JP2001185951A - 電圧制御発振器および通信装置 - Google Patents

電圧制御発振器および通信装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 外部に新たな不平衡−平衡変換器を設けるこ
となく、発振出力信号を平衡信号として扱えるようにし
た電圧制御発振器およびそれを用いた通信装置を得る。 【解決手段】 セラミック多層基板の各層に電圧制御発
振回路を構成すると共に、所定のセラミック層を挟むよ
うに不平衡伝送線路と平衡伝送線路を設けて、両者の相
互誘導結合により不平衡−平衡変換回路を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、通信装置などに
用いられる電圧制御発振器およびそれを用いた通信装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば、携帯電話などの移動体通信シス
テムの端末やトランシーバなどの通信機において、局部
発振回路に電圧制御発振器を含むＰＬＬ回路が構成され
ている。
【０００３】ここで、従来の電圧制御発振器の例を図８
に示す。図８において、トランジスタＴｒ２と、それに
接続されている抵抗、コンデンサ、共振器および電圧可
変リアクタンス素子である可変容量ダイオードＶＤなど
によって発振回路を構成している。その発振信号はトラ
ンジスタＴｒ１によるバッファ段からコンデンサＣ２を
介して出力される。発振周波数は、コントロール端子に
与えられる制御電圧に応じて可変容量ダイオードＶＤの
静電容量が変化することにより変化する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、高周波回路
においては、その高周波回路からの不要輻射または高周
波回路への外来ノイズの影響を抑制するために、高周波
信号を平衡信号モードで処理するのが一般的である。こ
れは、平衡信号の伝搬路である２つの信号線が外来ノイ
ズを等しく受けて、平衡モードのノイズとして現れず、
また、２つの信号線から外部へ輻射される信号も互いに
相殺される、という優れた特徴を備えているためであ
る。
【０００５】このような平衡信号は、不平衡信号を２分
割し、一方の信号の位相を他方の信号の位相に対して１
８０度ずらすことにより生成できる。この位相を反転さ
せる方法としては、エミッタフォロア回路を構成して、
トランジスタのベースに信号を入力し、そのエミッタか
ら信号を取り出す方法がある。しかしながら、移動体通
信システムなどで用いられる８００ＭＨｚ帯やそれ以上
の周波数帯においては、エミッタフォロア回路を構成し
ても、トランジスタの内部寄生容量や寄生インダクタン
スの影響で、位相を正しく１８０度ずらすことは困難と
なる。
【０００６】そこで、図８に示したような従来の電圧制
御発振器の出力信号を不平衡信号として扱う場合には、
バルントランス等による不平衡−平衡変換器を通して、
不平衡信号を平衡信号に変換する必要があった。
【０００７】そのため、高周波回路部分には、電圧制御
発振器モジュールの他にバルントランスなどによる不平
衡−平衡変換器を配置することになり、部品点数が増す
ばかりか、通信装置のマザーボードにおける高周波回路
部の占有面積が増大し、装置全体が大型化するという問
題があった。
【０００８】この発明の目的は、外部に新たな不平衡−
平衡変換器を設けることなく、発振出力信号を平衡信号
として扱えるようにした電圧制御発振器およびそれを用
いた通信装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明の電圧制御発振
器は、能動素子と電圧可変リアクタンス素子とを含む発
振回路をセラミック多層基板に設けるとともに、該セラ
ミック多層基板の上面に不平衡−平衡変換回路を搭載す
る。これにより、セラミック多層基板で構成した、発振
信号を平衡出力する単体の部品としての電圧制御発振器
を得る。
【００１０】またこの発明の電圧制御発振器は、能動素
子と電圧可変リアクタンス素子とを含む発振回路をセラ
ミック多層基板に設けるとともに、不平衡−平衡変換回
路を、前記セラミック多層基板の所定のセラミック層を
挟む伝送線路で構成する。これによりセラミック多層基
板の所定の層を不平衡−平衡変換器として作用させる。
上記構造の電圧制御発振器によれば、不平衡−平衡変換
素子をセラミック多層基板の部品搭載面に搭載するので
はないため、不平衡−平衡変換素子の搭載面積を確保す
る必要がなく、部品の大型化を避けることができる。
【００１１】また、この発明の電圧制御発振器は、個々
の周波数に対応する発振回路と不平衡−平衡変換回路と
を前記セラミック多層基板に複数組設ける。
【００１２】従来の電圧制御発振器は、単一の発振出力
端子を備えたものであったが、この発明の構成により、
周波数帯に応じた、それぞれ平衡出力される発振信号を
用いることが可能となる。
【００１３】この発明の通信装置は、上記のいずれかに
記載の構成を備えた電圧制御発振器を用いて、例えば局
部発振回路のＰＬＬ回路を設けること等により構成す
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】第１の実施形態である電圧制御発
振器の構成を図１〜図３を参照して説明する。図１は電
圧制御発振器を構成するセラミック多層基板の各層の電
極パターンなどを示す分解斜視図である。図１において
（ａ）で示す最上層の上面が部品搭載面であり、セラミ
ック多層基板の内部に設けない抵抗、コンデンサ、可変
容量ダイオード、およびトランジスタなどのチップ状部
品を表面実装している。（ｂ）および（ｄ）にはＧＮＤ
（グランド）電極を形成していて、その間の（ｃ）で示
す層に、共振器としての線路と電源ラインを形成してい
る。この共振器としての線路と上下のＧＮＤ電極とによ
ってストリップライン共振器を構成している。（ｅ）で
示す層には不平衡伝送線路、（ｆ）で示す層には平衡伝
送線路をそれぞれ形成し、（ｆ）で示す層の裏面には、
端子電極形成部を除く領域に略全面のＧＮＤ電極を形成
している。この不平衡伝送線路と平衡伝送線路との対向
によって、いわば平面型のバルントランスを構成してい
る。
【００１５】図２は、この実施形態に係る電圧制御発振
器の回路図である。図２において枠で囲んだ部分がコル
ピッツ型発振回路の変形による発振段であり、コンデン
サＣ６，Ｃ７，Ｃ８，Ｃ９，Ｃ１０と可変容量ダイオー
ドＶＤ、上記マイクロストリップラインによる共振器お
よびトランジスタＴｒ２により発振回路の主要部を構成
している。抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３はトランジスタＴｒ
１，Ｔｒ２のベースバイアス回路を構成している。Ｃ４
はバイパスコンデンサであり、トランジスタＴｒ２のコ
レクタを高周波的に接地することにより、コンデンサＣ
６をトランジスタＴｒ２のコレクタ−エミッタ間に等価
的に接続している。可変容量ダイオードＶＤには、上記
のセラミック多層基板内に構成したストリップラインを
介して、コントロール端子から制御電圧が印加される。
この制御電圧に応じて静電容量が変化し、このことによ
り発振周波数が変化する。トランジスタＴｒ１はバッフ
ァ段としてのトランジスタであり、トランジスタＴｒ１
のコレクタに、セラミック多層基板内に設けたストリッ
プラインによるインダクタを介して電源電圧を印加して
いる。トランジスタＴｒ２のエミッタとトランジスタＴ
ｒ１のベース間にはコンデンサＣ５を接続し、Ｔｒ１の
コレクタからコンデンサＣ２を介して不平衡伝送線路へ
不平衡信号を出力する。なお、Ｃ１，Ｃ１１は高周波バ
イパス用コンデンサである。また、Ｃ３は同調用コンデ
ンサである。
【００１６】平衡伝送線路は不平衡伝送線路と相互誘導
結合している。平衡伝送線路のセンタータップに相当す
る位置は接地しているため、その両端の第１と第２の出
力端子からは平衡信号が出力される。
【００１７】なお、図２に示した不平衡伝送線路は、そ
のコンデンサＣ２が接続されていない端部を開放端と
し、コンデンサＣ２側から見たインピーダンスが電圧制
御発振器の出力インピーダンス（例えば５０Ω）となる
ように設計している。
【００１８】図３は、図２における不平衡伝送線路と平
衡伝送線路による不平衡−平衡変換回路の入出力信号の
関係を波形で示している。図３において（ａ）は図２に
おけるコンデンサＣ２の出力信号、（ｂ），（ｃ）は第
１、第２の出力端子からの出力信号である。以上のよう
に構成した電圧制御発振器は、通信装置のマザーボード
に実装するだけで、発振信号を平衡信号モードで直接出
力することが可能となる。
【００１９】次に、第２の実施形態に係る電圧制御発振
器の構成を図４に示す。第１の実施形態では、１組の平
衡出力を行う電圧制御発振回路を構成したが、この図４
に示す例では、セラミック多層基板に２組の電圧制御発
振回路および２組の平衡出力端子を設けている。すなわ
ち、（ａ）で示す最上層の部品搭載面には、２組の電圧
制御発振回路について、セラミック多層基板の内部に設
けない抵抗、コンデンサ、可変容量ダイオード、および
トランジスタなどのチップ状部品を表面実装している。
（ｂ）および（ｄ）にはＧＮＤ（グランド）電極を形成
していて、その間の（ｃ）で示す層に、２組の電圧制御
発振回路に用いる２つの共振器としての線路と電源ライ
ンを形成している。（ｅ）で示す層と（ｆ）で示す層に
は、２組の電圧制御発振回路に用いる不平衡伝送線路と
平衡伝送線路をそれぞれ形成していて、（ｆ）で示す層
の裏面には、端子電極形成部を除く領域に略全面のＧＮ
Ｄ電極を形成している。この不平衡伝送線路と平衡伝送
線路との対向によって、２組の平面型のバルントランス
を構成している。
【００２０】このような構成の電圧制御発振器によれ
ば、発振信号をそれぞれ平衡出力する周波数帯の異なっ
た２組の電圧制御発振回路として用いることが可能とな
る。
【００２１】次に、第３の実施形態に係る電圧制御発振
器の構成を図５を参照して説明する。図５はその外観斜
視図であり、セラミック多層基板の上面に、セラミック
多層基板内に設けない抵抗、コンデンサ、可変容量ダイ
オード、トランジスタなどのチップ部品と共に不平衡−
平衡変換素子を搭載している。セラミック多層基板の側
面および底面の一部には、周波数制御のための電圧信号
を印加するコントロール端子、電源端子および平衡出力
端子をそれぞれ設けている。したがって、この電圧制御
発振器を、通信装置のマザーボードに表面実装するだけ
で、外部に不平衡−平衡変換器を実装することなく、平
衡伝送線路にそのまま接続できるようになる。
【００２２】図６は第４の実施形態に係る電圧制御発振
器の外観斜視図である。図５に示した例では、１組の電
圧制御発振回路と不平衡−平衡変換回路を備えたもので
あったが、この例は単一のセラミック多層基板に２組の
電圧制御発振回路と不平衡−平衡変換回路を構成したも
のである。すなわち、図６における第１電圧制御発振器
と第２電圧制御発振器のそれぞれの構成は、図５に示し
た電圧制御発振器と同様であり、単一のセラミック多層
基板に構成している。この電圧制御発振器を用いれば、
２つの周波数帯域に対応したＰＬＬ回路および局部発振
回路を容易に構成できる。
【００２３】次に、通信装置の構成例をブロック図とし
て図７に示す。図７においてＶＣＯは電圧制御発振器で
あり、ＰＬＬ−ＩＣはＰＬＬ制御用回路であり、ＶＣＯ
の出力信号を平衡伝送モードで入力し、温度補償水晶発
振回路ＴＣＸＯの発振信号と位相比較し、所定の周波数
および位相となるように制御信号を出力する。ＶＣＯは
ローパスフィルタＬＰＦを介して制御電圧をコントロー
ル端子で受けて、その制御電圧に応じた周波数で発振す
る。この発振出力信号は平衡入力型のミキサＭＩＸａお
よびＭＩＸｂにそれぞれ局部発振信号として与えられ
る。ミキサ回路ＭＩＸａは送信回路Ｔｘから出力される
中間周波信号と局部発振信号とを混合して送信周波数信
号に周波数変換する。この信号は増幅回路ＡＭＰａで電
力増幅されてデュプレクサＤＰＸを介しアンテナＡＮＴ
から放射される。アンテナＡＮＴからの受信信号はデュ
プレクサＤＰＸを介して増幅回路ＡＭＰｂで増幅され
る。ミキサ回路ＭＩＸｂは、増幅回路ＡＭＰｂの平衡出
力信号と上記局部発振信号とを混合して中間周波信号に
変換する。受信回路Ｒｘはこれを信号処理することによ
り受信信号を得る。
【００２４】このような通信装置を構成する際に、電圧
制御発振器ＶＣＯと共に不平衡−平衡変換器をマザーボ
ードに実装する必要がないため、部品点数が削減される
とともに全体の小型化が図れる。
【００２５】
【発明の効果】請求項１，２に記載の電圧制御発振器に
よれば、発振信号を平衡出力する単体の部品としての電
圧制御発振器として作用するため、通信装置のマザーボ
ード等に実装する際に、発振出力信号を平衡伝送モード
に変換する不平衡−平衡変換器を実装する必要がなく、
部品点数が削減されるとともに装置全体の小型化を図る
ことができる。
【００２６】特に、請求項２に記載の電圧制御発振器に
よれば、電圧制御発振回路を構成するセラミック多層基
板に不平衡−平衡変換素子の搭載面積を確保する必要が
ないため、電圧制御発振器全体の小型化を図ることがで
きる。
【００２７】請求項３に記載の電圧制御発振器によれ
ば、周波数帯に応じた、それぞれ平衡出力される発振信
号を用いることが可能となり、必要な部品点数が更に削
減されるので、装置全体の更なる小型化を図ることがで
きる。
【００２８】請求項４に記載の通信装置によれば、全体
の部品点数が削減され、例えば局部発振回路のＰＬＬ回
路等が小型化されて装置全体の小型化を図ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態に係る電圧制御発振器の分解斜
視図
【図２】同電圧制御発振器の回路図
【図３】同電圧制御発振器の出力部の波形図
【図４】第２の実施形態に係る電圧制御発振器の構成を
示す分解斜視図
【図５】第３の実施形態に係る電圧制御発振器の外観斜
視図
【図６】第４の実施形態に係る電圧制御発振器の外観斜
視図
【図７】第５の実施形態に係る通信装置の構成を示すブ
ロック図
【図８】従来の電圧制御発振器の回路図
【符号の説明】
ＶＤ−可変容量ダイオード ＡＮＴ−アンテナ ＤＰＸ−デュプレクサ ＶＣＯ−電圧制御発振器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5J081 AA03 BB01 CC00 CC22 CC24 CC42 DD03 DD21 EE09 EE18 FF17 FF21 FF23 FF24 GG05 GG07 KK02 KK09 KK22 LL05 MM01 MM07 MM08 MM09 5K060 BB00 CC05 DD04 EE04 JJ02 JJ03 JJ04 JJ08

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 能動素子と電圧可変リアクタンス素子と
    を含む発振回路をセラミック多層基板に設けるととも
    に、該セラミック多層基板の上面に不平衡−平衡変換回
    路を搭載した電圧制御発振器。
  2. 【請求項２】 能動素子と電圧可変リアクタンス素子と
    を含む発振回路をセラミック多層基板に設けるととも
    に、不平衡−平衡変換回路を、前記セラミック多層基板
    の所定のセラミック層を挟む伝送線路で構成した電圧制
    御発振器。
  3. 【請求項３】 各々の周波数に対応する発振回路と不平
    衡−平衡変換回路とを前記セラミック多層基板に複数組
    設けた請求項１または２に記載の電圧制御発振器。
  4. 【請求項４】 請求項１、２または３に記載の電圧制御
    発振器を用いて成る通信装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003143033A (ja) * 2001-11-01 2003-05-16 Hitachi Metals Ltd 高周波スイッチモジュール

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6982605B2 (en) * 2003-05-01 2006-01-03 Freescale Semiconductor, Inc. Transformer coupled oscillator and method
TW200515696A (en) * 2003-10-20 2005-05-01 Delta Electronics Inc Balun built in multi-layer ceramic material layers
US7262670B2 (en) * 2003-12-09 2007-08-28 Synergy Microwave Corporation Low thermal drift, tunable frequency voltage controlled oscillator
EP1542354B1 (en) * 2003-12-09 2021-02-03 Synergy Microwave Corporation Integrated ultra low noise microwave wideband push-push vco
CA2515982C (en) * 2004-08-16 2008-07-22 Synergy Microwave Corporation Low noise, hybrid tuned wideband voltage controlled oscillator
US7286024B2 (en) * 2004-08-19 2007-10-23 Agency For Science, Technology And Research Voltage-controlled oscillator with differential output
US7636021B2 (en) * 2005-05-20 2009-12-22 Synergy Microwave Corporation Low noise and low phase hits tunable oscillator
US7508280B2 (en) * 2005-07-19 2009-03-24 Lc Tank Llc Frequency adjustment techniques in coupled LC tank circuits
US7511588B2 (en) * 2005-07-19 2009-03-31 Lctank Llc Flux linked LC tank circuits forming distributed clock networks
US7786836B2 (en) 2005-07-19 2010-08-31 Lctank Llc Fabrication of inductors in transformer based tank circuitry
CA2566283C (en) 2005-11-02 2011-10-18 Synergy Microwave Corporation User-definable, low cost, low phase hit and spectrally pure tunable oscillator
EP1786096A3 (en) * 2005-11-15 2007-06-27 Synergy Microwave Corproation Low cost multi-octave-band tunable oscillator having low and uniform phase noise
DE102006057332B4 (de) * 2006-12-05 2018-01-25 Infineon Technologies Ag Zusammenbau aufweisend ein Substrat und einen auf dem Substrat montierten Chip
US7696833B2 (en) * 2007-01-29 2010-04-13 Fujitsu Media Devices Limited Oscillator

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3136058B2 (ja) * 1994-10-26 2001-02-19 アルプス電気株式会社 平衡不平衡変換回路

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003143033A (ja) * 2001-11-01 2003-05-16 Hitachi Metals Ltd 高周波スイッチモジュール

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