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Gebiet der
Erfindung
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Die vorliegende Erfindung betrifft
ein Verfahren zur Vakuumabscheidungspolymerisation einer organischen
Verbindung mit Acetylengruppe(n), einen durch Vakuumabscheidungspolymerisation
unter Verwendung der organischen Verbindung gebildeten dünnen Film
und eine Elektrolumineszenzeinrichtung, die den besagten dünnen Film
enthält.
Spezieller betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur
Vakuumabscheidungspolymerisation einer organischen Verbindung mit
wenigstens einer Acetylengruppe, wobei diese organische Verbindung
auf dem Substrat abgeschieden und gleichzeitig oder anschließend durch
thermische und/oder UV-Strahlung
polymerisiert und gehärtet
wird, um einen dünnen
Polymerfilm zu bilden, sowie eine Elektrolumineszenzeinrichtung
unter Verwendung wenigstens einer Schicht dieses dünnen Filmes.
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Ein organischer funktioneller dünner Film
wird in jüngster
Zeit in Dünnfilmtransistorflüssigkristalleinrichtungen
(TFT-LCD), organischen Polymerelektrolumineszenzgeräten, piezoelektrischen
Einrichtungen, optischen Materialien und dergleichen verwendet,
da er für
tragbare Elektronik anwendbar ist. Herkömmlicher organischer dünner Film
kann durch Naßverfahren,
wie Tauchbeschichten oder Drehbeschichtung, hergestellt werden,
doch hat es Nachteile dergestalt, daß ein bestimmtes Polymer, welches
in einem Lösungsmittel
unlöslich
ist, ein zusätzliches
Verfahren zum Beschichten eines Vorläufers und Erhitzen unter Bildung
eines dünnen
Films erfordert. Weiterhin führt
ein Naßverfahren
zu Problemen einschließlich
leichter Verunreinigung durch ein Lösungsmittel, Schwierigkeiten
beim Steuern der Filmdicke und Filmgleichmäßigkeit unterhalb 100 nm. Auch
ist ein Naßverfahren
nicht günstig
für ein
nachfolgendes Verfahren, wie ein Herstellungsverfahren für Halbleiter,
die ein Trockenverfahren erfordern.
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Andererseits ist eine Abscheidungspolymerisation
ein Verfahren zur Erzeugung eines organischen dünnen Filmes durch direkte Polymerisation
auf dem Substrat durch Verdampfen eines Vorläufers mit Wärmeenergie unter Hochvakuum.
Diese Abscheidungspolymerisation kann
- i) einen
dünnen
Film mit einer einfachen Vakuumeinrichtung ohne Verwendung eines
Katalysators oder eines Lösungsmittels
produzieren,
- ii) Verunreinigung durch Schmutzstoffe verhindern,
- iii) Molekularsequenzen und Filmdicke steuern,
- iv) einen dünnen
Film von unbearbeitbarem Polymer leicht herstellen und
- v) unter Verwendung einer Maske ein Muster bilden.
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Daher ist es wichtig, Dünnfilmtechnologie
durch Vakuumabscheidungspolymerisation zu entwickeln, welche erwartungsgemäß für verschiedene
elektronische Einrichtungen in künftigen
Informationsindustrien wesentlich sein wird.
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Es gibt zwei Typen von Abscheidungspolymerisationen,
um einen dünnen
Film zu bilden, und diese sind Radikalabscheidungspolymerisation
und Kondensationspolymerisation. Radikalabscheidungspolymerisation
ist eine Methode zur Herstellung eines dünnen Filmes auf dem Substrat
durch polymerisierende Radikale, die durch chemische Reaktionen
von Vorläufern
durch thermische und/oder UV-Strahlung nach der Verdampfung der
Vorläufer
gebildet werden. Unterschiedliche dünne Filme, wie aus Poly-(o-xylol)
( A. Greiner, Trends bei Polymeren, 5 [1997], 12), Poly-(naphthalin)
(D. W. Smith et al., J. Am. Chem. Soc. 120 [1998], 9078), Poly-(benzocyclobuten)
oder Poly-(p-phenylenvinylen) (K. M. Vaeth et al., Makromoleküle, 31 [1998], 6789)
und Teflon (T. C. Nason et al., Appl. Phys. Lett. 60 [1992], 1866)
werden durch Radikalabscheidungspolymerisation hergestellt. Durch
diese Radikalabscheidungspolymerisation hergestellte dünne Filme
liefern ausgezeichnete Wärmestabilität und niedrige
dielelektrische Konstante und sind somit sehr attraktiv für Anwendungen
als Zwischenschichtdielektrika von Halbleitern.
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Andererseits ist die Kondensationspolymerisation
ein Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilmes durch Kondensationspolymerisation,
nachdem zwei Arten von Vorläufern
gleichzeitig auf dem Substrat abgeschieden wurden. Filme, wie aus
Polyimid (Ukishima et al., Dünne
feste Filme, 308–309
[1997], 479), Polyamid (A. Kubono et al., Dünne feste Filme, 289 [1996],
107) und Polyharnstoff (F. Fukuda, Key Eng. Mater., 92–93 [1994],
143) , Polyazomethan (S. Tatsuura et al., Appl. Phys. Lett., 62
[1993], 2182) werden durch Kondensationspolymerisation hergestellt.
Mit dieser Kondensationspolymerisation hergestellte dünne Filme
ergeben ausgezeichnete elektrische und optische Eigenschaften, wie
Piezoelektrizität,
nichtlineare optische Eigenschaft und Leitfähigkeit, und damit gewinnen
sie große
Beachtung als hochfunktionelle Materialien.
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Diese Radikalabscheidungspolymerisation
hat jedoch Radikale durch Zersetzung von Vorläufern bei einer hohen Temperatur über 400°C zu erzeugen,
welche für
das Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung nicht zweckmäßig ist.
Weiterhin hat diese Kondensationspolymerisation auch Nachteile bezüglich der
Erzeugung von Nebenprodukten während
der Kondensationspolymerisation. Daher ist es eilig, Vakuumabscheidungspolymerisation
zu entwickeln, welche zur Zersetzung von Vorläufern keine thermische Härtung bei
hoher Temperatur erfordert und die keine Nebenprodukte während der
Polymerisation erzeugt und die schließlich einen geeigneten Vorläufer für die Vakuumabscheidungspolymerisation
darstellt.
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H. Tani et al., Bulletin of the Chemical
Society of Japan, Band 36, Nr. 4, April 1963, 391–396 beschreibt ein
Verfahren zur Herstellung organischer Monomere mit Acetylengruppe(n)
und zur oxidativen Polymerisation solcher Monomere unter Verwendung
von Lösungsmittel
und Kupfer als Katalysator.
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Die EP-A-0 030 596 beschreibt ein
Verfahren zur Bildung eines kontinuierlichen Filmes auf einem Substrat,
das die Stufen einer Beschichtung des Substrates mit einer Lösung von diacetylenischem
Vorpolymer in einem flüssigen
Phenylacetylenlösungsmittel
und Härtung
des Filmes unter Polymerisation des Vorpolymers umfaßt, wobei
das Phenylacetylenlösungsmittel
während
der Stufe der Härtung
des Filmes in die Polymerstruktur einreagiert.
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Zusammenfassung
der Erfindung
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Ein Ziel der vorliegenden Erfindung
ist es, ein Verfahren zur Vakuumabscheidungspolymerisation einer
organischen Verbindung durch thermische Härtung bei relativ niedriger
Temperatur und/oder UV-Bestrahlung zu bekommen.
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Ein anderes Ziel der vorliegenden
Erfindung ist es, eine Vakuumabscheidungspolymerisation zu liefern,
um einen dünnen
Film mit gleichmäßiger Dicke
ohne Erzeugung von Nebenprodukten durch Verwendung dieser organischen
Verbindung zu erhalten.
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Noch ein weiteres Ziel der vorliegenden
Erfindung ist es, einen dünnen
Film zu bekommen, der durch Vakuumabscheidungspolymerisation hergestellt
wird und eine verbesserte Wärmebeständigkeit
hat.
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Noch ein anderes Ziel der vorliegenden
Erfindung ist es, eine Elektrolumineszenzeinrichtung zu liefern,
die unter Verwendung dieses dünnen
Filmes hergestellt wird.
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Kurze Beschreibung
der Zeichnung
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1 gibt
eine schematische Darstellung der Vakuumabscheidungskammer für thermische
und UV-Bestrahlungshärtung
wieder.
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2 zeigt
eine schematische Darstellung der Elektrolumineszenzeinrichtung.
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3 zeigt
das NMR-Spektrum von 2-Ethinylfluoren.
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4 bedeutet
DSC-Thermogramme von 2-Ethinylfluoren und 2,7-Diethinylfluoren.
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5 zeigt
TGA-Thermogramme von 2-Ethinylfluoren und 2,7-Diethinylfluoren nach
thermischer Härtung.
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6 zeigt
IR-Spektren von 2-Ethinylfluoren vor und nach thermischer Härtung.
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7 zeigt
IR-Spektren von 2,7-Diethinylfluoren vor und nach thermischer Härtung.
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8 zeigt
Veränderungen
der UV-Absorptionsspektren von 2,7-Diethinylfluoren mit UV-Bestrahlung.
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9 zeigt
das NMR-Spektrum von Tri-(4-ethinylphenyl)-amin.
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10 zeigt
das DSC-Thermogramm von Tri-(4-ethinylphenyl)-amin.
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11 zeigt
das TGA-Thermogramm von Tri-(4-ethinylphenyl)-amin nach thermischer
Härtung.
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12 zeigt
Veränderungen
der IR-Spektren von Tri-(4-ethinylphenyl)-amin mit UV-Bestrahlung.
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13 zeigt
Veränderungen
der UV-Absorptionsspektren von Tri-(4-ethinylphenyl)-amin mit UV-Bestrahlung.
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14 zeigt
das Bild eines auf dem dünnen
Film von Tri-(4-ethinylphenyl)-amin durch UV-Bestrahlung durch eine
Photomaske hindurch gebildeten Musters.
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15 gibt
die Elektrophotolumineszenzspektren von ITO/Tri-(4-ethinylphenyl)amin/Al3/Al-Einrichtung wieder.
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Detaillierte Beschreibung
der Erfindung
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Gemäß der vorliegenden Erfindung
bekommt man ein Verfahren zur Vakuumabscheidungspolymerisation,
worin wenigstens eine der organischen Verbindungen mit wenigstens
einer Acetylengruppe, wie in Formel 1 ausgedrückt ist, auf dem Substrat abgeschieden
wird und gleichzeitig oder anschließend durch Hitzebehandlung
und/oder UV-Bestrahlung polymerisiert wird, um einen dünnen Polymerfilm
zu bilden.
worin R
1 ein
Wasserstoffatom oder
ist, R
2 eine
Bindung oder
ist, n eine natürliche Zahl
von 1 oder darüber
ist und R aus der Gruppe ausgewählt
ist, die aus den folgenden Verbindungen besteht:
worin
R' aus der Gruppe
ausgewählt
ist, die aus einem Wasserstoffatom und C
1-C
12-Kohlenwasserstoffresten besteht.
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Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform
des Verfahrens der Erfindung erfolgt zusätzliches thermisches Härten nach
der UV-Bestrahlung.
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Nach einer anderen bevorzugten Ausführungsform
des Verfahrens der Erfindung wird mit dem UV-Licht durch eine mit
Muster versehene Photomaske hindurch belichtet, um durch Entfernung
eines unbelichteten Bereiches ein Bild zu bekommen.
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Die vorliegende Erfindung liefert
weiterhin einen dünnen
Film, der durch Abscheidung wenigstens einer der obenerwähnten organischen
Verbindungen mit Acetylengruppe auf einem Substrat unter Vakuum
und gleichzeitiger oder anschließender Polymerisation mit Hilfe
von Hitzebehandlung oder UV-Bestrahlung gebildet wird.
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Nach einer bevorzugten Ausführungsform
des dünnen
Filmes nach der Erfindung wird eine zusätzliche thermische Härtung nach
der UV-Bestrahlung durchgeführt.
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Nach noch einem anderen Aspekt liefert
die vorliegende Erfindung weiterhin eine Elektrolumineszenzeinrichtung,
die eine ITO-Elektrodenschicht, eine Emissionsschicht und eine Metallelektrodenschicht
umfaßt, wobei
die Emissionsschicht ein dünner
Film ist, der durch Abscheidung wenigstens einer der obenerwähnten organischen
Verbindungen auf dem Substrat und gleichzeitige oder anschließende Polymerisation
durch Hitzebehandlung und/oder UV-Bestrahlung gebildet wurde.
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Nach noch einem anderen Aspekt liefert
die vorliegende Erfindung weiterhin eine Elektrolumineszenzeinrichtung,
die eine ITO-Elektrodenschicht, eine Lochtransportschicht, eine
Emissionsschicht und eine Metallelektrodenschicht umfaßt, worin
wenigstens eine dieser Lochtransportschicht und der Emissionsschicht
ein dünner
Film ist, der durch Abscheidung wenigstens einer der obenerwähnten organischen
Verbindungen auf dem Substrat und gleichzeitige oder anschließende Polymerisation
durch Hitzebehandlung oder UV-Bestrahlung gebildet wurde.
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Nach noch einem anderen Aspekt liefert
die vorliegende Erfindung weiterhin eine Elektrolumineszenzeinrichtung,
die ITO-Elektrodenschicht, Lochtransportschicht, Emissionsschicht,
Elektronentransportschicht und Metallelektrodensicht umfaßt, wobei
wenigstens eine der Lochtransportschicht, der Emissionsschicht und der
Elektronentransportschicht ein Dünnfilm
ist, der durch Abscheidung wenigstens einer der obenerwähnten organischen
Verbindungen auf dem Substrat gebildet und gleichzeitig oder anschließend durch
Hitzebehandlung oder UV-Bestrahlung
polymerisiert wird.
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Allgemein wird, wie in Schema 1 gezeigt,
eine aromatische Verbindung mit Acetylengruppe(n) durch Entfernung
von Trimethylsilylgruppe einer aromatischen Verbindung, die mit
Trimethylsilylacetylen substituiert ist, in Gegenwart einer Base
oder eines Fluorions hergestellt, wobei diese mit Trimethylsilylacetylen
substituierte aromatische Verbindung durch Umsetzung von Aryljodid
(Arl) oder Arylbromid (ArBr) mit Trimethylsilylacetylen in Gegenwart
von Palladiumkatalysator hergestellt wird.
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Die meisten Verbindungen der Formel
1 können
leicht aus Mono-, Di-, Tri- oder Tetrabrom (oder -jod)-Verbindungen
hergesellt werden, wie in Schema 1 gezeigt ist.
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Da die Verbindung der Formel 1 mit
Acetylengruppe(n) durch Hitzebehandlung oder UV-Bestrahlung, Abscheidung und Wärme- oder
UV-Bestrahlungshärtung
leicht gehärtet
oder polymerisiert wird, kann die Härtung gleichzeitig oder durch
Wärme oder
UV-Bestrahlung nach Abscheidung in einem Verfahren zur Herstellung
von organischem dünnem
Film mit Vakuumabscheidungspolymerisation durchgeführt werden.
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Daher kann bei der Vakuumabscheidungspolymerisation
der Verbindung der Formel 1 zur Herstellung eines dünnen Polymerfilmes
auf dem Substrat, wie Glas oder Siliciumplättchen, durch Verwendung einer
Vakuumabscheidungskammer dieser dünne Polymerfilm durch Abscheidung
und gleichzeitige Polymerisation durch Hitzebehandlung oder UV-Bestrahlung
oder durch Abscheidung und anschließende Polymerisation hergestellt
werden. Wenn erforderlich, kann Hitzehärtung wiederum nach UV-Bestrahlung
zur vollständigen
Polymerisation durchgeführt
werden. 1 zeigt eine
Vakuumabscheidungskammer, die für
Abscheidungspolymerisation verwendet wird. Da die Vakuumabscheidungskammer
mit einem Erhitzer und einer UV-Lampe
für direktes
Erhitzen ausgestattet ist, kann ein dünner Film einer organischen
Verbindung durch gleichzeitige Abscheidung und Polymerisation oder
aufeinanderfolgende Abscheidung und Polymerisation oder aufeinanderfolgende
Abscheidung und Polymerisation erhalten werden. Es ist auch möglich, gleichzeitig
mehr als zwei organische Verbindungen mit dieser Vakuumabscheidungskammer
abzuscheiden.
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In der Bildung eines Polymers durch
Belichten mit UV-Licht gemäß der vorliegenden
Erfindung kann bei Verwendung einer Maske leicht ein Bild erzeugt
werden. Die einzige belichtete Fläche durch die Maske kann gehärtet werden,
und der unbelichtete Bereich wird unter dem Vakuum oder durch Auflösen in einem
Lösungsmittel
derart entfernt, daß es
möglich
ist, das erwünschte
Bild zu erzeugen.
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Der durch Vakuumabscheidungspolymerisation
nach der vorliegenden Erfindung gebildete dünne Film liefert verbesserte
thermische Stabilität,
und somit kann er auf verschiedenen Gebieten angewendet werden, wie
bei Zwischenschichtdielektrika von Halbleitern, Lochtransportschicht
und Emissionsschicht von Elektrolumineszenzeinrichtung, Solarzellen,
Trommeln von Kopiermaschinen und Laserdrucker sowie verschiedene Sensoren.
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Wie in 2 gezeigt,
die eine Elektrolumineszenzeinrichtung wiedergibt, welche unter
Verwendung von Abscheidungspolymerisation als Dünnfilm hergestellt wurde, enthält grundsätzlich eine
ITO-Elektrode, Emissionsschicht und Metallelektrode. Die Emissionsschicht
ist ein dünner
Film, der mit Hilfe von Vakuumdepositionspolymerisation der Verbindung
der Formel 1 mit wenigstens einer Acetylengruppe hergestellt wird. Eine
Elektrolumineszenzeinrichtung kann eine Lochtransportschicht unter
einer Emissionsschicht haben. Wenigstens eine, die Lochtransportschicht
oder die Emissionsschicht, kann durch Vakuumabscheidungspolymerisation
nach der vorliegenden Erfindung hergestellt werden. Weiterhin kann
eine Elektrolumineszenzeinrichtung eine Elektrontransportschicht
für die
vorliegende Erfindung irgendwie notieren.
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Beispiel
1
Herstellung von 2-Ethinylfluoren
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10 g (0,06 Mol) Fluoren und 15,23
g (0,06 Mol) Jod wurden in 300 ml Essigsäure gegeben und gerührt. 1,2
ml Salpetersäure
und 12 ml Schwefelsäure
wurden tropfenweise in das Reaktionsgemisch gegeben. Nachdem das
Reaktionsgemisch 2 h bei 35°C
gerührt
worden war, wurden 2 l destilliertes Wasser zugesetzt. Unumgesetztes
Fluoren wurde mit 100 ml kalter Essigsäure ausgewaschen. Die verbleibenden
Niederschläge wurden
nacheinander mit 100 ml einer 5%igen Kaliumjodidlösung, 100
ml einer 5%igen Natriumthiosulfatlösung und destilliertem Wasser
gewaschen. Die gewaschenen Niederschläge wurden in Luft getrocknet
und mit Petrolether in einer Soxhlet-Apparatur extrahiert. Die extrahierte
Lösung
wurde gekühlt,
um 7,89 g (45%) 2-Jodfluoren in der Form gelber Nadeln zu erhalten.
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Danach wurden 150 ml Triethylamin
7,89 g 2-Jodfluoren, 379 mg (0,54 mMol) Bis(triphenylphosphin)-palladiumdichlorid
und 51 mg (0,27 mMol) Kupferjodid zugesetzt. 4,2 ml (29,7 mMol)
Trimethylsilylacetylen wurden dem Reaktionsgemisch langsam zugesetzt.
Nachdem das Reaktionsgemisch 8 h bei Raumtemperatur gerührt worden
war, wurde Lösungsmittel
unter vermindertem Druck entfernt. Der Rückstand wurde mit Benzol extrahiert,
und die Benzolschicht wurde mit destilliertem Wasser gewaschen.
Die gewaschene Benzolschicht wurde konzentriert und ergab 6,02 g
(85%) 2-Trimethylsilylethinylfluoren.
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Nachdem 6,02 g (22,9 mMol) 2-Trimethylsilylethinylfluorden
zu 100 ml Methanol zugesetzt worden waren, wurden 25 ml 1 N-Kaliumhydroxid
tropfenweise zugegeben. Das Reaktionsgemisch wurde 3 h bei Raumtemperatur
gerührt,
Lösungsmittel
wurde unter vermindertem Druck entfernt. Der Rückstand wurde mit Ether extrahiert,
und die Etherschicht wurde mit destilliertem Wasser gewaschen. Die
gewaschene Etherschicht wurde über
wasserfreiem Natriumsulfat getrocknet und unter reduziertem Druck
konzentriert, um Rohprodukt zu ergeben. Das Rohprodukt wurde durch
Säulenchromatographie
auf Kieselgel durch Eluieren mit Hexan/Ethylacetat (15/1) gereinigt
und dann weiterhin durch Sublimation bei 60°C/267 Pa (2 Torr) gereinigt
und ergab 3,71 g (87%) 2-Ethinylfluoren. 3 zeigt das NMR-Spektrum des Endproduktes,
2-Ethinyfluoren, und die Messung des Schmelzpunktes ergab einen
Wert von 85 °C.
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Das DSC-Thermogramm von 2-Ethinylfluoren,
wie in 4 gezeigt, ergibt,
daß Polymerisation
von 2-Ethinylfluoren mit einer Acetylengruppe bei etwa 230°C begann.
Dies zeigt, daß die
Abscheidung auf dem Substrat und Polymerisation von 2-Ethinylfluoren
gleichzeitig durch Steuerung einer Temperatur auf 230°C durchgeführt werden
kann.
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Die Wärmebeständigkeit von 2-Ethinylfluoren
nach thermischer Härtung
wurde durch TGA-Analyse geprüft,
und das Ergebnis wurde in 5 gezeigt.
Wie in 5 zu sehen ist,
war ein Polymer, das durch Polymerisieren von 2-Ethinylfluoren unter
Hitzehärtung
bei 230°C
unter N2 hergestellt wurde, bis 260°C beständig.
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Beispiel
2
Herstellung von 2,7-Diethinylfluoren
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Zu 100 ml Propylencarbonat wurden
10 g (0,06 Mol) Fluoren und 22,43 g (0,126 Mol) N-Bromsuccinimid
(NBS) zugegeben. Nachdem das Reaktionsgemisch bei 75°C 6 h gerührt worden
war, wurden 200 ml destilliertes Wasser zugesetzt, um einen Niederschlag
zu erhalten. Der erhaltene Niederschlag wurde aus Ethylacetat mehrere
Male umkristallisiert, um 10,89 g (56%) 2,7-Dibromfluoren zu ergeben.
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Danach wurden in 150 ml Düsopropylamin
10,89 g (33,6 mMol) 2,7-Dibromfluoren, das wie oben erhalten wurde,
941 mg (0,67 mMol) Bis-(triphenylphosphin)-palladiumdichlorid und
128 mg (0,67 mMol) Kupferjodid zugesetzt. Nachdem das Reaktionsgemisch
2 h bei Raumtemperatur gerührt
worden war, wurden 10,45 ml (73,9 mMol) Trimethylsilylacetylen tropfenweise
zugesetzt. Das Reaktionsgemisch wurde 8 h unter Rückfluß erwärmt und
gekühlt.
Lösungsmittel
wurde unter vermindertem Druck entfernt. Der Rückstand wurde mit Benzol extrahiert,
und die Benzolschicht wurde mit destilliertem Wasser gewaschen.
Die gewaschene Benzolschicht wurde konzentriert, um 10,12 g (85%)
2,7-Di-(trimethylsilylethinyl)-fluoren zu ergeben.
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Danach wurden 60 ml 1N Kaliumhydroxidlösung langsam
zu 10,12 g (28,2 mMol) 2,7-Di(trimethylsilylethinyl)-fluoren, gelöst in 150
ml Methanol, zugesetzt. Das Reaktionsgemisch wurde 3 h bei Raumtemperatur gerührt, und
Lösungsmittel
wurde entfernt. Der Rückstand
wurde mit Ether extrahiert, und die Etherschicht wurde mit destilliertem
Wasser gewaschen. Die gewaschene Etherschicht wurde konzentriert,
Das Rohprodukt wurde durch Säulenchromatographie
auf Kieselgel durch Eluieren mit Hexan/Ethylacetat (15/1) gereinigt
und ergab 1,35 g (72 %) 2,7-Diethinylfluoren, dessen Schmelzpunkt
125°C war.
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Das DSC-Thermogramm von 2,7-Diethinylfluoren,
wie in 4 gezeigt, läßt erkennen,
daß Polymerisation
von 2,7-Diethinylfluoren mit zwei Acetylengruppen bei etwa 198°C begann.
Dies zeigt, daß eine
Abscheidung auf dem Substrat und Polymerisation von 2,7-Diethinylfluoren
gleichzeitig durch Einstellung einer Temperatur um 200°C durchgeführt werden
kann.
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Thermische Beständigkeit von 2,7-Diethinylfluoren
nach Hitzehärtung
wurde durch TGA-Analyse
geprüft,
wie in 5 zu sehen ist.
In 5 war ein durch Polymerisieren
von 2,7-Diethinylfluoren durch Hitzehärtung bei 198°C während 3
h unter N2 hergestelltes Polymer bis 385°C beständig.
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Experimentelles Beispiel
1
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Hitzehärtung
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2-Ethinylfluoren, das aus Beispiel
1 stammt, und 2,7-Diethinylfluoren, das aus Beispiel 2 stammt, wurden
auf Siliciumplättchen
durch eine Vakuumabscheidekammer gemäß 1 abgeschieden, um durch IR-Spektren
zu bestätigen,
daß jene
Verbindungen mit (einer) Acetylengruppe(n) durch Hitzebehandlung
polymerisiert wurden. Während
der Abscheidung war das Vakuum 26 × 10–3 Pa
(2 × 10–4 Torr),
und die Abscheidungsdicke war etwa 1500 Ä. Die IR-Spektren von 2-Ethinylfluoren und 2,7-Diethinylfluoren
vor und nach der Wärmehärtung unter
N2 wurden geprüft und sind in den 6 und 7 gezeigt. Wärmehärtung jeweils von 2-Ethinylfluoren und
2,7-Diethinylfluoren erfolgte bei 230°C bzw. 198°C während 30 min. In den 6 und 7 zeigen 2-Ethinylfluoren und 2,7-Diethinylfluoren
einen starken Peak der Streckvibration bei 3283 cm–1 für =C-H und einen
schwachen Peak der Streckvibration bei 2099 cm–1 für C=C vor
der Wärmehärtung. Nach
der Wärmehärtung während 30
min waren beide Streckpeaks für
=C-H und C=C verschwunden, und es erschien ein Peak der Streckvibration
bei zwischen 1600 und 1700 cm–1 für C=C. Dies zeigt, daß nach Wärmehärtung sowohl 2-Ethinylfluoren
als auch 2,7-Diethinylfluoren mit (einer) Acetylengruppe(n) durch Änderung
einer Dreifachbindung, C=C, zu einer Doppelbindung, C=C, polymerisierte.
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Experimentelles Beispiel
2
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Polymerisation durch UV-Bestrahlung
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2,7-Diethinylfluoren, wie in Beispiel
2 hergestellt, wurde auf dem Glas unter Verwendung der Vakuumabscheidungskammer
von 1 abgeschieden,
und während
der UV-Bestrahlung wurde die UV-Absorption geprüft. Während der Abscheidung war das
Vakuum 26 × 10–3 Pa
(2 × 10–
4 Torr), und die Abscheidungsdicke war etwa
300 Ä. 8 zeigt Veränderungen
der UV-Absorptionsspektren
bei unterschiedlicher Bestrahlungszeit. Wenn die Belichtung mit
UV-Licht zunahm, wurde die Breite des maximalen Absorptionspeaks
bei 340 nm breiter, und der Peak wechselte zu längerer Wellenlänge. Dies
zeigt, daß die
Länge der
Doppelbindung zunahm, d. h. eine Dreifachbindung der Verbindung
mit Acetylengruppen zu einer Doppelbindung durch Polymerisation
mit UV-Bestrahlung wechselte.
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Beispiel
3
Herstellung von Tri-(4-ethinylphenyl)-amin
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10 g (0,0408 Mol) Triphenylamin wurden
zu 150 ml Chloroform unter Rühren
zugegeben. 19,5 4 g (0,122 Mol) in Chloroform gelöstes Brom
wurden zu dem Reaktionsgemisch zugegeben und 2 h bei Raumtemperatur
gerührt.
400 ml heißes
Ethanol wurden zu dem Reaktionsgemisch zugesetzt und bei Raumtemperatur belassen,
um Niederschläge
zu erzeugen. Diese Niederschläge
wurden mit Methanol in einer Soxhlet-Apparatur extrahiert und ergaben
15,54 g (79%) Tri-(4-bromphenyl)-amin.
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Danach wurden zu 200 ml Düsopropylamin
15,54 g (0,032 Mol) Tri-(4-bromphenyl)-amin, 1,35 g (1,92 mMol)
Bis-(triphenylphosphin)-palladiumdichlorid und 9,43 g (0,96 mMol)
Kupferjodid zugegeben. Nachdem das Reaktionsgemisch 2 h bei Raumtemperatur
gerührt
worden war, wurden 9,43 g (96 mMol) Trimethylsilylacetylen langsam
zu dem Reaktionsgemisch zugesetzt. Das Reaktionsgemisch wurde 8
h unter Rückfluß erwärmt und
gekühlt.
Lösungsmittel
wurde unter reduziertem Druck entfernt. Der Rest wurde mit Benzol
extrahiert, und die Benzolschicht wurde mit destilliertem Wasser
gewaschen. Die gewaschene Benzolschicht wurde auf 13,84 g (81%)
Tri-(4-trimethylsilylethinylphenyl)-amin konzentriert.
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Zu einem Gemisch von 180 ml Tetrahydrofuran
(THF) und 240 ml Methanol wurden 13,84 g (0,026 Mol) Tri-(4-trimethylsilylethinylphenyl)-amin
und 4,53 g (0,078 Mol) Kaliumfluorid zugesetzt. Das Reaktionsgemisch
wurde 5 h auf 50°C
erhitzt, auf Raumtemperatur abgekühlt, und Lösungsmittel wurde unter vermindertem
Druck entfernt. Der Rückstand
wurde mit Ether extrahiert, und die Etherschicht wurde mit destilliertem Wasser
gewaschen. Die gewaschene Etherschicht wurde konzentriert und ergab
Rohprodukt. Dieses Rohprodukt wurde durch Säulenchromatographie auf Kieselgel
durch Eluieren mit Hexan gereinigt und ergab 6,182 g (75%) Tri-(4-ethyinylphenyl)-amin,
von welchem das NMR-Spektrum in 9 gezeigt
wurde und der Schmelzpunkt 115°C
war.
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Das DSC-Thermogramm von Tri-(4-ethinylphenyl)-amin,
wie in 10 gezeigt, ergab,
daß Polymerisation
von Tri-(4-ethinylphenyl)-amin mit drei Acetylengruppen bei 185°C begann.
Dies zeigte, daß Abscheidung
auf dem Substrat und Polymerisation von 2,7-Diethinylfluoren gleichzeitig
durch Einstellung der Temperatur um 185°C herum durchgeführt werden
kann.
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Wärmebeständigkeit
von Tri-(4-ethinylphenyl)-amin nach Hitzehärtung wurde durch TGA-Analyse
geprüft,
und das Ergebnis wurde in 11 gezeigt.
In 11 war ein Polymer, das
durch Polymerisieren von Tri-(4-ethinylphenyl)-amin durch Hitzehärtung bei
185°C unter
N2 während
30 min hergestellt worden war, bis 375°C beständig.
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Experimentelles Beispiel
3
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Polymerisation durch UV-Bestrahlung
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Tri-(4-ethinylphenyl)-amin, hergestellt
wie im Beispiel 3, wurde auf Siliciumplättchen in der Vakuumabscheidungskammer
von 1 abgeschieden,
um durch IR-Spektrum zu prüfen,
ob jene Verbindung mit drei Acetylengruppen durch UV-Bestrahlung
polymerisiert wurde. Während
der Abscheidung war das Vakuum 2,6 × 10–3 Pa
(2 × 10–5 Torr)
und die Abscheidungsdicke etwa 1500 Å. IR-Spektren von Tri-(4-ethinylphenyl)-amin wurden
während
UV-Bestrahlung geprüft
und in 12 gezeigt. In 12 zeigte Tri-(4-ethinylphenyl)-amin
einen starken Peak der Streckvibration bei 3277 cm–1 für =C-H und
einen schwachen Peak der Streckvibration bei 2102 cm–1 für C=C vor
der Hitzehärtung.
Nach der Hitzehärtung
waren beide Peaks für
=C-H und C=C verschwunden, und es war ein Peak der Streckvibration
bei zwischen 1600 und 1700 cm–1 für C=C erschienen. Dies zeigte,
daß Tri-(4-ethinylphenyl)-amin
mit drei Acetylengruppen mit UV-Bestrahlung durch Wechsel von einer
Dreifachbindung, C=C, zu einer Doppelbindung, C=C, polymerisiert
wurde.
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Polymerisation von Tri-(4-ethinylphenyl)-amin
mit UV-Licht wurde auch durch UV-Absorptionsspektrum
geklärt.
Während
der Abscheidung waren das Vakuum 26 × 10–3 Pa
(2 × 10–4 Torr)
und die Abscheidungsdicke etwa 300 Å. 13 zeigte Veränderungen der UV-Absorptionsspektren
mit der Bestrahlungszeit. Wenn die Bestrahlungszeit von UV-Licht
zunahm, wurde die Breite des maximalen Absorptionspeaks bei 340
nm breiter, und der Peak wechselte zu längerer Wellenlänge. Dies
zeigt, daß die
Länge der
Doppelbindung zunahm, d. h. eine Dreifachbindung der Verbindung
mit Acetylengruppe zu einer Doppelbindung durch Polymerisation mit
UV-Licht wechselte.
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Andererseits wurde nach dem Belichten
mit UV-Licht bei 254 oder 320 nm Wellenlänge durch Verwendung einer
Maske auf dem Substrat des Glases mit Tri-(4-ethinylphenyl)aminabscheidung
ein Bild durch Auflösen
der unbelichteten Bereiche in Chloroform erzeugt, und das Bild ist
in 14 gezeigt. Die Verbindungen mit
Acetylengruppen können
durch UV-Bestrahlung
gehärtet
werden, und ein Bild hiervon kann unter Verwendung einer Maske erzeugt
werden. Die organischen Verbindungen der vorliegenden Erfindung
können
zur Herstellung eines dünnen
Filmes durch Vakuumabscheidungspolymerisation verwendet werden,
welche für
Photoresiste vom Negativtyp geeignet ist.
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Beispiel
4
Herstellung von N,N-Bis-(3-methylphenyl)-N,N-(4-ethinyl)-benzidin
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Zu 50 ml Düsopropylamin wurden 3,3 g (4,89
mMol) N,N-Bis-(3-methylphenyl)-N,N-di-(4-bromphenyl)-benzidin, 137 mg (0,196
mMol) Bis-(triphenylphosphin)-palladiumdichlorid und 18,7 mg (0,098
mMol) Kupferjodid zugesetzt. Nachdem das Reaktionsgemisch 2 h bei
Raumtemperatur gerührt
worden war, wurden langsam 0,96 mg (9,78 mMol) Trimethylsilylacetylen
zugesetzt. Das Reaktionsgemisch wurde 8 h unter Rückfluß erhitzt.
Das Lösungsmittel
wurde unter vermindertem Druck entfernt. Der Rückstand wurde mit Benzol extrahiert,
und die Benzolschicht- wurde mit destilliertem Wasser gewaschen.
Die gewaschene Benzolschicht wurde zur Trockene konzentriert und
ergab 2,705 g (78%) N,N-Bis-(3-methylphenyl)-N,N-di-(4-trimethylsilylethinylphenyl)-benzidin.
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Zu einem Gemisch von 60 ml THF und
80 ml Methanol wurden 2,705 g (3,814 mMol) N,N-Bis-(3-methylphenyl)-N,N-di-(4-trimethylsilylethinylphenyl)-benzidin
und 0,443 g (7,628 mMol) KF zugesetzt. Nachdem das Reaktionsgemisch
5 h bei 50°C
gerührt
worden war, wurde es auf Raumtemperatur abgekühlt, und das Lösungsmittel
wurde zur Trockene entfernt. Der Rückstand wurde mit Chloroform
extrahiert, und die Chloroformschicht wurde mit destilliertem Wasser
gewaschen. Die gewaschene Chloroformschicht wurde zur Trockene konzentriert
und ergab Rohprodukt, welches weiter durch Säulenchromatographie auf Kieselgel
durch Eluieren mit Hexan/Ethylacetat (9/1) gereinigt wurde und 1,852
g (86%) N,N-Bis-(3-methylphenyl)-N,Ndi-(4-ethinylphenyl)-benzidin
ergab.
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Beispiel
5
Herstellung von (4-Ethinyl)-diphenylamin
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1,503 g (71%) 4-(Ethinylphenyl)-diphenylamin
wurden nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 4 unter Verwendung
von 3,0 g (9,25 mMol) (4-Bromphenyl)-diphenylamin-(4- bromphenyl)-diphenylamin
anstelle von N,N'-Bis-(3-methylphenyl)-N,N'-di-(4-bromphenyl)benzidin
hergestellt.
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Beispiel
6
Herstellung von 1,3-Di-(5-[4-ethinylphenyl]-1,3,4-oxadiazol)-benzol
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1,75 g (65%) 1,3-Di-(5-[4-ethinylphenyl]-1,3,4-oxadiazol)-benzol
wurden nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 4 unter Verwendung
von 5,0 g (9,54 mMol) 1,3-Di-(5-[4-bromphenyl]-1,3,4-oxadiazol)-benzol anstelle
von N,N'-Bis-(3-methylphenyl)-N,N'-di-(4-bromphenyl)-benzidin
hergestellt.
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Beispiel
7
Herstellung von 5,5-Diethinyl-2,2=5,2-terthiophen
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2,37 g (65%) von 5,5-Diethinyol-2,2=5,2-terthiophen
wurden nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 4 unter Verwendung
von 5,0 g (12,3 mMol) 5,5-Dibrom-2,2=5,2-terthiophen anstelle von
N,N'-Bis-(3-methylphenyl)-N,N'-di-(4-bromphenyl)-benzidin
hergestellt.
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Beispiel
8
Herstellung von 9,10-Diethinylanthracen
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2,42 g (72%) 9,10-Diethinylanthracen
wurden nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 4 unter Verwendung
von 5,0 g (14,9 mMol) 9,10-Dibromanthracen anstelle von N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-di-(4-bromphenyl)-benzidin
hergestellt.
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Beispiel
9
Herstellung von 1,4-Di-(4-ethinylphenyl)-adamantin
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2,63 g (70%) 1,4-Di(-4-ethinylphenyl)-adamantin
wurden nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 4 unter Verwendung
von 5,0 g (14,9 mMol) 1,4-Di-(4-bromphenyl)-adamantin, hergestellt
durch Umsetzung von 5,0 g (21,9 mMol) 1,4-Diphenyladamantan und
Brom anstelle von N,N'-Bis-(3-methylphenyl)-N,N'-di-(4-bromphenyl)-benzidin
gewonnen.
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Beispiel 10
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Eine Elektrolumineszenzeinrichtung
wurde unter Verwendung eines dünnen
Filmes hergestellt, der mit Hilfe von Vakuumabscheidungspolymerisation
von Tri-(4-ethinylphenyl)-amin, hergestellt wie in Beispiel 3, als eine
Lochtransportschicht, und Tris-(8-hydroxychinolinato)aluminium (Alq3) als eine Emissionsschicht, gewonnen wurde.
Eine ITO-Glaselektrode wurde in ein Gemisch von Aceton und Isopropylalkohol
eingesetzt und mehrmals mit einem Ultraschallreiniger gewaschen.
Tri-(4-ethinylphenyl)-amin wurde auf der ITO-Elektrode durch eine
Abscheidungskammer gemäß 1 unter 2,6 × 10–3 Pa
(2,0 × 10–5 Torr)
Vakuum und mit 0,5 Å/sec Bildungsgeschwindigkeit
eines dünnen
Filmes mit 80 A Dicke hergestellt. Während der Abscheidung wurde eine
Lochtransportschicht durch Polymerisieren eines Monomers von Tri-(4-ethinylphenyl)-amin
mit UV-Betrahlung hergestellt. Nach der Polymerisation wurde eine
Emissionsschicht mit 500 Å Dicke
durch Abscheidung von Alq3 auf der Lochtransportschicht
mit einer Abscheidungskammer unter 2,6 × 10–3 Pa
(2,0 × 10–5 Torr) Vakuum
und mit 2,0 Å/sec
Geschwindigkeit gebildet. Danach wurde Aluminium auf der Emissionsschicht
mit einer Abscheidungskammer unter 2,6 × 10–3 Pa
(2,0 × 10–5 Torr)
Vakuum und mit 5,0 Å/sec
Geschwindigkeit, um eine Metallelektrodenschicht mit 1500 A Dicke
zu bilden. 5 zeigte
Elektrolumineszensspektren von ITO/Tri-(4-ethinylphenyl)-amin/Alq3/Al-Elektrolumineszenzeinrichtung. Diese
ITO wurde mit der Anode verbunden, und die Al-Elektrode wurde mit
der Kathode verbunden, und eine Betriebsspannung war 3,5 V und ein elektrischer
Strom hatte 0,5 mA.
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Wie oben im Detail beschrieben, lieferte
die vorliegende Erfindung einen organischen dünnen Film einer organischen
Verbindung mit wenigstens einer Acetylengruppe, die durch Abscheidung
unter dem Vakuum und gleichzeitige oder anschließende Polymerisation durch
Hitzebehandlung oder UV-Bestrahlung gebildet wird. Das Verfahren
der vorliegenden Erfindung erfordert kein Arbeiten bei hoher Temperatur
und erzeugt keine Nebenprodukte. Der durch Vakuumabscheidungspolymerisation
gebildete dünne
Film hat gleichmäßige Dicke
und ausgezeichnete Wärmebeständigkeit
und wird außerdem
auf verschiedenen Gebieten, wie dielektrischen Zwischenschichtfilmen
von Halbleitern, Elektrolumineszenzeinrichtungen, Solarzellen, Trommeln
von Kopiermaschinen und Laserdruckern und verschiedenen Sensoren
verwendet.