JPH11102883A - スピン処理装置 - Google Patents

スピン処理装置

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JPH11102883A
JPH11102883A JP26397297A JP26397297A JPH11102883A JP H11102883 A JPH11102883 A JP H11102883A JP 26397297 A JP26397297 A JP 26397297A JP 26397297 A JP26397297 A JP 26397297A JP H11102883 A JPH11102883 A JP H11102883A
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JP
Japan
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work
semiconductor wafer
rotary table
holding
hole
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Application number
JP26397297A
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English (en)
Inventor
Sadaaki Kurokawa
禎明 黒川
Daisuke Matsushima
大輔 松嶋
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Shibaura Mechatronics Corp
Original Assignee
Shibaura Mechatronics Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 この発明は半導体ウエハを洗浄処理する際
に、空気流の乱れによってパ−ティクルが付着するのを
防止したスピン処理装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 半導体ウエハ21を回転させて処理する
スピン処理装置において、回転駆動される回転テ−ブル
9と、この回転テ−ブルの周辺部に周方向に所定間隔で
設けられ上端に上記半導体ウエハの周縁部を保持する支
持ピン16が設けられた複数の保持部材11と、上記回
転テ−ブルに設けられこの回転テ−ブルの回転にともな
い上記半導体ウエハの下面に空気流が発生するのを規制
する規制部材101とを具備したことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明はワ−クを回転させ
ながら洗浄などの処理を行うスピン処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】たとえば、半導体装置や液晶表示装置の
製造過程においては、ワ−クとしての半導体ウエハや矩
形状の液晶用ガラス基板に回路パタ−ンを形成するため
の成膜プロセスやフォトプロセスがある。これらのプロ
セスでは、上記ワ−クの薬液処理、洗浄液による洗浄処
理および乾燥処理などが繰り返し行われる。
【0003】上記ワ−クに上述した各種の処理を行うに
は、スピン処理装置が用いられる。このスピン処理装置
は、回転駆動される回転テ−ブルを有し、この回転テ−
ブルの周辺部には周方向に所定間隔で複数の保持部材が
立設されている。各保持部材の上端には上記ワ−クの周
縁部を保持するためにピンが設けられている。
【0004】上記ワ−クを処理する場合、このワ−クの
周縁部を上記保持部材のピンによって保持したならば、
このワ−クを回転テ−ブルとともに回転させる。そし
て、ワ−クの上面側に向けて処理液あるいは洗浄液を供
給することで、このワ−クを処理あるいは洗浄すること
ができ、さらに処理液や洗浄液を供給せずに、上記回転
テ−ブルを高速回転させることで、上記ワ−クを乾燥処
理することができる。
【0005】ところで、半導体ウエハや液晶用ガラス基
板などのワ−クの上面を処理する場合、保持部に保持さ
れたワ−クの下面側には比較的大きな空間部が生じる。
そのため、この空間部には、回転テ−ブルを回転させる
ことで保持部材が風を切るために空気流が生じることが
避けられない。
【0006】ワ−クの下面側に空気流が生じると、上面
側を薬液処理、洗浄処理あるいは乾燥処理することによ
って発生するパ−ティクルやミストなどが下面側へ流れ
込んで付着し、汚染の原因となるということがある。
【0007】ワ−クの下面が汚染されると、処理された
ワ−クをストッカなどに積層収容した際、その下面に付
着したパ−ティクルなどが他のワ−クに転移するという
ことがあるため、好ましくない。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】このように、ワ−クを
回転テ−ブルに保持し、この回転テ−ブルを回転させな
がら上記ワ−クを処理する場合、このワ−クの下面側に
空気流が発生するため、その空気流によってワ−クの上
面側で発生したパ−ティクルやミストなどが下面側に流
れて付着し、その下面側の汚染原因になるということが
あった。
【0009】この発明の目的は、回転テ−ブルに保持さ
れたワ−クの下面側に空気流が生じにくようにすること
で、下面側が汚染されるのを防止できるようにしたスピ
処理装置を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、ワ−
クを回転させて処理するスピン処理装置において、回転
駆動される回転テ−ブルと、この回転テ−ブルの周辺部
に周方向に所定間隔で設けられ上端に上記ワ−クの周縁
部を保持する保持部が設けられた複数の保持部材と、上
記回転テ−ブルに設けられこの回転テ−ブルの回転にと
もない上記ワ−クの下面に空気流が発生するのを規制す
る規制手段とを具備したことを特徴とするスピン処理装
置。
【0011】請求項2の発明は、請求項1の発明におい
て、上記規制手段は、内部に上記保持部材を収容して上
記回転テ−ブルの周辺部を覆う周壁部およびこの周壁部
の上端に設けられ上記保持部に保持されるワ−クの下面
に所定間隔で離間対向するとともに上記保持部を突出さ
せる開口部が形成された鏡板部からなることを特徴とす
る。
【0012】請求項3の発明は、請求項2の発明におい
て、上記保持部材に保持されたワ−クの下面側には、こ
のワ−クの下面に向けて気体を噴出するノズル孔が設け
られ、上記規制部材の鏡板部には上記ノズル孔からの気
体をワ−クの下面側に導く流通孔が形成されていること
を特徴とする。
【0013】請求項1の発明によれば、回転テ−ブル
に、この回転テ−ブルの回転にともないワ−クの下面に
空気流が発生するのを規制する規制手段を設けたから、
ワ−クを処理することで発生するパ−ティクルなどがそ
のワ−クの下面に流れ込んで付着するのを防止できる。
【0014】請求項2の発明によれば、規制部材を、回
転テ−ブルの周辺部を覆う周壁部および保持部に保持さ
れたワ−クの下面に所定間隔で離間対向する鏡板部とか
ら構成したので、上記周壁部により、保持部材の風切り
による空気流の発生を防止でき、上記鏡板部によりワ−
クの下面側に形成される空間部を小さくし、その下面に
空気流が発生するのを規制できる。
【0015】請求項3の発明によれば、ワ−クの乾燥処
理時に、ワ−クの下面側に設けられたノズル孔から鏡板
部に形成された流通孔を通じてワ−クの下面に気体を供
給することで、ワ−クの下面側に気体を流し、乾燥させ
ることができる。
【0016】
【発明の実施形態】以下、この発明の一実施の形態を図
面を参照して説明する。図2に示すこの発明のスピン処
理装置は本体ベ−ス1を有する。この本体ベ−ス1には
円筒状の支持体2が上下方向に貫通して設けられてい
る。この支持体2には同じく円筒状の回転軸3が中途部
を上下一対の軸受4によって回転自在に支持されて設け
られている。
【0017】上記回転軸3の下端部は上記支持体2から
突出し、その下端部には従動プ−リ5が嵌着されてい
る。この従動プ−リ5の近傍にはステップモ−タ6が配
設されている。このステップモ−タ6の回転軸6aには
駆動プ−リ7が嵌着され、この駆動プ−リ7と上記従動
プ−リ5とにはベルト8が張設されている。したがっ
て、上記ステップモ−タ6が作動すれば、上記回転軸3
が回転駆動されるようになっている。
【0018】上記回転軸3の上端には回転テ−ブル9が
ねじ9aによって着脱自在に取り付けられている。図1
に示すようにこの回転テ−ブル9には周方向に90度間
隔で4本の保持部材11がブッシュ12を介して回転自
在に立設されている。上記保持部材11は図2に示すよ
うに円筒部13を有する。この円筒部13は上端が閉塞
され、下端が開口している。円筒部13からは支軸14
が下端部を突出させて垂設され、この支軸14が上記ブ
ッシュ12に回転自在に支持されている。
【0019】上記円筒部13の上面には保持部を形成す
る支持ピン16と、この支持ピン16に比べて背の高い
逆テ−パ状のロックピン17とが立設されている。支持
ピン16は上記支軸14と軸中心をほぼ一致させてお
り、ロックピン17は上記軸線に対して偏心して設けら
れている。
【0020】上記構成の4本の保持部材11には図1と
図2に示すようにワ−クとしての半導体ウエハ21が保
持される。つまり、半導体ウエハ21はその裏面の周辺
部が上記支持ピン16に支持されて設けられる。半導体
ウエハ21が支持ピン16に支持された状態で上記保持
部材11は図示しないばねによって回転方向に付勢され
ている。
【0021】それによって、上記保持部材11に設けら
れたロックピン17が偏心回転して上記半導体ウエハ2
1の外周面に当接するから、半導体ウエハ21は径方向
にずれ動くことなく保持されることになる。
【0022】上記回転テ−ブル9の中心部分には図1に
示すように通孔25が形成されている。この通孔25部
分には円錐状の下部ノズル体26が設けられている。こ
の下部ノズル体26は上記通孔25に非接触状態で嵌挿
される中心部26aと、この中心部26aの外周面に螺
合された、上記通孔25よりも大径な傘部26bとから
なる。
【0023】上記回転テ−ブル9の上記通孔25の周辺
部には環状の第1のシ−ル壁20aが突設され、上記傘
部26bの下面には上記第1のシ−ル壁20aの外周面
に離間対向する環状の第2のシ−ル壁20bが垂設され
ている。
【0024】上記下部ノズル体26の傘部26bは回転
軸3の上端面を覆うから、半導体ウエハ21を洗浄した
洗浄液が回転軸3の内部に浸入するのを阻止するように
なっている。
【0025】上記下部ノズル体26の傘部26bは回転
テ−ブル9の上面を覆っているが、この傘部26bは中
心部26aに着脱自在に螺合されている。そのため、上
記中心部26aから傘部26bを外すことで、上記回転
テ−ブル9を回転軸3の上端に取着したねじ9aを露出
させることができる。それによって、このねじ9aを緩
めて上記回転テ−ブル9を回転軸3から取り外すことが
できるようになっている。
【0026】上記中心部26aの外周面と傘部26bの
内周面とにはそれぞれ段部が形成され、これらの段部間
には中心部26aと傘部26bとの間の液密を確保する
ためのパッキング26cが介装されている。また、上記
下部ノズル体26の中心部26aにはその上面に開放し
た第1のノズル孔27が上下方向に貫通して形成されて
いる。
【0027】上記下部ノズル体26の中心部26aの下
端部にはブラケット31が嵌着されている。このブラケ
ット31は上記回転軸3内の上部に軸受29によって回
転自在に支持されている。
【0028】また、回転軸3の内部の上記ブラケット3
1の下方には、上記軸受29と図2に示す他の軸受32
とによって上下端部が回転自在に支持されたハウジング
33が挿通されている。このハウジング33と上記ブラ
ケット31は一体的に結合され、固定軸を構成してい
る。ハウジング33の下端部は上記回転軸3から突出
し、上記ベ−ス本体1の下面側に結合された取付板1a
に固定されている。
【0029】上記ハウジング33には、支持軸28が挿
通された第1の貫通孔34と、上記第1のノズル孔27
に一端を接続した供給チュ−ブ35が挿通された第2の
貫通孔36aとが穿設されている。上記第1の貫通孔3
4に挿通された支持軸28は上端部が上記下部ノズル体
26の中心部26aに連結固定され、下端部が上記ハウ
ジング33に固定されている。それによって、上記下部
ノズル体26を上記ハウジング33と一体化している。
つまり、上記回転軸3とともに上記回転テ−ブル9が回
転駆動されても、上記下部ノズル体26とハウジング3
3とは回転しないようになっている。
【0030】上記供給チュ−ブ35の他端は図示しない
洗浄液の供給部に連通している。したがって、第1のノ
ズル孔27からは、上記供給チュ−ブ35からの洗浄液
を保持部材11に保持された半導体ウエハ21の下面側
に沿って流すことができるようになっている。つまり、
半導体ウエハ21は上面だけでなく裏面も同時に洗浄処
理できるようになっている。
【0031】上記半導体ウエハ21の上面側には上部ノ
ズル体38が配置されている。この上部ノズル体38か
らは上記半導体ウエハ21の上面中央部分に向けて洗浄
液が噴射される。それによって、半導体ウエハ21の上
面が洗浄されるようになっている。
【0032】なお、上部ノズル体38から半導体ウエハ
21へは、洗浄液に代わり薬液を噴射してもよく、また
第1のノズル孔27からは洗浄液に代わり薬液を噴射す
るようにしてもよい。
【0033】上記回転テ−ブル9の下面側で、上記回転
軸3の上部外周面には円筒状のロック筒体41が上下一
対の軸受40によって回転自在に設けられている。図1
に示すように、このロック筒体41の上端にはフランジ
42が設けられ、このフランジ42には径方向外方に向
かって4つのア−ム39(2つのみ図示)が周方向に9
0度間隔で突設され、各ア−ム39の先端部分にはそれ
ぞれスライド溝36が径方向に沿って形成されている。
各スライド溝36には、嵌合孔37aが形成されたコマ
37がスライド自在に設けられている。
【0034】上記コマ37の嵌合孔37aには係止ピン
43が着脱自在に嵌合される。この係止ピン43はレバ
−44の一端に突設されている。このレバ−44の他端
は上記保持部材11の支軸14の上記回転テ−ブル9の
下面側に突出した下端部に連結固定されている。
【0035】したがって、上記ロック筒体41を所定方
向、たとえば時計方向に回転させ、コマ37および係止
ピン43を介して上記レバ−44を回動させれば、この
レバ−44に連結された上記支軸14を介して上記保持
部材11を回動させることができる。
【0036】それによって、ロックピン17が偏心回転
するから、支持ピン16に支持された半導体ウエハ21
の外周面に上記ロックピン17を当接させ、半導体ウエ
ハ21の支持状態をロックできる。つまり、上記ロック
ピン17は、上記支持ピン16に支持された半導体ウエ
ハ21が径方向にずれ動くのを阻止する。
【0037】なお、上記ロック筒体41を反時計方向に
回動させれば、上記ロックピン17による半導体ウエハ
21のロック状態を解除することができる。上記ロック
ピン17による半導体ウエハ21のロックおよびロック
の解除、つまりロック筒体41の回動は解除機構51に
よって行われる。この解除機構51は図2に示すように
上記回転軸3の外周面に設けられた第1の係止片52
と、上記ロック筒体41の外周面に設けられた第2の係
止片53とを有する。
【0038】第1の係止片52と第2の係止片53との
間には図示しないばねが張設されている。このばねは上
記第2の係止片53を介してロック筒体41を第1の係
止片52の方向に付勢している。つまり、ロック筒体4
1を反時計方向に付勢している。したがって、ばねはロ
ック筒体41を回動させるから、係止ピン43およびレ
バ−44を介して回転テ−ブル9に設けられた保持部材
11が回動させられ、そのロックピン17が半導体ウエ
ハ21の外周面に当接するロック状態になる。
【0039】ロックピン17による半導体ウエハ21の
ロック状態の解除は、上記回転軸3を所定の回転角度で
停止させたならば、上記第1の係止片52を保持し、そ
の状態で、第2の係止片53をばねの付勢力に抗して押
圧する。
【0040】それによって、上記ロック筒体41はばね
の付勢力に抗して回転させられるから、係止ピン43お
よびレバ−44を介して保持部材11がロック時とは逆
方向に回転させられる。したがって、ロックピン17が
偏心回転して半導体ウエハ21のロック状態を解除する
ようになっている。
【0041】図2に示すように上記回転軸3の下端部外
周面にはドグ71が設けられ、このドグ71はマイクロ
フォトセンサ72によって検知される。このマイクロフ
ォトセンサ72の検知信号で上記ステップモ−タ6によ
る回転軸3の回転角度が制御される。つまり、半導体ウ
エハ21のロック状態を解除するときに、第1の係止片
52と第2の係止片53とが所定の位置になるよう回転
軸3の回転角度を制御できるようになっている。
【0042】上記本体ベ−ス1の上面側には上記回転軸
3の上部が遊挿される通孔75aが形成され内部に上記
回転軸3を収容した下カップ75と、上記保持部材11
に保持された半導体ウエハ21の上面側周辺部を覆うと
ともに上面に開口部76aが形成された上カップ76と
が設けられている。上カップ76は上下動自在に設けら
れ、図示しない上下駆動シリンダのロッド77が連結さ
れている。このシリンダが作動することで上カップ76
が上下駆動される。
【0043】上記上カップ76を下降させると、その上
面開口部から保持部材11の上部が突出する。したがっ
て、図示しないロボットによって上記保持部材11へ未
処理の半導体ウエハ21を供給したり、乾燥処理された
半導体ウエハ21を取り出すことができるようになって
いる。さらに、下カップ75には排出管78が接続され
ている。この排出管78は下カップ75内部の洗浄液や
雰囲気を排出する。
【0044】図1に示すように、上記下カップ75の通
孔75aの周辺部には、上記回転テ−ブル9の下面周辺
部に対向するリング状の対向部材81が設けられてい
る。この対向部材81の上面周辺部には内周壁82a
と、この内周壁82aよりも背の低い外周壁82bとに
よって環状溝83が形成されている。この環状溝83の
底部には液体Lの供給管84が接続されていて、上記環
状溝83に液体Lを供給するようになっている。環状溝
83を形成する外周壁82bは内周壁82aよりも背が
低いから、上記環状溝83に供給された液体Lは外側へ
オ−バフロ−することになる。
【0045】上記回転テ−ブル9の下面周辺部には上記
環状溝83に入り込むシ−ル壁85が全周に亘って設け
られている。上記シ−ル壁85が液体Lが収容された環
状溝83に挿入されることで、上記回転テ−ブル9の下
面側と外周側とが気密に遮断される。
【0046】それによって、塵埃を含む外気が上記下カ
ップ75の通孔75a部分から下カップ75内へ流入す
るのが阻止されるとともに、上下のカップ75、76内
に飛散した洗浄液や薬液などの処理液が上記下カップ7
5の通孔75aから外部へ流出するのが防止される。
【0047】処理液が酸性度の高い液体の場合、各カッ
プ75、76や回転テ−ブル9は耐酸性を有する、たと
えば弗素樹脂などの材料によって作られているので、腐
蝕されることはないが、その洗浄液が下カップ75から
外部に流出して金属で作られた他の部品に付着すると、
その部品が腐蝕される虞があり、また軸受部分などの可
動部に浸入すると、その可動部が早期に損傷することが
ある。しかしながら、上述したシ−ル構造によって、下
カップ75内から洗浄液が外部に流出するのが阻止され
ているから、そのような不都合が生じることがない。
【0048】上記回転軸3内に設けられたハウジング3
3には窒素などの不活性ガスの供給管91が設けられて
いる。この供給管91は上記ブラケット31の上面側と
下部ノズル体26の下面側との間の第1の空間部92a
に連通している。上記ブラケット31の周壁には、この
外周面と回転軸3の内周面との間の第2の空間部92b
に連通する連通孔93が形成されている。
【0049】したがって、上記供給管91から上記第1
の空間部92aに供給された不活性ガスは上記連通孔9
3から第2の空間部92bへ流れ、この第2の空間部9
2bから下部ノズル体26の下面側に沿って流出する。
つまり、上記第2の空間部92bは不活性ガスによって
正圧になるから、その圧力で上記第2の空間部92bに
洗浄液が流入するのが防止される。
【0050】さらに、上記下部ノズル体26には第2の
ノズル孔91aが穿設されている。この第2のノズル孔
91aは上記供給管91から上記第2の空間部92bに
供給された不活性ガスの一部を上記半導体ウエハ21の
下面に向けて噴出するようになっている。
【0051】図2に示すように上記回転軸3を回転自在
に支持した支持体2の周壁には図示しない吸引ポンプに
接続される第1の吸引孔95aが穿設されている。上記
回転軸3の周壁の上記第1の吸引孔95aと対向する部
位には第2の吸引孔95bが穿設されている。さらに、
上記回転軸3の周壁の、上記ロック筒体41と対向する
部分には第3の吸引孔95cが穿設されている。
【0052】したがって、上記第1の吸引孔95aに接
続された吸引ポンプの吸引力により、上記回転軸3を支
持体2に回転自在に支持した軸受4と、上記回転軸3を
ハウジング33に回転自在に支持した軸受29、32
と、上記ロック筒体41を上記回転軸3に回転自在に支
持した軸受40とで発生する塵埃が排出されるから、上
記各軸受で発生した塵埃が周囲に飛散するのが防止され
るようになっている。
【0053】上記回転テ−ブル9には、上記保持部材1
1に保持された半導体ウエハ21の下面に空気流が発生
するのを規制する規制部材101が設けられている。こ
の規制部材101は、内径寸法が上記回転テ−ブル9の
外形寸法とほぼ同じに形成された円筒状の周壁部102
と、この周壁部102の上端開口を閉塞した鏡板部10
3とが一体的に形成されてなる。
【0054】上記鏡板部103には、図3に示すように
周辺部に上記支持ピン16とロックピン17とを突出さ
せる4つの開口部104が周方向に90度間隔で形成さ
れ、中央部には上記第1のノズル孔27からの洗浄液と
上記第2のノズル孔91aからの気体を半導体ウエハ2
1の下面側に噴出させるための流通孔105が形成され
ている。
【0055】そして、上記規制部材101は、図1に示
すようにその周壁部102の下端部を回転テ−ブル9の
外周面に外嵌させ、これらの接合部分をねじ106で結
合することで、その内部に保持部材11を収容するとと
もに、鏡板部103の開口部104から上記支持ピン1
6とロックピン17とを突出させて上記回転テ−ブル9
に設けられている。
【0056】それによって、上記規制部材101は、半
導体ウエハ21の下面と鏡板部103の上面との間にわ
ずかな間隔、たとえば数mm程度の間隔の第1の空間部S
1 を残して回転テ−ブル9の上面側の第2の空間部S2
を閉塞している。つまり、規制部材101は保持部材1
1を内部に収容して回転テ−ブル9の上面側と半導体ウ
エハ21の下面側との間の第2の空間部S2 を閉塞して
いる。
【0057】つぎに、上記構成のスピン処理装置によっ
て半導体ウエハ21を洗浄処理する場合について図1と
図2を参照して説明する。まず、半導体ウエハ21を回
転テ−ブル9の上面に立設された4本の保持部材11に
よって保持する。つまり、半導体ウエハ21の下面周辺
部を支持ピン16によって支持するとともに、外周面に
ロックピン17を当接させることで、上記半導体ウエハ
21を回転テ−ブル9に保持する。上記ロックピン17
は逆テ−パ状であるから、半導体ウエハ21を径方向に
ずれないように保持するだけでなく、支持ピン16から
浮き上がるのも阻止する。
【0058】回転テ−ブル9に半導体ウエハ21を保持
したならば、ステップモ−タ6を作動させて回転軸3と
ともに上記回転テ−ブル9を回転させる。それと同時
に、上部ノズル体38および下部ノズル体26の第1の
ノズル孔27から洗浄液を半導体ウエハ21の上面と下
面に向けてそれぞれ噴出させれば、この半導体ウエハ2
1の上面と下面とを同時に洗浄することができる。
【0059】上記回転テ−ブル9の上面側の第2の空間
部S2 は規制部材101によって第1の空間部S1 を残
して閉塞され、しかも半導体ウエハ21の下面側の上記
第1の空間部S1 はその規制部材101の鏡板部103
によって間隔(高さ寸法)が十分に狭められている。
【0060】そのため、回転テ−ブル9が回転しても、
保持部材11によって半導体ウエハ21の下面側の第2
の空間部S2 に乱流が発生するのが規制されるばかり
か、第1の空間部S1 に空気流が生じることもほとんど
ない。
【0061】したがって、半導体ウエハ21の上面側を
洗浄液で洗浄することでパ−ティクルやミストが発生し
ても、それらが半導体ウエハ21の下面側に流れ込んで
付着するのが防止される。また、半導体ウエハ21の下
面側に供給された洗浄液はその下面や規制部材101の
鏡板部103の上面に沿って第1の空間部S1 から流出
し、その流れが乱れることがないから、半導体ウエハ2
1の下面を洗浄した洗浄液に含まれるパ−ティクルがそ
の下面に再付着することもない。
【0062】半導体ウエハ21の上面と下面とを洗浄し
たならば、上部ノズル体38あるいは図示しない別のノ
ズル体38から半導体ウエハ21の上面に純水を供給す
るとともに、第1のノズル孔27から半導体ウエハ21
の下面に純水を供給し、上下両面をリンスする。つい
で、半導体ウエハ2を高速回転させることで、乾燥処理
を行う。
【0063】その際、第1の空間部S1 の高さ寸法は規
制部材101の鏡板部103によって十分に狭められて
いるため、空気流がほとんど発生しない。そのため、半
導体ウエハ21の下面は乾燥処理されにくいが、第2の
ノズル孔91aからガスを供給することで、乾燥処理す
ることが可能となる。
【0064】乾燥処理に際しても、半導体ウエハ21の
下面側の第1、第2の空間部S1 、S2 には乱流が生じ
ることがほとんどないから、半導体ウエハ21の上面や
下面にパ−ティクルなどが再付着するのを防止できる。
【0065】この発明は上記一実施の形態に限定される
ものでなく、たとえばワ−クとしては半導体ウエハに代
わり液晶用ガラス基板であってもよく、また規制部材は
周壁部と鏡板部とが一体あるいは別体のいずれであって
もよく、さらに規制部材は半導体ウエハの下面側の隙間
を小さくする鏡板部だけであってもよい。
【0066】
【発明の効果】以上述べたように請求項1の発明によれ
ば、回転テ−ブルに、この回転テ−ブルの回転にともな
いワ−クの下面に空気流が発生するのを規制する規制手
段を設けた。
【0067】そのため、ワ−クを処理することで発生す
るパ−ティクルなどがそのワ−クの下面に流れ込んで付
着するのを防止することができる。請求項2の発明によ
れば、規制部材を、回転テ−ブルの周辺部を覆う周壁部
および保持部に保持されたワ−クの下面に所定間隔で離
間対向する鏡板部とから構成した。
【0068】そのため、上記周壁部により、保持部材が
ワ−クの下面側に空気流を発生させるのを防止でき、上
記鏡板部によりワ−クの下面側に形成される空間部を小
さくし、その下面に空気流が発生するのを規制できるか
ら、ワ−クの下面にパ−ティクルが付着するのを確実に
防止できる。
【0069】請求項3の発明によれば、ワ−クの乾燥処
理時にワ−クの下面側に設けられたノズル孔から鏡板部
に形成された流通孔を通じてワ−クの下面に気体を供給
できるようにした。
【0070】そのため、ワ−クの下面側の空間部が鏡板
部によって狭められても、ワ−クを乾燥処理する場合に
ワ−クの下面側に上記ノズル孔からの気体を流すことが
できるから、このワ−クの下面も確実に乾燥処理するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施の形態の要部を示す拡大断面
図。
【図2】同じく処理装置の全体構造を示す断面図。
【図3】同じく規制部材の斜視図。
【符号の説明】
9…回転テ−ブル 11…保持部材 16…支持ピン(保持手段) 17…ロックピン(保持手段) 21…半導体ウエハ(ワ−ク) 91a…第2のノズル孔 101…規制部材 102…周壁部 103…鏡板部 105…流通孔

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ワ−クを回転させて処理するスピン処理
    装置において、 回転駆動される回転テ−ブルと、 この回転テ−ブルの周辺部に周方向に所定間隔で設けら
    れ上端に上記ワ−クの周縁部を保持する保持部が設けら
    れた複数の保持部材と、 上記回転テ−ブルに設けられこの回転テ−ブルの回転に
    ともない上記ワ−クの下面に空気流が発生するのを規制
    する規制手段とを具備したことを特徴とするスピン処理
    装置。
  2. 【請求項2】 上記規制手段は、内部に上記保持部材を
    収容して上記回転テ−ブルの周辺部を覆う周壁部および
    この周壁部の上端に設けられ上記保持部に保持されるワ
    −クの下面に所定間隔で離間対向するとともに上記保持
    部を突出させる開口部が形成された鏡板部からなること
    を特徴とする請求項1記載のスピン処理装置。
  3. 【請求項3】 上記保持部材に保持されたワ−クの下面
    側には、このワ−クの下面に向けて気体を噴出するノズ
    ル孔が設けられ、上記規制部材の鏡板部には上記ノズル
    孔からの気体をワ−クの下面側に導く流通孔が形成され
    ていることを特徴とする請求項2記載のスピン処理装
    置。
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