SE514202C2 - På implantat till ben- eller vävnadsstruktur anordnat skikt samt sådant implantat och förfarande för applicering av skiktet - Google Patents

Description

514,, 20 i skrifterna 4 330 891 och 5 354 390 samt EP-patentansö- kan 95l0238l.l (676l79) .

Stora resurser nedlägges i forsknings- och utveckling på. att ta fram implantat som skall förbättra inläk- ningsprocessen för implantat i ben- och vävnadsstruk- turer, t.ex. i anslutning till käkben.

REDoGöRELsE FÖR UPPFINNINGEN TEKNIKENS STÅNDPUIWT Föreliggande uppfinning bygger pà insikten att den i sammanhanget använda oxidskiktstrukturen kan ha avgö- rande betydelse i förbättrade implanterings- och in- läkningsprocesser. Den kända tekniken saknar ett samlande grepp om själva oxidskitstrukturens uppbygg- nad och behovet av att åtminstone i vissa sammanhang kunna använda framträdande tjocka oxidskikt. Uppfin- ningen har till uppgift att i första hand lösa denna problematik .

I anslutning till applicering av implantat i ben- och vävnadsstrukturer är det väsentligt att god korro- sionsbeständighet kan etableras och att t.ex. i sam- band med användning av vätefluor (HF) uppkommande mot- svarande försprödning kan undvikas. Det är även väsentligt att oxidskiktet kan ha en struktur som eliminerar eller i hög grad motverkar mekaniska spän- ningskoncentrationer vid i benet eller motsvarande isatta implantat, jämför de inbyggda spänningar som kan uppkomma i samband med etsade ytor. Ytterligare krav och önskemål är att fastväxningsprocessen för im- plantatet i benet eller vävnaden kan förbättras. Upp- finningen löser även denna problematik.

I anslutning till implantatet kan man i vissa fall (dvs. i en utföringsform) utnyttja sig av bentillväxt än 202 initierande och stimulerande medel och substanser exempelvis tillhörande superfamiljen TGF-ß. Det är därvid väsentligt att på ett tekniskt enkelt och ekonomiskt fördelaktigt sätt kunna applicera medlet eller substansen till eller på implantatet .

Uppfinningen löser även detta problem och föreslår genom den nya oxidskiktsuppbygganden en ändamålsenligt depåfunktion som kan utnyttjas i långtidsverkande och optimala bentillväxtsituationer och fastväxnings- funktioner för implantatet i benet eller motsvarande.

Vid framställning av tjocka oxidskikt (t.ex. tjockle- kar om 5-20 um) är det väsentligt att kunna erbjuda tekniskt tillförlitliga och även ekonomiskt fördelak- tiga metoder. Föreliggande uppfinning föreslår även förfaranden som ger förutsättningar för framställning av oxidskikt av ifrågavarande slag med föreliggande förutsättningar. Förfarandet bygger därvid på insikten att elektrolytens sammansättning och/eller använda elektriska spänningar kan ha avgörande betydelse.

LösNINc-EN Det som huvudsakligen kan anses vara kännetecknande för ett skikt enligt uppfinningen är att det är utfor- mat med ett kanalnätverk som tilldelar skiktet en väsentlig porositet och att kanalnätverket är utfört med mot strukturen vettande mynningar vilkas respek- tive tvärsnittsareor vid skiktets mot strukturen vettande yta väsentligt understiger kanalernas respek- tive sträckningar in och ned i skitet sett från nämnda yta .

I en föredragen utföringsform innefattar kanalnätver- ket sanunanhängande kanalgrenar som sträcker sig genom åtminstone större delen av skiktet sett från nämnda yta och in till skiktets övergång mot implantatets 5-14- 202 stomme. Skiktet kan etabåïras pà en pà implantatet fràn början befintlig vàgig eller ojämn yta med stort ráhetsvärde (t.ex. 0,4-5 um) i skiktvolymförhöjande syfte. Vidare kan kanalverket uppvisa kanalgrenar som sträcker sig i riktningar som skiljer sig frán skik- tets djupriktning (el1er' implantatets radiella rikt- ning). Skiktet uppvisar därvid en tjocklek som ger en väsentlig korrosionsbeständighet i förhållande till tidigare förslagna oxidskiktarrangemang. Kanalnätver- ket kan vidare i en utföringsform vara anordnad med ett mynningsarrangemang mot ben- eller vävnadsstruktu- ren som ger förhöjd bentillväxtsubstansavgivning fràn kanalnätverket via nämnda mynningar. Skiktet kan ges en genomsnittlig tjocklek i enlighet med efterföljande patentkrav. Föredragna värden pá areastorlekarna pà kanalverkets mynningar, den totala kanal- eller porvolymen i skiktet, ytràhet och porositet anges likaledes i de efterföljande patentkraven.

Ett implantat enligt uppfinningen kan huvudsakligen anses vara kännetecknat därigenom att respektive före- liggande skikt pà implantatet är utformat med ett kanalnätverk som tilldelar skiktet en väsentlig poro- sitet och att kanalnätverket är utfört med mot struk- turen vettande mynningar, vilkas respektive tvär- snittsareor vid skiktets mot strukturen vettande yta väsentligt understiger kanalerna respektive sträck- ningar in och ned i skiktet sett fràn nämnda yta.

Implantatet kan i en utföringsform utgöras av ett skruvimplantat för applicering i ben, t.ex. i tandben.

I en ytterligare utföringsfonn kan oxidskiktet bilda depà för applicerat bentillväxt initierande eller sti- mulerande medel eller substans. Medlet eller substan- sen kan avgà frán depån till ben- eller vävnadsstruk- turen med hjälp av koncentrationsdiffusion som kan optimeras genom kanalnätverkets mynningsarrangemang 5143202 mot ben- eller vävnadsstrukturen. I en föredragen ut- föringsform består skiktet av eller innefattar ett titanoxidskikt.

Ett förfarande enligt uppfinningen utgår från anodisk oxidation av ifrågavarande implantatmaterial. Förfa- randet kan huvudsakligen kännetecknas av att den elektrolytiska sammansättningen som utnyttjas i förfa- randet tillföres utspädda. oorganiska syror, utspädda organiska syror och/eller mindre mängder flourvätes- syra eller vätesperoxid och att energikällan. väljes att arbeta med ett spänningsvärde av åtminstone 150 volt. Så t.ex. kan spänningsvärden inom intervallet 200-400 volt utnyttjas.

I en föredragen utföringsform varierar spänningen för samma implantat tidsåtskilt för att skapa olika kanal- eller porstorlekar inom samma ytområde eller ytområden på implantatet. I en ytterligare utföringsform kan olika porositeter eller por- eller kanalkarakteristi- ker åstadkommas genom att implantatets läge i elektro- lyten ändras tillsammans med val av elektrolytens sam- mansättning och/eller ifrågavarande spänning. Även oxidtjockleken kan varieras med hjälp av nämnda para- metrar.

FÖRDELAR Genom det i ovan föreslagna kan en förbättrad implan- teringsprocess uppnås och vid de föreslagna oxidskiktstjocklekarna i de övre av det föreslagna intervallet går det angivna emot hitintillsvarande uppfattningar på teknikområdet och således anvisas nya vägar inom tekniken. Koncentrationsdiffunderingen i anslutning till användandet av bentillväxt initierande och stimulerande substanser kan väsentligt underlättas genom den föreslagna kanalvägsuppbygganden i 514»2Û2 “if fQ“¿æÜ¿ strukturen . Implantatet b kan tillhandahållas med färdigt oxidskikt med angivna egenskaper pà den allmänna marknaden och det nya förfarandet ger förutsättningar för en ekonomiskt fördelaktig skikt- och implantatstillverkning .

FIGURFÖRTECKNING En för närvarande föreslagen utföringsform av ett skikt, ett implantat och ett förfarande enligt uppfin- ningen skall beskrivas i nedanstående under samtidig hänvisning till bifogade ritningar där figur 1 i längdsnitt visar ett utföringsexempel pà ett pà en implantatkropp àstadkommet titanoxidskikt, varvid oxidskiktet utgàr frän en förhållandevis plan yta pà im- plantatkroppen, figur 2 i längdsnitt visar exempel pá oxidskik- tets läge pà en vágad yta eller en yta med hög ytráhet, figur 3 ovanifrán utifrân visar exempel pà ett mynningsarrangemang för ett i oxidskiktet anordnat kanalnätverk, figur 4 i vertikalsnitt och principiellt visar ett kanalnätverk för ett pà en implantat- kropp àstadkommet oxidskikt, varvid im- plantatet med tillhörande oxidskikt är applicerat i en delvis visad ben- och/ /eller vävnadsstruktur i människokroppen samt i oxidskiktet är visat ett kanal- nätverk med myrmingsarrangemang mot strukturen, figur 5 frán sidan visar utrustning för en ano- disk oxidation av ett implantat, figur 6 i diagramform visar spännings- och ström- funktioner som utnyttjas i anslutning till oxideringsförloppet, och figur 7 i tabellform visar parametrar för upp- byggnad av olika titanoxidskikt.

DETALJERAD UTFÖRINGSFORM I figuren 1 är med 1 visad delar av en implantatkropp.

Implantatkroppen har i enlighet med nedanstående behandlats i en oxideringsfunktion, medförande att på dess ytteryta åstadkommits ett oxidationsskikt 2.

Oxidationsskiktet kan byggas upp pà en från början förhållandevis slät ytstruktur som i figuren l symbo- liserats med 3. Oxidskiktet 2 uppvisar en framträdande tjocklek T. Skiktet kan anta värden mellan 0,5- 10 um, med företräden av värden vid områdets övre delar. I enlighet med uppfinningen skall uppfinningen i första hand fungera inom omradet 2-10 um även om värden ned till 0,5 um i vissa undantagsfall kan bli aktuella.

Oxidskiktets ytteryta 2a skall uppvisa en ytråhet inom omrâdet 0,4-5 um. Oxidskiktet 2 är i enlighet med nedanstående höggradigt poröst och innesluter ett kanalnätverk av specifikt slag.

Figuren 2 visar ett från figuren l skilt exempel där oxidskiktet 2' byggts upp på en på implantatet l' befintlig ytstruktur 3' med förhållandevis stor ytrå- het som åstadkommits på i och för sig känt sätt vid implantatets framställning (t.ex. genom etsning). Ut- föringsformen enligt figuren 2 ger förutsättningar för en förhållandevis större oxidskiktsvolym än i fallet enligt figuren 1. 514 2n2 a I figuren 13 visas fràn oxidskiktets 2" utsida nyn- ningar 3, 4 frán det i ovan omnämnda angivna kanalnät- verket.

I figurerna 1, 2 och 3 anges skalan längst ner till höger, dvs. storleken 10 um längd pà respektive figur.

I figuren 4 visas implantatet med l" och det pà implantatets àstadkomna oxidskiktet med 2"'. I figu- ren 4 är en ben- eller vävnadsstruktur symboliskt angiven. med 5. Strukturen kan. t.ex. utgöras av ett käkben, i vilket implantatet kan nedskruvas i benet eller motsvarande. Implantatet kan sàledes bestá av eller innefatta titanmaterial, medförande att skiktet 2"' utgöres av ett titanoxidskikt. Skruven eller gängan i implantatet är inte visad i figuren 4 utan det kan hänvisas till redan känd teknik och kända implantat. Motsvarande gänga i käkbenet 5 är inte heller visad utan även här hänvisas till känd teknik.

Oxidskiktet 2"' son1 är 'utfört; med. den framträdande tjockleken T', t.ex. en tjocklek inom omrâdet 5-25 um, är försett med ett kanalnätverk som är symboliskt angivet med pilen 6. Kanalnätverket uppvisar i enlig- het med ovan mynningar eller öppningar 3', 4'. Kanal- nätverket förgrenar sig ned i och/eller in i oxidskik- tet sett fràn oxidskiktets utsida 7. Kanalnätverket innefattar olika kanaldelar, t.ex. 8, 9, 10. Genom kanalnätverket kan etableras kanalsträckningar som sammansättes av olika kanaldelar fràn skiktets 2"' utsida 2a'och ned eller in till en övergång ll mellan implantatet och oxidskiktet. En dylik genomgående kanalbildning etableras med kanaldelarna eller kanal- grenarna 12, 13, 14, 15 i figuren. Karakteristiskt för kanal- eller porbildningen enligt uppfinningen är att arean eller diametern D pà respektive mynning väsent- ligt understiger respektive kanalgräns- eller pordjup, 514 - 2,02 t.ex. ett pordjup H. gor- eller kanaldjupet kan i enlighet med ovanstående vara betydande och t.ex. motsvarar nämnda tjocklek T' . Kanalerna kan sträcka sig i oxidskiktets 2"' djupled och/eller i riktningar som skiljer sig fràn denna sedd eller i implantatets radiella ledd R. Kanalgrenarna eller kanaldelarna kan vara raka och/eller böjda, och en böjd kanalgren har i figuren 4 angivits med 16.

Det inses att ett dylikt kanalsystem kan utgöra depà för bentillväxt stimulerande och/eller initierande substans som i figuren 4 symboliserats med 17. En i kanalnätverket säledes införd substans kan med hjälp av koncentrationsdiffunsion tränga ut i ben- eller vävnadsstrukturen, vilket i figuren 4 symboliserats med pilen 18. Pá motsvarande sätt kan ben- eller väv- nadsorganismer tränga in i systemet i samband med nämnda diffusion. Det inses att mynningarna kan ges olika storlekar och skapa förutsättningar för bentill- växt med viss inträngningsfunktion i mynningsarrange- manget, vilket bidrar till implantatets fastväamings- grad i strukturen. Det höggradigt porösa oxidskiktet kan utföras med lxlOv-lxlüm porer (kanalmyrmingarflcmz.

Diameterstorlekarna kan väljas inom intervallet 0,l-l0 um, varvid inom ett och samma ytareaomràde pà oxidskiktet porer eller kanalmyrlningar med olika diameter- eller areastorlekar kan förekomma. En total volym för kanalnätverket enligt figuren 4 kan väljas inom ett område av 5xl0'2 och 10* cms.

Titanoxidskikten enligt ovan àstadkommes företrädesvis med s.k. anodisk oxidation som är en elektrokemisk metod. Principen och förfaringssättet för att àstad- komma ifrågavarande skikt beskrives i anslutning till figurerna 5 och 6. I figuren 5 är en behàllare angiven med 20. En titananod är angiven med 21 och en porös nätkatod är visad med 22. En teflonisolering av titan- 5141302” anoden är visad med 23 och anoderna sträcker sig genom ett teflonlock 24. Dessutom ingàr en magnetomrörare 25. Anslutningarna för anoden och katoden är angivna med 21' respektive 22'. Implantatet eller de delar av implantatet som skall prepareras är företrädesvis mekaniskt bearbetade genom svarvning, fräsning, pole- ring, etc. Implantatet eller ifrågavarande delar inne- fattar titanytor som skall behandlas i den elektroke- miska processen. Implantatet eller ifrågavarande delar monteras pà en hállare som nedsänkes i ett bad i behållaren bestående av en elektrolyt 26. De delar av implantatet som ej skall behandlas maskeras med väts- ketät skyddshätta eller alternativt med ett lämpligt lack som anbringas pà ifrågavarande delar som ej ska behandlas. Implantatet eller dess nämnda delar stàr genom hàllaren. i elektrisk kontakt med anslutningen 21' ovanför elektrolytens yta. I elektrolyten fungerar nämnda katod 22 som motelektrod. Denna motelektrod ut- göres av lämpligt material, t.ex. Pt, guld eller gra- fit. Företrädesvis nmnteras motelektroden till hälla- ren sä. att hela arrangemanget tillsammans fixeras i elektrolytbadet 26. Den anodiska oxidationen àstadkom- mes genon1 att anbrínga en elektrisk spänning :mellan implantatet/implantatdelen/implantatdelarna och mot- elektroden, varvid implantatet eller dess aktuella del eller delar tilldelas positiv potential. Implantatet, implantatdelen/implantatdelarna, motelektroden och elektrolyten utgör en elektrokemisk cell där implanta- tet eller dess respektive del bildar anod. Den elekt- riska potentialskillnaden mellan implantat respektive implantatdel och motelektrod ger upphov till ström av negativt (positiv) laddade elektrolytjoner till im- plantatet respektive implantatdelen (motelektroden).

Om elektrolyten valts pà ett lämpligt sätt resulterar elektrodreaktionerna i. cellen i. att oxidskikt bildas på implantatet respektive implantatdelens yta. Dä elektrodreaktionerna även resulterar i gasbildning bör si1g4llfzroz I U r elektrolyten omröras pà lämpligt sätt vilket sker med nämnda magnetomrörare 25 sonx hindrar att gasbubblor kvarstår vid elektrodytorna.

Bildningen av titanoxidskiktet och dess slutliga egen- skaper påverkas av ett flertal parametrar i processen, t.ex. elektrolytens sammansättning och temperatur, pà- lagd spänning och ström, elektrodgeometri samt behand- lingstid. I nedanstående beskrives närmare hur de öns- kade skikten tillverkas. Vidare ges exempel pà hur processparametrarna påverkar olika egenskaper hos oxidskikten samt hur oxidtjocklek och porositet kan varieras.

För att uppná de önskade skiktegenskaperna utgår man t.ex. fràn mekaniskt bearbetad yta som kan vara svar- vad eller polerad. Gjutna och pressade implantat eller implantatdelar kan även vara aktuella. Ytan rengöres pà lämpligt sätt, t.ex. genom ultraljudrengöring i organiska lösningsmedel för att avlägsna föroreningar fràn tidigare tillverkningssteg. Det rengjorda implan- tatet eller den rengjorda implantatsdelen fästes i nämnda behållare, vilken fästes tillsammans med mot- elektroden pà hàllaren. Arrangemanget kan därvid ned- sänkas i elektrolyten. De tvà elektroderna kopplas därefter till en spänningskälla (ej visad) och en elektrisk spänning tillföres, varvid processen päbör- jas. Processen avslutas efter önskad tid genom att av- bryta spänningstillförseln.

Den elektriska spänningen kan tillföras pà olika sätt, jämför även figuren 6. Vid en galvanostatisk process hálles strömmen konstant, varvid spänningen tilläts variera enligt motståndet i cellen, medan vid en potentiostatisk process istället spänningen hàlles konstant och strömmen tillàtes variera. De önskvärda skikten bildas lämpligen genom att använda en kombina- 514 202 *ï ;z;;,_;' tion av galvanostatisk odâ potentiostatisk kontroll. I ett första skede används galvanostatisk kontroll, var- vid spänningen tillåtes öka till ett förinställt värde. Då detta spänningsvärde är uppnått övergår pro- cessen till att bli potentiostatiskt kontrollerad. På grund. av det bildade oxidskiktets resistans sjunker strömmen i detta läge.

Figuren 6 visar strömmens 27 och spänningens 28 ut- veckling i tiden. Det exakta utseendet på kurvorna är beroende på olika processparametrar och återspeglar också bildningen av oxidskiktet och dess egenskaper.

Upp till en viss spänning, vilken är beroende av elek- trolyt, fås relativt tunna (< 0,2 um) oxidskikt där oxidskikttjockleken är ungefär linjärt beroende på den pålagda spänningen oberoende av' behandlingstid efter det att maximal spänning uppnåtts. Dessa skikt är huvudsakligen. täta, och uppvisar endast undantagsvis en delvis öppen porositet. För de flesta elektrolyter ligger den kritiska spännigen kring 100 volt.

För att uppnå de önskvärda. porösa oxidskikten. krävs betydligt högre pålagda spänningar över 150 volt, typiskt 200-400 volt, beroende pà elektrolyt. Vid dessa spänningar är oxidtjockleken inte längre linjärt beroende på spänningen, utan i stället kan betydligt tjockare skikt framställas. För vissa elektrolyter är vid dessa spänningar oxidtjockleken även beroende av behandlingstiden efter att maximal spänning uppnåtts.

Lämpliga elektrolyter för att uppnå porösa skikt med metoden är utspädda oorganiska syror (t.ex. svavel- syra, fosforsyra, kromsyra). och/eller utspädda orga- niska syror (t.ex. ättiksyra, citronsyra), eller blandningar därav. 514 202* nwyßffifnåšàf" Implantatet som pâverkas i svavelsyra uppvisar en yta med hög täthet och öppna porer. 20% a ytan utgörs av porer eller kanaler/kanalgrenar, med. storlekar (dia- metrar) företrädesvis inom intervallet 0,1-0,5 um.

Tjockleken hos skiktet kan vara 2 um. Implantatet som påverkas i fosforsyra. har liknande täthet av' porer.

Porstorleksfördelningen kan skilja sig avsevärt. Por- storlekar kan i det visade fallet väljas företrädesvis inom intervallet 0,3-0,5 um, men ett ansenligt antal större porer (upp till 1,5 um) kan även finnas för ytan. Oxidtjockleken hos detta utförande är 5 um.

Tabellen enligt figuren 7 sammanfattar uppbyggnaden hos oxidskiktet gjorda med olika processparametrar i metoden. Angivna parametrar är elektrolytsammansätt- ningen, spänning (volt), ström (mA), tid, pordiameter, portäthet, porositet och oxidtjocklek.

Uppfinningen är inte begränsad till den i ovanstående sásom exempel visade utföringsformen utan kan under- kastas modifikationer inom ramen för efterföljande patentkrav och uppfinningstanken.

Claims (18)

514 2:02 vf PATENTKRAV

1. l. På implantat (l) till ben- eller vävnadsstruktur (5) anordningsbart skikt (2) som utgör gräns eller barriär mellan implantatets kropp och strukturen i retentionsförhöj ande syfte och som därvid uppvisar en i sammanhanget väsentlig tjocklek (T), k ä n n e- t e 'c k n a t därav, att skiktet (2) är utformat med ett kanalnätverk (6) som tilldelar skiktet en väsent- lig porositet, och att kanalnätverket (6) är utfört med mot strukturen vettande mynningar (3, 4) vilkas respektive tvärsnittsareor (D) vid skiktets mot struk- turen (5) vettande yta (2a) väsentligt understiger kanalernas respektive sträckningar (H) in och ned i skiktet sett fràn nämnda yta (2a).

2. Implantatskikt enligt patentkravet 1, k ä n n e- t e c k n a t därav, att kanalnätverket (6) innefat- tar sammanhängande kanalgrenar (12, 13, 14, 15) som sträcker sig genom åtminstone större delen av skiktet (2"') fràn nämnda yta (2a') och till skiktets över- gång (ll) till implantatets stomme (1'

3. Implantatskikt enligt patentkravet 1 eller 2, k ä n n e t e c k n a t därav, att kanalnätverket (6) uppvisar kanalgrenar (10) som sträcker sig i rikt- ningar skilda från skiktets djupriktning eller implan- tatets radiella riktning.

4. Implantatskikt enligt patentkravet 1, 2 eller 3, k ä n n e t e c k n a t därav, att det är etablerat pà en pà implantatet fràn början befintlig vàgig eller ojämn yta (3') med högt rähetsvärde, t.ex. O,4-5 pm i skiktvolymen förhö j ande syfte . 514 202 í5

5. Implantatskikt enligt något av föregående patent- krav, k ä n n e t e c k n a t därav, att det uppvisar en tjocklek (T) som ger en väsentlig korrosionsbestän- dighet för implantatet i dess helhet.

6. Implantatskikt enligt något av föregående patent- krav, k ä n n e t e c k n a t därav, att kanalnätver- ket (6) är anordnat med ett mynningsarrangemang (3', 4') mot ben- eller vävnadsstrukturen (5) som ger för- höjd bentillväxtinträngning i kanalen vid nämnda myn- ningar (jämför med konventionella oxidskikt).

7. Implantatskikt enligt något av föregående patent- krav, klä n n e t e c k n a t därav, att skiktet upp- visar en genomsnittlig tjocklek inom intervallet 0,5- 20 um, företrädesvis inom intervallet 2-20 um.

8. Implantatskikt enligt något av föregående patent- krav, k ä n n e t e c k n a t därav, att oxidskiktet uppvisar en ytråhet vid sin ytteryta inom ett inter- vall 0,4-5 pm.

9. Implantatskikt enligt något av föregående patent- krav, k ä n n e t e c k n a t därav, att oxidskiktet är höggradigt poröst med ett antal av 1xl0ïlxl0m porer/cm?

10. Implantatskikt enligt något av föregående patent- krav, k ä n n e t e c k n a t därav, att respektive yta uppvisar huvudsakligen porer eller kanalmynnings- areor med diameter- eller areastorlekar inom interval- let 0,1-10 pm, och/eller att total kanalnätverk- eller porvolym ligger inom ett område av 5x10¿ och 10% cm? 514 2-02 få

11. ll. Implantatskikt enligt något av föregående patent- krav, k ä n n e t e c k n a t därav, att skiktet består av eller innefattar ett titanoxidskikt.

12. Implantatskikt enligt något av föregående patent- krav, k ä n n e t e c k n a t därav, att implantatet består av ett skruvimplantat för applicering i käkben.

13. Implantatskikt enligt något av föregående patent- krav, k ä n n e t e c k n a t därav, att skiktet bil- dar depå för applicerat bentillväxt initierande eller stimulerande medel eller substans (17).

14. Implantatskikt enligt något av föregående patent- krav, k ä n n e t e c k n a t därav, att medlet eller substansen avgår från depån till ben- eller vävnads- strukturen (5) med hjälp av koncentrationsdiffusion.

15. Implantat (1) till ben- eller vävnadsstruktur (5) och innefattande ett eller flera skikt (2) som utgör gräns(-er) mellan implantatets kropp (1) och struktu- ren (5) i retentionsförhöjande syfte och som respek- tive uppvisar en i sammanhanget väsentlig tjocklek, k ä n n e t e c k n a t därav, att respektive skikt är utformat med ett kanalnätverk (6) som tilldelar skiktet (2) en väsentlig porositet, och att kanalnät- verket (6) är utfört med mot strukturen vettande myn- ningar (3, 4) vilkas respektive tvärsnittsdiametrar (D) vid skiktets mot strukturen vettande yta väsentligt understiger kanalernas respektive sträckningar (H) in och ned i skiktet sett från nämnda .yta (2a').

16. Förfarande för att. på, implantat som innefattar eller består av titan åstadkomma medelst anodisk oxi- dation förhållandevis tjocka oxidskikt (2) på en eller (514 ; 202 rf flera titanytor som är avsedda att motställas eller anordnas invid ett eller flera vävnads- och/eller bentillväxtområden (5), varvid åtminstone del eller delar som uppbär nämnda yta eller ytor prepareras och nedsänkes i elektrolyt (26) och implantatet bringas i kontakt, med elektrisk energikälla. ovanför elektroly- tens yta och oxidationsförloppet etableras genom an- slutning till energikällan av även en i elektrolyten (26) anordnad motelektrod, k ä r11i e t e c:1< n a t därav, att den elektrolytiska sammansättningen tillfö- res utspädda oorganiska syror, utspädda organiska syror och/eller' mindre mängder fluorvätessyror eller vätesperoxid och att energikällan väljes att arbeta med spänningsvärde(-n) av åtminstone 150 volt, t.ex. med spänningsvärde(-n) inom intervallet 200-400 volt.

17. Förfarande enligt. patentkravet. 19, k ä n n e- t e c k n a t därav, att spänningen (28) varieras för samma implantat tidsåtskilt för att skapa olika kanal- eller porstorlekar inom samma ytområde.

18. Förfarande enligt patentkravet 16 eller 17, k ä n- n e t: e c 1< n a t. därav, att implantatets läge i elektrolyten ändras tillsammans med elektrolytens (26) sammansättning och/eller spänningen (28) för att skapa olika oxidtjocklekar (T, T') och/eller områden med olika porositeter eller por- eller kanalkarakteristi- ker.