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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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1. Gebiet der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf dielektrische Filter, dielektrische
Duplexer und Kommunikationsvorrichtungen, die dieselben umfassen.
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2. Beschreibung der verwandten
Technik
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Herkömmlicherweise
ist als ein Bandpassfilter, das bei Mikrowellenbändern verwendet wird, ein zusammengesetztes,
dielektrisches Koaxialfilter bekannt. Das zusammengesetzte, dielektrische
Koaxialfilter ist durch ein Anordnen einer Mehrzahl von Resonanzleitungslöchern, die
Resonanzleitungen aufweisen, die an den Innenoberflächen derselben
gebildet sind, in einem dielektrischen Block und ein Bilden eines äußeren Leiters
an den Außenoberflächen des
dielektrischen Blocks gebildet.
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Insbesondere
offenbart die ungeprüfte
japanische Patentanmeldungsveröffentlichung
Nr. 2-92001 ein dielektrisches Filter, bei dem der Innendurchmesser
jedes der Resonanzleitungslöcher
bei einer Position in die axiale Richtung jedes Resonanzleitungslochs
verändert
ist, um einen gestuften Teil zu bilden.
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Das
Beispiel des herkömmlichen
dielektrischen Filters, das einen gestuften Teil aufweist, der durch
ein Verändern
des Innendurchmessers jedes der Resonanzleitungslöcher gebildet
ist, ist in 13 gezeigt. 13 zeigt
eine perspektivische Ansicht des dielektrischen Filters, bei dem
die obere Oberfläche
die Oberfläche
ist, die verwendet wird, wenn das dielektrische Filter an einer
Schaltungsplatine befestigt ist. In dieser Figur bezeichnet das
Bezugzeichen 1 einen im Wesentlichen rechteckigen, parallelepipedförmigen (quaderförmigen),
dielektrischen Block, in dem Resonanzleitungslöcher 2a und 2b gebildet sind.
Die Resonanzleitungslöcher 2a und 2b sind Durchgangslöcher, die
zwei im Wesentlichen parallele, gegenüberliegende Oberflächen des
dielektrischen Blocks 1 durchdringen. Der Innendurchmesser jedes
der Durchgangslöcher
ist bei einer spezifizierten Position in die axiale Richtung der
Löcher
verändert,
um einen gestuften Teil zu bilden. Ein innerer Leiter ist an der
Innenoberfläche
jedes der Resonanzleitungslöcher 2a und 2b angeordnet,
um eine Resonanzleitung zu bilden. Zusätzlich ist ein äußerer Leiter 3 an
fünf Oberflächen außer einer
der Leerlaufoberflächen
der Resonanzleitungslöcher 2a und 2a des
dielektrischen Blocks 1 angeordnet. An Außenoberflächen des
dielektrischen Blocks 1 sind Anschlusselektroden 4a und 4b gebildet,
die von dem äußeren Leiter 3 getrennt
sind. Eine Kapazität
ist zwischen den Anschlusselektroden 4a und 4b und
Teilen nahe den Leerlaufenden der Resonanzleitungen gebildet, um
eine kapazitive Kopplung herzustellen.
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Auf
diese Weise ist bei dem dielektrischen Block 1 eine der Öffnungsflächen jedes
Resonanzleitungslochs eine Kurzschlussfläche und ist die andere Öffnungsfläche desselben
eine Leerlauffläche,
um einen 1/4-Wellenlängenresonator
zu bilden.
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Bei
dem obigen dielektrischen Filter kann, während die axiale Länge jedes
der Resonanzleitungslöcher
fest beibehalten ist, die Resonanzfrequenz jedes Resonanzelements,
das durch das Resonanzleitungsloch gebildet ist, einen erwünschten Frequenzabgleich
aufweisen.
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Obwohl
die Stärke
der kapazitiven Kopplung zwischen den benachbarten Resonatoren durch
ein Verändern
der Position des gestuften Teils in die axiale Richtung eingestellt werden
kann, ist es jedoch unmöglich,
eine Kopplung innerhalb eines Bereichs von einer kapazitiven Kopplung
bis zu einer induktiven Kopplung zu definieren, das heißt, es ist
unmöglich,
die Polarität
einer Kopplung zu verändern.
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Die
JP 07094911 A offenbart
ein dielektrisches Resonatorbauglied, das zum Reduzieren der Anzahl
von Teilen in der Lage ist und mehrere Stufen von λ/2-Resonatorlöchern umfasst,
die benachbarte Teile mit großem
Durchmesser aufweisen, die bei beiden Flächen eines dielektrischen Blocks
angeordnet sind.
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Die
US A 4,371,853 offenbart einen Streifenleitungsresonator und ein
Bandpassfilter, das denselben aufweist. Eine Breite eines Streifenleitungsleiters bei
einem TEM-Mode-Resonator
ist bei dem zentralen Abschnitt desselben breiter gemacht, um eine
Impedanz des Resonators zu variieren.
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Die
EP 0 660 434 A offenbart
einen dielektrischen Resonator und ein Herstellungsverfahren desselben.
Bei dem dielektrischen Resonator sind Durchgangslöcher zwischen
gegenüberliegenden zwei
Oberflächen
eines dielektrischen Blocks gebildet und eine Mehrzahl von inneren
Leitern sind an den Innenoberflächen
der Durchgangslöcher
gebildet und durch nicht leitende Abschnitte isoliert.
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Die
EP 0 851 526 offenbart ein
Filterbauelement, das innere Leiter aufweist, die in einem dielektrischen
Block gebildet sind und als Verteilt-Parameter-Resonanzleitungen
dienen. Die Leerlaufenden der inneren Leiter sind über entsprechende
Diodenschalter mit einem äußeren Leiter
verbunden, so dass Sende- und Empfangsfilter voneinander umgeschaltet
werden, wenn ein Diodenschalter selektiv eingeschaltet ist. Die
inneren Leiter weisen die gleichen Durchmesser auf.
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Die
EP 0 853 349 A1 offenbart
ein dielektrisches Filter, das zwei Resonatorlöcher aufweist, die Lochabschnitte
mit großem
Durchmesser und Lochabschnitte mit kleinem Durchmes ser umfassen.
Die Lochabschnitte mit kleinem Durchmesser sind voneinander beabstandet,
wobei die Achse der Lochabschnitte mit kleinem Durchmesser exzentrisch
von diesen der Lochabschnitte mit großem Durchmesser in die Richtung
weg voneinander verschoben ist.
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Folglich
ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein dielektrisches
Filter und einen dielektrischen Duplexer zu schaffen, die Strukturen
einer Kopplung zwischen Resonatoren aufweisen, bei denen ein Bereich
für ein
Definieren der Kopplungsstärke
verbreitert ist und die Polarität
einer Kopplung verändert
werden kann. Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung,
eine Kommunikationsvorrichtung zu schaffen, die das dielektrische
Filter oder den dielektrischen Duplexer umfasst.
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Diese
Aufgabe wird durch ein dielektrisches Filter gemäß Anspruch 1, einen dielektrischen
Duplexer gemäß Anspruch
6 und eine Kommunikationsvorrichtung gemäß Anspruch 7 gelöst.
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Gemäß einem
ersten Aspekt der Erfindung ist ein dielektrisches Filter gemäß Anspruch
1 vorgesehen.
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Gemäß einem
zweiten Aspekt der Erfindung ist ein dielektrischer Duplexer vorgesehen,
der das oben beschriebene dielektrische Filter, das an einer einzigen
dielektrischen Platte oder im Inneren eines einzigen dielektrischen
Blocks gebildet ist, um jeweils als ein Sendeseitenfilter und ein
Empfangsseitenfilter verwendet zu werden, einen Sendesignaleingangsanschluss,
der mit einer Erste-Stufe-Resonanzleitung
des Sendeseitenfilters gekoppelt ist, einen Empfangssignalausgangsanschluss,
der mit einer Letzte-Stufe-Resonanzleitung
des Empfangsseitenfilters gekoppelt ist, und einen Antennenanschluss
umfasst, der mit einer Letzte-Stufe-Resonanzleitung des Sendeseitenfilters
bzw. einer Erste-Stufe-Resonanzleitung des Empfangsseitenfilters
gekoppelt ist.
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Zusätzlich ist
gemäß einem
dritten Aspekt der Erfindung eine Kommunikationsvorrichtung vorgesehen,
die das dielektrische Filter oder den dielektrischen Duplexer umfasst
und die als ein Filter oder ein Duplexer verwendet werden kann,
das/der in einer Hochfrequenzschaltungseinheit Signale sendet/empfängt.
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KURZE BESCHREIBUNG
DER ZEICHNUNGEN
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1A und 1B sind
strukturelle Ansichten eines dielektrischen Filters gemäß einem
ersten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung;
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2A, 2B und 2C sind
strukturelle Ansichten eines dielektrischen Filters gemäß einem
zweiten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung;
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3A, 3B und 3C sind
strukturelle Ansichten eines dielektrischen Filters gemäß einem
dritten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung;
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4A, 4B und 4C sind
strukturelle Ansichten eines dielektrischen Filters gemäß einem
vierten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung;
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5A, 5B und 5C sind
strukturelle Ansichten eines dielektrischen Filters gemäß einem
Beispiel;
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6A, 6B und 6C sind
strukturelle Ansichten eines dielektrischen Filters gemäß einem
fünften
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung;
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7A, 7B und 7C sind
strukturelle Ansichten eines dielektrischen Duplexers gemäß einem
sechsten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung;
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8A, 8B und 8C sind
strukturelle Ansichten eines dielektrischen Duplexers gemäß einem
weiteren Beispiel;
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9a, 9B und 9C sind
strukturelle Ansichten eines dielektrischen Duplexers gemäß einem
weiteren Beispiel;
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10 ist
eine strukturelle Ansicht eines dielektrischen Filters gemäß einem
weiteren beispielhaften Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung;
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11 ist
eine strukturelle Ansicht einer Kommunikationsvorrichtung gemäß einem
achten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung;
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12 ist
ein Graph, der die Beziehungen zwischen den Positionen gestufter
Teile und den Kopplungskoeffizienten eines Halbwellenlängenresonators
und eines 1/4-Wellenlängenresonators zeigt;
und
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13 ist
eine Ansicht, die das strukturelle Beispiel eines herkömmlichen
dielektrischen Filters zeigt.
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BESCHREIBUNG
DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
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Mit
Bezug auf 1A und 1B wird
eine Beschreibung der Struktur eines dielektrischen Filters gemäß einem
ersten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung abgegeben.
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1A zeigt
eine perspektivische Ansicht des dielektrischen Filters, bei dem
die obere Oberfläche
an einer Schaltungsplatine befestigt ist. 1B zeigt
eine Schnittansicht, die durch eine Oberfläche parallel zu der befestigten
Oberfläche
genommen ist. In dieser Figur bezeichnet das Bezugszeichen 1 einen
im Wesentlichen rechteckigen, parallelepipedförmigen, dielektrischen Block,
in dem Resonanz leitungslöcher 2a und 2b gebildet
sind. Die Resonanzleitungslöcher 2a und 2b sind
Durchgangslöcher,
die zwei im Wesentlichen parallele, gegenüberliegende Oberflächen des
dielektrischen Blocks 1 durchdringen. Der Innendurchmesser
jedes der Durchgangslöcher 2a und 2b ist
bei einer spezifizierten Position in die axiale Richtung der Löcher verändert, um
einen gestuften Teil zu bilden. Hierin wird im Folgenden der Teil
mit kleinem Innendurchmesser als ein „Kleindurchmesserteil" bezeichnet und wird
der Teil mit großem
Innendurchmesser als ein „Großdurchmesserteil" bezeichnet. Durch
ein Anordnen innerer Leiter an den Innenoberflächen der Resonanzleitungslöcher 2a und 2b sind
Resonanzleitungen 5a und 5b gebildet. Zusätzlich ist
ein äußerer Leiter 3 an
vier Oberflächen
außer
beiden Endflächen
der Resonanzleitungslöcher 2a und 2a des
dielektrischen Blocks 1 gebildet. An Außenoberflächen des dielektrischen Blocks 1 sind
Anschlusselektroden 4a und 4b gebildet, die von
dem äußeren Leiter 3 getrennt
sind. Die Anschlusselektroden 4a und 4b und Teile
nahe der einseitigen Leerlaufenden der Resonanzleitungen 5a und 5b bilden
eine Kapazität,
um eine kapazitive Kopplung zwischen denselben herzustellen.
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Auf
diese Weise sind zwei Halbwellenlängenresonatoren durch das dielektrische
Material des dielektrischen Blocks, die Resonanzleitungen 5a und 5b,
die in dem dielektrischen Block angeordnet sind, und den äußeren Leiter 3 gebildet.
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12 zeigt
die Beziehungen zwischen den Positionen von gestuften Teilen und
den Kopplungskoeffizienten zwischen Resonatoren des Halbwellenlängenresonators,
der aus der Resonanzleitung gebildet ist, die den gestuften Teil
aufweist, wie es in 1A und 1B gezeigt
ist (hierin im Folgenden als „Stufenposition" bezeichnet), und
des herkömmlichen
1/4-Wellenlängenresonators,
der aus der Resonanzleitung gebildet ist, die den gestuften Teil
aufweist, wie es in 13 gezeigt ist. In diesem Fall
ist die Stufenposition durch die Länge des Kleindurchmesserteils angegeben
und die Längen
der Kleindurchmesserteile der zwei Resonanzleitungslöcher sind
gesetzt, um gleich zu sein.
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Bei
dem herkömmlichen
1/4-Wellenlängenresonator
verändern
sich, wenn die Stufenposition sequentiell von der Nähe der Kurzschlussfläche zu der
Nähe der
Leerlauffläche
verändert
wird, die charakteristische Impedanz eines Teils näher an dem Leerlaufende
und die charakteristische Impedanz eines Teils näher an dem Kurzschlussende
relativ, wodurch sich der Kopplungskoeffizient zwischen den Resonatoren
verändert.
Die Veränderung
bezieht sich jedoch immer auf eine kapazitive Kopplung.
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Im
Gegensatz dazu sind bei dem Halbwellenlängenresonator, wie es in 1A und 1B gezeigt
ist, die Nähen
beider Enden jeder Resonanzleitung Leerlaufenden und die Nähe des Zentrums
jeder Leitung ist ein äquivalentes
Kurzschlussende. Wenn somit die Stufenpositionen graduell in einer derartigen
Weise verändert
werden, dass die Längen der
kleinen Durchmesser graduell erhöht
werden, verändern
sich die relativen Veränderungen
zwischen der charakteristischen Impedanz der Teile nahe den Leerlaufenden
und der charakteristischen Impedanz nahe dem Kurzschlussende über den
Bereich positiver und negativer Polarität hinweg. Das heißt, wenn
die Länge
des Kleindurchmesserteils kürzer
als diese des Großdurchmesserteils
ist, tritt eine induktive Kopplung (L-Kopplung) auf. Wenn die Länge des
Kleindurchmesserteils länger
als diese des Großdurchmesserteils
ist, tritt eine kapazitive Kopplung (C-Kopplung) auf. Bei dieser
Anordnung ist eine Entwurfsfreiheit stark erhöht.
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Als
nächstes
wird die Struktur des dielektrischen Filters gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf 2A bis 2C dargestellt.
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2A zeigt
eine Rückansicht
des dielektrischen Filters, 2B zeigt
eine Schnittansicht, die durch eine Oberfläche parallel zu der befestigten Oberfläche des
dielektri schen Filters genommen ist, und 2C zeigt
eine Vorderansicht des dielektrischen Filters. Ungleich dem Beispiel,
das in 1A und 1B gezeigt
ist, ist ein äußerer Leiter 3 ebenfalls
an den zwei Öffnungsflächen der
Resonanzleitungslöcher 2a und 2b gebildet.
Im Inneren der Resonanzleitungslöcher
nahe den Öffnungsflächen sind elektrodenlose
Abschnitte g gebildet, wodurch eine Streukapazität an jedem der elektrodenlosen
Abschnitte g erzeugt wird. Diese Anordnung liefert eine Struktur,
bei der eine Kapazität
zwischen beide Enden jeder der Resonanzleitungen 5a und 5b und Masse
geschaltet ist. Folglich stellen die zwei Resonatoren eine Elektromagnetfeldkopplung
her.
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3A, 3B und 3C sind
Ansichten, die die Struktur eines dielektrischen Filters gemäß einem
dritten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung zeigen. 3A ist
eine Rückansicht
des dielektrischen Filters, 3B ist
eine Schnittansicht, die durch eine Oberfläche parallel zu einer Oberfläche genommen
ist, die befestigt werden soll, und 3C ist
eine Vorderansicht des dielektrischen Filters. Ungleich dem Beispiel,
das in 1A und 1B gezeigt
ist, weist ein Resonanzleitungsloch 2b gestufte Teile bei
zwei Positionen in die axiale Richtung desselben auf. Auf diese
Weise ist durch ein Verbreitern der Innendurchmesser nahe beider kurzgeschlossener
Enden des Resonanzleitungslochs 2b die Resonanzfrequenz
einer Resonanzleitung 5b verringert und die kapazitive
Kopplung zwischen Resonatoren kann verstärkt werden.
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4A, 4B und 4C sind
Ansichten, die die Struktur eines dielektrischen Filters gemäß einem
vierten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung zeigen. 4A ist
eine Rückansicht
des dielektrischen Filters, 4B ist
eine Schnittansicht, die durch eine Oberfläche parallel zu einer Oberfläche genommen
ist, die befestigt werden soll, und 4C ist
eine Vorderansicht des dielektrischen Filters.
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Bei
diesem Beispiel sind an beiden Öffnungsflächen jedes
der Resonanzleitungslöcher 2a und 2b Kopplungselektroden 6a und 7a und
Kopplungselektroden 6b und 7b gebildet, die von
den Resonanzleitungen 5a und 5b fortgeführt sind.
Eine Kapazität
ist zwischen den Kopplungselektroden 6a und 6b erzeugt
und ferner ist eine Kapazität
zwischen den Kopplungselektroden 7a und 7b erzeugt.
Bei dieser Anordnung ist die kapazitive Kopplung zwischen den zwei
Resonatoren erhöht.
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Bei
dem in 4A bis 4C gezeigten Ausführungsbeispiel
ist ferner der Innendurchmesser des Resonanzleitungslochs 2a durch
zwei Phasen hindurch verändert.
Da die Größe von Veränderungen
bei dem Kopplungskoeffizienten mit Bezug auf die Stufenposition
reduziert ist, kann bei dieser Anordnung ein Vorteil erhalten werden,
bei dem die Variationen bei einer Kopplungsstärke auf Grund einer variierenden
Genauigkeit bei der Bildung eines dielektrischen Blocks reduziert
sein können.
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5A, 5B und 5C sind
Ansichten, die die Struktur eines dielektrischen Filters gemäß einem
Beispiel zeigen. Bei diesem Ausführungsbeispiel
ist ein äußerer Leiter 3 an
einer Öffnungsfläche jedes
der Resonanzleitungslöcher 2a und 2b angeordnet.
Elektrodenlose Abschnitte g sind an den Innenoberflächen der
Resonanzleitungslöcher 2a und 2b nahe
den Öffnungsflächen gebildet.
An den anderen Öffnungsflächen derselben
ist kein äußerer Leiter angeordnet,
so dass die anderen Öffnungsflächen sich
im Leerlauf befinden.
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Auf
diese Weise dienen die Resonanzleitungen gleichermaßen als
Halbwellenlängenresonatoren,
wenn eine der Öffnungsflächen aller
Resonanzleitungslöcher
ein Leerlaufende ist und eine Streukapazität an der anderen Öffnungsfläche desselben
gebildet ist.
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Zusätzlich kann
als ein anderes Ausführungsbeispiel
an einer der Öffnungsflächen jedes
Resonanzleitungslochs eine Kopplungselektrode, wie es in 4A bis 4C gezeigt
ist, gebildet sein und eine Streukapazität, die durch einen elektrodenlosen Abschnitt
erzeugt ist, kann nahe der anderen Öffnungsfläche des Resonanzleitungslochs
gebildet sein.
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6A, 6B und 6C sind
Ansichten, die die Struktur eines dielektrischen Filters gemäß einem
fünften
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung zeigen. 6A ist
eine Rückansicht
des dielektrischen Filters, 6B ist
eine Schnittansicht, die durch eine Oberfläche parallel zu einer Oberfläche genommen
ist, die befestigt werden soll, und 6C ist
eine Vorderansicht des dielektrischen Filters.
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Bei
diesem Ausführungsbeispiel
sind im Inneren eines dielektrischen Blocks 1 drei Resonanzleitungslöcher 2a, 2b und 2c angeordnet.
Eine der Öffnungsflächen jedes
der Resonanzleitungslöcher 2a, 2b und 2c ist
ein Leerlaufende und ein elektrodenloser Abschnitt g ist nahe der
anderen Öffnungsfläche angeordnet.
Die Richtungen der Resonanzleitungslöcher 2a, 2b und 2c sind
abwechselnd auf eine derartige Weise verändert, dass die Seiten der
Leerlauffläche
und die Seiten des elektrodenlosen Abschnitts der benachbarten Resonanzleitungslöcher einander
gegenüberliegen.
Diese Anordnung erhöht den
Freiheitspegel bei einem Abstand zwischen den Resonatoren. Es ist
beispielsweise möglich,
die Großdurchmesserteile
der Resonanzleitungslöcher 2a und 2c nahe
an den Kleindurchmesserteil des Resonanzleitungslochs 2b zu
bringen, um den Zwischenraum zwischen den zentralen Achsen der Resonanzleitungslöcher 2a, 2b und 2c,
das heißt
die Abstände
zwischen den Resonatoren, zu verschmälern. Zusätzlich gibt es einen Vorteil,
dass eine charakteristische Einstellung, die durch ein Schneiden des
elektrodenlosen Abschnitts g durchgeführt wird, von jeder Richtung
der zwei Öffnungsflächen jedes der
Resonanzleitungslöcher
aus vorgenommen werden kann.
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In 6A, 6B und 6C sind
an Außenoberflächen des
dielektrischen Blocks 1 Anschlusselektroden gebildet, um
eine Kapazität
zwischen den Anschlusselektroden und Teilen nahe den elektrodenlosen
Abschnitten g der Resonanzleitungen 5a und 5c zu
erzeugen. Diese Anschlusselektroden werden als ein Eingangsanschluss
und ein Ausgangsanschluss verwendet. Bei einer derartigen Anordnung
kann ein dielektrisches Filter erhalten werden, das Bandpasscharakteristika
zeigt und aus drei Resonatoren gebildet ist.
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Als
nächstes
wird als ein sechstes Ausführungsbeispiel
ein Beispiel eines dielektrischen Duplexers mit Bezug auf 7A, 7B und 7C dargestellt.
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7A zeigt
eine Rückansicht
des dielektrischen Filters, 7B zeigt
eine Schnittansicht, die durch eine Oberfläche parallel zu einer Schaltungsplatine
genommen ist, die befestigt werden soll, und 7C zeigt
eine Vorderansicht des dielektrischen Filters. Im Inneren eines
dielektrischen Blocks 1 sind Resonanzleitungslöcher 2a bis 2f gebildet.
Der Durchmesser eines spezifizierten Teils jedes der Resonanzleitungslöcher 2a bis 2f ist
verändert
und ein elektrodenloser Abschnitt g ist nahe jeder der Öffnungsflächen der
Resonanzleitungslöcher
angeordnet. An den sechs Außenoberflächen des
dielektrischen Blocks 1 ist ein äußerer Leiter 3 gebildet.
Zusätzlich
sind an einigen Außenoberflächen des
dielektrischen Blocks 1 Anschlusselektroden 8, 9 und 10 gebildet.
Die Anschlusselektroden 8 und 9 erzeugen eine
Kapazität
zwischen denselben und Teilen nahe den einseitigen Leerlaufenden
der Resonanzleitungslöcher 2a und 2f.
Zusätzlich
ist die Anschlusselektrode 9 gebildet, um eine Kapazität zwischen
der Elektrode 9 und Teilen nahe der einseitigen Leerlaufenden
der Resonanzleitungslöcher 2c und 2d zu
erzeugen.
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Auf
diese Weise bilden die drei Resonatoren, die durch die Resonanzleitungslöcher 2a, 2b und 2c gebildet
sind, ein Sendeseitenfilter, das Bandpassfiltercharakteristika aufweist.
Zusätzlich
bilden gleichermaßen
die drei Resononatoren, die durch die Resonanzleitungslöcher 2d, 2e und 2f gebildet
sind, ein Empfangsseitenfilter, das Bandpasscharakteristika aufweist.
Die Anschlusselektrode 8 wird als ein Tx-Anschluss verwendet,
die Anschlusselektrode 9 wird als ein ANT-Anschluss verwendet
und die Anschlusselektrode 10 wird als ein Rx-Anschluss
verwendet.
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8a, 8B und 8C sind
Ansichten, die die Struktur eines dielektrischen Duplexers gemäß einem
weiteren Beispiel zeigen. 8A ist
eine Rückansicht
des dielektrischen Duplexers, 8B ist
eine Schnittansicht, die durch eine Oberfläche parallel zu einer Schaltungsplatine
genommen ist, die befestigt werden soll, und 8C ist
eine Vorderansicht des dielektrischen Duplexers. Bei diesem Ausführungsbeispiel
ist im Inneren eines dielektrischen Blocks 1 zusätzlich zu
Resonanzleitungslöchern 2a bis 2f ein
Kopplungsleitungsloch 11 gebildet. Das Kopplungsleitungsloch 11 koppelt
mit Resonatoren, die durch die benachbarten Resonanzleitungslöcher 2c und 2d gebildet
sind. An einer der Öffnungsflächen des
Kopplungsleitungslochs 11 ist eine Anschlusselektrode 9 gebildet,
die von der Innenoberflächenelektrode
des Kopplungsleitungslochs 11 fortgeführt ist. Eine Öffnungsfläche jedes
der Resonanzleitungslöcher 2a bis 2f ist
ein Leerlaufende und ein elektrodenloser Abschnitt ist nahe der
anderen Öffnungsfläche desselben
angeordnet.
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An
Außenoberflächen des
dielektrischen Blocks ist eine Anschlusselektrode 8 gebildet,
um eine Kapazität
zwischen der Anschlusselektrode 8 und einem Teil nahe des
Leerlaufendes zu erzeugen, das bei dem elektrodenlosen Abschnitt
des Resonanzleitungslochs 2a geöffnet ist, und eine Anschlusselektrode 10 ist
gebildet, um eine Kapazität
zwischen der Anschlusselektrode 10 und einem Teil nahe
eines der Leerlaufenden des Resonanzleitungslochs 2f zu
erzeugen.
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Auf
diese Weise bilden drei Resonatoren, die durch die Resonanzleitungslöcher 2a, 2b und 2d gebildet
sind, ein Sendeseitenfilter, das Bandpasscharakteristika aufweist.
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Gleichermaßen bilden
die drei Resonatoren, die durch die Resonanzleitungslöcher 2d, 2e und 2f gebildet
sind, ein Empfangsseitenfilter, das die Bandpasscharakteristika
aufweist. Die Anschlusselektrode 8 wird als ein Tx-Anschluss verwendet,
die Anschlusselektrode 9 wird als ein ANT-Anschluss verwendet
und die Anschlusselektrode 10 wird als ein Rx-Anschluss
verwendet.
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9A, 9B und 9C sind
Ansichten, die die Strukturen eines dielektrischen Duplexers gemäß einem
weiteren Beispiel zeigen. 9A ist
eine Rückansicht
des dielektrischen Duplexers. 9B ist
eine Schnittansicht, die durch eine Oberfläche genommen ist, die die Resonanzleitungslöcher und
die Kopplungsleitungslöcher
im Inneren eines dielektrischen Blocks 1 durchdringt. 9C ist
eine Vorderansicht des dielektrischen Duplexers. Bei diesem Beispiel
sind im Inneren eines dielektrischen Blocks 1 Resonanzleitungslöcher 2a bis 2f und
Kopplungsleitungslöcher 11 bis 13 gebildet. Öffnungsflächen jedes
der Resonanzleitungslöcher 2a bis 2f sind
Leerlaufenden. Einseitige Öffnungsflächen der
Kopplungsleitungslöcher 11 bis 13 sind
Leerlaufenden und an den anderen Öffnungsflächen derselben sind Anschlusselektroden 8, 9 und 10 gebildet,
die von der Innenoberflächenelektrode
der Löcher 11 bis 13 fortgeführt sind.
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Das
Kopplungsleitungsloch 11 koppelt mit den benachbarten Resonanzleitungslöchern 2c und 2d.
Die innere Elektrode des Resonanzleitungslochs 12 koppelt
mit den Resonanzleitungen der benachbarten Resonanzleitungslöcher 2a und 2b.
Zusätzlich
koppelt die innere Elektrode des Kopplungsleitungslochs 13 mit
den Resonanzleitungen der benachbarten Resonanzleitungslöcher 2e und 2f.
Bei diesem Ausführungsbeispiel
werden die Resonatoren, die durch die Resonanzleitungslöcher 2a und 2f gebildet
sind, als Einfangresonatoren (Trap-Resonatoren) verwendet. Die zwei
Resonatoren, die durch die Resonanzleitungslöcher 2b und 2c gebildet
sind, werden als ein Sendeseitenfilter verwendet. Die zwei Resonatoren,
die durch die Resonanzleitungslöcher 2d und 2e gebildet
sind, werden als ein Empfangsseitenfilter verwendet. Die Resonanzfrequenz
des Einfangresonators, der durch das Resonanzleitungsloch 2a gebildet
ist, ist gesetzt, um eine Frequenz innerhalb eines Empfangsbands
oder eine Frequenz benachbart zu dem Empfangsband zu sein. Die Resonanzfrequenz
des Einfangresonators, der durch das Resonanzleitungsloch 2f gebildet
ist, ist gesetzt, um eine Frequenz innerhalb eines Sendebands oder eine
Frequenz benachbart zu dem Sendeband zu sein. Die Anschlusselektrode 8 wird
als ein Tx-Anschluss verwendet, die Anschlusselektrode 9 wird
als ein ANT-Anschluss verwendet und die Anschlusselektrode 10 wird
als ein Rx-Anschluss verwendet.
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Als
nächstes
wird die Struktur des dielektrischen Filters gemäß einem weiteren Beispiel mit
Bezug auf 10 dargestellt. Bei jedem der
oben beschriebenen Ausführungsbeispiele
sind im Inneren des dielektrischen Blocks die Resonanzleitungen
angeordnet. Es ist jedoch auch möglich,
ein dielektrisches Filter durch ein Bilden von Resonanzleitungen an
einer dielektrischen Platte zu bilden.
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In 10 bezeichnet
das Bezugszeichen 21 eine dielektrische Platte. An der
oberen Oberfläche der
dielektrischen Platte 21 sind Resonanzleitungen 5a und 5b gebildet.
Die Breiten der Resonanzleitungen 5a und 5b sind
bei spezifizierten Positionen in die Längsrichtungen der Resonanzleitungen 5a und 5b verändert, um
gestufte Teile zu bilden. Ein äußerer Leiter 3 ist
an der oberen Oberfläche
der dielektrischen Platte 21 und den Seitenoberflächen derselben
parallel zu den Resonanzleitungen 5a und 5b gebildet.
Zusätzlich
sind an Außenoberflächen des
dielektrischen Blocks 1 Anschlusselektroden 4a und 4b gebildet,
die von dem äußeren Leiter 3 getrennt
sind. Diese Anschlusselektroden 4a und 4b bilden
eine Kapazität
zwischen denselben und Teilen nahe der einseitigen Leerlaufenden
der Resonanzleitungen 5a und 5b, um eine kapazitive
Kopplung herzustellen.
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Auf
diese Weise bilden die dielektrische Platte 21, die Resonanzleitungen 5a und 5b und
der äußere Leiter 3 zwei
Halbwellenlängenresonatoren.
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In 10 ist
das dielektrische Filter der Struktur, die in jeder von 1A und 1B gezeigt ist,
zu einem dielektrischen Filter modifiziert, das eine dielektrische
Platte verwendet. Gleichermaßen
kann irgendeiner des dielektrischen Filters und des dielektrischen
Duplexers, die in 2 bis 9 gezeigt sind, zu Filtern und Duplexern
modifiziert sein, die dielektrische Platten umfassen.
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Als
nächstes
wird die Struktur einer Kommunikationsvorrichtung gemäß einem
achten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf 11 dargestellt.
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In
dieser Figur bezeichnet das Bezugszeichen ANT eine Sende-/Empfangsantenne,
bezeichnet das Bezugszeichen DPX einen Duplexer, bezeichnen die
Bezugszeichen BPFa, BPFb und BPFc Bandpassfilter, bezeichnen die
Bezugszeichen AMPa und AMPb Verstärkungsschaltungen, bezeichnen
die Bezugszeichen MIXa und MIXb Mischer, bezeichnet das Bezugszeichen
OSC einen Oszillator und bezeichnet das Bezugszeichen DIV einen
Frequenzteiler (Synthesizer). Der MIXa moduliert eine Frequenzsignalausgabe
von dem DIV durch ein Modulationssignal. Das BPFa lässt lediglich
das Signal eines Sendefrequenzbands durch und die AMPa verstärkt das
Signal leistungsmäßig, um
von der ANT über
den DPX zu senden. Das BPFb lässt
lediglich das Signal eines Empfangsfrequenzbands unter Signalen
durch, die von dem DPX ausgegeben werden, und die AMPb verstärkt das
durchgelassene Signal. Der MIXb mischt eine Frequenzsignalausgabe
von dem PBFc und das empfangene Signal, um ein Zwischenfrequenzsignal
IF auszugeben.
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Als
der Duplexer DPX, der in 11 gezeigt ist,
wird der Duplexer verwendet, der die Struktur aufweist, die in jeder
von 7 bis 9 gezeigt
ist. Zusätzlich
wird als die Bandpassfilter BPFa, BPFb und BPFc das dielektrische
Filter verwendet, das die Struktur aufweist, die in jeder von 1A bis 6C und 10 gezeigt
ist.
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Gemäß der vorliegenden
Erfindung kann, da eine Kopplungsstärke in einem breiten Bereich
gesetzt sein kann, in dem die Polarität einer Kopplung zwischen Resonanzleitungen
sich verändert,
eine Freiheit bei einem Entwerfen erhöht werden, mit dem Ergebnis,
dass ein dielektrisches Filter, das erwünschte Charakteristika aufweist,
ohne weiteres hergestellt werden kann.
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Bei
der Verwendung des einzigen dielektrischen Blocks kann zusätzlich ein
Antennenduplexer gebildet werden, der erwünschte Filtercharakteristika sowohl
des Sendeseitenfilters als auch des Empfangsseitenfilters aufweist.
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Durch
ein Verwenden des dielektrischen Filters oder des dielektrischen
Duplexers, die die erwünschten
Filtercharakteristika aufweisen, kann zusätzlich eine Kommunikationsvorrichtung
erhalten werden, die gute Hochfrequenzschaltungscharakteristika
zeigt.