DE60101818T2

DE60101818T2 - Farbkathodenstrahlröhre

Info

Publication number: DE60101818T2
Application number: DE60101818T
Authority: DE
Inventors: Koji Kusatsu-shi Shimada; Hiromi Takarazuka-shi Wakasono
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2000-04-25
Filing date: 2001-04-11
Publication date: 2004-11-04
Anticipated expiration: 2021-04-12
Also published as: DE60101818D1; EP1150325A1; CN1203512C; EP1150325B1; US6784607B2; KR100392907B1; US20010033129A1; KR20010098870A; CN1321999A

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Farbkathodenstrahlröhre. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung eine Farbkathodenstrahlröhre, die durch eine Konfiguration eines Maskenrahmens gekennzeichnet ist, um die Bildqualität, insbesondere Farbgleichförmigkeit, zu verbessern.
Wie in 11 gezeigt, weist eine Farbkathodenstrahlröhre ein Glaskolben (Monitorkolben) 13 mit einer Frontabdeckung, deren Innenfläche mit einem Phosphorschirm 14 versehen ist, und einen Trichter auf. In einem Halsabschnitt des Glaskolbens 13 ist eine Elektronenkanone 81 vorgesehen. Eine an dem Maskenrahmen 31 aufgespannte Lochmaske 1 liegt dem Phosphorschirm 14 gegenüber. Der Maskenrahmen 31 weist einen im wesentlichen L-förmigen Querschnitt auf und umfaßt einen ersten Abschnitt und einen nach innen vorstehenden Abschnitt 32, wobei der erstere die Lochmaske 1 aufspannt und an dem Glaskolben 13 befestigt ist und der letztere in Richtung einer Röhrenachsen-(Mittelachsen-)Seite des Glaskolbens 13 vorsteht, um im wesentlichen parallel zu der Lochmaske 1 zu verlaufen. Eine innere magnetische Abschirmung 2 ist an dem nach innen vorstehenden Abschnitt 32 befestigt.
Den drei Farben R (rot), G (grün) und B (blau) entsprechende Elektronenstrahlen 5 werden aus der Elektronenkanone 81 emittiert und durchlaufen die Lochmaske 1, die direkt vor der Frontabdeckung angeordnet ist. Basierend auf dem Einfallwinkel zur Zeit dieses Durchgangs können Positionen, an denen die Elektronenstrahlen 5 auf die Frontabdeckung treffen, eingeschränkt werden. Entsprechend diesen Aufprallpositionen werden daher die Leuchtstoffe für R, G und B separat auf der Innenfläche der Frontabdeckung angebracht, wodurch eine geometrische Farbauswahl durchgeführt wird, um Farbbilder auf dem Phosphorschirm 14 zu bilden.
In einer üblichen Farbkathodenstrahlröhre werden Bilder mittels eines Überabtastsystems (Over Scan System) reproduziert, so daß die Bilder über einen gesamten Bildschirmbereich des Phosphorschirms angezeigt werden. Der Betrag dieses Überabtastens beträgt etwa 105 bis 110% jeweils in horizontaler und in vertikaler Richtung des Phosphorschirms. Wenn der Phosphorschirm mit einem derartigen Überabtastsystem abgetastet wird, trifft ein Teil der überabtastenden Elektronenstrahlen 5 den die Lochmaske 1 tragenden Maskenrahmen 31 und wird so reflektiert, daß er den Phosphorschirm 14 wie in 12 gezeigt erreicht, so daß eine andere als die in einer vorbestimmten Position liegende Phosphorschicht Licht emittiert. Dies verringert die Farbreinheit und den Kontrast des Bildes und zerstört somit die Bildqualität.
Um die Zerstörung der Bildqualität aufgrund dieses reflektierten Strahls zu verhindern wird herkömmlicherweise eine Elektronenabschirmung 33 an einer röhrenachsenseitigen Kante des nach innen vorstehenden Abschnitts 32 des Maskenrahmens 31 wie in 13 gezeigt angebracht. Alternativ hierzu wird, wie in 14 dargestellt, eine Elektronenabschirmung 33 zwischen der inneren magnetischen Abschirmung 2 und dem nach innen vorstehenden Abschnitt 32 des Maskenrahmens 31 derart vorgesehen, daß sie über den Maskenrahmen 31 in Richtung der Röhrenachsenseite hinausragt.
Da die Elektronenabschirmung 33 herkömmlicherweise aus einer magnetischen Substanz gebildet wurde, hat bei einer Anordnung der Kathodenstrahlröhre in der Gegenwart eines Erdmagnetismus von etwa 800 A/m (10 Oe) jedoch manchmal ein magnetisches Streufeld von einem vorderen Endabschnitt der Elektronenabschirmung 33 ein Phänomen erzeugt, das der Elektronenstrahl auf seinem Weg eine Ablenkung erfährt und dadurch nicht eine gewünschte Position auf der Phosphorschicht trifft (versetztes Auftreffen).
Die US 4 931 690 offenbart eine Farbbildröhre mit einer Elektronenabschirmung.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Farbkathodenstrahlröhre bereitzustellen, mit der ein versetztes Auftreffen aufgrund von Erdmagnetismus vermieden wird und die keine Farbverschiebung aufweist.
Erfindungsgemäß wird eine Farbkathodenstrahlröhre gemäß Anspruch 1 bereitgestellt.
Da diese Konfiguration bzw. Anordnung den magnetischen Widerstand der Elektronenabschirmung erhöht, kann ein in Richtung eines vorderen Endabschnitts der Elektronenabschirmung fließender magnetischer Fluß unterdrückt werden, wodurch ein magnetisches Streufeld von dem vorderen Endbereich der Elektronenabschirmung verringert wird. Es ist daher möglich, eine Farbkathodenstrahlröhre bereitzustellen, die das versetzte Auftreffen aufgrund von Erdmagnetismus reduziert und die keine Farbverschiebung aufweist. Es ist des weiteren möglich, den von der inneren magnetischen Abschirmung über den Maskenrahmen zu dem vorderen Endabschnitt der Elektronenabschirmung fließenden magnetischen Fluß zu regulieren, wodurch das magnetische Streufeld von dem vorderen Endabschnitt der Elektronenabschirmung reduziert wird.
Es ist außerdem bevorzugt, daß die Elektronenabschirmung so ausgebildet ist, daß ein vorderer Endabschnitt auf einer Elektronenstrahlseite des Maskenrahmens verlängert ist.
Alternativ ist es bevorzugt, daß die Elektronenabschirmung aus einem anderen Element als dem Maskenrahmen derart gebildet ist, daß es über einen vorderen Endabschnitt auf einer Elektronenstrahlseite des Maskenrahmens hinausragt.
1 zeigt einen vergrößerten Querschnitt, der einen Hauptabschnitt einer Farbkathodenstrahlröhre darstellt.
2 zeigt ein Konzept, das einen Effekt eines magnetischen Felds in einer herkömmlichen Elektronenabschirmung darstellt.
3 zeigt ein Konzept, das den Effekt eines magnetischen Felds in einer Elektronenabschirmung darstellt.
4 zeigt einen vergrößerten Querschnitt, der einen Hauptabschnitt einer Farbkathodenstrahlröhre darstellt.
5 zeigt ein Konzept, das einen Zustand von magnetischem Fluß in der herkömmlichen Elektronenabschirmung darstellt.
6 zeigt ein Konzept, das den Zustand von magnetischem Fluß in einer Elektronenabschirmung darstellt.
7 zeigt ein Konzept, das den Zustand von magnetischem Fluß in einer Elektronenabschirmung gemäß einem anderen Beispiel darstellt.
8 zeigt einen vergrößerten Querschnitt, der einen Hauptabschnitt einer Farbkathodenstrahlröhre einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
9 zeigt ein Konzept, das einen Zustand von magnetischem Fluß in einem nach innen vorstehenden Abschnitt eines herkömmlichen Maskenrahmens darstellt.
10 zeigt ein Konzept, das den Zustand von magnetischem Fluß in einem nach innen vorstehenden Abschnitt gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
11 zeigt schematisch einen Querschnitt einer Farbkathodenstrahlröhre (Vorrichtung).
12 zeigt ein Konzept, das einen Pfad eines Überabtastelektronenstrahls darstellt.
13 zeigt einen vergrößerten Querschnitt, der einen Hauptabschnitt einer herkömmlichen Farbkathodenstrahlröhre in der Nachbarschaft einer Elektronenabschirmung darstellt.
14 zeigt einen vergrößerten Querschnitt, der den Hauptabschnitt der herkömmlichen Elektronenabschirmung als ein anderes Beispiel darstellt.
Das folgende ist eine spezifische Beschreibung der Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung. Eine Farbkathodenstrahlröhre der vorliegenden Erfindung ist durch ihre Konfiguration bzw. Anordnung in der Nachbarschaft eines Maskenrahmens gekennzeichnet. Da eine Grundkonfiguration der Kathodenstrahlröhre die gleiche ist, wie diejenige der in
11 gezeigten herkömmlichen Kathodenstrahlröhre, wird auf die Beschreibung der allgemeinen Konfiguration im folgenden verzichtet. Statt dessen wird ein Abschnitt in der Nachbarschaft des Maskenrahmens im Detail beschrieben.
1 zeigt einen vergrößerten Querschnitt der Nachbarschaft eines Maskenrahmens 31 in einer Farbkathodenstrahlröhre.
Der Maskenrahmen 31 weist einen im wesentlichen L-förmigen Querschnitt auf und umfaßt einen ersten Abschnitt und einen nach innen vorstehenden Abschnitt 32, wobei ersterer eine Lochmaske 1 aufspannt und an einem Glaskolben 13 befestigt ist (eine Befestigung ist in dieser Figur nicht gezeigt), und der letztere in Richtung einer Röhrenachsen-(Mittelachsen-)Seite des Glaskolbens 13 vorsteht, um im wesentlichen parallel zu der Lochmaske 1 zu verlaufen. Eine innere magnetische Abschirmung 2 ist an dem Maskenrahmen 31 befestigt (eine an dem nach innen vorstehenden Abschnitt 32 vorgesehene Befestigung ist in dieser Figur nicht gezeigt).
Die röhrenachsenseitige Kante des nach innen vorstehenden Abschnitts 32 ist mit einer bandähnlichen Elektronenabschirmung 33 versehen, die im wesentlichen die gleiche Dicke wie der nach innen vorstehende Abschnitt 32 aufweist, derart daß sich der nach innen vorstehende Abschnitt 32 über ihre gesamte Länge erstreckt. Eine Gesamtheit oder ein Teil der Elektronenabschirmung 33 weist eine kleinere anhystereseartige magnetische Permeabilität als die Lochmaske 1, der Maskenrahmen 31 und die innere magnetische Abschirmung 2 auf, wenn ein angelegtes magnetisches Feld 800 A/m, (10 Oe) (entsprechend einem Erdmagnetismus) beträgt.
"Die anhystereseartige magnetische Permeabilität" bezieht sich auf eine effektive relative magnetische Permeabilität, die durch eine magnetische Flußdichte B und ein Gleichstrommagnetfeld H an einem Konvergenzpunkt auf einer Hysterese, die mittels eines anhystereseartigen Magnetisierungsmodells erzeugt wird, wenn ein abklingendes Wechselstrommagnetfeld auf Null reduziert wird, definiert werden. Die anhystereseartige magnetische Permeabilität wird durch die folgende Gleichung ausgedrückt: uμ = (1/μ0) × (B/H)worin μ₀ eine magnetische Permeabilität in einem Vakuum darstellt. Die anhystereseartige magnetische Permeabilität ist bspw. beschrieben in The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers Transactions C-II, Band J79-C-II, Nr. 06, Seiten 311–319, Juni 1996.
Die 2 und 3 zeigen einen Effekt eines magnetischen Felds in dem Maskenrahmen 31. 2 zeigt ein herkömmliches Beispiel, das die Elektronenabschirmung aufweist, die einteilig mit dem nach innen vorstehenden Abschnitt 32 an dessen röhrenachsenseitiger Kante ausgebildet ist. Diese Elektronenabschirmung weist die gleiche anhystereseartige magnetische Permeabilität wie der nach innen vorstehende Abschnitt 32 auf. 3 zeigt eine Konfiguration der vorliegenden Anordnung. Die Pfeile 61 und 62 zeigen den Zustand eines magnetischen Streufeldes von der in dem nach innen vorstehenden Abschnitt 32 des Maskenrahmens 31 vorgesehenen Elektronenabschirmung an. Die Dicke dieser Pfeile entspricht der Intensität des magnetischen Streufelds.
In dem herkömmlichen Beispiel der 2 entweicht magnetischer Fluß, der über die innere magnetische Abschirmung 2 in den Maskenrahmen 31 fließt, von dem nach innen vorstehenden Abschnitt 32 in Richtung der Lochmaske 1 in ein Vakuum (das magnetische Streufeld 61). Demgegenüber nimmt in der in 3 gezeigten vorliegenden Anordnung der magnetische Widerstand zwischen der Elektronenabschirmung 33 und der Lochmaske 1 zu und reduziert dadurch das magnetische Streufeld 62, da zumindest ein Teil der an der röhrenachsenseitigen Kante des nach innen vorstehenden Abschnitts 32 vorgesehenen Elektronenabschirmung 33 eine kleinere anhystereseartige magnetische Permeabilität als die Lochmaske 1, der Maskenrahmen 31 und die innere magnetische Abschirmung 2 aufweist, wenn das angelegte magnetische Feld 800 A/m (10 Oe) beträgt. Als Folge kann ein versetztes Auftreffen reduziert werden.
Elemente mit unterschiedlicher anhystereseartiger magnetischer Permeabilität können mittels Schweißen, Schrauben oder durch Verwendung einer Klemmfeder miteinander verbunden werden. In 1 ist die Elektronenabschirmung 33 bezüglich dem nach innen vorstehenden Abschnitt 32 unter einem bestimmten Winkel befestigt. Mit einem geeigneten Winkel ist es möglich, einen Pfad des Elektronenstrahls, der die Elektronenabschirmung 33 trifft und reflektiert wird, einzuschränken und dadurch die Erzeugung von Lichthöfen (Halo-Effekt) zu verhindern.
Für ein angelegtes magnetisches Feld von 800 A/m (10 Oe) betrug die anhystereseartige magnetische Permeabilität eines für die innere magnetische Abschirmung 2 verwendeten Materials etwa 12.000 (Weicheisen), diejenige für den Maskenrahmen 31 etwa 2.200 (Fe-36Ni, Fe-42Ni oder dergleichen), diejenige für die Lochmaske etwa 2.000 (Fe-36Ni oder dergleichen, bei etwa 570 bis 640°C hitzebehandelt) und diejenige für die Elektronenabschirmung 33 etwa 1.800 (Eisen). Die anhystereseartige magnetische Permeabilität von etwa 1.800 wurde durch Hitzebehandlung eines Eisenmaterials (Fe-36Ni) für die Lochmaske bei einer relativ niedrigen Temperatur (gleich oder kleiner 450°C) erreicht.
Durch Ausbildung der Elektronenabschirmung 33 derart, daß sie um 20 mm von der röhrenachsenseitigen Kante des nach innen vorstehenden Abschnitts 32 hinausragte, wurde das versetzte Auftreffen um 2 μm oder mehr reduziert, verglichen mit dem Fall der 2, in dem der nach innen vorstehende Abschnitt 32 um den gleichen Betrag verlängert war.
Abweichend von den voranstehend genannten Materialien können nichtrostender Stahl (SUS) oder Aluminium als Materialien für die Elektronenabschirmung 33 verwendet werden. Die anhystereseartige magnetische Permeabilität dieser Materialien beträgt etwa 1 bei einem angelegten magnetischen Feld von 800 A/m (10 Oe).
Wie in 4 gezeigt ist, ist in einer anderen Anordnung eine aus einem Blech mit einer Dicke von etwa 0,1 bis 0,3 mm gebildete Elektronenabschirmung 33 auf einer elektronenkanonenseitigen Fläche eines nach innen vorstehenden Abschnitts 32 eines Maskenrahmens 31 vorgesehen. Die Elektronenabschirmung 33 erstreckt sich im wesentlichen über die gesamte Länge des nach innen vorstehenden Abschnitts 32, um so über eine röhrenachsenseitige Kante des nach innen vorstehenden Abschnitts 32 um etwa 30 mm in Richtung der Röhrenachsenseite hinauszuragen. Das Material der Elektronenabschirmung 33 ist Weicheisen, genauso wie bei der inneren magnetischen Abschirmung 2. Der vordere Endabschnitt an der Röhrenachsenseite der Elektronenabschirmung 33 ist leicht in Richtung der Elektronenkanonenseite gebogen, wodurch die Erzeugung von Lichthöfen verhindert wird. Die anhystereseartige Permeabilität bei einem angelegten Magnetfeld von 800 A/m (10 Oe) ist nicht einheitlich über die Elektronenabschirmung 33, d. h. die anhystereseartige magnetische Permeabilität in einem Abschnitt 8 ist kleiner als diejenige in dem anderen Abschnitt. Anstatt ein Element aus einem spezifischen Material in dem einen Abschnitt 8 vorzusehen, ist der eine Abschnitt 8 der Elektronenabschirmung 33 in der vorliegenden Ausführungsform als eine Öffnung (ein rechteckiges Loch) ausgebildet.
5 zeigt einen Zustand von magnetischem Fluß in der herkömmlichen Elektronenabschirmung 33 und 6 zeigt denjenigen in der Elektronenabschirmung 33 der vorliegenden Ausführungsform, jeweils von der Elektronenkanonenseite her gesehen. In dem herkömmlichen Beispiel der 5 weist die Elektronenabschirmung 33 keine Öffnung und eine anhystereseartige magnetische Permeabilität, die über ihre gesamte Fläche gleichförmig ist, auf. 6 zeigt die vorliegende Ausführungsform, deren Konfiguration die gleiche ist wie diejenige der 5, außer daß die Öffnung 8 ausgebildet ist. In den 5 und 6 ist aus Gründen der Vereinfachung der Darstellung lediglich der Zustand des magnetischen Flusses an einer oberen Längsseite dargestellt.
In der Konfiguration des in 5 dargestellten herkömmlichen Beispiels streut der in der Elektronenabschirmung 33 fließende magnetische Fluß aus der Elektronenabschirmung 33 in Richtung der Lochmaske 1 in ein Vakuum. Pfeile in den Figuren zeigen den Zustand des in der Elektronenabschirmung 33 fließenden magnetischen Flusses und ein magnetisches Streufeld 61 aus der Elektronenabschirmung 33 an. Auf der anderen Seite wird in der in 6 dargestellten vorliegenden Erfindung der von der inneren magnetischen Abschirmung 2 in Richtung eines vorderen Endes der Elektronenabschirmung 33 fließende magnetische Fluß (durch die Pfeile in den Figuren dargestellt) durch die Öffnung 8 reguliert, wodurch es möglich wird, daß der bezüglich der Öffnung 8 der Elektronenabschirmung 33 auf der Röhrenachsenseite (Innenseite) fließende magnetische Fluß reduziert wird. Folg lich kann ein magnetisches Streufeld 62 von dem vorderen Endabschnitt der Elektronenabschirmung 33 im Vergleich mit der herkömmlichen Konfiguration (5) verringert werden, wodurch ein versetztes Auftreffen reduziert wird.
In der vorliegenden Ausführungsform wurde das versetzte Auftreffen auf dem Schirm bei einer rechteckigen Öffnung 8 mit einer Breite von 2 mm und einer Länge von 25 mm, die 5 mm entfernt von einer inneren Kante der Elektronenabschirmung 33 mit einer Breite von 40 mm vorgesehen war, um 2 μm oder mehr reduziert werden. Die anhystereseartige magnetische Permeabilität der Öffnung 8 beträgt etwa 1.
Außerdem wurde das versetzte Auftreffen in der Ecke des Schirms um 2 μm oder mehr reduziert, wenn eine L-förmige Öffnung 8 mit einer Breite von 2 mm in einer Ecke der Elektronenabschirmung 33, wie in 7 gezeigt, vorgesehen war.
Anstatt die Öffnung 8 offenzulassen, kann die Öffnung 8 mit einem Material mit einer kleineren anhysteresartigen magnetischen Permeabilität als diejenige der Lochmaske 1, des Maskenrahmens 31 und der inneren magnetischen Abschirmung 2 wenn das angelegte Magnetfeld 800 A/m (10 Oe) beträgt, verschlossen werden. Für ein derartiges Material kann bspw. das Material verwendet werden, das in der unter Bezugnahme auf die 1 beschriebenen Anordnung für die Elektronenabschirmung 33 verwendet wurde.
Das Element oder die Öffnung mit einer kleinen anhystereseartigen magnetischen Permeabilität kann in einer geeigneten Größe und in einer geeigneten Anzahl an einer Stelle vorgesehen werden, an der eine Verringerung des magnetischen Streufelds gewünscht wird.
Obgleich die 5 bis 7 den magnetischen Fluß als horizontal in der Elektronenabschirmung 33 fließend darstellen, erzeugt die vorliegende Ausführungsform auch ähnliche Effekte wie die voranstehend beschriebenen hinsichtlich in anderen Richtungen fließender magnetischer Flüsse.
Wie in 8 gezeigt ist entsprechend der bevorzugten Ausführungsform eine bandähnliche Elektronenabschirmung 33, die im wesentlichen die gleiche Dicke aufweist wie ein nach innen vorstehender Abschnitt 32, an einer röhrenachsenseitigen Kante des nach innen vorstehenden Abschnitts 32 vorgesehen. Die Elektronenabschirmung 33 erstreckt sich im wesentlichen über die gesamte Länge des nach innen vorstehenden Abschnitts 32, um so den nach innen vorstehenden Abschnitt 32 zu verlängern. Das Material der Elektronenabschirmung 33 ist Fe-36Ni, Fe-42Ni oder dergleichen, was das gleiche ist wie für den Maskenrahmen 31. Ein Teil 9 der Elektronenabschirmung 33 weist eine kleinere anhystereseartige magnetische Permeabilität auf als der andere Teil der Elektronenabschirmung 33, wenn ein angelegtes Magnetfeld 800 A/m (10 Oe) (entsprechend einem Erdmagnetismus) beträgt. Insbesondere ist der eine Teil 9 durch Vorsehen einer Mehrzahl von Löchern so ausgebildet, daß er Öffnungen aufweist.
9 zeigt einen Zustand eines magnetischen Flusses in dem nach innen vorstehenden Abschnitt 32 und der Elektronenabschirmung 33 als herkömmliches Beispiel, und 10 zeigt ihn in dem nach innen vorstehenden Abschnitt 32 und der Elektronenabschirmung 33 der vorliegenden Ausführungsform, jeweils gesehen von der Elektronenkanonenseite. In dem herkömmlichen Beispiel der 9 weist die Elektronenabschirmung 33 in ihrem gesamten Bereich eine gleichförmige anhystereseartige Permeabilität auf. 10 zeigt eine Konfiguration der vorliegenden Ausführungsform, die die gleiche ist wie diejenige der 9, mit der Ausnahme, daß in der Elektronenabschirmung 33 die Öffnungen 9 ausgebildet sind. Auch wenn aus Gründen der Vereinfachung der Figur die in den 9 und 10 gezeigte Elektronenabschirmung 33 lediglich an einer oberen Längsseite vorgesehen ist, ist die Elektronenabschirmung 33 tatsächlich entlang des gesamten Umfangs der röhrenachsenseitigen Kante des nach innen vorstehenden Abschnitts 32 vorgesehen. Die 9 und 10 zeigen den Zustand des magnetischen Flusses lediglich an der oberen Längsseite.
In der Konfiguration des in 9 gezeigten herkömmlichen Beispiels streut der in dem nach innen vorstehenden Abschnitt 32 fließende magnetische Fluß aus der Elektronenabschirmung 33 in Richtung der Lochmaske 1 in ein Vakuum. Pfeile in 9 zeigen den in dem nach innen vorstehenden Abschnitt 32 und der Elektronenabschirmung 33 fließenden magnetischen Fluß sowie das magnetische Streufeld 61 aus der Elektronenabschirmung 33 an. Andererseits ist in der in 10 gezeigten vorliegenden Erfindung ein Teil der Längsseite der Elektronenabschirmung 33 mit einer Mehrzahl von Öffnungen (Löchern) 9 versehen, die eine kleinere anhysterseartige magnetische Permeabilität als der andere Teil aufweisen, wenn das angelegte Magnetfeld 800 A/m (10 Oe) beträgt. Dieser Teil mit einer kleineren anhystereseartigen magnetischen Permeabilität (die Öffnungen 9) reguliert den von der inneren magnetischen Abschirmung 2 über den Maskenrahmen 31 in Richtung eines vorderen Endes der Elektronenabschirmung 33 fließenden magnetischen Fluß, wodurch der auf der Röhrenachsenseite fließende magnetische Fluß im Vergleich zu dem Teil mit einer kleineren anhystereseartigen magnetischen Permeabilität reduziert wird. Folglich kann ein magnetisches Streufeld 62 aus dem vorderen Endabschnitt der Elektronenabschirmung 33 im Vergleich mit der herkömmlichen Konfiguration (9) reduziert und somit ein versetztes Auftreffen reduziert werden.
In der vorliegenden Ausführungsform wurde das versetzte Auftreffen auf dem Schirm um 2 μm oder mehr reduziert, wenn eine kreisförmige Öffnung 9 mit einem Durchmesser von 8 mm an vier Stellen in der Nachbarschaft des Zentrums der Längsseite der Elektronenabschirmung 33 vorgesehen war.
Die Anzahl, Lage und Form der Öffnungen 9 kann den Zwecken entsprechend geeignet ausgewählt werden.
Anstatt die Öffnung 9 offen zu lassen, kann die Öffnung 9 mit einem Material mit einer kleineren anhystereseartigen magnetischen Permeabilität als die Lochmaske 1, der Maskenrahmen 31 und die innere magnetische Abschirmung 2 bei einem angelegten Magnetfeld von 800 A/m (10 Oe) verschlossen werden. Als derartiges Material kann bspw. das für die Elektronenabschirmung 33 in der ersten Ausführungsform verwendete Material verwendet werden.

Claims

Farbkathodenstrahlröhre mit: einem Maskenrahmen (31), einer an dem Maskenrahmen (31) befestigten Lochmaske (1), einer inneren magnetischen Abschirmung (2), die von dem Maskenrahmen (31) getragen ist, und einer Elektronenabschirmung (33), die in dem Maskenrahmen (31) vorgesehen ist, wobei mindestens ein Teil der Elektronenabschirmung (33) eine kleinere anhystereseartige magnetische Permeabilität als die Lochmaske (1), der Maskenrahmen (31) und die innere magnetische Abschirmung (2) aufweist, wenn ein angelegtes magnetisches Feld 800 A/m (10 Oe) beträgt, dadurch gekennzeichnet, daß ein Teil der Elektronenabschirmung (33) ein Gebiet aufweist, das eine kleinere anhystereseartige magnetische Permeabilität als jedes andere Teil der Elektronenabschirmung (33) aufweist, wenn das angelegte magnetische Feld 800 A/m (10 Oe) beträgt.
Farbkathodenstrahlröhre nach Anspruch 1, wobei die Elektronenabschirmung (33) derart ausgebildet ist, daß sie einen elektronenstrahlseitigen vorderen Endbereich (32) des Maskenrahmens (31) verlängert.
Farbkathodenstrahlröhre nach Anspruch 1, wobei die Elektronenabschirmung aus einem von dem Maskenrahmen (31) unterschiedlichen Element derart gebildet ist, daß sie über einen elektronenstrahlseitigen vorderen Endbereich (32) des Maskenrahmens (31) ragt.