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Die
Erfindung betrifft einen Hochfrequenz-Abstimmverstärker zum
Puffern, insbesondere betrifft sie einen Hochfrequenz-Abstimmverstärker zur
Pufferung, der gemeinsam für
einen ersten spannungsgesteuerten Oszillator zum Erzeugen der Hochbandfrequenz
und einen zweiten spannungsgesteuerten Oszillator zum Erzeugen der
Niedrigbandfrequenz verwendet wird, um selektiv abgestimmt zu werden
zur Verstärkung
der Hochbandfrequenz und der Niedrigbandfrequenz.
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Bei
mobilen Kommunikationssystemen, die in der Welt zum Einsatz gelangen,
ist das sogenannte DCS (Digital Cellular System) in Britannien, Deutschland,
Italien, Frankreich und einem Teil asiatischer Länder eingeführt, während das GSM (Global System
for Mobile Communications) das Standardsystem für europäische Länder bei digitalen Mobiltelefonsystemen
seit 1982 ist und in europäischen
Ländern,
den USA, Afrika und einem Teil asiatischer Länder verwendet wird.
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Dabei
wird das DCS als mobiles Kommunikationssystem bezeichnet, bei dem
eine Basisstationsfrequenz auf 1805 MHz bis 1880 MHz festgelegt ist,
eine Mobilstationsfrequenz 1710 MHz bis 1785 MHz beträgt, eine
Schwingungsfrequenz eines spannungsgesteuerten Oszillators (VCO)
eines tragbaren Telefons 1700 MHz beträgt, insgesamt 374 Kanäle verwendet
werden und als Modulationssystem das GMSK (Gaussian Minimum Shift
Keying) verwendet wird. Außerdem
wird GSM als mobiles Kommunikationssystem bezeichnet, bei dem eine
Basisstationsfrequenz auf 925 MHz bis 960 MHz festgelegt ist, eine
Mobilstationsfrequenz auf 880 MHz bis 915 MHz festgelegt ist, eine
Schwingungsfrequenz eines spannungsgesteuerten Oszillators (VCO)
eines tragbaren Telefons 900 MHz beträgt, insgesamt 124 Kanäle verwendet
werden und als Modulationssystem ebenfalls das GMSK verwendet wird.
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Da
diese zwei Mobilkommunikationssysteme DCS und GSM eigene mobile
Kommunikationssysteme sind, die auf verschiedenen Grundsystemen
beruhen, muss ein Benutzer, der ein Teilnehmer dieser beiden mobilen
Kommunikationssysteme werden möchte,
zwei Typen tragbarer Telefone zur Verfügung haben, um eine mobile
Kommunikation in beiden Systemen, also DCS- und GSM-Systeme abwickeln
zu können.
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Da
sich aber das DCS und das GSM nur in der zugewiesenen Frequenz unterscheiden,
jedoch beide von dem GMSK-System als Modulationssystem Gebrauch
machen, wurde bereits ein tragbares Telefon vorgeschlagen, welches
sowohl für
das DCS als auch das GSM-System benutzt werden kann. Bei diesem
Stand der Technik sind innerhalb des tragbaren Telefongeräts ein erster
spannungsgesteuerter Oszillator, der das 1700-MHz-Frequenzband erzeugt,
während
ein zweiter spannungsgesteuerter Oszillator das Frequenzband von
900 MHz erzeugt, so dass der erste spannungsgesteuerte Oszillator
für den
Mobilfunk über
das DCS und der zweite spannungsgesteuerte Oszillator für den Mobilfunk
mittels GSM-System verwendet wird, wobei ein Schaltvorgang stattfindet.
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6 ist
ein Blockdiagramm des Layouts von zwei spannungsgesteuerten Oszillatoren
in dem zum Stand der Technik gehörigen
tragbaren Telefon, welches sowohl im DCS als auch im GSM verwendet werden
kann.
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Wie 6 zeigt,
besteht ein tragbares Telefon welches sowohl für das DCS als auch das GSM geeignet
ist, aus einem ersten spannungsgesteuerten Oszillator (erster VCO) 61 zum
Erzeugen der Frequenz des 1700-MHz-Bands (Hochfrequenzband), einem
zweiten spannungsgesteuerten Oszillator (zweiter VCO) 62 zum
Erzeugen der Frequenz im 900-MHz-Band (Niedrigfrequenzband), einem
ersten Hochfrequenz-Abstimmverstärker 63 zum
Puffern und selektiven Verstärkung
des Hochband-Frequenzsignals, einem zweiten Hochfrequenz-Abstimmverstärker 64 zum
Puffern und selektiven Verstärken
des Niedrigband-Frequenzsignals, einem Hochfrequenzbandsignal-Ausgangsanschluss 65 und
einem Niedrigbandfrequenzsignal-Ausgangsanschluss 66 sowie
einer Energiequelle 67 und einem Umschalter mit zwei Kontakten.
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Der
erste spannungsgesteuerte Oszillator 61 ist mit seinem
Ausgangsanschluss an den Eingang des ersten Hochfrequenz-Abstimmverstärkers 63 zur Pufferung
angeschlossen, während
der Energieversorgungsanschluss an einem feststehenden Kontakt des
Umschalters 68 angeschlossen ist. Der zweite spannungsgesteuerte
Oszillator 62 liegt mit seinem Ausgang am Eingang des zweiten
Hochfrequenz-Abstimmverstärkers 64 zur
Pufferung, während
der Energieversorgungsanschluss an dem anderen feststehenden Anschluss
des Umschalters 68 liegt. Der erste Hochfrequenz-Abstimmverstärker 63 ist
mit seinem Ausgang an den Hochfrequenzbandsignal-Ausgangsanschluss 65 angeschlossen.
Der zweite Hochfrequenz-Abstimmverstärker 64 ist mit seinem Ausgang
an den Niedrigfrequenzbandsignal-Ausgangsanschluss 66 angeschlossen.
Die Energiequelle 67 liegt mit dem positiven Pol an dem
beweglichen Kontakt des Umschalters 68 und liegt mit dem
negativen Pol auf Masse.
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Wenn
bei dem oben beschriebenen Aufbau des tragbaren Telefons für den Mobilfunk
im DCS verwendet wird, wird der bewegliche Kontakt des Umschalters 68 durch
einen Umschaltvorgang auf den einen feststehenden Kontakt gelegt.
In diesem Fall liefert die Energiequelle 67 Betriebsleistung
an den ersten spannungsgesteuerten Oszillator 61, so dass
dieser in Betrieb geht und folglich die Hochbandfrequenz (1700 MHz-Band)
ausgibt. Dieses Hochfrequenzbandsignal wird von dem ersten Hochfrequenz-Abstimmverstärker zur
Pufferung selektiv verstärkt
und dann über
den Hochfrequenzbandsignal-Ausgangsanschluss 65 an die
verfügbaren Schaltkreise
geleitet. Wenn das tragbare Telefon für den Mobilfunkbetrieb im GSM
verwendet wird, so wird der bewegliche Kontakt des Umschalters 68 durch
den Schaltvorgang auf den anderen feststehenden Kontakt gelegt.
In diesem Fall liefert die Energiequelle 67 Betriebsleistung
an den zweiten spannungsgesteuerten Oszillator 62, so dass
dieser das Niedrigbandfrequenzsignal (im 900-MHz-Band) ausgibt.
Dieses Niedrigfrequenzbandsignal wird selektiv vom zweiten Hochfrequenz-Abstimmverstärker 64 verstärkt und
dann über
den Niedrigfrequenzbandsignal-Ausgangsanschluss 66 an die
verfügbaren Schaltkreise
geliefert.
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Der
Grund dafür,
dass hier der erste zur Pufferung dienende Hochfrequenz-Abstimmverstärker 63 an
den Ausgang des ersten spannungsgesteuerten Oszillators 61,
und der zweite zur Pufferung dienende Hochfrequenz-Abstimmverstärker 64 an
den Ausgang des zweiten spannungsgesteuerten Oszillators 62 gelegt
ist, besteht darin, dass es schwierig ist, einen zur gemeinsamen
Verwendung dienenden Hochfrequenz-Abstimmverstärker zu erhalten, der nahezu
gleiche Verstärkungskennlinie
und Durchlassbandkennlinie sowohl im hohen als auch im niedrigen
Frequenzband besitzt.
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Das
existierende tragbare Telefon, welches sich sowohl für das DCS
als auch das GSM verwenden lässt,
hat ein Problem, da der erste zur Pufferung dienende Hochfrequenz-Abstimmverstärker 63 an den
Ausgang des ersten spannungsgesteuerten Oszillators 61 angeschlossen
ist und der zweite Hochfrequenz-Abstimmverstärker 64 an den Ausgang
des zweiten spannungsgesteuerten Oszillators 62 angeschlossen
ist und deshalb zwei Arten von Hochfrequenz-Abstimmverstärker, nämlich der
erste Verstärker 63 und
der zweite Verstärker 64,
erforderlich sind und man Raum vorsehen muss für die Unterbringung dieser
beiden Arten von Hochfrequenz-Abstimmverstärkern innerhalb des tragbaren
Telefons. Aus diesem Grund ist es schwierig, die Größe des tragbaren Telefons
zu verringern, außerdem
sind die Fertigungskosten hoch.
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Ein
bekannter abgestimmter Verstärker
zur Verwendung in zwei Frequenzbändern
ist in der
US 3 617 915 dargestellt.
Ein Umschalten erfolgt durch selektives, wechselstrommäßiges Erden
eines Punkts zwischen zwei in Reihe geschalteten Induktivitäten.
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Die
vorliegende Erfindung wurde vorgeschlagen, um die oben erläuterten
Probleme zu lösen,
und folglich ist es ein Ziel der Erfindung, einen zur Pufferung
dienenden Hochfrequenz-Abstimmverstärker zu schaffen, der sich
selektiv auf das hohe oder das niedrige Frequenzband zwecks gemeinsamer
Verwendung abstimmen lässt,
um nahezu gleiche Verstärkungs-
und Durchlassband-Kennlinien sowohl für das obere als auch für das niedere
Frequenzband zu erreichen.
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Um
das obige Ziel zu erreichen, wird ein zur Puffung dienender Hochfrequenz-Abstimmverstärker gemäß Anspruch
1 geschaffen.
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Bevorzugte
Merkmale der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
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Mit
dem erfindungsgemäßen Abstimmverstärker ist
es folglich möglich,
nicht nur die Abstimmfrequenz der Abstimmschaltung in wirksamer
Weise entsprechend dem hohen oder niedrigen Frequenzband auszuwählen, abhängig von
der Existenz der Bandumschaltspannung, die an die Abstimmschaltung
gelegt wird, sondern es lässt
sich auch eine nahezu gleiche Verstärkungs- und Durchlass bandkennlinie
erreichen, wenn die Abstimmfrequenz auf das hohe oder das niedrige
Frequenzband geschaltet wird. Folglich kann ein zur Pufferung dienender Hochfrequenz-Abstimmverstärker zur
selektiven Verstärkung
der Hochbandfrequenz und der Niedrigbandfrequenz erhalten werden.
Da weiterhin die selektive Verstärkung
der Hochbandfrequenz und der Niedrigbandfrequenz möglich ist,
lässt sich
die Anzahl der Bauelemente reduzieren, so dass sich das tragbare
Telefon auch in seiner Baugröße verkleinern lässt und
außerdem
die Fertigungskosten des Telefons herabsetzbar sind.
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Im
Folgenden werden Ausführungsbeispiele der
Erfindung lediglich beispielhaft anhand der begleitenden Zeichnungen
näher erläutert. Es
zeigen:
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1 ein
Blockdiagramm des Layouts und zwei spannungsgesteuerte Oszillatoren
in einem tragbaren Telefon, die gemeinsam für das DCS und das GSM unter
Einsatz eines Hochfrequenz-Abstimmverstärkers zur Pufferung dienen
können;
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2 ein
Diagramm eines Schaltungsaufbaus einer Ausführungsform eines zur Pufferung
dienenden Hochfrequenz-Abstimmverstärkers gemäß der Erfindung;
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3 eine Schaltungsskizze von Hauptschaltungselementen,
die eine wichtige Rolle spielen, wenn die in 2 gezeigte
Abstimmschaltung auf die Niedrigbandfrequenz abgestimmt ist, und
ein Schaltungsdiagramm, welches eine Ersatzschaltung der zum Abstimmen
dienenden, oben angesprochenen Abstimmschaltung darstellt;
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4 ein Schaltungsdiagramm von Hauptschaltungselementen,
die eine wichtige Rolle spielen, wenn die in 2 gezeigte
Abstimmschaltung auf die Hochbandfrequenz abgestimmt ist, und ein Diagramm
einer Ersatzschaltung der in oben genannter Weise abgestimmten Abstimmschaltung;
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5 ein
Kennliniendiagramm eines Beispiels der Verstärkungs-Frequenz-Kennlinie für den zur
Pufferung dienenden Hochfrequenz-Abstimmverstärker nach 2;
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6 ein
schematisches Schaltungsdiagramm von einem Bauteil mit einem existierenden zur
Pufferung dienenden Hochfrequenz-Abstimmverstärker und einem spannungsgesteuerten
Oszillator für
ein tragbares Telefon.
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Wie
in 1 dargestellt ist, setzt sich das sowohl für das DCS
als auch das GSM zu verwendende tragbare Telefon zusammen aus einem
ersten spannungsgesteuerten Oszillator (erster VCO) 1,
der die Frequenz des 1700-MHz-Bands (des hohen Frequenzbands) erzeugt,
einem zweiten spannungsgesteuerten Oszillator (zweiter VCO), der
die Frequenz des 900-MHz-Bands (des niedrigen Frequenzbands) erzeugt, 2,
einem Hochfrequenz-Abstimmverstärker 3 zur
Pufferung, um selektiv das Hochband-Frequenzsignal oder das Niedrigband-Frequenzsignal zu
verstärken,
einen Signalausgangsanschluss 4, einer Energiequelle 5 und
einem zwei Kontakte aufweisenden Umschalter 6.
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Der
erste spannungsgesteuerte Oszillator 1 ist mit seinem Ausgang
an den Eingang des zur Pufferung dienenden Hochfrequenz-Abstimmverstärkers (im
Folgenden einfach: Abstimmverstärker) 3 angeschlossen
und liegt außerdem
mit seinem Energieversorgungsanschluss an einem festen Kontakt des
Umschalters 6. Der zweite spannunggesteuerte Oszillator 2 ist
mit seinem Ausgang an den Eingang des Abstimmverstärkers 3 angeschlossen
und legt außerdem
mit seinem Energieversorgungsanschluss an dem anderen festen Kontakt
des Umschalters 6. Der Abstimmverstärker 3 ist mit seinem
Ausgang an den Signalausgangsanschluss 4 angeschlossen.
Die Energiequelle 5 ist mit ihrem positiven Anschluss an den
beweglichen Kontakt des Umschalters 6 angeschlossen und
liegt mit ihrem negativen Pol auf Masse.
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Wenn
bei dem oben beschriebenen Aufbau das tragbare Telefon zur mobilen
Kommunikation im DSC verwendet wird, wird der bewegliche Kontakt des
Umschalters durch einen Schaltvorgang auf einen festen Kontakt geschaltet.
Hierdurch wird eine positive Bandumschaltspannung an den Abstimmverstärker 3 gelegt,
so dass dieser auf das hohe Frequenzband (mit der Frequenz von 1700
MHz) abgestimmt wird. In diesem Fall liefert die Energiequelle 5 eine
Treiberspannung an den ersten spannungsgesteuerten Oszillator 1.
Dieser wird so betrieben, dass er die Frequenz des hohen Bandes
(die Frequenz des 1700-MHz-Bands)
ausgibt. Dieses Hochband-Frequenzsignal wird von dem Abstimmverstär ker 3,
der auf das hohe Frequenzband (1700 MHz-Band) abgestimmt ist, verstärkt und
dann über den
Signalausgangsanschluss 4 an die nachfolgenden Schaltungen
geliefert. Wenn das tragbare Telefon zur mobilen Kommunikation im
GSM verwendet wird, wird der bewegliche Kontakt des Umschalters 6 durch
einen Schaltvorgang auf den anderen festen Kontakt gelegt. Hierdurch
wird die positive Bandumschaltspannung nicht an den Abstimmverstärker gelegt,
so dass dieser auf die Frequenz des niedrigen Bandes (das 900-MHz-Band)
abgestimmt wird. In diesem Fall liefert die Energiequelle 5 eine
Treiberleistung an den zweiten spannungsgesteuerten Oszillator 2.
Hierdurch wird dieser zweite spannungsgesteuerte Oszillator 2 so
betrieben, dass er die Frequenz des niedrigen Frequenzbands (900
MHz) als Signal ausgibt. Dieses Niedrigband-Frequenzsignal wird
von dem Abstimmverstärker 3,
der auf das niedrige Frequenzband (das 900-MHz-Band) abgestimmt ist,
selektiv verstärkt
und dann über
den Ausgangsanschluss 4 an die nachfolgenden Schaltungen
geliefert. Die positive Bandumschaltspannung lässt sich bilden durch ein Signal,
welches von der Basisstation des Mobilfunksystems, welches gerade
von einem Benutzer verwendet wird, geliefert wird, oder es kann auf
der Seite des tragbaren Telefons gebildet werden.
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Als
nächstes
zeigt 2 den Schaltungsaufbau einer Ausführungsform
des zur Pufferung dienenden erfindungsgemäßen Hochfrequenz-Abstimmverstärkers.
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Wie
in 2 gezeigt ist, ist der Abstimmverstärker dieser
Ausführungsform
ausgestattet mit einem Transistor 7, einer Abstimmschaltung 8,
einem Signaleingangsanschluss 9, einem Signalausgangsanschluss 10,
einem Bandumschaltspannungs-Eingangsanschluss 11, einem
Energiequellenanschluss 10, Kuppelkondensatoren 13 und 14,
Basis-Vorspannwiderständen 15, 18,
einem Emitterwiderstand 17, einem Emitter-Nebenschlusskondensator 18 und einem
Pufferwiderstand 19. Darüber hinaus ist die Abstimmschaltung 8 ausgestattet
mit einer ersten Induktivität 20,
einer zweiten Induktivität 21,
einem ersten Kondensator 22, einem zweiten Kondensator 23, einem
dritten Kondensator 24, einem Nebenschluss-Kondensator 25 und
einer Schaltdiode 26.
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Der
Transistor 7 ist mit seiner Basis über einen Kuppelkondensator 13 an
den Signaleingangsanschluss 9 angeschlossen, ist über den
Basis-Vorspannwiderstand 15 auf Masse gelegt, und ist über den
Basisvorspannwiderstand 16 an den Ener gieversorgungsanschluss
gekoppelt und ist außerdem
mit seinem Emitter über
die Parallelschaltung aus dem Emitterwiderstand 17 und
dem Emitter-Nebenschlusskondensator 18 auf Masse gelegt,
ferner mit seinem Kollektor über
die Abstimmschaltung 8 an den Energieversorgungsanschluss 12 und über den Kuppelkondensator 14 an
den Signalausgangsanschluss 10 angeschlossen. Innerhalb
der Abstimmschaltung 8 liegen die erste Induktivität 20 und
die zweite Induktivität 21 in
Serie, während
der erste Kondensator 22 zu dieser Serienschaltung parallel geschaltet
ist. Die Serienschaltung aus der ersten und der zweiten Induktivität 20, 21 liegt
mit ihrem einen Ende am Energieversorgungsanschluss 12 und mit
dem anderen Ende am Kollektor des Transistors 7. Der zweite
Kondensator 23 und der dritte Kondensator 24 liegen
in Serie zueinander parallel zu der zweiten Induktivität 21.
Ein Anschluss des Nebenschluss-Kondensators 25 ist an den
Energieversorgungsanschluss 12 angeschlossen, der andere
Anschluss liegt auf Masse. Die Anode der Schaltdiode 26 ist
mit dem Verbindungspunkt des zweiten Kondensators 23 und
des dritten Kondensators 24 verbunden, außerdem mit
dem Bandumschaltspannungs-Eingangsanschluss 11 über den
Pufferwiderstand 19 verbunden, während die Kathode der Schaltdiode 13 auf
Masse liegt.
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Der
Wert der ersten Induktivität 20 ist
so gewählt,
dass er größer ist
als der der zweiten Induktivität 21.
Außerdem
ist die Kapazität
des zweiten Kondensators 23 beträchtlich größer als die des ersten Kondensators 22.
Wenn erstere beispielsweise 1000 pF beträgt, so beträgt letztere etwa 2 pF.
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3A ist
ein Schaltungsdiagramm von Hauptschaltungselementen zum Abstimmen
der Abstimmschaltung 8 nach 2 auf das
untere Frequenzband, während 3B ein
Schaltungsdiagramm einer Ersatzschaltung für die Abstimmschaltung 8 ist,
wenn diese auf das untere Frequenzband abgestimmt ist.
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4A ist
ein Schaltungsdiagramm der Hauptschaltungselemente zum Abstimmen
der Abstimmschaltung 8 nach 2 auf das
obere Frequenzband, während 4B ein
Schaltungsdiagramm einer Ersatzschaltung der Abstimmschaltung 8 ist,
wenn diese auf das obere Frequenzband abgestimmt ist.
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In
den 3A, 3B, 4A, 4B bezeichnet
Bezugszeichen 27 eine kleine Kapazität als Bestandteil einer Parallelschaltung
aus der Serienschaltung der zweiten Induktivität 21, des zweiten Kondensators 23 und
des dritten Kondensators 24, während 28 eine Gesamtkapazität bezeichnet,
gebildet durch eine Parallelschaltung aus dem ersten Kondensator 22 und
einem vierten Kondensator 24. Die auch in 2 vorkommenden
Bauelemente sind durch entsprechende Bezugszeichen bezeichnet.
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Der
Abstimmverstärker
dieser Ausführungsform
mit dem oben beschriebenen Aufbau arbeitet folgendermaßen:
Erstens,
wenn der Abstimmverstärker
auf das Niedrigband-Frequenzsignal des 900-MHz-Bands abgestimmt
ist, um selektiv das Frequenzsignal des unteren Bandes zu verstärken, wird
die positive Bandumschaltspannung nicht an den Bandumschaltspannungs-Eingangsanschluss 11 gelegt,
die Schaltdiode 26 der Abstimmschaltung 8 sperrt,
und der Verbindungspunkt des zweiten Kondensators 23 mit
dem dritten Kondensator 24 ist gegenüber Masse getrennt. Wie in 3A zu
sehen ist, ist die Abstimmschaltung 8 auf die Abstimmfrequenz
von 900 MHz aufgrund der Serienschaltung der ersten Induktivität 20 und
der zweiten Induktivität 21 sowie
des dazu parallel geschalteten Kondensators 23 und die
Serienschaltung aus dem zweiten Kondensator 23 und dem dritten
Kondensator 24 parallel zu der zweiten Induktivität 21 und
den Bypass-Kondensator 25 abgestimmt. In diesem Fall besitzt
die Schaltung aus der zweiten Induktivität 21 und der Serienschaltung
des zweiten Kondensators 23 und des dritten Kondensators 24 parallel
zu der zweiten Induktivität 21 einen geringen
Kapazitätswert
für die
Abstimmfrequenz des 900-MHz-Bands, und die in 3A dargestellte Schaltung
entspricht einer Ersatzschaltung aus der Serienschaltung der ersten
Induktivität 20 und
einem kleinen Kondensator 27 sowie dem ersten Kondensator 22 parallel
zu dieser Serienschaltung, wobei diese Schaltung sich einfach auf
die Abstimmfrequenz der Abstimmschaltung 8 im 900-MHz-Band einstellen
lässt.
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Wenn
in diesem Fall die Niedrigbandfrequenz (die Frequenz des 900-MHz-Bands)
an den Signaleingangsanschluss 9 gegeben wird, so wird
dieses Signal selektiv von dem Transistor 7 mit dem auf Masse
liegenden Emitter verstärkt,
und die Abstimmschaltung 8 ist auf das untere Frequenzband
abgestimmt, so dass das entsprechende Signal über den Signalausgangsanschluss 10 an
die nachfolgenden Schaltkreise geliefert wird.
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Wenn
der Abstimmverstärker
auf das Hochband-Frequenzsignal im 1700-MHz-Band abgestimmt ist, um selektiv das
Hochband-Frequenzsignal zu verstärken,
gelangt die positive Bandumschaltspannung an den Bandumschaltspannung-Eingangsanschluss 11,
die Schaltdiode 26 der Abstimmschaltung 8 ist
eingeschaltet, und der Verbindungspunkt zwischen dem zweiten Kondensator 23 und dem
dritten Kondensator 24 ist auf Masse gelegt. Die Abstimmschaltung 8 ist
auf die Abstimmfrequenz des 1700-MHz-Bands abgestimmt, wie in 4A dargestellt
ist, und zwar mit Hilfe der zweiten Induktivität 21, der Parallelschaltung
des ersten Kondensators 22 und des dritten Kondensators 24,
die zu der zweiten Induktivität 21 parallel
liegen, und den zweiten Kondensator 23, der an den Verbindungspunkt über ein
Ende der zweiten Induktivität 21 und
die Schaltdiode 26 angeschlossen ist. In diesem Fall besitzt
die Parallelschaltung aus dem ersten Kondensator 22 und
dem dritten Kondensator 24 eine Gesamtkapazität 28 im
abgestimmten 1700-MHz-Band, und die in 4A dargestellte
Schaltung wird zu einer Ersatzschaltung aus der zweiten Induktivität 21 und
der dazu gemäß 4B parallel
geschalteten Gesamtkapazität 28.
Hierdurch lässt
sich die Abstimmfrequenz der Abstimmschaltung 8 einfach
auf das 1700-MHz-Band einstellen.
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Wenn
in diesem Fall das Hochband-Frequenzsignal (mit der Frequenz im
1700-MHz-Band) an
den Signaleingangsanschluss 9 gelegt wird, so wird dieses
Signal selektiv von dem mit seinem Emitter auf Masse liegenden Transistor
und die auf die Hochband-Frequenz abgestimmte Abstimmschaltung 8 verstärkt und
dann über
den Signalausgangsanschluss 10 an die nachfolgenden Schaltungen
gelegt.
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5 zeigt
eine Kennlinie für
ein Beispiel der Verstärkungs/Frequenz-Kennlinie
in dem in 2 dargestellten Hochfrequenz-Abstimmverstärker.
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In 5 ist
die Frequenz auf der horizontalen Achse (GHz) aufgetragen, die Durchlassbandkennlinie
entspricht der vertikalen Achse (dB). Die Kurve a zeigt den Kennlinienverlauf
für den
Fall, dass die Abstimmschaltung 8 auf die Hochbandfrequenz (das
1,7-GHz-Band (1700-MHz-Band)) abgestimmt ist, während die Kurve b das Verhalten
für den
Fall zeigt, dass die Abstimmschaltung 8 auf die Niedrigbandfrequenz
von 0,9 GHz (900 MHz-Band) abgestimmt ist.
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Wie
durch die Kurven a und b in 5 gezeigt
ist, hat der zur Pufferung dienende Hochfrequenz-Abstimmverstärker nahezu
die gleiche Verstärkungs-
und Durchlassbandbreite zum selektiven Verstärken des Signals im oberen
Frequenzband und des Signals im unteren Frequenzband.
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Wie
oben erläutert
wurde, besitzt der Abstimmverstärker
nahezu gleiche selektive Verstärkungskennlinien
für das
Hochband-Frequenzsignal und das Niedrigband-Frequenzsignal, so dass
das tragbare Telefon gemeinsam für
das DCS und das GSM eingesetzt werden kann. Dadurch lässt sich
die erforderliche Anzahl von Hochfrequenz-Abstimmverstärkern reduzieren,
so dass das tragbare Telefon in seine Baugröße reduziert werden kann und
außerdem
die Fertigungskosten herabgesetzt werden können.
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Bei
der obigen Erläuterung
wird die bevorzugte Ausführungsform
in einem Mobilkommunikationssystem betrieben, welches dem DCS mit
dem 1700-MHz-Band
bzw. dem GSM mit dem 900-MHz-Band entspricht. Allerdings sind die
Hochband-Frequenz und die Niedrigband-Frequenz nicht auf die mobilen
Kommunikationssysteme gemäß dem DCS
und dem GSM beschränkt,
die vorliegende Erfindung kann in gleicher Weise auch auf Systeme angewendet
werden, die den oben beschriebenen Systemen ähnlich sind.
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Erfindungsgemäß kann,
wie oben erläutert wurde,
nicht nur die Abstimmfrequenz der Abstimmschaltung effektiv entsprechend
der Hochbandfrequenz oder der Niedrigbandfrequenz ausgewählt werden,
sondern es lassen sich nahezu gleiche Verstärkungs- und Durchlassbandkennlinien
erreichen, wenn die Abstimmfrequenz zwischen Hochbandfrequenz und
Niedrigbandfrequenz umgeschaltet wird, abhängig vom Vorhandensein der
Bandumschaltspannung, die der Abstimmschaltung zugeführt wird. Aus
diesem Grund kann der Hochfrequenz-Abstimmverstärker gemeinsam zur selektiven
Verstärkung der
Hochbandfrequenz und der Niedrigbandfrequenz eingesetzt werden.
Da eine selektive Verstärkung
der Hochbandfrequenz und der Niedrigbandfrequenz vorgenommen wird,
reduziert sich die erforderliche Bauteilezahl, und das tragbare
Telefon kann in sei ner Baugröße reduziert
werden, demzufolge sich die Fertigungskosten senken lassen.