DE602004004621T2 - Spannungsgesteuerter Oszillator für einen Frequenzsynthetisierer - Google Patents

Spannungsgesteuerter Oszillator für einen Frequenzsynthetisierer Download PDF

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  • Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • 1. Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen spannungsgesteuerten Oszillator.
  • 2. Beschreibung des einschlägigen Standes der Technik
  • Ein herkömmlicher Frequenzsynthesizer, der von einem spannungsgesteuerten Oszillator Gebrauch macht, beinhaltet einen Referenzoszillator 1, einen Frequenzteiler 5 zum Teilen einer Frequenz durch M (f0/M), so dass eine Schwingungsfrequenz f0 eines spannungsgesteuerten Oszillators 4 gleich einer Schwingungsfrequenz fr des Referenzoszillators 1 ist, einen Phasenkomparator 2 zum Vergleichen der Ausgangsphase des Referenzoszillators 1 mit der Ausgangsphase des Frequenzteilers 5 zum Detektieren einer Phasendifferenz, sowie ein Tiefpassfilter 3 zum Entfernen von unnötigen harmonischen Wellenkomponenten bzw. Oberwellenkomponenten, die in dem Ausgangssignal des Phasenkomparators 2 enthalten sind, wie dies in 5 dargestellt ist.
  • Bei einem derartigen Aufbau wird eine Rückkopplungsfunktion ausgeführt, damit die Phasendifferenz zwischen fr und f0/M stets Null wird, und die Ausgangsphase des spannungsgesteuerten Oszillators 4 ist mit der Ausgangsphase des Referenzoszillators 1 synchronisiert, um dadurch eine Schwingung mit hoher Stabilität nach Maßgabe der Phasengenauigkeit des Referenzoszillators 1 zu erzielen.
  • Bei dem herkömmlichen Beispiel werden die harmonischen Wellenkomponenten (2f0, 3f0, ...) einer hohen Ordnung sowie eine Grundwellenkomponente f0 gleichzeitig von dem spannungsgesteuerten Oszillator 4 abgegeben. Daher wählt ein Bandpassfilter 6 die Grundwelle, und ein Multiplizierer 7 multipliziert das Ausgangssignal des Bandpassfilters 6 mit N, um dadurch eine gewünschte Schwinungsfrequenz N × fo zu erzielen (s. z.B. die ungeprüfte japanische Patentanmeldung mit Veröffentlichungsnr. 10-126262 (5).
  • Bei dem herkömmlichen Aufbau gibt der spannungsgesteuerte Oszillator die Grundwelle und die harmonische Welle nur an seinem einen Ausgangsanschluss ab und schwingt mit einer Frequenz, die niedriger ist als eine vorbestimmte Frequenz. Auch erzeugt der Multiplizierer ein Schwingungssignal mit einer gewünschten Frequenz unter Verwendung der von dem spannungsgesteuerten Oszillator abgegebenen Grundwelle. Aus diesem Grund sind das Bandpassfilter und der Multiplizierer erforderlich. Als Ergebnis hiervon wird der Aufbau des Frequenzsynthesizers kompliziert, und eine Miniaturisierung von diesem lässt sich somit nicht erzielen.
  • In der GB 925 395 A ist ein kristall-gesteuerter Oszillator unter Verwendung von Flächentransistoren beschrieben, wobei der Oszillator eine Schaltung vorsieht, die unter Verwendung von Flächentransistoren zum Abgeben von relativ hoher Leistung in der Lage ist. Ferner ist eine derartige Schaltung in einfacher Weise für den Betrieb über einen großen, breiten Bereich von Frequenzen adaptierbar und verwendet einen Kristall in ihrem optimalen oberen Betriebsbereich. Der Oszillator weist einen oszillierenden Transistor und Induktivitätselemente auf, die zwischen einem Ausgangsanschluss des oszillierenden Transistors und einem Masseanschluss in Reihe geschaltet sind. Ein oszillierendes Signal wird mit einer Harmonischen der grundlegenden Oszillatorfrequenz von dem Verzweigungspunkt zwischen den Induktivitätselementen abgegeben.
  • Die US 5 263 197 A ist auf einen Oszillator mit zwei Anschlüssen für einen zweistufigen Empfänger mit direkter Umwandlung gerichtet, der einen ersten Mischer, einen zweiten Mischer und eine Einzelstufe aufweist, wobei der Oszillator mit zwei Anschlüssen frequenzmäßig kohärente Signale sowohl für den ersten als auch für den zweiten Mischer schafft. Zu diesem Zweck hat der Oszillator eine Verstärkungsvorrichtung, wie z.B. einen Transistor, der mit drei Resonanzkreisen verbunden ist. Von dem einen Anschluss der Verstärkungsvorrichtung wird ein oszillierendes Signal mit einer Grundfrequenz ausgegeben, wäh rend von einem anderen Anschluss der Verstärkungsvorrichtung eine harmonische Frequenz ausgegeben wird.
  • Die EP 1 056 192 A2 ist auf einen Funk-Empfänger gerichtet, insbesondere auf einen Empfänger zur Verwendung bei Anwendungen mit fester Frequenz, sowie auf einen Frequenzgenerator, der bei einem solchen Funk-Empfänger verwendbar ist. Der Frequenzgenerator weist einen Einzeltransistor-Oszillator auf, der derart ausgebildet ist, dass ein Signal mit einer Grundfrequenz an dem ersten Ausgangsanschluss des Transistors erscheint. Ein reaktives Schaltungselement ist mit dem Transistor derart verbunden, dass ein Signal mit einer zweiten Frequenz an einem zweiten Ausgangsanschluss des gleichen Transistors erscheint, wobei es sich bei der zweiten Frequenz um ein Mehrfaches der Grundfrequenz handelt.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Ein Ziel der vorliegenden Erfindung besteht somit in der Schaffung eines spannungsgesteuerten Oszillators, der in der Lage ist, den Aufbau eines Frequenzsynthesizers zu vereinfachen.
  • Zum Erreichen des vorstehend geschilderten Ziels schafft die vorliegende Erfindung eines spannungsgesteuerten Oszillator, wie er im Anspruch 1 beansprucht ist. Bevorzugte Merkmale sind in den Unteransprüchen angegeben.
  • Gemäß einem Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung weist ein spannungsgesteuerter Oszillator Folgendes auf: einen oszillierenden Transistor; und ein erstes und zweites Induktivitätselement, welche in Reihe geschaltet sind und zwischen einem Ausgangsanschluss des oszillierenden Transistors und einem Hochfrequenz-Massepunkt vorgesehen sind, wobei oszillierende Signale von dem Ausgangsanschluss des oszillierenden Transistors bzw. einem Verbindungsknoten zwischen dem ersten Induktivitätselement und dem zweiten Induktivitäts-Element ausgegeben werden. Somit kann der Ausgangsanschluss des oszillierenden Transistors eine Grundwelle mit einem hohen Pegel ausgeben, und der Verbindungsknoten zwischen den beiden Induktivitätselemente kann eine harmonische Welle unter Unterdrückung der Grundwelle ausgeben.
  • Auf diese Weise kann der spannungsgesteuerte Oszillator in stabiler Weise mit der Grundwelle schwingen, und die harmonische Welle kann als gewünschtes oszillierendes Signal verwendet werden.
  • Ferner ist ein Pufferverstärker zur Verstärkung des oszillierenden Signals vorgesehen, und der Verbindungsknoten zwischen dem ersten Induktivitätselement und dem zweiten Induktivitätselement ist mit einem Eingangsanschluss des Pufferverstärkers gekoppelt. Auf diese Weise kann der Pegel der gewünschten Oberwelle erhöht werden.
  • Ferner ist der Hochfrequenz-Massepunkt ein Energieversorgungsanschluss, und der Ausgangsanschluss des oszillierenden Transistors ist ein Kollektor. Eine Energieversorgungsspannung wird von dem Energieversorgungsanschluss an den Kollektor des oszillierenden Transistors über das erste und zweite Induktivitätselement angelegt. Auf diese Weise lässt sich ein spannungsgesteuerter Oszillator vom Kollektor-Masse-Typ schaffen.
  • Weiterhin weist der Pufferverstärker einen verstärkenden Transistor auf, dessen Emitter mit Masse verbunden ist, und ein Kollektor des verstärkenden Transistors ist mit einer Spannung von dem Emitter des oszillierenden Transistors beaufschlagt. Auf diese Weise kann die harmonische Welle ohne Erhöhung des Stromverbrauchs verstärkt werden.
  • Gemäß einem weiteren Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung ist das erste Induktivitätselement an der Seite des Hochfrequenz-Massepunkts vorgesehen, und das zweite Induktivitätselement ist an der Seite des Ausgangsanschlusses des oszillierenden Transistors vorgesehen. Ein Parallel-Resonanzkreis ist gebildet, indem ein erstes kapazitives Element mit dem ersten Induktivitätselement parallel verbunden wird, und die Parallel-Resonanzschaltung schwingt mit der Frequenz einer spezifischen harmonischen Welle, die in dem ersten oszillierenden Signal enthalten ist. Auf diese Weise kann lediglich eine spezifische harmonische Welle in effizienter Weise ausgegeben werden.
  • Ferner sind gemäß einem weiteren Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung das erste Induktivitätselement an der Seite des Hochfrequenz-Massepunkts vorgesehen und das zweite Induktivitätselement an der Seite des Ausgangsanschlusses des oszillierenden Transistors vorgesehen. Ein zweites kapazitives Element ist parallel zu dem zweiten Induktivitätselement geschaltet. Auf diese Weise kann der Pegel der an dem zweiten Ausgangsanschluss abgegebenen harmonischen Welle erhöht werden.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • In den Zeichnungen zeigen:
  • 1 ein Schaltbild eines Frequenzsynthesizers, der einen spannungsgesteuerten Oszillator gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet;
  • 2 ein Schaltbild unter Darstellung des Aufbaus des spannungsgesteuerten Oszillators gemäß der vorliegenden Erfindung;
  • 3 ein Schaltbild unter Darstellung des Aufbaus des spannungsgesteuerten Oszillators gemäß der vorliegenden Erfindung;
  • 4 ein Schaltbild unter Darstellung des Aufbaus des spannungsgesteuerten Oszillators gemäß der vorliegenden Erfindung; und
  • 5 ein Schaltbild eines herkömmlichen Frequenzsynthesizers.
  • BESCHREIBUNG DES BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELS
  • Ein Frequenzsynthesizer, der von einem spannungsgesteuerten Oszillator gemäß der vorliegenden Erfindung Gebrauch macht, wird unter Bezugnahme auf die 1 bis 3 erläutert. Als erstes besitzt der Frequenzsynthesizer einen Referenzoszillator 1, einen Frequenzteiler 5 zum Teilen einer Frequenz durch M (f0/M), so dass eine grundlegende Schwingungsfrequenz f0 eines spannungsgesteuerten Oszillators 8 gleich einer Schwingungsfrequenz fr des Referenzoszillators 1 ist, einen Phasenkomparator 2 zum Vergleichen der Ausgangsphase des Referenzoszillators 1 mit der Ausgangsphase des Frequenzteilers 5 zum Detektieren einer dazwischen vorhandenen Differenz, sowie ein Tiefpassfilter 3 zum Entfernen von unnötigen harmonischen Wellenkomponenten, die in dem Ausgangssignal des Phasenkomparators 2 enthalten sind.
  • Bei einem derartigen Aufbau wird eine Rückkopplungsfunktion in einer derartigen Weise ausgeführt, dass die Phasendifferenz zwischen den Frequenzen fr und f0/M stets Null wird, und die Ausgangsphase der Grundwelle von dem spannungsgesteuerten Oszillator 8 wird mit der Ausgangsphase des Referenzoszillators 1 synchronisiert, um dadurch eine Schwingung mit hoher Stabilität nach Maßgabe der Phasengenauigkeit des Referenzoszillators 1 zu erzielen.
  • Wie in 2 gezeigt ist, weist der spannungsgesteuerte Oszillator 8 einen oszillierenden Transistor 8a, einen Resonanzkreis 8b, der mit einer Basis des oszillierenden Transistors 8a verbunden ist, sowie zwei in Reihe geschaltete Induktivitätselemente 8c und 8d auf, die zwischen einem einen Ausgangsanschluss bildenden Kollektor des oszillierenden Transistors 8a und einem Energieversorgungsanschluss Vcc vorgesehen sind, bei dem es sich um einen Hochfrequenz-Massepunkt handelt. Das erste Induktivitätselement 8c ist an der Seite des Energieversorgungsanschlusses Vcc vorgesehen, und das zweite Induktivitätselement 8d ist an der Seite des Kollektors vorgesehen. Ferner wird der Kollektor zu einem ersten Ausgangsanschluss, und ein Verbindungsknoten der beiden Induktivitätselemente 8c und 8d wird zu einem zweiten Ausgangsanschluss. Somit ist der erste Ausgangsanschluss mit dem Frequenzteiler 5 verbunden. Auch sind die Induktivitätswerte der beiden in Reihe geschalteten Induktivitätselemente 8c und 8d derart gewählt, dass der oszillierende Transistor 8a bei dem Kollektor-Masse-Typ schwingen kann.
  • Bei dem vorstehend beschriebenen Aufbau beinhaltet das oszillierende Signal, das von dem Kollektor abgegeben wird, der den ersten Ausgangsanschluss bildet, die harmonische Welle zusätzlich zu der Grundwelle. Gegenüber dem Pegel der Grundwellenkomponente wird jedoch der Pegel der harmonischen Wellenkomponente mit steigender Ordnung der harmonischen Welle allmählich geringer. Außerdem beinhaltet das oszillierende Signal, das von dem Verbindungsknoten der beiden Induktivitätselemente 8c und 8d abgegeben wird, bei dem es sich um den zweiten Ausgangsanschluss handelt, ebenfalls die harmonische Welle zusätzlich zu der Grundwellenkomponente, jedoch ist die Impe danz des ersten Induktivitätselements 8c gegenüber der Grundwelle vermindert und gegenüber der harmonischen Welle erhöht. Daher wird die Abgabe der Grundwellenkomponente von dem zweiten Ausgangsanschluss unterdrückt, und somit lässt sich die harmonische Wellenkomponente in effizienter Weise erzielen. Durch angemessenes Vorgeben des Verhältnisses zwischen den Induktivitätswerten des ersten Induktivitätselements 8c und des zweiten Induktivitätselements 8d kann somit der Pegel der harmonischen Welle einer Ziel-Ordnung gegenüber den anderen angehoben werden.
  • Auf diese Weise schwingt der spannungsgesteuerte Oszillator 8 in stabiler Weise mit einer niedrigeren Frequenz als der gewünschten Frequenz, und somit kann die von dem spannungsgesteuerten Oszillator abgegebene harmonische Welle als gewünschtes oszillierendes Signal verwendet werden.
  • Wie ferner in 3 gezeigt ist, lässt sich bei Ausbildung eines Parallel-Resonanzkreises durch paralleles Verbinden eines ersten kapazitiven Elements 8e mit dem ersten Induktivitätselement 8c sowie bei gleicher Resonanzfrequenz mit der Frequenz der die gewünschte Ordnung aufweisenden harmonischen Wellenkomponente ausschließlich die harmonische Wellenkomponente in effizienter Weise erzielen. Durch paralleles Verbinden eines zweiten kapazitiven Elements 8f mit dem zweiten Induktivitätselement 8d kann ferner der Pegel der von dem zweiten Ausgangsanschluss abgegebenen harmonischen Welle erhöht werden.
  • In 4 ist ein Pufferverstärker 9 zum Verstärken der harmonischen Wellenkomponente vorgesehen, wobei ein Emitter eines verstärkenden Transistors 9a mit Masse verbunden ist und ein Kollektor von diesem mit dem Emitter des oszillierenden Transistors 8a über ein Induktivitätselement 9b verbunden ist, um die harmonische Welle zu verhindern. Auf diese Weise kann ein üblicher Kollektorstrom abgegeben werden. Auch wird die verstärkte harmonische Wellenkomponente von dem Kollektor abgegeben.

Claims (3)

  1. Spannungsgesteuerter Oszillator, umfassend: einen oszillierenden Transistor (8a); und ein erstes und zweites Induktivitätselement (8c, 8d), welche in Reihe geschaltet sind und zwischen einem Ausgangsanschluss des oszillierenden Transistors und einem Hochfrequenz-Massepunkt (Vcc) vorgesehen sind, wobei ein erstes und zweites oszillierendes Signal von dem Ausgangsanschluss des oszillierenden Transistors (8a) bzw. einem Verbindungsknoten zwischen dem ersten Induktivitätselement und dem zweiten Induktivitäts-Element (8c, 8d) ausgegeben werden, wobei ein Pufferverstärker (9) zur Verstärkung des zweiten oszillierenden Signals vorgesehen ist, und der Verbindungsknoten zwischen dem ersten Induktivitätselement und dem zweiten Induktivitätselement (8c, 8d) mit einem Eingangsanschluss des Pufferverstärkers gekoppelt ist, wobei der Hochfrequenz-Massepunkt (Vcc) ein Energieversorgungsanschluss ist, der Ausgangsanschluss des oszillierenden Transistors (8a) ein Kollektor ist, und eine Energieversorgungsspannung von dem Energieversorgungsanschluss (Vcc) an den Kollektor des oszillierenden Transistors (8a) über das erste und zweite Induktivitätselement (8c, 8d) angelegt wird, wobei der Pufferverstärker (9) einen verstärkenden Transistor (9a) aufweist, dessen Emitter masseverbunden ist, und wobei ein Kollektor des verstärkenden Transistors mit einer Spannung von dem Emitter des oszillierenden Transistors (8a) beaufschlagt ist.
  2. Spannungsgesteuerter Oszillator nach Anspruch 1, wobei das erste Induktivitätselement (8c) an der Seite des Hochfrequenz-Massepunkts (Vcc) vorgesehen ist, das zweite Induktivitätselement (8d) an der Seite des Ausgangsanschlusses des oszillierenden Transistors (8a) vorgesehen ist, ein Parallel-Resonanzkreis aufgebaut ist, indem ein erstes kapazitives Element (8e) mit dem ersten Induktivitätselement (8c) parallel verbunden wird, und die Parallel-Resonanzschaltung mit der Frequenz einer spezifischen harmonischen Welle schwingt, die in dem ersten oszillierenden Signal enthalten ist.
  3. Spannungsgesteuerter Oszillator nach Anspruch 1, wobei das erste Induktivitätselement (8c) an der Seite des Hochfrequenz-Massepunkts (Vcc) vorgesehen ist, das zweite Induktivitätselement (8d) an der Seite des Ausgangsanschlusses des oszillierenden Transistors (8a) vorgesehen ist, und ein zweites kapazitives Element (8f) parallel zu dem zweiten Induktivitätselement (8d) geschaltet ist.
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