DE10065364A1 - Spannungsgesteuerter Oszillator und Kommunikationsvorrichtung unter Verwendung desselben - Google Patents

Abstract

Eine spannungsgesteuerte Oszillatorschaltung ist auf jeweiligen Schichten eines keramischen Mehrschichtsubstrats gebildet, wobei eine asymmetrische Übertragungsleitung und eine symmetrische Übertragungsleitung vorgesehen sind, so daß eine vorbestimmte Keramikschicht zwischen denselben angeordnet ist, wodurch eine Asymmetrie-Symmetrie-Umwandlungsschaltung aufgrund der gegenseitigen induktiven Kopplung zwischen den Übertragungsleitungen gebildet ist.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen spannungsge­ steuerten Oszillator zur Verwendung in einer Kommunikationsvor­ richtung und eine Kommunikationsvorrichtung unter Verwendung desselben.

Eine PLL-Schaltung (PLL = phase-locked loop = Phasenregel­ schleife), die einen spannungsgesteuerten Oszillator enthält, in einer Lokaloszillatorschaltung ist beispielsweise in einer Kommunikationsvorrichtung gebildet, wie z. B. einem Endgerät, einem Sendeempfangsgerät oder dergleichen, beispielsweise in einem mobilen Kommunikationssystem, wie z. B. tragbaren Telefo­ nen und dergleichen.

Fig. 8 zeigt ein Beispiel eines herkömmlichen spannungsge­ steuerten Oszillators. Gemäß Fig. 8 umfaßt ein herkömmlicher spannungsgesteuerter Oszillator einen Transistor Tr2, Wider­ stände, die mit dem Transistor Tr2 verbunden sind, Kondensato­ ren, einen Resonator, eine Diode VD mit variabler Kapazität, die ein Element mit spannungsabhängiger variabler Reaktanz ist, und dergleichen. Das Oszillatorsignal derselben wird von einer Pufferstufe, die einen Transistor Tr1 aufweist, über einen Kon­ densator C2 ausgegeben. Die Schwingfrequenz ändert sich mit ei­ ner elektrostatischen Kapazität der Diode VD mit variabler Ka­ pazität, die sich entsprechend einer Steuerspannung, die an ei­ nen Steueranschluß angelegt wird, ändert.

Um Effekte einer unerwünschten Strahlung von der Hochfrequenz­ schaltung und äußerem Rauschen zu unterdrücken, wird in einer Hochfrequenzschaltung im allgemeinen ein Hochfrequenzsignal in einem symmetrischen Signalmodus betrieben, da dieses Verfahren exzellente Merkmale dahingehend aufweist, daß zwei Signallei­ tungen, die Übertragungsleitungen für symmetrische Signal sind, in gleicher Weise externes Rauschen empfangen, so daß kein Rau­ schen des symmetrischen Modus erzeugt wird und sich ferner Sig­ nale, die von den zwei Signalleitungen nach außen abgestrahlt werden, auslöschen.

Solche symmetrischen Signale können erzeugt werden, indem ein asymmetrisches Signal in zwei Teile geteilt wird und die Phase des einen Signals bezüglich der des anderen Signals um 180° verschoben wird. Hinsichtlich eines Verfahrens zum Invertieren der Phase ist eine Emitterfolgerschaltung vorgesehen, wobei ein Signal in die Basis des Transistors eingegeben und von dem Emitter ausgegeben wird. Selbst wenn jedoch eine Emitterfolger­ schaltung vorgesehen ist, die in einem Frequenzband von 800 MHz oder darüber arbeitet, das bei einem mobilen Kommunikationssys­ tem oder dergleichen verwendet wird, ist es aufgrund von Ef­ fekten der inneren parasitären Kapazität und der parasitären Induktivität des Transistors schwierig, die Phase in der Emit­ terfolgerschaltung um exakt 180° zu verschieben.

Wenn ein Ausgangssignal von einem herkömmlichen spannungsge­ steuerten Oszillator, wie er in Fig. 8 gezeigt ist, als ein asymmetrisches Signal verarbeitet wird, war es notwendig, das asymmetrische Signal über einen Asymmetrie-Symmetrie-Wandler, der einen Balun-Transformator oder dergleichen aufweist, in symmetrische Signale umzuwandeln.

Folglich ist der Asymmetrie-Symmetrie-Wandler, der einen Ba­ lun-Transformator oder dergleichen aufweist, zusätzlich zu ei­ nem Modul mit spannungsgesteuertem Oszillator in einem Hochfre­ quenz-Schaltungsabschnitt angeordnet. Somit ist ungünstigerwei­ se die Anzahl von Teilen erhöht, wobei ferner die Fläche, die durch den Hochfrequenz-Schaltungsabschnitt auf der Hauptplatine einer Kommunikationsvorrichtung besetzt ist, erhöht ist, was die Größe der gesamten Vorrichtung erhöht.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, einen spannungsgesteuerten Oszillator mit symmetrischen Ausgangssi­ gnalen und einer geringen Größe zu schaffen.

Diese Aufgabe wird durch spannungsgesteuerte Oszillatoren nach den Ansprüchen 1 und 2 gelöst.

Die vorliegende Erfindung schafft einen spannungsgesteuerten Oszillator, der eine Oszillatorschaltung aufweist, die ein ak­ tives Element und ein Element mit spannungsabhängig variabler Reaktanz aufweist, die auf einem keramischen Mehrschichtsub­ strat vorgesehen sind, wobei eine Asymmetrie-Symmetrie-Umwand­ lungsschaltung auf der oberen Fläche des keramischen Mehr­ schichtsubstrats vorgesehen ist. Dadurch kann der spannungsge­ steuerte Oszillator, der aus dem keramischen Mehrschichtsub­ strat besteht und symmetrische Oszillatorsignale ausgibt, als ein einzelnes Bauteil vorgesehen sein.

Ferner schafft die vorliegende Erfindung einen spannungsge­ steuerten Oszillator, der eine Oszillatorschaltung, die ein ak­ tives Element und ein Element mit spannungsabhängig variabler Reaktanz, die auf einem keramischen Mehrschichtsubstrat vorge­ sehen sind, umfaßt, und eine Asymmetrie-Symmetrie-Umwandlungs­ schaltung aufweist, die aus Übertragungsleitungen besteht, zwi­ schen denen eine vorbestimmte Keramikschicht des keramischen Mehrschichtsubstrats angeordnet ist. Dadurch ist die vorbe­ stimmte Schicht des keramischen Mehrschichtsubstrats als der Asymmetria-Symmetrie-Wandler wirksam. Bei dem spannungsge­ steuerten Oszillator mit der oben beschriebenen Konfiguration ist kein Asymmetrie-Symmetrie-Umwandlungselement auf der Kompo­ nentenbefestigungsoberfläche des keramischen Mehrschichtsub­ strats befestigt. Somit ist es nicht notwendig, den Befesti­ gungsbereich für das Asymmetrie-Symmetrie-Umwandlungselement zu reservieren. Somit kann eine erhöhte Größe des Bauteils vermie­ den werden.

Bei dem spannungsgesteuerten Oszillator der vorliegenden Erfin­ dung sind mehrere Sätze der Oszillatorschaltung und der Asymme­ trie-Symmetrie-Umwandlungsschaltung, entsprechend jeder Fre­ quenz, auf dem keramischen Mehrschichtsubstrat vorgesehen.

Ein herkömmlicher spannungsgesteuerter Oszillator ist mit einem einzelnen Oszillatorausgangssignalanschluß versehen. Bei der Konfiguration gemäß der vorliegenden Erfindung können anderer­ seits Oszillatorsignale entsprechend Frequenzbändern an einem symmetrischen Ausgang geliefert werden.

Die Kommunikationsvorrichtung der vorliegenden Erfindung ist durch die Verwendung des spannunsgesteuerten Oszillators mit einer der oben beschriebenen Konfigurationen gebildet, bei­ spielsweise durch das Vorsehen einer PLL-Schaltung, die eine Lokaloszillatorschaltung ist, und dergleichen.

Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung wer­ den nachfolgend bezugnehmend auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 eine auseinandergezogene perspektivische Ansicht eines spannungsgesteuerten Oszillators gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;

Fig. 2 ein Schaltungsdiagramm des spannungsgesteuerten Oszil­ lators;

Fig. 3 ein Signalverlaufsdiagramm am Ausgang des spannungsge­ steuerten Oszillators;

Fig. 4 eine auseinandergezogene perspektivische Ansicht, die die Konfiguration eines spannungsgesteuerten Oszilla­ tors gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiels der vor­ liegenden Erfindung zeigt;

Fig. 5 eine perspektivische Ansicht, die das Erscheinungsbild eines spannungsgesteuerten Oszillators gemäß einem dritten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung zeigt;

Fig. 6 eine perspektivische Ansicht, die das Erscheinungsbild eines spannungsgesteuerten Oszillators gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;

Fig. 7 eine perspektivische Ansicht, die das Erscheinungsbild eines spannungsgesteuerten Oszillators gemäß einem fünften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt; und

Fig. 8 ein Schaltungsdiagramm eines herkömmlichen spannungsge­ steuerten Oszillators.

Die Konfiguration eines spannungsgesteuerten Oszillators gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel wird bezugnehmend auf die Fig. 1 bis 3 beschrieben.

Fig. 1 ist eine auseinandergezogene perspektivische Ansicht, die ein Elektrodenmuster usw. auf jeder Schicht eines kerami­ schen Mehrschichtsubstrats, das den spannungsgesteuerten Oszil­ lator bildet, zeigt. Die obere Fläche der obersten Schicht, die in Fig. 1A gezeigt ist, ist eine Komponentenbefestigungsober­ fläche. Ein Widerstand, ein Kondensator, eine Diode mit variab­ ler Kapazität und eine Chipkomponente, beispielsweise ein Tran­ sistor oder dergleichen, die nicht innerhalb des keramischen Mehrschichtsubstrats vorzusehen sind, sind unter Verwendung ei­ ner Oberflächenbefestigungstechnik befestigt. In den Fig. 1B und 1D sind Masseelektroden (GND-Elektroden) vorgesehen. Auf der Schicht, die in Fig. 1C gezeigt ist, sind zwischen den Schichten der Fig. 1B und 1D eine Übertragungsleitung als ein Resonator und eine Leistungsversorgungsleitung vorgesehen. Die Übertragungsleitung als ein Resonator und die obere und untere GND-Elektrode bilden einen Streifenleitungsresonator. Eine asymmetrische Übertragungsleitung ist auf der Schicht, die in Fig. 1E gezeigt ist, vorgesehen, während eine symmetrische Übertragungsleitung auf der Schicht, die in Fig. 1F gezeigt ist, vorgesehen ist. Eine GND-Elektrode ist auf der gesamten Fläche der Rückseite der Schicht, die in Fig. 1F gezeigt ist, vorgesehen, mit Ausnahme eines Anschlußelektroden-Bildungsab­ schnitts. Folglich liegen die asymmetrische Übertragungsleitung und symmetrische Übertragungsleitung einander gegenüber und bilden einen planaren Balun-Transformator.

Fig. 2 ist ein Schaltungsdiagramm des spannungsgesteuerten Os­ zillators dieses Ausführungsbeispiels. Eine Oszillatorstufe, die eine modifizierte Colpitts-Oszillator-Schaltung aufweist, die von einer durchgezogenen Linie umrandet ist, ist in dem Schaltungsdiagramm von Fig. 2 gezeigt. Der Hauptteil der Oszil­ latorschaltung umfaßt Kondensatoren C6, C7, C8, C9 und C10, ei­ ne Diode VD mit variabler Kapazität, einen Resonator, der aus den oben beschriebenen Mikrostreifenleitungen gebildet ist, und einen Transistor Tr2. Widerstände R1, R2 und R3 bilden eine Ba­ sis-Vorspannungsschaltung für die Transistoren Tr1 und Tr2. Mittels eines Ableitkondensators C4 ist der Kollektor des Tran­ sistor Tr2 hochfrequenzmäßig geerdet, weshalb der Kondensator C6 äquivalent zwischen den Kollektor-Emitter des Transistors Tr2 geschaltet ist. Von dem Steueranschluß wird über die Strei­ fenleitung, die in dem oben beschriebenen Mehrschichtsubstrat gebildet ist, eine Steuerspannung an die Diode VD mit variabler Kapazität angelegt. Die elektrostatische Kapazität variiert entsprechend der Steuerspannung, was die Oszillatorfrequenz än­ dert. Der Transistor Tr1 umfaßt eine Pufferstufe. Eine Versor­ gungsspannung wird über einen Induktor, der aus der Streifen­ leitung, die in dem keramischen Mehrschichtsubstrat vorgesehen ist, gebildet ist, an den Kollektor des Transistors Tr1 ange­ legt. Ein Kondensator C5 ist zwischen den Emitter des Transis­ tors Tr2 und die Basis des Transistors Tr1 geschaltet. Ein asymmetrisches Signal wird von dem Kollektor von Tr1 über einen Kondensator zu der asymmetrischen Übertragungsleitung gelie­ fert. Ferner sind Hochfrequenz-Ableitkondensatoren C1 und C11 und ein Abstimmkondensator C3 vorgesehen.

Die symmetrische Übertragungsleitung und die asymmetrische Übertragungsleitung sind miteinander induktiv gekoppelt. Da die Position, die der mittleren Abgriffstelle der asymmetrischen Übertragungsleitung entspricht, geerdet ist, werden symmetri­ sche Signale von dem ersten und dem zweiten Ausgangsanschluß an beiden Enden der symmetrischen Übertragungsleitung ausgegeben.

Bei der asymmetrischen Übertragungsleitung, die in Fig. 2 ge­ zeigt ist, ist das Ende der Leitung auf der Seite desselben, mit der der Kondensator C2 nicht verbunden ist, leerlaufend, wobei die Ausgangsimpedanz, die von der Seite des Kondensators C2 berechnet ist, so konzipiert ist, um die Ausgangsimpedanz des spannungsgesteuerten Oszillators (beispielsweise 50 Ω) zu erhalten.

Fig. 3 zeigt in Signalverläufen die Beziehungen zwischen Ein­ gangs-Ausgangssignalen der asymmetrischen und der Asymmetrie- Symmetrie-Übertragungsschaltung, die die asymmetrische Übertra­ gungsleitung und die symmetrische Übertragungsleitung, die in Fig. 2 gezeigt sind, aufweist. Fig. 3A zeigt ein Ausgangssignal von dem Kondensator 2, der in Fig. 2 gezeigt ist. Die Fig. 3B und 3C zeigen Ausgangssignale von dem ersten bzw. dem zwei­ ten Ausgangsanschluß.

Bei dem spannungsgesteuerten Oszillator mit der oben beschrie­ benen Konfiguration kann ein Oszillatorsignal direkt in einem symmetrischen Signalmodus ausgegeben werden, indem lediglich noch der Oszillator auf der Hauptplatine einer Kommunikations­ vorrichtung befestigt wird.

Fig. 4 zeigt die Konfiguration eines spannungsgesteuerten Os­ zillators gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel. Bei dem er­ sten Ausführungsbeispiel ist die spannungsgesteuerte Oszilla­ torschaltung gebildet, um einen Satz von symmetrischen Aus­ gangssignalen auszugeben. Bei dem Beispiel von Fig. 4 sind zwei Sätze für ein keramisches Mehrschichtsubstrat vorgesehen, von denen jeder eine spannungsgesteuerte Oszillatorschaltung und die symmetrischen Ausgangsanschlüsse aufweist. D. h., daß auf der obersten Schicht der Komponentenbefestigungsoberfläche, die in Fig. 4A gezeigt ist, Widerstände, Kondensatoren, Dioden mit variabler Kapazität und Chipkomponenten, wie z. B. Transistoren und dergleichen, für zwei Sätze, die jeweils die spannungsge­ steuerte Oszillatorschaltung aufweisen, mittels einer Oberflä­ chenbefestigungstechnik befestigt sind. Wie in den Fig. 4B und 4D gezeigt ist, sind GND-Elektroden vorgesehen. Auf der Schicht, die in Fig. 4C zwischen den Schichten, die in den Fig. 4B und 4D gezeigt sind, sind Übertragungsleitungen und Versor­ gungsleitungen als zwei Resonatoren zur Verwendung in zwei Sät­ zen, von denen jeder die spannungsgesteuerte Oszillatorschal­ tung aufweist, gebildet. Auf den Schichten, die in den Fig. 4E und 4F gezeigt sind, sind asymmetrische Übertragungsleitungen und symmetrische Übertragungsleitungen für eine Verwendung in den zwei Sätzen, von denen jeder die spannungsgesteuerte Oszil­ latorschaltung aufweist, gebildet. Eine GND-Elektrode ist auf der gesamten Fläche auf der Rückseite der Schicht, die in Fig. 4F gezeigt ist, gebildet, mit Ausnahme von Anschlußelektroden- Bildungsabschnitten. Folglich liegen sich die symmetrischen Übertragungsleitungen und die asymmetrischen Übertragungslei­ tungen gegenüber, die zwei Sätze bilden, von denen jeder einen planaren Balun-Transformator aufweist.

Der spannungsgesteuerte Oszillator mit der oben beschriebenen Konfiguration kann als zwei Sätze verwendet werden, von denen jeder die spannungsgesteuerte Oszillatorschaltung aufweist, um bei unterschiedlichen Frequenzbändern wirksam zu sein und je­ weils symmetrische Oszillatorsignale auszugeben.

Als nächstes wird die Konfiguration eines spannungsgesteuerten Oszillators gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel bezugneh­ mend auf Fig. 5 beschrieben.

Fig. 5 ist eine perspektivische Ansicht, die das Erscheinungs­ bild des Oszillators zeigt. Auf der oberen Fläche eines kerami­ schen Mehrschichtsubstrats ist ein Asymmetrie-Symmetrie-Umwand­ lungselement zusammen mit einem Widerstand, einem Kondensator, einer Diode mit variabler Kapazität und einer Chipkomponente, wie z. B. einem Transistor oder dergleichen, befestigt. Auf ei­ nem Teil der seitlichen Oberflächen und der unteren Oberfläche des keramischen Mehrschichtsubstrats sind ein Steueranschluß zum Anlegen eines Spannungssignals zum Zweck einer Frequenz­ steuerung, ein Versorgungsanschluß bzw. symmetrische Ausgangs­ anschlüsse vorgesehen. Folglich kann lediglich durch eine Ober­ flächenbefestigung dieses spannungsgesteuerten Oszillators auf der Hauptplatine einer Kommunikationsvorrichtung der Oszillator mit einer symmetrischen Übertragungsleitung verbunden werden, ohne das eine Asymmetrie-Symmetrie-Umwandlungsvorrichtung ex­ tern befestigt ist.

Fig. 6 ist eine perspektivische Ansicht, die das Erscheinungs­ bild eines spannungsgesteuerten Oszillators gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. Bei dem Beispiel von Fig. 5 ist ein Satz vorgesehen, der jeweils die spannungsgesteuerte Oszillatorschaltung und die Asymmetrie-Sym­ metrie-Umwandlungsschaltung aufweist. Auf der anderen Seite sind bei diesem Beispiel zwei Sätze gebildet, von denen jeder die spannungsgesteuerte Oszillatorschaltung und die Asymme­ trie-Symmetrie-Umwandlungsschaltung aufweist. D. h., daß die Konfiguration des ersten spannungsgesteuerten Oszillators und die des zweiten spannungsgesteuerten Oszillators in Fig. 6 die gleiche ist wie die des spannungsgesteuerten Oszillators, der in Fig. 5 gezeigt ist, wobei beide auf einem einzelnen kerami­ schen Mehrschichtsubstrat befestigt sind. Eine PLL-Schaltung und eine Lokaloszillatorschaltung, die geeignet ist, um bei zwei Frequenzbändern betrieben zu werden, können ohne weiteres durch die Verwendung dieses spannungsgesteuerten Oszillators gebildet werden.

Fig. 7 ist ein Blockdiagramm, das ein Beispiel der Konfigura­ tion der Kommunikationsvorrichtung zeigt. In Fig. 7 sind ein spannungsgesteuerter Oszillator VCO und eine PLL-Steuerschal­ tung PLL-IC gezeigt. Ein Ausgangssignal von dem spannungsge­ steuerten Oszillator VCO wird in einem symmetrischen Übertra­ gungsmodus zu der PLL-Steuerschaltung PLL-IC geliefert, in der die Phase des Signals mit der eines Oszillatorsignals von einer Temperaturkompensations-Quarzoszillatorschaltung TCXO vergli­ chen wird, und die ein Steuersignal ausgibt, um eine vorbe­ stimmte Frequenz und Phase zu erhalten. Der Oszillator VCO em­ pfängt eine Steuerspannung an dem Steueranschluß desselben über ein Tiefpassfilter LPF und schwingt bei einer Frequenz entspre­ chend der Steuerspannung. Das Oszillatorausgangssignal wird als Lokaloszillatorsignale zu Mischern MIXa und MIXb vom Typ mit symmetrischen Eingängen geliefert. Die Mischerschaltung MIXa mischt das Lokaloszillatorsignal mit einem Zwischenfrequenz­ signal, das von einer Sendeschaltung Tx ausgegeben wird, für eine Frequenzumwandlung, um ein Sendefrequenzsignal zu erzeu­ gen. Das Signal wird in einer Verstärkungsschaltung AMPa lei­ stungsverstärkt und über einen Duplexer DPX von einer Antenne ANT abgestrahlt. Ein Empfangssignal, das über die Antenne ANT und den Duplexer DPX geleitet wird, wird in einer Verstärkungs­ schaltung AMPb verstärkt. Die Mischerschaltung MIXb mischt die symmetrischen Ausgangssignale von der Verstärkungsschaltung AMPb mit dem oben genannten Lokaloszillatorsignal für eine Um­ wandlung, um ein Zwischenfrequenzsignal zu erzeugen. Die Em­ pfangsschaltung Rx führt eine Signalverarbeitung des Zwischen­ frequenzsignals durch, um ein Empfangssignal zu erzeugen.

Wenn eine solche Kommunikationsvorrichtung gebildet ist, ist es nicht notwendig, den Asymmetrie-Symmetrie-Wandler zusammen mit dem spannungsgesteuerten Oszillator VCO auf der Hauptplatine zu befestigen. Folglich kann die Anzahl von Teilen reduziert sein, wobei die Größe der Vorrichtung insgesamt reduziert sein kann.

Die spannungsgesteuerten Oszillatoren gemäß dem ersten und dem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung sind als ein einzel­ nes Teil wirksam, um jeweils ein symmetrisches Oszillatorsignal auszugeben. Wenn folglich der spannungsgesteuerte Oszillator auf der Hauptplatine oder dergleichen einer Kommunikationsvor­ richtung befestigt wird, ist es nicht notwendig, einen Asymme­ trie-Symmetrie-Wandler zum Umwandeln eines Oszillatorausgangs­ signals in einen symmetrischen Übertragungsmodus desselben um­ zuwandeln. Folglich kann die Anzahl von Teilen reduziert sein, wobei die Vorrichtung insgesamt eine geringere Größe aufweisen kann.

Speziell bei dem spannungsgesteuerten Oszillator gemäß dem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist es nicht notwen­ dig, den Befestigungsbereich auf dem keramischen Mehrschicht­ substrat für ein Asymmetrie-Symmetrie-Umwandlungselement zu re­ servieren. Folglich kann die Gesamtgröße des spannungsgesteuer­ ten Oszillators reduziert sein.

Vorzugsweise können bei dem spannungsgesteuerten Oszillator Os­ zillatorsignale verwendet werden, die entsprechend Frequenzbän­ dern symmetrisch ausgegeben werden. Die Anzahl von erforderli­ chen Teilen kann weiter reduziert sein. Ferner kann eine Redu­ zierung der Größe der Vorrichtung realisiert werden.

Bei der Kommunikationsvorrichtung der vorliegenden Erfindung kann die Anzahl von Gesamtteilen reduziert sein. Beispielsweise kann eine PLL-Schaltung oder dergleichen, die eine Lokaloszil­ latorschaltung ist, größenmäßig reduziert sein. Folglich kann die Größe der Vorrichtung insgesamt verringert sein.

Claims (4)

1. Spannungsgesteuerter Oszillator mit einer Oszillatorschal­ tung, die ein aktives Element und ein Element mit span­ nungsabhängig variabler Reaktanz, die auf einem keramischen Mehrschichtsubstrat vorgesehen sind, umfaßt, und einer Asymmetrie-Symmetrie-Umwandlungsschaltung, die auf der obe­ ren Oberfläche des keramischen Mehrschichtsubstrats vorge­ sehen ist.

2. Spannungsgesteuerter Oszillator mit einer Oszillatorschal­ tung, die ein aktives Element und ein Element mit span­ nungsabhängig variabler Reaktanz, die auf einem keramischen Mehrschichtsubstrat vorgesehen sind, umfaßt, und einer Asymmetrie-Symmetrie-Umwandlungsschaltung, die Übertra­ gungsleitungen aufweist, zwischen denen eine vorbestimmte Keramikschicht des keramischen Mehrschichtsubstrats ange­ ordnet ist.

3. Spannungsgesteuerter Oszillator nach Anspruch 1 oder 2, bei dem mehrere Sätze der Oszillatorschaltung und der Asymme­ trie-Symmetrie-Umwandlungsschaltung entsprechend jeweiligen Frequenzen auf dem keramischen Mehrschichtsubstrat vorgese­ hen sind.

4. Kommunikationsvorrichtung, die einen spannungsgesteuerten Oszillator nach einem der Ansprüche 1 oder 2 aufweist.