 40 möglich
ist. Das Testen des IC 40 war zeitaufwendig, so daß ein Anstieg
der Kosten des Testens resultierte, was wiederum ein Anstieg
der Kosten des IC 40 verursachte.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung eine Halbleitertest
vorrichtung vorzusehen, die in einer kurzen Zeit einen Versor
gungsstrom einer Halbleitereinrichtung, die eine Kapazität zwi
schen einem Versorgungsanschluß und einem Masseanschluß auf
weist, messen kann.
Die Aufgabe wird durch die Halbleitertestvorrichtung des An
spruches 1 gelöst.
Eine Weiterbildung der Erfindung ist in dem Unteranspruch ange
geben.
Entsprechend einem Aspekt wird eine Spannung eines Pegels, der
identisch zu dem Pegel einer Versorgungsspannung einer Halblei
tereinrichtung ist, an einen Dummy-Kondensator, der eine Kapa
zität aufweist, die identisch zu der Kapazität zwischen einem
Versorgungsanschluß und einem Masseanschluß der Halbleiterein
richtung ist, derart angelegt, daß ein Überstrom I3 erzeugt
wird. Durch Abziehen des Überstromes I3 des Dummy-Kondensators
von dem Strom I1, der durch die Halbleitereinrichtung fließt,
wird der Versorgungsstrom der Halbleitereinrichtung Icc = I1-I3
erhalten. Da es nicht notwendig ist, auf das Dämpfen des Stro
mes I2 = I3, der zu der Kapazität der Halbleitereinrichtung
fließt, wie in dem der Anmelderin bekannten Fall, zu warten,
kann der Versorgungsstrom Icc der Halbleitereinrichtung in ei
ner kurzen Zeit gemessen werden.
Bevorzugt weist die Halbleitertestvorrichtung eine Bestimmungs
schaltung zum Bestimmen, ob der gemessene Versorgungsstrom Icc
innerhalb eines bestimmten Bereiches ist, auf. In diesem Fall
kann die Bestimmung, ob die Halbleitereinrichtung ein akzepta
bles Produkt ist oder nicht, leicht und zuverlässig durchge
führt werden.
Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben
sich aus der folgenden Beschreibung von Ausführungsformen der
Erfindung anhand der Figuren. Von den Figuren zeigen:
Fig. 1 ein Wellenformdiagramm zum Beschreiben des
Prinzips einer Halbleitertestvorrichtung
entsprechend der vorliegenden Erfindung,
Fig. 2 ein Blockschaltbild, das eine Struktur ei
ner Halbleitertestvorrichtung entsprechend
einer ersten Ausführungsform zeigt,
Fig. 3 ein Blockschaltbild, das eine Struktur ei
ner Halbleitertestvorrichtung entsprechend
einer zweiten Ausführungsform zeigt,
Fig. 4 ein Blockschaltbild, das eine Struktur ei
ner der Anmelderin bekannten Halbleiter
testvorrichtung zeigt.
Das Prinzip der vorliegenden Erfindung wird zuerst vor der Be
schreibung der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung be
schrieben. Wenn eine Versorgungsspannung Vcc an das IC 40, das
den Überbrückungskondensator 50 aufweist, angelegt wird, fließt
ein Versorgungsstrom Icc von dem Operationsverstärker 34 zu dem
IC 40 an sich, wie in Fig. 1 gezeigt ist. Zur gleichen Zeit
fließt ein Überstrom I2 von dem Operationsverstärker 34 zu dem
Überbrückungskondensator 50. Eine Zeitdauer t2 wird zum Stabi
lisieren des Überstroms I2 benötigt. Im Gegensatz dazu wird ei
ne kürzere Zeitdauer t1 zum Stabilisieren des Versorgungsstro
mes I1 an sich benötigt.
Daher kann durch zusätzliches Erzeugen eines Stromes I3, der
identisch zu dem Überstrom I2 des Überbrückungskondensators 50
ist, und Abziehen dieses Stromes I3 von dem Gesamtstrom I1, der
von dem Operationsverstärker 34 zu dem IC 40 fließt, der Ver
sorgungsstrom Icc erhalten werden. Der Versorgungsstrom Icc
kann in einer kurzen Zeit gemessen werden. Der Strom I3 wird
durch zusätzliches Vorsehen eines Dummy-Kondensators 1, der
identisch zu dem Typ und der Kapazität bzw. Kapazitanz des
Überbrückungskondensators 50 ist, und durch gleichzeitiges An
legen der Versorgungsspannung an die Kondensatoren 50 und 1 er
zeugt. Der Überstrom des Dummy-Kondensators 1 wird der Strom
I3. Die vorliegende Erfindung wird im Detail im folgenden mit
Bezug zu den Figuren beschrieben.
Fig. 2 ist ein Blockschaltbild, das eine Struktur einer Halb
leitertestvorrichtung entsprechend einer ersten Ausführungsform
zeigt.
Wie in Fig. 2 gezeigt ist, unterscheidet sich die Halbleiter
testvorrichtung der vorliegenden Ausführungsform von der der
Anmelderin bekannten Halbleitertestvorrichtung darin, daß ein
Dummy-Kondensator 1, Widerstandselemente 2, 3 und 5 und Opera
tionsverstärker 4, 6 und 7 neu vorgesehen sind. Der Dummy-
Kondensator 1 ist ein Kondensator, der identisch zu dem Typ und
der Kapazitanz des Überbrückungskondensators 50 ist. Die Wider
standselemente 2, 3 und 5 weisen identische Widerstandswerte zu
den Widerstandselementen 32, 33 bzw. 35 auf. Der Operationsver
stärker 6 weist identische Eigenschaften zu denen des Operati
onsverstärkers 36 auf.
Der Operationsverstärker 4 und die Widerstandselemente 2 und 4
bilden einen Verstärker derart, daß die Ausgabespannung des
D/A-Wandlers 130 verstärkt wird. Eine Spannung, die identisch
im Pegel zu der Stromversorgungsspannung Vcc des IC 40 ist,
wird erzeugt. Diese erzeugte Spannung wird über die Elektroden
des Dummy-Kondensators 1 angelegt. Das Widerstandselement 5 ist
derart vorgesehen, daß ein Strom I3, der zu einer Elektrode des
Dummy-Kondensators 1 von dem Operationsverstärker 4 fließt, in
eine Spannung gewandelt wird. Genauer ist das Widerstandsele
ment 2 zwischen einem Ausgabeanschluß des D/A-Wandlers 31 und
einem nicht-invertierenden Eingabeanschluß des Operationsver
stärkers 4 verbunden. Das Widerstandselement 3 ist zwischen dem
nicht-invertierenden Eingabeanschluß des Operationsverstärkers
4 und einer Elektrode des Dummy-Kondensators 1 verbunden. Das
Widerstandselement 5 ist zwischen einem Ausgabeanschluß des
Operationsverstärkers 4 und einer Elektrode des Dummy-
Kondensators 1 verbunden. Der nicht-invertierende Eingabean
schluß des Operationsverstärkers 4 und die andere Elektrode des
Dummy-Kondensators 1 sind beide mit Masse verbunden.
Der Operationsverstärker 6 verstärkt die Spannung über die
Elektroden des Widerstandselementes 5, d. h. die Spannung über
eine Elektrode des Dummy-Kondensators 1 und den Ausgabeanschluß
des Operationsverstärkers 4. Der Operationsverstärker 7 erzeugt
eine Spannung V4, die die Differenz zwischen der Ausgabespan
nung V1 des Operationsverstärkers 36 und der Ausgabespannung V3
des Operationsverstärkers 6 ist. Die erzeugte Spannung V4=V1-V3
wird an den A/D-Wandler 37 angelegt. Die verbleibende Struktur
ist identisch zu der der Anmelderin bekannten Halbleitertest
vorrichtung. Daher wird die Beschreibung davon nicht wieder
holt.
Der Betrieb der Halbleitertestvorrichtung der ersten Ausfüh
rungsform wird im folgenden beschrieben.
Wenn das IC 40 auf die Halbleitertestvorrichtung gesetzt ist,
wird von der Steuereinheit 30 ein digitaler Code an den D/A-
Wandler 31 angelegt. Die Stromversorgungsspannung Vcc wird an
den Stromversorgungsanschluß 41 des IC 40 von dem Operations
verstärker 34 über das Widerstandselement 35 angelegt. Es wird
ebenfalls eine Spannung eines Pegels, der identisch zu dem Pe
gel der Stromversorgungsspannung Vcc des IC 40 ist, an eine
Elektrode des Dummy-Kondensators 1 von dem Operationsverstärker
4 über das Widerstandselement 5 angelegt. Da der Überbrückungs
kondensator bzw. Ableitkondensator 50 identisch zu dem Dummy-
Kondensators 1 ist und dieselbe Spannung Vcc gleichzeitig ange
legt wird, ist der Überstrom I2 des Überbrückungskondensators
50 komplett identisch zu dem Überstrom I3 des Dummy-
Kondensators 1.
Der Strom I1, der von dem Operationsverstärker 34 zu dem IC 40
fließt, wird durch das Widerstandselement 35 in eine Spannung
umgewandelt. Diese Spannung wird durch den Operationsverstärker
36 verstärkt. Der Strom IC, der von dem Operationsverstärker 4
zu dem Dummy-Kondensator 1 fließt, wird durch das Widerstands
element 5 in eine Spannung umgewandelt. Diese Spannung wird
durch den Operationsverstärker 6 verstärkt. Eine Spannung V4,
die die Differenz zwischen der Ausgabespannung V1 des Operati
onsverstärkers 36 und der Ausgabespannung V3 des Operationsver
stärkers 6 ist, wird an dem Operationsverstärker 7 erzeugt
(V4=V1-V3).
Da die Ausgabespannungen V1 und V3 der Operationsverstärker 36
und 6 proportional zu den Werten der Ströme I1 bzw. I3 sind,
ist die Spannung V4=V1-V3 proportional zu dem Strom I1-I3=Icc,
der die Differenz zwischen den Strömen I1 und I3 ist. Daher
wird die Spannung V4 in einer kürzeren Zeitperiode als die
Spannungen V1 und V3, wie mit Bezug zu Fig. 1 beschrieben wur
de, stabilisiert.
Die Ausgabespannung V4 des Operationsverstärkers 7 wird durch
den A/D-Wandler 37 in einen digitalen Code umgewandelt. Dieser
digitale Code wird an die Steuereinheit 30 derart angelegt, daß
er in den Versorgungsstrom Icc des IC 40 umgewandelt wird. Der
Versorgungsstrom Icc wird auf einem Anzeigebildschirm 30a der
Steuereinheit 30 angezeigt.
Entsprechend der vorliegenden Ausführungsform ist es nicht not
wendig zu warten, daß der Überstrom I2 des Überbrückungskonden
sators 50 abgeschwächt bzw. gedämpft wird, da der Versorgungs
strom Icc des IC 40 durch Abziehen des Überstromes I3 des Dum
my-Kondensators 1, d. h. des Überstromes I2 des Überbrückungs
kondensators 50, von dem Strom I1=Icc+I2, der zu dem IC 40 und
dem Überbrückungskondensator 50 fließt, erhalten wird. Die
Zeit, die zum Messen benötigt wird, kann im Vergleich zu dem
der Anmelderin bekannten Fall, bei dem der Versorgungsstrom Icc
des IC 40 nach der Abschwächung des Überstroms I2 gemessen wur
de, reduziert werden. Dies stellt den Vorteil zur Verfügung,
daß die Kosten zum Testen reduziert werden können, was wiederum
die Kosten des IC 40 reduziert.
Weiterhin kann die Meßgenauigkeit verbessert werden, da das
Rauschen der Massepotentialleitung GND, das in Zusammenhang mit
dem Betrieb des IC 40 erzeugt wird, ähnlich zu dem Überstrom
der Kondensatoren 50 und 1 subtrahiert wird.
Fig. 3 ist ein Blockschaltbild, das eine Struktur einer Halb
leitertestvorrichtung entsprechend einer zweiten Ausführungs
form zeigt.
Wie in Fig. 3 gezeigt ist, unterscheidet sich die Halbleiter
testvorrichtung der zweiten Ausführungsform von der Halbleiter
testvorrichtung der ersten Ausführungsform darin, daß der A/D-
Wandler 37 entfernt ist und daß D/A-Wandler 8 und 9, Verglei
cher 10 und 11 und eine Bestimmungsschaltung 12 neu vorgesehen
sind.
Der D/A-Wandler 8 wandelt den digitalen Code von der Steuerein
heit 30 in eine analoge Referenzspannung VRH um. Diese umgewan
delte Spannung wird dem Vergleicher 10 zur Verfügung gestellt.
Die Referenzspannung VRH ist eine Umwandlung der oberen Grenze
eines normalen Bereiches eines Versorgungsstromes Icc eines IC
40 in eine Ausgabespannung des Operationsverstärkers 7. Der
D/A-Wandler 9 wandelt den digitalen Code von der Steuereinheit
30 in eine analoge Referenzspannung VRL um. Diese analoge Refe
renzspannung VRL wird dem Vergleicher 11 zur Verfügung ge
stellt. Die Referenzspannung VRL ist eine Umwandlung der unte
ren Grenze des normalen Bereiches des Versorgungsstromes Icc
des IC 40 in eine Ausgabespannung des Operationsverstärkers 7.
Der Vergleicher 10 vergleicht die Ausgabespannung V4 des Opera
tionsverstärkers 7 mit der Referenzspannung VRH. Wenn die Aus
gabespannung V4 des Operationsverstärkers 7 höher wird als die
Referenzspannung VRH, wird ein Signal eines H-Pegels (logisch
hoher Wert) der Bestimmungsschaltung 12 zur Verfügung gestellt.
Der Vergleicher 11 vergleicht die Ausgabespannung V4 des Opera
tionsverstärkers 7 mit der Referenzspannung VRL. Wenn die Aus
gabespannung V4 des Operationsverstärkers 7 niedriger wird als
die Referenzspannung VRL, wird ein Signal eines H-Pegels der
Bestimmungsschaltung 12 zur Verfügung gestellt.
Die Bestimmungsschaltung 12 reagiert auf eine Eingabe eines H-
Pegelsignales von den Vergleichern 10 oder 11 derart, daß ein
Signal der Steuereinheit 30 zur Verfügung gestellt wird, das
anzeigt, daß das IC 40 fehlerhaft ist. Die verbleibende Struk
tur ist identisch zu der der Halbleitertestvorrichtung der er
sten Ausführungsform. Daher wird die Beschreibung davon nicht
wiederholt.
Der Betrieb der Halbleitertestvorrichtung der zweiten Ausfüh
rungsform wird im folgenden beschrieben.
Wenn das IC 40 in die Halbleitertestvorrichtung gesetzt ist,
wird ein digitaler Code von der Steuereinheit 30 dem D/A-
Wandler 31 zur Verfügung gestellt. Dieselbe Spannung Vcc wird
von den Operationsverstärkern 34 und 4 gleichzeitig an das IC
40 und den Dummy-Kondensator 1 angelegt. Die ausgegebenen Strö
me I1 und I3 der Operationsverstärker 34 und 4 werden in Span
nungen V1 bzw. V3 durch die Widerstandselemente 35 und 5 und
die Operationsverstärker 36 und 6 umgewandelt. Eine Spannung
V4, die die Differenz zwischen den zwei Spannungen ist (V4=V1-
V3), wird von dem Operationsverstärker 7 ausgegeben. Wenn die
aus gegebene Spannung V4 des Operationsverstärkers 7 nicht in
nerhalb des Bereiches der Versorgungsspannung VRL-VRH ist,
stellt der Vergleicher 10 oder 11 eine Ausgabe eines H-Pegels
zur Verfügung, wodurch die Bestimmungsschaltung 12 die Bestim
mung zur Verfügung stellt, daß das IC 40 ein fehlerhaftes Pro
dukt ist. Das Bestimmungsergebnis der Bestimmungsschaltung 12
wird auf einem Anzeigebildschirm 30a der Steuereinheit 30 vor
gesehen.
Zusätzlich zu den Effekten der ersten Ausführungsform stellt
die zweite Ausführungsform den Vorteil zur Verfügung, daß die
Bestimmung, ob das IC 40 ein akzeptables Produkt ist oder
nicht, leicht und schnell mittels des Vorsehens der Bestim
mungsschaltung 12 gegeben ist.
Claims (2)
1. Halbleitertestvorrichtung zum Messen eines Versor
gungsstromes durch Anlegen einer Stromversorgungsspannung an
eine Halbleitereinrichtung (40) mit einem Kondensator (50) zwi
schen einem Versorgungsanschluß (41) und einem Masseanschluß
(42),
wobei die Halbleitertestvorrichtung
einen Dummy-Kondensator (1) mit einer identischen Kapazität zu der des Kondensators (50) der Halbleitereinrichtung (40), eine erste Versorgung (32-34) zum Anlegen der Stromversorgungs spannung über den Versorgungsanschluß (41) der Halbleiterein richtung (40),
eine zweite Versorgung (2-4) zum Anlegen einer zu einer Ausga bespannung der ersten Versorgung (32-34) identischen Spannung über Elektroden des Dummy-Kondensators (1) gleichzeitig mit der ersten Versorgung (32-34),
eine erste Strommeßeinrichtung (35, 36) zum Messen eines Stro mes, der von der ersten Versorgung (32-34) zu der Halblei tereinrichtung (40) fließt,
eine zweite Strommeßeinrichtung (5, 6) zum Messen eines Stro mes, der von der zweiten Versorgung (2-4) zu dem Dummy- Kondensator (1) fließt, und
eine Betriebseinrichtung (7, 37, 30) zum Erhalten eines Versor gungsstromes der Halbleitereinrichtung (40) durch Abziehen ei nes gemessenen Wertes der zweiten Strommeßeinrichtung (5, 6) von einem gemessenen Wert der ersten Strommeßeinrichtung (35, 36)
aufweist.
einen Dummy-Kondensator (1) mit einer identischen Kapazität zu der des Kondensators (50) der Halbleitereinrichtung (40), eine erste Versorgung (32-34) zum Anlegen der Stromversorgungs spannung über den Versorgungsanschluß (41) der Halbleiterein richtung (40),
eine zweite Versorgung (2-4) zum Anlegen einer zu einer Ausga bespannung der ersten Versorgung (32-34) identischen Spannung über Elektroden des Dummy-Kondensators (1) gleichzeitig mit der ersten Versorgung (32-34),
eine erste Strommeßeinrichtung (35, 36) zum Messen eines Stro mes, der von der ersten Versorgung (32-34) zu der Halblei tereinrichtung (40) fließt,
eine zweite Strommeßeinrichtung (5, 6) zum Messen eines Stro mes, der von der zweiten Versorgung (2-4) zu dem Dummy- Kondensator (1) fließt, und
eine Betriebseinrichtung (7, 37, 30) zum Erhalten eines Versor gungsstromes der Halbleitereinrichtung (40) durch Abziehen ei nes gemessenen Wertes der zweiten Strommeßeinrichtung (5, 6) von einem gemessenen Wert der ersten Strommeßeinrichtung (35, 36)
aufweist.
2. Halbleitertestvorrichtung nach Anspruch 1 weiter mit
einer Bestimmungseinrichtung (8-12, 30) zum Bestimmen, ob ein
Versorgungsstrom der Halbleitereinrichtung (40), der durch die
Betriebseinrichtung (7, 37, 30) erhalten ist, innerhalb eines
vorbestimmten Bereiches liegt.
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