DE2359184A1 - Messeinrichtung zur bestimmung der effektiven ladung in einem dielektrikum - Google Patents
Messeinrichtung zur bestimmung der effektiven ladung in einem dielektrikumInfo
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Description
Böblingen, den 20. November 1973 bu-aa
Anmelderin: International Business Machines
Corporation, Armonk, N.Y. 10504
Amtliches Aktenzeichen: Neuanmeldung
Aktenzeichen der Anmelderin; BU 972 020 οq cQ 1 Q L
Meßeinrichtung zur Bestimmung der effektiven Ladung in einem
Dielektrikum . - -
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Messung der
effektiven Ladung mit Hilfe eines C-V-Diagramms in einem Bauelement,
bestehend aus einem, zwischen einem Halbleiter und einer
Elektrode eingebettet! Dielektrikum durch Anlegen einer langsam
nach Art einer Sägezahnspannung sich ändernden Gleichspannung, der zur ständigen Umladung des Dielektrikums eine Wechselspannung
kleiner, jedoch gleichbleibender Amplitude überlagert ist, so daß eine zum durch das Dielektrikum bestimmten Kapazitätswert
proportionale Spannung aus der auftretenden Ladungsänderung mit Hilfe eines Integrators ableitbar ist.
Aus der Literaturstelle "Journal Of Applied Physics", Band. 4O,
Nr. 8, Juli 1969, geht hervor, daß unter gewissen Bedingungen
eine Ladungstransport und -speicherung in Metall-Dielektrikum-Halb
leiterstruktüren stattfindet. Es zeigt sich dabei ein ständiger
Stromfluß im Dielektrikum, wobei eine Ladungsanhäufung an
der Grenzfläche einer Oxyd·^ und Nitridschicht, die zusammen das
Dielektrikum bilden, festzustellen ist.
In der USA^Patentsehrift 3 638 078 wird ein spannungsabhängiger
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Kondensator beschrieben, der aus einem Halbleiter mit darauf
befindlich dielektrischen Schichten besteht. In einer solchen ' Struktur lassen sich ebenfalls elektrische Ladungen speichern,
was dazu führt, daß die Kapazität sich nach der Polarität und der Größe der angelegten Spannung richtet.
In11RCA Review", Juni 1969, Seiten 366ff. wird eine Theorie des
Schaltverhaltens von MIS-Transistoren diskutiert. Auch hier wiederum wird von der Annahme ausgegangen, daß ein Ladungsträgertransport
zwischen der Oxydnitridgrenzfläche und dem Halbleiter stattfindet.
Aus den obengenannten Veröffentlichungen ist ersichtlich, daß es für die praktische Anwendung der aufgeführten Strukturen
wünschenswert, ja sogar erforderlich ist, diesen Ladungsträgertransport
bzw. deren Ansammlung im Dielektrikum meßtechnisch zu erfassen und zu verwerten. Hierzu sind sogenannte C-V-Meßverfahren
unter Anwendung von Kapazitäts-Spannungskurvenscharen, die jeweils für die betreffende Struktur ermittelt worden sind, bereitgestellt
worden, wie es z.B. aus "Journal of Physics E: Scientific Instruments", 1970, Band 3, Seiten 558 ff hervorgeht.
Die hier beschriebene Meßeinrichtung basiert auf der oben beschriebenen Annahme und geht im einzelnen von der Tatsache aus,
daS die Speicherwirkung sich in einer Verschiebung der Flachbandspannung
eines MNOS-Kondensators unter dem Einfluß eines Feldes oberhalb eines bestimmten Schwellenwertes auswirkt. Zum Messen
der Anhäufung der Ladung wird ein CV-Diagramm aufgenommen, wobei eine Rückkopplungsschleife zur Beschleunigung des Meßverfahrens
beiträgt. Aus dem ermittelten CV-Diagramm wird dann die Hystereseschleife für die jeweils untersuchte Struktur abgeleitet.
Nachteilig ist hierbei, daß Oberflächenladungen, wie sie bei
Herstellung und nachträglicher Behandlung des Dielektrikums in entsprechenden Haftstellen eingefangen sind, mit in die Messung
eingehen und daß über die Ladungsverteilung im Dielektrikum nichts ermittelt werden kann.
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Die Aufgabe der Erfindung besteht deshalb darin, eine Meßeinrichtung
bereitzustellen, mit deren Hilfe sich sowohl der Betrag der
injizierten Ladung als auch die Verteilung dieser Ladung innerhalb
des Dielektrikums ermitteln läßt. Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß bei der angegebenen Meßeinrichtung
die Elektrode des zu messenden Bauelements am Ausgang.einer Mischschaltung liegt, deren erster Eingang wahlweise an einen Sägezahngenerator
oder an einen Impulsgenerator anschließbar ist und deren zweiter Eingang mit dem Wechselspannungsgenerator verbunden
ist, daß der Halbleiter des Bauelements mit einem durch einen veränderbaren Kondensator,überbrückten ersten Funktionsverstärker
als Integrator verbunden ist, der seinerseits an einen phasenstarren Verstärker angeschlossen ist, dessen Ausgang proportional
der durch die Sägezahnspannung geänderten Kapazität des Bauelementes
ist, und daß der phasenstarre Verstärker über einen durch einen Kondensator überbrückten zweiten Funktionsverstärker als
Integrator, dessen Eingang andererseits mit einer Gegenspannung beaufschlagbar ist, so daß dessen Ausgang auf Null einstellbar
ist, mit einem dritten Eingang der Mischschaltung gekoppelt ist'.
In Anwendung der erfindungsgemäßen Meßeinrichtung wird zunächst
ein Gleichspannungsimpuls, der der Weeaselspaxmwng überlagert ist,
auf das zu messende Bauelement übertragen B vm mit das mn den
Halbleiter angeschlossenen Ladungsdetektor über ein ausgewähltes
Zeitintervall die tatsächlich injizierte Ladung zu ermitteln. Gleichzeitig wird mit Hilfe des zweiten FunktionsVerstärkers die
entsprechende Spannungsänderung gemessen, um das Oberflächenpotential
des Halbleiters wieder in den Zustand zurückzubringen, in dem es vor Anlegen des Gleichspannungsimpulses gewesen ist.
Dies geschieht über die erste Mischschaltung 20, deren entsprechender
Eingang mit dem zweiten Funktionsverstärker verbunden ist, und deren Ausgang an der Elektrode des zu messenden Bauelementes
liegt. Aufgrund dieser Meßergebnisse läßt sich dann in vorteilhafter Weise die Lage des Schwerpunktes der Ladungsverteilung
im Dielektrikum ermitteln, indem mit-Hilfe einer Dividierschaltung der Ausgang des zweiten FunktionsVerstärkers durch
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_ 4 den Ausgang des ersten FunktionsVerstärkers dividiert wird.
Durch wiederholte Beaufschlagung des zu messenden Bauelementes mit verschiedenen Spannungen für jeweils unterschiedliche Zeitintervalle
läßt sich die Schwerpunktlage der Ladungsverteilung
wahlweise innerhalb des Dielektrikums verschieben. Diese wahlweise Ladungsverschiebung läßt sich in vorteilhafter Weise anwenden,
tun gezielt die Eigenschaften und Charakteristiken eines leistungslosen Halbleiterbauelementes zu variieren. Im Falle der
Verwendung eines Dielektrikums, bestehend aus zwei unterschiedlichen Isolierschichten, kann durch Verlagerung des Schwerpunktes
der Ladungsverteilung der tatsächlich injizierten Ladung an die
Grenzfläche zwischen den beiden Isolierschichten die Dicke beider
Schichten ermittelt werden.
Zusammenfassend läßt sich sagen, daß die vorliegende Erfindung es ermöglicht, den Betrag der in die dielektrischen Materialien
injizierten Ladungen zu ermitteln und außerdem die Lage des Schwerpunktes in der Ladungsverteilung mit Bezug auf eine Oberfläche
des dielektrischen Materials. Die Meßeinrichtung läßt sich fernerhin zur Messung der Dicke jeder Isolierschicht in vielschichtigen
Dielektrika nach Art eines zerstörungsfreien Verfahrens anwenden.
Außerdem kann die Lage des Schwerpunktes der Ladungsverteilung
der injizierten Ladungen wahlweise verschoben werden. Bei leistungslosen Halbleiterbauelementen, die insbesondere für Speicherzwecke
Verwendung finden, läßt sich die Erfindung in vorteilhafter Weise verwenden, um die Speichereigenschaften der verwendeten
Bauelemente nach Bedarf abzuändern. Aufgrund der wahlweisen Verlagerung des Schwerpunktes der Ladungsverteilung läßt sich außerdem
in einfacher Weise die Gesamtkapazität des betreffenden Bauelementes verändern. Schließlich läßt sich noch feststellen, in
welcher Richtung die Ladungsinjektion in das Bauelement erfolgt, ob von der Elektrode oder vom Halbleiter.
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Weitere Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden
Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der unten aufgeführten Zeichnungen und aus den Patentansprüchen.
Es zeigen:'
Fig. 1 ein Blockschaltbild der erfindungsgemäßen
Schaltungsanordnung,
Fig. 2 ein mehr ins einzelne gehendes Blockschalt-
bild der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung,
Fig. 3 eine graphische Darstellung in Form einer C-V-
Kurvenschar, wobei die Kapazität in Abhängigkeit von der Spannung aufgetragen ist,
Fig. 4A eine graphische Darstellung des Spannungspegels
am Ausgang des Ladungsdetektors in Abhängigkeit von der Zeit,.
Fig. 4B . den Äusgangsspannungspegel in Abhängigkeit von
• . der Zeit am Kapazitäts-Spannungsmesser,
Fig. 5 eine graphische Darstellung mit einer Kurvenschar,
aus der hervorgeht, daß sich der Schwerpunkt der Ladungsverteilung durch das dielektrische
Medium hindurchbewegt, und .
Fig. 6.. einen Querschnitt durch ein mehrschichtiges· dielektrisches
Halbleiterbauelement.
Zum näheren Verständnis der Erfindung mag eine kurze Erläuterung
der Ladungsinjektion sowie der Haftstellenisolatoren angebracht
sein.
Bei Anlegen einer geeigneten Spannung an einen dielektrischen
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Halbleiterkörper über entsprechend hieran angebrachte Elektroden entsteht ein geringer, jedoch zeitlich endlicher Stromfluß durch
das Dielektrikum. Dieser Stromfluß beruht auf einen Ladungsträgerfluß
wie z.B. Elektronen, deren Energieniveaus derart angehoben sind, daß sie sich im Leitungsband des Dielektrikums befinden.
Befinden sie sich einmal im Leitungsband, dann können sie sich frei innerhalb des Dielektrikums unter den Einfluß einer angelegten
Spannung bewegen. Ist bei geeigneter Polarität die angelegte Spannung hinreichend hoch, dann werden gleichzeitig Ladungsträger
über die Elektroden-Dielektrikum-Grenzfläche in das Leitungsband des Dielektrikums injiziert, wo sie dann im Fall von
Elektronen in Richtung der positiven Elektrode wandern. Einige der so injizierten Ladungsträger werden während des Durchgangs
durch das Dielektrikum durch im Dielektrikum befindliche Haftstellen
eingefangen. Solche Haftstellen ergeben sich z.B. durch defekte Einschlüsse oder Fremdkörper im Dielektrikum.
Aufgrund einer ungleichmäßigen Verteilung dieser Haftstellen können sich in einem Bereich des Dielektrikums mehr Ladungsträger
befinden als in einem anderen. Infolge thermischer Anregung und unter dem Einfluß der angelegten Spannung ergibt sich ein
Ladungsträgeraustausch zwischen Haftstellen und dem Leitungsband.
Die Ladungsträgerverteilung innerhalb des Dielektrikums ist natürlich abhängig von der angelegten Spannung und. der räumlichen Verteilung
der Haftstellen in bezug auf die Ladungsträgerinjektionsquelle und ihrer Aufteilung auf die einzelnen Energieniveaus,
Durch Steuern des Injektionsbetrages und der Injektionszeit der
Ladungsträger in ein Dielektrikum läßt sich die Anzahl der eingefangenen
Ladungsträger variieren und ihre räumliche Zuordnung steuern, insbesondere der Schwerpunkt der Verteilung der wirksamen
eingefangenen Ladung. Hiermit können dann die kapazitiven Eigenschaften des Dielektrikums verändert werden.
Besteht eine der Elektroden aus einem Halbleiter, dann wird die Ladung entweder in Form von Löchern oder Elektronen injiziert.
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Löcher und Elektronen haben unterschiedliche Beweglichkeiten, Inj ektionskoeffizienten, Haftstellennive aus, Übergangs zei ten
usw. So wird im Fall von injizierten Löchern veranlaßt, daß
die Ladung an verschiedenen Positionen eingefangen wird und daß unterschiedliche Änderungen in relativen elektrischen Eigenschaften
des gleichen Dielektrikums unter den gleichen Betriebsbedingungen verursacht werden. D.h., beim gleichen Dielektrikum
ergibt die gleiche Höhe des angelegten Impulses unterschiedliche Resultate, je nachdem, ob Löcher oder Elektonen injiziert sind.
Ist der dielektrische Körper, wi® neuerdings öfters verwendet,
eine Kombination aus zwei verschiedenen Dielektrika, wie z.B. bei MNOS-HaIbleiterbauelementen, dann ergeben sich grundsätzlich
die gleichen Bedingungen wie oben beschrieben.- Im genannten speziellen Fall jedoch erfolgt aufgrund der Unterschiede in den
Haftstellendichten der beiden dielektrischen Materialien und ihrer relativen Schichtdicken das Einfangen im wesentlichen im
Siliziumnitrid und nur ein sehr geringer Anteil, wenn überhaupt, im Siliziumdioxyd. Auf jeden Fall läßt sich bei Siliziumdioxydschichten
mit weniger als 100 S Dicke für die Praxis annehmen,
daß in einer solchen dünnen Siliziumdioxydschicht kein Einfangen
erfolgt.
Liegt ein MWOS-Halbleiterbauelement vor, dessen Injektor ein N-Halbleiter
ist und wird eine hinreichend hohe positive Impulsamplitude an die hierdurch gebildete Elektrode angelegt, dann
werden Elektronen von der Halbleiteroberfläche entfernt und infolge
Tunnelung durch die dünne Oxydschicht in die Nitridschicht
injiziert. Nach Abklingen des Impulses ziehen die während der Impulsdauer injizierten Elektronen, die nun im Nitrid eingefangen
sind, die Löcher im Halbleiter in Richtung auf die Oxyd-Halbleitergrenzfläche
-an. Diese Änderung in der Ladung, in der Polarität und in der Dichte hat entsprechende Änderungen der
differenzieren Kapazität und der hiermit verbundenen Flachbandspannung der Halbleiter-Dielektrikum-Struktur zur Folge. Die
vor und nach dem Impuls, jeweils auftretenden Flachbandspannungeh
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lassen sich zur Anzeige der Speicherung einer binären Eins oder
binären Null verwenden.
Das zu prüfende Bauelement 9 in Fig. 1 besteht aus einem Dielektrikum
10, einer hierauf angebrachten Elektrode 11 und einem Ladungsträgerinjektor 12 auf der gegenüberliegenden Seite. An
diesem Ladungsträgerinjektor 12 ist eine Ladungsdetektorschaltung
13 angeschlossen, mit deren Hilfe der Betrag der in das Dielektrikum 10 injizierten wirksamen Ladung gemessen wird, wenn ein
Gleichspannungssignal in Form eines vom Impulsgenerator 14 abgegebenen
Impulses, dem ein vom Wechselspannungsgenerator 15 abgegebenes Wechselspannungssignal überlagert ist und ein von der
Ladungsdetektorschaltung 13 abgegebenes Rückkopplungssignal, das vom Meßgerät 16 abgeändert ist, der Elektrode 11 zugeführt wird.
Unter der Wirkung dieser an die Elektrode 11 angelegten Signale werden Ladungen in das Dielektrikum vom Ladungsinjektor 12 injiziert.
Die Verteilung der injizierten Ladungen zeigt-einen Schwerpunkt,
der durch die Größe des Gleichspannungsimpulses sowie durch dessen Dauer bestimmt ist. Da die Ladungsverteilung nicht notwendigerweise
einer Gauß1sehen Verteilung entspricht, ist ihr
Schwerpunkt auch nicht unbedingt der geometrische Mittelpunkt dieser Verteilung.
Das Ausgangssignal der Ladungsdetektorschaltung 13, der direkt
proportional der in das Dielektrikum IO injizierten Ladung ist,
wird dem Meßgerät 16 zugeführt, das zur Kapazitätsmessung des Doppelschichtdielektrikums 10 mit der Elektrode 11 und dem Injektor
12 als Beläge dient. Die Ausgangsspannung des Meßgeräts 16
vermag die Änderung des ursprünglichen Oberflächenzustandes des Injektors 12, wie er durch Anlegen der Signale von den Generatoren
14 und 15 an die Elektrode 11 herbeigeführt worden ist, anzuzeigen. Wie bereits gesagt, wird das Ausgangssignal des
Meßgeräts 16 auf die Elektrode 11 rückgekoppelt, um so durch kapazitVe Wirkung das Oberflächenpotential des Injektors 12 wieder
in den ursprünglichen Zustand zurückzubringen.
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Die Ausgangsleitungen sowohl der Ladungsdetektorschaltung 13 als
auch des Meßgeräts 16 sind mit entsprechenden Eingängen eines Schwerpunktdetektors 17 verbunden, der die.Lage des Verteilungsschwerpunktes der in das Dielektrikum injizierten Ladung mit
Bezug auf die Grenzfläche zwischen Elektrode und Dielektrikum ermittelt.
Ist die Gesamtdicke des dielektrischen Körpers 1000 A oder weniger
und ist der Ladungsdetektor 12, wie im vorliegenden Fall, ein
Halbleiter, dann sollte der Impulsgenerator 14 so ausgelegt sein, daß ein Impuls von Ö bis 60 Volt über eine Zeitdauer von 0 bis
500 Millisekunden angelegt werden kann. Andere Spannungswerte und Impulsdauern dürften für hiervon abweichende Dickenwerte des
Dielektrikums oder Materialien zweckmäßig sein. Die Wechselspannungsquelle
15 ist speziell für den vorliegenden Fall auf eine
Frequenz von 100 kHz bei einer Ausgangsspannung von + 20 Millivolt
abgestimmt. Auch hier lassen sich je nach Bedarf andere
Frequenz- und Amplitudenwerte'verwenden. ·
Eine· Injektion von Ladungen seitens des Ladungsinjektors 12 in
das Dielektrikum hat Ladungsänderungen sowohl im Ladunginjektor
12 selbst zur Folge als auch in den Öberflachenzuständen an der
Grenzfläche zwischen Dielektrikum und Halbleiter. Es sei betont,
daß diese Ladungsänderungen-ebenfalls durch die Ladungsdetektorschaltung
13 festgestellt werden, also zusätzlich zu der im Dielektrikum eingefangenen Ladung, wenn nicht geeignete Maßnahmen
,getroffen werden. Um eine getreue Anzeige des Betrags der nach Abklingen des Impulses im Dielektrikum eingefängenen Ladung zu
erhalten, ist es demnach erforderlich, daß die ursprüngliche Züstandsbedingung der Öberflächenladungsinjektion wieder hergestellt
Wird, so daß der tätsächliche Betrag der eingefangenen
wirksamen Ladung im Dielektrikum mit hinreichender Genauigkeit gemessen wird.
Unter Bezugnahme auf die Fign. 2 Und 6 soll nun der Meßvörgang
gemäß der Erfindung im einzelnen beschrieben' Werden.
"- 40982 3 /08 5 5 ■ ": ·
BU 972 O2O . :..-.-, ,.,.
Die Elektrode 11 des Dielektrikums 10 liegt am Ausgang einer
Additionsschaltung 20. Den Eingängen dieser Additionsschaltung
20 wird ein Signal von der Wechselspannungsquelle 15, das Rückkopplungssignal
vom Meßgerät 16 und über einen Schalter 19 ent-r weder ein Signal vom Impulsgenerator 14 oder vom Sägezahngenerator
18 zugeführt. Der Ladungsinjektor 12 ist seinerseits an den negativen Eingang 21 eines FunktionsVerstärkers 22 angeschlossen,
dessen Eingang 21 und dessen Ausgang 24 über einen veränderbaren Kondensator 23 verbunden ist. Dieser Kondensator bewirkt,
daß der Funktionsverstärker 22 das dem Eingang 21 zugeführte Signal integriert. Parallel zum Kondensator 23 liegt ein Widerstand
25 in Serie mit einem Schalter 26. Die Ausgangsleitung 24
liegt am Eingang eines phasenstarren Verstärkers 27, dessen Ausgang seinerseits am Eingang des Linearverstärkers 28 liegt. Der
Ausgang des Linearverstärkers 28 ist über einen Widerstand 29 und die Leitung 3O mit dem negativen Eingang eines zweiten Funktions
Verstärkers 31 verbunden, welcher andererseits über einen
Widerstand 32 an eine variable Spannungsquelle 33 angeschlossen ist. Der Funktionsverstärker 31 ist ebenfalls durch einen Kondensator 34 von seinem Ausgang zu seinem Eingang verbunden, so daß
eine Integrationswirkung herbeigeführt wird. Parallel hierzu liegt ein Widerstand 36 in Serie mit einem Schalter 27. Die Ausgangsleitung
35 des Funktionsverstärkers 31 liegt an einem weiteren Eingang der Addierschaltung 2O und über eine andere Leitung an einer
zweiten Addierschaltung 38 sowie an einem Dividierverstärker 39 der Schwerpunktdetektorschaltung 17.
Die Aus gangs leitung 24 des* Funktions Verstärkers 22 liegt an einer
invertierenden Addierschaltung 41. Ein weiterer Eingang der invertierenden Addierschaltung 41 liegt am Ausgang eines als Integrator
wirkenden dritten FunktionsVerstärkers 42. Das Ausgangssignal wird
durch eine variable Spannungsquelle 44 an seiner Eingangsleitung 45 derart eingestellt, daß ein Signal am Ausgang 43 gleich einem
aber entgegengesetzt gerichtet zu einem Reststrom entsteht, der am Ausgang 24 festgestellt wird.
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Die-Ausgangsleitung 40 der invertierenden Addierschaltung 41 liegt
sowohl am Eingang der zweiten Addierschaltung 38 als auch am Eingang
der ersten Dividierschaltung 39. Der Ausgang der zweiten
Äddierschaltung 38 liegt ebenso wie die Ausgangsleitung 35 des
zweiten FunktionsVerstärkers 31 an einer zweiten Dividierschaltung
45, deren Ausgang an einen Motor 46 angeschlossen ist,, um
eine variable Spannungsquelle 47 so eingezusteilen, daß ihre
veränderbare Ausgangsspannung proportional dem Ausgang der zweiten Dividierschaltung 45 ist. Sie wird einem Multiplizierverstärker
50 zugeführt, dessen Eingang am Ausgang der ersten Dividierschaltung
39 liegt. Der Ausgang 51 des Multiplizierverstärkers 50 dient zur- Messung der Lage des Ladungsschwerpunktes.
Die Betriebsweise der oben beschriebenen Anordnung ist wie folgt:
eine Pristinstruktur wird unmittelbar nach Herstellung in die
Schaltungsanordnung eingeschaltet und ihre Kapazitäts-Spannungskurve
gemessen. Hierzu werden die Schalter 19, 26 und 37 geschlossen und der Kondensator 23 wird auf die zu erwartende maximale
Kapazität der Struktur eingestellt. Durch Schließen des Schalters
19 wird der Sägezahngenerator 18 mit der Äddierschaltung 20 verbunden,
so daß gleichzeitig der Impulsgenerator 14 hiervon abgeschaltet
ist. Durch Schließen des Schalters 26 wird die Sättigung
des Verstärkers 22 verhindert,, die andernfalls infolge eines übermäßig hohen LeitungsStroms durch das Dielektrikum 10 bei
Spitzenspannung des Sägezahns eintreten würde. Jedoch ist der
Widerstand 25 im Verhältnis zum Kondensator 23 derart gewählt,
daß diese RC-Kombination es dem Verstärker 22 gestattet, bei der
Frequenz des Wechselspannungsgenerators 15 als Integrator zu wirken.
Bei Schließen des Schalters 37 wird die Spannung auf der Ausgangsleitung
35 des Verstärkers 31 auf Null gehalten, so daß keine
überlagerung bei Erstellung des Kapazitäts-Spannungsdiagramms
eintritt. Der Ausgang dieser Sägezahnspannung variiert von -30 bis +30 Volt. Die Sägezahnspannung wird in die Addierschaltung
20 zusammen mit der Sinuswechselspannung eingespeist, so daß eine
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entsprechende Summenspannung an der Elektrode 11 auftritt. Das
Auftreten der sich ergebenden Gesamtspannung an der Elektrode hat einen Stromfluß in den Ladungsinjektor 12 zur Folge. Dieser
Stromfluß wird auf der Eingangsleitung 21 des FunktionsVerstärkers
22 festgestellt, der ja direkt mit dem Ladungsinjektor 12
verbunden ist. Der Funktionsverstärker 22 dient dank der vorgesehenen
negativen Rückkopplung über Kondensator 2 3 zur Integration des auf der Eingangsleitung 21 festgestellten Stromflusses.
Die Ausgangsleitung 24 des FunktionsVerstärkers 22 stellt somit
ein Ausgangssignal bereit, das dem Integral des Stromflusses entspricht, der durch die in den Ladungsinjektor 12 injizierten'
Ladungsträger verursacht ist. Dieses Signal wird dann an den phasenstarren Verstärker 27 angelegt, dessen Ausgängssignal dem
Effektivwert im Ansprechen der Anordnung auf das 100 kHz-Signal proportional ist; d.h., daß das Ausgangssignal des phasenstarren
Verstärkers 27 proportional der Kapazität der Struktur ist, die gewissermaßen durch die Sägezahnspannung verändert worden ist.
Das Ausgangssignal dieses phasenstarren Verstärkers 2 7 wird dann
in einen Linearverstärker 28 eingespeist, dessen Ausgangssignal
so eingestellt ist, daß sich für jeweils 100 pF der gemessenen Kapazität 1 Volt ergibt. Das Ausgangssignal dieses Linearverstärkers
28 dient somit zur Anzeige der Kapazitätsmessung der Struktur. Die Meßergebnisse lassen sich nach Art der graphischen
Darstellung in Fig. 3 als Kurvenschar für die Funktion der Kapazität in Abhängigkeit von der Spannung auftragen. Der Kondensator
23 wird nun exakt auf einen Wert eingestellt, der gleich dem maximalen Kapazitätswert Co der Struktur ist, wobei, falls erforderlich,
der Linearverstärker 2 8 ebenfalls nachgestellt wird, um wiederum seine Ausgangsspannung zu linearisieren, d.h., um
für jeweils 1OO pF Kapazitätsänderung eine Spannungsänderung
von 1 Volt zu erhalten.
Wie allgemein in der Halbleitertechnik bekannt, wird die Flachbandkapazität
generell in dieser Weise gemessen; d.h. eine Sägezahnspannung wird an die Anordnung angelegt, um unter Hoch-
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fre^uenzspännüng ein C^V-DiägranM, wie iß Kur ζ ve 60 der graphischen Darstellung nach Fig. 3 geneigt, zu bekommen. Aus diesem
Hochfrequenz C-V-4Di agramm läßt sich der Punkt maximaler Steilheit
ermitteln. Dieser Punkt entspricht per definitionem der in Fig.
3 als CFB bezeichneten Fläehbandkäpazität, wobei die diesem Punkt
entsprechende Spannung als Flächbandspännuttg bezeichnet ist* Bei
einem idealen isolator, der während seiner Erzeugung öder bei
vorhergehender elektrischer Behandlung keine Ladung eingefangen
hält, ist die Differenz Φ der Austrittsarbeit zwischen der der
Elektrode und der des LädungsInjektors gleich der Flachbandspannung.
Der unterschied der Austrittsarbeiteη von Elektrode und
Lädungsinjektor laßt sich ziemlich einfach berechnen, da die jeweilige Austrittsarbeit der in Frage kommenden Materialien wohlbekannte
physikalische Konstanten darstellen.
Da jedoch Isolatoren bedingt durch Herstellung oder Prüfung
während der Herstellung niemals ganz frei von Ladungen sein können/
wird die anfängliche Flächbandspannüng VFBi, wie sie zunächst
aus Kruve 60 in der graphischen Darstellung nach Fig. 3 ermittelt wird, nicht gleich dem Austrittsarbeitsunterschied
sein. In der graphischen Darstellung nach Fig. 3 wird mit Kurve
60 ein solcher Fall gezeigt, d.h. hier ist die anfängliche Flachbandspannung
VFBi nicht gleich der Austrittsarbeitsdiffefenz Φ.
Für optimale Anwendung vorliegender Erfindung ist es vorteilhaft, wenn die anfängliehe Flächbandspannüng VFBi der Struktur dem
Austrittsarbeitsunterschied Φ der beiden in Frage kommenden Materialien
gleichgesetzt wird. Diese Gleichsetzung erfolgt durch Entfernen von im Isolator enthaltender bedeutsamer Ladung, indem
an die_ Struktur ein Gleichspannungsimpuls mit zur Polarität der
ursprünglich gemessenen Flächbandspannüng VFBi entgegengesetzter
Amplitude angelegt wird, um den Spannungsgradienten so lange zu
verschieben, bis er gleich dem errechneten Wert des AustrittsäEbeitsünterschieds
Φ zwischen Elektrode und Lädungsinjektor ist.
Wird ζ.B. angenommen, daß für eine spezielle Struktur die Flachbahdkapäzität:
GFB = 400 pF ist und daß die anfänglich gemessene
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Flachbandspannung 2 Volt beträgt, wobei die Austrittsarbeitsdifferenz
= -0,2 Volt ist, dann müssen zur Gleichsetzung beider Spannungswerte negative Gleichspannungsimpulse an die Struktur
angelegt werden, um zu veranlassen, daß die gemessene C-V-Kurve und damit die gemessene Flachbandspannung von Kurve 60 nach
links in Deckung mit Kurve 61 verschoben wird. Auf diese Weise
ist zu diesem Zeitpunkt der Ausgang des Linearverstärkers 28 = 4 Volt, da CFB 400 pF beträgt. Eine gleiche Spannung jedoch entgegengesetzter
Polarität wird jetzt durch eine einstellbare Spannungsquelle 32 und einen Widerstand 31 an die Eingangsleitung
30 des Verstärkers 31 angelegt. Der Schalter 37 ist geöffnet
und der Schalter 19 in einer solchen Stellung, daß der Impulsgenerator
14 am Eingang der Addierschaltung 20 liegt, wobei das
Anfangsniveau des Impulsgenerators 14 so eingestellt ist, daß die Spannung auf der Ausgangsleitung 35 des Verstärkers 31 zu
Null angenommen werden kann.
Zu diesem Zeitpunkt steht die Struktur unter der Bedingung, eine
gemessene Ladungsinjektion hierin aufgebaut und gespeichert zu haben. Dies wird auf folgende Weise erreicht: der Schalter 19
wird betätigt, um den Impulsgenerator 14 an die Addierschaltung 20 anzulegen, womit gleichzeitig der Sägezahngenerator 18 abgeschaltet
wird. Der Schalter 26 in der Rückkopplung des Funktionsverstärkers 22 wird geöffnet und Schalter 37 in der Rückkopplung
über Funktionsverstärker 31 bleibt geschlossen. Ein Impuls mit
einer Amplitude von z.B. +18 Volt und einer Impulsdauer von 2 Millisekunden wird vom Impulsgenerator 14 der Addierschaltung
20 zusammen mit einem Wechselspannungssignal .vom Wechselspannungsgenerator
15 zugeführt. Diese beiden Signale werden addiert und der Elektrode 11 zugeführt, so daß eine Ladungsinjektion in das
Dielektrikum 10 erfolgt. Hiermit wird die C-V-Kurve dieser Struktur solange nach rechts verschoben, bis sie deckungsgleich mit
der Kurve 6 2 in Fig. 3 ist. Hiermit wird eine neue Flachbandspannung
VFBPl eingestellt. Damit fließt ein Strom in den Ladungsinjektor 12. Hierdurch wiederum entsteht ein Spannungsanstieg
auf der Eingangsleitung 21 des Funktionsverstärkers 22. Gleich-
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zeitig setzt aber die negative Rückkopplung über den Kondensator
2 3 ein. Durch die Wirkung der negativen Rückkopplung wird das Eingangssignal auf der Eingangsleitung 21 des FunktionsVerstärkers
22 auf Erdpotential herabgedrückt, so daß der Funktionsverstärker
22 sein Eingangssignal integriert. Da der Kondensator 23 auf die
maximale Kapazität Co eingestellt worden ist, wie sie sich aus
dem C-V-Diagramm der Struktur ergibt, ist der weiterhin erforderliche Schaltungsaufwand relativ gering.
Das Integrationsausgangssignal des FunktionsVerstärkers 2 2 wird
nun über den phasenstarren Verstärker 27 und den Linerarverstärker
28 übertragen. Das Ausgangssignal des Linearverstärkers 28
wird dabei entsprechend der Verschiebung der C-V-Kurve der Struktur
geändert. Das hierbei entstehende Ausgangssignal des Linearverstärkers
28 wird über die Eingangsleitung 30 auf den zweiten Funktionsverstärker 31 übertragen. Da aber der Schalter 27 in
der Rückkopplung des zweiten FunktionsVerstärkers 31 geschlossen
ist, bleibt das Signal am Ausgang des zweiten FunktionsVerstärkers
31 auf Null. Der am Anzeigeanschluß 43 auftretende Ausgang
des Funktionsverstärkers" 22 im Ansprechen auf einen solchen
Impuls, ist aus der graphischen Darstellung nach Fig. 4A in Gestalt
der ausgezogenen Linie 70 zu ersehen, wenn die Ausgangsspannung am Anzeigeänschluß 43 als Funktion der Zeit aufgetragen
wird.
Nur beispielsweise sei angenommen, daß die Kurve 70 ein Ergebnis
im Ansprechen auf einen 18 Volt-Impuls darstellt, der während
einer Zeitdauer von 2 Millisekunden vom Impulsgenerator 14 der
Elektrode 11 zugeführt wird. ' ·
Demgemäß steigt zum Zeitpunkt TO die am Anzeigeanschluß 43 auftretendeSpannung
plötzlich an, wenn der Impuls der Struktur zugeführt wird. Zum Zeitpunkt Tl fällt der Impuls ab, so daß die
Ausgangsspannung, wie durch den Kurventeil-70a angedeutet, ebenfalls
abfällt. Aufgrund der eingefangenen Ladungen führt diese Ausgangsspannungsänderung nicht auf den Wert Null. Statt dessen
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BU 972 020
nimmt sie nach einem anfänglich raschen Abfall ziemlich langsam
ab. Zum Zeitpunkt T2 wird der Schalter 37 in der Rückkopplung des zweiten Funktionsverstärkers 31 geöffnet, so daß der Funktionsverstärker
31 nunmehr beginnt, das s-einem Eingang über Eingangsleitungen
30 zugeführte Signal zu integrieren; wobei dann ein Signalverlauf entsteht, wie er in Fig. 4B in Gestalt der
Kurve 71 gezeigt ist, die der Änderung der Flachbandspannung vom Wert Φ nach VFBPl, wie in Fig. 3 gezeigt, als Funktion der Zeit
entspricht. Diese Spannung wird der Elektrode 11 über die Addierschaltung 20 zugeführt, um so die Oberfläche des Ladungsinjektors
12 auf seine Anfangsbedingung zurückzubringen. Wird diese neue Flachbandspannung der Elektrode 11 zugeführt, dann wird auch das
Oberflächenpotential des LadungsInjektors 12 auf seinen Ursprungszustand
zurückgebracht. Damit wird die Ladungsänderung im Injektor
12 und in den festen Oberflächenzuständen an der Grenzfläche
zwischen Dielektrikum und Injektor 12 Null. Der steile Anstieg in der Kurve 70 zum Zeitpunkt T2 im Diagramm nach Fig. 4A entspricht
der Wirkung der neuen Flachbandspannung über Elektrode 11. Einige Zeit nach dem Zeitpunkt T2, nämlich zum Zeitpunkt T3,
wird die Spannung 73 an der AnZeigeklemme 43 gemessen. Dieser Meßwert ist direkt proportional der injizierten Ladungsänderung
<i>qi und umgekehrt proportional zur maximalen Kapazität Co. Gleichzeitig
wird die Flachbandspannung ebenfalls gemessen, wie durch (74) im Diagramm nach Fig. 4B angedeutet. Der Meßwert 74 wird
dann vom Meßwert 73 subtrahiert und das Ergebnis in Abhängigkeit vom Meßwert 74 in Form eines Punktes 75 im Diagramm nach Fig. 5
aufgetragen. Der Punkt 75 liegt dabei auf der Kurve 76.
Es versteht sich natürlichr daß der vom Impulsgenerator 14 zugeführte
Gleichspannungsimpuls jeweils mit hinreichend kleiner Amplitude und/oder Zeitdauer wirksam ist, so daß die Gleichstromkomponente
über den Isolator nicht zu einer bedeutsamen Fehlmessung beiträgt.
Die Schaltungsanordnung wird dann durch Schließen der Schalter
26 und 37 wieder zurückgestellt, indem gleichzeitig ein Impuls
BU 972 020 409823/08B5
der Struktur zugeführt wird, 'um die Flachbandspannung, wie oben
angegeben, auf den Wert Φ zurückzustellen.
Die Schaltungsanordnung ist nun für einen neuen Impuls zur
Wiederholung der oben beschriebenen Verfahrensschritte bereit.
Die gestrichelt gezeichnete Kurve 80 in Fig. 4A und die gestrichtelt
gezeichnete Kurve 81 in Fig. 4B ergeben sich bei Wiederholen der Verfahrensschritte mit einem Impuls gleicher
Amplitude jedoch unterschiedlicher Impulsdauer, wie z.B. 18 Volt-Amplitude
bei 5 Millisekunden Impulsdauer. Damit wird die C-V- ·
Kurve nach rechts bis zur Deckung mit Kurve 6 4 in Fig. 3 verschoben,
wobei dann eine Flachbandspannung mit dem Wert VFBP2 entsteht.
Wiederum zum Zeitpunkt TO wird der Impulsgenerator 14 an die Addierschaltung 20 angeschlossen, womit der Impuls zugeführt
wird. Zum Zeitpunkt TII fällt dieser Impuls größerer Impulsdauer
ab. Zum Zeitpunkt T2 wird der Schalter 37 wieder geöffnet
und zum Zeitpunkt >T3 erfolgt die Messung. Die Messung zu
diesem Zeitpunkt ist in Fig. 4A durch die Klammer 83 und in
Fig. 4B durch die Klammer 84 angedeutet. Hieraus ergibt sich ein
neuer Meßpunkt 87 auf der Kurve 76 im Diagramm nach Fig. 5.
Als Ergebnis entsteht im Diagramm nach Fig. 5 eine Kürvenschar,
wenn einer zu messenden Struktur verschiedene Impulsspannungen
unter unterschiedlichen Impulsdauern zugeführt werden. Demgemäß
entspricht Kurve 76 einer 18 Volt-Kurve, wohingegen Kurve 78 einer 16 Volt-Kurve und Kurve 79 einer 19 Volt-Kurve entspricht.
Der Ausgang der ersten Dividierschaltung 39 erhält eine Spannung
ΦνΡΒ, d.h. eine solche, die sich aus dem durch (74) dargestellten
Meßwert, dividiert durch den Wert -Φςΐ/οο ergibt, oder anders
ausgedrückt dem Meßwert 73 der Fig. 4A. Das bedeutet, daß für eine einzige dielektrische Schicht die Ausgangsspannung der
Dividierschaltung 39 dem Schwerpunkt der Verteilung der injizierten Ladung dividiert durch die Schichtdicke des Dielektrikums
entspricht.
4 0 9 8 2 3/ 08 55
BU 9 72 O2O : '
Ist die Polarität des von Impulsgenerator 14 der Elektrode 11 zugeführten Gleichspannungsimpulses negativ und von ausreichender
Amplitude, dann werden Elektronen von der Elektrode'in das Dielektrikum
injiziert. Besteht der Injektor 12 aus einem Halbleiter, dann werden Löcher hieraus injiziert.
Wird zum Zeitpunkt T2 der Schalter 37 geschlossen und gleichzeitig
die Oberfläche des Ladungsinjektors 12 auf ihren Ursprungszustand zurückgeführt, wie oben beschrieben, dann fällt die Ausgangsspannung
am Punkt 43 auf Null ab, um so anzuzeigen, daß die Ladungsinjektion vom Ladungsinjektor 12 nicht aufgetreten ist
und daß irgendeine in Erscheinung tretende Ladungsinjektion von
der Elektrode 11 stammen muß.
Steigt jedoch zu diesem Zeitpunkt T2 die Kurve nur geringfügig an,
dann wird eine Ladungsinjektion vom Ladungsinjektor 12 gemessen.
Fig. 6 zeigt eine Dielektrikumsdoppelschichtstruktur mit einer Elektrode 9O, die z.B. aus Aluminium besteht und auf der ersten
dielektrischen Schicht 91 aufliegt. Hierzu kann eine 500 S dicke Siliziumnitridschicht dienen, die ihrerseits eine zweite dielektrische
Schicht 9 2 trägt, die z.B. aus einer 25 8 starken SiIiziurndioxydschicht
besteht. Die zweite dielektrische Schicht 9 2 steht mit einem Ladungs injektor 93 in Verbindung, z.B. mit N-leitendem
Silizium.
Wird Ladung in eine solche Struktur injiziert, wie oben beschrieben,
dann verteilt sie sich im wesentlichen in der ersten dielektrischen Schicht 91. Eine mögliche Verteilung ist mit Kurve 95
angedeutet, deren Schwerpunkt durch die Linie 96 angezeigt ist.
Durch Heranführen des Schwerpunktes an die Grenzfläche 9 4 zwischen
den beiden dielektrischen Schichten läßt sich in vorteilhafter Weise die Dicke der zweiten dielektrischen Schicht 92
zerstörungsfrei mit beispielloser Genauigkeit messen.
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. 23591 8 A
Wie bereits erwähnt, lassen sich die durch die Klammern 73, 74,
83 und 84 erfaßten Meßwerte als Punkte 75 und 87 einer Kurve 76 (Fig. 5) angeben; wobei durch Auftragen einer hinreichenden
Anzahl solcher Punkte unter Anwenden verschiedener Spannungsamplituden
und Impulsdauern eine Kurvenschar zu ermitteln und darstellbar ist.
Werden Kurven in der Art nach Fig. 5 aufgetragen, dann ist zu
ersehen, daß die Kurve 76, die auf einem Ifi Volt-Impuls basiert,
steiler ansteigt als die Kurve ,79, die auf einem 19 Volt-Impuls
beruht. Noch stärker steigt die Kurve 90, der ein 20 Volt-Impuls zugrundeliegt. In dieser Kurvenschar stellt somit die 19 Volt-Impulskurve
79 den geringsten Anstieg dar. Tritt dies in einer dielektrischen Doppelstruktur nach Fig. 6 auf, dann zeigt dies
an, daß aufgrund dieser Spannungshöhe der Schwerpunkt der Spannungsverteilung
aufhört an der Grenzfläche 9 4 der beiden dielektrischen Schichten zu liegen. Jede Messung mit. dem Ziel, einen
Punkt auf der Kurve mit minimaler Steigung in einer Kurvenschar zu erhalten, veranlaßt den Ausgang der Dividierschaltung 45
einer Minimaisteigung zu entsprechen, so daß die Oxydschichtdicke
damit zu ermitteln ist, da sich die Dicke aus dem Minimalanstieg gemäß folgender Beziehung ergibt:,
T■'■ _ BEox /Sm J )
worin:
ox Co S +1
im /
T = Oxydschichtdicke
E = Dielektrizitätskonstante des Oxyds
ox
S = minimale Steigung
Co = gemessene Kapazität der Struktur
B = Fläche der Elektrode 11
Wie bereits oben erwähnt, entspricht für eine einzige dielektrische
Schicht die Ausgangsspannung an der Dividierschaltung
39 direkt der Lage des Ladungsschwerpunktes, wobei sie gleich-
BU »72 02O- 409823/0855
zeitig umgekehrt proportional der Schichtdicke des Dielektrikums
ist. Dies gilt iin wesentlichen auch für die dielektrische Doppelschichtstruktur, wo eine davon sehr dünn im Vergleich zur
anderen ist.
Bei dielektrischen Doppelschichtstrukturen ist es für sehr genaue
Messungen der Lage des Schwerpunktes der Ladungen, die vom Injektor injiziert sind^ mit Bezug auf die Elektrodenoberfläche erforderlich,
daß die Ausgangsspannung der Dividierschaltung 39
mit der Summe (1+S ) multipliziert wird. Dies erfolgt durch Einspeisen
der Ausgangsspannung der Dividierschaltung 39 in die Multiplizierschaltung 50, deren Multiplikationsfaktor mit Hilfe
des Servomechanismus 46 und der Spannungsquelle 4 7 so eingestellt ist, daß sich der Wert (1+S) ergibt. Die Ausgangsspannung der
Multiplizierschaltung 50 stellt so die Lage des Schwerpunktes
der injizierten Ladung relativ zur Elektrode 90, dividiert durch die Dicke der Nitridschicht dar: d.h. X/t
worin:
X = Schwerpunktlage
t = Dicke der Siliziumnitridschicht η
Es läßt sich zeigen, daß gilt:
t = (l/s ) (E /E ) τ
η m η οχ οχ
η m η οχ οχ
worin:
E = Dielektrizitätskonstante des Siliziumnitrids
η
Auf diese Weise läßt sich die Schwerpunktslage X ermitteln.
Es versteht sich von selbst, daß sich ohne weiteres auch andere Dielektrika als diejenigen, wie sie oben namentlich aufgeführt
sind, verwenden lassen.
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BAD ORiGiISfAL
Claims (6)
1./ Schaltungsanordnung zur Messung der effekt!yen Ladung
mit Hilfe eines CV-Diagramins in einem Bauelement,
bestehend aus einem zwischen einem Halbleiter und
einer Elektrode eingebetteten Dielektrikum durch Anlegen einer langsam nach Art einer Sägezahnspannung
sich ändernden Gleichspannung, der zur ständigen Umladung des Dielektrikums eine Wechselspannung kleiner, jedoch gleichbleibender Amplitude überlagert
ist, so daß eine zum durch das Dielektrikum bestimmten
Kapazitätswert proportionale Spannung aus. der auf tretendenLadungsänderung
mit Hilfe eines Integrators ableitbar ist,
dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrode (11) des
Bauelementes (9) am Ausgang einer Mischschaltung (20) liegt, deren erster Eingang wahlweise an einen Sägezahngenerator (18) oder an einen Impulsgenerator (14)
anschließbar ist und. deren zweiter Eingang mit dem Wechselspannungsgenerator (15) verbunden ist, daß der
Halbleiter (12) des Bauelementes (9) mit einem durch einen veränderbaren Kondensator (23) überbrückten
ersten Funktionsverstärker {22) als Integrator verbunden
ist, der seinerseits an einen phasenstarren Verstärker
(27) angeschlossen ist, dessen Ausgang proportional der durch die Sägezahnspannung geänderten Kapazität
des Bauelementes (9) ist, und daß der phasenstarre Verstärker (27) über einen durch einen Kondensator (34)
.überbrückten zweiten Funktionsverstärker (31) als Integrator
, dessen Eingang andererseits mit einer Gegenspannung
.beaufschlagbar ist, so daß dessen Ausgang auf
Null einstellbar ist, mit einem dritten Eingang der Mischschaltung (20.) gekoppelt ist. . ■
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BU 972 020
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch, gekennzeichnet, daß
die Integratoren (31, 34 unä 22, 23} jeweils mit «einem
abschaltbaren Widerstand (36 bzw. 26) zur Verhinderung
der Integratorsättigung parallel geschaltet sind.
3. Anordnung nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß dem Eingang des Integrators (31, 34) mit dem zweiten Funktionsverstärker (31) ein Linearverstärker
(28) vorgeschaltet ist»
4. Anordnung mindestens nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, -daß dem Ausgang des Integrators mit dem ersten
Funktionsverstärker (22) zusätzlich eine invertierende Mischschaltung (41) nachgeschaltet, deren Ausgang (43)
zur Anzeige der Ladungsänderung dient, und deren zweiter
Eingang am Ausgang eines dritten FunktionsVerstärkers
(42) liegt, dessen Eingang mit einer auf am Ausgang des
ersten Funktionsverstärkers (22) festgestellte Äbleitströme
jeweils abgleichbaren Gleichspannung beaufschlagbar ist.
5. Anordnung nach Anspruch 1 oder Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,
daß der Ausgang der invertierenden Mischschaltung (41) mit dem Divisoreingang einer ersten
Dividierschaltung (39) verbunden ist, dessen Dividendeneingang am Ausgang des Integrators mit dem zweiten Funktionsverstärker
(31) liegt.
6. Anordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Ausgang der ersten Dividierschaltung (39) am ersten
Eingang einer Multi£3lizierschaltung (5O) liegt, deren
zweiter Eingang am Ausgang einer variablen Gleichspannungsquelle
, (47) liegt, die eine dem Ausgang einer zweiten Dividierschaltung (45) proportionale Spannung abgibt,
wobei der erste Eingang der Dividierschaltung (4.5)
409823/0855
3U 972 020
an den Ausgang des Integrators mit dem zweiten Funktionsverstärker (31) angeschlossen und der zweite Eingang am
Ausgang einer zweiten Ilischschaltung (38) liegt, deren ersten Eingang mit dem Ausgang der invertierenden Mischschaltung
(41) und deren zweiter Eingang ebenfalls mit dem Ausgang' des Integrators mit dem zweiten Funktionsverstärker (31) verbunden ist.
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Leerseite
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