DE60101398T2 - Hochfrequenz-Bauelement und Kommunikationsgerät mit einem derartigen Bauelement - Google Patents

Hochfrequenz-Bauelement und Kommunikationsgerät mit einem derartigen Bauelement Download PDF

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Description

  • Hintergrund der Erfindung
  • 1. Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Hochfrequenzkomponenten mit Metallabdeckungen, die an dieselben angebracht sind, und auf Kommunikationsvorrichtungen, die dieselben enthalten.
  • 2. Beschreibung der verwandten Technik
  • Bei einer herkömmlichen Hochfrequenzkomponente wie z. B. einem spannungsgesteuerten Oszillator (VCO) und einem PLL-Modul, das in einem Mobiltelephon und dergleichen verwendet wird, sind verschiedene Arten von Chipkomponenten auf einem Substrat mit einer Elektrodenstruktur, die auf demselben gebildet ist, befestigt. Zusätzlich ist eine Metallabdeckung an dem Substrat angebracht, um die Oberseite des Substrats einschließlich der Chipkomponenten abzudecken.
  • Jede der 7A und 7B zeigt den Aufbau einer derartigen herkömmlichen Hochfrequenzkomponente. 7A zeigt eine perspektivische Ansicht der Hochfrequenzkomponente und 7B zeigt eine Querschnittsansicht derselben. In diesen Figuren bezeichnet das Bezugszeichen 1 ein Keramiksubstrat, auf dem verschiedene Arten von Chipkomponenten einschließlich einer Chipspule 3 befestigt sind. Eine Metallabdeckung 2 ist über die Oberseite des Substrats 1 aufgesetzt, um die Oberseite des Substrats 1 abzudecken, auf dem die Chipkomponenten befestigt sind.
  • Bei der herkömmlichen Hochfrequenzkomponente, bei der die Oberseite des Substrats 1, das die Chipkomponenten auf demselben befestigt aufweist, mit der Metallabdeckung 2 abgedeckt ist, kommt die Metallabdeckung 2 nahe an die auf dem Substrat befestigten Komponenten heran, insbesondere kommt sie nahe an die Chipspule 3 heran. Dies führt dazu, daß die Induktivität der Chipspule wahrscheinlich abnimmt. Hinzu kommt, daß die Induktivität der Chipspule 3 schwankt, wenn sich eine Position zum Anbringen der Metallabdeckung 2 an das Substrat 1 aufgrund einer positionellen Ungenauigkeit bezüglich eines Befestigens der Chipspule 3 an dem Substrat 1 und einer Abmessungsungenauigkeit der Metallabdeckung 2 ändert.
  • Dies führt dazu, daß die obigen Probleme die Charakteristika der Hochfrequenzkomponente wie z. B. eines VCO und eines PLL-Moduls beeinflussen. Die Charakteristika derselben weichen von einem vorbestimmten charakteristischen Bereich ab, wodurch ein gutes Produktverhältnis verschlechtert wird.
  • Die US-A-5,039,974 beschreibt eine schützende Abdeckung für eine drehbar-einstellbare elektrische Komponente, die eine gedruckte Platine mit einem auf derselben befestigten Chip, ein Gehäuse, das die Oberseite der gedruckten Platine abdeckt, und ein Loch aufweist, das in einem Abschnitt des Gehäuses in der Nähe des Chips gebildet ist.
  • Die US-A-5,783,978 offenbart einen Bandsperrfilter, der einen dielektrischen Resonator aufweist. Der dielektrische Resonator weist eine dielektrische Basis auf, die aus einem dielektrischen Material hergestellt ist. Ein hindurchgehendes Loch erstreckt sich in einer Längsrichtung der dielektrischen Basis von einem Mittelpunkt eines Seitenendes der dielektrischen Basis zu einem Mittelpunkt des anderen Seitenendes. Eine äußere leitfähige Schicht ist auf vier Außenseitenoberflächen der dielektrischen Basis angeordnet. Eine innere leitfähige Schicht ist auf einer Innenseitenoberfläche der dielektrischen Basis angeordnet.
  • Die US-A-4,707,722 beschreibt ein Lasermarkierungsverfahren und eine Ablationsschicht zur Verwendung bei derselben. Eine Stahlabdeckung wird gereinigt und gespült. Eine Nickelschicht wird auf die Stahloberfläche aufgebracht. Die Nickelschicht wird mittels eines Säurebads in eine Form umgewandelt, die für Laserenergie hoch absorbierend ist. Die Nickelschicht wird mit einer Lasermarkierungsvorrichtung markiert.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • In Anbetracht des vorangegangenen ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Hochfrequenzkomponente zu schaffen, die in der Lage ist, Veränderungen der Induktivität einer Chipspule, die auf einem Substrat befestigt ist, zu unterdrücken, um stabile Charakteristika zu erhalten. Es ist eine weitere Aufgabe der Erfindung, eine Kommunikationsvorrichtung zu schaffen, die die Hochfrequenzkomponente enthält.
  • Diese Aufgaben werden durch eine Hochfrequenzkomponente gemäß Anspruch 1 und eine Kommunikationsvorrichtung gemäß Anspruch 3 gelöst.
  • Gemäß einem ersten Aspekt der Erfindung ist eine Hochfrequenzkomponente vorgesehen, die ein Substrat, Hochfrequenzschaltungskomponenten einschließlich einer auf dem Substrat befestigten Chipspule, eine Metallabdeckung zum Abdecken der Oberseite des Substrats und ein Loch, das in einem Abschnitt der Metallabdeckung in der Nähe der Chipspule gebildet ist, umfaßt, wobei der Durchmesser oder die Breiten des Lochs größer sind als der Durchmesser oder die Breiten der Chipspule und gleich einer oder geringer als eine Länge hergestellt sind, die 1/4 einer Wellenlänge einer verwendeten Frequenz entspricht.
  • Bei dieser Anordnung besteht im wesentlichen ein großer Abstand zwischen der Chipspule und der Metallabdeckung, so daß eine Kopplung zwischen der Chipspule und der Metallabdeckung geschwächt ist. Dies kann Einflüsse, die auftreten, wenn die Metallabdeckung nahe bei der Chipspule positioniert ist, reduzieren. Hinzu kommt, daß diese Anordnung auch Veränderungen der Induktanz der Chipspule, die in Zusammenhang mit Veränderungen des Abstands zwischen der Chipspule und der Metallabdeckung stehen, reduzieren kann.
  • Bei dieser Anordnung können die Strahlung und das Einfallen von elektromagnetischen Wellen von Frequenzbändern, die gleich oder höher sind als das verwendete Frequenzband, ausreichend unterdrückt werden. Dies führt dazu, daß der Abschirmeffekt der Metallabdeckung aufrecht erhalten werden kann.
  • Hinzu kommt, daß bei dieser Hochfrequenzkomponente eine Innenoberfläche der Metallabdeckung lötplattiert und eine Außenoberfläche derselben nickelplattiert sein kann.
  • Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine Kommunikationsvorrichtung vorgesehen, die die Hochfrequenzkomponente mit dem obigen Aufbau enthält. Zum Beispiel wird die Hochfrequenzkomponente als Oszillator oder Filter, der für Hochfrequenzsignale verwendet wird, angewendet.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1A zeigen eine perspektivische Ansicht und eine und 1B Querschnittsansicht einer Hochfrequenzkomponente gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vor liegenden Erfindung;
  • 2A zeigen Draufsichten der Hochfrequenzkomponente; und 2B
  • 3 zeigt ein Schaltungsdiagramm des Hauptteils der Hochfrequenzkomponente;
  • 4 zeigt eine Draufsicht einer Hochfrequenzkomponente gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung;
  • 5 zeigt eine Teilquerschnittsansicht einer Hochfrequenzkomponente gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der Erfindung;
  • 6 zeigt ein Blockdiagramm einer Kommunikationsvorrichtung gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel der Erfindung; und
  • 7A zeigen eine perspektivische Ansicht und eine und 7B Querschnittsansicht zum Zweck einer Darstellung des Aufbaus einer herkömmlichen Hochfrequenzkomponente.
  • Beschreibung der bevorzugten Ausführungsbeispiele
  • Es wird eine Beschreibung des Aufbaus eines PLL-Moduls als Hochfrequenzkomponente gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die 1A und 1B bis 3 gegeben.
  • 1A zeigt eine perspektivische Ansicht des PLL-Moduls, und 1B zeigt eine Querschnittsansicht desselben. Bei diesem PLL-Modul ist auf einer oberen Oberfläche eines Keramiksubstrats 1 eine Elektrodenstruktur gebildet, und vorbestimmte Chipkomponenten einschließlich einer Chipspule 3 sind auf demselben befestigt. In einem Teil einer Metallabdeckung 2 ist ein Loch 4 nahe bei der Chipspule 3 gebildet.
  • 2A zeigt eine Draufsicht des PLL-Moduls, und 2B zeigt eine teilweise vergrößerte Ansicht desselben. Die Breiten w1 und w2 des Lochs 4 sind größer als die Breiten der Chipspule 3 hergestellt und sind festgelegt, um gleich einer oder geringer als eine Länge zu sein, die 1/4 einer Wellenlänge einer verwendeten Frequenz entspricht.
  • In diesen Figuren sind die Breiten der Chipspule 3 auf 1,0 mm × 0,5 mm festgelegt. Die Breite w1 ist größer als 1,0 mm, und die Breite w2 ist größer als 0,5 mm. Hinzu kommt, daß sowohl w1 als auch w2 geringer als eine Länge von 31 mm hergestellt sind, die 1/4 einer Wellenlänge einer verwendeten Frequenz von 2,4 GHZ entspricht.
  • 3 zeigt ein Schaltungsdiagramm des Hauptteils des obigen PLL-Moduls. Das Bezugszeichen 11 bezeichnet eine Hochfrequenz-Integrierte-Schaltung (IC). Eine Verstärkerschaltung, die in der Hochfrequenz-IC enthalten ist, und eine Resonanzschaltung, die aus einem Chip-Induktor L1, einem Chip-Kondensator C2 und einer Varaktordiode VD zusammengesetzt ist, bilden eine spannungsgesteuerte Oszillationsschaltung (VCO). Das Ausgangsende des Schleifenfilters 12 ist mit der Kathode einer Varaktordiode VD verbunden. Das Ausgangsende einer Modulationsschaltung, die in der Hochfrequenz-IC 11 enthalten ist, ist über einen Widerstandsspannungsteiler 13, der eine Spannung durch einen Widerstand teilt, mit der Anode der Varaktordiode VD verbunden. Hinzu kommt, daß eine Spannung einer Leistungsversorgungsschaltung, die in der Hochfrequenz-IC 11 enthalten ist, über einen Kondensator C1, einen Widerstand R1 und eine Drosselspule L2 mit dem Chip-Induktor L1 verbunden ist. Mit dieser Anordnung wird der Verstärkerschaltung eine Leistungsversorgungsspannung zugeführt.
  • Die obige PLL-Schaltung führt einen Phasenvergleich zwischen einem Referenzfrequenzsignal, das von außen zugeführt wird, und einem Oszillationssignal der Oszillationsschaltung durch und sendet über den Schleifenfilter 12 ein Phasenfehlersignal zu der Varaktordiode VD. Mit dieser Anordnung wird die Kapazität der Varaktordiode VD verändert, so daß die Oszillationsfrequenz gesteuert wird. Des weiteren steuert die Modulationsschaltung eine Spannung, die an der Varaktordiode VD angelegt ist, um die Oszillationsfrequenz zu modulieren.
  • Die Bezugszeichen 11, L1, C2 und das Bezugszeichen VD, das in den 2A und 2B gezeigt ist, entsprechen der Hochfrequenz-IC 11, dem Chip-Induktor L1, dem Chip-Kondensator C2, der Varaktordiode VD, die in 3 gezeigt sind.
  • Wie hier gezeigt ist, ist das Loch 4 der Metallabdeckung 2 nahe bei der Chipspule 3 (L1) positioniert. Diese Anordnung kann eine elektromagnetische Kopplung zwischen der Chipspule 3 und der Metallabdeckung 2 unterdrücken. Somit tritt nur eine leichte Veränderung der Induktivität der Chipspule 3 vor und nach dem Abdecken mit der Metallabdeckung 2 auf. Dies führt dazu, daß es vor dem Abdecken des Oberseitenteils des Substrats 1 mit der Metallabdeckung 2 lediglich notwendig ist, die Charakteristika des PLL-Moduls zu messen und einzustellen. Hinzu kommt, daß sich die Charakteristika des PLL-Moduls selbst nach dem Abdecken mit der Metallabdeckung 2 nicht ändern.
  • Des weiteren sind die Breiten des Lochs 4, das in der Metallabdeckung 2 gebildet ist, größer als die Chipspule 3. Selbst wenn eine geringe Abweichung zwischen der Position der Chipspule 3 und der Position des Lochs 4 der Metallabdeckung 2 auftritt, ändert sich somit die Induktivität der Chipspule 3 kaum, wenn die Metallabdeckung 2 der Chipspule nahekommt. Ungeachtet der Abmessungsgenauigkeit einer Position zum Befestigen der Chipspule 3 auf dem Substrat 1, der Genauigkeit des Aufsetzens der Metallabdeckung 2 über das Substrat 1 und der Abmessungsgenauigkeit der Metallabdeckung 2 zeigt die Induktivität der Chipspule 3 somit einen vorbestimmten Wert, so daß das PLL-Modul stabile Charakteristika aufweisen kann.
  • Des weiteren sind die Breiten des Loches 4, das in der Metallabdeckung 2 gebildet ist, gleich einer oder geringer als eine Länge hergestellt, die 1/4 einer Wellenlänge der verwendeten Frequenz entspricht. Somit kann die unnötige Strahlung von elektromagnetischen Wellen in dem verwendeten Frequenzband und einem höheren Frequenzband nach außen und der Einfall derselben von außen nach innen unterdrückt werden. Dies führt dazu, daß der Abschirmeffekt der Metallabdeckung 2 aufrecht erhalten werden kann.
  • 4 zeigt eine Hochfrequenzkomponente gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung. 4 zeigt die Draufsicht der Hochfrequenzkomponente. Wie aus einem Vergleich mit dem in den 2A und 2B gezeigten Ausführungsbeispiel klar ist, sind in diesem Ausführungsbeispiel die Chipspulen 3A und 3B nah zueinander auf einem Substrat positioniert. Eine Metallabdeckung 2 weist ein Loch 4 auf, das durch die beiden Chipspulen 3a und 3b geteilt wird. Mit dieser Anordnung kann, in ähnlicher Weise, eine Kopplung zwischen der Metallabdeckung 2 und den Chipspulen 3a und 3b unterdrückt werden. Dies führt dazu, daß die gleichen Vorteile wie die bei dem ersten Ausführungsbeispiel erhalten werden können. Hinzu kommt, daß bei diesem Ausführungsbeispiel die Metallabdeckung 2 ohne weiteres hergestellt werden kann, da das einzelne Loch 4 nur in der Metallabdeckung 2 gebildet ist.
  • Bei den Ausführungsbeispielen weist das Loch 4 eine rechteckige Form auf. Das Loch 4 kann jedoch ein rundes Loch mit einem Durchmesser sein, der größer als die Breiten der Chipspule 3 und geringer als eine Länge ist, die ¼ einer Wellenlänge einer verwendeten Frequenz entspricht.
  • Als nächstes zeigt 5 einen Teilquerschnitt einer Hochfrequenzkomponente gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist eine Innenoberfläche A einer Metallabdeckung 2 lötplattiert und eine Außenoberfläche B derselben nickelplattiert.
  • Eine derartige Metallabdeckung wird wie folgt gebildet. Das heißt, daß eine Metallplatte bereitgestellt wird, wobei eine Oberfläche der Metallplatte nickelplattiert und die andere Oberfläche derselben lötplattiert ist. Danach wird die Metallplatte ausgestanzt oder komprimiert, um eine Abdeckung zu bilden.
  • Wenn die Metallabdeckung 2 an der Oberseite des Substrats 1 angebracht wird, werden die Innenoberflächen von Randabschnitten der Metallabdeckung 2 mit einer Elektrodenanschlußfläche 5 auf dem Substrat verlötet.
  • Wie oben erwähnt kann, wenn die Innenoberfläche der Metallabdeckung 2 lötplattiert ist, die Benetzbarkeit der gelöteten Oberfläche genügend zufriedenstellend sein, um die Festigkeit zum Anbringen der Metallabdeckung 2 an dem Substrat 1 ohne weiteres aufrecht zu erhalten. Hinzu kommt, daß die Metallabdeckung 2, da die Außenoberfläche der Metallabdeckung 2 nickelplattiert ist, heller wird und auch eine Lasermarkierung durchgeführt werden kann.
  • Als nächstes wird eine Beschreibung des Aufbaus einer Kommunikationsvorrichtung gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 6 gegeben. In dieser Figur bezeichnet das Bezugszeichen ANT eine Übertragungs-/Empfangsantenne, das Bezugszeichen DPX einen Duplexer, bezeichnen die Bezugszeichen BPFa, BPFb und BPFc Bandpaßfilter und die Bezugszeichen AMPa und AMPb Verstärkerschaltungen. Die Bezugszeichen MIXa und MIXb bezeichnen Mischer, das Bezugszeichen OSC bezeichnet einen Oszillator und das Bezugszeichen DIV einen Frequenzteiler (Synthesizer). Das Bezugszeichen VCO bezeichnet einen spannungsgesteuerten Oszillator, der eine Oszillationsfrequenz mit einem Signal gemäß einem übertragenen Signal (übertragene Daten) moduliert.
  • Der MIXa moduliert ein Frequenzsignal, das von dem DIV ausgegeben wurde, mit einem Modulationssignal. Der BPFa läßt nur Signale eines übertragenen Frequenzbandes durch, und die AMPa führt eine Leistungsverstärkung der Signale durch, um von der ANT über den DPX zu übertragen. Der BPFb läßt nur Signale eines empfangenen Frequenzbandes unter Signalen, die von dem DPX ausgegeben wurden, durch, und der AMPb verstärkt die Signale. Der MIXb mischt ein Frequenzsignal, das von dem BPFc ausgegeben wurde, und ein empfangenes Signal, um ein Zwischenfrequenzsignal IF auszugeben.
  • Die in den 1A und 1B bis 5 gezeigten Hochfrequenzkomponenten werden als Hochfrequenzkomponente, die eine Chipspule verwendet, verwendet, wie z. B. der VCO und die in 6 dargestellten Filter. Dies führt dazu, daß eine Kommunikationsvorrichtung bereitgestellt werden kann, die die Hochfrequenzkomponente mit stabilen Charakteristika enthält.
  • Wie oben beschrieben, ist es gemäß dem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung unwahrscheinlich, daß die Chipspule durch die nahe bei der Chipspule positionierte Metallabdeckung beeinflußt wird. Somit kann die Chipspule als ein Bauelement mit einer geeigneten Induktivität verwendet werden. Des weiteren werden Veränderungen der Induktivität der Chipspule bezüglich Veränderungen des Abstands zwischen der Chipspule und der Metallabdeckung reduziert.
  • Hinzu kommt, daß die Strahlung und der Einfall von elektromagnetischen Wellen in einem Frequenzband gleich einem oder höher als ein verwendetes Frequenzband durch das in der Metallabdeckung gebildete Loch hindurch ausreichend unterdrückt werden können. Dies führt dazu, daß stabile Operationen durchgeführt werden können.
  • Hinzu kommt, daß die Festigkeit zum Anbringen der Metallabdeckung an der Elektrodenanschlußfläche auf dem Substrat ausreichend erhöht werden kann. Des weiteren kann das Erscheinungsbild der Hochfrequenzkomponente verbessert werden. Zusätzlich kann, mit Hilfe der Lasermarkierung, die Produktnummer und dergleichen ohne weiteres auf der Metallabdeckung eingetragen werden.
  • Gemäß dem zweiten Aspekt der Erfindung, wird die Hochfrequenzkomponente, die vorbestimmte Charakteristika aufweist und auf eine stabile Weise wirksam ist, verwendet, um den Hochfrequenzschaltungsabschnitt einschließlich des Filters, des Oszillators und dergleichen zu bilden, der für Hochfrequenzsignale angewendet wird. Somit kann die Kommunikationsvorrichtung mit vorbestimmten Kommunikationsfähigkeiten ohne weiteres gebildet werden.

Claims (3)

  1. Eine Hochfrequenzkomponente, die folgende Merkmale aufweist: ein Substrat (1); Hochfrequenzschaltungskomponenten, die eine an dem Substrat (1) angebrachte Chipspule (3) umfassen; eine Metallabdeckung (2) zum Abdecken der Oberseite des Substrats (1); und ein Loch (4), das in einem Abschnitt der Metallabdeckung (2) in der Nähe der Chipspule (3; 3a, 3b) gebildet ist, wobei der Durchmesser oder die Breiten (w1, w2) des Loches (4) größer sind als der Durchmesser oder die Breiten der Chipspule (3; 3a, 3b) und gleich einer oder geringer als eine Länge hergestellt sind, die 1/4 einer Wellenlänge einer verwendeten Frequenz entspricht.
  2. Eine Hochfrequenzkomponente gemäß Anspruch 1, bei der eine Innenoberfläche der Metallabdeckung (2) lötplattiert ist und bei der eine Außenoberfläche derselben nickelplattiert ist.
  3. Eine Kommunikationsvorrichtung, die die Hochfrequenzkomponente gemäß Anspruch 1 oder 2 aufweist.
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