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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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Diese
Anmeldung beansprucht den Nutzen einer am 30. Mai 2001 beim japanischen
Patentamt eingereichten japanischen Patentanmeldung Nr. 2001-163255, deren Offenbarung
durch Verweis hier einbezogen ist.
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1. Gebiet
der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich allgemein auf Suchersteuerungsverfahren
und Speichervorrichtungen und insbesondere auf ein Suchsteuerungsverfahren,
um eine Suche nach einer gewünschten
Spur auf einem Aufzeichnungsmedium wie z.B. einer optischen Platte
durchzuführen,
und auf ein Speichermedium, das ein solches Suchsteuerungsverfahren
verwendet.
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2. Beschreibung der verwandten
Technik
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In
einer herkömmlichen
magnetooptischen Platte ist in einer Erhebung oder einer Rille der
magnetooptischen Platte eine Spur ausgebildet, auf die Informationen
aufgezeichnet und von der Informationen reproduziert werden. Außerdem ist
eine ROM-Region, die mit einer Steuerungsinformation wie z.B. einer
für das
Medium speziellen Information beschrieben ist, in einer inneren
peripheren Zone der magnetooptischen Platte vorgesehen, und eine RAM-Region, in die Daten
aufgezeichnet und von der die Daten reproduziert werden, ist z.B.
in anderen Zonen vorgesehen. In der ROM-Region wird z.B. die Steuerungsinformation
als Variationen in einer geometrischen Konfiguration wie z.B. Vertiefungen
aufgezeichnet. In der RAM-Region werden die Daten durch ein magnetooptisches
System aufgezeichnet und reproduziert.
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Eine
Suche nach einer gewünschten
Spur auf der magnetooptischen Platte kann innerhalb der RAM-Region,
von der RAM-Region zur ROM-Region oder von der ROM-Region zur RAM-Region
ausgeführt
werden. Normalerweise wird, wenn die Suche nach der gewünschten
Spur von einer beliebigen Spur aus vorgenommen wird, ein Spurfolge-Fehlersignal
(TES) verwendet. Insbesondere wird eine Anzahl überquerter Spuren von einer
Zeit an, zu der ein Lichtstrahlfleck sich von der beliebigen Spur
aus zu bewegen beginnt, unter Verwendung des TES gezählt, um
so zu detektieren, ob die gewünschte
Spur erreicht ist oder nicht.
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Wenn
eine Bewegungsdistanz des Lichtstrahlflecks während der Suche lang ist, wird
im Allgemeinen eine Bewegungsgeschwindigkeit des Lichtstrahl flecks
hoch, und es besteht eine Möglichkeit,
dass ein Fehler gemacht wird, wenn die Anzahl überquerter Spuren unter Verwendung
des TES gezählt
wird. Ein Spurabstand der herkömmlichen
magnetooptischen Platte ist jedoch verhältnismäßig groß, und ein Verhältnis von
TES-Amplituden, die in den RAM- und ROM-Regionen erhalten werden,
beträgt z.B.
1:0,8, und eine Differenz zwischen den in den RAM- und ROM-Regionen
erhaltenen TES-Amplituden ist nicht sehr groß. Aus diesem Grund ist die Möglichkeit,
dass ein Fehler gemacht wird, wenn die Anzahl überquerter Spuren unter Verwendung
des TES gezählt
wird, gering, selbst wenn die Suche von der RAM-Region zur ROM-Region
durchgeführt
wird.
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Zusätzlich zur
magnetooptischen Platte, die Informationen bezüglich nur der Erhebung oder
der Rille der magnetooptischen Platte aufzeichnet und/oder reproduziert
(aufzeichnet/reproduziert), wurde jedoch eine magnetooptische Platte
vorgeschlagen, die die Informationen bezüglich sowohl der Erhebung als
auch der Rille der magnetooptischen Platte aufzeichnet/reproduziert.
Indem das so genannte Erhebungs-Rillen-Aufzeichnungssystem verwendet
wird, das die Informationen auf sowohl der Erhebung als auch der
Rille der magnetooptischen Platte aufzeichnet, ist es möglich, die
Aufzeichnungsdichte der magnetooptischen Platte zu erhöhen.
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In
der magnetooptischen Platte, die das Erhebungs-Rillen-Aufzeichnungssystem
verwendet, ist der Spurabstand extrem klein. Daher ist es notwendig,
das TES zu verstärken,
um ein Lesen des TES zu vereinfachen und zu verhindern, dass ein
Fehler gemacht wird, wenn die Anzahl überquerter Spuren gezählt wird.
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Im
Fall der magnetooptischen Platte, die das Erhebungs-Rillen-Aufzeichnungssystem
nutzt, beträgt
aber das Verhältnis
der von den RAM- und ROM-Regionen
erhaltenen TES-Amplituden z.B. 1:0,4, und die Differenz zwischen
den in den RAM- und ROM-Regionen erhaltenen TES-Amplituden ist groß. Selbst
wenn das TES verstärkt
wird, ist aus diesem Grund die Möglichkeit,
dass ein Fehler gemacht wird, wenn die Anzahl überquerter Spuren gezählt wird,
groß,
falls die gleiche Schaltung verwendet wird, um das von den RAM-
und ROM-Regionen
erhaltene TES zu lesen. Mit anderen Worten wird, falls die Empfindlichkeit
der Zählung
so eingestellt wird, dass sie zu den von der RAM-Region erhaltenen
TES passt, die Empfindlichkeit zum Lesen des von der ROM-Region erhaltenen
TES unzureichend. Auf der anderen Seite wird, falls die Empfindlichkeit
der Zählung
so eingestellt wird, dass sie zu den von der ROM-Region erhaltenen
TES passt, die Empfindlichkeit zum Lesen des von der RAM-Region
erhaltenen TES zu empfindlich.
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Falls
der Fehler erzeugt wird, wenn die Anzahl überquerter Spuren gezählt wird,
kann die gewünschte
Spur nicht durch eine Suche erreicht werden, und es nimmt wegen
der Notwendigkeit, einen erneuten Versuch oder eine Wiederholung
einer Suche mehrere Male auszuführen,
Zeit in Anspruch, die Suche abzuschließen. Insbesondere wenn die
magnetooptische Platte geladen wird, wird es notwendig, zuerst eine
Suche nach der ROM-Region vorzunehmen, um die Steuerungsinformation
wie z.B. die Speicherkapazität
und den Plattentyp der magnetooptischen Platte zu lesen; es ist
aber unerwünscht, dass
eine lange Zeit erforderlich ist, um diese Suche vorzunehmen.
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Wenn
die Schaltung so ausgelegt ist, dass sie zu der von der RAM-Region
erhaltenen TES-Amplitude passt, kann außerdem das TES von der ROM-Region
nicht korrekt detektiert werden, und eine Spurfolge-Servosteuerung
kann nicht normal in der ROM-Region ausgeführt werden. Wenn die Schaltung
so ausgelegt ist, dass sie zu der von der ROM-Region erhaltenen
TES-Amplitude passt, kann entsprechend das TES von der RAM-Region
nicht korrekt detektiert werden, und eine Spurfolge-Servosteuerung
kann nicht normal in der RAM-Region ausgeführt werden. In beiden Fällen wird
es daher unmöglich,
einen Auf-Spur-Zustand
bezüglich
der gewünschten
Spur zu erhalten.
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US-A-6
044 049 beschreibt eine optische Informationsvorrichtung, um eine
Reproduzieroperation und/oder eine Aufzeichnungsoperation für ein Informationsmedium
durchzuführen,
indem ein Lichtstrahl auf das Informationsmedium gestrahlt wird, wobei
das Informationsmedium eine erste Region aufweist, die eine erste
Spur mit einer darauf in Form konvexer und konkaver Vertiefungen
aufgezeichneten Information enthält,
und eine zweite Region, die eine zweite Spur enthält, die
in Form konvexer und konkaver Führungsrillen
ausgebildet ist. Die Vorrichtung enthält: eine erste Spurfolge-Fehler
detektierende Komponente, um einen Fehler in einer Position zwischen
dem Lichtstrahl und der ersten Spur in der ersten Region zu detektieren;
eine zweite Spurfolge-Fehlerdetektionskomponente, um einen Fehler
in einer Position zwischen dem Lichtstrahl und der zweiten Spur
in der zweiten Region zu detektieren; eine Spurfolge-Steuerungskomponente,
um eine Spurfolge-Steuerung zum Lokalisieren des Lichtstrahls auf
einer vorbestimmten Spur durchzuführen; eine Bestimmungskomponente,
um zu bestimmen, ob der Lichtstrahl in der ersten Region oder der
zweiten Region lokalisiert ist; und eine Schaltkomponente, um basierend
auf einem Ergebnis einer Bestimmung durch die Bestimmungskomponente
irgendeines eines Ausgangssignals der ersten Spurfolge-Fehlerdetektionskomponente
oder eines Ausgangssignals der zweiten Spurfolge-Fehlerdetektionskomponente
auszuwählen
und das ausgewählte Ausgangssignal
an die Spurfolge-Steuerungskomponente zu senden.
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US-A-5
268 883 offenbart eine Datenaufzeichnungs/Reproduziereinrichtung
mit einer Aufnahme zum Aufzeichnen/Reproduzieren von Informationen
auf einer Platte, die Spuren aufweist, die auf einem Aufzeichnungsbereich
und einem ROM-Bereich gebildet sind. Eine Einrichtung für einen
Zugriff auf Spuren zum Bewegen der Aufnahme von einer Startspur,
an der die Aufnahme gegenwärtig
angeordnet ist, zu einem Ziel umfasst eine Bewegungsanordnung, um
die Aufnahme in einer Spuren kreuzenden Richtung zu bewegen, einen
Generator für
Spurfolge-Fehlersignale, um ein analoges Signal zu erzeugen, das
das Kreuzen der Spuren durch die Aufnahme repräsentiert, und einen Positionsdetektor,
um die Position der Aufnahme in entweder dem Aufzeichnungs- oder
dem ROM-Bereich zu detektieren. Zur Verarbeitung des Spurfolge-Fehlersignals sind
auch ein Verstärker,
ein Offset-Addierer und ein Hysterese-Komparator vorgesehen, die
jeweils verschiedene Betriebsparameter haben, wenn die Aufnahme
sich in dem Aufzeichnungsbereich befindet und dann wenn sie sich
in dem ROM-Bereich befindet.
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JP 05 159318A beschreibt
eine Spurfolge-Steuerungseinrichtung, um eine hochfunktionale Einrichtung
zu schaffen, die verschiedene Platten verarbeiten kann, durch die
die Verstärkung
oder der Offset eines Spurfolge-Steuerungssystems in jedem Bereich
eingestellt und eine stabile Steuerungsleistung immer sichergestellt
wird, in Bezug auf eine optische Aufzeichnungs- und Reproduziereinrichtung für eine Platte
mit einem Bereich, der zu einer Aufzeichnung imstande ist (RW-Bereich),
und einem Bereich, um nur zu reproduzieren (ROM-Bereich). Der Offset und die Verstärkung des
Spurfolge-Steuerungssystems werden in einem RW-Bereich auf einer partiellen
ROM-Platte durch einen Mikrocomputer
24 eingestellt, und
der Einstellwert wird in einem eingebauten RAM gespeichert. Die
Einstellung wird dann ähnlich
in einem ROM-Bereich vorgenommen, und der Einstellwert für den eingebauten
RAM gespeichert. Danach werden, wenn ein RW-Bereich und ROM-Bereich
zum Aufzeichnen oder Reproduzieren abgefragt werden, der Offset-Wert
und der Verstärkungswert
auf dem RAM entsprechend jedem Bereich wieder eingestellt. Nachdem
der RW-Bereich und ROM-Bereich abgefragt sind, werden auch der Offset
und die Verstärkung
des Spurfolge-Steuerungssystems vor einem Aufzeichnen und Reproduzieren
erneut eingestellt.
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US-A1-2001
053119 offenbart ein Suchsteuerungsverfahren und eine Einrichtung
für eine
optische Platte, worin ein Informationsaufzeichnungsbereich einer
optischen Platte radial in mehrere Aufzeichnungsbereiche mit einem
dazwischen angeordneten Grenzbereich geteilt ist. Der Grenzbereich
ist entweder als ein Bereich mit hoher Reflexion ausgebildet, der
einen höheren
Reflexionslichtpegel als die geteilten Aufzeichnungsbereiche liefert,
oder ein Bereich mit niedriger Reflexion, der einen niedrigeren Reflexionslichtpegel
als die geteilten Aufzeichnungsbereiche liefert. Wenn eine Anweisung
gegeben wird, einen optischen Kopf von einem aktuellen Punkt über die
optische Platte zu einem Zielpunkt zu bewegen, wird eine Suchoperation
bis zum Startpunkt eines der geteilten Aufzeichnungsbereiche durchgeführt, der den
Zielpunkt enthält,
während
auf der Basis einer Variation des Reflexionslichtpegels der Grenzbereich detektiert
wird, der zwischen einem anderen der geteilten Aufzeichnungsbereiche,
der den aktuellen Punkt enthält,
und dem den Zielpunkt enthaltenden geteilten Aufzeichnungsbereich
angeordnet ist. Eine Suchoperation wird dann bis zu dem Zielpunkt
durchgeführt,
indem eine Distanz von dem Startpunkt des geteilten Aufzeichnungsbereichs,
der den Zielpunkt enthält,
bis zum Zielpunkt berechnet wird. Mit dieser Anordnung wird ein
Verfahren geschaffen, das eine geeignete Suchoperation mit hoher
Geschwindigkeit sogar auf einer optischen Platte durchführen kann, die
Bereiche verschiedener Aufzeichnungsdichten gemischt enthält.
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Die
vorliegende Erfindung ist in den beigefügten unabhängigen Ansprüchen definiert,
wobei bevorzugte Merkmale in den beigefügten Unteransprüchen beschrieben
sind.
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Dementsprechend
ist eine allgemeine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein neuartiges
und nützliches
Suchsteuerungsverfahren und eine Speichervorrichtung zu schaffen,
worin die oben beschriebenen Probleme eliminiert sind.
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Eine
andere und konkretere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht
darin, ein Suchsteuerungsverfahren und eine Speichervorrichtung
zu schaffen, welche eine Suche mit hoher Geschwindigkeit korrekt
ausführen
und eine normale Spurfolge-Servosteuerung ermöglichen können, selbst wenn eine TES-Amplitude, die erhalten
wird, sich je nach Region auf einem Aufzeichnungsmedium, von der
das TES erhalten wird, unterscheidet.
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Noch
eine andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein
Suchsteuerungsverfahren nach Anspruch 1 zu schaffen.
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Gemäß dem Suchsteuerungsverfahren
der vorliegenden Erfindung ist es möglich, eine Suche mit hoher
Geschwindigkeit korrekt auszuführen
und eine normale Spurfolge-Servosteuerung zu ermöglichen, selbst wenn eine TES-Amplitude, die erhalten wird,
sich in Abhängigkeit
von einer Region auf einem Aufzeichnungsmedium, von der das TES
erhalten wird, unterscheidet.
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Die
Steuerungsparameter können
ein Spurfolge-Fehlersignal, einen Neben-Spur-Detektionsschnitt und eine Leistung
des Laserstrahls einschließen.
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Eine
andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Speichervorrichtung
nach Anspruch 5 zu schaffen.
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Andere
Aufgaben und weitere Merkmale der vorliegenden Erfindung werden
aus der folgenden detaillierten Beschreibung ersichtlich werden,
wenn sie in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen gelesen
wird.
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KURZE BESCHREIBUNG
DER ZEICHNUNGEN
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1 ist
ein Systemblockdiagramm, das eine Struktur einer ersten Ausführungsform
einer Speichervorrichtung gemäß der vorliegenden
Erfindung darstellt;
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2 ist
eine Querschnittansicht, die einen allgemeinen Aufbau einer Umhüllung darstellt;
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3 ist
ein Systemblockdiagramm, das einen wichtigen Teil der ersten Ausführungsform
der Speichervorrichtung darstellt;
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4 ist
ein Diagramm, das eine Aufzeichnungsregion auf einer magnetooptischen
Platte zeigt;
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5 ist
ein Diagramm, das eine ROM-Region auf der magnetooptischen Platte
zeigt;
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6 ist
ein Flussdiagramm, um eine Operation der ersten Ausführungsform
der Speichervorrichtung zu erläutern;
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7 ist
ein Diagramm, um eine Suche von einer RAM-Region zu der ROM-Region
zu erläutern;
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8 ist
ein Flussdiagramm, um eine Operation eines Beispiels zu erläutern, das
zum Verstehen der vorliegenden Erfindung nützlich ist;
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9 ist
ein Flussdiagramm, um eine Operation einer zweiten Ausführungsform
der Speichervorrichtung gemäß der vorliegenden
Erfindung zu erläutern;
und
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10 ist
ein Flussdiagramm, um eine Operation einer dritten Ausführungsform
der Speichervorrichtung gemäß der vorliegenden
Erfindung zu erläutern.
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BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN
AUSFÜHRUNGSFORMEN
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Eine
Beschreibung von Ausführungsformen eines
Suchsteuerungsverfahrens gemäß der vorliegenden
Erfindung und einer Speichervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung
wird durch Verweis auf die Zeichnungen geliefert.
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1 ist
ein Systemblockdiagramm, das die Struktur einer ersten Ausführungsform
der Speichervorrichtung gemäß der vorliegenden
Erfindung zeigt. Wie in 1 gezeigt ist, enthält die optische
Platteneinheit im Allgemeinen eine Steuerungseinheit 110 und
eine Umhüllung 111.
Die Steuerungseinheit 110 enthält eine Mikroprozessoreinheit
(MPU) 112, die im allgemeinen die Operation der optischen
Platteneinheit steuert, eine Schnittstelle 117, die Befehle
und Daten zwischen einer (nicht dargestellten) Host-Einheit austauscht,
einen Controller 114 für
eine optische Platte (ODC), der Prozesse ausführt, die erforderlich sind,
um Daten bezüglich
einer (nicht dargestellten) optischen Platte zu lesen und zu schreiben, einen
digitalen Signalprozessor (DSP) 116 und einen Speicher 118.
Der Speicher 118 wird gemeinsam von der MPU 112,
dem ODC 114 und der Schnittstelle 114 verwendet
und enthält
zum Beispiel einen dynamischen Direktzugriffsspeicher (DRAM), einen nicht-flüchtigen
Speicher, der Steuerprogramme und Flag-Informationen speichert,
oder dergleichen. Ein Kristalloszillator 3101 ist mit der
MPU 112 gekoppelt.
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Der
ODC 114 enthält
einen Formatierer 114-1 und einen Prozessor 114-2 für Fehlerkorrekturcodes
(ECC). Zur Zeit eines Schreibzugriffs teilt der Formatierer 114-1 NRZ-Schreibdaten
in Sektoreinheiten der optischen Platte und erzeugt ein Aufzeichnungsformat,
und der ECC-Prozessor 114-2 erzeugt und addiert einen ECC
bezüglich
Sektorschreibdateneinheiten und erzeugt und addiert auch, falls
nötig,
einen Code zur zyklischen Redundanzprüfung (CRC). Ferner wandelt
der ECC-Prozessor 114-2 die Sektordaten mit dem codierten
ECC beispielsweise in einen lauflängenbeschränkten 1-7-Code (RLL) um.
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Zur
Zeit eines Lesezugriffs wird eine umgekehrte Umwandlung des 1-7-RLL bezüglich der
Sektordaten ausgeführt,
und nach Ausführen
der CRC werden die Fehlerdetektion und Fehlerkorrektur unter Verwendung
des ECC im ECC-Prozessor 114-2 ausgeführt. Ferner werden die NRZ-Daten
in Sektoreinheiten im Formatierer 114-1 formatiert, um
so einen NRZ-Lesedatenstrom zur Host-Einheit zu übertragen.
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Eine
hochintegrierte (LSI) Lese/Schreib-Schaltung 120 ist bezüglich des
ODC 114 vorgesehen. Diese Lese/Schreib-LSI-Schaltung 120 enthält einen
Schreib-Modulator 121, eine Laserdioden-Steuerschaltung 122,
einen Lese-Demodulator 125 und
einen Frequenz-Synthetisierer 126. Eine Steuerungsausgabe
der Laserdioden-Steuerschaltung 122 wird an eine Laserdiodeneinheit 130 geliefert,
die in einer optischen Einheit der Umhüllung 111 vorgesehen
ist. Die Laserdiodeneinheit 130 enthält integral eine Laserdiode 130-1 und
einen überwachenden
Detektor 130-2. Der Schreib-Modulator 121 wandelt
die Schreibdaten mittels Vertiefungspositionsmodulation (PPM) (oder
Markierungsaufzeichnung) oder einer Aufzeichnung mittels Pulsbreitenmodulation
(PWM) (oder Randaufzeichnung) in das Datenformat der Aufzeichnung
um.
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Wenn
Daten bezüglich
der optischen Platte unter Verwendung der Laserdiodeneinheit 130 aufgezeichnet
und reproduziert werden, nutzt diese Ausführungsform ein beschreibbares
magnetooptisches (MO) Kassettenmedium, das die PWM-Aufzeichnung
verwendet, welche die Daten entsprechend der Existenz von Markierungsrändern auf
der optischen Platte aufzeichnet. Außerdem ist das von der optischen
Platte verwendete Aufzeichnungsformat ein Format mit 2,3 GB unter
Verwendung einer magnetischen Hochauflösung (MSR) und des ZCAV-Systems. Wenn die
optische Platte in die optische Platteneinheit geladen wird, wird
zuerst ein Identifizierungsabschnitt (ID) der optischen Platte gelesen,
um basierend auf Vertiefungsintervallen des ID-Abschnitts den Typ
(Speicherkapazität
und dergleichen) der optischen Platte in der MPU 112 zu
erkennen. Die MPU 112 meldet das Erkennungsergebnis, das
den Typ einer optischen Platte angibt, an den ODC 114.
Zum Beispiel kann der Typ, der erkannt wird, eine Information enthalten,
dass die optische Platte eine Platte mit 3,5 Zoll ist und eine Speicherkapazität von 128
MB, 230 MB, 540/640 MB, 1,3 GB oder 2,3 GB hat.
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Die
Lese/Schreib-LSI-Schaltung 120 ist auch als ein Lasersystem
bezüglich
des ODC 114 vorgesehen. Der Lese-Demodulator 125 und
der Frequenz-Synthetisierer 26 sind in der Lese/Schreib-LSI-Schaltung 120 wie
oben beschrieben vorgesehen. Ein ID/MO-Detektor 132 der
Umhüllung 111 detektiert
einen Laserstrahl, der von der Laserdiode 130-1 emittiert
und über
die optische Platte zurückgeleitet
wird, und ein Detektionssignal von diesem ID/MO-Detektor 132 wird
als ein ID-Signal (Signal einer geprägten Vertiefung) und ein MO-Signal über den
Kopfverstärker 134 in
die Lese/Schreib-LSI-Schaltung 120 eingespeist.
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Der
Lese-Demodulator 125 der Lese/Schreib-LSI-Schaltung 120 enthält die Funktionen von
Schaltungen wie zum Beispiel eine Schaltung mit automatischer Verstärkungsregelung
(AGC), eines Filters und einer Schaltung zur Detektion von Sektormarkierungen.
Der Lese-Demodulator 125 erzeugt daher einen Lesetakt und
Lesedaten aus dem eingespeisten ID-Signal und MO-Signal und demoduliert die
PWM-Daten zurück
in die ursprünglichen NRZ-Daten.
Da das ZCAV-System
verwendet wird, steuert außerdem
die MPU 112 ein Einstellen eines frequenzteilenden Verhältnisses
bezüglich
des Frequenz-Synthetisierers 126 der Lese/Schreib-LSI-Schaltung 120,
um eine Taktfrequenz entsprechend der Zone zu erzeugen.
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Der
Frequenz-Synthetisierer 126 ist eine Phasenregelkreis-(PLL)-Schaltung
mit einem programmierbaren Frequenzteiler und erzeugt als Lesetakt
einen Reproduzier-Referenztakt mit einer vorbestimmten spezifischen
Frequenz, die von der Zonenposition auf der optischen Platte abhängt. Mit
anderen Worten wird der Frequenz-Synthetisierer 126 durch
die PLL-Schaltung mit dem programmierbaren Frequenzteiler gebildet
und erzeugt in einem normalen Modus den Aufzeichnungs- und/oder
Reproduzier-Referenztakt mit einer Frequenz fo basierend auf fo
= (m/n)fi gemäß einem
frequenzteilenden Verhältnis
m/n, das von der MPU 112 in Abhängigkeit von einer Zonennummer
eingestellt wird.
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Ein
Nenner n des frequenzteilenden Verhältnisses m/n ist ein spezifischer
Wert, der von dem Typ der optischen Platte abhängt. Außerdem ist ein Zähler m des
frequenzteilenden Verhältnisses
m/n ein Wert, der sich in Abhängigkeit
von der Zonenposition auf der optischen Platte ändert, und Tabelleninformationen
der Werte entsprechend den Zonennummern werden bezüglich jedes
Typs einer optischen Platte vorher vorbereitet. Außerdem bezeichnet
fi eine Frequenz eines Aufzeichnungs- und/oder Reproduzier-Referenztaktes,
die außerhalb
des Frequenz-Synthetisierers 126 erzeugt wird.
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Die
in der Lese/Schreib-LSI-Schaltung 120 demodulierten Lesedaten
werden an das Lesesystem des ODC 114 geliefert, und nach
Ausführen
der umgekehrten Umwandlung des 1-7-RLL werden die CRC- und die ECC-Prozesse
durch die Codierfunktion des ECC-Prozesses 114-2 ausgeführt, um
die ursprünglichen
NRZ-Daten wiederherzustellen. Als nächstes verbindet der Formatierer 114-1 die NRZ-Sektordaten
und wandelt diese in den NRZ-Datenstrom um, und dieser NRZ-Lesedatenstrom
wird über
den Speicher 118 und die Schnittstelle 117 zur Host-Einheit übertragen.
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Ein
Detektionssignal von einem Temperatursensor 136, der in
der Umhüllung 111 vorgesehen
ist, wird über
den DSP 116 bezüglich
der MPU 112 geliefert. Basierend auf einer Umgebungstemperatur
innerhalb der optischen Platteneinheit, die durch den Temperatursensor 136 detektiert
wird, steuert die MPU 112 die Lichtemissionsleistungen
für das
Lesen, Schreiben und Löschen
in der Laserdioden-Steuerschaltung 122 auf optimale Werte.
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Die
MPU 112 steuert einen Spindelmotor 140, der in
der Umhüllung 111 vorgesehen
ist, über den
DSP 116 und einen Treiber 138. In dieser Ausführungsform
wird, da das ZCAV-System als das Aufzeichnungsformat der optischen
Platte verwendet wird, der Spindelmotor 140 mit einer konstanten Drehzahl
von zum Beispiel 3637 UpM gedreht.
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Außerdem steuert
die MPU 112 einen Elektromagneten 144, der in
der Umhüllung 111 vorgesehen
ist, über
den DSP 116 und einen Treiber 142. Der Elektromagnet 144 ist
auf einer Seite gegenüber
der Seite der optischen Platte, auf die der Laserstrahl eingestrahlt
wird, innerhalb der optischen Platteneinheit angeordnet, die mit
dieser optischen Platte geladen ist. Dieser Elektromagnet 144 liefert
zu der Zeit einer Aufzeichnung und Löschung ein externes Magnetfeld
auf der optischen Platte. Im Fall der optischen Platte mit dem Format
1,3 GB oder 2,3 GB, wobei das MSR verwendet wird, liefert der Elektromagnet 144 auch
das externe Magnetfeld auf der optischen Platte zur Zeit einer MSR-Reproduktion.
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Der
DSP 116 ist mit einer Servo-Funktion zum Positionieren
des Laserstrahls von der Laserdiode 130-1 bezüglich der
optischen Platte versehen und dient als Such-Controller und Auf-Spur-Controller,
welche dem Laserstrahl ermöglichen,
eine Zielspur zu suchen und auf der Zielspur positioniert zu werden.
Die Suchsteuerung und die Auf-Spur-Steuerung können gleichzeitig parallel
mit dem Schreibzugriff oder dem Lesezugriff der MPU 112 bezüglich eines
Host-Befehls ausgeführt werden.
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Um
die Servo-Funktion des DSP 116 zu realisieren, ist ein
Fokusfehlersignal-(FES)-Detektor 145 in der optischen Einheit
der Umhüllung 111 vorgesehen,
um den Laserstrahl zu detektieren, der von der Laserdiode 130-1 emittiert
und über
die optische Platte zurückgeleitet
wird. Die FES-Detektionsschaltung 146 erzeugt ein FES E1
aus einem Detektionssignal, das von dem FES-Detektor 145 empfangen wird,
und speist dieses FES E1 in den DSP 116 ein.
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Ein
Detektor 147 für
Spurfolge-Fehlersignale (TES) ist ebenfalls in der optischen Einheit
der Umhüllung 111 vorgesehen,
um den Laserstrahl zu detektieren, der von der Laserdiode 130-1 emittiert
und über
die optische Platte zurückgeleitet
wird. Eine TES-Detektionsschaltung 148 erzeugt aus einem vom
TES-Detektor 147 empfangenen Detektionssignal ein TES E2
und speist dieses TES E2 in den DSP 116 ein. Das TES E2
wird auch in eine Schaltung 150 zur Detektion von Spurnulldurchgängen (TZC)
eingespeist, und diese TZC-Detektionsschaltung 150 erzeugt
ein TZC-Signal E3, das in den DSP 116 eingespeist wird.
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Ein
Linsenpositionssensor 154 ist in der Umhüllung 111 vorgesehen.
Dieser Linsenpositionssensor 154 detektiert eine Position
einer Objektivlinse, durch die der Laserstrahl auf die optische
Platte gestrahlt wird. Ein Linsenpositionsdetektionssignal (LPOS)
E4 vom Linsenpositionssensor 154 wird in den DSP 116 eingespeist.
Der DSP 116 steuert und treibt ein Fokusstellglied 160,
ein Linsenstellglied 164 und einen Schwingspulenmotor (VCM) 168 über entsprechende
Treiber 158, 162 und 166 an, um so die Position
eines durch den Laserstrahl auf der optischen Platte gebildeten
Strahlflecks zu steuern.
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2 ist
eine Querschnittansicht, die den allgemeinen Aufbau der Umhüllung 111 zeigt.
Wie in 2 gezeigt ist, ist der Spindelmotor 140 innerhalb eines
Gehäuses 167 vorgesehen.
Durch Einsetzen einer MO-Kassette 170 in das Gehäuse 167 von
der Seite einer Einlasstür 169 kommt
eine optische Platte (MO-Platte) 172, die innerhalb der
MO-Kassette 170 aufgenommen wird, mit einer Drehwelle des
Spindelmotors 140 in Eingriff, wodurch die optische Platte 172 bezüglich der
optischen Platteneinheit geladen wird.
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Ein
Wagen 176 ist unterhalb der geladenen optischen Platte 172 innerhalb
der MO-Kassette 170 vorgesehen. Dieser Wagen 176 ist
in einer Richtung frei bewegbar, die Spuren auf der optischen Platte 172 überquert,
wenn er durch den VCM 164 angetrieben wird. Eine Objektivlinse 180 ist
auf dem Wagen 176 montiert. Der Laserstrahl, der von der
Laserdiode 130-1 emittiert wird, die innerhalb eines festen
optischen Systems 178 vorgesehen ist, wird durch einen
Spiegel 182 reflektiert und über die Objektivlinse 180 auf
die Aufzeichnungsoberfläche
der optischen Platte 172 gestrahlt, wodurch ein Strahlfleck
auf der Aufzeichnungsoberfläche
gebildet wird.
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Die
Bewegung der Objektivlinse 180 entlang einer optischen
Achse wird durch das Fokusstellglied 160 der Umhüllung, dargestellt
in 1, gesteuert. Außerdem ist die Objektivlinse 180 in
einer radialen Richtung, die die Spuren auf der optischen Platte 172 überquert,
durch das Linsenstellglied 164 innerhalb eines Bereichs
von mehreren zehn Spuren bewegbar. Die Position der Objektivlinse 180,
die auf dem Wagen 176 montiert ist, wird durch den in 1 dargestellten
Linsenpositionssensor 154 detektiert. Der Linsenpositionssensor 154 gibt
das Linsenpositionsdetektionssignal E4 ab, das einen Wert Null an
einer Neutralposition annimmt, wo die optische Achse der Objektivlinse 180 senkrecht
zur Aufzeichnungsoberfläche
der optischen Platte 172 ist, und hat eine Größe und Priorität in Abhängigkeit
vom Betrag, um den sich die optische Achse der Objektivlinse in
Richtung auf die innere oder äußere periphere
Seite der optischen Platte 172 bewegt.
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3 ist
ein Systemblockdiagramm, das einen wichtigen Teil dieser ersten
Ausführungsform
der Speichervorrichtung gemäß der vorliegenden
Erfindung zeigt. In dieser ersten Ausführungsform der Speichervorrichtung
wird die vorliegende Erfindung auf eine Einheit für eine magnetooptische
Platte angewendet, die eine magnetooptische Platte verwendet, die
ein Aufzeichnungssystem aus Erhebungen und Rillen nutzt. Außerdem verwendet
diese erste Ausführungsform
der Speichervorrichtung eine erste Ausführungsform eines Suchsteuerungsverfahrens gemäß der vorliegenden
Erfindung. In 3 sind diejenigen Teile, welche
die gleichen wie jene entsprechenden Teile in 1 und 2 sind,
durch die gleichen Bezugsziffern bezeichnet, und deren Beschreibung
wird weggelassen.
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In 3 schließt die magnetooptische
Platteneinheit allgemein die MPU 112, den digitalem Signalprozessor
(DSP) 116, einen optischen Kopf 3, eine Photodetektorsektion 4,
einen Verstärker
und Filter und Offset addierende Schaltung (Verstärker/Filter/Offset-Addierschaltung) 5,
den Treiber 162, das Stellglied 164 und den Speicher 118 ein.
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Die
MPU 112 schließt
die Funktionen eines Rauschfilters 101, eines Unterbrechungs-Controllers 102 und
eines Lese/Schreib-Controllers 103 ein. Der Speicher 118 enthält eine
ROM-Region und eine RAM-Region. Die ROM-Region speichert Programme,
welche von der MPU 112 ausgeführt werden, und verschiedene
Daten wie z.B. Tabellen, während die
RAM-Region Daten wie z.B. Zwischenergebnisse von Berechnungen speichert,
die von der MPU 112 ausgeführt werden.
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Der
DSP 116 enthält
allgemein einen Digital-Analog-Wandler (DAC) 24, einen
Analog-Digital-Wandler (ADC) 25, einen Verstärker 26,
einen Komparator 27, einen Spurfolge-Controller 28,
der eine Phasenkompensationsfilterfunktion aufweist, einen DAC 29 und
eine Schaltung 30 zur Detektion von Amplitude und Offset
von Spurfolge-Fehlersignalen (TES). Die magnetooptische Platte 172 kann
ungehindert in die magnetooptische Platteneinheit geladen und aus
ihr entladen werden, d.h. ist bezüglich der magnetooptischen
Platteneinheit abnehmbar. Aus Gründen
der Zweckmäßigkeit
zeigt 3 nur Teile der Firmware und der Hardware des
DSP 116 bezogen auf die Einstellung des Schnittpegels,
der genutzt wird, um die Neben-Spur des Lichtstrahls zu detektieren.
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Ein
Fokussteuerungssystem, ein eine magnetooptische Platte antreibendes
System, ein Lese/Schreibsignale verarbeitendes System und dergleichen
stehen nicht direkt in Zusammenhang mit dem Gegenstand der vorliegenden
Erfindung, und die Veranschaulichung solcher Systeme ist in 3 weggelassen.
Außerdem
ist die Grundstruktur der magnetooptischen Platteneinheit nicht
auf die in 3 gezeigte Grundstruktur beschränkt, und
verschiedene bekannte Strukturen können stattdessen verwendet
werden, solange ein Prozessor wie z.B. der DSP 116 die
Operationen ausführen
kann, die im Folgenden beschrieben werden.
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In 3 wird
ein Lichtstrahl durch den optischen Kopf 3 auf die magnetooptische
Platte 172 gestrahlt, und von dem Lichtstrahl, der von
der magnetooptischen Platte 172 reflektiert wird, wird
eine Lichtkomponente, die zur Spurfolgesteuerung genutzt wird, durch
die Photodetektorsektion 4 detektiert. Daher wird das TES
an den ADC 25 innerhalb des DSP 116 über die
Verstärker/Filter/Offset-Addierschaltung 5 geliefert.
Der optische Kopf 3 und die Photodetektorsektion 4 entsprechen
der Laserdiodeneinheit 130, dem ID/MO-Detektor 132, dem Kopf-Verstärker 134,
dem FES-Detektor 145 und dem TES-Detektor 147, die in 1 dargestellt
sind. Die Verstärker/Filter/Offset-Addieschaltung 5 ist
mit einer Verstärkerfunktion,
einer Filterfunktion und einer Offset addierenden Funktion versehen.
Der ADC 25 liefert das digital umgewandelte TES an den
Verstärker 26 und die
Schaltung 30 zur Detektion von TES-Amplitude und -Offset.
Die Schaltung 30 zur Detektion von TES-Amplitude und -Offset
detektiert einen positiven Spitzenwert und einen negativen Spitzenwert
des TES und liefert die detektierten Spitzenwerte an die MPU 112.
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Basierend
auf den positiven und negativen Spitzenwerten, die von der Schaltung 30 zur
Detektion von TES-Amplitude und -Offset geliefert wurden, liefert
die MPU 112 einen Offset-Betrag an die Verstärker/Filter/Offset-Addierschaltung 5 über den
DAC 24 innerhalb des DSP 116, so dass die Spurfolgesteuerung
in einer Umgebung von Null-TES ausgeführt wird, um den Offset des TES
zu korrigieren, und steuert auch die Verstärkung des Verstärkers 26 innerhalb
des DSP 116, so dass die Amplitude des TES eine vorgeschriebene
Amplitude wird. Wie später
beschrieben wird, wird die Verstärkung
des Verstärkers 26 zwischen
einer RAM-Region und einer ROM-Region der magnetooptischen Platte 172 umgeschaltet.
Daher wird vom Verstärker 26 ein
normiertes TES erhalten, in welchem ein Abweichungsbetrag bezüglich des
Pegels des TES normiert ist, und an den Komparator 27 geliefert.
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Das
normierte TES vom Verstärker 26 wird auch
an den Spurfolge-Controller 28 geliefert.
Der Spurfolge-Controller 28 führt eine Phasenkompensation
und dergleichen bezüglich
des normierten TES aus und gibt einen Positionsfehler bezüglich eines Spurfolgeziels
aus. Dieser Positionsfehler wird über den DAC 29 und
den Treiber 162 an das Stellglied 164 geliefert,
um das Stellglied 164 durch ein bekanntes Verfahren zu
steuern, um den optischen Kopf 3 zu steuern, d.h. die Spurfolgesteuerung
bezüglich
des Lichtstrahls auszuführen.
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Zur
Zeit eines Lesens stellt die MPU 112 einen Lese-Schnittpegel
ein, der zum Detektieren einer Neben-Spur während des Lesens geeignet ist.
Außerdem
stellt zur Zeit des Schreibens/Löschens
die MPU 112 einen Schreib/Lösch-Schnittpegel ein, der berechnet und
genutzt wird, um die Neben-Spur während des Schreibens/Löschens zu
detektieren. Ferner liefert die MPU 112 während des
Lesens den Lese-Schnittpegel an den Komparator 27 und liefert während des
Schreibens/Löschens
den Schreib/Lösch-Schnittpegel
an den Komparator 27.
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Zur
Zeit des Lesens vergleicht der Komparator 27, um zu bestimmen,
ob das normierte TES vom Verstärker 26 den
Lese-Schnittpegel übersteigt,
der von der MPU 112 erhalten wird, und meldet das Vergleichsergebnis
an die MPU 112. Ähnlich
vergleicht der Komparator 27 zur Zeit des Schreibens/Löschens,
um zu bestimmen, ob das normierte TES vom Verstärker 26 den Schreib-Schnittpegel übersteigt, der
von der MPU 112 erhalten wird, und meldet das Vergleichsergebnis
an die MPU 112. Wenn das vom Komparator 27 gemeldete
Vergleichsergebnis angibt, dass das normierte TES den Lese-Schnittpegel (Neben-Spur-Meldung) zur Zeit
des Lesens übersteigt,
erkennt die MPU 112 eine Neben-Spur und erstellt eine Fehlermeldung
oder dergleichen bezüglich des
Lese/Schreib-Controllers 103 als
Antwort die Neben-Spur-Fehlermeldung. Auf der anderen Seite erkennt
die MPU 112, wenn das vom Komparator 27 gemeldete
Vergleichsergebnis angibt, dass das normierte TES den Schreib/Lösch-Schnittpegel
(Neben-Spur-Meldung) zur Zeit des Schreibens/Löschens übersteigt, eine Neben-Spur,
und eine Unterbrechung wird bezüglich
des Schreib/Löschprozesses
als Antwort auf die Neben-Spur-Meldung erzeugt, um den Schreib/Löschprozess
des Lese/Schreib-Controllers 103 durch den Unterbrechungs-Controller 102 sofort
zu unterbrechen und eine Zerstörung
von daten auf der optischen Platte 172 zu verhindern.
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4 ist
ein Diagramm, das eine Aufzeichnungsregion auf einer Aufzeichnungsoberfläche der magnetooptischen
Platte 172 zeigt. Wie in 4 gezeigt
ist, ist eine ROM-Region (Steuerungs-Spurfolge-Region oder Steuerregion) 92 in
einer inneren Peripheriezone auf der Aufzeichnungsoberfläche vorgesehen,
und eine RAM-Region (Nutzerdaten-Spurregion oder Datenregion) 91 ist
in anderen Zonen auf der Aufzeichnungsoberfläche vorgesehen. Eine Steuerungsinformation
wie z.B. eine für
das Medium, eine Anzahl Bytes pro Sektor, eine Speicherkapazität, ein Aufzeichnungssystem
und eine Laserleistung spezielle Information wird in der ROM-Region 92 aufgezeichnet.
Daten werden auf der RAM-Region 91 aufgezeichnet und/oder
von dieser reproduziert. Das Aufzeichnungssystem schließt das Erhebungs-Aufzeichnungssystem,
das Aufzeichnungssystem mit Erhebungen und Rillen, das Überschreib-Aufzeichnungssystem
und dergleichen ein. Die für
das Medium spezielle Information enthält einen Herstellernamen, eine
Speicherkapazität,
verschiedene Parameter und dergleichen der magnetooptischen Platte 172.
In der ROM-Region 92 wird die Steuerungsinformation als
Variationen in einer geometrischen Konfiguration wie z.B. Vertiefungen,
konkav-konvexe Muster,
die durch Kombinationen von Löchern
und Vorsprüngen
gebildet werden, und dergleichen aufgezeichnet, und die Steuerungsinformation
wird durch ein optisches Reproduziersystem reproduziert, indem Variationen
im Betrag reflektierten Lichts von der magnetooptischen Platte 72 detektiert
werden. Auf der anderen Seite werden in der RAM-Region 91 die
Daten durch ein magnetooptisches System aufgezeichnet und reproduziert.
In der RAM-Region und der ROM-Region 92 sind die Erhebung
und die Rille abwechselnd in einer radialen Richtung der magnetooptischen
Platte 172 vorgesehen, und eine Spur ist auf sowohl der
Erhebung als auch der Rille ausgebildet. Natürlich ist die Lage der ROM-Region 92 nicht auf
die innere Peripheriezone beschränkt
und kann z.B. in einer äußeren Peripheriezone
auf der Aufzeichnungsoberfläche
der magnetooptischen Platte 172 vorgesehen sein.
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5 ist
ein Diagramm, das die ROM-Region 92 auf der Aufzeichnungsoberfläche der
magnetooptischen Platte 172 zeigt. Wie in 5 gezeigt
ist, ist die Steuerungsinformation durch Vertiefungen 121 auf
einer Spur 111 aufgezeichnet, die auf einer Erhebung 101 ausgebildet
ist (worauf im Folgenden als eine Erhebungsspur 111 verwiesen
wird). Auf der anderen Seite ist die Steuerungsinformation durch
einen vorstehenden Teil 122 auf einer Spur 112 aufgezeichnet,
die in einer Rille 102 ausgebildet ist (worauf im Folgenden
als eine Rillenspur 112 verwiesen wird). In dieser Ausführungsform
sind eine Tiefe der Vertiefung 121 und eine Tiefe der Rille 102 ungefähr gleich,
und eine Höhe
des vorstehenden Teils 122 und eine Höhe der Erhebung 101 sind
ungefähr gleich.
Zwischen zwei gegenseitig benachbarten Spuren sind die Vertiefungen 121 und
die vorstehenden Teile 122 in einer Richtung gestaffelt,
in der die Spuren verlaufen, indem das so genannte gestaffelte oder
versetzte Format genutzt wird, um so die Effekte von Nebensprechen
zwischen den benachbarten Spuren zu unterdrücken. In 5 füllt der
vorstehende Teil 122 der Rillenspur 112 die Rille 102 nicht
vollständig,
um die Reproduzierempfindlichkeit der Steuerungsinformation zu verbessern;
es ist aber natürlich
möglich,
die Rille 102 durch den vorstehenden Teil 122 vollständig zu
füllen.
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6 ist
ein Flussdiagramm, um eine Operation der MPU 112 in dieser
ersten Ausführungsform der
Speichervorrichtung zu erläutern.
Der in 6 gezeigte Prozess wird gestartet, wenn die Host-Einheit
beispielsweise einen Suchbefehl ausgibt und ein Zielspur X angewiesen
wird.
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Es
wird der Zweckmäßigkeit
halber angenommen, dass der Lichtstrahlfleck vom optischen Kopf 3 auf
einer beliebigen Spur innerhalb der RAM-Region (Nutzerdaten-Spur-Region) 91 der
magnetooptischen Platte 172 liegt und die vom Suchbefehl
angewiesene Zielspur X innerhalb der ROM-Region (Steuerungs-Spur-Region) 92 liegt. 7 ist
ein Diagramm, um in diesem Fall eine Suche von der RAM-Region 91 zur
ROM-Region 92 zu erläutern.
In 7 gibt P1 eine Position eines Lichtstrahlflecks (Scan-Position)
auf der beliebigen Spur innerhalb der RAM-Region 91, d.h.
eine Suchstartposition an. P2 gibt eine Posi tion des Lichtstrahlflecks
auf einer Spur Y innerhalb der RAM-Region 91 an, die später beschrieben
wird, und liegt in einer Umgebung der ROM-Region 92, d.h.
eine Such-Wechselposition. P3 gibt eine Position eines Lichtstrahlflecks
auf einer Zielspur X innerhalb der ROM-Region 92 an, d.h. eine
Position für
ein Suchende (oder Suchziel).
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In 6 entscheidet
ein Schritt S1, ob ein RAM-Modus-Flag AN ist oder nicht. Das RAM-Modus-Flag
wird AN geschaltet, falls die gegenwärtige Position des Lichtstrahlflecks
auf der magnetooptischen Platte 172, d.h. innerhalb der
RAM-Region 91 liegt, und wird AUS geschaltet, falls die
Adresse innerhalb der ROM-Region 92 liegt. Das RAM-Modus-Flag
wird innerhalb der MPU 112 verwaltet. Die Adresse kann
erkannt werden, indem der Header gelesen wird, der als Variationen
in einer geometrischen Konfiguration auf der magnetooptischen Platte 172 aufgezeichnet
ist. Falls das Entscheidungsergebnis in Schritt S1 JA ist, führt ein
Schritt S2 eine Suche nach der Spur Y aus, die innerhalb der RAM-Region 91 und
in der Umgebung der ROM-Region 92 liegt.
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Falls
die magnetooptische Platte 172 durch ein Aufzeichnungsmedium
des so genannten partiellen ROM-Typs mit RAM- und ROM-Datenspurregionen
gebildet wird, ist es möglich,
zu erkennen, ob die Adresse innerhalb der RAM-Region 91 oder innerhalb der
ROM-Region 92 liegt, indem eine Adressverwaltungsinformation
gelesen wird, die in einer Verwaltungsregion auf dem Aufzeichnungsmedium aufgezeichnet
wurde, wenn die magnetooptische Platte 172 in die optische
Platteneinheit geladen wird, und die Adressverwaltungsinformation
im Speicher 118 gespeichert wird. In diesem Fall werden
Start- und Endadressen der RAM-Region 91 und Start- und Endadressen
der ROM-Region 92 in der Adressverwaltungsinformation registriert,
und es ist folglich möglich,
aus der Adressverwaltungsinformation zu erkennen, ob die Suchzielposition
in der RAM-Region 91 oder der ROM-Region 92 liegt.
Außerdem
ist es möglich,
zu erkennen, ob die gegenwärtige
Position innerhalb der RAM-Region 91 oder der ROM-Region 92 liegt,
indem die Adresse der gegenwärtigen Position
und die vom Speicher 118 gelesene Adressverwaltungsinformation
verglichen werden. Falls die magnetooptische Platte 172,
die von der optischen Platteneinheit 172 genutzt wird,
einem Standard für ein
Aufzeichnungsmedium entspricht, ist es ferner möglich, im Werk im Speicher 118 die
Verwaltungsinformation vorher zu speichern, die die Information
bezeichnet, die für
das Aufzeichnungsmedium und die Formatstruktur des Aufzeichnungsmediums
besonders sind, welche den vorgeschriebenen Inhalten des Aufzeichnungsmedienstandards
entsprechen. In diesem Fall ist es möglich, basierend auf der vorher
gespeicherten Verwaltungsinformation in der MPU 112 und/oder
dem DSP 116 zu erkennen, ob die Adresse innerhalb der RAM-Region 91 oder
der ROM-Region 92 liegt. Die in der ROM-Region 92 aufgezeichnete Information
ist nicht auf die Steuerungsinformation beschränkt, und einige Aufzeichnungsmedien
haben Programme oder Software, die als ROM-Information in der ROM-Region 91 aufgezeichnet
sind oder ist. Dementsprechend kann durch andere Verfahren als die
oben beschriebenen Verfahren erkannt werden, ob die gegenwärtige Position
oder die Suchzielposition innerhalb der RAM-Region 91 oder
der ROM-Region 92 liegt.
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Daher
wird eine erste Suchoperation von der Suchstartposition P1 zu der
Such-Wechselposition P2 ausgeführt,
wie in 7 dargestellt ist. Falls zum Beispiel die Anzahl
von Spuren innerhalb der ROM-Region 92 10 beträgt, wird
die Spur Y so bestimmt, dass die Anzahl von Spuren von der Spur
Y zur Zielspur X ungefähr
1000 oder weniger wird. Falls die Anzahl Spuren innerhalb der ROM-Region 92 100 ist,
wird die Spur Y so bestimmt, dass die Anzahl Spuren von der Spur
Y zur Zielspur X ungefähr 10000
oder weniger wird. Mit anderen Worten nimmt eine Anzahl Spuren,
die falsch gezählt
wird, zu, wenn die Anzahl Spuren, die bei der Suche überquert
werden, zunimmt. Da aber die Anzahl von Spuren, die falsch gezählt wird,
toleriert wird, während
die Anzahl von Spuren innerhalb der ROM-Region 92, in der
die Zielspur X liegt, größer wird,
ist es möglich,
die Anzahl Spuren, die durch eine zweite Suchoperation überquert
werden, die später
beschrieben wird, zu erhöhen.
Folglich muß die
Spur Y nur innerhalb der RAM-Region 91 an einer Position
liegt, die zumindest eine oder mehr Spuren von einer Grenze der RAM-Region 91 und
der ROM-Region 92 liegt.
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Nach
dem Schritt S2 entscheidet ein Schritt S3, ob eine Anzahl Wiederholungen
der Suche eine vorbestimmte Anzahl übersteigt oder nicht. Falls
das Entscheidungsergebnis in Schritt S3 NEIN ist, entscheidet ein
Schritt S4, ob die Spur Y erreicht ist oder nicht, und der Prozess
kehrt zum Schritt S2 zurück, falls
das Entscheidungsergebnis im Schritt S4 NEIN ist. Natürlich kann
die gegenwärtige
Scan-Position durch ein bekanntes Verfahren detektiert werden, das
die Anzahl von überquerten
Spuren unter Verwendung des TES zählt. Falls auf der anderen
Seite das Entscheidungsergebnis im Schritt S4 JA ist, schaltet ein
Schritt S5 die TES-Verstärkung
auf diejenige für
den ROM-Modus um. Wenn der Modus der magnetooptischen Platteneinheit
der RAM-Modus ist, steuert die MPU 112 die Verstärkung des
Verstärkers 26,
um die TES-Verstärkung
auf diejenige für den
RAM-Modus einzustellen. Wenn jedoch der Modus der Einheit mit magnetooptischer
Platte der ROM-Modus wird, schaltet die MPU 112 um und steuert
die Verstärkung
des Verstärkers 26,
um die TES-Verstärkung
auf diejenige für
den ROM-Modus einzustellen. Die TES-Verstärkung für den ROM-Modus ist größer als
die TES-Verstärkung
für den RAM-Modus
eingestellt. Daher ist es möglich,
einen Neben-Spur-Zustand oder einen Außer-Fokus-Zustand zu verhindern,
der ansonsten aufgrund einer instabilen Servo-Steuerung erzeugt
wird, die durch die kleine TES-Amplitude bei der Zielspur X hervorgerufen
wird.
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Nach
dem Schritt S5 schaltet ein Schritt S6 die Leseparameter und andere
Einstellungen auf diejenigen für
den ROM-Modus um und schaltet das ROM-Modus-Flag AUS. Insbesondere werden
die Einstellungen so umgeschaltet, dass die ROM-Region 92 mit
hoher Genauigkeit gelesen werden kann, indem die Leistung des Lichtstrahls
reduziert oder der Hysteresepegel für Nulldurchgänge der
TZC-Detektionsschaltung 150 reduziert wird, um den Detektionspegel
für Nulldurchgänge auf
einen kleinen Wert einzustellen, und indem der Schnittpegel für die Neben-Spur-Detektion
auf einen großen
Wert eingestellt wird. Nach dem Schritt S6 oder falls das Entscheidungsergebnis
in Schritt S1 NEIN ist, führt
ein Schritt S7 eine Suche nach der Zielspur X innerhalb der ROM-Region 92 aus.
Die zweite Suchoperation von der Such-Wechselposition P2 zu der
Suchendposition P3, die in 7 gezeigt
ist, wird folglich ausgeführt.
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Ein
Schritt S8 entscheidet, ob die Anzahl Wiederholungen der Suche einen
vorbestimmten Wert übersteigt
oder nicht. Falls ein Entscheidungsergebnis im Schritt S8 NEIN ist,
entscheidet ein Schritt S9, ob die Zielspur X erreicht ist oder
nicht, und der Prozess endet normal, falls das Entscheidungsergebnis
im Schritt S9 JA ist. Falls das Entscheidungsergebnis im Schritt
S9 NEIN ist, kehrt der Prozess zum Schritt S7 zurück.
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Falls
das Entscheidungsergebnis in dem Schritt S3 oder dem Schritt S8
JA ist, endet der Prozess anormal, und das anormale Ende wird der Host-Einheit
gemeldet.
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Die
Suche von der Spur innerhalb der ROM-Region 92 zu der Spur
innerhalb der RAM-Region 91 wird durch eine Suchoperation
ausgeführt, wie
später
in Verbindung mit einer vierten Ausführungsform beschrieben wird.
In dieser ersten Ausführungsform
wird die Suche von der RAM-Region 91 zur ROM-Region 92 durch
eine zweistufige Suchoperation ausgeführt, und die Suche von der
ROM-Region 92 zur RAM-Region 91 wird durch eine
einstufige Suchoperation ausgeführt.
Mit anderen Worten nutzen die Suche von der RAM-Region 91 zur
ROM-Region 92 und die Suche von der ROM-Region 92 zur RAM-Region 91 verschiedene
Suchsteuerungsverfahren.
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Wenn
die Zielposition einer Suche innerhalb der ROM-Region 92 liegt,
wird die erste Suche ausgeführt,
indem die Such-Wechselposition als eine erste Endposition (die erste
Zielposition) betrachtet wird, um einen Auf-Spur-Zustand bezüglich der
ersten Endposition zu erreichen, und nach Ausführen der verschiedenen Umschaltvorgänge oder
Wechsel wird die zweite Suche ausgeführt, indem die Zielposition
einer Suche als eine zweite Endposition (zweite Zielposition) betrachtet
wird, um einen Auf-Spur-Zustand bezüglich der zweiten Endposition
zu erreichen. Falls die Suche während
der ersten und zweiten Suche fehlschlägt und der Auf-Spur-Zustand
bezüglich
der entsprechenden ersten und zweiten Endposition (erste und zweite
Zielposition) nicht erreicht werden kann, wird die Suche wieder
ausgeführt; wenn
aber diese Suche, die erneut ausgeführt wird, nicht berücksichtigt
wird, werden zwei Suchoperationen (d.h. eine zweistufige Suche)
in diesem Fall ausgeführt.
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Falls
die Suchzielposition innerhalb der RAM-Region 91 liegt,
wird die Suche ausgeführt,
indem die Zielposition einer Suche als Endposition betrachtet wird,
um einen Auf-Spur-Zustand bezüglich der
Endposition zu erreichen. Falls die Suche fehlschlägt und der
Auf-Spur-Zustand bezüglich
der Endposition (Suchzielposition) nicht erreicht werden kann, wird
die Suche wieder ausgeführt.
Wenn aber diese Suche, die wieder ausgeführt wird, nicht berücksichtigt
wird, wird in diesem Fall eine Suchoperation (das heißt eine
einstufige Suche) ausgeführt.
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In
dieser Ausführungsform
beträgt
ein Verhältnis
der TES-Amplituden, wenn die RAM-Region 91 der magnetooptischen
Platte 172 gescannt und wenn die ROM-Region 92 der
magnetooptischen Platte 172 gescannt wird, 1:0,4, wie oben
beschrieben wurde, und folglich wird die TES-Verstärkung geeignet
umgeschaltet oder gewechselt und auf das 2,5-fache eingestellt.
Aus diesem Grund wird, wenn die Ankunft bei der gewünschten
Spur detektiert wird, indem die Anzahl von überquerten Spuren von der Zeit
an, zu der der Lichtstrahlfleck sich von der beliebigen Spur zu
bewegen beginnt, unter Verwendung des TES gezählt wird, ein Fehler nicht
leicht erzeugt, wenn die Anzahl überquerter
Spuren gezählt
wird.
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Da
ein Fehler nicht leicht erzeugt wird, wenn die Anzahl Spuren gezählt wird,
die überquert
werden, ist es möglich,
die Wiederholung der Suche (Suchwiederholung) zu unterdrücken und
die Zeit zu reduzieren, die erforderlich ist, um die Suche auszuführen. Besonders
wenn die magnetooptische Platte 172 in die Einheit für eine magnetooptische
Platte geladen wird, ist es zuerst notwendig, eine Suche nach der
ROM-Region 92 vorzunehmen, um die Steuerungsinformationen
wie zum Beispiel Speicherkapazität
und den Plattentyp zu lesen. In dieser ersten Ausführungsform
kann diese Suche innerhalb einer kurzen Zeit ausgeführt werden.
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Falls
die Schaltung entworfen wäre,
um die von der RAM-Region 91 erhaltene TES-Amplitude einzurichten,
würde überdies
das TES nicht korrekt von der ROM-Region 92 detektiert
werden, und die Spurfolgen-Servo-Steuerung würde in der ROM-Region nicht
normal ausgeführt
werden. Falls die Schaltung entworfen wäre, um die von der ROM-Region 92 erhaltene
TES-Amplitude einzurichten, würde ähnlich das
TES von der RAM-Region 91 nicht korrekt detektiert werden,
und die Spurfolge-Servo-Steuerung würde in der RAM-Region 91 nicht
normal ausgeführt
werden. In jedem Fall wäre
es daher unmöglich,
einen Auf-Spur-Zustand
bezüglich
der gewünschten
Spur zu erhalten. Gemäß dieser
Ausführungsform
ist es aber möglich,
solche Probleme vollständig
zu eliminieren.
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8 ist
ein Flußdiagramm,
um eine Operation eines Beispiels zu erläutern, das zum Verstehen der
vorliegenden Erfindung nützlich
ist. Die Grundstruktur dieses Beispiels der Speichervorrichtung und
die Grundstrukturen der zweiten und dritten Ausführungsform der Speichervorrichtung,
die später
be schrieben werden, können
die gleichen wie die Grundstrukturen der ersten Ausführungsform
der in 3 gezeigten Speichervorrichtung sein, die oben beschrieben
wurde, und eine Beschreibung und Veranschaulichung davon wird weggelassen.
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Der
in 8 gezeigte Prozess wird ausgeführt, wenn ein Neben-Spur-Zustand während einer Suche
erzeugt wird, in der ein Servo-Fehler oder eine Anormalität (worauf
im folgenden einfach als Servo-Anormalität verwiesen wird) in der Spurfolge-Servo-Steuerung
oder Fokus-Servo-Steuerung auftritt. In 8 entscheidet
ein Schritt S11, ob eine Servo-Anormalität detektiert wird oder nicht,
indem zum Beispiel dem Unterbrechungs-Controller 102 innerhalb
der MPU 112 mitgeteilt wird, wann das von dem in 3 gezeigten
Komparator 27 erhaltene Vergleichsergebnis anormal ist.
Die Struktur und das Prinzip, die genutzt werden, um den Spurfolge-Servo-Fehler
zu detektieren, sind beispielsweise aus den offengelegten japanischen
Patentanmeldungen Nr. 5-189797 und Nr. 10-275352 bekannt, und die Struktur
und das Prinzip, die genutzt werden, um den Fokus-Servo-Fehler zu
detektieren, sind beispielsweise aus den offengelegten japanischen
Patentanmeldungen Nr. 4-195734 und Nr. 2-61829 bekannt.
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Falls
das Entscheidungsergebnis in Schritt S11 JA ist, schaltet ein Schritt
S12 die Spurfolge-Servo-Steuerung und die Fokus-Servo-Steuerung
AUS. Außerdem
entscheidet ein Schritt S13, ob das RAM-Modus-Flag AUS ist oder
nicht. Falls das Entscheidungsergebnis im Schritt S13 JA ist, initialisiert ein
Schritt S14 eine Aufnahmeposition, das heißt initialisiert die Position
des optischen Kopfes 3. Ein Schritt S15 steuert die Verstärkung des
Verstärkers 26,
um die TES-Verstärkung auf
diejenige für
den RAM-Modus einzustellen, und der Prozess geht zu einem Schritt
S17 weiter, der später
beschrieben wird.
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Falls
auf der anderen Seite das Entscheidungsergebnis in Schritt S13 NEIN
ist, führt
ein Schritt S16 einen bekannten Erholungs- oder Wiederherstellungsprozess
aus, der normal ausgeführt wird,
und der Prozess geht zu Schritt S17 weiter. Der Schritt S17 schaltet
die Spurfolge-Servo-Steuerung und die Fokus-Servo-Steuerung EIN, und der Prozess
endet.
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Wenn
der Neben-Spur-Zustand in der Einheit für eine magnetooptische Platte
aufgrund der Servo-Anormalität
erzeugt wird, gibt es eine hohe Wahrscheinlichkeit, dass die Scan-Position
die RAM-Region 91 erreichen wird, weil die ROM-Region 92 verglichen
mit der RAM-Region 91 der magnetooptischen Platte 172 klein
ist und der optische Kopf 3 eine Charakteristik derart
hat, dass der optische Kopf 3 eher zur zentralen Zone der
magnetooptischen Platte 172 zurückzukehrt. Wenn jedoch die
Scan-Position die RAM-Region 91 erreicht und die TES-Verstärkung wieder
auf diejenige für
den ROM-Modus eingestellt wird, wird die TES-Amplitude zu groß, und die
Schaltung wird oszillieren, und daher besteht eine Möglichkeit,
dass für
den Wiederherstellungsprozess eine lange Zeit erforderlich sein
wird. In diesem Beispiel wird daher die TES-Verstärkung sofort
gewechselt und auf diejenige für
den RAM-Modus eingestellt, wenn die Servo-Anormalität während des Auf-Spur-Zustands
innerhalb der ROM-Region 92 detektiert wird, um den Auf-Spur-Zustand
beizubehalten.
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9 ist
ein Flußdiagramm,
um eine Operation der zweiten Ausführungsform der Speichervorrichtung
gemäß der vorliegenden
Erfindung zu erläutern.
Der in 9 gezeigte Prozess wird ausgeführt, wenn beispielsweise ein
Neben-Spur-Zustand
durch die Servo-Anormalität
der Spurfolge-Servo-Steuerung oder der Fokus-Servo-Steuerung während der Suche
erzeugt wird.
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In 9 entscheidet
unter Verwendung eines bekannten Verfahrens ein Schritt S21, ob
eine Servo-Anormalität
detektiert wird oder nicht. Falls das Entscheidungsergebnis in Schritt
S21 JA ist, schaltet ein Schritt S22 die Spurfolge-Servo-Steuerung und
die Fokus-Servo-Steuerung AUS. Außerdem mißt ein Schritt S23 die TES-Amplitude,
und ein Schritt S24 entscheidet basierend auf der gemessenen TES-Amplitude,
ob die gegenwärtige
Scan-Position innerhalb der RAM-Region 91 oder der ROM-Region 92 liegt.
Die TES-Amplitude kann innerhalb der MPU 112 basierend
auf dem Detektionsergebnis von der in 3 gezeigten
Schaltung 30 zur Detektion von TES-Amplitude und -Offset
erkannt werden. Die MPU 112 beurteilt, dass die gegenwärtige Scan-Position
innerhalb der RAM-Region liegt, falls die TES-Amplitude verhältnismäßig groß ist, und
beurteilt, dass die gegenwärtige
Scan-Position innerhalb der ROM-Region liegt, falls die TES-Amplitude
verhältnismäßig klein
ist.
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Falls
der Schritt S24 beurteilt, dass die gegenwärtige Scan-Position innerhalb
der RAM-Region 91 liegt, steuert ein Schritt S25 die Verstärkung des Verstärkers 26,
um die TES-Verstärkung
auf diejenige für
den RAM-Modus einzustellen, und der Prozess geht zu einem Schritt
S27 weiter, der später
beschrie ben wird. Falls auf der anderen Seite der Schritt S24 beurteilt,
dass die gegenwärtige
Scan-Position innerhalb der ROM-Region 92 liegt, steuert
ein Schritt S26 die Verstärkung
des Verstärkers 26,
um die TES-Verstärkung
auf diejenige für
den ROM-Modus einzustellen, und der Prozess geht weiter zu dem Schritt S27.
Der Schritt S27 schaltet die Spurfolge-Servo-Steuerung und die Fokus-Servo-Steuerung AN, und
der Prozess endet.
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10 ist
ein Flußdiagramm,
um eine Operation der dritten Ausführungsform der Speichervorrichtung
gemäß der vorliegenden
Erfindung zu erläutern.
Der in 10 gezeigte Prozess wird ausgeführt, wenn
beispielsweise ein Lesen von der Zielspur X innerhalb der ROM-Region 92 während der
Suche endet.
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In 10 entscheidet
ein Schritt S31, ob ein Lesen von der Spur X innerhalb der ROM-Region 92 der
magnetooptischen Platte 172 geendet hat oder nicht. Falls
das Entscheidungsergebnis in Schritt S31 JA ist, steuert ein Schritt
S32 die Verstärkung
des Verstärkers 26,
um die TES-Verstärkung
auf diejenige für
den RAM-Modus einzustellen. Ein Schritt S33 schaltet die Leseparameter
und andere Einstellungen auf diejenigen für den RAM-Modus um und schaltet
das RAM-Modus-Flag AN. Ein Schritt S24 führt eine Suche nach einer Zielspur
Z innerhalb der RAM-Region 91 mittels einer Suchoperation
aus. Die Zielspur Z innerhalb der RAM-Region 91 kann vorher beliebig
eingestellt werden und zum Beispiel auf eine Spur in ungefähr dem zentralen
Abschnitt entlang der radialen Richtung der RAM-Region 91 eingestellt werden.
Ein Schritt S35 entscheidet, ob eine Anzahl Wiederholungen der Suche
einen vorbestimmten Wert übersteigt
oder nicht. Falls das Entscheidungsergebnis in Schritt S35 NEIN
ist, entscheidet ein Schritt S36, ob die Zielspur Z erreicht ist
oder nicht, und der Prozess endet normal, falls das Entscheidungsergebnis
in Schritt S36 JA ist. Falls das Entscheidungsergebnis in Schritt
S36 NEIN ist, kehrt der Prozess zum Schritt S34 zurück. Falls
das Entscheidungsergebnis in dem Schritt S35 JA ist, endet der Prozess
anormal, und das anormale Ende wird an die Host-Einheit gemeldet.
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Falls
die ROM-Region 92 in dem inneren Umfangsabschnitt der magnetooptischen
Platte 172 vorgesehen ist und der Auf-Spur-Zustand beibehalten
wird, sogar nachdem das Lesen von der Spur innerhalb der ROM-Region 92 endet,
stoppt die Servo-Steuerung zu dem Zeitpunkt, wenn die Spur innerhalb
der ROM-Region 92 endet, um einen Neben-Spur-Zustand als
Ergebnis zu lie fern, und es erfordert Zeit, den Auf-Spur-Zustand
wiederzustellen. Ein ähnliches
Phänomen
tritt auch in einem Fall auf, in dem die ROM-Region 92 in
dem äußeren Umfangsabschnitt
der magnetooptischen Platte 172 vorgesehen ist. In dieser
dritten Ausführungsform
wird daher die Suche nach der RAM-Region 91 sofort ausgeführt, wenn
das Lesen von der ROM-Region 92 endet, so dass der Auf-Spur-Zustand
aufrechterhalten werden kann, sogar nachdem das Lesen von der ROM-Region 92 endet.
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Natürlich ist
es möglich,
die oben beschriebenen ersten bis dritten Ausführungsformen zu kombinieren.
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Jede
der oben beschriebenen Ausführungsformen
berücksichtigt
die Kompatibilität
der Speichervorrichtung gemäß der vorliegenden
Erfindung und der herkömmlichen
Speichervorrichtung. Mit anderen Worten sind die Funktionen der
vorliegenden Erfindung nicht so ausgebildet, dass sie bezüglich eines
Aufzeichnungsmediums mit niedriger Dichte, das eine Speicherkapazität von zum
Beispiel weniger als 2,3 GB hat, arbeiten. Falls aber die Kompatibilität der Speichervorrichtung
gemäß der vorliegenden
Erfindung und der herkömmlichen
Speichervorrichtung nicht berücksichtigt
werden muß,
können
die Funktionen der vorliegenden Erfindung so ausgebildet werden,
dass sie bezüglich
des Aufzeichnungsmediums mit niedriger Dichte arbeiten. In diesem
Fall ist das Verfahren zum Beurteilen des Typs eines Aufzeichnungsmediums
nicht auf das Verfahren zum Beurteilen des Typs aus den Vertiefungen
des ID-Abschnitts wie oben beschrieben beschränkt, und es ist möglich, andere
Verfahren zu verwenden, wie zum Beispiel ein Verfahren, das Medieninformationen
von einer Steuerungsinformationsregion des Aufzeichnungsmediums
liest.
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Außerdem ist
die Anwendung der vorliegenden Erfindung nicht auf die Einheit für eine magnetooptische
Platte beschränkt,
und die vorliegende Erfindung ist ähnlich anwendbar auf verschiedene
Arten von Speichervorrichtungen einschließlich Speichervorrichtungen,
die optische Aufzeichnungsmedien des magnetooptischen Typs, Typs
mit Phasenänderungen
und dergleichen verwenden, die andere Systeme als die oben beschriebenen
nutzen, wie zum Beispiel CR-R, CD-RW, DVD-RAM mit den RAM- und ROM-Regionen,
und Speichervorrichtungen, die einen Lichtstrahl nutzen, um Informationen auf
einem magneti schen Aufzeichnungsmedium als Variationen in magnetooptischen
Eigenschaften aufzuzeichnen.
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Die
vorliegende Erfindung ist ferner nicht auf diese Ausführungsformen
beschränkt,
sondern verschiedene Variationen und Modifikationen können vorgenommen
werden, ohne vom Umfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen,
wie sie in den beigefügten
Ansprüchen
definiert ist.