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Hintergrund der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung betrifft im Allgemeinen die Herstellung von
Halbleitern und insbesondere eine Hohlspindel und eine Schleuder-,
Spül- und
Trockenvorrichtung, die diese Hohlspindel umfasst.
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Da
sich die Halbleiterindustrie in Richtung auf größere, z.B. 300 mm große, Wafer
und auf kleinere Elemente mit einer Größe von z.B. 0,18 μm und noch
kleiner bewegt, wird es zunehmend wichtiger, die Waferverschmutzung
auf der Rückseite,
d.h. der Unterseite, der Wafer während
der Waferbearbeitungsvorgänge
zu kontrollieren. Bei einem konventionellen Waferbearbeitungsvorgang
wird der Wafer in einer Schleuder-, Spül- und Trockenvorrichtung (SRD)
einem Schleuder/Spülvorgang
unterzogen. Während
dieses Schleuder/Spülvorgangs
wird deionisiertes (DI) Wasser auf die Oberseite und die Rückseite
des Wafers gesprüht,
während
der Wafer mit hoher Geschwindigkeit geschleudert wird. Ein Problem
bei diesem Schleuder/Spülvorgang
besteht darin, dass es durch die über den Wafer wirbelnde Luft oft
zu einer erneuten Verschmutzung durch Partikel auf der Rückseite
des Wafers kommt.
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Die 1 ist
ein vereinfachtes schematisches Diagramm 10, das die um
einen Wafer herum herrschende Luftströmung bei einem konventionellen Becher,
der Teil einer SRD-Vorrichtung ist, zeigt. Wie dort gezeigt ist,
ist ein Wafer 12 in einem Becher 14 platziert.
Aus Gründen
der Vereinfachung sind die Spindel, die den Wafer dreht, und die
Spindelfinger, die den Wafer auf der Spindel halten, in der 1 weggelassen
worden. Wenn sich der Wafer 12 in dem Becher 14 dreht, überträgt die Drehbewegung des
Wafers Energie auf die zu der Oberseite des Wafers strömende Luft.
Diese übertragene
Energie führt dazu,
dass die Luftströmung
auf der Oberseite des Wafers 12 turbulent wird und zirkulierende
Luft, d.h. Wirbel, erzeugt, wie durch die Pfeile in 1 angedeutet
ist. Die Menge der Energie, die auf die zu der Oberseite des Wafers 12 strömende Luft übertragen wird,
ist abhängig
von dem Durchmesser und der Drehgeschwindigkeit des Wafers. Allgemein
gesagt, je größer die
auf die Luft übertragene
Energiemenge ist, desto höher
erstrecken sich die Wirbel über
der Oberseite und desto weiter erstrecken sich die Wirbel unter
der Rückseite
des Wafers 12. Das Vorhandensein von Wirbeln unterhalb
des Wafers 12 ist unerwünscht,
da von dem Wafer entfernte Partikel oder DI-Wassertröpfchen in
den Wirbeln zirkulieren können
und sich auf der Rückseite
des Wafers erneut ablagern können,
was zu einer Wiederverschmutzung führt.
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Angesichts
der obigen Ausführungen
besteht ein Bedarf an einer Vorrichtung zum Regeln des Luftstroms
auf der Rückseite
eines Wafers während einer
Schleuderbehandlung, um die durch die in den Wirbeln unter dem Wafer
zirkulierenden Partikel und DI-Wassertröpfchen verursachte erneute
Verschmutzung zu minimieren.
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Eine
Spindel und ein SRD-Modul gemäß den Oberbegriffen
der Patentansprüche
1 bzw. 11 werden in der
US-A-5
964 954 offenbart.
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Zusammenfassung der Erfindung
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Die
Erfindung stellt eine Spindel gemäß Anspruch 1 zur Verfügung. Die
Spindel hat einen hohlen Kern, durch den Fluide der Rückseite
eines Halbleiterwafers zugeführt
werden können.
In Kombination mit einer Aufspannplatte für den Wafer ermöglicht die Hohlspindel
eine Steuerung des Luftstroms auf der Rückseite des Wafers. Die vorliegende
Erfindung stellt auch eine Schleuder-, Spül- und Trockenvorrichtung gemäß Anspruch
11, die diese Hohlspindel umfasst, zur Verfügung.
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Bei
einer Ausführungsform
weist die hohle Spindelwelle ein Paar Hochgeschwindigkeitslager und
ein hierauf montiertes Gehäuse
auf. Bei dieser Ausführungsform
umschließt
das Gehäuse
das Paar Hochgeschwindigkeitslager. Bei einer Ausführungsform
ist die Größe jedes
der Hochgeschwindigkeitslager gleich.
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Bei
einer Ausführungsform
ist die Wafer-Aufspannplatte auf eine Drehspannvorrichtung montiert. Bei
einer Ausführungsform
ist die Wafer-Aufspannplatte mit mindestens drei unter Federspannung
stehenden Kolben auf der Drehspannvorrichtung montiert. Bei einer
Ausführungsform
hat die Wafer-Aufspannplatte eine Form, die im Wesentlichen der Form
des Wafers entspricht.
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Die
SRD-Vorrichtung umfasst einen Becher und eine Hohlspindel zum Drehen
eines sich in den Becher erstreckenden Halbleiterwafers. Die Hohlspindel
weist einen in ihr ausgebildeten Kanal auf, um Fluid zu der Rückseite
eines Wafers zu befördern und
eine an ihrem oberen Ende angeordnete Wafer-Aufspannplatte. Bei
einer Ausführungsform
ist die Wafer-Aufspannplatte so konfiguriert, dass verhindert wird,
dass Partikel in Kontakt mit der Rückseite des Wafers kommen.
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Bei
einer Ausführungsform
umfasst die SRD-Vorrichtung ein in dem Kanal angeordnetes inneres
Luftzuleitungsrohr und eine Luftquelle, die strömungstechnisch mit dem inneren
Luftzuleitungsrohr verbunden ist. Bei einer Ausführungsform ist die Luftquelle
eine höchst
staubdichte luftdurchlässige
(ULPA-)Filtereinheit. Bei einer Ausfüh rungsform liegt der Abstand,
in dem die Wafer-Aufspannplatte unter dem Wafer angeordnet ist,
in einem Bereich von ungefähr 80
tausendstel Zoll (1 Zoll = 2,54 cm) bis ungefähr 275 tausendstel Zoll.
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Die
Hohlspindel der vorliegenden Erfindung gestattet es, dass Fluide,
z.B. Luft und Chemikalien, durch die Spindel direkt zu der Rückseite
eines Halbleiterwafers, der für
einen Schleudervorgang direkt über
der Spindel angeordnet ist, befördert
werden können.
Dies ist natürlich
vorteilhaft, da hierdurch die Zerstäubungsprobleme vermieden werden
können, die
auftreten, wenn Chemikalien auf die Rückseite des Wafers durch die
sich drehenden Bestandteile der Spindel gesprüht werden. Die Hohlspindel
hat weitere Vorteile, da die Wafer-Aufspannplatte gestattet, den
Luftstrom auf der Rückseite
des Wafers zu steuern, so dass verschmutzte Luft nicht in das von dem
Wafer und der Wafer-Aufspannplatte begrenzte Volumen zurückgeführt wird.
Darüber
hinaus reduziert die Wafer-Aufspannplatte in vorteilhafter Weise die
Wiederverschmutzung durch Partikel, indem sie verhindert, dass Partikel
in Kontakt mit der Rückseite des
Wafers kommen.
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Es
ist selbstverständlich,
dass die vorstehende allgemeine Beschreibung und folgende genauere Beschreibung
lediglich beispielhaft und erläuternd sind
und keine Einschränkung
für die
beanspruchte Erfindung darstellen.
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Kurze Beschreibung der Zeichnungen
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Die
beigefügten
Zeichnungen, die in diese Beschreibung eingegliedert sind und einen
Teil davon bilden, verdeutlichen beispielhafte Ausführungsformen
der Erfindung und dienen zusammen mit der Beschreibung zum Erläutern der
Prinzipien der Erfindung.
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1 ist
eine vereinfachte schematische Darstellung, die die Luftströmung um
einen Wafer in einem konventionellen Becher zeigt.
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2 ist
eine vereinfachte schematische Darstellung einer Schleuder-, Spül- und Trockenvorrichtung
(SRD-Vorrichtung) gemäß einer
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung.
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3 ist
eine vereinfachte Schnittansicht einer Hohlspindel gemäß einer
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung.
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4 ist
eine vereinfachte schematische Darstellung, die die Art und Weise
gemäß der vorliegenden
Erfindung darstellt, in der eine Wafer-Aufspannplatte auf einer
Drehspannvorrichtung montiert wird.
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Genaue Beschreibung der Erfindung
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Mehrere
beispielhafte Ausführungsformen der
Erfindung werden jetzt im Einzelnen unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen
beschrieben. Die 1 wurde oben im Abschnitt "Hintergrund der Erfindung" erörtert.
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Die 2 ist
eine vereinfachte schematische Darstellung einer Schleuder-, Spül- und Trockenvorrichtung
(SRD-Vorrichtung) 100 gemäß einer Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung. Wie dort gezeigt ist, umfasst die SRD-Vorrichtung 100 einen
Becher 102, eine Hohlspindel 104, eine Wafer-Aufspannplatte 108,
einen Motor 110, einen Antriebsmechanismus 110a und
eine höchst
staubdichte luftdurchlässige
(ULPA-)Filtereinheit 112 (Feinstaub-Filtereinheit). Die
Hohlspindel 104 weist eine hohle Zentralwelle 106 auf.
Der Halbleiterwafer 114 kann durch jeden geeigneten Tragmechanismus,
z.B. durch Spindelfinger, die sich von einem mit der Hohlspindel verbundenen
Spindelarm nach oben erstrecken, über der Hohlspindel 104 und
der Wafer-Aufspannplatte 108 gehalten
werden. Die Spindelfinger und der Spindelarm, die einem Fachmann
hinreichend bekannt sind, wurden aus Gründen der Vereinfachung der
Darstellung in der 2 weggelassen.
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Die
Wafer-Aufspannplatte 108, die eine in ihr ausgebildete
Mittelöffnung
hat, ist an dem oberen Ende der hohlen Zentralwelle 106 durch
geeignete mechanische Befestigungsmittel, wie beispielsweise Schrauben,
montiert. Ein Kanal 106a erstreckt sich durch den mittleren
Teil der hohlen Zentralwelle 106. In dem Kanal 106a ist
ein inneres Luftzuleitungsrohr 116 angeordnet. Das innere
Luftzuleitungsrohr 116 kann durch ein Lager (nicht dargestellt)
am oberen Ende der hohlen Zentralwelle 106 und eine Schelle (nicht
dargestellt) am unteren Ende dieser Welle in dem Kanal 106a befestigt
sein. Ein durch einen Motor 110 angetriebener Antriebsmechanismus 110a ist
mit dem unteren Ende der Hohlspindel 104 verbunden, um
die Spindel zu drehen. Bei einer Ausführungsform ist der Antriebsmechanismus 110a ein
Riemen, z.B. ein Zahnriemen. Ein Luftzuleitungsrohr 118 verbindet die
höchst
staubdichte luftdurchlässige
(ULPA-)Filtereinheit 112 strömungstechnisch mit dem inneren Luftzuleitungsrohr 116.
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Die
Wafer-Aufspannplatte
108 und der Wafer
114 begrenzen
ein zwischen ihnen gebildetes Volumen
120. Während des
Schleudervorgangs drehen sich die Hohlspindel
104, die
Wafer-Aufspannplatte
108 und der Wafer
114 im
Wesentlichen mit der gleichen Geschwindigkeit, da sie miteinander
verbunden sind. Wenn sich die Hohlspindel
104, die Wafer-Aufspannplatte
108 und
der Wafer
114 drehen, strömt saubere Luft von der ULPA-Filtereinheit
112 durch das
innere Luftzuleitungsrohr
116 nach oben. Bei einer Ausführungsform
ist das innere Luftzuleitungsrohr
116 innerhalb des Kanals
106a angeordnet,
so dass die Luft dem Volumen
120 in der Nähe des mittleren
Teils der Rückseite
des Wafers
114 zugeführt wird.
Die aus dem inneren Luftzuleitungsrohr
116 in das Volumen
120 einströmende saubere
Luft fließt von
dem mittleren Bereich der Rückseite
des Wafers
114 nach außen
und verlässt
das Volumen
120 an den Außenrändern des Wafers
114 und
der Wafer-Aufspannplatte
108. Zusätzliche Einzelheiten bezüglich des
Luftstroms auf der Rückseite
des Wafers
114 werden in der
US-Patentveröffentlichung 2002112371 mit
dem Titel "Method
for controlling Airflow an a Backside of a Semiconductor Wafers
during Spin Processing" beschrieben.
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Der
Abstand X, in dem die Wafer-Aufspannplatte 108 unter dem
Wafer 114 angeordnet wird, und die Luftströmung aus
dem inneren Luftzuleitungsrohr 116 in das Volumen 120 können gesteuert
werden, so dass keine verschmutzte Luft in das Volumen 120 zurückgeführt werden
kann. Im Allgemeinen ist der Abstand X eine Funktion des Drucks,
mit dem Luft dem Volumen 120 zugeführt wird, der Geschwindigkeit
des nach unten auf die obere Seite des Wafers 120 gerichteten
Luftstroms und der Spindelgeschwindigkeit. Beispielsweise kann ΔP der dem
Volumen 120 zugeführten
Luft von 0 bis 10 Zoll Wassersäule
(0 bis 2490 Pa) als Funktion des nach unten auf die obere Seite
des Wafers 120 gerichteten Luftstroms variiert werden.
Bei einer Ausführungsform liegt
der Abstand X, in dem die Wafer-Aufspannplatte 108 unter
dem Wafer 114 angeordnet wird, in einem Bereich von ungefähr 80 tausendstel
Zoll (0,2 cm) bis ungefähr
275 tausendstel Zoll (0,7 cm).
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Zusätzlich zu
dem Zweck, als eine der Begrenzungen zu dienen, die das Volumen 120 umschließen, hat
die Wafer-Aufspannplatte 108 auch die Funktion zu verhindern,
dass Partikel in Kontakt mit der Rückseite des Wafers 114 kommen.
Beispielsweise blockiert die Wafer-Aufspannplatte 108 Partikel,
die in den sich bis unter den Wafer 114 erstreckenden Wirbeln
zirkulieren. Bei einer Ausführungsform
hat die Wafer-Aufspannplatte 108 eine Form, die im Wesentlichen
der Form des Wafers 114 entspricht, so dass die gesamte
Rückseite
des Wafers gegenüber
den zirkulierenden Par tikeln abgeschirmt wird. Für einen Fachmann ist es selbstverständlich,
dass sich die Form der Wafer-Aufspannplatte 108 leicht
von der des Wafers 108 unterscheiden kann, während weiterhin
eine effektive Abschirmung erzielt wird. Beispielsweise muss die
Wafer-Aufspannplatte 108 nicht die flachen Ränder aufweisen,
die typischerweise in einen Wafer eingeschliffen sind, um die Kristallorientierung
und den Dotierungstyp anzugeben.
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Die 3 ist
eine vereinfachte Schnittansicht einer Hohlspindel 104' gemäß einer
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung. Wie hier gezeigt ist, umfasst die Hohlspindel 104' eine hohle
Betätigungswelle 122 und
eine hohle Spindelwelle 124, die konzentrisch um die hohle
Betätigungswelle 122 herum
angeordnet ist. Die hohle Betätigungswelle 122 ist
mit einer Muffe 123 in der hohlen Spindelwelle 124 montiert.
Bei einer Ausführungsform
ist die Muffe 123 eine Polymermuffe mit hoher Toleranz.
Die Innenfläche
der hohlen Betätigungswelle 122 bildet
einen Kanal 106a',
der sich durch die Hohlspindel 104' erstreckt. Bei einer Ausführungsform
hat der Kanal 106a' einen
Durchmesser von ungefähr
1,5 Zoll (3,81 cm). Auf der hohlen Spindelwelle 124 sind
Hochgeschwindigkeitslager 126a und 126b montiert.
Bei einer Ausführungsform
sind die Hochgeschwindigkeitslager 126a und 126b Rillenlager
gleicher Größe mit großem Durchmesser,
die so konfiguriert sind, dass sie bei der Lagerhöchstgeschwindigkeit,
z.B. mit ungefähr
5.000 U/min, drehen. Die Hochgeschwindigkeitslager 126a und 126b sind
durch eine starke Lagervorspannung 128 zu einem relativ
hohen Grad, z.B. ungefähr
200 Pfund (ungefähr
91 kg), vorbelastet, um die Lebensdauer der Lager bei ultrahohen
Geschwindigkeiten und Beschleunigungen zu verlängern. Ein Gehäuse 130 ist
auf der hohlen Spindelwelle 124 montiert und umschließt die Hochgeschwindigkeitslager 126a und 126b und
die starke Lagervorspannung 128.
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Passstifte 132,
die in der hohlen Spindelwelle 124 verankert sind, verhindern,
dass sich die hohle Betätigungswelle 122 separat
von der hohlen Spindelwelle 124 dreht. Die Passstifte 132 gestatten
der hohlen Betätigungswelle 122 sich
vertikal, d.h. auf und ab, zu bewegen, wie später in näheren Einzelheiten erläutert werden
wird. Am unteren Ende der hohlen Betätigungswelle 122 ist
ein Betätigungswellenlager 134 vorgesehen,
das durch eine geeignete Anordnung eingeschränkt ist. Das Betätigungswellenlager 134 gestattet
der hohlen Betätigungswelle 122 sich
vertikal zu bewegen, während
sich die Welle dreht.
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Eine
Befestigungsplatte 136 ist am oberen Ende der hohlen Spindelwelle 124 angeordnet.
Eine Drehspannvorrichtung 138 zum Halten des Wafers 114 ist
auf der Befestigungsplatte 136 montiert. Die Drehspannvorrichtung 138 umfasst
Drehspannvorrichtungsfinger (in 3 nicht
dargestellt), die sich von ihr aus nach oben erstrecken und den
Wafer 114 ergreifen, wie einem Fachmann gut bekannt ist.
Eine Turcite®-Mutter 140,
die eine lineare Bewegung in eine Drehbewegung umsetzt, ist in der
Drehspannvorrichtung 138 angeordnet. Wenn ein hohler Luftzylinder
(nicht dargestellt) die hohle Betätigungswelle 122 nach
oben oder unten bewegt, betätigt
die hohle Betätigungswelle
die Turcite®-Mutter 140,
die ihrerseits die Drehspannvorrichtung 138 betätigt, um
den Wafer 114 zu greifen. Insbesondere, wenn die hohle Betätigungswelle 122 nach
oben und unten bewegt wird, setzt die Turcite®-Mutter 140 diese
lineare Bewegung in eine Drehbewegung um und betätigt die Drehspannvorrichtung 138 so
dass die Drehspannvorrichtungsfinger den Wafer 114 entweder
greifen oder loslassen.
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Es
wird weiterer Bezug auf die 3 genommen;
die Wafer-Aufspannplatte 108 ist am oberen Ende der hohlen
Betätigungswelle 122 angeordnet. Die
Wafer-Aufspannplatte 108 kann
in jeder geeigneten Weise drehbar gelagert sein. Bei einer Ausführungsform
ist die Wafer-Aufspannplatte 108 auf der Drehspannvorrichtung 138 angeordnet,
wie nachstehend unter Bezugnahme auf die 4 näher erläutert werden
wird. Eine Anschlaghülse 142,
die eine in ihr ausgebildete Labyrinthdichtung aufweist, ist am oberen
Ende der hohlen Betätigungswelle 122 angeordnet.
Die Anschlaghülse 142 zentriert
die Wafer-Aufspannplatte 108 auf der Hohlspindel 104' für eine ausgewuchtete
Drehung. Zusätzlich
verhindert die in der Anschlaghülse 142 ausgebildete
Labyrinthdichtung, dass durch eine Mittelöffnung 108a der Wafer-Aufspannplatte 108 in
den Kanal 106a' strömende Flüssigkeit
in den den Mechanismus umfassenden Bereich der Drehspannvorrichtung 138 eindringen
kann.
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Die
Hohlspindel 104' wird
durch eine Steuerriemenscheibe 144 gedreht, die mit einem
Zahnriemen (in 3 nicht dargestellt) oder einem
anderen geeigneten Antriebsmechanismus verbunden sein kann. Die
sich drehenden Bestandteile der Hohlspindel 104' umfassen die
hohle Spindelwelle 124, die hohle Betätigungswelle 122,
die Befestigungsplatte 136, die Drehspannvorrichtung 138 und
die Anschlaghülse 142.
Zusätzlich
drehen sich die Wafer-Aufspannplatte 108 und der Wafer 114,
die beide auf der Hohlspindel 104' montiert sind, im Wesentlichen
mit der gleichen Geschwindigkeit wie die Hohlspindel. Während der
Drehung kann die Luftströmung
auf der Rückseite
des Wafers 114 gesteuert werden, indem dem Volumen 120 durch
den Kanal 106a' Luft
zugeführt
wird. Wenn gewünscht,
kann die Luft dem Volumen 120 über ein in dem Kanal 106a' angeordnetes
inneres Luftzuleitungsrohr zugeführt werden,
wie oben unter Bezugnahme auf die 2 beschrieben
ist.
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Zusätzlich zu
Luft können
andere Fluide, z.B. Chemikalien zum Spülen des Wafers 114,
ebenfalls durch den Kanal 106a' der Mitte der Rückseite
des Wafers 114 zugeführt
werden. Wenn gewünscht, können Düsen am oberen
Ende des Kanals 106a' vorgesehen
sein, um die Chemikalien der Rückseite des
Wafers 114 zuzuführen.
Für einen
Fachmann ist es naheliegend, dass mehrere Chemikalien durch den
Kanal 106a' der
Rückseite
des Wafers 114 während
eines einzigen Bearbeitungszyklus zugeführt werden können. Die
Zuführung
von Chemikalien durch den Kanal 106a' zu der Rückseite des Wafers 114 vermeidet
die Probleme bezüglich
der Zerstäubung,
die auftreten, wenn die Chemikalien durch die sich drehenden Spindelbestandteile
auf die Rückseite
des Wafers aufgesprüht
werden.
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Die 4 ist
eine vereinfachte schematische Darstellung, die die Art und Weise
gemäß der vorliegenden
Erfindung darstellt, in der eine Wafer-Aufspannplatte auf einer
Drehspannvorrichtung montiert wird. Wie hier gezeigt ist, unterstützen unter
Federspannung stehende Kolbenanordnungen 146 die Wafer-Aufspannplatte 108' über der
Drehspannvorrichtung 138 und erzeugen die Drehkraft. Die
oberen und unteren Enden der unter Federspannung stehenden Kolbenanordnungen 146 sind
mit der Wafer-Aufspannplatte 108 bzw.
der Drehspannvorrichtung 138 verbunden. Bei einer Ausführungsform
unterstützen
drei unter Federspannung stehende Kolbenanordnungen 146,
die in Abständen
von ungefähr 120
Grad beabstandet sind, die Wafer-Aufspannplatte 108'. Für einen
Fachmann ist es naheliegend, dass die Anzahl der unter Federspannung
stehenden Kolbenanordnungen 146 verändert werden kann, um den Anforderungen
von speziellen Anwendungen zu entsprechen.
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Wie
in der 4 gezeigt ist, ist eine Wafer-Aufspannplatte 108' einstückig mit
dem sich in das obere Ende der hohlen Betätigungswelle 122 erstreckenden
Anschlaghülsenabschnitt 142' ausgebildet.
Der Anschlaghülsenabschnitt 142' hat an seinem unteren
Ende eine Lippe 142''. Eine Betätigungsstange 148 ist
mit einem Luftzylinder 150 verbunden, der unter der Hohlspindel
angeordnet ist und sich nicht dreht. Wenn der Luftzylinder 150 betätigt wird,
greift die Betätigungsstange 148 in
die Lippe 142'' ein und zieht
die Wafer-Aufspannplatte 108' von
der in der 4 gezeigten normalen "oberen" Stellung in eine "untere" Stellung, die es
gestattet, dass ein Greifer den Wafer von der Drehspannvorrichtung
entfernt. Der Hub der Betätigungsstange 148 geht über die Lippe 142" hinaus, wenn
sich die Wafer-Aufspannplatte 108' in der "obe ren" Stellung befindet, so dass es keinen
Kontakt zwischen der Stange und der Lippe während der Drehung der Hohlspindel
gibt.
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Die
Wafer-Aufspannplatte 108 kann aus jedem geeigneten inerten
nichtmetallischen Material hergestellt werden. Beispiele für das Material
umfassen Polyphenylensulfid (PPS), Polyetheretherketon (PEEK) und
Polyethylenterephthalat (PET). Bei einer Ausführungsform ist die Wafer-Aufspannplatte 108 aus
TECHTRON PPS hergestellt, das von DSM Engineering Plastic Products
aus Reading, Pennsylvania, kommerziell vertrieben wird. Beispielsweise
können
die Bestandteile der Hohlspindel 104, zum Beispiel die
hohle Betätigungswelle 122,
die hohle Spindelwelle 124 und das Gehäuse 130 aus rostfreiem Stahl,
z.B. rostfreiem Stahl mit der AISI-Bezeichnung 303 oder
Hastelloy, hergestellt werden.
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Die
Hohlspindel der vorliegenden Erfindung gestattet es, dass Fluide,
z.B. Luft und Chemikalien, durch die Spindel direkt der Rückseite
eines für
einen Schleudervorgang über
der Spindel angeordneten Halbleiterwafers zugeführt werden. Dies ist in allen Aspekten
vorteilhaft, da die Zerstäubungsprobleme, die
auftreten, wenn Chemikalien auf die Rückseite des Wafers durch die
sich drehenden Spindelbestandteile aufgesprüht werden, vermieden werden. Die
Hohlspindel hat weitere Vorteile, da sie es gestattet, den Luftstrom
auf der Rückseite
des Wafers zu steuern, so dass verschmutzte Luft nicht in das von dem
Wafer und der Wafer-Aufspannplatte abgegrenzte Volumen zurückgeführt wird.
Darüber
hinaus reduziert die Wafer-Aufspannplatte in vorteilhafter Weise
die Verschmutzung durch Partikel, indem sie verhindert, dass Partikel
in Kontakt mit der Rückseite des
Wafers kommen.
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Zusammenfassend
gesagt, stellt vorliegende Erfindung eine Hohlspindel und eine Schleuder-, Spül- und Trockenvorrichtung,
die diese Hohlspindel umfasst, bereit. Der Erfindung wurde hier
anhand von einigen beispielhaften Ausführungsformen beschrieben. Andere
Ausführungsformen
der Erfindung werden einem Fachmann beim Studium der Beschreibung
und bei der praktischen Anwendung der Erfindung deutlich. Die oben
beschriebenen Ausführungsformen
und bevorzugten Merkmale sollten als beispielhaft angesehen werden,
wobei die Erfindung durch die beigefügten Ansprüche definiert wird.