DE60019752T2 - Beschichtung eines Implantates für Knochen oder Gewebe und Verfahren zum Aufbringen dieser Beschichtung. - Google Patents

Beschichtung eines Implantates für Knochen oder Gewebe und Verfahren zum Aufbringen dieser Beschichtung. Download PDF

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Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Schicht, die auf einem Implantat für Knochen oder Gewebestruktur angeordnet werden kann und die eine Grenze oder Barriere zwischen dem Körper des Implantats und der Struktur zum Zweck der Erhöhung der Retention bilden soll und die in diesem Kontext eine wesentliche Dicke hat. Die Erfindung bezieht sich auch auf ein Implantat mit einer derartigen Schicht und auf ein Verfahren zum Herstellen dieser Schicht auf dem Implantat.
  • STAND DER TECHNIK
  • In Verbindung mit Implantaten ist es bereits allgemein bekannt, poröse Oberflächen und Oxidschichten auf titanhaltigem Material für verschiedene Ziele und Zwecke anzuordnen. In Abhängigkeit von dem Zweck ist vorgeschlagen worden, Oxidschichtdicken innerhalb eines sehr weiten Bereiches zu verwenden, der sich von ein paar Angström aufwärts erstreckt. Es wird lediglich allgemein auf verschiedene Veröffentlichungen Bezug genommen, beispielsweise den Artikel, der von Dunn und anderen, "Gentamicin sulfate attachment and release from anodized TI-6A1-4V orthopedic materials" in "Jownal of Biomedical Materials Research, Vol. 27, 895–900 (1993)", und den Artikel "Formation and characterization of anodic titanium oxide films containing Ca and P" von Hitoshi Ishizawa und Makoto Ogino in "Journal of Biomedical Materials Research, Vol. 29, 65–72 81995)" veröffentlicht ist. Es wird auch lediglich allgemein auf die Patentlite ratur Bezug genommen, beispielsweise auf die US-PS 4,330,891 und 5,354,390 und die europäische Patentanmeldung 95 102 381.1 (676 179).
  • Es sind beträchtliche Ressourcen für die Forschung und Entwicklung mit dem Ziel der Erzeugung von Implantaten, die den Prozess der Inkorporierung des Implantats in Knochen- und Gewebestrukturen, beispielsweise in Kieferknochen verbessern, aufgewendet worden.
  • Die US-PS 4,330,891 offenbart den Oberbegriff des Patentanspruches 1. Die US-PS 5,354,390 offenbart den Oberbetriff des Patentanspruches 16.
  • BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung basiert auf der Erkenntnis, dass die Oxidschichtstruktur, die in diesem Zusammenhang verwendet wird, einen entscheidenden Einfluss für die Verbesserung der Implantations- und Inkorporierungsprozesse hat. In dem Stand der Technik gibt es keinen gemeinsamen Bereich für den tatsächlichen Aufbau der Oxidschichtstruktur und der Notwendigkeit, dass wenigstens unter einigen Umständen die Möglichkeit besteht, sehr dicke Oxidschichten zu verwenden. Das Ziel der Erfindung ist primär die Lösung dieses Problems.
  • In Verbindung mit der Anwendung von Implantaten in Knochen- und Gewebestrukturen ist es wichtig, einen guten Korrosionswiderstand zu errichten und beispielsweise in Verbindung mit der Verwendung von Fluorwasserstoff (HF) das Auftreten von Sprödigkeit zu vermeiden. Es ist für die Oxidschicht auch wichtig, dass sie eine Struktur haben kann, die mechanische Belastungskonzentrationen in den Implantaten, die in den Knochen oder ein Äquivalent eingesetzt sind, eliminieren oder diesen bis zu einem großen Ausmaß entgegenwirken kann, vgl. hierzu die Einbaubelastungen, die in Verbindung mit geätzten Obeflächen auftreten können. Weitere Anfragen und Anforderungen sind, dass der Vorgang der Inkorporierung des Implantats in den Knochen oder das Gewebe verbessert werden kann. Die Erfindung löst auch dieses Problem.
  • In Verbindung mit dem Implantat ist es in einigen Fällen möglich (das heißt in einer Ausführungsform), das Knochenwachstum initiierende und das Knochenwachstum stimulierende Wirkstoffe und Substanzen zu verwenden, beispielsweise solche, die zu der Überfamilie TGF-β gehören. Es ist wichtig, dass man das Agens oder die Substanz an oder auf das Implantat auf eine technisch einfache, ökonomisch vorteilhafte Art und Weise aufbringen kann. Die Erfindung löst auch dieses Problem und schlägt durch die neue Oxidschichtstruktur eine zweckmäßige Depotfunktion vor, die in Langzeit- und optimalen Knochenwachssituationen und Inkorporierungsfunktionen für das Implantat in dem Knochen oder einem Äquivalent verwendet werden kann.
  • Bei der Herstellung von dicken Oxidschichten (beispielsweise Dicken von 5 – 20 μm) ist es wichtig, dass man eine zuverlässige Technik und auch ökonomisch vorteilhafte Verfahren bereitstellen kann. Die vorliegende Erfindung schlägt Verfahren vor, die die Bedingungen zur Herstellung von Oxidschichten der in Frage stehenden Art erfüllen. Das Verfahren basiert auf der Erkenntnis, dass die verwendete Elektrolytzusammensetzung und/oder die elektrischen Spannungen von entscheidender Wichtigkeit sein können.
  • LÖSUNG
  • Das Merkmal, welches als prinzipiell eine Schicht gemäß der Erfindung charakterisierend betrachtet werden kann, ist, dass sie mit einem Kanalnetzwerk gestaltet ist, das der Schicht eine wesentliche Porosität verleiht und dass das Kanalnetzwerk mit Mündungen gestaltet ist, die zur Struktur münden und deren jeweilige Querschnittsflächen an der Oberfläche der der Struktur zugewandten Schicht im Wesentlichen kleiner als die entsprechenden Maße der Kanäle in der und in die Schicht hinein, gesehen von dieser Oberfläche aus, sind.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform hat das Kanalnetzwerk zusammenhängende Kanalzweige, die sich durch wenigstens den größeren Teil der Schicht von dieser Oberflä che aus gesehen und bis in den Übergang auf den Körper des Implantats erstrecken. Die Schicht kann auf einer gewellten oder unebenen Oberfläche errichtet werden, die von Beginn an am Implantat vorhanden ist und hat einen hohen Rauigkeitswert (beispielsweise 0,4 – 5 μm), um das Schichtvolumen zu erhöhen. Das Kanalnetzwerk kann auch Kanalzweige haben, die sich in Richtungen erstrecken, welche sich von der Richtung der Tiefe der Schicht unterscheiden (oder der Radialrichtung des Implantats). Die Schicht hat eine Dicke, die, bezogen auf die vorstehend vorgeschlagenen Oxidschichtanordnungen, einen wesentlichen Korrosionswiderstand verleiht. In einer Ausführungsform kann das Kanalnetzwerk auch mit einer Mündungsanordnung in Richtung auf den Knochen oder die Gewebestruktur angeordnet sein, wodurch eine erhöhte Freigabe der Knochenwachssubstanz aus dem Kanalnetzwerk über diese Mündungen ermöglicht wird. Die Schicht kann mit einer mittleren Dicke in Übereinstimmung mit den anhängenden Patentansprüchen versehen sein. Bevorzugte Werte bezüglich der Oberflächengrößen der Mündungen des Kanalnetzwerkes, des Gesamtkanal- oder Porenvolumens in der Schicht, der Oberflächenrauigkeit und der Porosität sind ebenfalls in den anhängenden Patentansprüchen angegeben.
  • Ein Implantat, das Titan enthält oder aus Titan besteht, kann gemäß der Erfindung prinzipiell als charakterisiert betrachtet werden durch die Tatsache, dass jede Schicht, die auf dem Implantat vorhanden ist, mit einem Kanalnetzwerk versehen ist, welches der Schicht eine wesentliche Porosität verleiht, und durch die Tatsache, dass das Kanalnetzwerk mit Mündungen gestaltet ist, die zur Struktur hin münden und deren jeweilige Querschnittsflächen an der Oberfläche der der Struktur zugewandten Schicht im Wesentlichen kleiner als die entsprechenden Ausmaße der Kanäle in der und bis in die Schicht, gesehen von dieser Oberfläche, sind.
  • In einer Ausführungsform kann das Implantat aus einem Schraubenimplantat zur Anwendung in einem Knochen, beispielsweise im Dentin, bestehen. In einer weiteren Ausführungsform kann die Oxidschicht ein Depot für das verwendete, das Knochenwachstum initiierende oder das Knochenwachstum stimulierende Agens oder die Substanz bilden. Das Agens oder die Substanz können von dem Depot mittels Konzentrationsdif fusion wandern, was mittels der Kanalnetzwerkmündungsanordnung, die zur Knochen- oder Gewebestruktur mündet, optimiert werden kann. In einer bevorzugten Ausführungsform besteht die Schicht aus einer Titanoxidschicht oder enthält Titanoxid.
  • Ein Verfahren gemäß der Erfindung geht von der anodischen Oxidation des in Frage stehenden Implantatmaterials aus. Das Verfahren kann prinzipiell durch die Tatsache charakterisiert werden, dass der bei diesem Verfahren verwendeten Elektrolytzusammensetzung gelöste anorganische Säuren, gelöste organische Säuren und/oder kleine Mengen von Flusssäuren oder Wasserstoffsuperoxid zugesetzt werden, und durch die Tatsache, dass die Energiequelle so gewählt ist, dass sie mit Spannungswerten von wenigstens 150 Volt arbeitet. Somit können beispielsweise Spannungswerte im Bereich von 200 – 400 Volt verwendet werden.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform wird die Spannung für dasselbe Implantat zeitlich variiert, um innerhalb der gleichen Oberfläche unterschiedliche Kanal- oder Porengrößen zu erzeugen. In einer weiteren Ausführungsform können unterschiedliche Porositäten oder Poren- oder Kanalcharakteristika dadurch erzielt werden, dass die Position des Implantats in dem Elektrolyt geändert wird, zusammen mit der Wahl der Elektrolytzusammensetzung und/oder der verwendeten Spannung. Die Oxiddicke kann ebenfalls mittels der besagten Parameter variiert werden.
  • VORTEILE
  • Mit dem vorstehend Vorgeschlagenen kann ein verbesserter Implantationsvorgang erzielt werden und durch die Verwendung der vorgeschlagenen Oxidschichtdicken im oberen Endbereich des vorgeschlagenen Bereiches verstößt die Erfindung gegen die Gedanken, die bis jetzt auf dem technischen Gebiet akzeptiert worden sind, eröffnet somit neue Wege innerhalb des Standes der Technik. Die Konzentrationsdiffusion in Verbindung mit der Verwendung der das Knochenwachstum initiierenden und das Knochenwachstum stimulierenden Substanzen kann durch die vorgeschlagene Kanalaufmachung der Struktur beträchtlich erleichtert werden. Das Implantat kann kommerziell mit einer fertig gestellten Oxidschicht, die die genannten Eigenschaften hat, zur Verfügung gestellt werden und das neue Verfahren erfüllt die Bedingungen für eine ökonomisch vorteilhafte Schichtproduktion und Implantatproduktion.
  • BESCHREIBUNG DER FIGUREN
  • Eine derzeit vorgeschlagene Ausführungsform einer Schicht eines Implantats und eines Verfahrens gemäß der Erfindung wird im Folgenden anhand der anhängenden Zeichnungen beschrieben, in welchen zeigt:
  • 1 eine veranschaulichende Ausführungsform einer Titanoxidschicht im Längsschnitt, die auf einem Implantatkörper erzeugt worden ist, wobei die Oxidschicht von einer relativ ebenen Oberfläche des Implantatkörpers ausgeht;
  • 2 ein Beispiel der Position der Oxidschicht an einer gewellten Oberfläche oder einer Oberfläche mit einem hohen Grad an Oberflächenrauigkeit im Längsschnitt;
  • 3 eine Draufsicht von außerhalb auf ein Beispiel einer Mündungsanordnung für ein Kanalnetzwerk, das in der Oxidschicht angeordnet ist;
  • 4 zeigt einen Vertikalschnitt und in schematischer Darstellung ein Kanalnetzwerk für eine Oxidschicht, die auf einem Implantatkörper ausgebildet ist, wobei das Implantat in einer teilweise gezeigten Knochen- und/oder Gewebestruktur im menschlichen Körper verwendet ist und in der Oxidschicht ein Kanalnetzwerk mit einer Mündungsanordnung ist, die zur Struktur hin mündet;
  • 5 zeigt eine Seitenansicht der Ausrüstung für die anodische Oxidation eines Implantats;
  • 6 zeigt ein Diagramm der Spannungs- und Stromfunktionen, die in Verbindung mit dem Oxidationsvorgang verwendet werden; und
  • 7 zeigt in Tabellenform die Parameter für das Bilden von unterschiedlichen Titan-Oxidschichten.
  • DETAILLIERTE AUSFÜHRUNGSFORM
  • In der 1 bezeichnet die Bezugsziffer 1 Teile eines Implantatkörpers. Wie weiter unten beschrieben, ist der Implantatkörper in einer Oxidationsfunktion behandelt worden, was zu einer Oxidschicht 2 führt, die auf dessen Außenoberfläche gebildet worden ist. Die Oxidschicht kann auf einer Oberflächenstruktur aufgebaut werden, die am Anfang relativ glatt ist, wie dies in der 1 durch die Bezugsziffer 3 bezeichnet ist. Die Oxidschicht 3 hat eine beträchtliche Dicke T. Die Schicht kann Werte zwischen 0,5 und 10 μm einnehmen, wobei die Werte vorzugsweise an der oberen Grenze des Bereiches liegen. Gemäß der Erfindung wird die Erfindung primär im Bereich von 2 – 10 μm funktionieren, obwohl Werte, die 0,5 μm niedrig sind, bei gewissen außergewöhnlichen Fällen verwendet werden können. Die Außenfläche 2a der Oxidschicht muss eine Oberflächenrauigkeit im Bereich von 0,4 – 5 μm haben. Gemäß dem unten stehend Beschriebenen, hat die Oxidschicht 2 einen hohen Grad an Porosität und schließt ein Kanalnetzwerk einer spezifischen Bauart ein.
  • 2 zeigt ein Beispiel, das sich von dem in der 1 unterscheidet und bei dem die Oxidschicht 2' auf einer Oberflächenstruktur 3' aufgebaut worden ist, die auf dem Implantat 1' liegt und einen relativ hohen Grad an Oberflächenrauigkeit hat, die auf eine an sich bekannte Art und Weise bei der Herstellung des Implantats erzielt worden ist (beispielsweise durch Ätzen). Die Ausführungsform gemäß der 2 erfüllt die Bedingungen für ein relativ größeres Oxidschichtvolumen als der Fall gemäß der 1.
  • 3 zeigt die Oxidschicht 2'' von außerhalb, wobei Mündungen 3, 4 von dem vorstehend genannten Kanalnetzwerk führen.
  • In den 1, 2 und 3 ist der Maßstab in jeder Figur an der unteren rechten Ecke gezeigt, das heißt die Größe 10 μm Länge.
  • In der 4 ist das Implantat mit 1'' und die Oxidschicht, die auf dem Implantat erzeugt wird ist mit 2''' bezeichnet. In der 4 ist eine Knochen- oder Gewebestruktur symbo lisch mit 5 bezeichnet. Die Struktur kann beispielsweise aus einem Kieferknochen bestehen, in welchem das Implantat in den Knochen oder ein Äquivalent eingeschraubt wird. Das Implantat kann somit aus einem Titanmaterial bestehen oder dieses enthalten, das heißt, dass die Schicht 2''' aus einer Titanoxidschicht besteht. Die Schraube oder das Gewinde des Implantats ist in der 4 nicht angegeben, aber es wird auf den bereits offenbarten Stand der Technik und die bekannten Implantate Bezug genommen. Das entsprechende Gewinde in dem Kieferknochen 5 ist ebenfalls nicht gezeigt, aber hier wird wiederum auf den Stand der Technik Bezug genommen. Die Oxidschicht 2''', die mit der beträchtlichen Dicke T', beispielsweise einer Dicke im Bereich von 5 – 25 μm, gezeichnet ist, ist mit einem Kanalnetzwerk versehen, das symbolisch durch den Pfeil 6 bezeichnet ist. Gemäß dem Vorstehenden hat das Kanalnetzwerk Mündungen oder Öffnungen 3', 4'. Das Kanalnetzwerk verzweigt sich nach unten und/oder in die Oxidschicht bei Betrachtung von der Außenseite der Oxidschicht her. Das Kanalnetzwerk hat unterschiedliche Kanalteile, beispielsweise 8, 9, 10. Die Kanalwege können durch das Kanalnetzwerk, das aus unterschiedlichen Kanalteilen aufgebaut ist, errichtet werden und verlaufen von der Außenseite 2a' der Schicht 2''' aus und nach unten oder in Richtung auf einen Übergang 11 zwischen Implantat und Oxidschicht. Eine derartige kontinuierliche Kanalausbildung wird mit den Kanalteilen oder Kanalzweigen 12, 13, 14, 15 in der Figur errichtet. Eine Charakteristik der Kanal- oder Porenausbildung gemäß der Erfindung besteht darin, dass die Oberfläche oder der Durchmesser D jeder Mündung im Wesentlichen kleiner als die entsprechende Kanalgrenze oder Porentiefe ist, beispielsweise eine Porentiefe H. Gemäß dem Vorstehenden kann die Porentiefe oder Kanaltiefe signifikant sein und beispielsweise der Dicke T' entsprechen. Die Kanäle können sich in Richtung der Tiefe der Oxidschicht 2''' und/oder in anderen Richtungen als dieser Richtung oder in radialer Richtung R des Implantats erstrecken. Die Kanalzweige oder Kanalteile können gerade und/oder gekrümmt sein, ein gekrümmter Kanalzweig ist in der 4 mit 16 bezeichnet.
  • Hervorzuheben ist, dass ein derartiges Kanalsystem ein Depot für eine Substanz bilden kann, die Knochenwachstum stimuliert und/oder initiiert, und dies ist in der 4 mit 17 symbolisiert. Eine in das Kanalnetzwerk eingeleitete Substanz kann mittels Konzent rationsdiffusion nach außen in den Knochen oder die Gewebestruktur wandern, wie dies in der 4 symbolisch durch den Pfeil 18 angegeben ist. Entsprechend können in Verbindung mit dieser Diffusion Knochen- oder Gewebeorganismen in das System übergehen. Anzumerken ist, dass den Mündungen unterschiedliche Größen gegeben werden können und Bedingungen für Knochenwachstum mit einer spezifischen Eindringfunktion in die Mündungsanordnung erzeugen, was zu dem Grad der Inkorporierung des Implantats in der Struktur beiträgt. Die Oxidschicht mit hoher Porosität kann mit 1 × 107 – 1 × 1010 Poren (Kanalmündungen)/cm2 gebildet werden. Die Durchmessergrößen können im Bereich von 0,1 bis 10 μm gewählt werden und ein und dieselbe Oberfläche der Oxidschicht kann Poren oder Kanalmündungen mit unterschiedlichen Durchmessern oder Oberflächen haben. Ein Gesamtvolumen des Kanalnetzwerkes gemäß der 4 kann im Bereich von 5 × 10–2 und 10–5 cm3 gewählt werden.
  • Die Titanoxidschichten werden gemäß dem Vorstehenden vorzugsweise durch so genannte anodische Oxidation hergestellt, die ein elektrochemischer Vorgang ist. Das Prinzip und die Prozedur zum Herstellen der in Frage stehenden Schichten wird anhand der 5 und 6 beschrieben. In der 5 ist ein Behälter mit 20 bezeichnet. Eine Titananode ist mit 21 bezeichnet und eine poröse Gitterkathode ist mit 22 bezeichnet. Eine Teflonisolierung der Titananode ist mit 23 bezeichnet und die Anoden erstrecken sich durch einen Teflondeckel 24. Es ist auch ein Magnetrührelement 25 vorgesehen. Die Befestigung für die Anode und die Kathode sind mit 21' bzw. 22' bezeichnet. Das Implantat oder Teile des Implantats, die hergestellt werden, werden vorzugsweise mechanisch durch Drehen, Mahlen, Polieren etc. hergestellt. Das in Frage stehende Implantat oder die Teile enthalten Titanoberflächen, die in dem elektrochemischen Vorgang zu behandeln sind. Das Implantat oder die in Frage stehenden Teile sind auf einem Halter montiert, der in ein Bad in dem Behälter eingetaucht ist, das aus einem Elektrolyt 26 besteht. Diejenigen Teile des Implantats, die nicht zu behandeln sind, sind durch eine flüssigkeitsdichte Schutzhülle oder alternativ mit einem geeigneten Lack, der auf den nicht zu behandelnden Teilen angeordnet ist, versehen. Das Implantat oder dessen Teile stehen über den Halter mit der Befestigung 21' oberhalb der Oberfläche des Elektrolyts in elektrischem Kontakt. In dem Elektrolyt funktioniert die Kathode 22 als Gegenelekt rode. Diese Gegenelektrode besteht aus einem geeigneten Material, beispielsweise Pt, Gold oder Grafit. Die Gegenelektrode ist vorzugsweise an dem Halter so befestigt, dass die gesamte Anordnung gemeinsam in dem Elektrolytbad 26 fixiert ist. Die Anodenoxidation wird erzielt, indem eine elektrische Spannung zwischen Implantat/Implantatteil/Implantatteilen und Gegenelektrode angelegt wird, worauf das Implantat oder dessen in Frage stehender) Teil oder Teile ein positives Potential erhalten. Das Implantat, der Implantatteil/die Implantatteile, die Gegenelektrode und der Elektrolyt bilden eine elektrochemische Zelle, in welcher das Implantat oder dessen jeweiliger Teil eine Anode bildet. Der Unterschied im elektrischen Potential zwischen Implantat/Implantatteil und Gegenelektrode gibt ein Ansteigen einer Strömung von negativ (positiv) geladenen Elektrolytionen zum Implantat oder dem Implantatteil (Gegenelektrode). Wenn der Elektrolyt zweckmäßig ausgewählt ist, reagiert der Elektrolyt in der Zelle, was die Ausbildung einer Oxidschicht auf dem Implantat oder der Oberfläche des Implantatteils zur Folge hat. Da die Elektrodenreaktionen auch zu einer Gasbildung führen, sollte der Elektrolyt auf geeignete Weise gerührt werden, was durch die magnetische Rühreinrichtung 25 erfolgt, um zu verhindern, dass Gasblasen an den Elektrodenoberflächen bleiben.
  • Die Ausbildung der Titanoxidschicht und deren Endeigenschaften werden bei diesem Vorgang durch eine Anzahl von Parametern beeinflusst, beispielsweise der Zusammensetzung des Elektrolyts und dessen Temperatur, der angelegten Spannung und des angelegten Stroms, der Elektrodengeometrie und der Behandlungszeit. Die Art und Weise, in welcher die gewünschten Schichten erzeugt werden, wird weiter unten im Einzelnen beschrieben. Es sind auch Beispiele gegeben, wie die Prozessparameter verschiedene Eigenschaften der Oxidschichten beeinflussen und wie die Oxiddicke und Porosität variiert werden kann.
  • Um die gewünschten Schichteigenschaften zu erzielen, wird beispielsweise ausgehend von einer mechanisch bearbeiteten Oberfläche begonnen, die gedreht oder poliert sein kann. Es können auch gegossene oder gepresste Implantate oder Implantatteile verwendet werden. Die Oberfläche wird auf eine geeignete Art und Weise gereinigt, beispiels weise durch Ultraschallreinigung in organischen Lösungsmitteln, um die Verunreinigungen von den vorhergehenden Herstellungsschritten zu entfernen. Das gereinigte Implantat oder der gereinigte Implantatteil wird in dem Behälter befestigt, der zusammen mit der Gegenelektrode am Halter befestigt ist. Die Anordnung kann dann in den Elektrolyt eingetaucht werden. Die zwei Elektroden werden danach an eine Spannungsquelle (nicht dargestellt) gekoppelt und es wird eine elektrische Spannung angelegt, worauf der Vorgang beginnt. Der Vorgang wird nach einer gewünschten Zeit beendet, in dem das Anlegen der Spannung unterbrochen wird.
  • Die elektrische Spannung kann auf unterschiedliche Arten und Weisen angelegt werden, siehe hierzu auch 6. In einem galvanostatischen Prozess wird der Strom konstant gehalten, die Spannung darf gemäß dem Widerstand in der Zelle variiert werden, während in einem potentiostatischen Prozess stattdessen die Spannung konstant gehalten wird und der Strom variieren darf. Die gewünschten Schichten werden vorzugsweise unter Verwendung einer Kombination aus galvanostatischer und potentiostatischer Steuerung gebildet. Die galvanostatische Steuerung wird in einem ersten Schritt verwendet, wobei die Spannung auf einen vorab eingestellten Wert steigen kann. Wenn dieser Spannungswert erreicht ist, schaltet der Prozess auf die potentiostatische Steuerung. Unter Berücksichtigung des Widerstandes der Oxidschicht, welche sich ausgebildet hat, fällt der Strom in diesem Stadium.
  • 6 zeigt die Entwicklung des Stromes 27 und der Spannung 28 bezogen auf die Zeit. Das exakte Aussehen der Kurven hängt von verschiedenen Prozessparametern ab und reflektiert auch die Ausbildung der Oxidschicht und deren Eigenschaften.
  • Bis zu einer gewissen Spannung, die vom Elektrolyt abhängt, werden relativ dünne Oxidschichten (< 0,2 μm) erhalten, während die Oxidschichtdicke annähernd linear von der angelegten Spannung abhängt und nach dem Erreichen der maximalen Spannung von der Behandlungszeit unabhängig ist. Diese Schichten sind im Wesentlichen geschlossen und nur unter außergewöhnlichen Umständen haben sie teilweise eine offene Porosität. Für die meisten Elektrolyte beträgt die kritische Spannung ungefähr 100 Volt.
  • Um die gewünschten porösen Oxidschichten zu erhalten, ist es notwendig, sehr viel höhere Spannungen über 150 Volt, typischerweise 200 – 400 Volt in Abhängigkeit vom Elektrolyt, anzulegen. Bei diesen Spannungen ist die Oxiddicke nicht mehr linear von der Spannung abhängig und stattdessen können beträchtlich dickere Schichten erzeugt werden. Für gewisse Elektrolyte ist die Oxiddicke bei diesen Spannungen auch von der Behandlungszeit nach dem Erreichen der maximalen Spannung abhängig. Geeignete Elektrolyte zum Erzielen poröser Schichten, die bei diesem Verfahren verwendet werden, sind gelöste anorganische Säuren (beispielsweise Schwefelsäure, Phosphorsäure, Chromsäure) und/oder gelöste organische Säuren (beispielsweise Essigsäure, Zitronensäure) oder Gemische derselben.
  • Das in Schwefelsäure behandelte Implantat hat eine Oberfläche mit einer hohen Dichte und offenen Poren. Etwa 20% der Oberfläche bestehen aus Poren oder Kanälen/Kanalzweigen mit Größen (Durchmessern) vorzugsweise im Bereich von 0,1 – 0,5 μm. Das in Phosphorsäure behandelte Implantat hat eine ähnliche Porendichte. Die Porengrößenverteilung kann beträchtlich differieren. Im gezeigten Fall können Porengrößen vorzugsweise im Bereich von 0,3 – 0,5 μm gewählt werden, aber es kann an der Oberfläche auch eine gute Anzahl von größeren Poren (bis zu 1,5 μm) vorhanden sein. Die Oxiddicke ist bei dieser Ausführungsform 5 μm.
  • Die Tabelle gemäß 7 zeigt die Struktur der Oxidschicht, die mit unterschiedlichen Prozessparametern bei diesem Verfahren hergestellt ist. Die gezeigten Parameter sind Elektrolytzusammensetzung, Spannung (Volt), Strom (mA), Zeit, Porendurchmesser, Porendichte, Porosität und Oxiddicke.
  • Die Erfindung ist nicht auf die vorstehend beschriebene, beispielhafte Ausführungsform begrenzt, sondern kann innerhalb des Umfangs der anhängenden Patentansprüche und des erfindungsgemäßen Konzeptes modifiziert werden.

Claims (18)

  1. Beschichtung (2), die auf einem Implantat (1), das Titan enthält oder aus Titan besteht, angeordnet werden kann, für eine Knochen- oder Gewebestruktur (5), und die eine Grenze oder Sperre zwischen dem Körper des Implantats und der Knochen- oder Gewebestruktur bildet, um den Halt zu erhöhen, und die eine stabile Dicke (T) und eine Porosität hat, dadurch gekennzeichnet, dass die Beschichtung (2) mit einem Kanalnetzwerk (6) gestaltet ist, das der Beschichtung eine wesentliche Porosität verleiht, und dass das Kanalnetzwerk (6) mit Mündungen (3, 4) gestaltet ist, die zur Knochen- oder Gewebestruktur münden, und deren jeweilige Querschnittsdurchmesser (D) an der Oberfläche (2a) der, der Struktur (5) zugewandten Schicht im wesentlichen kleiner als die entsprechenden Maße (H) der Kanäle in der und in die Schicht, gesehen von dieser Oberfläche (2a') aus, sind.
  2. Implantatbeschichtung gemäß Patentanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Kanalnetzwerk (6) zusammenhängende Kanalzweige (12, 13, 14, 15) aufweist, die sich durch wenigstens den größeren Teil der Schicht (2''') von dieser Oberfläche (2a') bis zu dem Übergang (11) von der Schicht zum Körper (1'') des Implantats erstrecken.
  3. Implantatbeschichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Kanalnetzwerk (6) Kanalzweige (10) hat, die sich in Richtungen erstrecken, welche sich von der Richtung der Tiefe der Schicht oder der Radialrichtung des Implantats unterscheiden.
  4. Implantatbeschichtung nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass sie zur Vergrößerung des Schichtvolumens an einer welligen oder unebenen Oberfläche (3') errichtet ist, die am Implantat von Anfang an vorhanden ist, und die einen hohen Rauhigkeitswert von beispielsweise 0,4 – 5 μm hat.
  5. Implantatbeschichtung nach einem der vorstehenden Patentansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass sie eine Dicke (T) hat, die dem Implantat insgesamt einen stabilen Korrosionswiderstand verleiht.
  6. Implantatbeschichtung nach einem der vorstehenden Patentansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Kanalnetzwerk (6) mit einer Mündungsanordnung (3', 4') zur Knochen- oder Gewebestruktur (5) hin versehen ist, was ein erhöhtes Eindringen des Knochenwachstums in den Kanal an diesen Mündungen zulässt.
  7. Implantatbeschichtung nach einem der vorstehenden Patentansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht eine mittlere Dicke im Bereich von 0,5 – 10 μm, vorzugsweise im Bereich von 2 – 20 μm hat.
  8. Implantatbeschichtung nach einem der vorstehenden Patentansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Oxidschicht an ihrer Außenfläche eine Oberflächenrauhigkeit im Bereich von 0,4 – 5 μm hat.
  9. Implantatbeschichtung nach einem der vorstehenden Patentansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Oxidschicht einen hohen Grad an Porosität mit einer Anzahl von 1 × 107 – 1 × 1017 Poren/cm3 hat.
  10. Implantatbeschichtung nach einem der vorstehenden Patentansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass jede Oberfläche Poren oder Kanalmündungsflächen mit Durchmessern oder Oberflächengrößen im Bereich von 0,1 – 10 μm hat und/oder dass das gesamte Kanalnetzwerk oder Porenvolumen im Bereich von 5 × 10–2 und 10–5 cm3 liegt.
  11. Implantatbeschichtung nach einem der vorstehenden Patentansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht eine Titanoxidschicht enthält oder aus einer Titanoxidschicht besteht.
  12. Implantatbeschichtung nach einem der vorstehenden Patentansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Implantat aus einem Schraubenimplantat zur Anwendung im Kieferknochen besteht.
  13. Implantatbeschichtung nach einem der vorstehenden Patentansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht ein Depot für ein Agensodereine Substanz (17) zum Initiieren des Knochenwachstums oder zum Stimulieren des Knochenwachstums bildet.
  14. Implantatbeschichtung nach einem der vorstehenden Patentansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Agens oder die Substanz von dem Depot mittels Konzentrationsdiffusion in die Knochen- oder das Gewebestruktur (5) wandert.
  15. Implantat (1), das Titan enthält oder aus Titan besteht für eine Knochen- oder Gewebestruktur (5) und mit einer oder mehreren Beschichtungen (2), die eine Grenze oder Grenzen zwischen dem Körper (1) des Implantats und der Struktur (5) bilden, um den Halt zu erhöhen, und die jeweils eine stabile Dicke und Porosität haben, dadurch gekennzeichnet, dass jede Schicht mit einem Kanalnetzwerk (6) gestaltet ist, das der Schicht (2) eine wesentliche Porosität verleiht, und dass das Kanalnetzwerk (6) mit Mündungen (3, 4) gestaltet ist, die zur Struktur hin münden und deren jeweilige Querschnittsdurchmesser (D) an der Oberfläche der der Struktur zugewandten Schicht im wesentlichen kleiner als die entsprechenden Abmessungen (H) der Kanäle in der und in die Schicht sind, gesehen von dieser Oberfläche (2a') aus.
  16. Verfahren zum Herstellen der relativ dicken Oxidschichten (2) gemäß Patentanspruch 1 an einem Implantat, das Titan enthält oder aus Titan besteht, durch anodische Oxidation an einer oder mehreren Titanoberflächen, die an oder in der Nähe von einer oder mehreren Gewebe- und/oder Knochenwachsflächen (5) angeordnet werden sollen, wobei wenigstens der Teil oder die Teile, welche diese Oberfläche(n) tragen vorbereitet und in Elektrolyt (26) getaucht werden und das Implantat mit einer elektrischen Energiequelle oberhalb der Elektrolytoberfläche in Kontakt gebracht wird und der Oxidationsprozess errichtet wird, indem auch eine Gegenelektrode, die im Elektrolyt (26) angeordnet ist, an die Energiequelle angeschlossen wird, dadurch gekennzeichnet, dass der Elektrolytzusammensetzung gelöste anorganische Säuren, gelöste organische Säuren und/oder kleine Mengen von Flußsäuren oder Wasserstoffsuperoxid zugesetzt werden, und dass die Energiequelle so gewählt ist, dass sie mit Spannungswerten von wenigstens 150 Volt, beispielsweise mit Spannungswerten im Bereich von 200 – 400 Volt arbeitet.
  17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Spannung (28) für das selbe Implantat zeitlich varüert wird, um innerhalb der gleichen Oberfläche unterschiedliche Kanal- oder Porengrößen zu erzeugen.
  18. Verfahren nach Patentanspruch 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Position des Implantats im Elektrolyt zusammen mit der Zusammensetzung des Elektrolyt (26) und/oder der Spannung (28) geändert wird, um unterschiedliche Oxiddicken (T, T') und/oder Flächen mit unterschiedlicher Porosität oder Poren- und Kanalcharakteristika zu erzeugen.
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