DE60011490T2

DE60011490T2 - Vorläufer für eine Flachdruckplatte

Info

Publication number: DE60011490T2
Application number: DE60011490T
Authority: DE
Inventors: Hidekazu Yoshida-cho Oohashi; Tadahiro Yoshida-cho Sorori; Koichi Yoshida-cho Kawamura
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Corp
Priority date: 1999-02-22
Filing date: 2000-02-22
Publication date: 2005-06-23
Anticipated expiration: 2020-02-23
Also published as: EP1031414B1; JP3775634B2; JP2000238453A; DE60011490D1; EP1031414A1; US6509132B1

Description

GEBIET DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Lithografie-Druckplattenvorläufer, der einen Träger mit einer hydrophilen Oberfläche und eine tintenaufnehmende bildgebende Schicht (Aufzeichnungsschicht) umfasst. Genauer betrifft die Erfindung einen Lithografie-Druckplattenvorläufer, der zur Herstellung einer Platte durch Rasterbelichtung auf Basis von digitalen Signalen, zur Sicherstellung einer hohen Empfindlichkeit und einer langen Drucklebensdauer und zur Bereitstellung eines Drucks, der frei ist von Farbresten oder Verschmutzungen, geeignet ist. Der Lithografie-Druckplattenvorläufer ist geeignet zur Entwicklung mit Wasser oder eine wässrigen Lösung oder kann auf einer Druckmaschine montiert und dem Druckvorgang unterworfen werden, ohne dass eine Entwicklung durchlaufen wird.
HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Im allgemeinen umfasst eine Druckplatte einen tintenaufnehmenden Bildbereich zur Aufnahme von Tinte während des Druckprozesses und einen hydrophilen Nichtbildbereich zur Aufnahme einer Benetzungslösung. Für den Plattenvorläufer einer solchen Lithografiedruckplatte wurde bisher weitverbreitet eine PS-Platte verwendet, die einen hydrophilen Träger mit darauf bereitgestellter tintenaufnehmender fotoempfindlicher Harzschicht (Aufzeichnungsschicht) umfasst. Nach dem üblichen Plattenherstellungsverfahren wird eine Platte durch einen Lithofilm einer Maskenbelichtung unterworfen und dann wird der Nichtbildbereich mit einem Entwickler aufgelöst und entfernt, wodurch die gewünschte Druckplatte erhalten wird.
In den letzten Jahren wurde die Digitalisierungstechnologie in der elektrischen Verarbeitung, Lagerung und Wiedergabe von Bildinformation unter Verwendung eines Computers immer populärer. Zum Schritthalten mit dieser Digitalisierungstechnologie wurden verschiedene neue Verfahren zur Wiedergabe eines Bildes vorgeschlagen und befinden sich in der tatsächlichen Anwendung. Im Gleichschritt mit dieser Tendenz nimmt die Nachfrage nach einer Computer-auf-Platte-Technik zu, in der eine Druckplatte direkt durch Rastern mit einer strahlungsaktiven Strahlung mit hoher Ausrichtung, wie beispielsweise Laserstrahlen, gemäss der digitalisierten Bildinformation hergestellt werden kann, und ein Lithografiefilm verzichtbar wird. Daher ist es ein wichtiges technisches Problem, einen hierfür geeigneten Druckplattenvorläufer zu erhalten.
Im Plattenherstellungsverfahren herkömmlicher PS-Platten ist der Schritt der Auflösung und Entfernung des Nichtbildbereichs nach der Belichtung unerlässlich. Diese zusätzliche Nassverarbeitung als unerlässlicher Schritt ist ein anderes Problem bei herkömmlichen Techniken, dessen Überwindung verlangt wird. Insbesondere in den letzten Jahren ist der umsichtige Umgang mit der globalen Umwelt ein grosses Anliegen für die gesamte Industrie. Aus sowohl Umweltaspekten als auch Verfahrensrationalisierungsaspekten bezüglich des Schritthaltens mit der Digitalisierung steigt die Nachfrage nach einer einfachen Verarbeitung, einer trockenen Verarbeitung oder der Verarbeitungsfreiheit stark an.
Ausgehend von diesem Standpunkt wurde ein Auf-der-Druckpresse-Entwicklungssystem vorgeschlagen, worin eine fotoempfindliche Schicht verwendet wird, die es erlaubt, dass der Nichtbildbereich des Druckplattenvorläufers im üblichen Druckprozess entfernt wird, und die Platte wird nach der Belichtung auf der Druckpresse durch einen Entwicklungsschritt entwickelt, wodurch die finale Druckplatte erhalten wird. Wenn jedoch eine herkömmliche PS-Platte als Druckplatte in dem Auf-der-Druckpresse-Entwicklungssystem verwendet wird, muss der Druckplattenvorläufer unter vollständiger Lichtabschirmung und/oder konstanten Temperaturbedingungen gelagert werden, bis er auf einer Druckpresse montiert wird, da die fotoempfindliche Schicht des Druckplattenvorläufers nach der Belichtung nicht fixiert wird.
Andererseits ist in einem Belichtungssystem mit hoher Leistungsdichte unter Verwendung eines Feststofflasers mit hoher Ausgangsleistung, wie beispielsweise einem Halbleiterlaser und einem YAG-Laser, eine Entwicklung verfügbar, die von der Fotoreaktion, die in fotoempfindlichen Materialien für die Belichtung mit niedriger bis mittlerer Leistungsdichte verwendet wird, unterschiedlich ist. Genauer können verschiedene Entwicklungen unter Ausnutzung einer Strukturveränderung, wie beispielsweise einer chemischen Veränderung, einer Phasenveränderung oder einer morphologischen Veränderung, durchgeführt werden. Dieses Aufzeichnungssystem durch Belichtung mit hoher Leistungsdichte wird als Wärmemodusaufzeichnung bezeichnet.
Herkömmliche Druckplattenvorläufer des positiven Wärmemodussystems weisen das Problem auf, dass die Veränderung der Löslichkeit der bildgebenden Schicht durch Belichtung nahe am Träger im Vergleich zu der Veränderung nach der Oberfläche der bildgebenden Schicht klein ist. In dem Druckplattenvorläufer des Wärmemodussystems erfolgt die Wärmeerzeugung bei der Wärmemodusbelichtung durch Lichtabsorption eines Lichtabsorptionsmittels in der Aufzeichnungsschicht. Daher ist die Menge der erzeugten Wärme auf der Oberfläche der Aufzeichnungsschicht hoch und nahe am Träger klein. Als Ergebnis ist der Grad der Veränderung der Löslichkeit der Aufzeichnungsschicht nahe am Träger relativ gering. Wenn ein Metallträger mit hoher thermischer Leitfähigkeit, wie er im Hinblick auf die Eignung für den Druckvorgang bevorzugt ist, z.B. aus Al, verwendet wird, wird die Temperaturzunahme nahe am Träger darüber hinaus durch thermische Diffusion (d.h. Wärmediffusion) weiter verhindert.
Zur Überwindung der Probleme durch thermische Diffusion in dem Träger bei der Belichtung von Wärmemodus-Druckplatten, schlagen beispielsweise JP-A-52-37104 (der Ausdruck "JP-A", wie er hierin verwendet wird, bedeutet eine "ungeprüfte veröffentlichte japanische Patentanmeldung") und JP-A-52-118427 ein Verfahren vor, worin eine Aluminiumoxidschicht mit einer vorherbestimmten Dicke oder mehr auf der Trägeroberfläche bereitgestellt wird, so dass die Wärmediffusion verringert wird. Dieses Verfahren zeigt sicherlich eine Wirkung, jedoch ist diese Wirkung nach wie vor unzureichend und kann eine Restschicht auf der positiven Wärmemodus-Druckplatte nicht eliminieren.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Folglich ist es ein erfindungsgemässes Ziel, einen Lithografie-Druckplattenvorläufer bereitzustellen, der für die Rasterbelichtung geeignet ist und eine hohe Empfindlichkeit und gute Drucklebensdauer aufweist und von der Erzeugung von Verschmutzungen frei ist.
Ein weiteres erfindungsgemässes Ziel ist die Bereitstellung eines Lithografie-Druckplattenvorläufers, der mit Wasser oder einer wässrigen Lösung entwickelbar ist, oder der so wie er ist auf einer Druckpresse montiert werden kann, ohne dass er eine Entwicklung durchläuft, und dem Druckvorgang unterworfen werden kann.
Als Ergebnis extensiver Untersuchungen haben die hiesigen Erfinder gefunden, dass die oben beschriebenen Ziele erreicht werden können durch Verwendung des folgenden Lithografie-Druckplattenvorläufers (nachfolgend als Lithografie-Druckplattenoriginal bezeichnet). Die vorliegende Erfindung wurde auf Basis dieses Befundes erhalten.
Folglich wird erfindungsgemäss folgendes bereitgestellt:

(1) ein Lithografie-Druckplattenvorläufer, der einen Träger umfasst, auf dem nacheinander eine Schicht, die einen Polymerkomplex enthält (Schicht A), und eine Aufzeichnungsschicht, die eine thermisch veränderliche Löslichkeit in mindestens einem aus Wasser und einer wässrigen Lösung besitzt (Schicht B) ausgebildet sind, der Träger besitzt eine hydrophile Oberfläche und mindestens eine der Schichten A und B enthält ein Licht/Wärme-Umwandlungsmittel;
(2) ein Lithografie-Druckplattenvorläufer, wie oben unter (1) beschrieben, worin die Beschichtungsmenge der Schicht, die einen Polymerkomplex enthält (Schicht A) 0,1–1,0 g/m² beträgt, und die Absorbanz bei der Laserwellenlänge für die Aufzeichnung eines Bildes beträgt 0,3 oder mehr; und
(3) ein Lithografie-Druckplattenvorläufer, wie oben unter (1) beschrieben, worin die Aufzeichnungsschicht (Schicht B) eine Polymerverbindung mit einer hydrophoben funktionellen Gruppe enthält, deren Hydrophilizität thermisch veränderlich ist.

Der Ausdruck "Wasser und eine wässrige Lösung", wie für den erfindungsgemässen Lithografie-Druckplattenvorläufer (nachfolgend als Lithografie-Druckplattenoriginal bezeichnet) verwendet, wird nachfolgend beschrieben. Wenn die Aufzeichnungsschicht der Lithografie-Druckplattenoriginal eine polare Konversionspolymerverbindung (egal ob positiv oder negativ) enthält, kann das "Wasser" reines Wasser sein, kann andere Komponenten enthalten oder kann eine Benetzungslösung sein, die zusammen mit Tinte im Druckvorgang zugeführt wird, solange der Nichtbildbereich aufgelöst werden kann.
Die "wässrige Lösung" schliesst die oben beschriebene Benetzungslösung ein, und wenn die Aufzeichnungsschicht ein in wässriger Alkalilösung lösliches Harz (egal ob positiv oder negativ) enthält, schliesst sie ferner herkömmliche, allgemein bekannte Alkalientwickler ein. Als solches kann die Benetzungslösung "Wasser" oder eine "wässrige Lösung" sein.
In der erfindungsgemässen Lithografie-Druckplattenoriginal wird die Schicht (B) auf der belichteten Fläche durch die durch die Licht/Wärme-Umwandlung nach der Belichtung erzeugte Wärme bildweise solubilisiert (positiv gemacht) oder insolubilisiert (negativ gemacht). Wenn ein Licht/Wärme-Umwandlungsmittel in Schicht (A) vorhanden ist, verläuft hierbei die Veränderung der Löslichkeit der Schicht (B) in einem Entwickler ausgehend von der Grenzfläche zwischen Schicht (A) und Schicht (B). Wenn die Schicht (B) durch die Veränderung der Löslichkeit positiv wird, verläuft die Auflösung ausgehend von der Grenzfläche, und die adhäsiven Eigenschaften zwischen Schicht (A) und Schicht (B) werden verschlechtert und als Ergebnis kann die Schicht (B) selbst dann vollständig entfernt werden, wenn die Schicht nicht solubilisiert wird. Wenn die Schicht (B) andererseits negativ gemacht wird, verläuft die Insolubilisierung entlang der Grenzfläche, und die adhäsiven Eigenschaften zwischen Schicht (A) und Schicht (B) nehmen zu, und als Ergebnis kann die Schicht (B) vollständig frei sein von Entfernungen, selbst wenn die Schicht vollständig insolubilisiert ist. Mit anderen Worten, wenn Schicht (A) ein Licht/Wärme-Umwandlungsmittel enthält, muss die Löslichkeit von Schicht (B) nicht vollständig verändert werden und es kann eine hochempfindliche Druckplatte erhalten werden.
Wenn ein Licht/Wärme-Umwandlungsmittel in Schicht (B) vorhanden ist, verläuft die Veränderung der Löslichkeit in Schicht (B) in einem Entwickler ausgehend von der Oberfläche von Schicht (B). In diesem Fall wird bei Vorhandensein einer Schicht (A) die Wärmediffusion zum Substrat verhindert und in der Schicht (B) in dem Bereich nahe des Substrats eine ausreichende Erwärmung auf eine Temperatur, die zur Veränderung der Löslichkeit erforderlich ist, ermöglicht. Folglich wird, wenn Schicht (B) positiv gemacht wird, ein Schichtrest nicht erzeugt, wohingegen, wenn Schicht (B) negativ gemacht wird, die Adhäsion am Substrat zunimmt. Anders ausgedrückt kann durch die Wirkung der Anwesenheit der Schicht (A) die Veränderung der Löslichkeit der Schicht (B) vollständig ablaufen.
Wenn sowohl Schicht (A) als auch Schicht (B) ein Licht/Wärme-Umwandlungsmittel enthalten, können die beiden oben beschriebenen Effekte gleichzeitig durch geeignete Einstellung des Gehalts an Licht/Wärme-Umwandlungsmittel bewirkt werden. Unter Berücksichtigung der Empfindlichkeit, der Adhäsion, der Eignung zum Drucken, der Kosten und dergleichen ist es bevorzugt, dass die Schicht (A) oder sowohl Schicht (A) und Schicht (B) ein Licht/Wärme-Umwandlungsmittel enthalten.
Durch Entwicklung der so erhaltenen Druckplatte wird Schicht (B) bildweise entfernt. Schicht (A) wird durch den Entwickler nicht entfernt, da der Polymerkomplex in einem Lösungsmittel, wie beispielsweise reinem Wasser, wässriger Alkalilösung, Methanol, Aceton, MEK, MFG, Isopropanol und Acetonitril, unlöslich ist. Daher wird die Oberfläche der Schicht (A) zum Nichtbildbereich der erhaltenen Druckplatte. Die Schicht (A) wird entfernt wie beim Abstreifen einer Schicht durch externe Kräfte, wie beispielsweise Reiben mit einem Plattenzylinder während des Druckprozesses. Als Ergebnis wird die hydrophile Oberfläche des Trägers freigelegt und folglich wird ein guter Nichtbildbereich gebildet, der von Verschmutzungen (d.h. Flecken) frei ist.
Einige Polymerkomplexe quellen durch Absorption von Wasser und zeigen dadurch tintenabweisende Eigenschaften, und folglich kann die Schicht (A) selbst einen guten, von Verschmutzungen freien Nichtbildbereich bilden.
Im Bildbereich ist Schicht (B) auf Schicht (A) vorhanden, und folglich wird Schicht (A) nicht wie beim Abstreifen eine Schicht durch externe Kräfte während des Druckvorgangs entfernt. Der Effekt, der durch die Bereitstellung der Schicht (A) erzielt wird, wie beispielsweise die Erhöhung der Empfindlichkeit und die vollständige Veränderung der Löslichkeit der Schicht (B), können auch erhalten werden durch Verwendung eines Polymers, das in einem Entwickler aufgelöst werden kann, wie beispielsweise einem wasserlöslichen Polymer, anstelle des Polymerkomplexes. Wenn ein solches Polymer verwendet wird, wird die Schicht (A) jedoch durch die Entwicklung entfernt. Im Bildbereich ist die Schicht (B) auf Schicht (A) vorhanden und daher verläuft die Entwicklung mit einer höheren Geschwindigkeit als im Nichtbildbereich, jedoch wird der Bildbereich trotzdem seitlich aufgelöst. Als Ergebnis wird der Bereich, der mit dem Substrat in Kontakt steht, der zur Drucklebensdauer beiträgt, verringert (verjüngt) und der Bildbereich wird schwach. Insbesondere wenn ein wasserlösliches Polymer verwendet wird, wird die Schicht (A) während des Druckvorgangs durch die Benetzungslösung aufgelöst und die Drucklebensdauer wird weiter verkürzt. Andererseits ist der Polymerkomplex in verschiedenen Lösungsmitteln unlöslich und daher wird die Schicht (A), in der der Polymerkomplex verwendet wird, durch einen Entwickler oder eine Benetzungslösung während des Druckvorgangs nicht aufgelöst. Folglich kann der Bildbereich eine hohe Festigkeit aufweisen, wenn eine Polymerkomplexschicht verwendet wird, und mit anderen Worten kann eine gute Drucklebensdauer erzielt werden.
Die Lithografie-Druckplattenoriginal, die die Schicht (A) und die Schicht (B) umfasst, kann durch Anwendung der Bildaufzeichnung unter Verwendung eines Feststofflasers oder eines Halbleiterlasers, der Infrarotstrahlung emittiert, die direkte Plattenherstellung aus digitalen Daten aus einem Computer erzielen, und die erhaltene Lithografiedruckplatte kann eine hohe Empfindlichkeit und eine lange Drucklebensdauer aufweisen und kann ferner frei von der Erzeugung von Verschmutzungen sein.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend detailliert beschrieben.
Die erfindungsgemässe Lithografie-Druckplattenoriginal (d.h. der Lithografie-Druckplattenvorläufer) umfasst einen Träger, auf dem nacheinander eine Schicht, die einen Polymerkomplex enthält (Schicht A), und eine Aufzeichnungsschicht, die eine thermisch veränderliche Löslichkeit in mindestens einem aus Wasser und einer wässrigen Lösung besitzt (Schicht B) ausgebildet sind, der Träger besitzt eine hydrophile Oberfläche und mindestens eine der Schichten A und B enthält ein Licht/Wärme-Umwandlungsmittel.
Polymerkomplexschicht
Der Ausdruck "Polymerkomplexschicht", wie er erfindungsgemäss verwendet wird, bedeutet eine Schicht, die mindestens einen Polymerkomplex enthält, der nachstehend beschrieben wird.
Polymerkomplex
Der erfindungsgemäss verwendete Polymerkomplex ist ein Komposit aus einem Polymer und einem Molekül oder Ion, das durch eine Wechselwirkung ausschliesslich kovalenter Bindung an das Polymer gebunden ist, und schliesst solche ein, die in Wasser oder Lösungsmittel unlöslich sind. Beispiele für den Polymerkomplex, der in geeigneter Weise verwendet werden kann, schliessen Polymerelektrolytkomplexe, Wasserstoff-Bindungspolymer-Polymerkomplexe, Stereokomplexe, elektrische Polymer-Polymer-Ladungstransferkomplexe, seitenkettenkoordinierte Polymermetallkomplexe vom Bindungstyp, mehrzähnige Polymermetallkomplexe vom Koordinationsbindungstyp, gestapelte Polymermetallkomplexe, eingebettete Polymermetallkomplexe, organische Metallpolymerkomplexe, Polymermetallkomplexe vom Ionenbindungstyp, Metallkolloiddispersionskomplexe und Zwischenschichtverbindungspolymermetallkomplexe, wie in Koji Abe, Kobunshi Science One Point – 5 Kobunshi Complex (Polymer Science One Point – 5 Polymer Complex), zusammengestellt von Kobunshi Gakkai (1994), und Advances in Polymer Science, Springer-Verlag Berlin Heidelberg New York (1982), beschrieben. Unter diesen sind Polymerelektrolytkomplexe und Polymermetallkomplexe vom Ionenbindungstyp erfindungsgemäss bevorzugt, und weiter bevorzugt sind Polymerelektrolytkomplexe.
Der Polymerelektrolytkomplex ist ein Polymeraggregat, das aus Polymerelektrolyten mit unterschiedlichen Ladungen (ein Polykation mit einem Kation und ein Polyanion mit einem Anion) resultiert, die durch elektrostatische Wechselwirkung unter Freisetzung der Mikrogegenionen kombiniert sind, oder ein Polymeraggregat, das aus Polymerelektrolyten, die jeweils ein Kation und ein Anion im gleichen Molekül aufweisen, die durch elektrostatische Wechselwirkung unter Freisetzung der Mikrogegenionen kombiniert sind. Der Polymerelektrolytkomplex weist eine Struktur auf, in der Polymere durch elektrostatische Wechselwirkungen vernetzt sind, und daher ist der Polymerkomplex im allgemeinen unlöslich in einem Lösungsmittel, wie beispielsweise Wasser, Methanol, Ethanol, Tetrahydrofuran, Ethylendichlorid, Cyclohexanon, Methylethylketon, Aceton, Ethylenglykolmonoethylether, 2-Methoxyethylacetat, Diethylenglykoldimethylether, 1-Methoxy-2-propylacetat, N,N-Dimethylformamid, N,N-Dimethylacetamid, Toluol, Ethylacetat, Ethyllactat, Methyllactat und Dimethylsulfoxid.
Beispiele für den Polymerelektrolyten, der die oben beschriebenen Polymerelektrolytkomplexe bilden kann, schliessen Polymere ein, die im Molekül mindestens eine funktionelle Gruppe aufweisen, ausgewählt aus einer Carbonsäure(salz)-Gruppe, einer Sulfonsäure(salz)-Gruppe und einer Phosphorsäure (salz)-Gruppe, und Polymere, die mindestens eine funktionelle Gruppe im Molekül aufweisen, ausgewählt aus einer Ammoniumgruppe, einer Sulfoniumgruppe, einer Phosphoniumgruppe, einer Iodoniumgruppe und einer Aminogruppe, und Polymere, die mindestens eine funktionelle Gruppe im Molekül aufweisen, ausgewählt aus einer Carbonsäure(salz)-Gruppe, einer Sulfonsäure(salz)-Gruppe und einer Phosphorsäure(salz)-Gruppe, und mindestens eine funktionelle Gruppe, ausgewählt aus einer Ammoniumgruppe, einer Sulfoniumgruppe, einer Phosphoniumgruppe, einer Iodoniumgruppe und einer Aminogruppe.
Beispiele für das Monomer, das in geeigneter Weise zur Synthese solcher Polymerelektrolyte verwendet werden kann, schliesst Monomere ein, die eine funktionelle Gruppe, wie oben beschrieben, aufweisen, und Monomere, die eine funktionelle Gruppe aufweisen, die zur Ausbildung der oben beschriebenen funktionellen Gruppe in der Lage ist. Unter solchen Monomeren sind spezifische Beispiele für ein Monomer mit eine ethylenisch ungesättigten Doppelbindung, das in geeigneter Weise für die Radikalpolymerisation verwendet werden kann, nachfolgend angegeben, jedoch ist die vorliegende Erfindung in keiner Weise hierauf beschränkt.
Der erfindungsgemäss verwendbare Polymerelektrolyt kann erhalten werden durch Polymerisation eines der oben genannten Monomere alleine oder durch Copolymer von zwei oder mehreren davon. Im Fall der Polymerisation eines Monomers mit einer funktionellen Gruppe, die zur Ausbildung der oben beschriebenen funktionellen Gruppe in der Lage ist, können bei Bedarf nach der Polymerisation oder der Ausbildung der Polymerkomplexschicht verschiedene chemische Reaktionsbehandlungen durchgeführt werden, wodurch die oben beschriebene funktionelle Gruppe erhalten und dadurch der Polymerelektrolyt erhalten wird, wie beispielsweise eine Hydrolysereaktion, eine thermische Zersetzungsreaktion, eine Photolysereaktion, eine Oxidationsreaktion, eine Reduktionsreaktion und eine Austauschreaktion.
Der erfindungsgemäss verwendbare Polymerelektrolyt ist nicht sonderlich beschränkt, solange er die oben beschriebene funktionelle Gruppe aufweist. Ferner kann auch ein Copolymer mit einem Monomer, das keine wie oben beschriebene funktionelle Gruppe aufweist, in geeigneter Weise in einem Bereich verwendet werden, der den erfindungsgemässen Effekt nicht beeinträchtigt. Als Monomer zur Verwendung des Copolymers kann in geeigneter Weise ein beliebiges Monomer verwendet werden, das weder die oben beschriebene funktionelle Gruppe noch eine Gruppe, die zur Ausbildung der funktionellen Gruppe in der Lage ist, aufweist. Spezifische Beispiele für das Monomer werden nachfolgend beschrieben.
Beispiele für das andere in der Synthese des Copolymers verwendbare Monomer schliessen Monomere ein, wie beispielsweise Styrole, ungesättigte Kohlenwasserstoffe, Vinylether, Vinylester und α,β-ungesättigte Ketone.
Spezifische Beispiele für Styrole schliessen Styrol, Methylstyrol, Dimethylstyrol, Trimethylstyrol, Ethylstyrol, Propylstyrol, Cyclohexylstyrol, Chlormethylstyrol, Trifluormethylstyrol, Ethoxymethylstyrol, Acetoxymethylstyrol, Methoxystyrol, Dimethoxystyrol, Chlorstyrol, Dichlorstyrol, Bromstyrol, Iodstyrol und Fluorstyrol ein.
Spezifische Beispiele für ungesättigte Kohlenwasserstoffe schliessen die folgenden Verbindungen ein:
Spezifische Beispiele für Vinylether schliessen die folgenden Verbindungen ein:
Spezifische Beispiel für Vinylester schliessen die folgenden Verbindungen ein:
Spezifische Beispiele für α,β-ungesättigte Ketone schliessen die folgenden Verbindungen ein:
In der Synthese des erfindungsgemäss verwendeten Polymerelektrolyten wird das Monomer mit der oben beschriebenen, spezifischen, funktionellen Gruppe oder ein Monomer mit einer funktionellen Gruppe, die zur Ausbildung der spezifischen funktionellen Gruppe in der Lage ist, vorzugsweise in einem Verhältnis von 10 Gew.% oder mehr, weiter bevorzugt 40 Gew.% oder mehr, verwendet. Wenn der Monomeranteil weniger als 10 Gew.% beträgt, ist die Anzahl der funktionellen Gruppen, die zur Bewirkung der elektrostatischen Wechselwirkung in der Lage sind, verringert, und die Vernetzung durch elektrostatische Wechselwirkung zwischen den Polymerelektrolyten wird geschwächt, und als Ergebnis nimmt die Löslichkeit des Polymerelektrolytkomplexes zu und er wird in einem wie oben beschriebenen Lösungsmittel aufgelöst. Falls das oben beschriebene andere Monomer in der Synthese des erfindungsgemäss verwendeten Polymerelektrolyten verwendet wird, kann das copolymerisierbare andere Monomer in einem beliebigen Verhältnis verwendet werden, solange das Monomer mit der spezifischen funktionellen Gruppe in dem bevorzugten Verhältnis verwendet wird. Die copolymerisierbaren anderen Polymere können entweder einzeln oder in Kombination aus zwei oder mehreren verwendet werden.
Spezifische Beispiele für den Polymerelektrolyten und die Polymerverbindung, die zur Ausbildung des Polymerelektrolyten durch eine chemische Reaktionsbehandlung in der Lage sind (nachfolgend gelegentlich als "Polymerelektrolytvorläufer" bezeichnet), sind nachfolgend angegeben, jedoch ist die vorliegende Erfindung in keiner Weise hierauf beschränkt.
Der in der erfindungsgemässen Lithografie-Druckplattenoriginal verwendete Polymerelektrolyt oder Polymerelektrolytvorläufer hat vorzugsweise ein Gewichtsdurchschnitts-Molekulargewicht, gemessen mittels GPC, von 2.000 oder mehr, weiter bevorzugt von 5.000–300.000, und ein Zahlendurchschnitts-Molekulargewicht von 800 oder mehr, weiter bevorzugt von 1.000–250.000. Der Polydispersionsgrad (Gewichtsdurchschnitts-Molekulargewicht/Zahlendurchschnitts-Molekulargewicht) ist vorzugsweise 1 oder mehr, weiter bevorzugt 1,1–10.
Der Polymerelektrolyt oder der Polymerelektrolytvorläufer kann ein beliebiger sein, ausgewählt aus einem Zufallspolymer, einem Blockpolymer und einem Pfropfpolymer, jedoch ist ein Zufallspolymer bevorzugt.
Beispiele für das in der Synthese des erfindungsgemäss verwendeten Polymerelektrolyten oder Polymerelektrolytvorläufers verwendeten Lösungsmittel schliessen Tetrahydrofuran, Ethylendichlorid, Cyclohexanon, Methylethylketon, Aceton, Methanol, Ethanol, Ethylenglykolmonomethylether, Ethylenglykolmonoethylether, 2-Methoxyethylacetat, Diethylenglykoldimethylether, 1-Methoxy-2-propanol, 1-Methoxy-2-propylacetat, N,N-Dimethylformamid, N,N-Dimethylacetamid, Toluol, Ethylacetat, Ethyllactat, Methyllactat, Dimethylsulfoxid und Wasser ein. Diese Lösungsmittel können entweder einzeln oder in Kombination aus zwei oder mehreren verwendet werden.
Der in der Synthese des erfindungsgemäss verwendeten Polymerelektrolyten oder Polymerelektrolytvorläufers verwendete Radikalpolymerisationsinitiator kann eine bekannte Verbindung sein, wie beispielsweise ein Initiator auf Azobasis oder ein Peroxidinitiator.
Falls der Polymerelektrolyt in der Polymerkomplexschicht enthalten ist, kann entweder ein einzelner Polymerelektrolyt oder eine Mischung aus zwei oder mehreren Polymerelektrolyten verwendet werden, solange ein Polymerelektrolytkomplex gebildet werden kann.
Der Anteil an Polymerkomplex, der in der Polymerkomplexschicht enthalten ist, beträgt vorzugsweise 40 Gew.% oder mehr, weiter bevorzugt 50 Gew.% oder mehr. Wenn der Anteil weniger als 40 Gew.% beträgt, wird die Bildfestigkeit verringert und die Drucklebensdauer verkürzt.
Zusätzlich zu dem Polymerkomplex kann die Polymerkomplexschicht feste Teilchen, ein Licht/Wärme-Umwandlungsmittel, ein säureerzeugendes Mittel, einen Sensibilisierungsfarbstoff, ein Tensid oder andere Aufbaukomponenten enthalten.
Das Licht/Wärme-Umwandlungsmittel, das säureerzeugende Mittel, der Sensibilisierungsfarbstoff und das Tensid können in einer Aufzeichnungsschicht enthalten sein, die später beschrieben wird, und daher werden diese später im Zusammenhang mit der Aufzeichnungsschicht detailliert beschrieben.
Feste Teilchen
Die erfindungsgemässe Polymerkomplexschicht kann zusätzlich zu dem Licht/Wärme-Umwandlungsmittel feste Teilchen enthalten. Die festen Teilchen sind vorzugsweise Teilchen, die zur Erhöhung der Entfernbarkeit der Polymerkomplexschicht und zur Veränderung der thermischen Leitfähigkeitsverteilung zur wirksamen Ausnutzung der in Schicht (A) und/oder Schicht (B) erzeugten Wärme in der Lage sind. Beispiele für die festen Teilchen schliessen anorganische Teilchen, organische Teilchen und Metallteilchen ein.
Beispiele für die verwendbaren anorganischen Teilchen schliessen Metalloxide ein, wie beispielsweise Zinkoxid, Titanoxid, Eisenoxid und Zirkoniumoxid; siliciumhaltige Oxide, die als weisser Kohlenstoff bezeichnet werden, die selbst keine Absorption im sichtbaren Spektrum aufweisen, wie beispielsweise Kieselsäureanhydrid, wasserstoffhaltiges Calciumsilicat und wasserstoffhaltiges Aluminiumsilicat; und Tonmineralteilchen, wie beispielsweise Ton, Talk, Kaolin und Zeolit.
Beispiele für die Metallteilchen schliessen Aluminium, Kupfer, Nickel, Silber und Eisen ein. Die anorganischen Teilchen oder Metallteilchen haben vorzugsweise eine Teilchengrösse von 10 mm oder weniger, vorzugsweise von 0,01–10 mm, weiter bevorzugt von 0,1–5 mm.
Wenn die durchschnittliche Teilchengrösse der anorganischen Teilchen oder Metallteilchen weniger als 0,01 mm beträgt, ist die Entfernbarkeit der Polymerkomplexschicht und die Veränderung der Wärmeleitfähigkeitsverteilung nicht in einer solcher Weise verbessert, dass ein Effekt hervorgebracht wird, wohingegen dann, wenn sie 10 mm übersteigt, der Auflösungsgrad der Drucksachen verschlechtert wird oder die Adhäsion am Träger extrem verringert wird, und als Ergebnis nimmt die Festigkeit des Bildbereichs ab.
Die anorganischen Teilchen oder Metallteilchen können in einer beliebigen Menge verwendet werden, solange der Polymerkomplex in einer bevorzugten Menge verwendet wird, wenn enthalten ist der Gehalt jedoch vorzugsweise 2–90 Gew.%, weiter bevorzugt 5–80 Gew.%. Wenn der Teilchengehalt weniger als 2 Gew.% beträgt, werden die Entfernbarkeit der Polymerkomplexschicht und die Veränderung der Wärmeleitfähigkeitsverteilung nicht in einer solchen Weise verbessert, dass ein Effekt hervorgerufen wird, wohingegen dann, wenn er 90 Gew.% übersteigt, der Auflösungsgrad der Drucke verschlechtert oder die Anhaftung an den Träger extrem verringert wird, und als Ergebnis nimmt die Festigkeit des Bildbereichs ab.
Ausser den anorganischen Teilchen und den Metallteilchen können auch organische Teilchen verwendet werden. Die organischen Teilchen sind nicht sonderlich beschränkt, solange sie die Entfernbarkeit der Polymerkomplexschicht erhöhen und die thermische Leitfähigkeitsverteilung so verändern können, dass eine effiziente Ausnutzung der in Schicht (A) und/oder Schicht (B) erzeugten Wärme ermöglicht wird. Als granulare organische Teilchen können Harzteilchen verwendet werden, sie müssen jedoch unter Berücksichtigung der folgenden Gegenstände verwendet werden. Im Fall der Verwendung eines Lösungsmittels bei der Dispersion von Harzteilchen müssen Harzteilchen ausgewählt werden, die in dem Lösungsmittel nicht aufgelöst werden, oder es muss ein Lösungsmittel ausgewählt werden, das zur Auflösung der Harzteilchen ungeeignet ist. Im Fall der Dispergierung von Harzteilchen unter Verwendung eines thermoplastischen Polymers und Wärme müssen Harzteilchen ausgewählt werden, die durch die Wärme beim Dispergieren nicht schmelzen, verformt oder zersetzt werden.
Zur Erleichterung der Belastung durch Berücksichtigung dieser Gegenstände können vorzugsweise vernetzte Harzteilchen verwendet werden. Die organischen Teilchen haben eine durchschnittliche Teilchengrösse von 0,01–10 mm, vorzugsweise 0,05–10 mm, weiter bevorzugt 0,1–5 mm. Wenn die durchschnittliche Teilchengrösse der organischen Teilchen weniger als 0,01 mm beträgt und die Entfernbarkeit der Polymerkomplexschicht und die Veränderung der Wärmeleitfähigkeitsverteilung sich in einer solchen Weise verbessert, dass ein Effekt hervorgebracht wird, wohingegen dann, wenn sie 10 mm übersteigt, der Auflösungsgrad der Drucke verschlechtert oder die Adhäsion am Träger extrem verringert wird, wodurch im Ergebnis die Festigkeit des Bildbereichs abnimmt.
Die organischen Teilchen können in einer beliebigen Menge verwendet werden, solange der Polymerkomplex in einer bevorzugten Menge verwendet wird. Wenn die organischen Teilchen enthalten sind, ist der Gehalt jedoch vorzugsweise 2–90 Gew.%, weiter bevorzugt 5–80 Gew.%. Wenn der Teilchengehalt weniger als 2 Gew.% beträgt, wird die Entfernbarkeit der Polymerkomplexschicht und die Veränderung der Wärmeleitfähigkeitsverteilung nicht in einer solchen Weise verbessert, dass ein Effekt hervorgebracht wird, wohingegen dann, wenn er 90 Gew.% übersteigt, der Auflösungsgrad von Drucksachen verschlechtert wird oder die Adhäsion des Trägers extrem verringert wird, wodurch im Ergebnis die Festigkeit des Bildbereichs abnimmt.
Beispiele für die organischen Teilchen schliessen Polystyrolteilchen (Teilchengrösse: 4–10 mm) und Siliconharzteilchen (Teilchengrösse: 2–4 mm) ein.
Beispiele für die vernetzten Harzteilchen schliessen Mikrogel (Teilchengrösse: 0,01–1 mm), die zwei oder mehr ethylenisch ungesättigte Monomere umfassen, vernetzte Harzteilchen (Teilchengrösse: 4–10 mm), die Styrol und Divinylbenzol umfassen, und vernetzte Harzteilchen (Teilchengrösse: 4 –10 mm), die Methylmethacrylat und Diethylenglykoldimethacrylat umfassen, ein, genauer Mikrogel aus Acrylharz, vernetztes Polystyrol und vernetztes Methylmethacrylat. Diese können nach einem allgemeinen Verfahren hergestellt werden, wie beispielsweise einem Emulgierungspolymerisationsverfahren, einem seifenfreien Emulgierungspolymerisationsverfahren, einem Impfemulgierungspolymerisationsverfahren, einem Dispersionspolymerisationsverfahren und einem Suspensionspolymerisationsverfahren.
Ferner können die anorganischen Teilchen aus einer Lösung hergestellt werden. Beispielsweise werden durch Zugabe eines niederen Metallalkoxids zu einem Lösungsmittel, wie beispielsweise Ethanol, in Anwesenheit von Wasser und Säure oder Alkali, anorganische Teilchen erhalten, die das Metall enthalten. Durch Zugabe der erhaltenen anorganischen Teilchenlösung zu einer lösungsmittellöslichen thermoplastischen Polymerlösung kann eine anorganische Teilchendispersionslösung hergestellt werden. Oder die anorganischen Teilchen, die das Metall enthalten, können auch erhalten werden durch vorangehende Zugabe des niederen Metallalkoxids zu einer thermoplastischen Polymerlösung und anschliessende Zugabe von Wasser und Säure oder Alkali.
Im Fall der Herstellung anorganischer Teilchen durch Zugabe eines niederen Metallalkoxids zu einer Vorläuferlösung eines thermoplastischen Polymers wird zum Zeitpunkt der Umwandlung des Polymervorläufers in ein thermoplastisches Polymer durch Wärme ein Komposit aus Polymer und anorganischem Material erhalten. Beispiele für das niedere Metallalkoxid schliessen Tetraethoxysilan und Tetraethoxytitan ein.
Andere Bestandteile
In der erfindungsgemässen Lithografie-Druckplattenoriginal kann die Polymerkomplexschicht zusätzlich bei Bedarf einen Weichmacher enthalten, der der Beschichtung Flexibilität verleiht. Beispiele für den Weichmacher schliessen Polyethylenglykol, Tributylcitrat, Diethylphthalat, Dibutylphthalat, Dihexylphthalat, Dioctylphthalat, Tricresylphosphat, Tributylphosphat, Trioctylphosphat, Tetrahydrofurfuryloleat und Oligomere und Polymere von Acrylsäure oder Methacrylsäure ein.
Die Polymerkomplexschicht der erfindungsgemässen Lithografie-Druckplattenoriginal kann üblicherweise hergestellt werden durch Auflösen der oben beschriebenen jeweiligen Komponenten in einem Lösungsmittel, Aufschichten der Lösung auf einen geeigneten Träger und, bei Bedarf, Anwendung verschiedener Behandlungen, wie beispielsweise saurer Hydrolyse, basischer Hydrolyse, thermischer Zersetzung, Oxidation und Reduktion. Beispiele für das hierbei verwendete Lösungsmittel schliessen Tetrahydrofuran, Ethylendichlorid, Cyclohexanon, Methylethylketon, Aceton, Methanol, Ethanol, Propanol, Ethylenglykolmonomethylether, Ethylenglykolmonoethylether, 2-Methoxyethylacetat, Diethylenglykoldimethylether, 1-Methoxy-2-propanol, 1-Methoxy-2-propylacetat, Dimethoxyethan, N,N-Dimethylformamid, N,N-Dimethylacetamid, Toluol, Ethylacetat, Ethyllactat, Methyllactat, Dimethylsulfoxid, Wasser, Sulfolan und γ-Butyrolacton ein, jedoch ist die vorliegende Erfindung in keiner Weise hierauf beschränkt.
Diese Lösungsmittel können entweder einzeln oder in Kombination miteinander verwendet werden. Im Fall der Herstellung einer Beschichtungslösung ist die Konzentration der polymerkomplexschichtbildenden Komponenten (Gesamtfeststoffgehalt einschliesslich Zusatzstoffe) in dem Lösungsmittel vorzugsweise 1–50 Gew.%.
Die Beschichtungslösung kann mittels verschiedener bekannter Verfahren aufgeschichtet werden, wie beispielsweise durch Stabbeschichterbeschichtung, Rotationsbeschichtung, Sprühbeschichtung, Vorhangbeschichtung, Tauchbeschichtung, Luftbürstenbeschichtung, Klingenbeschichtung und Walzenbeschichtung.
In der erfindungsgemässen Lithografie-Druckplattenoriginal kann die Polymerkomplexschicht ein Tensid zur Verbesserung der Beschichtbarkeit enthalten, wie beispielsweise ein Tensid auf Fluorbasis, wie beispielsweise in JP-A-62-170950 beschrieben. Die Zugabemenge des Tensids beträgt vorzugsweise 0,01–1 Gew.%, weiter bevorzugt 0,05–0,5 Gew.%, auf Basis des Gesamtfeststoffgehalts in der Polymerkomplexschicht.
Die Beschichtungsmenge (Feststoffgehalt) der Polymerkomplexschicht, die nach der Beschichtung und Trocknung erhalten wird variiert in Abhängigkeit von der Anwendung, jedoch ist sie im Fall einer allgemeinen Lithografie-Druckplattenoriginal 0,1–1,0 g/m², vorzugsweise 0,1–5,0 g/m², weiter bevorzugt 0,2–1,5 g/m².
Aufzeichnungsschicht
Für die in der erfindungsgemässen Lithografie-Druckplattenoriginal verwendete Aufzeichnungsschicht (Schicht (B)) kann eine beliebige Schicht verwendet werden, solange die Schicht durch Wärme, die durch Licht/Wärme-Umwandlung erzeugt wird, nach der Belichtung in einem Entwickler bildweise solubilisiert (positiv gemacht) oder insolubilisiert (negativ gemacht) wird. In dem Fall, dass die Schicht (B) eine positive Umwandlung durchläuft, ist eine Schicht, die eine hydrophobe Polymerverbindung enthält, die durch Wärme hydrophil wird (nachfolgend gelegentlich als positive polare Umwandlungspolymerverbindung bezeichnet) oder eine Schicht, die ein in wässriger Alkalilösung lösliches Harz enthält, bevorzugt. In dem Fall, dass die Schicht (B) eine negative Umwandlung durchläuft, ist eine Schicht, die eine hydrophile Polymerverbindung enthält, die durch Wärmeeinwirkung hydrophob werden kann (nachfolgend gelegentlich als negative polare Umwandlungspolymerverbindung bezeichnet) oder eine Schicht, die eine Verbindung enthält, die mit einer in wässriger Alkalilösung löslichem Harz vernetzbar ist, bevorzugt.
Schicht, die eine positive polare Umwandlungspolymerverbindung enthält
Die in der erfindungsgemässen Lithografie-Druckplattenoriginal verwendete "Schicht, die eine positive polare Umwandlungspolymerverbindung enthält", bedeutet eine Schicht, die mindestens eine nachstehend beschriebene, positive, polare Umwandlungspolymerverbindung enthält.
Positive polare Umwandlungspolymerverbindung
Die positive polare Umwandlungspolymerverbindung, wie sie erfindungsgemäss verwendet wird, ist, wie oben beschrieben, eine hydrophobe Polymerverbindung, die durch Wärme hydrophil wird. Beispiele für eine solche Polymerverbindung schliessen eine hydrophobe Polymerverbindung mit einer hydrophoben funktionellen Gruppe in der Seitenkette, die in der Lage ist, durch Wärme hydrophil zu werden, ein. Diese Veränderung muss von solchen Ausmass sein, dass, wenn eine Polymerverbindung, die bei herkömmlicher Temperatur keine Hydrophilizität zeigt, beispielsweise in Wasser nicht aufgelöst wird oder quillt, durch Licht/Wärme-Umwandlung nach der Laserbelichtung erwärmt wird, ein Teil oder alle polaren funktionellen Umwandlungsgruppen in der Seitenkette der Verbindung durch die Wärme verändert werden, und als Ergebnis die Verbindung Hydrophilizität zeigt, beispielsweise in Wasser aufgelöst wird oder quillt.
Bezüglich des Verfahrens und der Hydrophilisierung der hydrophoben funktionellen Gruppen in der Seitenkette einer hydrophoben Polymerverbindung durch Wärme können zwei Verfahren in Betracht gezogen werden. Eines ist ein Verfahren, worin die ursprünglicherweise hydrophobe funktionelle Gruppe in der Seitenkette durch Wärme eine Reaktion bewirkt und dadurch hydrophil wird, und das andere ist ein Verfahren, worin die ursprünglich hydrophobe funktionelle Gruppe in der Seitenkette durch Wärme zersetzt wird, wodurch die hydrophobe funktionelle Gruppe verlorengeht und dadurch hydrophil wird.
Bezüglich des erstgenannten Verfahrens der Hydrophilisierung der hydrophoben Gruppe als Ergebnis einer durch Wärme hervorgerufenen Reaktion ist ein Verfahren in Betracht zu ziehen, worin die hydrophobe funktionelle Gruppe mit einer anderen funktionellen Gruppe innerhalb des Polymers durch die Einwirkung von Wärme reagiert und hydrophil wird, sowie ein Verfahren, worin die hydrophobe funktionelle Gruppe mit einer anderen Verbindung ausserhalb des Polymers durch Einwirkung von wärme reagiert und hydrophil wird. Die funktionelle Gruppe kann durch eine Kombination aus diesen beiden Arten von Prozessen hydrophil gemacht werden.
Unter den oben beschriebenen Verfahren ist im Hinblick auf die Reaktivität ein Verfahren bevorzugt, worin die ursprünglich hydrophobe funktionelle Gruppe in der Seitenkette durch Einwirkung von Wärme zersetzt wird, wodurch die hydrophobe funktionelle Gruppe verlorengeht und dadurch hydrophil wird.
Erfindungsgemäss ist es bevorzugt, dass alle polaren funktionellen Umwandlungsgruppen in der Seitenkette der polaren Umwandlungspolymerverbindung hydrophil werden, jedoch ist dieses nicht sonderlich beschränkt und es ist nicht erforderlich, dass alle hydrophoben funktionellen Gruppen hydrophil werden, solange die polare Umwandlungspolymerverbindung eine Hydrophilizität hervorbringen kann, beispielsweise in Wasser aufgelöst werden oder quellen kann.
Spezifische Beispiele für die erfindungsgemäss verwendete, hydrophobe, funktionelle Gruppe schliessen die folgenden funktionellen Gruppen ein:
(worin R¹ und R³ jeweils eine Alkylgruppe, eine Arylgruppe, eine Alkenylgruppe oder eine Alkinylgruppe repräsentieren, R² und R⁴ sind jeweils Wasserstoff, eine Alkylgruppe, eine Arylgruppe, eine Alkenylgruppe oder eine Alkinylgruppe, und R¹ und R², R¹ und R³ oder R¹ und R⁴ können einen Ring bilden).
Spezifische Beispiele für die erfindungsgemäss verwendete, hydrophile, funktionelle Gruppe schliessen die folgenden funktionellen Gruppen ein:
(worin R¹, R² und R³ jeweils Wasserstoff, eine Alkylgruppe, eine Arylgruppe, eine Alkenylgruppe oder eine Alkinylgruppe repräsentieren, und zwei beliebige aus R¹, R² und R³ können einen Ring bilden, und E ist ein Gegenanion).
Wenn R¹, R², R³ und R⁴ jeweils eine Alkylgruppe repräsentieren, schliesst die Alkylgruppe eine lineare, verzweigte oder cyclische Alkylgruppe mit 1–20 Kohlenstoffatomen ein. Spezifische Beispiele hierfür schliessen eine Methylgruppe, eine Ethylgruppe, eine Propylgruppe, eine Butylgruppe, eine Pentylgruppe, eine Hexylgruppe, eine Heptylgruppe, eine Octylgruppe, eine Nonylgruppe, eine Decylgruppe, eine Undecylgruppe, eine Dodecylgruppe, eine Tridecylgruppe, eine Hexadecylgruppe, eine Octadecylgruppe, eine Eicosylgruppe, eine Isopropylgruppe, eine Isobutylgruppe, eine sek-Butylgruppe, eine tert-Butylgruppe, eine Isopentylgruppe, eine Neopentylgruppe, eine 1-Methylbutylgruppe, eine Isohexylgruppe, eine 2-Ethylhexylgruppe, eine 2-Methylhexylgruppe, eine Cyclohexylgruppe, eine Cyclopentylgruppe und eine 2-Norbornylgruppe ein. Unter diesen sind eine lineare Alkylgruppe mit 1–12 Kohlenstoffatomen, eine verzweigte Alkylgruppe mit 3–12 Kohlenstoffatomen und eine cyclische Alkylgruppe mit 5–10 Kohlenstoffatomen bevorzugt.
Wenn R¹, R², R³ und R⁴ jeweils eine substituierte Alkylgruppe repräsentieren, ist der Substituent eine monovalente Nichtmetallatomgruppe, ausschliesslich Wasserstoff. Bevorzugte Beispiele für den Substituenten schliessen ein Halogenatom (z.B. -F, -Br, -Cl, -I), eine Hydroxylgruppe, eine Alkoxygruppe, eine Aryloxygruppe, eine Mercaptogruppe, eine Alkylthiogruppe, eine Arylthiogruppe, eine Alkyldithiogruppe, eine Aryldithiogruppe, eine Aminogruppe, eine N-Alkylaminogruppe, eine N,N-Dialkylaminogruppe, eine N-Arylaminogruppe, eine N,N-Diarylaminogruppe, eine N-Alkyl-N-arylamino-Gruppe, eine Acyloxygruppe, eine Carbamoyloxygruppe, eine N-Alkylcarbamoyloxygruppe, eine N-Arylcarbamoyloxygruppe, eine N,N-Dialkylcarbamoyloxygruppe, eine N,N-Diarylcarbamoyloxygruppe, eine N-Alkyl-N-arylcarbamoyloxy-Gruppe, eine Alkylsulfonylgruppe, eine Arylsulfoxygruppe, eine Acylthiogruppe, eine Acylaminogruppe, eine N-Alkylacylaminogruppe, eine N-Arylacylaminogruppe, eine Ureidogruppe, eine N'-Alkylureidogruppe, eine N',N'-Dialkylureidogruppe, eine N'-Arylureidogruppe, eine N',N'-Diarylureidogruppe, eine N'-Alkyl-N'-arylureido-Gruppe, eine N-Alkylureidogruppe, eine N-Arylureidogruppe, eine N'-Alkyl-N-alkylureido-Gruppe, eine N'-Alkyl-N-arylureido-Gruppe, eine N',N'-Dialkyl-N-alkylureido-Gruppe, eine N',N'-Dialkyl-N-arylureido-Gruppe, eine N'-Aryl-N-alkylureido-Gruppe, eine N'-Aryl-N-arylureido-Gruppe, eine N',N'-Diaryl-N-alkylureido-Gruppe, eine N',N'-Diaryl-N-arylureido-Gruppe, eine N'-Alkyl-N'-aryl-N-alkylureido-Gruppe, eine N'-Alkyl-N'-aryl-N-arylureido-Gruppe, eine Alkoxycarbonylaminogruppe, eine Aryloxycarbonylaminogruppe, eine N-Alkyl-N-alkoxycarbonylamino-Gruppe, eine N-Alkyl-N-aryloxycarbonylamino-Gruppe, eine N-Aryl-N-alkoxycarbonylamino-Gruppe, eine N-Aryl-N-aryloxycarbonylamino-Gruppe, eine Formylgruppe, eine Acylgruppe, eine Carboxylgruppe, eine Alkoxycarbonylgruppe, eine Aryloxycarbonylgruppe, eine Carbamoylgruppe, eine N-Alkylcarbamoylgruppe, eine N,N-Dialkylcarbamoylgruppe, eine N-Arylcarbamoylgruppe, eine N,N-Diarylcarbamoylgruppe, eine N-Alkyl-N-arylcarbamoyl-Gruppe, eine Alkylsulfinylgruppe, eine Arylsulfinylgruppe, eine Alkylsulfonylgruppe, eine Arylsulfonylgruppe, eine Sulfogruppe (-SO₃H) und eine konjugierte Basengruppe davon (nachfolgend als Sulfonatogruppe bezeichnet), eine Alkoxysulfonylgruppe, eine Aryloxysulfonylgruppe, eine Sulfinamoylgruppe, eine N-Alkylsulfinamoylgruppe, eine N,N-Dialkylsulfinamoylgruppe, eine N-Arylsulfinamoylgruppe, eine N,N-Diarylsulfinamoylgruppe, eine N-Alkyl-N-arylsulfinamoyl-Gruppe, eine Sulfamoylgruppe, eine N-Alkylsulfamoylgruppe, eine N,N-Dialkylsulfamoylgruppe, eine N-Arylsulfamoylgruppe, eine N,N-Diarylsulfamoylgruppe, eine N-Alkyl-N-arylsulfamoylgruppe, eine Phosphonogruppe (-PO₃H₂) und eine konjugierte Basengruppe davon (nachfolgend als Phosphonatogruppe bezeichnet), eine Dialkylphosphonogruppe (-PO₃(Alkyl)₂), eine Diarylphosphonogruppe (-PO₃(Aryl)₂), eine Alkylarylphosphonogruppe (-PO₃(Alkyl)(aryl)), eine Monoalkylphosphonogruppe (-PO₃H(Alkyl)) und eine konjugierte Basengruppe davon (nachfolgend als Alkylphosphonatogruppe bezeichnet), eine Monoarylphosphonogruppe (-PO₃H(Aryl)) und eine konjugierte Basengruppe davon (nachfolgend als Arylphosphonatogruppe bezeichnet), eine Phosphonooxygruppe (-OPO₃H₂) und eine konjugierte Basengruppe davon (nachfolgend als Phosphonatooxygruppe bezeichnet), eine Dialkylphosphonooxygruppe (-OPO₃(Alkyl)₂), eine Diarylphosphonooxygruppe (-OPO₃(Aryl)₂), eine Alkylarylphosphonooxygruppe (-OPO₃(Alkyl)(aryl)), eine Monoalkylphosphonooxygruppe (-OPO₃H(Alkyl)) und eine konjugierte Basengruppe davon (nachfolgend als Alkylphosphonatooxygruppe bezeichnet), eine Monoarylphosphonooxygruppe (-OPO₃H(Aryl)) und eine konjugierte Basengruppe davon (nachfolgend als Arylphosphonatooxygruppe bezeichnet), eine Cyanogruppe, eine Nitrogruppe, eine Arylgruppe, eine Alkenylgruppe und eine Alkinylgruppe ein.
Spezifische Beispiele für die Alkylgruppe in diesen Substituenten schliessen die oben beschriebenen Alkylgruppen ein und spezifische Beispiele für die Arylgruppe schliessen eine Phenylgruppe, eine Biphenylgruppe, eine Naphthylgruppe, eine Tolylgruppe, eine Xylylgruppe, eine Mesitylgruppe, eine Cumenylgruppe, eine Chlorphenylgruppe, eine Bromphenylgruppe, eine Chlormethylphenylgruppe, eine Hydroxyphenylgruppe, eine Methoxyphenylgruppe, eine Ethoxyphenylgruppe, eine Phenoxyphenylgruppe, eine Acetoxyphenylgruppe, eine Benzoyloxyphenylgruppe, eine Methylthiophenylgruppe, eine Phenylthiophenylgruppe, eine Methylaminophenylgruppe, eine Dimethylaminophenylgruppe, eine Acetylaminophenylgruppe, eine Carboxyphenylgruppe, eine Methoxycarbonylphenylgruppe, eine Ethoxyphenylcarbonylgruppe, eine Phenoxycarbonylphenylgruppe, eine N-Phenylcarbamoylphenylgruppe, eine Phenylgruppe, eine Cyanophenylgruppe, eine Sulfophenylgruppe, eine Sulfonatophenylgruppe, eine Phosphonophenylgruppe und eine Phosphonatophenylgruppe ein.
Beispiele für die Alkenylgruppe schliessen eine Vinylgruppe, eine 1-Propenylgruppe, eine 1-Butenylgruppe, eine Cinnamylgruppe und eine 2-Chlor-1-ethenyl-Gruppe ein, und Beispiele für die Alkinylgruppe schliessen eine Ethinylgruppe, eine 1-Propinylgruppe, eine 1-Butinylgruppe und eine Trimethylsilylethinylgruppe ein. R⁵ in der Acylgruppe (R⁵CO-) schliesst Wasserstoff und die oben beschriebenen Alkyl- und Arylgruppen ein.
Unter diesen Substituenten weiter bevorzugt sind ein Halogenatom (-F, -Br, -Cl, -I), eine Alkoxygruppe, eine Aryloxygruppe, eine Alkylthiogruppe, eine Arylthiogruppe, eine N-Alkylaminogruppe, eine N,N-Dialkylaminogruppe, eine Acyloxygruppe, eine N-Alkylcarbamoyloxygruppe, eine N-Arylcarbamoyloxygruppe, eine Acylaminogruppe, eine Formylgruppe, eine Acylgruppe, eine Carboxylgruppe, eine Alkoxycarbonylgruppe, eine Aryloxycarbonylgruppe, eine Carbamoylgruppe, eine N-Alkylcarbamoylgruppe, eine N,N-Dialkylcarbamoylgruppe, eine N-Arylcarbamoylgruppe, eine N-Alkyl-N-arylcarbamoyl-Gruppe, eine Sulfogruppe, eine Sulfonatogruppe, eine Sulfamoylgruppe, eine N-Alkylsulfamoylgruppe, eine N,N-Dialkylsulfamoylgruppe, eine N-Arylsulfamoylgruppe, eine N-Alkyl-N-arylsulfamoyl-Gruppe, eine Phosphonogruppe, eine Phosphonatogruppe, eine Dialkylphosphonogruppe, eine Diarylphosphonogruppe, eine Monoalkylphosphonogruppe, eine Alkylphosphonatogruppe, eine Monoarylphosphonogruppe, eine Arylphosphonatogruppe, eine Phosphonooxygruppe, eine Phosphonatooxygruppe, eine Arylgruppe und eine Alkenylgruppe.
Die Alkenylgruppe in der substituierten Alkylgruppe ist ein divalenter organischer Rest, der aus der Entfernung eines Wasserstoffatoms aus den oben beschriebenen Alkylgruppen mit 1–20 Kohlenstoffatomen resultiert, vorzugsweise eine lineare Alkylengruppe mit 1–12 Kohlenstoffatomen, eine verzweigte Alkylengruppe mit 3–12 Kohlenstoffatomen oder eine cyclische Alkylengruppe mit 5–10 Kohlenstoffatomen. Spezifische bevorzugte Beispiele für die substituierte Alkylgruppe, die erhalten wird durch Kombination des Substituenten mit der Alkylengruppe, schliessen einen Chlormethylgruppe, eine Brommethylgruppe, eine 2-Chlorethylgruppe, eine Trifluormethylgruppe, eine Methoxymethylgruppe, eine Methoxyethoxyethylgruppe, eine Allyloxymethylgruppe, eine Phenoxymethylgruppe, eine Methylthiomethylgruppe, eine Tolylthiomethylgruppe, eine Ethylaminoethylgruppe, eine Diethylaminopropylgruppe, eine Morpholinopropylgruppe, eine Acetyloxymethylgruppe, eine Benzoyloxymethylgruppe, eine N-Cyclohexylcarbamoyloxyethylgruppe, eine N-Phenylcarbamoyloxyethylgruppe, eine Acetylaminoethylgruppe, eine N-Methylbenzoylaminopropylgruppe, eine 2-Oxoethylgruppe, eine 2-Oxopropylgruppe, eine Carboxypropylgruppe, eine Methoxycarbonylethylgruppe, eine Allyloxycarbonylbutylgruppe, eine Chlorphenoxycarbonylmethylgruppe, eine Carbamoylmethylgruppe, eine N-Methylcarbamoylethylgruppe, eine N,N-Dipropylcarbamoylmethylgruppe, eine N-(Methoxyphenyl)carbamoylethylgruppe, eine N-Methyl-N-(sulfophenyl)carbamoylmethyl-Gruppe, eine Sulfobutylgruppe, eine Sulfonatobutylgruppe, eine Sulfamoylbutylgruppe, eine N-Ethylsulfamoylmethylgruppe, eine N,N-Dipropylsulfamoylpropylgruppe, eine N-Tolylsulfamoylpropylgruppe, eine N-Methyl-N-(phosphonophenyl)sulfamoyloctyl-Gruppe, eine Phosphonobutylgruppe, eine Phosphonatohexylgruppe, eine Diethylphosphonobutylgruppe, eine Diphenylphosphonopropylgruppe, eine Methylphosphonobutylgruppe, eine Methylphosphonatobutylgruppe, eine Tolylphosphonohexylgruppe, eine Tolylphosphonatohexylgruppe, eine Phosphonooxypropylgruppe, eine Phosphonatooxybutylgruppe, eine Benzylgruppe, eine Phenethylgruppe, eine α-Methylbenzylgruppe, eine 1-Methyl-1-phenylethyl-Gruppe, eine p-Methylbenzylgruppe, eine Cinnamylgruppe, eine Allylgruppe, eine 1-Propenylmethylgruppe, eine 2-Butenylgruppe, eine 2-Methylallylgruppe, eine 2-Methylpropenylmethylgruppe, eine 2-Propinylgruppe, eine 2-Butinylgruppe und eine 3-Butinylgruppe ein.
Wenn R¹, R², R³ und R⁴ jeweils eine Arylgruppe darstellen, schliesst die Arylgruppe einen kondensierten Ring, der aus 1–3 Benzolringen gebildet wird, und einen kondensierten Ring, der aus einem Benzolring und einem 5-gliedrigen ungesättigten Ring gebildet wird, ein. Spezifische Beispiele hierfür schliessen eine Phenylgruppe, eine Naphthylgruppe, eine Anthrylgruppe, eine Phenanthrylgruppe, eine Indenylgruppe, eine Acenaphthenylgruppe und eine Fluorenylgruppe ein. Unter diesen sind eine Phenylgruppe und eine Naphthylgruppe bevorzugt. Die Arylgruppe schliesst ferner eine heterocyclische (Hetero)arylgruppe zusätzlich zu der oben beschriebenen carbocyclischen Arylgruppe ein.
Beispiele für die heterocyclische Arylgruppe schliessen eine Pyridylgruppe, eine Furylgruppe und einen kondensierten Ring daraus mit 3–20 Kohlenstoffatomen und 1–5 Heteroatomen mit einem Benzolring, wie beispielsweise eine Chinolylgruppe, eine Benzofurylgruppe, eine Thioxanthongruppe und eine Carbazolgruppe ein.
Wenn R¹, R², R³ und R⁴ jeweils eine substituierte Arylgruppe darstellen, schliesst die substituierte Arylgruppe die oben beschriebenen Arylgruppen mit einer monovalenten Nichtmetallatomgruppe, ausschliesslich Wasserstoff als Substituent, an den ringbildenden Kohlenstoffatomen ein. Bevorzugte Beispiele für den Substituenten schliessen die oben beschriebenen Alkylgruppen, substituierten Alkylgruppen und Substituenten der substituierten Alkylgruppe ein.
Spezifische bevorzugte Beispiele für die substituierte Arylgruppe schliessen eine Biphenylgruppe, eine Tolylgruppe, eine Xylylgruppe, eine Mesitylgruppe, eine Cumenylgruppe, eine Chlorphenylgruppe, eine Bromphenylgruppe, eine Fluorphenylgruppe, eine Chlormethylphenylgruppe, eine Trifluormethylphenylgruppe, eine Hydroxyphenylgruppe, eine Methoxyphenylgruppe, eine Methoxyethoxyphenylgruppe, eine Allyloxyphenylgruppe, eine Phenoxyphenylgruppe, eine Methylthiophenylgruppe, eine Tolylthiophenylgruppe, eine Ethylaminophenylgruppe, eine Diethylaminophenylgruppe, eine Morpholinophenylgruppe, eine Acetyloxyphenylgruppe, eine Benzoyloxyphenylgruppe, eine N-Cyclohexylcarbamoyloxyphenylgruppe, eine N-Phenylcarbamoyloxyphenylgruppe, eine Acetylaminophenylgruppe, eine N-Methylbenzoylaminophenylgruppe, eine Carboxyphenylgruppe, eine Methoxycarbonylphenylgruppe, eine Allyloxycarbonylphenylgruppe, eine Chlorphenoxycarbonylphenylgruppe, eine Carbamoylphenylgruppe, eine N-Methylcarbamoylphenylgruppe, eine N,N-Dipropylcarbamoylphenylgruppe, eine N-(Methoxyphenyl)carbamoylphenyl-Gruppe, eine N-Methyl-N-(sulfophenyl)carbamoylphenyl-Gruppe, eine Sulfophenylgruppe, eine Sulfonatophenylgruppe, eine Sulfamoylphenylgruppe, eine N-Ethylsulfamoylphenylgruppe, eine N,N-Dipropylsulfamoylphenylgruppe, eine N-Tolylsulfamoylphenylgruppe, eine N-Methyl-N-(phosphonophenyl)sulfamoylphenyl-Gruppe, eine Phosphonophenylgruppe, eine Phosphonatophenylgruppe, eine Diethylphosphonophenylgruppe, eine Diphenylphosphonophenylgruppe, eine Methylphosphonophenylgruppe, eine Methylphosphonatophenylgruppe, eine Tolylphosphonophenylgruppe, eine Tolylphosphonatophenylgruppe, eine Alkylgruppe, eine 1-Propenylmethylgruppe, eine 2-Butenylgruppe, eine 2-Methylallylphenylgruppe, eine 2-Methylpropenylphenylgruppe, eine 2-Propinylphenylgruppe, eine 2-Butinylphenylgruppe und eine 3-Butinylphenylgruppe ein.
Wenn R¹, R², R³ und R⁴ jeweils eine Alkenylgruppe, eine substituierte Alkenylgruppe [-C(R⁶)=C(R⁷)(R⁸)] , eine Alkinylgruppe oder eine substituierte Alkinylgruppe [-C≡C(R⁹)] repräsentieren, können R⁶ bis R⁹ jeweils eine monovalente Nichtmetallatomgruppe sein.
Bevorzugte Beispiele für R⁶ bis R⁹ schliessen ein Wasserstoffatom, ein Halogenatom, eine Alkylgruppe, eine substituierte Alkylgruppe, eine Arylgruppe und eine substituierte Arylgruppe ein. Spezifische Beispiele hierfür schliessen die oben beschriebenen ein. Die Substituenten R⁶ bis R⁹ sind jeweils weiter bevorzugt ein Wasserstoffatom, ein Halogenatom oder eine lineare, verzweigte oder cyclische Alkylgruppe mit 1–10 Kohlenstoffatomen.
Spezifische Beispiele für die Alkenylgruppe, die substituierte Alkenylgruppe, die Alkinylgruppe und die substituierte Alkinylgruppe schliessen eine Vinylgruppe, eine 1-Butenylgruppe, eine 1-Pentenylgruppe, eine 1-Hexenylgruppe, eine 1-Octenylgruppe, eine 1-Methyl-1-propenyl-Gruppe, eine 2-Methyl-1-propenyl-Gruppe, eine 2-Methyl-1-butenyl-Gruppe, eine 2-Phenyl-1-ethenyl-Gruppe, eine 2-Chlor-1-ethenyl-Gruppe, eine Ethinylgruppe, eine Propinylgruppe und eine Phenylethylgruppe ein.
R¹ und R³ sind jeweils bevorzugt eine Alkylgruppe, eine substituierte Alkylgruppe, eine Arylgruppe oder eine substituierte Arylgruppe, und R² und R⁴ sind jeweils bevorzugt Wasserstoff, eine Alkylgruppe, eine substituierte Alkylgruppe, eine Arylgruppe oder eine substituierte Arylgruppe.
Das durch E^– repräsentierte Gegenanion ist ein Anion mit einer negativen Ladung und bildet mit der positiven Ladung in der Ammoniumgruppe (-N⁺R¹R²R³), die eine hydrophile funktionelle Gruppe darstellt, ein Ionenpaar. Folglich ist das durch E– repräsentierte Gegenanion in einer Molzahl vorhanden, die zur Erzielung einer elektrischen Ladung notwendig ist, die der in der Ammoniumgruppe vorhandenen positiven Ladung entspricht.
Spezifische Beispiele für das Gegenanion schliessen F^–, Cl^–, Br^–, I^–, HO^–, CN^–, SO₄ ^2–, HSO₄ ^–, SO₃ ^2–, HS₃O^–, NO₃ ^–, CO₃ ^2–, HCO₃ ^–, PF₆ ^–, BF₄ ^–, ClO₄ ^–, ClO₃ ^–, ClO₂ ^–, ClO^–, BrO₄ ^–, BrO₃ ^–, BrO₂ ^–, BrO^–, IO₄ ^–, IO₃ ^–, IO₂ ^–, IO^–, ein Sulfonatanion, ein Carboxylatanion, ein Phosphonatanion und ein Phosphatanion ein.
Spezifische Beispiele für das Sulfonatanion sind nachfolgend angegeben, jedoch ist die vorliegende Erfindung in keiner Weise hierauf beschränkt.
Spezifische Beispiele für das Carboxylatanion sind nachfolgend angegeben, jedoch ist die vorliegende Erfindung in keiner Weise hierauf beschränkt.
Spezifische Beispiele für das Phosphonatanion sind nachfolgend angegeben, jedoch ist die vorliegende Erfindung in keiner Weise hierauf beschränkt.
Spezifische Beispiele für das Phosphatanion sind nachfolgend angegeben, jedoch ist die vorliegende Erfindung in keiner Weise hierauf beschränkt.
Unter diesen Anionen sind Cl^–, Br^–, I^–, CN^–, SO₄ ^2–, PF₆ ^–, BF₄ ^–, ClO₄ ^–, ein Sulfonatanion, ein Carboxylatanion, ein Phosphonatanion und ein Phosphatanion als erfindungsgemäss verwendetes Anion bevorzugt.
Unter diesen hydrophoben funktionellen Gruppen, die durch Wärme hydrophil werden können, sind im Hinblick auf die Reaktivität, die Lagerungsstabilität und die Unterscheidbarkeit zwischen Hydrophilizität und Hydrophobizität die funktionellen Gruppen der folgenden Formeln (1) bis (5) besonders bevorzugt:
worin L eine polyvalente Verbindungsgruppe ist, die ein Nichtmetallatom umfasst, R¹ ist eine Alkylgruppe, eine Arylgruppe, eine Alkenylgruppe, eine Alkinylgruppe oder eine cyclische Imidogruppe, R² und R³ sind jeweils eine Alkylgruppe, eine Arylgruppe, eine Alkenylgruppe oder eine Alkinylgruppe, R⁴ ist eine Alkylgruppe, eine Arylgruppe, eine Alkenylgruppe, eine Alkinylgruppe oder -SO₂-R¹¹, R⁵, R⁶ und R⁷ sind jeweils unabhängig voneinander eine Alkylgruppe, eine Arylgruppe, eine Alkenylgruppe oder eine Alkinylgruppe, eines von R⁸ und R⁹ ist Wasserstoff und das andere ist Wasserstoff, eine Alkylgruppe, eine Arylgruppe, eine Alkenylgruppe oder eine Alkinylgruppe, R¹⁰ ist eine Alkylgruppe, eine Alkenylgruppe oder eine Alkinylgruppe, R¹¹ ist eine Alkylgruppe, eine Arylgruppe, eine Alkenylgruppe oder eine Alkinylgruppe, und beliebige zwei oder drei aus R⁵, R⁶ und R⁷ können einen Ring bilden, R⁸ und R¹⁰ oder R⁹ und R¹⁰ können einen Ring bilden und X ist O oder S.
Wenn R¹ bis R¹¹ jeweils eine Alkylgruppe repräsentieren, schliesst die Alkylgruppe die oben beschriebenen funktionellen Gruppen ein.
Wenn R¹ bis R¹¹ jeweils eine substituierte Alkylgruppe repräsentieren, schliesst der Substituent die oben beschriebenen funktionellen Gruppen ein.
Wenn R¹ bis R⁹ und R¹¹ jeweils eine Arylgruppe darstellen, schliesst die Arylgruppe die oben beschriebenen funktionellen Gruppen ein.
Wenn R¹ bis R⁹ und R¹¹ jeweils eine substituierte Arylgruppe darstellen, schliesst die substituierte Arylgruppe die oben beschriebenen funktionellen Gruppen ein.
Wenn R¹ bis R¹¹ jeweils eine Alkenylgruppe, eine substituierte Alkenylgruppe [-C(R¹³)=((R¹⁴)(R¹⁵)] eine Alkinylgruppe oder eine substituierte Alkinylgruppe [-C≡C(R¹⁶)] darstellen, können R¹³ bis R¹⁶ jeweils eine monovalente Nichtmetallatomgruppe sein.
Bevorzugte Beispiele für R¹³ bis R¹⁶ schliessen ein Wasserstoffatom, ein Halogenatom, eine Alkylgruppe, eine substituierte Alkylgruppe, eine Arylgruppe und eine substituierte Arylgruppe ein. Spezifische Beispiele hierfür schliessen die oben beschriebenen ein.
Wenn R¹ eine cyclische Imidogruppe ist, schliesst die cyclische Imidogruppe solche mit 4–20 Kohlenstoffatomen ein, wie beispielsweise Bernsteinsäureimid, Phthalsäureimid, Cyclohexandicarbonsäureimid und Norbornendicarbonsäureimid.
R¹ ist weiter bevorzugt eine Alkylgruppe, eine substituierte Alkylgruppe oder eine cyclische Imidogruppe.
R², R³, R⁴ und R¹¹ sind jeweils weiter bevorzugt eine Alkylgruppe, die mit einer elektronenentziehenden Gruppe, wie beispielsweise Halogen, Cyano oder Nitro, substituiert ist, eine Arylgruppe, die mit einer elektronenentziehenden Gruppe, wie beispielsweise Halogen, Cyano oder Nitro, substituiert ist, oder eine sekundäre oder tertiäre verzweigte Alkylgruppe.
R⁵ bis R⁹ sind jeweils vorzugsweise eine Alkylgruppe, eine substituierte Alkylgruppe, eine Arylgruppe oder eine substituierte Arylgruppe, und R¹⁰ ist vorzugsweise eine Alkylgruppe oder eine substituierte Alkylgruppe, mit der Massgabe, dass beliebige zwei oder drei aus R⁵, R⁶ und R⁷ einen Ring bilden, oder das R⁸ und R¹⁰ oder R⁹ und R¹⁰ einen Ring bilden.
Die durch L repräsentierte polyvalente Verbindungsgruppe, die eine Nichtmetallatomgruppe umfasst, umfasst 1–60 Kohlenstoffatome, 0–10 Stickstoffatome, 0–50 Sauerstoffatome, 1–100 Wasserstoffatome und 0–20 Schwefelatome. Genauer schliesst die Verbindungsgruppe diejenigen ein, die eine Kombination aus den folgenden Struktureinheiten umfassen.
Wenn die polyvalente Verbindungsgruppe einen Substituenten aufweist, schliessen Beispiele für den verwendbaren Substituenten eine Alkylgruppe mit 1–20 Kohlenstoffatomen, wie beispielsweise eine Methylgruppe und eine Ethylgruppe, eine Arylgruppe mit 6–16 Kohlenstoffatomen, wie beispielsweise eine Phenylgruppe und eine Naphthylgruppe, und eine Acyloxygruppe mit 1–6 Kohlenstoffatomen, wie beispielsweise eine Hydroxylgruppe, eine Carboxylgruppe, eine Sulfonamidogruppe, eine N-Sulfonylamidogruppe und eine Acetoxygruppe, eine Alkoxygruppe mit 1–6 Kohlenstoffatomen, wie beispielsweise eine Methoxygruppe und eine Ethoxygruppe, ein Halogenatom, wie beispielsweise Chlor und Brom, eine Alkoxycarbonylgruppe mit 2–7 Kohlenstoffatomen, wie beispielsweise eine Methoxycarbonylgruppe, eine Ethoxycarbonylgruppe und eine Cyclohexyloxycarbonylgruppe, eine Cyanogruppe und eine Carbonsäureestergruppe, wie beispielsweise tert-Butylcarbonat, ein.
Spezifische Beispiele für das radikalisch polymerisierbare Monomer mit einer hydrophoben funktionellen Gruppe, die durch Wärme hydrophil gemacht werden kann, wie sie in geeigneter Weise zur Synthese der erfindungsgemäss verwendeten positiven polaren Umwandlungspolymerverbindung verwendet wird, sind nachfolgend angegeben, jedoch ist die vorliegende Erfindung in keiner Weise hierauf beschränkt.
Die erfindungsgemäss verwendete positive polare Umwandlungspolymerverbindung ist nicht sonderlich beschränkt, solange sie mindestens in einem Teil ihrer Seitenketten eine hydrophobe funktionelle Gruppe aufweist, die durch Einwirkung von Wärme hydrophil gemacht werden kann. Ferner kann auch eine andere funktionelle Gruppe als die hydrophobe funktionelle Gruppe, die durch Einwirkung von Wärme hydrophil gemacht werden kann, in der Seitenkette vorhanden sein. Daher kann auch ein Copolymer mit einem Monomer, das eine funktionelle Gruppe aufweist, die von einer hydrophoben funktionellen Gruppe, die durch Wärme hydrophil gemacht werden kann, unterschiedlich ist, in geeigneter Weise verwendet werden, solange dieses die erfindungsgemässe Wirkung nicht inhibiert. Beispiele für das radikale polymerisierbare Monomer mit einer solchen Seitenkette schliessen die folgenden Monomere ein.
Beispiele für in dem Copolymer verwendbare andere, radikalisch polymerisierbare Monomere schliessen bekannte Monomere ein, wie beispielsweise Acrylsäure, Acrylsäureester, Acrylamide, Methacrylsäure, Methacrylsäureester, Methacrylamide, Maleinsäure, Maleinsäureanhydrid, Maleinsäureester, Maleinsäureamide, Maleinsäureimide, Itaconsäure, Itaconsäureanhydrid, Itaconsäureester, Itaconsäureamide, Itaconsäureimide, Crotonsäure, Crotonsäureester, Crotonsäureamide, Fumarsäure, Fumarsäureester, Fumarsäureamide, Mesaconsäure, Mesaconsäureester, Mesaconsäureamide, α,β-ungesättigte Lactone, α,β-ungesättigte Lactame, ungesättigte Kohlenwasserstoffe, Vinylether, Vinylester, α,β-ungesättigte Ketone und Styrole.
Spezifische Beispiele für die Acrylsäureester schliessen Methylacrylat, Ethylacrylat, (n- oder i-)Propylacrylat, (n-, i-, sek- oder tert-)Butylacrylat, Pentylacrylat, Hexylacrylat, Heptylacrylat, Octylacrylat, Nonylacrylat, Decylacrylat, Amylacrylat, 2-Ethylhexylacrylat, Dodecylacrylat, Chlorethylacrylat, 2-Hydroxyethylacrylat, 2-Hydroxypropylacrylat, 5-Hydroxypentylacrylat, Cyclohexylacrylat, Allylacrylat, Trimethylolpropanmonoacrylat, Pentaerythritolmonoacrylat, Benzylacrylat, Methoxybenzylacrylat, Chlorbenzylacrylat, Hydroxybenzylacrylat, Hydroxyphenethylacrylat, Dihydroxyphenethylacrylat, Furfurylacrylat, Tetrahydrofurfurylacrylat, Phenylacrylat, Hydroxyphenylacrylat, Chlorphenylacrylat, Sulfamoylphenylacrylat und 2-(Hydroxyphenylcarbonyloxy)ethylacrylat ein.
Spezifische Beispiele für die Acrylamide schliessen Acrylamid, N-Methylacrylamid, N-Ethylacrylamid, N-(n- oder i-)Propylacrylamid, N-(n-, i-, sek- oder tert-)Butylacrylamid, N-Benzylacrylamid, N-Hydroxyethylacrylamid, N-Phenylacrylamid, N-Tolylacrylamid, N-(Hydroxyphenyl)acrylamid, N-(Sulfamoylphenyl)acrylamid, N-(Phenylsulfonyl)acrylamid, N-(Tolylsulfonyl)acrylamid, N,N-Dimethylacrylamid, N-Methyl-N-phenylacrylamid und N-Hydroxyethyl-N-methylacrylamid ein.
Beispiele für die Methacrylsäureester schliessen Methylmethacrylat, Ethylmethacrylat, (n- oder i-)Propylmethacrylat, (n-, i-, sek- oder tert-)Butylmethacrylat, Pentylmethacrylat, Hexylmethacrylat, Heptylmethacrylat, Octylmethacrylat, Nonylmethacrylat, Decylmethacrylat, Amylmethacrylat, 2-Ethylhexylmethacrylat, Dodecylmethacrylat, Chlorethylmethacrylat, 2-Hydroxyethylmethacrylat, 2-Hydroxypropylmethacrylat, 5-Hydroxypentylmethacrylat, Cyclohexylmethacrylat, Allylmethacrylat, Trimethylolpropanmonomethacrylat, Pentaerythritolmonomethacrylat, Benzylmethacrylat, Methoxybenzylmethacrylat, Chlorbenzylmethacrylat, Hydroxybenzylmethacrylat, Hydroxyphenethylmethacrylat, Dihydroxyphenethylmethacrylat, Furfurylmethacrylat, Tetrahydrofurfurylmethacrylat, Phenylmethacrylat, Hydroxyphenylmethacrylat, Chlorphenylmethacrylat, Sulfamoylphenylmethacrylat und 2-(Hydroxyphenylcarbonyloxy)ethylmethacrylat ein.
Spezifische Beispiele für die Methacrylamide schliessen Methacrylamid, N-Methylmethacrylamid, N-Ethylmethacrylamid, N-(n- oder i-)Propylmethacrylamid, N-(n-, i-, sek- oder tert-)Butylmethacrylamid, N-Benzylmethacrylamid, N-Hydroxyethylmethacrylamid, N-Phenylmethacrylamid, N-Tolylmethacrylamid, N-(Hydroxyphenyl)methacrylamid, N-(Sulfamoylphenyl)methacrylamid, N-(Phenylsulfonyl)methacrylamid, N-(Tolylsulfonyl)methacrylamid, N,N-Dimethylmethacrylamid, N-Methyl-N-phenylmethacrylamid und N-Hydroxyethyl-N-methylmethacrylamid ein.
Spezifische Beispiele für die Crotonsäureester schliessen Methylcrotonat, (n- oder i-)Propylcrotonat, (n-, i-, sek- oder tert-)Butylcrotonat, Pentylcrotonat, Hexylcrotonat, Heptylcrotonat, Octylcrotonat, Nonylcrotonat, Decylcrotonat, Amylcrotonat, 2-Ethylhexylcrotonat, Dodecylcrotonat, Chlorethylcrotonat, 2-Hydroxyethylcrotonat, 2-Hydroxypropylcrotonat, 5-Hydroxypentylcrotonat, Cyclohexylcrotonat, Allylcrotonat, Trimethylolpropanmonocrotonat, Pentaerythritolmonocrotonat, Benzylcrotonat, Methoxybenzylcrotonat, Chlorbenzylcrotonat, Hydroxybenzylcrotonat, Hydroxyphenethylcrotonat, Dihydroxyphenethylcrotonat, Furfurylcrotonat, Tetrahydrofurfurylcrotonat, Phenylcrotonat, Hydroxyphenylcrotonat, Chlorphenylcrotonat, Sulfamoylphenylcrotonat und 2-(Hydroxyphenylcarbonyloxy)ethylcrotonat ein.
Spezifische Beispiele für die Crotonsäureamide schliessen Crotonsäureamid, N-Methylcrotonsäureamid, N-Ethylcrotonsäuramid, N-(n- oder i-)Propylcrotonsäureamid, (N-(n-, i-, sek- oder tert-)Butylcrotonsäureamid, N-Benzylcrotonsäureamid, N-Hydroxyethylcrotonsäureamid, N-Phenylcrotonsäureamid, N-Tolylcrotonsäureamid, N-(Hydroxyphenyl)crotonsäureamid, N-(Sulfamoylphenyl)crotonsäureamid, N-(Phenylsulfonyl)crotonsäureamid, N-(Tolylsulfonyl)crotonsäureamid, N,N-Dimethylcrotonsäureamid, N-Methyl-N-phenylcrotonsäureamid und N-Hydroxyethyl-N-methylcrotonsäureamid ein.
Beispiele für die Maleinsäureester schliessen Dimethylmaleat, Diethylmaleat, Di(n- oder i-)propylmaleat, Di(n-, i-, sek- oder tert-)butylmaleat, Diphenylmaleat, Diallylmaleat, Monomethylmaleat, Monoethylmaleat, Mono(n- oder i-)propylmaleat, Mono(n-, i-, sek- oder tert-)butylmaleat, Dibenzylmaleat, Monobenzylmaleat, Methylethylmaleat, Methylpropylmaleat und Ethylpropylmaleat ein.
Spezifische Beispiele für die Maleinsäureamide schliessen Maleinsäureamid, N-Methylmaleinsäureamid, N-Ethylmaleinsäureamid, N-(n- oder i-)Propylmaleinsäureamid, N-(n-, i-, sek- oder tert-)Butylmaleinsäureamid, N-Benzylmaleinsäureamid, N-Hydroxyethylmaleinsäureamid, N-Phenylmaleinsäureamid, N-Tolylmaleinsäureamid, N-(Hydroxyphenyl)maleinsäureamid, N-(Sulfamoylphenyl)maleinsäureamid, N-(Phenylsulfonyl)maleinsäureamid, N-(Tolylsulfonyl)maleinsäureamid, N,N-Dimethylmaleinsäureamid, N-Methyl-N-phenylmaleinsäureamid, N-Hydroxyethyl-N-methylmaleinsäureamid, N-Methylmaleinsäuremonoamid, N-Ethylmaleinsäuremonoamid, N,N-Dimethylmaleinsäureamid, N-Methyl-N'-ethylmaleinsäureamid und N-Methyl-N'-phenylmaleinsäureamid ein.
Spezifische Beispiele für die Maleinsäureimide schliessen Maleinsäureimid, N-Methylmaleinsäureimid, N-Ethylmaleinsäureimid, N-(n- oder i-)Propylmaleinsäureimid, N-(n-, i-, sek- oder tert-)Butylmaleinsäureimid, N-Benzylmaleinsäureimid, N-Hydroxyethylmaleinsäureimid, N-Phenylmaleinsäureimid, N-Tolylmaleinsäureimid, N-(Hydroxyphenyl)maleinsäureimid, N-(Sulfamoylphenyl)maleinsäureimid, N-(Phenylsulfonyl)maleinsäureimid und N-(Tolylsulfonyl)maleinsäureimid ein.
Spezifische Beispiele für die Itaconsäureester schliessen Dimethylitaconat, Diethylitaconat, Di(n- oder i-)propylitaconat, Di(n-, i-, sek- oder tert-)butylitaconat, Diphenylitaconat, Diallylitaconat, Monomethylitaconat, Monoethylitaconat, Mono(n- oder i-)propylitaconat, Mono(n-, i-, sek- oder tert-)butylitaconat, Dibenzylitaconat, Monobenzylitaconat, Methylethylitaconat, Methylpropylitaconat und Ethylpropylitaconat ein.
Spezifische Beispiele für die Itaconsäureamide schliessen Itaconsäureamid, N-Methylitaconsäureamid, N-Ethylitaconsäureamid, N-(n- oder i-)Propylitaconsäureamid, N-(n-, i-, sek- oder tert-)Butylitaconsäureamid, N-Benzylitaconsäureamid, N-Hydroxyethylitaconsäureamid, N-Phenylitaconsäureamid, N-Tolylitaconsäureamid, N-(Hydroxyphenyl)itaconsäureamid, N-(Sulfamoylphenyl)itaconsäureamid, N-(Phenylsulfonyl)itaconsäureamid, N-(Tolylsulfonyl)itaconsäureamid, N,N-Dimethylitaconsäureamid, N-Methyl-N-phenylitaconsäureamid, N-Hydroxyethyl-N-methylitaconsäureamid, N-Methylitaconsäuremonoamid, N-Ethylitaconsäuremonoamid, N,N-Dimethylitaconsäuremonoamid, N-Methyl-N'-ethylitaconsäureamid und N-Methyl-N'-phenylitaconsäureamid ein.
Spezifische Beispiele für die Itaconsäureimide schliessen Itaconsäureimid, N-Methylitaconsäureimid, N-Ethylitaconsäureimid, N-(n- oder i-)Propylitaconsäureimid, N-(n-, i-, sek- oder tert-)Butylitaconsäureimid, N-Benzylitaconsäureimid, N-Hydroxyethylitaconsäureimid, N-Phenylitaconsäureimid, N-Tolylitaconsäureimid, N-(Hydroxyphenyl)itaconsäureimid, N-(Sulfamoylphenyl)itaconsäureimid, N-(Phenylsulfonyl)itaconsäureimid und N-(Tolylsulfonyl)itaconsäureimid ein.
Spezifische Beispiele für die Fumarsäureester schliessen Dimethylfumarat, Diethylfumarat, Di(n- oder i-)propylfumarat, Di(n-, i-, sek- oder tert-)butylfumarat, Diphenylfumarat, Diallylfumarat, Monomethylfumarat, Monoethylfumarat, Mono(n- oder i-)propylfumarat, Mono(n-, i-, sek- oder tert-)butylfumarat, Dibenzylfumarat, Monobenzylfumarat, Monoethylfumarat, Methylpropylfumarat und Ethylpropylfumarat ein.
Spezifische Beispiele für die Fumarsäureamide schliessen Fumarsäureamid, N-Methylfumarsäureamid, N-Ethylfumarsäureamid, N-(n- oder i-)Propylfumarsäureamid, N-(n-, i-, sek- oder tert-)Butylfumarsäureamid, N-Benzylfumarsäureamid, N-Hydroxyethylfumarsäureamid, N-Phenylfumarsäureamid, N-Tolylfumarsäureamid, N-(Hydroxyphenyl)fumarsäureamid, N-(Sulfamoylphenyl)fumarsäureamid, N-(Phenylsulfonyl)fumarsäureamid, N-(Tolylsulfonyl)fumarsäureamid, N,N-Dimethylfumarsäureamid, N-Methyl-N-phenylfumarsäureamid, N-Hydroxyethyl-N-methylfumarsäureamid, N-Methylfumarsäuremonoamid, N-Ethylfumarsäuremonoamid, N,N-Dimethylfumarsäuremonoamid, N-Methyl-N'-ethylfumarsäureamid und N-Methyl-N'-phenylfumarsäureamid ein.
Spezifische Beispiele für die Mesaconsäureester schliessen Dimethylmesaconat, Diethylmesaconat, Di(n- oder i-)propylmesaconat, Di(n-, i-, sek- oder tert-)butylmesaconat, Diphenylmesaconat, Diallylmesaconat, Monomethylmesaconat, Monoethylmesaconat, Mono(n- oder i-)propylmesaconat, Mono(n-, i-, sek- oder tert-)butylmesaconat, Dibenzylmesaconat, Monobenzylmesaconat, Methylethylmesaconat, Methylpropylmesaconat und Ethylpropylmesaconat ein.
Spezifische Beispiele für die Mesaconsäureamide schliessen Mesaconsäureamid, N-Methylmesaconsäureamid, N-Ethylmesaconsäureamid, N-(n- oder i-)Propylmesaconsäureamid, N-(n-, i-, sek- oder tert-)Butylmesaconsäureamid, N-Benzylmesaconsäureamid, N-Hydroxyethylmesaconsäureamid, N-Phenylmesaconsäureamid, N-Tolylmesaconsäureamid, N-(Hydroxyphenyl)mesaconsäureamid, N-(Sulfamoylphenyl)mesaconsäureamid, N-(Phenylsulfonyl)mesaconsäureamid, N-(Tolylsulfonyl)mesaconsäureamid, N,N-Dimethylmesaconsäureamid, N-Methyl-N-phenylmesaconsäureamid, N-Hydroxyethyl-N-methylmesaconsäureamid, N-Methylmesaconsäuremonoamid, N-Ethylmesaconsäuremonoamid, N,N-Dimethylmesaconsäuremonoamid, N-Methyl-N'-ethylmesaconsäureamid und N-Methyl-N'-phenylmesaconsäureamid ein.
Spezifische Beispiele für die Styrole schliessen Styrol, Methylstyrol, Dimethylstyrol, Trimethylstyrol, Ethylstyrol, Propylstyrol, Cyclohexylstyrol, Chlormethylstyrol, Trifluormethylstyrol, Ethoxymethylstyrol, Acetoxymethylstyrol, Methoxystyrol, Dimethoxystyrol, Chlorstyrol, Dichlorstyrol, Bromstyrol, Iodstyrol, Fluorstyrol, Carboxystyrol und Natrium-4-vinylbenzolsulfonat ein.
Spezifische Beispiele für die α,β-ungesättigten Lactone schliessen die folgenden Verbindungen ein:
Spezifische Beispiele für die α,β-ungesättigten Lactame schliessen die folgenden Verbindungen ein:
Spezifische Beispiele für die ungesättigten Kohlenwasserstoffe schliessen die oben beschriebenen Verbindungen ein.
Spezifische Beispiele für die Vinylether schliessen die oben beschriebenen Verbindungen ein.
Spezifische Beispiele für die Vinylester schliessen die oben beschriebenen Verbindungen ein.
Spezifische Beispiele für die α,β-ungesättigten Ketone schliessen die oben beschriebenen Verbindungen ein.
Der Anteil des Monomers mit einer hydrophoben funktionellen Gruppe, die durch Wärme hydrophil gemacht werden kann, das in der Synthese der erfindungsgemäss verwendeten, positiven, polaren Umwandlungspolymerverbindung verwendet wird, beträgt 5 Gew.% oder mehr, weiter bevorzugt 10–95 Gew.%. Wenn der Anteil dieses Monomers weniger als 5 Gew.% beträgt, wird die positive polare Umwandlungspolymerverbindung nicht hydrophil, selbst wenn die hydrophobe funktionelle Gruppe in der Seitenkette hydrophil wird, und als Ergebnis wird der Nichtbildbereich verschmutzt. Im Fall der Verwendung des oben beschriebenen anderen Monomers bei der Synthese der erfindungsgemäss verwendeten, positiven, polaren Umwandlungspolymerverbindung kann das copolymerisierbare andere Monomer in einem beliebigen Anteil verwendet werden, solange das Monomer mit der spezifischen funktionellen Gruppe in einem bevorzugten Verhältnis verwendet wird. Das copolymerisierbare andere Monomer kann entweder einzeln oder in Kombination aus zwei oder mehreren verwendet werden.
Spezifische Beispiele für die erfindungsgemäss verwendete, positive, polare Umwandlungspolymerverbindung sind nachstehend angegeben, jedoch ist die vorliegende Erfindung in keiner Weise hierauf beschränkt.
Die in der erfindungsgemässen Lithografie-Druckplattenoriginal verwendete, positive, polare Umwandlungspolymerverbindung besitzt vorzugsweise ein Gewichtsdurchschnitts-Molekulargewicht, gemessen mittels GPC, von 2.000 oder mehr, weiter bevorzugt 5.000–300.000, und hat vorzugsweise ein Zahlendurchschnitts-Molekulargewicht von 800 oder mehr, weiter bevorzugt 1.000–250.000. Der Polydispersionsgrad (Gewichtsdurchschnitts-Molekulargewicht /Zahlendurchschnitts-Molekulargewicht) ist vorzugsweise 1 oder mehr, vorzugsweise 1,1–10.
Die positive polare Umwandlungspolymerverbindung kann eine beliebige sein, ausgewählt aus einem Zufallspolymer, einem Blockpolymer und einem Pfropfpolymer, jedoch ist ein Zufallspolymer bevorzugt.
Beispiele für das in der Synthese der erfindungsgemäss verwendeten, positiven, polaren Umwandlungspolymerverbindung verwendete Lösungsmittel schliessen Tetrahydrofuran, Ethylendichlorid, Cyclohexanon, Methylethylketon, Aceton, Methanol, Ethanol, Ethylenglykolmonomethylether, Ethylenglykolmonoethylether, 2-Methoxyethylacetat, Diethylenglykoldimethylether, 1-Methoxy-2-propanol, 1-Methoxy-2-propylacetat, N,N-Dimethylformamid, N,N-Dimethylacetamid, Toluol, Ethylacetat, Ethyllactat, Methyllactat, Dimethylsulfoxid und Wasser ein. Diese Lösungsmittel können entweder einzeln oder in Kombination von zwei oder mehreren verwendet werden.
Als in der Synthese der erfindungsgemäss verwendeten, positiven, polaren Umwandlungspolymerverbindung verwendeter Radikalpolymerisationsinititator können bekannte Verbindungen, wie beispielsweise ein Initiator auf Azobasis und ein Peroxidinitiator verwendet werden.
Wenn die beschriebene positive, polare Umwandlungspolymerverbindung in der Schicht enthalten ist, die eine positive polare Umwandlungspolymerverbindung enthält, kann eine einzige positive polare Umwandlungspolymerverbindung verwendet werden, oder es kann eine Mischung aus zwei oder mehreren positiven polaren Umwandlungspolymerverbindungen verwendet werden.
Der Anteil der in der Schicht, die eine positive polare Umwandlungspolymerverbindung enthält, enthaltenen positiven, polaren Umwandlungspolymerverbindung beträgt vorzugsweise 40 Gew.% oder mehr, weiter bevorzugt 50 Gew.% oder mehr. Wenn die Zugabemenge weniger als 40 Gew.% beträgt, nimmt die Bildfestigkeit ab und die Drucklebensdauer wird niedrig.
Die von der positiven polaren Umwandlungspolymerverbindung unterschiedlichen Aufbaukomponenten, die in der Schicht, die eine positive polare Umwandlungspolymerverbindung enthält, enthalten sein können, werden nachfolgend beschrieben.
Licht/Wärme-Umwandlungsmittel
Licht/Wärme-Umwandlungsmittel, wie später beschrieben, können in geeigneter Weise als Licht/Wärme-Umwandlungsmittel verwendet werden, die zu der tintenaufnehmenden Schicht (Schicht (B)), die eine erfindungsgemäss verwendete, positive, polare Umwandlungspolymerverbindung enthält, zugegeben werden.
Säureerzeugendes Mittel
Die später beschriebenen säureerzeugenden Mittel können in geeigneter weise als säureerzeugendes Mittel verwendet werden, das zu der tintenaufnehmenden Schicht, die eine erfindungsgemässe positive, polare Umwandlungspolymerverbindung enthält, zugegeben wird.
Sensibilisierungsfarbstoff
Die später beschriebenen Sensibilisierungsfarbstoffe können in geeigneter Weise als die Sensibilisierungsfarbstoffe verwendet werden, die zu der tintenaufnehmenden Schicht, die eine erfindungsgemäss verwendete, positive, polare Umwandlungspolymerverbindung enthält, zugegeben werden.
Tensid
Die später beschriebenen Tenside können in geeigneter Weise als die Tenside verwendet werden, die zu der tintenaufnehmenden Schicht, die eine erfindungsgemäss verwendete, positive, polare Umwandlungspolymerverbindung enthält, zugegeben werden.
Andere Aufbaukomponenten
Die tintenaufnehmende Schicht, die eine erfindungsgemäss verwendete, positive, polare Umwandlungspolymerverbindung enthält, kann bei Bedarf ferner verschiedene Additive enthalten. Beispielsweise werden bevorzugt ein Oniumsalz, eine aromatische Sulfonverbindung, eine aromatische Sulfonsäureesterverbindung oder dergleichen zugegeben, da das Salz oder die Verbindung als thermisch zersetzende Substanz wirkt, und die Wirkung der Inhibierung der Auflösung des Bildbereichs in einem Entwickler verbessert.
Beispiele für das Opiumsalz schliessen Diazoniumsalze, Ammoniumsalze, Phosphoniumsalze, Iodoniumsalze, Sulfoniumsalze, Selenoniumsalze und Arsoniumsalze ein. Geeignete Beispiele für das erfindungsgemäss verwendete Opiumsalz schliessen Diazoniumsalze ein, wie in S.I. Schlesinger, Photogr. Sci. Eng., 18, 387 (1974), T.S. Bal et al., Polymer, 21, 423 (1980) und JP-A-5-158230, beschrieben, Ammoniumsalze, wie in den US-PSen 4 069 055 und 4 069 056 und JP-A-3-140140 beschrieben, Phosphoniumsalze, wie in D.C. Necker et al., Macromolecules, 17, 2468 (1984), C.S. Wen et al., Teh. Proc. Conf. Rad. Curing, ASIA, Tokyo, Oktober, Seite 478 (1988) und den US-PSen 4 069 055 und 4 069 056 beschrieben, Iodoniumsalze, wie in J.V. Crivello et al., Macromolecules, 10(6), 1307 (1977), Chem. & Eng. News, 28. November, Seite 31 (1988), EP-PS 104 143, den US-PSen 339 049 und 40 201, JP-A-2-150848 und JP-A-2-296514 beschrieben, Sulfoniumsalze, wie in J.V. Crivello et al., Polymer J., 17, 73 (1985), J.V. Crivello et al., J. Org. Chem , 43, 3055 (1978), W.R. Watt et al., J. Polymer Sci., Polymer Chem. Ed., 22, 1789 (1984), J.V. Crivello et al., Polymer Bull., 14, 279 (1985), J.V. Crivello et al., Macromolecules 14(5), 1141 (1981), J.V. Crivello et al., J. Polymer Sci., Polymer Chem. Ed., 17, 2877 (1979), den EP-PSen 370 693, 233 567, 297 443 und 297 442, den US-PSen 4 933 377, 3 902 114, 410 201, 339 049, 4 760 013, 4 734 444 und 2 833 827 und den DE-PSen 2 904 626, 3 604 580 und 3 604 581 beschrieben, Selenoniumsalze, wie in J.V. Crivello et al., Macromolecules, 10(6), 1307 (1977), J.V. Crivello et al., J. Polymer Sci., und Polymer Chemich., 17, 1047 (1979) beschrieben, und Arsoniumsalze, wie in C.S. Wen et al., Teh. Proc., Conf. Rad. Curing ASIA, Tokyo, Oktober, Seite 478 (1988), beschrieben.
Geeignete Beispiele für das Gegenanion des Oniumsalzes schliessen Bortetrafluorid, Phosphorhexafluorid, Triisopropylnaphthalinsulfonsäure, 5-Nitro-o-toluolsulfonsäure, 5-Sulfonsalicylsäure, 2,5-Dimethylbenzolsulfonsäure, 2,4,6-Trimethylbenzolsulfonsäure, 2-Nitrobenzolsulfonsäure, 3-Chlorbenzolsulfonsäure, 3-Brombenzolsulfonsäure, 2-Fluorcaprylnaphthalinsulfonsäure, Dodecylbenzolsulfonsäure, 1-Naphthol-5-sulfonsäure, 2-Methoxy-4-hydroxy-5-benzoyl-benzolsulfonsäure und p-Toluolsulfonsäure ein. Unter diesen sind Phosphorhexafluorid, Triisopropylnaphthalinsulfonsäure und alkylaromatische Sulfonsäure, wie beispielsweise 2,5-Dimethylbenzolsulfonsäure, weiter bevorzugt.
Die Zugabemenge des Oniumsalzes als Additiv beträgt vorzugsweise 1–50 Gew.%, weiter bevorzugt 5–30 Gew.%, noch weiter bevorzugt 10–30 Gew.%. Erfindungsgemäss werden das Additiv und das Bindemittel vorzugsweise in die gleiche Schicht inkorporiert.
Zum Zweck der weiteren Verbesserung der Empfindlichkeit können auch ein cyclisches Säureanhydrid, ein Phenol oder eine organische Säure in Kombination miteinander verwendet werden. Beispiele für die verwendbaren cyclischen Säureanhydride schliessen Phthalsäureanhydrid, Tetrahydrophthalsäureanhydrid, Hexahydrophthalsäureanhydrid, 3,6-Endoxy-Δ⁴-tetrahydrophthalinsäureanhydrid, Tetrachlorphthalsäureanhydrid, Maleinsäureanhydrid, Chlormaleinsäureanhydrid, α-Phenylmaleinsäureanhydrid, Bernsteinsäureanhydrid und Pyromellitsäureanhydrid, wie in US-PS 4 115 128 beschrieben, ein. Beispiele für die Phenole schliessen Bisphenol A, p-Nitrophenol, p-Ethoxyphenol, 2,4',4'-Trihydroxybenzophenon, 2,3,4-Trihydroxybenzophenon, 4-Hydroxybenzophenon, 4,4',4"-Trihydroxytriphenylmethan und 4,4',3",4"-Tetrahydroxy-3,5,3',5'-tetramethyltriphenylmethan ein.
Beispiele für die organischen Säuren schliessen Sulfonsäuren, Sulfinsäuren, Alkylschwefelsäuren, Phosphonsäuren, Phosphorsäureester und Carbonsäuren, wie in JP-A-60-88942 und JP-A-2-96755 beschrieben, ein. Spezifische Beispiele hierfür schliessen p-Toluolsulfonsäure, Dodecylbenzolsulfonsäure, p-Toluolsulfinsäure, Ethylschwefelsäure, Phenylphosphonsäure, Phenylphosphinsäure, Phenylphosphat, Diphenylphosphat, Benzoesäure, Isophthalsäure, Adipinsäure, p-Toluylsäure, 3,4-Dimethoxybenzoesäure, Phthalsäure, Terephthalsäure, 4-Cyclohexen-1,2-dicarbonsäure, Erucasäure, Laurinsäure, n-Undecansäure und Ascorbinsäure ein.
Der Anteil, den das cyclische Säureanhydrid, das Phenol oder die organische Säure in der tintenaufnehmenden Schicht einnimmt, beträgt 0,05–20 Gew.%, weiter bevorzugt 0,1–15 Gew.%, noch weiter bevorzugt 0,1–10 Gew.%.
Die tintenaufnehmende Schicht, die eine erfindungsgemäss verwendete, positive, polare Umwandlungspolymerverbindung enthält, kann ein Ausdruckmittel zum Erhalt eines sichtbaren Bildes unmittelbar nach der Erwärmung durch Belichtung oder einen Farbstoff oder ein Pigment als Bildeinfärbungsmittel enthalten.
Ein repräsentatives Beispiel für das Ausdruckmittel ist eine Kombination aus einer Verbindung, die zur Freisetzung einer Säure durch Wärme bei Belichtung in der Lage ist (Fotosäure freisetzendes Mittel), und einem organischen Farbstoff, der ein Salz bilden kann. Spezifische Beispiele hierfür schliessen eine Kombination aus o-Naphthochinondiazid-4-sulfonsäurehalogenid und einer salzbildenden organischen Säure ein, wie in JP-A-50-36209 und JP-A-53-8128 beschrieben, und eine Kombination aus einer Trihalogenmethylverbindung und einem salzbildenden organischen Farbstoff, wie in JP-A-53-36223, JP-A-54-74728, JP-A-60-3626, JP-A-61-143748, JP-A-61-151644 und JP-A-63-58440 beschrieben, ein. Die Trihalogenmethylverbindung schliesst eine Verbindung auf Oxazolbasis und eine Verbindung auf Triazinbasis ein. Jede Verbindung besitzt eine exzellente Alterungsstabilität und liefert ein scharfes Druckbild.
Als Bildeinfärbungsmittel können andere Farbstoffe als die oben beschriebenen salzbildenden, organischen Farbstoffe verwendet werden. Geeignete Farbstoffe, einschliesslich der salzbildenden organischen Farbstoffe, sind öllösliche Farbstoffe und basische Farbstoffe. Spezifische Beispiele hierfür schliessen Ölgelb #101, Ölgelb #103, Ölpink #312, Ölgrün BG, Ölblau BOS, Ölblau #603, Ölschwarz BY, Ölschwarz BS, Ölschwarz T-505 (alle hergestellt von Orient Kagaku Kogyo K.K.), Victoria-Reinblau, Kristallviolett (CI42555), Methylviolett (CI42535), Ethylviolett, Rhodamin B (CI45170B), Malachitgrün (CI42000) und Methylenblau (CI52015) ein. Weiter bevorzugt sind die in JP-A-62-293247 beschriebenen Farbstoffe. Der Farbstoff kann zu der tintenaufnehmenden Schicht in einem Anteil von 0,01–10 Gew.%, vorzugsweise 0,1–3 Gew.%, zugegeben werden.
Die erfindungsgemäss verwendete tintenaufnehmende Schicht kann ferner bei Bedarf zur Vermittlung der Flexibilität in einer Beschichtungsschicht einen Weichmacher enthalten.
Beispiele hierfür schliessen Butylphthalat, Polyethylenglykol, Tributylcitrat, Diethylphthalat, Dibutylphthalat, Dihexylphthalat, Dioctylphthalat, Tricresylphosphat, Tributylphosphat, Trioctylphosphat, Tetrahydrofurfuryloleat und Oligomere und Polymere einer Acrylsäure oder Methacrylsäure ein.
Ferner können in Abhängigkeit vom Verwendungszweck in geeigneter Weise eine Epoxyverbindung, ein Vinylether, eine Phenolverbindung mit einer Hydroxymethylgruppe und eine Phenolverbindung mit einer Alkoxymethylgruppe, wie in JP-A-8-276558 beschrieben, und ein die Auflösungsinhibierung verstärkendes Vernetzungsmittel, wie in der früher von den hiesigen Erfindern angemeldeten JP-A-11-160860 beschrieben, zugegeben werden.
Schicht, die ein in wässriger Alkalilösung lösliches Harz enthält
Die in dem erfindungsgemässen Lithografie-Druckplattenoriginal verwendete "Schicht, die ein in wässriger Alkalilösung lösliches Harz enthält", bedeutet eine Schicht, die mindestens ein unten beschriebenes, in wässriger Alkalilösung lösliches Harz enthält.
In wässriger Alkalilösung lösliches Harz
Die erfindungsgemäss verwendete in wässrigem Alkali lösliche Polymerverbindung (b) kennzeichnet solche, die die folgende Säureradikalstruktur in der Hauptkette oder Seitenkette einer Polymerverbindung aufweisen:
phenolische Hydroxygruppe (-Ar-OH), Carbonsäuregruppe (-CO₂H), Sulfonsäuregruppe (-SO₃H), Phosphorsäuregruppe (-OPO₃H), Sulfonamidogruppe (-SO₂NH-R) und substituierte Säuregruppen auf Sulfonamidbasis (aktive Imidgruppe) (-SO₂NHCOR, -SO₂NHSO₂R, -CONHSO₂R).
In diesen Formeln ist Ar eine zweiwertige Arylgruppe, die einen Substituenten aufweisen kann, und R ist eine Kohlenwasserstoffgruppe, die einen Substituenten aufweisen kann.
Unter diesen sind bevorzugte Säureradikale (b-1) eine phenolische Hydroxygruppe, (b-2) eine Sulfonamidgruppe und (b-3) eine aktive Imidogruppe. Insbesondere ist ein in wässriger Alkalilösung lösliches Harz mit (b-1) einer phenolischen Hydroxygruppe (nachfolgend. als "Harz mit einer phenolischen Hydroxygruppe" bezeichnet) am meisten bevorzugt.
Beispiele für die Polymerverbindung mit (b-1) einer phenolischen Hydroxygruppe schliessen Novolakharze ein, wie beispielsweise ein Kondensationspolymer aus Phenol mit Formaldehyd (nachfolgend als "Phenol-Formaldehydharz" bezeichnet), ein Kondensationspolymer aus m-Kresol mit Formaldehyd (nachfolgend als "m-Kresol-Formaldehydharz" bezeichnet), ein Kondensationspolymer aus p-Kresol mit Formaldehyd, ein Kondensationspolymer aus gemischtem m,p-Kresol mit Formaldehyd und ein Kondensationspolymer aus Phenol, Kresol (ein beliebiges aus m-Kresol, p-Kresol und m,p-Kresol) und Formaldehyd und Kondensationspolymere aus Pyrogallol und Aceton. Ferner kann auch ein Copolymer verwendet werden, das erhalten wird durch Copolymerisation eines Monomers mit einer Phenolgruppe in der Seitenkette. Beispiele für das Monomer mit einer Phenolgruppe schliessen Acrylamid, Methacrylamid, Acrylsäureester, Methacrylsäureester und Hydroxystyrol, die jeweils eine Phenolgruppe aufweisen, ein.
Spezifische Beispiele für das in geeigneter Weise verwendbare Monomer schliessen N-(2-Hydroxyphenyl)acylamid, N-(3-Hydroxyphenyl)acrylamid, N-(4-Hydroxyphenyl)acrylamid, N-(2-Hydroxyphenyl)methacrylamid, N-(3-Hydroxyphenyl)methacrylamid, N-(4-Hydroxyphenyl)methacrylamid, o-Hydroxyphenylacrylat, n-Hydroxyphenylacrylat, p-Hydroxyphenylacrylat, o-Hydroxyphenylmethacrylat, m-Hydroxyphenylmethacrylat, p-Hydroxyphenylmethacrylat, o-Hydroxystyrol, m-Hydroxystyrol, p-Hydroxystyrol, 2-(2-Hydroxyphenyl)ethylacrylat, 2-(3-Hydroxyphenyl)ethylacrylat, 2-(4-Hydroxyphenyl)ethylacrylat, 2-(2-Hydroxyphenyl)ethylmethacrylat, 2-(3-Hydroxyphenyl)ethylmethacrylat und 2-(4-Hydroxyphenyl)ethylmethacrylat ein.
Im Hinblick auf die Bildgebungseigenschaften besitzt das Polymer vorzugsweise ein Gewichtsdurchschnitts-Molekulargewicht von 5,0 × 102 bis 2,0 × 104 und ein Zahlendurchschnitts-Molekulargewicht von 2,0 × 102 bis 1,0 × 10⁴. Diese Harze können entweder einzeln oder in Kombination aus zwei oder mehreren verwendet werden. Im Fall der Verwendung einer Harzkombination kann ein Kondensationspolymer aus Phenol mit einer Alkylgruppe mit 3–8 Kohlenstoffatomen als Substituent mit Formaldehyd in Kombination verwendet werden, wie beispielsweise ein Kondensationspolymer aus t-Butylphenol mit Formaldehyd, und ein Kondensationspolymer aus Octylphenol mit Formaldehyd, wie in US-PS 4 123 279 beschrieben.
Das Harz mit einer phenolischen Hydroxygruppe besitzt vorzugsweise ein Gewichtsdurchschnitts-Molekulargewicht von 500–20.000 und ein Zahlendurchschnitts-Molekulargewicht von 200–10.000.
Beispiele für die in Alkaliwasser lösliche Polymerverbindung mit (b-2) einer Sulfonamidogruppe schliessen Polymerverbindungen ein, die erhalten werden durch Homopolymerisation eines polymerisierbaren Monomers mit (b-2) einer Sulfonamidogruppe, das ein die Polymerverbindung aufbauendes Hauptmonomer ist, oder durch Copolymerisation dieses Monomers mit einem anderen polymerisierbaren Monomer. Beispiele für das polymerisierbare Monomer mit einer Sulfonamidogruppe schliessen Monomere ein, die eine niedermolekulargewichtige Verbindung mit einer oder mehreren Sulfonamidogruppen umfassen und mindestens ein Wasserstoffatom am Stickstoffatom (-NH-SO₂-) und eine oder mehrere polymerisierbare ungesättigte Bindung (en) enthalten. Unter diesen sind Monomere, die eine niedermolekulargewichtige Verbindung mit einer Acryloylgruppe, einer Allylgruppe oder einer Vinyloxygruppe, und eine substituierte oder monosubstituierte Aminosulfonylgruppe oder eine substituierte Sulfonyliminogruppe aufweisen, bevorzugt.
Beispiele für die Verbindung schliessen die Verbindungen der folgenden Formeln (6) bis (10) ein.
worin X¹ und X² jeweils -O- oder -NR²⁷- repräsentieren, R²¹ und R²⁴ sind jeweils ein Wasserstoffatom oder -CH₃, R²², R²⁵, R²⁹, R³² und R³⁶ sind jeweils eine Alkylengruppe mit 1–12 Kohlenstoffatomen, die einen Substituenten aufweisen kann, eine Cycloalkylengruppe, die einen Substituenten aufweisen kann, eine Arylengruppe, die einen Substituenten aufweisen kann, oder eine Aralkylengruppe, die einen Substituenten aufweisen kann, R²³, R²⁷ und R³³ sind jeweils ein Wasserstoffatom, eine Alkylgruppe mit 1–12 Kohlenstoffatomen, die einen Substituenten aufweisen kann, eine Cycloalkylgruppe, die einen Substituenten aufweisen kann, eine Arylgruppe, die einen Substituenten aufweisen kann, oder eine Aralkylgruppe, die einen Substituenten aufweisen kann, R²⁶ und R³⁷ sind jeweils eine Alkylgruppe mit 1–12 Kohlenstoffatomen, die einen Substituenten aufweisen kann, eine Cycloalkylgruppe, die einen Substituenten aufweisen kann, eine Arylgruppe, die einen Substituenten aufweisen kann, oder eine Aralkylgruppe, die einen Substituenten aufweisen kann, R²⁸, R³⁰ und R³⁴ sind jeweils ein Wasserstoffatom oder -CH₃, R³¹ und R³⁵ sind jeweils eine Einfachbindung, eine Alkylengruppe mit 1–12 Kohlenstoffatomen, die einen Substituenten aufweisen kann, eine Cycloalkylengruppe, die einen Substituenten aufweisen kann, eine Arylengruppe, die einen Substituenten aufweisen kann, oder eine Aralkylengruppe, die einen Substituenten aufweisen kann, und Y¹ und Y² sind jeweils eine Einfachbindung oder -CO-.
Spezifische Beispiele für diese Verbindung, die in geeigneter Weise verwendet werden können, schliessen m-Aminosulfonylphenylmethacrylat, N-(p-Aminosulfonylphenyl)methacrylamid und N-(p-Aminosulfonylphenyl)acrylamid ein.
Die alkaliwasserlösliche Polymerverbindung mit (b-3) einer aktiven Imidgruppe ist eine Verbindung mit einer aktiven Imidogruppe im Molekül, die durch die folgende Formel repräsentiert wird. Beispiele für die Verbindung schliessen Polymerverbindungen ein, die erhalten werden durch Copolymerisation des Monomers mit (b-3) einer aktiven Imidogruppe, das das die Polymerverbindung aufbauende Hauptmonomer ist, und das ein Monomer ist, das eine oder mehrere aktive Imidogruppe(n) der folgenden Formel und eine oder mehrere polymerisierbare ungesättigte Bindung (en) in einem Molekül aufweist:
Spezifische Beispiele für diese Verbindung, die in geeigneter Weise verwendet werden können, schliessen N-(p-Toluolsulfonyl)methacrylamid und N-(p-Toluolsulfonyl)acrylamid ein.
Das erfindungsgemäss verwendete alkaliwasserlösliche Copolymer ist nicht auf diejenigen beschränkt, die durch Copolymerisation eines Monomers mit einer sauren Gruppe (b-1), (b-2) oder (b-3) erhalten werden, sondern es können auch diejenigen verwendet werden, die erhalten werden durch Copolymerisation von zwei oder mehr Monomeren mit der gleichen sauren Gruppe oder zwei oder mehr Monomeren mit unterschiedlichen sauren Gruppen. Die Copolymerisation kann unter Anwendung eines herkömmlichen bekannten Verfahrens, wie beispielsweise Pfropfcopolymerisation, Blockcopolymerisation und Zufallscopolymerisation, durchgeführt werden.
Das Copolymer enthält vorzugsweise 10 mol-% oder mehr, weiter bevorzugt 20 mol-% oder mehr, des Monomers mit einer sauren Gruppe (b-1), (b-2) oder (b-3) als Copolymerisationskomponente. Wenn die Copolymerisationskomponente weniger als 10 mol-% beträgt, findet die Wechselwirkung mit dem Harz mit einer phenolischen Hydroxylgruppe nur in unzureichender Weise statt, und der Effekt der Verbesserung der Entwicklungsbreite, die durch Verwendung der Copolymerisierungskomponente hervorgerufen wird, kann nicht in zufriedenstellender Weise erzielt werden.
Das Copolymer kann zusätzlich zu dem Monomer mit einer sauren Gruppe (b-1), (b-2) oder (b-3) andere Copolymerisationskomponenten enthalten.
Beispiele für das Monomer, das als andere Copolymerisationskomponente verwendet werden kann, schliessen die folgenden Monomere (1) bis (12) ein:

(1) Acrylsäureester und Methacrylsäureester mit einer aliphatischen Hydroxylgruppe, wie 2-Hydroxyethylacrylat und 2-Hydroxyethylmethacrylat;
(2) Alkylacrylate, wie Methylacrylat, Ethylacrylat, Propylacrylat, Butylacrylat, Amylacrylat, Hexylacrylat, Octylacrylat, Benzylacrylat, 2-Chlorethylacrylat, Glycidylacrylat und N-Dimethylaminoethylacrylat;
(3) Alkylmethacrylate, wie Methylmethacrylat, Ethylmethacrylat, Propylmethacrylat, Butylmethacrylat, Amylmethacrylat, Hexylmethacrylat, Cyclohexylmethacrylat, Benzylmethacrylat, 2-Chlorethylmethacrylat, Glycidylmethacrylat und N-Dimethylaminoethylmethacrylat;
(4) Acrylamide und Methacrylamide, wie Acrylamid, Methacrylamid, N-Methylolacrylamid, N-Ethylacrylamid, N-Hexylmethacrylamid, N-Cyclohexylacrylamid, N-Hydroxyethylacrylamid, N-Phenylacrylamid, N-Nitrophenylacrylamid und N-Ethyl-N-phenylacrylamid;
(5) Vinylether, wie Ethylvinylether, 2-Chlorethylvinylether, Hydroxyethylvinylether, Propylvinylether, Butylvinylether, Octylvinylether und Phenylvinylether;
(6) Vinylester, wie Vinylacetat, Vinylchloracetat, Vinylbutyrat und Vinylbenzoat;
(7) Styrole, wie Styrol, α-Methylstyrol, Methylstyrol und Chlormethylstyrol;
(8) Vinylketone, wie Methylvinylketon, Ethylvinylketon, Propylvinylketon und Phenylvinylketon;
(9) Olefine, wie Ethylen, Propylen, Isobutylen, Butadien und Isopren;
(10) N-Vinylpyrrolidon, N-Vinylcarbazol, 4-Vinylpyridin, Acrylnitril und Methacrylnitril;
(11) ungesättigte Imide, wie Maleimid, N-Acryloylacrylamid, N-Acetylmethacrylamid, N-Propionylmethacrylamid und N-(p-Chlorbenzoyl)methacrylamid; und
(12) ungesättigte Carbonsäuren, wie Acrylsäure, Methacrylsäure, Maleinsäureanhydrid und Itaconsäure.

Im Hinblick auf die Schichtfestigkeit besitzt die erfindungsgemäss verwendete alkaliwasserlösliche Polymerverbindung unabhängig davon, ob es ein Homopolymer oder ein Copolymer ist, ein Gewichtsdurchschnitts-Molekulargewicht von 2.000 oder mehr und ein Zahlendurchschnitts-Molekulargewicht von 500 oder mehr. Die alkaliwasserlösliche Polymerverbindung hat weiter bevorzugt ein Gewichtsdurchschnitts-Molekulargewicht von 5.000–300.000, ein Zahlendurchschnitts-Molekulargewicht von 800–250.000 und einen Dispersionsgrad (Gewichtsdurchschnitts-Molekulargewicht/Zahlendurchschnitts-Molekulargewicht) von 1,1–10.
In dem Copolymer ist das Gewichtsverhältnis des Monomers mit einer sauren Gruppe (b-1), (b-2) oder (b-3) zu dem anderen beigemischten Monomer vorzugsweise 50:50–5:95, weiter bevorzugt 40:60–10:90, im Hinblick auf die Entwicklungsbreite.
Diese alkaliwasserlöslichen Polymerverbindungen können entweder einzeln oder in Kombination von zwei oder mehreren verwendet werden. Die alkaliwasserlösliche Polymerverbindung wird in einer Menge von 3–99 Gew.%, vorzugsweise 40–95 Gew.%, weiter bevorzugt 50–90 Gew.%, auf Basis des Gesamtfeststoffgehalts der Aufzeichnungsschicht zugegeben. Wenn die Zugabemenge an alkalilöslicher Polymerverbindung weniger als 30 Gew.% beträgt, ist die Haltbarkeit der Aufzeichnungsschicht verschlechtert, wohingegen bei mehr als 99 Gew.% Nachteile bezüglich sowohl der Empfindlichkeit als auch der Haltbarkeit hervorgerufen werden.
Die von dem in wässriger Alkalilösung löslichem Harz unterschiedlichen Aufbaukomponenten, die in der Schicht, die ein in wässriger Alkalilösung lösliches Harz enthält, enthalten sein können, werden nachfolgend beschrieben.
Licht/Wärme-Umwandlungsmittel
Es können die später beschriebenen Licht/Wärme-Umwandlungsmittel in geeigneter Weise als Licht/Wärme-Umwandlungsmittel verwendet werden, das zu der Schicht, die ein erfindungsgemäss verwendetes, in wässriger Alkalilösung lösliches Harz enthält, zugegeben wird.
Tensid
Es können die später beschriebenen Tenside in geeigneter Weise als Tensid verwendet werden, das zu der Schicht, die ein erfindungsgemäss verwendetes, in wässriger Alkalilösung lösliches Harz enthält, zugegeben wird.
Andere Aufbaukomponenten
Als Aufbaukomponenten, die von den oben beschriebenen unterschiedlich sind, die zu der Schicht, die ein erfindungsgemäss verwendetes, in wässriger Alkalilösung lösliches Harz enthält, zugegeben werden können, können die gleichen Komponenten als andere Aufbaukomponenten in geeigneter Weise verwendet werden, die zu der Schicht zugegeben werden, die eine positive polare Umwandlungspolymerverbindung enthält.
Schicht, die eine negative polare Umwandlungspolymerverbindung enthält
Die "Schicht, die eine negative polare Umwandlungspolymerverbindung enthält", wie sie in dem erfindungsgemässen Lithografie-Druckplattenoriginal verwendet wird, bedeutet eine Schicht, die mindestens eine der unten beschriebenen, negativen, polaren Umwandlungspolymerverbindungen enthält.
Negative polare Umwandlungspolymerverbindung
Die erfindungsgemäss verwendete, negative, polare Umwandlungspolymerverbindung ist wie oben beschrieben eine hydrophile Polymerverbindung, die durch Einwirkung von Wärme hydrophob werden kann. Beispiele für eine solche Polymerverbindung schliessen eine hydrophile Polymerverbindung ein, die in ihrer Seitenkette eine hydrophile funktionelle Gruppe aufweist, die durch Wärme hydrophob werden kann. Diese Veränderung muss von einem solchen Ausmass sein, dass, wenn eine Polymerverbindung, die bei herkömmlicher Temperatur Hydrophilizität zeigt, z.B. in Wasser aufgelöst wird oder quillt, durch Licht/Wärme-Umwandlung nach der Laserbelichtung erwärmt wird, die polaren funktionellen Umwandlungsgruppen in der Seitenkette der Verbindung teilweise oder vollständig durch die Wärme verändert werden, und die Verbindung als Ergebnis keine Hydrophilizität zeigt, z.B. in Wasser nicht aufgelöst wird oder quillt.
Bezüglich des Verfahrens, wie die hydrophile funktionelle Gruppe in der Seitenkette einer hydrophilen Polymerverbindung durch Wärme hydrophob wird, sind zwei Prozesse in Betracht zu ziehen. Einer ist ein Prozess, worin die ursprünglich hydrophile funktionelle Gruppe in der Seitenkette durch die Wärme eine Reaktion hervorbringt und dadurch hydrophob wird, und der andere ist ein Prozess, worin die ursprünglich hydrophile funktionelle Gruppe in der Seitenkette durch die Wärme zersetzt wird, wodurch die hydrophile funktionelle Gruppe verlorengeht, und dadurch hydrophob wird.
Als erstgenannter Prozess, in dem die hydrophile Gruppe als Ergebnis einer Reaktion durch Wärmeeinwirkung hydrophob wird, kann ein Prozess angenommen werden, worin die hydrophile funktionelle Gruppe mit einer anderen funktionellen Gruppe innerhalb des Polymers durch Wärmeeinwirkung reagiert und hydrophob wird, sowie ein Prozess, worin die hydrophile funktionelle Gruppe mit einer anderen Verbindung ausserhalb des Polymers durch Wärmeeinwirkung reagiert und hydrophob wird. Die funktionelle Gruppe kann durch eine Kombination dieser beiden Prozesse hydrophob gemacht werden.
Unter den oben beschriebenen Prozessen ist im Hinblick auf die Reaktivität ein Prozess bevorzugt, worin die ursprünglich hydrophile funktionelle Gruppe in der Seitenkette durch Wärmeeinwirkung zersetzt wird, wodurch die hydrophobe funktionelle Gruppe verlorengeht und dadurch hydrophob wird.
Erfindungsgemäss ist es bevorzugt, dass alle polaren funktionellen Umwandlungsgruppen in der Seitenkette der polaren Umwandlungspolymerverbindung hydrophob werden, dieses ist jedoch nicht sonderlich beschränkt und es ist nicht erforderlich, dass alle hydrophilen funktionellen Gruppen hydrophob werden, solange die polare Umwandlungspolymerverbindung verändert wird und keine Hydrophilizität zeigt, z.B. in Wasser nicht aufgelöst wird oder quillt.
Unter diesen hydrophilen funktionellen Gruppen, die durch Wärmeeinwirkung hydrophob werden können, ist die funktionelle Gruppe im Hinblick auf die Reaktivität, Lagerungsstabilität und Unterscheidbarkeit zwischen Hydrophilizität und Hydrophobizität besonders bevorzugt eine Carbonsäuregruppe oder eine Carboxylatgruppe der folgenden Formel (11) oder (12):
worin X ein Element der Gruppen 4–6 des Periodensystems oder ein Oxid, Sulfid, Selenid oder Tellurid davon ist, P ist eine Polymer-Hauptkette, L ist eine divalente Verbindungsgruppe, R₁ und R₂, die identisch oder voneinander verschieden sein können, sind jeweils eine monovalente Gruppe, und M ist ein Alkalimetall, ein Erdalkalimetall oder eine Oniumgruppe.
R₁ und R₂ sind jeweils vorzugsweise eine lineare, verzweigte oder cyclische Alkylgruppe mit 1–20 Kohlenstoffatomen. Spezifische Beispiele schliessen eine Methylgruppe, eine Ethylgruppe, eine Propylgruppe, eine Butylgruppe, eine Pentylgruppe, eine Hexylgruppe, eine Heptylgruppe, eine Octylgruppe, eine Nonylgruppe, eine Decylgruppe, eine Undecylgruppe, eine Dodecylgruppe, eine Tridecylgruppe, eine Hexadecylgruppe, eine Octadecylgruppe, eine Eicosylgruppe, eine Isopropylgruppe, eine Isobutylgruppe, eine sek-Butylgruppe, eine tert- Butylgruppe, eine Isopentylgruppe, eine Neopentylgruppe, eine 1-Methylbutylgruppe, eine Isohexylgruppe, eine 2-Ethylhexylgruppe, eine 2-Methylhexylgruppe, eine Cyclohexylgruppe, einen Cyclopentylgruppe und eine 2-Norbornylgruppe ein. Unter diesen sind eine lineare Alkylgruppe mit 1–12 Kohlenstoffatomen, eine verzweigte Alkylgruppe mit 3–12 Kohlenstoffatomen und eine cyclische Alkylgruppe mit 5–10 Kohlenstoffatomen bevorzugt. Diese Alkylgruppen können einen Substituenten aufweisen. Der Substituent der obigen Alkylgruppe ist eine monovalente Nichtmetallatomgruppe ausschliesslich Wasserstoff. Bevorzugte Beispiele hierfür schliessen ein Halogenatom (z.B. -F, -Br, -Cl, -I), eine Hydroxylgruppe, eine Alkoxygruppe, eine Aryloxygruppe, eine Mercaptogruppe, eine Alkylthiogruppe, eine Arylthiogruppe, eine Alkyldithiogruppe, eine Aryldithiogruppe, eine Aminogruppe, eine N-Alkylaminogruppe, eine N,N-Dialkylaminogruppe, eine N-Alkyl-N-arylamino-Gruppe, eine Acyloxygruppe, eine Carbamoyloxygruppe, eine N-Alkylcarbamoyloxygruppe, eine N-Arylcarbamoyloxygruppe, eine N,N-Dialkylcarbamoyloxygruppe, eine N,N-Diarylcarbamoyloxygruppe, eine N-Alkyl-N-arylcarbamoyloxy-Gruppe, eine Alkylsulfoxygruppe, eine Arylsulfoxygruppe, eine Acylthiogruppe, eine Acylaminogruppe, eine N-Alkylacylaminogruppe, eine N-Arylacylaminogruppe, eine Ureidogruppe, eine N'-Alkylureidogruppe, eine N',N'-Dialkylureidogruppe, eine N'-Arylureidogruppe, eine N',N'-Diarylureidogruppe, eine N'-Alkyl-N'-arylureido-Gruppe, eine N-Alkylureidogruppe, eine N-Arylureidogruppe, eine N'-Alkyl-N-alkylureido-Gruppe, eine N'-Alkyl-N-arylureido-Gruppe, eine N',N'-Dialkyl-N-alkylureido-Gruppe, eine N',N'-Dialkyl-N-arylureido-Gruppe, eine N'-Aryl-N-alkylureido-Gruppe, eine N'-Aryl-N-arylureido-Gruppe, eine N',N'-Diaryl-N-alkylureido-Gruppe, eine N',N'-Diaryl-N-arylureido-Gruppe, eine N'-Alkyl-N'-aryl-N-alkylureido-Gruppe, eine N'-Alkyl-N'-aryl-N-arylureido-Gruppe, eine Alkoxycarbonylaminogruppe, eine, Aryloxycarbonylaminogruppe, eine N-Alkyl-N-alkoxycarbonylamino-Gruppe, eine N-Alkyl-N-aryloxycarbonylamino-Gruppe, eine N-Aryl-N-alkoxycarbonylamino-Gruppe, eine N-Aryl-N-aryloxycarbonylamino-Gruppe, eine Formylgruppe, eine Acylgruppe, eine Carboxylgruppe, eine Alkoxycarbonylgruppe, eine Aryloxycarbonylgruppe, eine Carbamoylgruppe, eine N-Alkylcarbamoylgruppe, eine N,N-Dialkylcarbamoylgruppe, eine N-Arylcarbamoylgruppe, eine N,N-Diarylcarbamoylgruppe, eine N-Alkyl-N-arylcarbamoyl-Gruppe, eine Alkylsulfinylgruppe, eine Arylsulfinylgruppe, eine Alkylsulfonylgruppe, eine Arylsulfonylgruppe, eine Sulfogruppe (-SO₃H) und eine konjugierte Basengruppe davon (nachfolgend als Sulfonatogruppe bezeichnet), eine Alkoxysulfonylgruppe, eine Aryloxysulfonylgruppe, eine Sulfinamoylgruppe, eine N-Alkylsulfinamoylgruppe, eine N,N-Dialkylsulfinamoylgruppe, eine N-Arylsulfinamoylgruppe, eine N,N-Diarylsulfinamoylgruppe, eine N-Alkyl-N-arylsulfinamoyl-Gruppe, eine Sulfamoylgruppe, eine N-Alkylsulfamoylgruppe, eine N,N-Dialkylsulfamoylgruppe, eine N-Arylsulfamoylgruppe, eine N,N-Diarylsulfamoylgruppe, eine N-Alkyl-N-arylsulfamoyl-Gruppe, eine Phosphonogruppe (-PO₃H₂) und eine konjugierte Base davon (nachfolgend als Phosphonatogruppe bezeichnet), eine Dialkylphosphonogruppe (-PO₃(Alkyl)₂), eine Diarylphosphonogruppe (-PO₃(Aryl)₂), eine Alkylarylphosphonogruppe (-PO₃(Alkyl)(aryl)), eine Monoalkylphosphonogruppe (-PO₃H(Alkyl)) und eine konjugierte Basengruppe davon (nachfolgend als Alkylphosphonatogruppe bezeichnet), eine Monoarylphosphonogruppe (-PO₃H(Aryl)) und eine konjugierte Basengruppe davon (nachfolgend als Arylphosphonatogruppe bezeichnet), eine Phosphonooxygruppe (-OPO₃H₂) und eine konjugierte Basengruppe davon (nachfolgend als Phosphonatooxygruppe bezeichnet), eine Dialkylphosphonooxygruppe (-OPO₃(Alkyl)₂), eine Diarylphosphonooxygruppe (-OPO₃(Aryl)₂), eine Alkylarylphosphonooxygruppe (-OPO₃(Alkyl)(aryl)), eine Monoalkylphosphonooxygruppe (-OPO₃H(Alkyl)) und eine konjugierte Basengruppe davon (nachfolgend als Alkylphosphonatooxygruppe bezeichnet), eine Monoarylphosphonooxygruppe (-OPO₃H(Aryl)) und eine konjugierte Basengruppe davon (nachfolgend als Arylphosphonatooxygruppe bezeichnet), eine Cyanogruppe, eine Nitrogruppe, eine Arylgruppe, eine Alkenylgruppe und eine Alkinylgruppe ein.
Spezifische Beispiele für die Alkylgruppe in diesem Substituenten schliessen die oben beschriebenen Alkylgruppen ein, und spezifische Beispiele für die Arylgruppe schliessen eine Phenylgruppe, eine Biphenylgruppe, eine Naphthylgruppe, eine Tolylgruppe, eine Xylylgruppe, eine Mesitylgruppe, eine Cumenylgruppe, eine Chlorphenylgruppe, eine Bromphenylgruppe, eine Chlormethylphenylgruppe, eine Hydroxyphenylgruppe, eine Methoxyphenylgruppe, eine Ethoxyphenylgruppe, eine Phenoxyphenylgruppe, eine Acetoxyphenylgruppe, eine Benzoyloxyphenylgruppe, eine Methylthiophenylgruppe, eine Phenylthiophenylgruppe, eine Methylaminophenylgruppe, eine Dimethylaminophenylgruppe, eine Acetylaminophenylgruppe, eine Carboxyphenylgruppe, eine Methoxycarbonylphenylgruppe, eine Ethoxyphenylcarbonylgruppe, eine Phenoxycarbonylphenylgruppe, eine N-Phenylcarbamoylphenylgruppe, eine Phenylgruppe, einen Cyanophenylgruppe, eine Sulfophenylgruppe, eine Sulfonatophenylgruppe, eine Phosphonophenylgruppe und eine Phosphonatophenylgruppe ein. Beispiele für die Alkenylgruppe schliessen eine Vinylgruppe, eine 1-Propenylgruppe, eine 1-Butenylgruppe, eine Cinnamylgruppe und eine 2-Chlor-1-ethenyl-Gruppe ein. Beispiele für die Alkinylgruppe schliessen eine Ethinylgruppe, eine 1-Propinylgruppe, eine 1-Butinylgruppe und eine Trimethylsilylethinylgruppe ein.
G¹ in der Acylgruppe (G¹CO-) schliesst ein Wasserstoffatom und die oben beschriebenen Alkyl- und Arylgruppen ein. Unter diesen Substituenten weiter bevorzugt sind ein Halogenatom (z.B. -F, -Br, -Cl, -I), eine Alkoxygruppe, eine Aryloxygruppe, eine Alkylthiogruppe, eine Arylthiogruppe, eine N-Alkylaminogruppe, eine N,N-Dialkylaminogruppe, eine Acyloxygruppe, eine N-Alkylcarbamoyloxygruppe, einen N-Arylcarbamoyloxygruppe, eine Acylaminogruppe, eine Formylgruppe, eine Acylgruppe, eine Carboxylgruppe, eine Alkoxycarbonylgruppe, eine Aryloxycarbonylgruppe, eine Carbamoylgruppe, eine N-Alkylcarbamoylgruppe, eine N,N-Dialkylcarbamoylgruppe, eine N-Arylcarbamoylgruppe, eine N-Alkyl-N-arylcarbamoylgruppe, eine Sulfogruppe, eine Sulfonatogruppe, eine Sulfamoylgruppe, eine N-Alkylsulfamoylgruppe, eine N,N-Dialkylsulfamoylgruppe, eine N-Arylsulfamoylgruppe, eine N-Alkyl-N-arylsulfamoylgruppe, eine Phosphonogruppe, eine Phosphonatogruppe, eine Dialkylphosphonogruppe, einen Diarylphosphonogruppe, eine Monoalkylphosphonogruppe, eine Alkylphosphonatogruppe, eine Monoarylphosphonogruppe, eine Arylphosphonatogruppe, eine Phosphonooxygruppe, eine Phosphonatooxygruppe, eine Arylgruppe und eine Alkenylgruppe.
Die Alkylengruppe in der substituierten Alkylgruppe ist ein divalenter organischer Rest, der aus der Entfernung eines beliebigen Wasserstoffatoms aus der oben beschriebenen Alkylgruppe mit 1–20 Kohlenstoffatomen resultiert, vorzugsweise eine lineare Alkylengruppe mit 1–12 Kohlenstoffatomen, eine verzweigte Alkylengruppe mit 3–12 Kohlenstoffatomen oder eine cyclische Alkylengruppe mit 5–10 Kohlenstoffatomen.
Spezifische bevorzugte Beispiele für die substituierte Alkylgruppe, die erhalten wird durch Kombination des oben beschriebenen Substituenten mit der Alkylengruppe, schliessen eine Chlormethylgruppe, eine Brommethylgruppe, eine 2-Chlorethylgruppe, eine Trifluormethylgruppe, eine Methoxymethylgruppe, eine Methoxyethoxyethylgruppe, eine Allyloxymethylgruppe, einen Phenoxymethylgruppe, eine Methylthiomethylgruppe, eine Tolylthiomethylgruppe, eine Ethylaminoethylgruppe, eine Diethylaminopropylgruppe, eine Morpholinopropylgruppe, eine Acetyloxymethylgruppe, einen Benzoyloxymethylgruppe, eine N-Cyclohexylcarbamoyloxyethylgruppe, eine N-Phenylcarbamoyloxyethylgruppe, eine Acetylaminoethylgruppe, eine N-Methylbenzoylaminopropylgruppe, eine 2-Oxoethylgruppe, eine 2-Oxopropylgruppe, eine Carboxypropylgruppe, eine Methoxycarbonylethylgruppe, eine Allyloxycarbonylbutylgruppe, eine Chlorphenoxycarbonylmethylgruppe, eine Carbamoylmethylgruppe, eine N-Methylcarbamoylethylgruppe, eine N,N-Dipropylcarbamoylmethylgruppe, eine N-(Methoxyphenyl)carbamoylethyl-Gruppe, eine N-Methyl-N-(sulfophenyl)carbamoylmethylgruppe, eine Sulfobutylgruppe, eine Sulfonatobutylgruppe, eine Sulfamoylbutylgruppe, eine N-Ethylsulfamoylmethylgruppe, eine N,N-Dipropylsulfamoylpropylgruppe, eine N-Tolylsulfamoylpropylgruppe, eine N-Methyl-N-(phosphonophenyl)sulfamoyloctyl-Gruppe, eine Phosphonobutylgruppe, eine Phosphonatohexylgruppe, eine Diethylphosphonobutylgruppe, eine Diphenylphosphonopropylgruppe, eine Methylphosphonobutylgruppe, eine Methylphosphonatobutylgruppe, eine Tolylphosphonatohexylgruppe, eine Tolylphosphonatohexylgruppe, eine Phosphonooxypropylgruppe, eine Phosphonatooxybutylgruppe, eine Benzylgruppe, eine Phenethylgruppe, eine α-Methylbenzylgruppe, einen 1-Methyl-1-phenylethyl-Gruppe, eine p-Methylbenzylgruppe, eine Cinnamylgruppe, eine Allylgruppe, eine 1-Propenylmethylgruppe, eine 2-Butenylgruppe, eine 2-Methylallylgruppe, eine 2-Methylpropenylmethylgruppe, eine 2-Propinylgruppe, eine 2-Butinylgruppe und eine 3-Butinylgruppe ein.
Die Arylgruppe schliesst einen kondensierten Ring ein, der aus 1–3 Benzolringen gebildet wird, sowie einen kondensierten Ring, der aus einem Benzolring und einem 5-gliedrigen ungesättigten Ring gebildet wird. Spezifische Beispiele hierfür schliessen eine Phenylgruppe, eine Naphthylgruppe, eine Anthrylgruppe, eine Phenanthrylgruppe, eine Indenylgruppe, eine Acenaphthenylgruppe und eine Fluorenylgruppe ein. Unter diesen sind eine Phenylgruppe und eine Naphthylgruppe weiter bevorzugt. Zusätzlich zu diesen carbocyclischen Arylgruppen schliesst die Arylgruppe eine heterocyclische Arylgruppe ein. Beispiele für die heterocyclische Arylgruppe schliessen eine Pyridylgruppe, eine Furylgruppe und eine benzolringkondensierte Arylgruppe, die 3–20 Kohlenstoffatome und 1–5 Heteroatome einschliesst, wie beispielsweise eine Chinolylgruppe, eine Benzofurylgruppe, eine Thioxanthongruppe und eine Carbazolgruppe, ein.
Die substituierte Arylgruppe schliesst die oben beschriebenen Arylgruppen ein, die an den ringbildenden Kohlenstoffatomen eine monovalente Nichtmetallatomgruppe, ausschliesslich Wasserstoff, als Substituenten aufweisen. Bevorzugte Beispiele für den Substituenten schliessen die oben beschriebenen Alkylgruppen, substituierten Alkylgruppen und Substituenten der substituierten Alkylgruppen ein. Spezifische bevorzugte Beispiele für die substituierte Arylgruppe schliessen eine Biphenylgruppe, eine Tolylgruppe, eine Xylylgruppe, eine Mesitylgruppe, einen Cumenylgruppe, eine Chlorphenylgruppe, eine Bromphenylgruppe, eine Fluorphenylgruppe, eine Chlormethylgruppe, eine Trifluormethylphenylgruppe, eine Hydroxyphenylgruppe, eine Methoxyphenylgruppe, eine Methoxyethoxyphenylgruppe, eine Allyloxyphenylgruppe, eine Phenoxyphenylgruppe, eine Methylthiophenylgruppe, eine Tolylthiophenylgruppe, eine Ethylaminophenylgruppe, eine Diethylaminophenylgruppe, eine Morpholinophenylgruppe, eine Acetyloxyphenylgruppe, eine Benzoyloxyphenylgruppe, eine N-Cyclohexylcarbamoyloxyphenylgruppe, eine N-Phenylcarbamoyloxyphenylgruppe, eine Acetylaminophenylgruppe, einen N-Methylbenzoylaminophenylgruppe, eine Carboxyphenylgruppe, eine Methoxycarbonylphenylgruppe, eine Allyloxycarbonylphenylgruppe, eine Chlorphenoxycarbonylphenylgruppe, eine Carbamoylphenylgruppe, eine N-Methylcarbamoylphenylgruppe, eine N,N-Dipropylcarbamoylphenylgruppe, eine N-(Methoxyphenyl)carbamoylphenylgruppe, eine N-Methyl-N-(sulfophenyl)carbamoylphenyl-Gruppe, eine Sulfophenylgruppe, eine Sulfonatophenylgruppe, eine Sulfamoylphenylgruppe, eine N-Ethylsulfamoylphenylgruppe, eine N,N-Dipropylsulfamoylphenylgruppe, eine N-Tolylsulfamoylphenylgruppe, eine N-Methyl-N- (phosphonophenyl)sulfamoylphenylgruppe, eine Phosphonophenylgruppe, eine Phosphonatophenylgruppe, eine Diethylphosphonophenylgruppe, eine Diphenylphosphonophenylgruppe, eine Methylphosphonophenylgruppe, eine Methylphosphonatophenylgruppe, eine Tolylphosphonophenylgruppe, eine Tolylphosphonatophenylgruppe, eine Allylgruppe, eine 1-Propenylmethylphenylgruppe, eine 2-Butenylgruppe, eine 2-Methylallylphenylgruppe, eine 2-Methylpropenylphenylgruppe, eine 2-Propenylphenylgruppe, einen 2-Butinylphenylgruppe und einen 3-Butinylphenylgruppe ein.
Spezifische bevorzugte Beispiele für -X- schliessen -O-, -S-, -Se-, -NR₃-, -CO-, -SO-, -SO₂- und -PO- ein. Unter diesen sind im Hinblick auf die thermische Reaktivität -CO-, -SO- und -SO₂- weiter bevorzugt.
Spezifische bevorzugte Beispiele für R³ können die gleichen sein wie für R₁ oder R₂ oder von diesen unterschiedlich, und können aus den spezifischen Beispielen für R₁ und R₂ ausgewählt werden.
Die durch L repräsentierte polyvalente Verbindungsgruppe, die ein Nichtmetallatom umfasst, ist aufgebaut aus 1–60 Kohlenstoffatomen, 0–10 Stickstoffatomen, 0–50 Sauerstoffatomen, 1–100 Wasserstoffatomen und 0–20 Schwefelatomen. Spezifische Beispiele für die Verbindungsgruppe schliessen diejenigen ein, die durch Kombination der folgenden Struktureinheiten gebildet werden:
M ist nicht sonderlich beschränkt, solange es ein Kation ist, vorzugsweise ist M jedoch ein mono-, di-, tri- oder tetravalentes Metallkation oder ein Ammoniumsalz der folgenden Formel (13):
worin R₄, R₅, R₆ und R₇, die identisch oder voneinander verschieden sein können, jeweils eine monovalente Gruppe darstellen.
Beispiele für das durch M repräsentierte mono-, di-, tri- oder tetravalente Metallkation schliessen Li⁺, Na⁺, K⁺, Rb⁺, Cs⁺ Fr²⁺, Be²⁺, Mg²⁺, Sr²⁺, Ba²⁺, Ra²⁺, Cu⁺, Cu²⁺, Ag⁺, Zn²⁺, Al³⁺, Fe²⁺, Fe³⁺, Co²⁺, Ni²⁺, Ti⁴⁺ und Zr⁴⁺ ein. Unter diesen sind Li⁺, Na⁺, K⁺, Rb⁺, Cs⁺, Fr⁺, Cu⁺ und Ag⁺ bevorzugt.
In dem Ammoniumion der Formel (13) schliessen spezifische Beispiele für die durch R₄ bis R₇ repräsentierten Gruppen die gleichen Gruppen ein, wie sie oben für R₁ bis R₃ beschrieben sind. Spezifische Beispiele für das Ammoniumion der Formel (13) sind nachstehend angegeben.
Die durch P repräsentierte Polymer-Hauptkette ist mindestens eine, die ausgewählt ist aus Teilstrukturmonomeren der folgenden Formeln:
Das erfindungsgemäss verwendete Polymer mit mindestens einer Gruppe, ausgewählt aus einer Carbonsäuregruppe und einer Carboxylatgruppe, kann ein Homopolymer aus nur einem Monomer oder ein Copolymer aus zwei oder mehr Monomeren sein. Es kann auch ein Copolymer mit einem anderen Monomer verwendet werden.
Beispiele für das andere verwendbare Monomer schliessen bekannte Monomere ein, wie beispielsweise Acrylsäureester, Methacrylsäureester, Acrylamide, Methacrylamide, Vinylester, Styrole, Acrylsäure, Methacrylsäure, Acrylnitri1, Maleinsäureanhydrid und Maleinsäureimid. Durch Copolymerisation eines solchen Monomers können verschiedene physikalische Eigenschaften, wie beispielsweise die Filmbildungseigenschaften, die Filmfestigkeit, die Hydrophilizität, die Hydrophobizität, die Reaktivität und die Stabilität, verbessert werden.
Spezifische Beispiele für die Acrylsäureester schliessen Methylacrylat, Ethylacrylat, (n- oder i-)Propylacrylat, (n-, i-, sek- oder tert-)Butylacrylat, Amylacrylat, 2-Ethylhexylacrylat, Dodecylacrylat, Chlorethylacrylat, 2-Hydroxyethylacrylat, 2-Hydroxypropylacrylat, 2-Hydroxypentylacrylat, Cyclohexylacrylat, Allylacrylat, Trimethylolpropanmonoacrylat; Pentaerythritolmonoacrylat, Benzylacrylat, Methoxybenzylacrylat, Chlorbenzylacrylat, Hydroxybenzylacrylat, Hydroxyphenethylacrylat, Dihydroxyphenethylacrylat, Furfurylacrylat, Tetrahydrofurfurylacrylat, Phenylacrylat, Hydroxyphenylacrylat, Chlorphenylacrylat, Sulfamoylphenylacrylat und 2-(Hydroxyphenylcarbonyloxy)ethylacrylat ein.
Spezifische Beispiele für die Methacrylsäureester schliessen Methylmethacrylat, Ethylmethacrylat, (n- oder i-)Propylmethacrylat, (n-, i-, sek- oder tert-)Butylmethacrylat, Amylmethacrylat, 2-Ethylhexylmethacrylat, Dodecylmethacrylat, Chlorethylmethacrylat, 2-Hydroxyethylmethacrylat, 2-Hydroxypropylmethacrylat, 2-Hydroxypentylmethacrylat, Cyclohexylmethacrylat, Allylmethacrylat, Trimethylolpropanmonomethacrylat, Pentaerythritolmonomethacrylat, Benzylmethacrylat, Methoxybenzylmethacrylat, Chlorbenzylmethacrylat, Hydroxybenzylmethacrylat, Hydroxyphenethylmethacrylat, Dihydroxyphenethylmethacrylat, Furfurylmethacrylat, Tetrahydrofurfurylmethacrylat, Phenylmethacrylat, Hydroxyphenylmethacrylat, Chlorphenylmethacrylat, Sulfamoylphenylmethacrylat und 2-(Hydroxyphenylcarbonyloxy)ethylmethacrylat ein.
Spezifische Beispiele für die Acrylamide schliessen Acrylamid, N-Methylacrylamid, N-Ethylacrylamid, N-Propylacrylamid, N-Butylacrylamid, N-Benzylacrylamid, N-Hydroxyethylacrylamid, N-Phenylacrylamid, N-Tolylacrylamid, N-(Hydroxyphenyl)acrylamid, N-(Sulfamoylphenyl)acrylamid, N-(Phenylsulfonyl)acrylamid, N-(Tolylsulfonyl)acrylamid, N,N-Dimethylacrylamid, N-Methyl-N-phenylacrylamid und N-Hydroxyethyl-N-methylacrylamid ein.
Spezifische Beispiele für die Methacrylamide schliessen Methacrylamid, N-Methylmethacrylamid, N-Ethylmethacrylamid, N-Propylmethacrylamid, N-Butylmethacrylamid, N-Benzylmethacrylamid, N-Hydroxyethylmethacrylamid, N-Phenylmethacrylamid, N-Tolylmethacrylamid, N-(Hydroxyphenyl)methacrylamid, N-(Sulfamoylphenyl)methacrylamid, N-(Phenylsulfonyl)methacrylamid, N-(Tolylsulfonyl)methacrylamid, N,N-Dimethylmethacrylamid, N-Methyl-N-phenylmethacrylamid und N-Hydroxyethyl-N-methylmethacrylamid ein.
Spezifische Beispiele für die Vinylester schliessen Vinylacetat, Vinylbutyrat und Vinylbenzoat ein.
Spezifische Beispiele für die Styrole schliessen Styrol, Methylstyrol, Dimethylstyrol, Trimethylstyrol, Ethylstyrol, Propylstyrol, Cyclohexylstyrol, Chlormethylstyrol, Trifluormethylstyrol, Ethoxymethylstyrol, Acetoxymethylstyrol, Methoxystyrol, Dimethoxystyrol, Chlorstyrol, Dichlorstyrol, Bromstyrol, Iodstyrol, Fluorstyrol und Carboxystyrol ein.
Das Verhältnis dieses in der Copolymersynthese verwendeten anderen Monomers muss zur Verbesserung verschiedener physikalischer Eigenschaften hoch genug sein, wenn das Verhältnis jedoch übermässig hoch ist, ist die Funktion des Monomers, das eine Carbonsäure oder ein Carboxylat enthält, unzureichend. Folglich ist das Gesamtverhältnis, anderer Monomere vorzugsweise 80 Gew.% oder weniger, weiter bevorzugt 50 Gew.% oder weniger.
Spezifische Beispiele für das Polymer mit einer Carbonsäure oder einem Carboxylat, das durch Wärmeeinwirkung decarboxylieren kann, wie es erfindungsgemäss verwendet wird, sind nachfolgend angegeben.
Die andere Aufbaukomponenten als die negative polare Umwandlungspolymerverbindung, die in der Schicht, die eine negative polare Umwandlungspolymerverbindung enthält, enthalten sein können, sind nachfolgend beschrieben.
Licht/Wärme-Umwandlungsmittel
Die später beschriebenen Licht/Wärme-Umwandlungsmittel können in geeigneter Weise als Licht/Wärme-Umwandlungsmittel verwendet werden, das zu der Schicht, die eine erfindungsgemäss verwendete, negative, polare Umwandlungspolymerverbindung enthält, zugegeben wird.
Tensid
Die später beschriebenen Tenside können in geeigneter Weise als Tensid verwendet werden, das zu der Schicht, die eine erfindungsgemäss verwendete, negative, polare Umwandlungspolymerverbindung enthält, zugegeben wird.
Andere Aufbaukomponenten
Als andere Aufbaukomponenten als die oben beschriebenen, die zu der Schicht, die eine erfindungsgemäss verwendete, negative, polare Umwandlungspolymerverbindung enthält, zugegeben werden können, können in geeigneter Weise die gleichen Verbindungen als andere Aufbaukomponenten verwendet werden, die zu der Schicht zugegeben werden können, die eine positive polare Umwandlungspolymerverbindung enthält.
Schicht, die eine Verbindung enthält, die mit einem in wässriger Alkalilösung löslichen Harz vernetzbar ist
Die "Schicht, die eine Verbindung enthält, die mit einem in wässriger Alkalilösung löslichen Harz vernetzbar ist", wie sie in dem erfindungsgemässen Lithografie-Druckplattenoriginal verwendet wird, bedeutet eine Schicht, die mindestens das oben beschriebene, in wässriger Alkalilösung lösliche Harz und eine der unten beschriebenen Verbindungen, die zur Vernetzung (mit dem in wässriger Alkalilösung löslichen Harz) in der Lage ist, enthält.
Verbindung, die zur Vernetzung (mit in wässriger Alkalilösung löslichem Harz) in der Lage ist
Die Verbindung, die zur Vernetzung (mit dem in wässriger Alkalilösung löslichem Harz) in der Lage ist (nachfolgend gelegentlich vereinfacht als "Vernetzungsverbindung" oder "Vernetzungsmittel" bezeichnet), wie sie erfindungsgemäss verwendet wird, ist eine Verbindung, die zur Reaktion mit der Polymerverbindung unter Bildung einer Vernetzung zwischen den Polymerverbindungen in der Lage ist. Folglich muss die Vernetzungsverbindung mindestens zwei oder mehr funktionelle Gruppen aufweisen, die mit den Polymerverbindungen reagieren können. Beliebige solcher Verbindungen können erfindungsgemäss in geeigneter Weise verwendet werden, insbesondere sind jedoch Verbindungen mit zwei oder mehr funktionellen Gruppen, die mit einem in wässriger Alkalilösung löslichen Harz reagieren können, bevorzugt.
Beispiele für die erfindungsgemäss bevorzugt verwendeten Vernetzungsmittel schliessen die folgenden ein:

(i) aromatische Verbindungen, die mit einer Alkoxymethylgruppe oder einer Hydroxymethylgruppe substituiert sind,
(ii) Verbindungen mit einer N-Hydroxymethylgruppe, einer N-Alkoxymethylgruppe oder einer N-Acyloxymethylgruppe, und
(iii) Epoxyverbindungen.

Diese werden nachfolgend detailliert beschrieben.
(i) Beispiele für die aromatische Verbindung, die mit einer Alkoxymethylgruppe oder einer Hydroxymethylgruppe substituiert ist, schliessen aromatische Verbindungen und heterocyclische Verbindungen, die mit einer Hydroxymethylgruppe, einer Acetoxymethylgruppe oder einer Alkoxymethylgruppe polysubstituiert sind, ein, schliessen aber harzartige Komponenten aus, die erhalten werden durch Polykondensation eines Phenols mit einem Aldehyd unter basischen Bedingungen, die als Resolharz bekannt sind. Das Resolharz besitzt exzellente Vernetzungseigenschaften, seine thermische Stabilität ist jedoch nicht ausreichend hoch, und insbesondere dann, wenn das Harz in einem fotoempfindlichen Material enthalten ist und für einen langen Zeitraum bei hohen Temperaturen gelagert wird, ist eine gleichförmige Entwicklung in nachteiliger Weise schwer zu erzielen.
Unter den aromatischen und heterocyclischen Verbindungen, die mit einer Alkoxymethylgruppe oder einer Hydroxymethylgruppe polysubstituiert sind, sind Verbindungen mit einer Hydroxymethylgruppe oder einer Alkoxymethylgruppe an der einer Hydroxygruppe benachbarten Stelle bevorzugt. Wenn die Verbindung eine Alkoxymethylgruppe aufweist, hat die Alkoxymethylgruppe vorzugsweise 18 oder weniger Kohlenstoffatome. Weiter bevorzugte Beispiele für die Verbindungen schliessen diejenigen der folgenden Formeln (14) bis (17) ein:

worin L₁ bis L₅ jeweils unabhängig voneinander eine Hydroxymethylgruppe oder eine Alkoxymethylgruppe repräsentieren, substituiert durch eine Alkoxygruppe mit 18 oder weniger Kohlenstoffatomen, wie beispielsweise Methoxymethyl und Ethoxymethyl. Diese Verbindungen sind bevorzugt, da sie eine hohe Vernetzungseffizienz besitzen und die Drucklebensdauer verbessern können. Die oben beschriebenen Vernetzungsverbindungen können entweder einzeln oder in Kombinationen aus zwei oder mehreren verwendet werden.
(ii) Beispiele für die Verbindung mit einer N-Hydroxymethylgruppe, einer N-Alkoxymethylgruppe oder einer N-Acyloxymethylgruppe schliessen Monomer- und Oligomer-Melamin-Formaldehyd-Kondensate und Harnstoff-Formaldehyd-Kondensate ein, wie in EP-A-0 133 216 (der Ausdruck "EP-A", wie er hierin verwendet wird, bedeutet eine "ungeprüfte europäische Patentveröffentlichung") und DE-PSen 3 634 671 und 3 711 264 offenbart, und alkoxysubstituierte Verbindungen, wie in EP-A-0 212 482 offenbart.
Ferner schliessen bevorzugte Beispiele Melamin-Formaldehyd-Derivate mit mindestens zwei Gruppen aus freien N-Hydroxymethylgruppen, freien N-Alkoxymethylgruppen oder freien N-Acyloxymethylgruppen ein. Unter diesen sind N-Alkoxymethylderivate weiter bevorzugt.
(iii) Die Epoxyverbindung schliesst monomere, dimere, oligomere oder polymere Epoxyverbindungen mit einer oder mehreren Epoxygruppen ein. Beispiele hierfür schliessen Reaktionsprodukte von Bisphenol A und Epichlorhydrin und Reaktionsprodukte niedermolekulargewichtiger Phenol-Formaldehyd-Harze und Epichlorhydrin ein. Zusätzlich können die Epoxyharze verwendet werden, die in US-PS 4 026 705 und GB-PS 1 539 192 beschrieben und verwendet werden.
Die erfindungsgemäss verwendbaren Vernetzungsmittel (i) bis (iii) werden jeweils in einer Menge von 5–80 Gew.%, vorzugsweise 10–75 Gew.%, weiter bevorzugt 20–70 Gew.%, auf Basis des Gesamtfeststoffgehalts der Aufzeichnungsschicht, verwendet. Wen die verwendete Menge an Vernetzungsmittel weniger als 5 Gew.% beträgt, hat die erhaltene Aufzeichnungsschicht eine schlechte Haltbarkeit, wohingegen bei mehr als 80 Gew.% die Lagerungsstabilität abnimmt.
Erfindungsgemäss wird ebenso (iv) ein Phenolderivat der folgenden Formel (18) bevorzugt als Vernetzungsmittel verwendet.
In Formel (18) ist Ar¹ ein aromatischer Kohlenwasserstoffring mit einem Substituenten. Im Hinblick auf die leichte Verfügbarkeit der Rohmaterialien ist der aromatische Kohlenwasserstoffring vorzugsweise ein Benzolring, ein Naphthalinring oder ein Anthracenring. Der Substituent ist vorzugsweise ein Halogenatom, eine Kohlenwasserstoffgruppe mit 12 oder weniger Kohlenstoffatomen, eine Alkoxygruppe mit 12 oder weniger Kohlenstoffatomen, eine Alkylthiogruppe mit 12 oder weniger Kohlenstoffatomen, eine Cyanogruppe, eine Nitrogruppe oder eine Trifluormethylgruppe. Insbesondere ist Ar¹ aus dem Grund, dass die Empfindlichkeit hoch ist, vorzugsweise ein Benzol- oder Naphthalinring ohne Substituenten, oder ein Benzol- oder Naphthalinring mit einem Halogenatom, einer Kohlenwasserstoffgruppe mit 6 oder weniger Kohlenstoffatomen, eine Alkoxygruppe mit 6 oder weniger Kohlenstoffatomen, eine Alkylthiogruppe mit 6 oder weniger Kohlenstoffatomen, oder einer Nitrogruppe als Substituent.
R³¹ und R³², die identisch oder voneinander verschieden sein können, repräsentieren jeweils ein Wasserstoffatom oder eine Kohlenwasserstoffgruppe mit 12 oder weniger Kohlenstoffatomen. Insbesondere sind R³¹ und R³² aufgrund der einfachen Synthese jeweils vorzugsweise ein Wasserstoffatom oder eine Methylgruppe. R³³ ist ein Wasserstoffatom oder eine Kohlenwasserstoffgruppe mit 12 oder weniger Kohlenstoffatomen. Insbesondere ist R³³ aufgrund der hohen Empfindlichkeit vorzugsweise eine Kohlenwasserstoffgruppe mit 7 oder weniger Kohlenstoffatomen, wie beispielsweise eine Methylgruppe, eine Ethylgruppe, eine Propylgruppe, eine Cyclohexylgruppe oder eine Benzylgruppe. m ist eine ganze Zahl von 2–4. n ist eine ganze Zahl von 1–3.
Spezifische Beispiele für das durch Formel (18) repräsentierte Phenolderivat, die erfindungsgemäss in geeigneter Weise verwendet werden können (Vernetzungsmittel [KZ-1] bis [KZ-8] sind nachstehend angegeben, jedoch ist die vorliegende Erfindung in keiner Weise hierauf beschränkt.
Diese Phenolderivate können nach einem herkömmlichen bekannten Verfahren synthetisiert werden. Beispielsweise kann [KZ-1] synthetisiert werden anhand des unten als "Reaktionsformel 1" gezeigten Schemas, wonach Phenol-Formaldehyd und ein sekundäres Amin, wie beispielsweise Dimethylamin oder Morpholin, miteinander umgesetzt werden, und das erhaltene Tri(dialkylaminomethyl)phenol mit Acetanhydrid und dann mit Ethanol in Gegenwart einer schwach alkalischen Substanz, wie beispielsweise Kaliumcarbonat, umgesetzt wird.
Reaktionsformel 1
Die Phenolderivate können auch nach einem anderen Verfahren hergestellt werden. Beispielsweise kann [KZ-1] hergestellt werden nach einem Schema wie unten als "Reaktionsformel 2" gezeigt, wonach Phenol und Formaldehyd oder p-Formaldehyd in Gegenwart eines Alkalis, wie beispielsweise KOH, umgesetzt werden, und das erhaltene 2,4,5-Trihydroxymethylphenol wird anschliessend mit Ethanol in Gegenwart einer Säure, wie beispielsweise Schwefelsäure, umgesetzt.
Reaktionsformel 2
Das Phenolderivat kann entweder einzeln oder in einer Kombination aus zwei oder mehreren verwendet werden. Zum Zeitpunkt der Synthese dieser Phenolderivate können Phenolderivate miteinander kondensiert werden, wodurch Verunreinigungen, wie beispielsweise Dimere und Trimere, als Nebenprodukte erzeugt werden, jedoch kann das Phenolderivat, das diese Verunreinigungen enthält, wie es ist verwendet werden. Auch in diesem Fall ist der Gehalt an Verunreinigungen vorzugsweise 30 % oder weniger, weiter bevorzugt 20 % oder weniger.
Erfindungsgemäss wird das Phenolderivat zu der Aufzeichnungsschicht in einer Menge von 5–70 Gew.%, vorzugsweise 0–50 Gew.%, auf Basis des Feststoffgehalts der Aufzeichnungsschicht, zugegeben. Wenn die Menge an zugegebenem Phenolderivat als Vernetzungsmittel weniger als 5 Gew.% beträgt, nimmt die Schichtfestigkeit dort wo die Bildaufzeichnung durchgeführt wurde im Bildbereich ab, wohingegen bei mehr als 70 Gew.% die Lagerungsstabilität in nachteiliger Weise sinkt.
Die anderen Aufbaukomponenten als das in wässriger Alkalilösung lösliche Harz und die Vernetzungsverbindung, die in der Schicht, die ein in wässriger Alkalilösung lösliches Harz und ein Vernetzungsmittel enthält, enthalten sein können, sind unten beschrieben.
Licht/Wärme-Umwandlungsmittel
Die später beschriebenen Licht/Wärme-Umwandlungsmittel können in geeigneter Weise als Licht/Wärme-Umwandlungsmittel verwendet werden, das zu der Schicht, die ein in wässriger Alkalilösung lösliches Harz und ein Vernetzungsmittel enthält, wie sie erfindungsgemäss verwendet wird, zugegeben wird.
Säureerzeugendes Mittel
Die später beschriebenen säureerzeugenden Mittel können in geeigneter Weise als säureerzeugendes Mittel verwendet werden, das zu der Schicht, die ein in wässriger Alkalilösung lösliches Harz und ein Vernetzungsmittel enthält, wie sie erfindungsgemäss verwendet wird, zugegeben wird.
Sensibilisierungsfarbstoff
Als der Sensibilisierungsfarbstoff, der zu der erfindungsgemäss verwendeten Schicht, die ein in wässriger Alkalilösung lösliches Harz und eine Vernetzungsverbindung enthält, zugegeben werden kann, können dieselben Sensibilisierungsfarbstoffe in geeigneter Weise verwendet werden, wie sie zu der Schicht zugegeben werden, die eine positive polare Umwandlungspolymerverbindung enthält.
Tensid
Die später beschriebenen Tenside können in geeigneter Weise als Tensid verwendet werden, das zu der Schicht, die ein in wässriger Alkalilösung lösliches Harz und ein Vernetzungsmittel enthält, wie sie erfindungsgemäss verwendet wird, zugegeben wird.
Andere Aufbaukomponenten
Als andere als die oben genannten Aufbaukomponenten, die zu der erfindungsgemäss verwendeten Schicht, die ein in wässriger Alkalilösung lösliches Harz und eine Vernetzungsverbindung enthält, zugegeben werden können, können dieselben Komponenten als andere Aufbaukomponenten in geeigneter Weise verwendet werden, die zu der Schicht zugegeben werden, die eine positive polare Umwandlungspolymerverbindung enthält.
Die Aufzeichnungsschicht des erfindungsgemässen Lithografie-Druckplattenoriginals kann üblicherweise hergestellt werden durch Auflösen der oben beschriebenen Komponenten in einem Lösungsmittel und Aufschichten der resultierenden Lösung auf einen geeigneten Träger mit einer darauf aufgeschichteten Polymerkomplexschicht.
Beispiele für das hierbei verwendete Lösungsmittel schliessen Tetrahydrofuran, Ethylendichlorid, Cyclohexanon, Methylethylketon, Aceton, Methanol, Propanol, Ethylenglykolmonomethylether, Ethylenglykolmonoethylether, 2-Methoxyethylacetat, Diethylenglykoldimethylether, 1-Methoxy-2-propanol, 1-Methoxy-2-propylacetat, Dimethoxyethan, N,N-Dimethylformamid, N,N-Dimethylacetamid, Toluol, Ethylacetat, Ethyllactat, Methyllactat, Dimethylsulfoxid, Wasser, Sulfolan und γ-Butyrolacton ein.
Diese Lösungsmittel können entweder einzeln oder in Kombination miteinander verwendet werden. Im Falle der Herstellung einer Beschichtungslösung ist die Konzentration der Aufzeichnungsschichtaufbaukomponenten (Gesamtfeststoffgehalt einschliesslich Zusatzstoffe) in dem Lösungsmittel vorzugsweise 1–50 Gew.%.
Die Beschichtungslösung kann nach verschiedenen bekannten Verfahren aufgeschichtet werden, wie beispielsweise durch Stabbeschichtung, Rotationsbeschichtung, Sprühbeschichtung, Vorhangbeschichtung, Tauchbeschichtung, Luftmesserbeschichtung, Klingenbeschichtung und Walzenbeschichtung.
In dem erfindungsgemässen Lithografie-Druckplattenoriginal kann die Aufzeichnungsschicht zur Verbesserung der Beschichtbarkeit ein Tensid enthalten, wie beispielsweise ein Tensid auf Fluorbasis, wie in JP-A-62-170950 beschrieben. Die Zugabemenge des Tensids ist vorzugsweise 0,01–1 Gew.%, weiter bevorzugt 0,05–0,5 Gew.%.
Die Beschichtungsmenge (Feststoffgehalt), der nach der Beschichtung und Trocknen erhaltenen Aufzeichnungsschicht variiert in Abhängigkeit von der Anwendung, jedoch ist sie im Fall eines allgemeinen Lithografie-Druckplattenoriginals vorzugsweise 0,5–5,0 g/m², weiter bevorzugt 0,5–1,5 g/m².
Das Licht/Wärme-Umwandlungsmittel, das säureerzeugende Mittel und das Tensid, die in der erfindungsgemäss verwendeten Polymerkomplexschicht und Aufzeichnungsschicht enthalten sind, werden detailliert beschrieben.
Licht/Wärme-Umwandlungsmittel
Das Licht/Wärme-Umwandlungsmittel, das zur Absorption von Laserstrahlung und Umwandlung derselben in Wärme in der Lage ist, das in der Polymerkomplexschicht und der Aufzeichnungsschicht des erfindungsgemässen Lithografie-Druckplattenoriginals enthalten sein kann, wird nachfolgend beschrieben.
Das erfindungsgemäss verwendete Licht/Wärme-Umwandlungsmittel ist vorzugsweise ein Farbstoff oder ein Pigment, der/das wirksam zur Absorption von Licht mit einer Wellenlänge von 760–1.200 nm in der Lage ist, weiter bevorzugt ein Farbstoff oder ein Pigment mit einem Absorptionsmaximum bei einer Wellenlänge von 760–1.200 nm.
Als Farbstoff können kommerziell erhältliche Farbstoffe oder bekannte Farbstoffe, wie sie in Veröffentlichungen [beispielsweise Senryo Binran (Handbook of Dyes), zusammengestellt von Yuki Gosei Kagaku Kyokai (1970)] veröffentlicht sind, verwendet werden. Spezifische Beispiele hierfür schliessen Azofarbstoffe, Metallkomplexsalzazofarbstoffe, Pyrazolonazofarbstoffe, Anthrachinonfarbstoffe, Phthalocyaninfarbstoffe, Carboniumfarbstoffe, Chinoniminfarbstoffe, Methinfarbstoffe, Cyaninfarbstoffe und Metallthiolatkomplexfarbstoffe ein.
Bevorzugte Beispiele für den Farbstoff schliessen Cyaninfarbstoffe, Methinfarbstoffe, Naphthochinonfarbstoffe und Squaryliumfarbstoffe ein.
Ferner können in geeigneter Weise nahinfrarotabsorbierende Sensibilisatoren verwendet werden, und ferner können auch Pyryliumverbindungen, wie beispielsweise substituierte Arylbenzo(thio)pyryliumsalze, Trimethinthiapyryliumsalze, Verbindungen auf Pyryliumbasis, Cyaninfarbstoffe und Pentamethinthiapyryliumsalze bevorzugt verwendet werden.
Andere bevorzugte Beispiele für den Farbstoff schliessen nahinfrarotabsorbierende Farbstoffe ein, die in US-PS 4 756 993 als Formeln (I) und (II) beschrieben sind.
Unter diesen Farbstoffen sind Cyaninfarbstoffe, Squaryliumfarbstoffe, Pyryliumfarbstoffe und Nickelthiolatkomplexe bevorzugt.
Als erfindungsgemäss verwendetes Pigment können kommerziell erhältliche Pigmente und Pigmente, die in Color Index (C.I.) Binran (C.I. Handbook), Saishin Ganryo Binran (Handbook of Latest Pigments), zusammengestellt von Nippon Ganryo Gijutsu Kyokai (1977), Saishin Ganryo Oyo Gijutsu (Up-To-Date Pigment Application Technology), CMC (1986), und Insatsu Ink Gijutsu (Printing Ink Technology), CMC (1984) beschrieben sind, verwendet werden.
Die Art des Pigments schliesst Schwarzpigmente, Gelbpigmente, Orangepigmente, Braunpigmente, Rotpigmente, Ultraviolettpigmente, Blaupigmente, Grünpigmente, Fluoreszenzpigmente, Metallpulverpigmente und Polymerbindungspigmente ein. Spezifische Beispiele für das verwendbare Pigment schliessen unlösliche Azopigmente, Azobeizenpigmente, kondensierte Azopigmente, Chelatazopigmente, Pigmente auf Phthalocyaninbasis, Pigmente auf Anthrachinonbasis, Pigmente auf Perylen- und Perynonbasis, Pigmente auf Thioindigobasis, Pigmente auf Chinacridonbasis, Pigmente auf Dioxazinbasis, Pigmente auf Isoindolinonbasis, Pigmente auf Chinophthalonbasis, Farbbeizenpigmente, Azinpigmente, Nitrosopigmente, Nitropigmente, natürliche Pigmente, Fluoreszenzpigmente, anorganische Pigmente und Russ ein. Unter diesen Pigmenten ist Russ bevorzugt.
Diese Pigmente können vor der Verwendung oberflächenbehandelt oder nicht oberflächenbehandelt werden. Zur Behandlung kann ein Verfahren der Beschichtung mit Harz oder Wachs auf der Oberfläche, ein Verfahren der Anhaftung eines Tensids und ein Verfahren der Bindung einer reaktiven Substanz (beispielsweise Silan-Kupplungsmittel, eine Epoxyverbindung und Polyisocyanat) an die Pigmentoberfläche angewandt werden. Die Oberflächenbehandlungsverfahren sind in Kinzoku Sekken no Seishitsu to Oyo (Properties and Application of Metal Soap), Saiwai Shobo, Insatsu Ink Gijutsu (Printing Ink Technology), CMC (1984), und Saishin Ganryo Oyo Gijutsu (Up-To-Date Pigment Application Technology), CMC (1986), beschrieben.
Das Pigment hat vorzugsweise eine Teilchengrösse von 0,01–10 μm, weiter bevorzugt 0,05–1 μm, noch weiter bevorzugt 0,1–1 μm. Wenn die Teilchengrösse des Pigments weniger als 0,01 μm beträgt, ist die Dispersion in der Beschichtungslösung für die Polymerkomplexschicht und die Aufzeichnungsschicht nicht stabil, wohingegen bei mehr als 10 μm eine homogene Polymerkomplexschicht oder Aufzeichnungsschicht durch das Aufschichten nicht gebildet werden kann.
Zur Dispergierung des Pigments kann eine bekannte Dispergiertechnik, wie sie bei der Herstellung von Tinte oder Toner angewandt wird, angewandt werden. Beispiele für den Disperser schliessen einen Ultraschalldisperser, eine Sandmühle, einen Attritor, eine Perlmühle, eine Supermühle, eine Kugelmühle, eine Pralltellermühle, einen Disperser, eine KD-Mühle, eine Kolloidmühle, ein Dynatron, eine Drei-Walzen-Mühle, und einen Druckkneter ein. Diese sind detailliert in Saishin Ganryo Oyo Gijutsu (Up-To-Date Pigment Application Technology), CMC (1986), beschrieben.
Der Farbstoff oder das Pigment können zu der Polymerkomplexschicht und der Aufzeichnungsschicht des erfindungsgemässen Lithografie-Druckplattenoriginals in einer Menge von 0,01–50 Gew.%, vorzugsweise 0,1–10 Gew.% im Fall eines Farbstoffs, weiter bevorzugt 0,5–10 Gew.%, und im Fall eines Pigments weiter bevorzugt 1,0–10 Gew.%, auf Basis des Gesamtfeststoffgehalts zugegeben werden. Wenn die Menge an zugegebenem Pigment oder Farbstoff weniger als 0,01 Gew.% beträgt, nimmt die Empfindlichkeit ab, wohingegen dann, wenn sie 50 Gew.% übersteigt, im Nichtbildbereich beim Druckvorgang leicht eine Verschmutzung erzeugt wird.
Säureerzeugendes Mittel
Wenn das erfindungsgemässe Lithografie-Druckplattenoriginal als Lithografie-Druckplattenoriginal zur Ausbildung eines Bildes durch Laserbelichtung verwendet wird, ist es bevorzugt, eine Verbindung, die durch Licht oder Wärme zur Erzeugung einer Säure in der Lage ist (nachfolgend als säureerzeugendes Mittel bezeichnet) zu der Polymerkomplexschicht und der Aufzeichnungsschicht des Lithografie-Druckplattenoriginals zuzugeben. In einigen Fällen erzeugt die oben beschriebene polare Umwandlungspolymerverbindung selbst durch Wärme eine Säure und kann eine Funktion als säureerzeugendes Mittel ausüben. In diesem Fall kann ein Bild ohne Verwendung eines anderen säureerzeugenden Mittels gebildet werden und folglich ist das säureerzeugende Mittel nicht wesentlich.
Das erfindungsgemäss verwendete säureerzeugende Mittel kann aus den folgenden bekannten Verbindungen ausgewählt werden.
Beispiele für das säureerzeugende Mittel schliessen Oniumsalze, wie beispielsweise Diazoniumsalz, Ammoniumsalz, Phosphoniumsalz, Iodoniumsalz, Selenoniumsalz und Arsoniumsalz, organische Halogenverbindungen, organische Metalle/organische Halogenide, säureerzeugende Mittel mit einer Schutzgruppe von o-Nitrobenzyltyp, Verbindungen, die durch Photolyse eine Sulfonsäure bilden, repräsentiert durch Iminosulfonat, Disulfonverbindungen, o-Naphthochinondiazid-4-sulfonsäurehalogenide und o-Naphthochinondiazidverbindungen, ein.
Andere Beispiele für das verwendbare säureerzeugende Mittel schliessen Cyclohexylcitrat, Sulfonsäurealkylester, wie Cyclohexyl-p-acetoaminobenzolsulfonat und Cyclohexyl-p-brombenzolsulfonat und Alkylsulfonsäureester der folgenden Strukturformel, wie in der von den hiesigen Erfindern zuvor angemeldeten JP-A-10-282672 offenbart, ein:
Unter den oben beschriebenen Verbindungen, die zur Zersetzung durch Einstrahlung von Licht, Wärme oder radioaktiver Strahlung in der Lage sind und dadurch eine Säure erzeugen, sind besonders wirksame Verbindungen nachfolgend beschrieben.
(1) Oxazolderivate der folgenden Formel (PAG1) und S-Triazinderivate der Formel (PAG2), die durch eine Trihalogenmethylgruppe substituiert sind:
worin R¹ eine substituierte oder unsubstituierte Aryl- oder Alkenylgruppe ist, R² ist eine substituierte oder unsubstituierte Aryl-, Alkenyl- oder Alkylgruppe oder -CY₃, und Y ist ein Chloratom oder ein Bromatom.
Spezifische Beispiele für die Verbindung sind nachstehend angegeben, die vorliegende Erfindung ist jedoch in keiner Weise darauf beschränkt.
(2) Iodoniumsalz der folgenden Formel (PAG3), Sulfoniumsalz der folgenden Formel (PAG4) und Diazoniumsalz:
In Formel (PAG3) sind Ar¹ und Ar² jeweils unabhängig voneinander eine substituierte oder unsubstituierte Arylgruppe. Bevorzugte Beispiele für den Substituenten schliessen eine Alkylgruppe, eine Halogenalkylgruppe, eine Cycloalkylgruppe, eine Arylgruppe, eine Alkoxygruppe, eine Nitrogruppe, eine Carboxylgruppe, eine Alkoxycarbonylgruppe, eine Hydroxygruppe, eine Mercaptogruppe und ein Halogenatom ein.
In Formel (PAG4) sind R³, R⁴ und R⁵ jeweils unabhängig voneinander eine substituierte oder unsubstituierte Alkyl- oder Arylgruppe, vorzugsweise eine Arylgruppe mit 6–14 Kohlenstoffatomen, eine Alkylgruppe mit 1–8 Kohlenstoffatomen oder ein substituiertes Derivat davon. Bevorzugte Beispiele für den Substituenten für die Arylgruppe schliessen eine Alkoxygruppe mit 1–8 Kohlenstoffatomen, eine Alkylgruppe mit 1–8 Kohlenstoffatomen, eine Nitrogruppe, eine Carboxylgruppe, eine Hydroxygruppe und ein Halogenatom ein, und für die Alkylgruppe schliessen sie eine Alkoxygruppe mit 1–8 Kohlenstoffatomen, eine Carboxylgruppe und eine Alkoxycarbonylgruppe ein.
Z- ist ein Gegenanion. Beispiele hierfür schliessen Perfluoralkansulfonatanionen ein, wie beispielsweise BF₄ ^–, AsF₆ ^–, PF₆ ^–, SbF₆ ^–, Si₂F₂ ^–. ClO₄ ^– und CF₃SO₃ ^–; gebundene polynukleare aromatische Sulfonatanionen, wie ein Pentafluorbenzolsulfonatanion und Naphthalin-1-sulfonatanion; ein Anthrachinonsulfonatanion; und sulfonsäuregruppenhaltige Farbstoffe, jedoch ist die vorliegende Erfindung in keiner Weise hierauf beschränkt.
Zwei aus R³, R⁴ und R⁵ oder Ar¹ und Ar² können über entsprechende Einfachbindungen oder einen Substituenten miteinander kombiniert sein.
Spezifische Beispiele schliessen die folgenden Verbindungen ein, jedoch ist die vorliegende Erfindung in keiner Weise hierauf beschränkt.
Diese Oniumsalze der Formeln (PAG3) und (PAG4) sind bekannt und können nach den Verfahren synthetisiert werden, wie sie beispielsweise in J.W. Knapsczyk et al., J. Am. Chem. Soc., 91, 145 (1969), A.L. Mycok et al., J. Org. Chem , 35, 2532 (1970), B. Goethas et al., Bull. Soc. Chem. Belg., 73, 546 (1964). H.M. Leicester, J. Am. Chem. Soc., 51, 3787 (1929), J.V. Crivello et al., J. Polym. Chem , Aufl. 18, 2677 (1980), den US-PSen 2 807 648 und 4 247 473 und JP-A-53-101331 beschrieben sind.
(3) Disulfonderivate der folgenden Formel (PAG5) und Iminosulfonatderivate der Formel (PAGE):
worin Ar³ und Ar⁴ unabhängig voneinander eine substituierte oder unsubstituierte Arylgruppe darstellen, R⁶ ist eine substituierte oder unsubstituierte Alkyl- oder Arylgruppe, und A ist eine substituierte oder unsubstituierte Alkenyl-, Alkenylen- oder Arylengruppe. Spezifische Beispiele schliessen die folgenden Verbindungen ein, jedoch ist die vorliegende Erfindung in keiner Weise hierauf beschränkt.
Der Gehalt des säureerzeugenden Mittels ist üblicherweise 0,01–50 Gew.%, vorzugsweise 0,1–40 Gew.%, weiter bevorzugt 0,5–30 Gew.%, auf Basis des Gesamtfeststoffgehalts in der Bildgebungsschicht des erfindungsgemässen Lithografie-Druckplattenoriginals.
Wenn das säureerzeugende Mittel in der Polymerkomplexschicht enthalten ist, ist das säureerzeugende Mittel in der Beschichtungslösung für die Polymerkomplexschicht enthalten, die einen Polymerelektrolytvorläufer enthält, die Beschichtungslösung wird auf einen später beschriebenen Träger aufgeschichtet, und die aufgeschichtete Schicht wird vollständig belichtet oder erwärmt, wodurch die Wirkung der säureerzeugenden Schicht hervorgerufen und dadurch die Polymerkomplexschicht gebildet wird.
Daher ist das säureerzeugende Mittel nach der Ausbildung der Polymerkomplexschicht bereits bevor das erfindungsgemässe Lithografie-Druckplattenoriginal der Bildaufzeichnung unterworfen wird, deaktiviert. Daher spielt das säureerzeugende Mittel eine andere Rolle als das säureerzeugende Mittel, das in der Aufzeichnungsschicht enthalten ist.
Sensibilisierungsfarbstoff
Wenn das säureerzeugende Mittel, das in der tintenaufnehmenden Schicht, die eine positive polare Umwandlungspolymerverbindung enthält, enthalten ist, keine Empfindlichkeit im Bereich vom UV-Bereich bis zum sichtbaren Bereich aufweist, können verschiedene Sensibilisierungsfarbstoffe für das säureerzeugende Mittel zur Aktivierung des säureerzeugenden Mittels gegenüber Licht vom UV-Bereich bis zum sichtbaren Bereich verwendet werden.
Beispiele für den Sensibilisierungsfarbstoff, der wirksam zu diesem Zweck verwendet werden kann, schliessen Farbstoffe auf Pyranbasis, Cyaninfarbstoffe, Farbstoffe auf Squaryliumbasis, Farbstoffe auf Merocyaninbasis, Perylliumfarbstoffe, Michler's Keton, Thioxanthon, Ketokumarinfarbstoffe und 9-Phenylacridin ein. Darüber hinaus können mehrkernige aromatische Verbindungen, wie beispielsweise Bisbenzilidinketonfarbstoffe und 9,10-Diphenylanthracen, verwendet werden.
Als andere Komponenten können beispielsweise ein Farbstoff mit einer hohen Absorption im sichtbaren Lichtbereich als Färbemittel für ein Bild verwendet werden.
Spezifische Beispiele hierfür schliessen Ölgelb #101, Ölgelb #103, Ölpink #312, Ölgrün BG, Ölblau BOS, Ölblau #603, Ölschwarz BY, Ölschwarz BS, Ölschwarz T-505 (alle Produkte von Orient Kagaku Kogyo K.K.), Victoria-Reinblau, Kristallviolett (C.I. 42555), Methylviolett (C.I. 42535), Ethylviolett, Rhodamin B (C.I. 45170B), Malachitgrün (C.I. 42000) und Methylenblau (C.I. 52015) ein. Die in JP-A-62-293247 beschriebenen Farbstoffe können ebenfalls verwendet werden.
Die Zugabemenge des Farbstoffs beträgt 0,01–10 Gew.% auf Basis des Gesamtfeststoffgehalts in der tintenaufnehmenden Schicht des erfindungsgemässen Lithografie-Druckplattenoriginals.
Tensid
Die Polymerkomplexschicht des erfindungsgemässen Lithografie-Druckplattenoriginals kann ein nicht-ionisches Tensid, wie in JP-A-62-251740 und JP-A-3-208514 beschrieben, oder ein amphoteres Tensid, wie in JP-A-55-121044 und JP-A-4-13149 beschrieben, enthalten, wodurch die Stabilität gegenüber den Druckbedingungen verbreitert wird.
Spezifische Beispiele für das nicht-ionische Tensid schliessen Sorbitantristearat, Sorbitanmonopalmitat, Sorbitantrioleat, Stearinsäuremonoglycerid und Polyoxyethylennonylphenylether ein.
Spezifische Beispiele für das amphotere Tensid schliessen Alkyldi(aminoethyl)glycin, Alkylpolyaminoethylglycinhydrochlorid, 2-Alkyl-N-carboxyethyl-N-hydroxyethylimidazoliniumbetain und N-Tetradecyl-N,N-betain (z.B. AMORGEN K, Markenname, hergestellt von Daiichi Kogyo K.K.) ein.
Das Verhältnis des nicht-ionischen Tensids oder amphoteren Tensids in der Polymerkomplexschicht ist vorzugsweise 0,05–15 Gew.%, weiter bevorzugt 0,1–5 Gew.%, auf Basis des Gesamtfeststoffgehalts.
Träger
Der Träger (Substrat), der für das erfindungsgemässe Lithografie-Druckplattenoriginal verwendet wird, auf den die Polymerkomplexschicht und die Aufzeichnungsschicht aufgeschichtet sind, ist ein Plattenmaterial mit guter Dimensionsstabilität, und es kann in geeigneter Weise ein beliebiges Material verwendet werden, das bisher als Träger für Druckplatten verwendet wird. Beispiele für den Träger schliessen Papier, mit Kunststoff (beispielsweise Polyethylen, Polypropylen oder Polystyrol) laminiertes Papier, Metallplatten, wie beispielsweise Aluminium (einschliesslich Aluminiumlegierungen), Zink, Eisen oder Kupfer, Kunststoffolien, wie beispielsweise Cellulosediacetat, Cellulosetriacetat, Cellulosepropionat, Cellulosebutyrat, Cellulosebutyratacetat, Cellulosenitrat, Polyethylenterephthalat, Polyethylen, Polystyrol, Polypropylen, Polycarbonat und Polyvinylacetal, und Papier oder Kunststoffolien, die das oben beschriebene Material darauf laminiert oder abgeschieden aufweisen, ein. Unter diesen ist eine Aluminiumplatte bevorzugt. Die Aluminiumplatte schliesst eine Reinaluminiumplatte und eine Aluminiumlegierungsplatte ein. Als Aluminiumlegierung können verschiedene Legierungen verwendet werden, und beispielsweise können Legierungen von Aluminium mit einem Metall, wie Silicium, Kupfer, Mangan, Magnesium, Chrom, Zink, Blei, Wismuth oder Nickel, verwendet werden. Die Legierungszusammensetzung kann eine vernachlässigbare Menge an Verunreinigungen zusätzlich zu etwas Eisen und Titan enthalten.
Der Träger wird bei Bedarf einer Oberflächenbehandlung unterworfen. Beispielsweise wird der Träger bei der Herstellung eines Lithografie-Druckplattenoriginals vor der Aufschichtung der Polymerkomplexschicht und der Aufzeichnungsschicht einer Hydrophilisierungsbehandlung unterworfen.
Im Fall eines Träges mit einer Metalloberfläche, insbesondere einer Aluminiumoberfläche, wird der Träger vorzugsweise einer Oberflächenbehandlung unterworfen, wie beispielsweise Körnung, Eintauchen in eine wässrige Lösung von Natriumsilicat, Kaliumfluorzirkonat oder Phosphat, oder Anodisierung. Es kann in geeigneter Weise eine Aluminiumplatte, die der Körnung und anschliessendem Eintauchen in eine wässrige Natriumsilicatlösung unterworfen wurde, wie in US-PS 2 714 066 beschrieben, und eine Aluminiumplatte, die der Anodisierung und anschliessendem Eintauchen in eine wässrige Alkalimetallsilicatlösung unterworfen wurde, wie in US-PS 3 181 461 beschrieben, verwendet werden. Die Anodisierung wird durchgeführt durch Hindurchleiten eines Stroms unter Verwendung der Aluminiumplatte als Anode in einer Elektrolytlösung, die beispielsweise eine wässrige oder nichtwässrige Lösung einer anorganischen Säure, wie beispielsweise Phosphorsäure, Chromsäure, Schwefelsäure oder Borsäure, oder einer organischen Säure, wie beispielsweise Oxalsäure oder Sulfaminsäure, umfasst. Diese wässrigen oder nichtwässrigen Lösungen können einzeln oder in einer Kombination aus zwei oder mehreren verwendet werden.
Die in US-PS 3 658 662 beschriebene Silicatelektroabscheidung ist ebenso eine wirksame Oberflächenbehandlung.
Diese Hydrophilisierungsbehandlungen werden nicht nur dazu durchgeführt, dass die Trägeroberfläche hydrophil wird, sondern auch zur Verhinderung schädlicher Reaktionen mit der darauf aufgeschichteten Polymerkomplexschicht oder zur Verbesserung der Adhäsion mit der Schicht.
Vor der Oberflächenaufrauhung durch Körnung der Aluminiumplatte kann die Oberfläche bei Bedarf einer Vorbehandlung unterworfen werden, wie beispielsweise zur Entfernung des Walzenöls auf der Oberfläche zur Freilegung der sauberen Aluminiumoberfläche. Zur Entfernung von Walzenöl oder dergleichen wird üblicherweise ein Lösungsmittel, wie beispielsweise Trichlen, oder ein Tensid verwendet. Zur Freilegung der sauberen Oberfläche wird weitverbreitet ein Verfahren unter Anwendung eines Alkaliätzmittels, wie beispielsweise Natriumhydroxid und Kaliumhydroxid, angewandt.
Als Körnungsverfahren können beliebige mechanische, chemische und elektrochemische Verfahren wirksam angewandt werden. Das mechanische Verfahren schliesst Kugelpolieren, Sandstrahlpolieren und Bürstenpolieren durch Reiben einer Wasserdispersionsaufschlämmung eines Schleifmittels, wie beispielsweise Bimsstein, mit einer Nylonbürste ein. Als chemisches Verfahren ist ein Verfahren des Eintauchens der Platte in eine gesättigte wässrige Mineralsäure-Aluminiumsalzlösung, wie in JP-A-54-31187 beschrieben, geeignet. Als elektrochemisches Verfahren ist die Wechselstromelektrolyse in einer sauren Elektrolytlösung, wie beispielsweise Salzsäure oder Salpetersäure, bevorzugt. Unter diesen Oberflächenaufrauhungsverfahren ist ein Oberflächenaufrauhungsverfahren unter Verwendung einer Kombination einer mechanischen Oberflächenaufrauhung und elektrochemischen Oberflächenaufrauhung, wie in JP-A-55-137993 beschrieben, bevorzugt, da die Polymerkomplexschicht oder die tintenaufnehmende Schicht fest an den Träger angehaftet werden kann.
Die Körnung nach den oben beschriebenen Verfahren wird vorzugsweise so durchgeführt, dass die Zentrallinien-Oberflächenrauhigkeit (Ra) auf der Aluminiumplattenoberfläche 0,3–1,0 μm beträgt. Die wie oben gekörnte Aluminiumplatte wird bei Bedarf mit Wasser gewaschen und einer chemischen Ätzbehandlung unterworfen.
Die Ätzlösung wird üblicherweise ausgewählt aus wässrigen Säure- oder Basenlösungen, die zur Auflösung von Aluminium in der Lage sind. In diesem Fall muss die auf der geätzten Oberfläche gebildete Beschichtung von dem Aluminium, das aus der Ätzlösungskomponente erhalten wird, unterschiedlich sein. Bevorzugte Beispiele für das Ätzmittel schliessen als basische Substanz Natriumhydroxid, Kaliumhydroxid, Trinatriumphosphat, Dinatriumphosphat, Trikaliumphosphat und Dikaliumphosphat, und als saure Substanz Schwefelsäure, Perschwefelsäure, Phosphorsäure, Salzsäure und Salze davon ein. Metall mit einer niedrigeren Ionisierungstendenz als Aluminium, wie beispielsweise Salze von Zink, Chrom, Kobalt, Nickel oder Kupfer, sind jedoch nicht bevorzugt, da eine unnötige Schicht auf der Ätzoberfläche gebildet wird.
Das Ätzmittel wird am meisten bevorzugt so verwendet, dass das Aluminium oder die verwendete Legierung in einer Geschwindigkeit von 0,3–40 g/m² bei einer Eintauchzeit von 1 Minute bei der verwendeten Konzentration und Temperatur aufgelöst wird, es kann jedoch in einer grösseren oder niedrigeren Menge verwendet werden.
Das Ätzen wird durchgeführt durch Eintauchen der Aluminiumplatte in die oben beschriebene Ätzlösung oder Aufschichten der Ätzlösung auf die Aluminiumplatte, und die Ätzbehandlung wird vorzugsweise so durchgeführt, dass die Ätzmenge 0,5–1,0 g/m² beträgt.
Als Ätzmittel wird aufgrund der hohen Ätzgeschwindigkeit vorzugsweise eine wässrige Basenlösung verwendet. In diesem Fall wird Schmutz erzeugt und daher wird die Platte üblicherweise einer Reinigungsbehandlung unterworfen. Beispiele für die in der Reinigungsbehandlung verwendete Säure schliessen Salpetersäure, Schwefelsäure, Phosphorsäure, Chromsäure, Flussäure und Borfluorsäure ein.
Die geätzte Aluminiumplatte wird bei Bedarf mit Wasser gewaschen und einer Anodisierung unterworfen. Die Anodisierung kann nach einem üblicherweise in diesem technischen Bereich angewandten Verfahren durchgeführt werden. Genauer gesagt kann durch Durchleiten eines Gleich- oder Wechselstroms durch das Aluminium in einer wässrigen oder nichtwässrigen Lösung von Schwefelsäure, Phosphorsäure, Chromsäure, Oxalsäure, Sulfaminsäure, Benzolsulfonsäure oder einer Kombination aus zwei oder mehreren davon ein anodischer Oxidfilm auf der Aluminiumträgeroberfläche ausgebildet werden.
Die Anodisierungsbehandlungsbedingungen variieren in Abhängigkeit von der verwendeten Elektrolytlösung und können nicht ohne Unterscheidung spezifiziert werden, jedoch sind geeignete Bedingungen im allgemeinen so, dass die Elektrolytlösungskonzentration 1–80 Gew.% beträgt, die Flüssigkeitstemperatur ist 5–70°C, die Stromdichte ist 0,5–60 A/dm², die Spannung ist 1–100 V und die Elektrolysezeit ist 30 Sekunden bis 50 Minuten.
Unter den Anodisierungsbehandlungen ist das Verfahren der Durchführung der Anodisierung mit hoher Stromdichte in Schwefelsäure, wie in GB-PS 1 412 768 beschrieben, und das Verfahren der Anodisierung unter Verwendung von Phosphorsäure als Elektrolytbad, wie in US-PS 3 511 661 beschrieben, bevorzugt.
Die oberflächenaufgerauhte und ferner anodisierte Aluminiumplatte kann bei Bedarf hydrophilisiert werden. Bevorzugte Beispiele für das Hydrophilisierungsverfahren schliessen eine Behandlung mit einem Alkalimetallsilicat, wie beispielsweise einer wässrigen Natriumsilicatlösung, wie in den US-PSen 2 714 066 und 3 181 461 beschrieben, und eine Behandlung mit Kaliumfluorzirkonat, wie in JP-B-36-22063 (der Ausdruck "JP-B", wie er hierin verwendet wird, bedeutet eine "japanische geprüfte Patentveröffentlichung") offenbart oder mit Polyvinylphosphonsäure, wie US-PS 4 153 461 offenbart, ein.
Andere Schichten
Auf der Rückseite des Trägers wird bei Bedarf eine Rückseitenbeschichtung bereitgestellt. Als Rückseitenbeschichtung kann vorzugsweise eine Beschichtungsschicht verwendet werden, die eine organische Polymerverbindung, wie in JP-A-5-45885 beschrieben, oder ein Metalloxid, das erhalten wird durch Hydrolyse oder Polykondensation einer organischen oder anorganischen Metallverbindung, wie in JP-A-6-35174 beschrieben, umfasst.
Insbesondere ist eine Beschichtungsschicht, die ein Metalloxid, das aus einer Siliciumalkoxyverbindung, wie beispielsweise Si(OCH₃)₄, Si(OC₂H₅)₄, Si(OC₃H₇)₄ und Si(OC₄H₉)₄, erhalten wird, besonders bevorzugt, da die Verbindung kostengünstig und leicht verfügbar ist, und die Beschichtungsschicht eine exzellente Hydrophilizität zeigt.
Plattenherstellungsverfahren
Das Verfahren zur Herstellung einer Lithografiedruckplatte aus dem erfindungsgemässen Lithografie-Druckplattenoriginal wird nachfolgend beschrieben. Die Bildaufzeichnung mit diesem Lithografie-Druckplattenoriginal wird direkt durch bildweise wärmeempfindliche Aufzeichnung unter Verwendung eines Thermoaufzeichnungskopfes oder dergleichen oder durch bildweise Belichtung mit Licht durchgeführt.
Beispiele für die Lichtquelle für eine in der bildweisen Belichtung verwendete aktive Strahlung schliessen eine Quecksilberlampe, eine Metallhalogenidlampe, eine Xenonlampe, eine chemische Lampe und eine Kohlenstoffbogenlampe ein. Beispiele für die radioaktive Strahlung schliessen einen Elektronenstrahl, einen Röntgenstrahl und einen Ionenstrahl und Ferninfrarotstrahlung ein. Ausserdem können g-Strahlen, i-Strahlen, Tief-UV-Strahlen und hochdichte Energiestrahlen (Laserstrahlen) verwendet werden. Für die Laserstrahlung können ein Helium-Neon-Laser, ein Argonlaser, ein Kryptonlaser, ein Helium-Cadmium-Laser, ein KrF-Excimerlaser, ein Feststofflaser und ein Halbleiterlaser verwendet werden.
Erfindungsgemäss sind ein Feststofflaser und ein Halbleiterlaser, die Infrarotstrahlung mit einer Wellenlänge von 760–1.200 nm emittieren, bevorzugt.
Nach der oben beschriebenen Bildaufzeichnung mit Licht wird das erfindungsgemässe Lithografie-Druckplattenoriginal unabhängig davon, ob die Entwicklungsverarbeitung durchgeführt wird oder nicht, vorzugsweise wärmebehandelt, so dass die Empfindlichkeit bei der Aufzeichnung verbessert wird. Die Wärmebehandlung wird vorzugsweise bei 80–160°C für 10 Sekunden bis 5 Minuten durchgeführt. Durch Anwendung dieser Wärmebehandlung kann die zur Aufzeichnung erforderliche Energie bei der Belichtung unter Verwendung der oben beschriebenen Lichtquelle verringert werden.
Das erfindungsgemässe Lithografie-Druckplattenoriginal, das der oben beschriebenen Bildaufzeichnung unterworfen wurde, wird dann mit einem Entwickler entwickelt und bei Bedarf einer Gummierung oder einem Brennvorgang unterworfen, und die resultierende Platte kann in einer Druckpresse montiert und dem Druckvorgang unterzogen werden. Wenn das erfindungsgemässe Lithografie-Druckplattenoriginal eine Aufzeichnungsschicht umfasst, die eine polare Umwandlungspolymerverbindung enthält, kann die Platte unmittelbar nach der Bildaufzeichnung in einer Druckpresse montiert (ohne den Entwicklungsprozess zu durchlaufen) und dem Druckvorgang unterzogen werden. In diesem Fall quillt der erwärmte Bereich oder der belichtete Bereich in der Benetzungslösung, und der gequollene Bereich wird im anfänglichen Stadium des Druckvorgangs entfernt, wodurch eine Lithografiedruckplatte gebildet wird. Mit anderen Worten kann in dem Plattenherstellungsverfahren unter Verwendung des erfindungsgemässen Lithografie-Druckplattenoriginals bei Verwendung einer Aufzeichnungsschicht gemäss einer bevorzugten Ausführungsform eine Lithografiedruckplatte hergestellt werden, ohne insbesondere eine Entwicklung oder andere Behandlungen zu durchlaufen.
Falls die Aufzeichnungsschicht des erfindungsgemässen Lithografie-Druckplattenoriginals eine Schicht ist, die ein alkalilösliches Harz oder ein alkalilösliches Harz und eine Vernetzungsverbindung enthält, muss die Platte der Nassentwicklung unterworfen werden. Als Entwickler oder Auffrischlösung dafür, wie in dieser Verarbeitung verwendet, können allgemein bekannte, wässrige Alkalilösungen oder reines Wasser verwendet werden. Beispiele für das alkalische Mittel schliessen anorganische Alkalisalze, wie beispielsweise Natriumsilicat, Kaliumsilicat, Natrium-tert-phosphat, Kalium-tert-phosphat, Ammonium-tert-phosphat, Natrium-sekphosphat, Kalium-sek-phosphat, Ammonium-sek-phosphat, Natriumcarbonat, Kaliumcarbonat, Ammoniumcarbonat, Natriumhydrogencarbonat, Kaliumhydrogencarbonat, Ammoniumhydrogencarbonat, Natriumborat, Kaliumborat, Ammoniumborat, Natriumhydroxid, Ammoniumhydroxid, Kaliumhydroxid und Lithiumhydroxid ein. Ferner können auch organische alkalische Mittel, wie beispielsweise Monomethylamin, Dimethylamin, Trimethylamin, Monoethylamin, Diethylamin, Triethylamin, Monoisopropylamin, Diisopropylamin, Triisopropylamin, n-Butylamin, Monoethanolamin, Diethanolamin, Triethanolamin, Monoisopropanolamin, Diisopropanolamin, Ethylenimin, Ethylendiamin und Pyridin, verwendet werden.
Diese alkalischen Mittel können entweder einzeln oder in Kombination aus zwei oder mehreren davon verwendet werden.
Unter diesen für den Entwickler verwendeten alkalischen Mitteln sind wässrige Silicatlösungen, wie beispielsweise von Natriumsilicat und Kaliumsilicat, besonders bevorzugt.
Der Grund hierfür ist, dass die Entwickelbarkeit durch das Verhältnis von Siliciumoxid (SiO₂) als eine Komponente des Silicats zu Metalloxid (M₂O) gesteuert werden kann. Es können in effektiver Weise Alkalimetallsilicate, wie sie beispielsweise in JP-A-54-62004 und JP-B-57-7427 beschrieben sind, verwendet werden.
Im Fall der Entwicklung der Platte unter Verwendung einer automatischen Entwicklungsmaschine ist es bekannt, dass, wenn eine wässrige Lösung (Auffrischlösung) mit einer alkalischen Intensität, die höher ist als diejenige des zugegebenen Entwicklers, zugegeben wird, eine Anzahl von PS-Platten für einen langen Zeitraum behandelt werden können, ohne den Entwickler im Entwicklungstank auszutauschen. Auch in der vorliegenden Erfindung wird dieses Auffrischsystem bevorzugt angewandt. Der Entwickler oder der Auffrischer können bei Bedarf verschiedene Tenside und organische Lösungsmittel zur Beschleunigung oder Verhinderung der Entwicklung, zur Dispergierung der entwickelten Verschmutzung oder zur Verstärkung der tintenaufnehmenden Eigenschaften im Bildbereich der Druckplatte enthalten. Bevorzugte Tenside schliessen anionische, kationische, nichtionische und amphotere Tenside ein.
Der Entwickler oder Auffrischer kann ferner bei Bedarf ein Reduktionsmittel enthalten, wie beispielsweise ein Natriumsalz oder Kaliumsalz einer anorganischen Säure (z.B. Hydrochinon, Resorcin, schweflige Säure, hydroschweflige Säure) und ferner eine organische Carbonsäure, ein Entschäumungsmittel und einen Wasserenthärter.
Die unter Verwendung des oben beschriebenen Entwicklers oder Auffrischers entwickelte Druckplatte wird mit Waschwasser, einer Spüllösung, die ein Tensid oder dergleichen enthält, oder einer Desensibilisierungslösung, die Gummi arabicum oder ein Stärkederivat enthält, nachbehandelt. In dem Fall, dass das Lithografie-Druckplattenoriginal mit einer Polymerkomplexschicht und einer Aufzeichnungsschicht gemäss der vorliegenden Erfindung der Bildgebung unterworfen und als Druckplatte verwendet wird, kann die Nachbehandlung durch Kombination dieser Behandlungen durchgeführt werden.
In den letzten Jahren wird zur Rationalisierung und Standardisierung der Plattenherstellungsverarbeitung in der Plattenherstellungs- und Drucktechnologie eine automatische Entwicklungsmaschine verwendet. Diese automatische Entwicklungsmaschine umfasst im allgemeinen einen Entwicklungsbereich und einen Nachbehandlungsbereich, und umfasst eine Druckplattenvortriebseinheit, entsprechende Verarbeitungslösungstanks und eine Sprüheinheit, wo unter horizontalem Vortrieb einer belichteten Druckplatte die jeweilige Verarbeitungslösung durch eine Sprühdüse zur Entwicklung der Platte auf die Platte aufgesprüht wird. Ferner ist auch ein Verfahren der Verarbeitung der Druckplatte unter Eintauchen und Vortreiben derselben durch Verarbeitungslösungstanks, die mit den jeweiligen Verarbeitungslösungen gefüllt sind, mittels Führungswalzen, die in der Lösung bereitgestellt sind, bekannt. Bei dieser automatischen Entwicklung kann die Verarbeitung durchgeführt werden, während der Auffrischer entsprechend der verarbeiteten Menge oder der Betriebszeit zu jeder Verarbeitungslösung zugeführt wird.
Ferner kann ein sogenanntes entsorgbares Verarbeitungssystem angewandt werden, in dem die Platte mit einer im wesentlichen unbenutzten Verarbeitungslösung verarbeitet wird.
Das Lithografie-Druckplattenoriginal mit einer Polymerkomplexschicht und einer erfindungsgemässen Aufzeichnungsschicht wird bildweise belichtet, entwickelt, mit Wasser gewaschen und/oder gespült und/oder gummiert, und wenn ein überflüssiger Bildbereich (beispielsweise Filmkantenmarkierung des Originalfilms) auf der erhaltenen Lithografiedruckplatte vorhanden ist, wird der überflüssige Bildbereich eliminiert. Diese Eliminierung wird vorzugsweise nach einem Verfahren unter Aufschichtung einer Eliminierungslösung auf den überflüssigen Bildbereich, Stehenlassen der Platte für einen vorherbestimmten Zeitraum und anschliessendes Waschen mit Wasser durchgeführt. Es kann jedoch auch ein Verfahren unter Einstrahlung aktiver Strahlung, die durch eine optische Faser auf den überflüssigen Bildbereich geleitet wird, und anschliessende Entwicklung angewandt werden.
Die so erhaltene Lithografiedruckplatte wird bei Bedarf mit einem Desensibilisierungsgummi beschichtet und dann dem Druckvorgang unterworfen. Zur Erzielung einer Lithografiedruckplatte mit einer längeren Drucklebensdauer wird die Platte einer Einbrennbehandlung unterworfen.
Im Fall der Anwendung einer Einbrennbehandlung wird die Lithografiedruckplatte vorzugsweise mit einer Oberflächensteuerungslösung behandelt, wie in JP-B-61-2518, JP-B-55-28062, JP-A-62-31859 und JP-A-61-159655 beschrieben, bevor die Einbrennbehandlung durchgeführt wird.
Für diese Behandlung kann ein Verfahren der Aufschichtung der Oberflächensteuerungslösung auf die Lithografiedruckplatte unter Verwendung eines mit der Lösung imprägnierten Schwamms oder Entwicklungsstempels, ein Verfahren des Eintauchens der Druckplatte in eine mit der Oberflächensteuerungslösung gefüllte Wanne und dadurch erfolgende Aufschichtung der Lösung, oder ein Verfahren der Aufschichtung der Lösung unter Verwendung eines automatischen Beschichters angewandt werden. Nach der Beschichtung wird die aufgeschichtete Menge der Oberflächensteuerungslösung vorzugsweise unter Verwendung einer Abquetschklemme oder einer Abquetschwalze gleichförmig gemacht. Hierdurch werden noch vorteilhaftere Ergebnisse erzielt.
Im allgemeinen ist die aufgeschichtete Menge der Oberflächensteuerungslösung geeigneterweise 0,03–0,8 g/m² (Trockengewicht).
Nach der Aufschichtung des Oberflächensteuerungsmittels wird die Lithografiedruckplatte bei Bedarf getrocknet und dann mit einem Einbrennprozessor (beispielsweise ein Einbrennprozessor "BP-1300", erhältlich von Fuji Photo Film Co., Ltd.) auf eine hohe Temperatur erhitzt. Hierbei sind die Heiztemperatur und der Heizzeitraum vorzugsweise 180–300°C bzw. 1–20 Minuten, obwohl diese in Abhängigkeit von der Art der das Bild aufbauenden Komponenten variieren können.
Nach der Einbrennbehandlung kann die Lithografiedruckplatte bei Bedarf in geeigneter Weise üblichen Behandlungen, wie Waschen mit Wasser und Gummierung, unterworfen werden. Im Fall der Verwendung einer Oberflächensteuerungslösung, die eine wasserlösliche Polymerverbindung oder dergleichen enthält, kann eine sogenannte Desensibilisierungsbehandlung, wie beispielsweise die Gummierung, ausgelassen werden.
Die durch diese Behandlung erhaltene Lithografiedruckplatte wird auf einem Offsetdrucker oder dergleichen montiert und zum Drucken einer grossen Anzahl von Blättern verwendet.
BEISPIELE
Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend detaillierter unter Bezugnahme auf die Beispiele beschrieben, jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht als hierauf beschränkt anzusehen.
Herstellung einer Aluminiumplatte (1) mit einer Polymerkomplexschicht
Eine 0,30 mm dicke Aluminiumplatte (Baustoffmaterial 1050) wurde durch Waschen der Platte mit Trichlorethylen entfettet, unter Verwendung einer Nylonbürste und einer wässrigen Suspension von 400 mesh-Bimsstein einer Körnung der Oberfläche unterworfen und dann mit Wasser gewaschen. Diese Platte wurde durch Eintauchen in 25 Gew.%-ige wässrige Natriumhydroxidlösung bei 45°C für 9 Sekunden geätzt, mit Wasser gewaschen, für 20 Sekunden in 2 Salpetersäure eingetaucht und erneut mit Wasser gewaschen. Hierbei betrug die Ätzmenge der gekörnten Oberfläche etwa 3 g/m². Anschliessend wurde diese Platte bei einer Stromdichte von 15 A/dm² in 7 % Schwefelsäure als Elektrolytlösung gleichstromanodisiert, wodurch eine anodische Oxidschicht von 3 g/m² gebildet wurde, und dann mit Wasser gewaschen und getrocknet. Die erhaltene Aluminiumplatte wurde in eine 2,5 Gew.%-ige wässrige Lösung von Nr. 3-Natriumsilicat (d.h. Natriumtetrasilicat) (70°C) für 14 Sekunden eingetaucht und dann mit Wasser gewaschen und getrocknet.
Auf die so behandelte Aluminiumplatte wurde die hergestellte Lösung (1) mit der nachfolgenden Zusammensetzung durch Rotationsbeschichtung mit einer Umdrehungszahl von 150 U/min aufgebracht und dann für 3 Minuten bei 80°C getrocknet. Hierbei betrug die Beschichtungsmenge des Feststoffgehalts 1,2 g/m². Das IR-Absorptionsspektrum der erhaltenen Aluminiumplatte wurde gemessen und es wurde die einem Sulfonsäureester zugeordnete Absorption bei 1.400–1.300 cm^–1 beobachtet.
Die erhaltene Aluminiumplatte wurde für 3 Minuten auf 170°C erwärmt, woraufhin die einem Sulfonsäureester zugeordnete Absorption bei 1.400–1.300 cm^–1 verschwand und die einer Sulfonsäure zugeordnete Absorption bei 1.100–950 cm^–1 auftrat. Die wärmebehandelte Aluminiumplatte wurde in Tetrahydrofuran, Ethylendichlorid, Cyclohexanon, Methylethylketon, Aceton, Methanol, Ethanol, Glykolmonomethylether, Ethylenglykolmonoethylether, 2-Methoxyethylacetat, Diethylenglykoldimethylether, 1-Methoxy-2-propanol, 1-Methoxy-2-propylacetat, N,N-Dimethylformamid, N,N-Dimethylacetamid, Toluol, Ethylacetat, Ethyllactat, Methyllactat, Dimethylsulfoxid, destilliertem Wasser, einer verdünnten Lösung von Entwickler DP-4, hergestellt von Fuji Photo Film Co., Ltd., in destilliertem Wasser (1/6) oder 1 N Salzsäure für 1 Minute eingetaucht und dann wurde erneut das IR-Absorptionsspektrum gemessen. Das IR-Absorptionsspektrum wurde durch das Eintauchen in ein beliebiges dieser Lösungsmittel nicht verändert.
Aus diesen Ergebnissen wurde geschlossen, dass die Sulfonsäureestergruppe im Polymerelektrolyten (1) durch die Wärmebehandlung zersetzt und zu einer Sulfonsäuregruppe wurde, und diese Sulfonsäuregruppe bildete ein Ionenpaar mit der in dem Polymerelektrolyten (1) vorhandenen Ammoniumgruppe, wodurch die Polymerelektrolyten (1) ionisch verbrückt wurden. Folglich wurde eine Aluminiumplatte (1) mit einer Polymerkomplexschicht gebildet.
Der Kontaktwinkel mit Wasser auf der Oberfläche der Polymerkomplexschicht der Aluminiumplatte (1) mit einer Polymerkomplexschicht wurde gemessen und zu 68° bei 23°C bestimmt. Ferner wurde eine geeignete Menge negative PS-Entwicklungstinte, hergestellt von Fuji Photo Film Co., Ltd., auf der Oberfläche der Polymerkomplexschicht der gleichen Aluminiumplatte planiert und mit einem Schwamm gerieben. Hierbei wurde die Oberfläche beim schwachen Reiben eingefärbt, jedoch ging die Polymerkomplexschicht wie beim Abstreifen einer Folie ab und wurde nicht eingefärbt, wenn stark gerieben wurde. Das . IR-Absorptionsspektrum der Aluminiumplatte, die nicht eingefärbt werden konnte, wurde gemessen und als Ergebnis wurde eine Absorption, die auf die Polymerkomplexschicht zurückzuführen ist, nicht beobachtet.
Herstellung der Aluminiumplatte (2) mit einer Polymerkomplexschicht
Auf einer Aluminiumplatte, die in der gleichen Weise wie bei der Herstellung der Aluminiumplatte (1) mit einer Polymerkomplexschicht behandelt wurde, wurde die hergestellte Lösung (2) mit der folgenden Zusammensetzung durch Rotationsbeschichtung mit einer Umdrehungszahl von 150 U/min aufgeschichtet und dann für 3 Minuten bei 80°C getrocknet. Hierbei betrug die aufgeschichtete Feststoffgehaltmenge 0,8 g/m². Das IR-Absorptionsspektrum der erhaltenen Aluminiumplatte wurde gemessen und es wurde die einem Sulfonsäureester zugeordnete Absorption bei 1.400–1.300 cm^–1 beobachtet.
Die erhaltene Aluminiumplatte wurde für 3 Minuten auf 130°C erwärmt, woraufhin die einem Sulfonsäureester zugeordnete Absorption bei 1.400–1.300 cm^–1 verschwand und die einer Sulfonsäure zugeordnete Absorption bei 1.100–950 cm^–1 auftrat. Die wärmebehandelte Aluminiumplatte wurde in Tetrahydrofuran, Ethylendichlorid, Cyclohexanon, Methylethylketon, Aceton, Methanol, Ethanol, Glykolmonomethylether, Ethylenglykolmonoethylether, 2-Methoxyethylacetat, Diethylenglykoldimethylether, 1-Methoxy-2-propanol, 1-Methoxy-2-propylacetat, N,N-Dimethylformamid, N,N-Dimethylacetamid, Toluol, Ethylacetat, Ethyllactat, Methyllactat, Dimethylsulfoxid, destilliertem Wasser, einer verdünnten Lösung von Entwickler DP-4, hergestellt von Fuji Photo Film Co., Ltd., in destilliertem Wasser (1/6) oder 1 N Salzsäure für 1 Minute eingetaucht und darin wurde erneut das IR-Absorptionsspektrum gemessen. Das IR-Absorptionsspektrum wurde durch das Eintauchen in ein beliebiges dieser Lösungsmittel nicht verändert. Folglich wurde eine Aluminiumplatte (2) mit einer Polymerkomplexschicht hergestellt.
Der Kontaktwinkel mit Wasser auf der Oberfläche der Polymerkomplexschicht der Aluminiumplatte (1) mit einer Polymerkomplexschicht wurde gemessen und zu 62° bei 23°C bestimmt. Ferner wurde eine geeignete Menge negative PS-Entwicklungstinte, hergestellt von Fuji Photo Film Co., Ltd., auf der Oberfläche der Polymerkomplexschicht der gleichen Aluminiumplatte plaziert und mit einem Schwamm gerieben. Hierbei wurde die Oberfläche beim schwachen Reiben eingefärbt, jedoch ging die Polymerkomplexschicht wie beim Abstreifen einer Folie ab und wurde nicht eingefärbt, wenn stark gerieben wurde. Das IR-Absorptionsspektrum der Aluminiumplatte, die nicht eingefärbt werden konnte, wurde gemessen und als Ergebnis wurde eine Absorption, die auf die Polymerkomplexschicht zurückzuführen ist, nicht beobachtet.
Herstellung der Aluminiumplatte (3) mit einer Polymerkomplexschicht
Auf einer Aluminiumplatte, die in der gleichen Weise wie bei der Herstellung der Aluminiumplatte (1) mit einer Polymerkomplexschicht behandelt wurde, wurde die hergestellte Lösung (3) mit der folgenden Zusammensetzung durch Rotationsbeschichtung mit einer Umdrehungszahl von 150 U/min aufgeschichtet und dann für 3 Minuten bei 80°C getrocknet. Hierbei betrug die aufgeschichtete Feststoffgehaltmenge 1,0 g/m². Das Infrarotabsorptionsspektrum der erhaltenen Aluminiumplatte wurde gemessen und es wurden die einem Carbonsäureester zugeordneten Absorptionen bei 1.800–1.700 cm^–1 und 1.300–1.200 cm^–1 beobachtet.
Die erhaltene Aluminiumplatte wurde vollständig mit einer Hochdruckquecksilberlampe belichtet und für 3 Minuten auf 120°C erwärmt, woraufhin die einem Carbonsäureester zugeordneten Absorptionen bei 1.800–1.700 cm^–1 und 1.300–1.200 cm^–1 verschwanden, und die einer Carbonsäure zugeordnete Absorption bei 1.800–1.700 cm^–1 auftauchte. Die wärmebehandelte Aluminiumplatte wurde in Tetrahydrofuran, Ethylendichlorid, Cyclohexanon, Methylethylketon, Aceton, Methanol, Ethanol, Glykolmonomethylether, Ethylenglykolmonoethylether, 2-Methoxyethylacetat, Diethylenglykoldimethylether, 1-Methoxy-2-propanol, 1-Methoxy-2-propylacetat, N,N-Dimethylformamid, N,N-Dimethylacetamid, Toluol, Ethylacetat, Ethyllactat, Methyllactat, Dimethylsulfoxid, destilliertem Wasser, einer verdünnten Lösung von Entwickler DP-4, hergestellt von Fuji Photo Film Co., Ltd., in destilliertem Wasser (1/6) oder 1 N Salzsäure für 1 Minute eingetaucht und dann wurde erneut das IR-Absorptionsspektrum gemessen. Hierbei wurde das IR-Absorptionsspektrum durch Eintauchen in ein beliebiges Lösungsmittel nicht verändert.
Aus diesen Ergebnissen wurde geschlossen, dass die Carbonsäureestergruppe im Polymerelektrolytvorläufer (1) durch die Wärmebehandlung unter Verwendung der erzeugten Säure des säureerzeugenden Mittels als Katalysator zersetzt und zu einer Carbonsäuregruppe wurde, und diese Carbonsäuregruppe bildete ein Ionenpaar mit der in dem Polymerelektrolyten (3) vorhandenen Ammoniumgruppe, wodurch die Polymerelektrolyten (3) ionisch verbrückt wurden. Folglich wurde eine Aluminiumplatte (3) mit einer Polymerkomplexschicht gebildet.
Der Kontaktwinkel mit Wasser auf der Oberfläche der Polymerkomplexschicht der Aluminiumplatte (3) mit einer Polymerkomplexschicht wurde gemessen und zu 65° bei 23°C bestimmt. Ferner wurde eine geeignete Menge negative PS-Entwicklungstinte, hergestellt von Fuji Photo Film Co., Ltd., auf der Oberfläche der Polymerkomplexschicht der gleichen Aluminiumplatte plaziert und mit einem Schwamm gerieben. Hierbei wurde die Oberfläche beim schwachen Reiben eingefärbt, jedoch ging die Polymerkomplexschicht wie beim Abstreifen einer Folie ab und wurde nicht eingefärbt, wenn stark gerieben wurde. Das IR-Absorptionsspektrum der Aluminiumplatte, die nicht eingefärbt werden konnte, wurde gemessen und als Ergebnis wurde eine Absorption, die auf die Polymerkomplexschicht zurückzuführen ist, nicht beobachtet.
Herstellung der Aluminiumplatte (4) mit einer Polymerkomplexschicht
Auf einer Aluminiumplatte, die in der gleichen Weise wie bei der Herstellung der Aluminiumplatte (1) mit einer Polymerkomplexschicht behandelt wurde, wurde die hergestellte Lösung (4) mit der folgenden Zusammensetzung durch Rotationsbeschichtung mit einer Umdrehungszahl von 150 U/min aufgeschichtet und dann für 3 Minuten bei 120°C getrocknet.
Das IR-Absorptionsspektrum der erhaltenen Aluminiumplatte wurde gemessen und die einem Sulfonsäuresalz zugeordnete Absorption bei 1.100–950 cm^–1 wurde beobachtet. Die getrocknete Aluminiumplatte wurde in Tetrahydrofuran, Ethylendichlorid, Cyclohexanon, Methylethylketon, Aceton, Methanol, Ethanol, Ethylenglykolmonomethylether, Ethylenglykolmonoethylether, 2-Methoxyethylacetat, Diethylenglykoldimethylether, 1-Methoxy-2-propanol, 1-Methoxy-2-propylacetat, N,N-Dimethylformamid, N,N-Dimethylacetamid, Toluol, Ethylacetat, Ethyllactat, Methyllactat, Dimethylsulfoxid, destilliertem Wasser, einer verdünnten Lösung von Entwickler DP-4, hergestellt von Fuji Photo Film Co., Ltd., in destilliertem Wasser (1/6) oder 1 N Salzsäure für 1 Minute eingetaucht und dann wurde erneut das IR-Absorptionsspektrum gemessen. Hierbei wurde das IR-Absorptionsspektrum durch Eintauchen in ein beliebiges dieser Lösungsmittel nicht verändert.
Aus diesen Ergebnissen wurde geschlossen, dass die Sulfonsäureestergruppe im Polymerelektrolytvorläufer (3) und die Pyridingruppe im Polymerelektrolytvorläufer (2) eine nukleophile Austauschreaktion durch die Wärmebehandlung eingegangen sind, wodurch ein Pyridiniumsulfonat gebildet und dadurch die Polymerelektrolyten ionisch verbrückt wurden. Folglich wurde eine Aluminiumplatte (4) mit einer Polymerkomplexschicht hergestellt.
Eine geeignete Menge negative PS-Entwicklungstinte, hergestellt von Fuji Photo Film Co., Ltd., wurde auf der Oberfläche der Polymerkomplexschicht der gleichen Aluminiumplatte (4) plaziert und mit einem Schwamm gerieben. Hierbei wurde die Oberfläche beim schwachen Reiben eingefärbt, jedoch ging die Polymerkomplexschicht wie beim Abstreifen einer Folie ab und wurde nicht eingefärbt, wenn stark gerieben wurde. Das IR-Absorptionsspektrum der Aluminiumplatte, die nicht eingefärbt werden konnte, wurde gemessen und als Ergebnis wurde eine Absorption, die auf die Polymerkomplexschicht zurückzuführen ist, nicht beobachtet.
Herstellung der Aluminiumplatte (5) mit einer Polymerkomplexschicht
Auf eine Aluminiumplatte, die in der gleichen Weise wie bei der Herstellung der Aluminiumplatte (1) mit einer Polymerkomplexschicht behandelt wurde, wurde die mit der folgenden Zusammensetzung hergestellte Lösung (5) mit einem Stabbarren #10 aufgebracht und dann für 3 Minuten bei 120°C getrocknet.
Das IR-Absorptionsspektrum der erhaltenen Aluminiumplatte wurde gemessen und die einem Sulfonsäuresalz zugeordnete Absorption bei 1.100–950 cm^–1 wurde beobachtet. Die getrocknete Aluminiumplatte wurde in Tetrahydrofuran, Ethylendichlorid, Cyclohexanon, Methylethylketon, Aceton, Methanol, Ethanol, Ethylenglykolmonomethylether, Ethylenglykolmonoethylether, 2-Methoxyethylacetat, Diethylenglykoldimethylether, 1-Methoxy-2-propanol, 1-Methoxy-2-propylacetat, N,N-Dimethylformamid, N,N-Dimethylacetamid, Toluol, Ethylacetat, Ethyllactat, Methyllactat, Dimethylsulfoxid, destilliertem Wasser, einer verdünnten Lösung von Entwickler DP-4, hergestellt von Fuji Photo Film Co., Ltd., in destilliertem Wasser (1/6) oder 1 N Salzsäure für 1 Minute eingetaucht und dann wurde erneut das IR-Absorptionsspektrum gemessen. Hierbei wurde das IR-Absorptionsspektrum durch Eintauchen in ein beliebiges dieser Lösungsmittel nicht verändert.
Aus diesen Ergebnissen wurde geschlossen, dass die Sulfonsäureestergruppe im Polymerelektrolytvorläufer (4) und die Aminogruppe im Polymerelektrolytvorläufer (5) eine nukleophile Austauschreaktion durch die Wärmebehandlung eingegangen sind, wodurch ein Ammoniumsulfonat gebildet und dadurch die Polymerelektrolyten ionisch verbrückt wurden. Folglich wurde eine Aluminiumplatte (5) mit einer Polymerkomplexschicht hergestellt.
Eine geeignete Menge negative PS-Entwicklungstinte, hergestellt von Fuji Photo Film Co., Ltd., wurde auf der Oberfläche der Polymerkomplexschicht der Aluminiumplatte (5) planiert und mit einem Schwamm gerieben. Hierbei wurde die Oberfläche beim schwachen Reiben eingefärbt, jedoch ging die Polymerkomplexschicht wie beim Abstreifen einer Folie ab und wurde nicht eingefärbt, wenn stark gerieben wurde. Das IR-Absorptionsspektrum der Aluminiumplatte, die nicht eingefärbt werden konnte, wurde gemessen und als Ergebnis wurde eine Absorption, die auf die Polymerkomplexschicht zurückzuführen ist, nicht beobachtet.
Herstellung der Aluminiumplatte (6) mit einer Polymerkomplexschicht
Auf einer in der gleichen Weise wie bei der Herstellung der Aluminiumplatte (1) mit einer Polymerkomplexschicht behandelten Aluminiumplatte wurde die mit der folgenden Zusammensetzung hergestellte Lösung (6), die für 1 Stunde in einem Lackschüttler geschüttelt wurde, mittels eines Stabbarrens #10 aufgebracht und dann für 3 Minuten bei 80°C getrocknet. Hierbei betrug die aufgeschichtete Feststoffgehaltmenge 1,2 g/m². Das IR-Absorptionsspektrum der so erhaltenen Aluminiumplatte wurde gemessen und es wurde die einem Sulfonsäureester zugeordnete Absorption bei 1.400–1.300 cm^–1 beobachtet.
Die erhaltene Aluminiumplatte wurde für 3 Minuten auf 170°C erwärmt, woraufhin die einem Sulfonsäureester zugeordnete Absorption bei 1.400–1.300 cm^–1 verschwand und die einer Sulfonsäure zugeordnete Absorption bei 1.100–950 cm^–1 auftrat. Die wärmebehandelte Aluminiumplatte wurde in Tetrahydrofuran, Ethylendichlorid, Cyclohexanon, Methylethylketon, Aceton, Methanol, Ethanol, Glykolmonomethylether, Ethylenglykolmonoethylether, 2-Methoxyethylacetat, Diethylenglykoldimethylether, 1-Methoxy-2-propanol, 1-Methoxy-2-propylacetat, N,N-Dimethylformamid, N,N-Dimethylacetamid, Toluol, Ethylacetat, Ethyllactat, Methyllactat, Dimethylsulfoxid, destilliertem Wasser, eine verdünnte Lösung von Entwickler DP-4, hergestellt von Fuji Photo Film Co., Ltd., in destilliertem Wasser (1/6) oder 1 N Salzsäure für 1 Minute eingetaucht und dann wurde erneut das IR-Absorptionsspektrum gemessen. Das IR-Absorptionsspektrum wurde durch das Eintauchen in ein beliebiges dieser Lösungsmittel nicht verändert.
Aus diesen Ergebnissen wurde geschlossen, dass die Sulfonsäureestergruppe im Polymerelektrolyten (1) durch die Wärmebehandlung zersetzt und zu einer Sulfonsäuregruppe wurde, und diese Sulfonsäuregruppe bildete ein Ionenpaar mit der in dem Polymerelektrolyten (1) vorhandenen Ammoniumgruppe, wodurch die Polymerelektrolyten (1) ionisch verbrückt wurden. Folglich wurde eine Aluminiumplatte (6) mit einer Polymerkomplexschicht gebildet.
Der Kontaktwinkel mit Wasser auf der Oberfläche der Polymerkomplexschicht der Aluminiumplatte (6) mit einer Polymerkomplexschicht wurde gemessen und zu 72° bei 23°C bestimmt. Ferner wurde eine geeignete Menge negative PS-Entwicklungstinte, hergestellt von Fuji Photo Film Co., Ltd., auf der Oberfläche der Polymerkomplexschicht der gleichen Aluminiumplatte planiert und mit einem Schwamm gerieben. Hierbei wurde die Oberfläche beim schwachen Reiben eingefärbt, jedoch ging die Polymerkomplexschicht wie beim Abstreifen einer Folie ab und wurde nicht eingefärbt, wenn stark gerieben wurde. Das IR-Absorptionsspektrum der Aluminiumplatte, die nicht eingefärbt werden konnte, wurde gemessen und als Ergebnis wurde eine Absorption, die auf die Polymerkomplexschicht zurückzuführen ist, nicht beobachtet.
Herstellung der Aluminiumplatte (7) mit einer Polymerkomplexschicht
Auf einer Aluminiumplatte, die in der gleichen Weise wie bei der Herstellung der Aluminiumplatte (1) mit einer Polymerkomplexschicht behandelt wurde, wurde die hergestellte Lösung (7) mit der folgenden Zusammensetzung durch Rotationsbeschichtung mit einer Umdrehungszahl von 150 U/min aufgeschichtet und dann für 3 Minuten bei 80°C getrocknet. Hierbei betrug die aufgeschichtete Feststoffgehaltmenge 0,4 g/m². Das IR-Absorptionsspektrum der erhaltenen Aluminiumplatte wurde gemessen und es wurde die einem Sulfonsäureester zugeordnete Absorption bei 1.400–1.300 cm^–1 beobachtet.
Die erhaltene Aluminiumplatte wurde für 3 Minuten auf 130°C erwärmt, woraufhin die einem Sulfonsäureester zugeordnete Absorption bei 1.400–1.300 cm^–1 verschwand und die einer Sulfonsäure zugeordnete Absorption bei 1.100–950 cm^–1 auftrat. Die wärmebehandelte Aluminiumplatte wurde in Tetrahydrofuran, Ethylendichlorid, Cyclohexanon, Methylethylketon, Aceton, Methanol, Ethanol, Glykolmonomethylether, Ethylenglykolmonoethylether, 2-Methoxyethylacetat, Diethylenglykoldimethylether, 1-Methoxy-2-propanol, 1-Methoxy-2-propylacetat, N,N-Dimethylformamid, N,N-Dimethylacetamid, Toluol, Ethylacetat, Ethyllactat, Methyllactat, Dimethylsulfoxid, destilliertem Wasser, einer verdünnten Lösung von Entwickler DP-4, hergestellt von Fuji Photo Film Co., Ltd., in destilliertem Wasser (1/6) oder 1 N Salzsäure für 1 Minute eingetaucht und dann wurde erneut das IR-Absorptionsspektrum gemessen. Das IR-Absorptionsspektrum wurde durch das Eintauchen in ein beliebiges dieser Lösungsmittel nicht verändert.
So wurde die Aluminiumplatte (7) mit einer Polymerkomplexschicht hergestellt. Der Kontaktwinkel mit Wasser auf der Oberfläche der Polymerkomplexschicht der Aluminiumplatte (7) mit einer Polymerkomplexschicht wurde gemessen und zu 67° bei 23°C bestimmt. Ferner wurde eine geeignete Menge negative PS-Entwicklungstinte, hergestellt von Fuji Photo Film Co., Ltd., auf der Oberfläche der Polymerkomplexschicht der gleichen Aluminiumplatte planiert und mit einem Schwamm gerieben. Hierbei wurde die Oberfläche beim schwachen Reiben eingefärbt, jedoch ging die Polymerkomplexschicht wie beim Abstreifen einer Folie ab und wurde nicht eingefärbt, wenn stark gerieben wurde. Das IR-Absorptionsspektrum der Aluminiumplatte, die nicht eingefärbt werden konnte, wurde gemessen und als Ergebnis wurde eine Absorption, die auf die Polymerkomplexschicht zurückzuführen ist, nicht beobachtet.
Herstellung der Aluminiumplatte (8) mit einer Polymerkomplexschicht
Eine 0,30 mm dicke Aluminiumplatte (Baustoffmaterial 1050) wurde durch Waschen der Platte mit Trichlorethylen entfettet, unter Verwendung einer Nylonbürste und einer wässrigen Suspension von 400 mesh-Bimsstein einer Körnung der Oberfläche unterworfen und dann mit Wasser gewaschen. Diese Platte wurde durch Eintauchen in 25 Gew.%-ige wässrige Natriumhydroxidlösung bei 45°C für 9 Sekunden geätzt, mit Wasser gewaschen, für 20 Sekunden in 2 Salpetersäure eingetaucht und erneut mit Wasser gewaschen. Hierbei betrug die Ätzmenge der gekörnten Oberfläche etwa 3 g/m². Anschliessend wurde diese Platte bei einer Stromdichte von 15 A/dm² in 7 % Schwefelsäure als Elektrolytlösung gleichstromanodisiert, wodurch eine anodische Oxidschicht von 3 g/m2 gebildet wurde, und dann mit Wasser gewaschen und getrocknet.
Auf die so behandelte Aluminiumplatte wurde die hergestellte Lösung (8) mit der nachfolgenden Zusammensetzung durch Rotationsbeschichtung mit einer Umdrehungszahl von 150 U/min aufgebracht und dann für 3 Minuten bei 80°C getrocknet. Hierbei betrug die Beschichtungsmenge des Feststoffgehalts 1,2 g/m². Das IR-Absorptionsspektrum der erhaltenen Aluminiumplatte wurde gemessen und es wurde die einem Sulfonsäureester zugeordnete Absorption bei 1.400–1.300 cm^–1 beobachtet.
Die erhaltene Aluminiumplatte wurde für 3 Minuten auf 170°C erwärmt, woraufhin die einem Sulfonsäureester zugeordnete Absorption bei 1.400–1.300 cm^–1 verschwand und die einer Sulfonsäure zugeordnete Absorption bei 1.100–950 cm^–1 auftrat. Die wärmebehandelte Aluminiumplatte wurde in Tetrahydrofuran, Ethylendichlorid, Cyclohexanon, Methylethylketon, Aceton, Methanol, Ethanol, Glykolmonomethylether, Ethylenglykolmonoethylether, 2-Methoxyethylacetat, Diethylenglykoldimethylether, 1-Methoxy-2-propanol, 1-Methoxy-2-propylacetat, N,N-Dimethylformamid, N,N-Dimethylacetamid, Toluol, Ethylacetat, Ethyllactat, Methyllactat, Dimethylsulfoxid, destilliertem Wasser, einer verdünnten Lösung von Entwickler DP-4, hergestellt von Fuji Photo Film Co., Ltd., in destilliertem Wasser (1/6) oder 1 N Salzsäure für 1 Minute eingetaucht und dann wurde erneut das IR-Absorptionsspektrum gemessen. Das IR-Absorptionsspektrum wurde durch das Eintauchen in ein beliebiges dieser Lösungsmittel nicht verändert.
Aus diesen Ergebnissen wurde geschlossen, dass die Sulfonsäureestergruppe im Polymerelektrolyten (1) durch die Wärmebehandlung zersetzt und zu einer Sulfonsäuregruppe wurde, und diese Sulfonsäuregruppe bildete ein Ionenpaar mit der in dem Polymerelektrolyten (1) vorhandenen Ammoniumgruppe, wodurch die Polymerelektrolyten (1) ionisch verbrückt wurden. Folglich wurde eine Aluminiumplatte (8) mit einer Polymerkomplexschicht gebildet.
Der Kontaktwinkel mit Wasser auf der Oberfläche der Polymerkomplexschicht der Aluminiumplatte (8) mit einer Polymerkomplexschicht wurde gemessen und zu 68° bei 23°C bestimmt. Ferner wurde eine geeignete Menge negative PS-Entwicklungstinte, hergestellt von Fuji Photo Film Co., Ltd., auf der, Oberfläche der Polymerkomplexschicht der gleichen Aluminiumplatte planiert und mit einem Schwamm gerieben. Hierbei wurde die Oberfläche beim schwachen Reiben eingefärbt, jedoch ging die Polymerkomplexschicht wie beim Abstreifen einer Folie ab und wurde nicht eingefärbt, wenn stark gerieben wurde. Das IR-Absorptionsspektrum der Aluminiumplatte, die nicht eingefärbt werden konnte, wurde gemessen und als Ergebnis wurde eine Absorption, die auf die Polymerkomplexschicht zurückzuführen ist, nicht beobachtet.
Herstellung der Aluminiumplatte (9) mit Polymerkomplexschicht
Auf einer Aluminiumplatte, die in der gleichen Weise wie bei der Herstellung der Aluminiumplatte (8) mit einer Polymerkomplexschicht behandelt wurde, wurde die hergestellte Lösung (9) mit der folgenden Zusammensetzung durch Rotationsbeschichtung mit einer Umdrehungszahl von 150 U/min aufgeschichtet und dann für 3 Minuten bei 80°C getrocknet. Hierbei betrug die aufgeschichtete Feststoffgehaltmenge 0,8 g/m2. Das IR-Absorptionsspektrum der erhaltenen Aluminiumplatte wurde gemessen und es wurde die einem Sulfonsäureester zugeordnete Absorption bei 1.400–1.300 cm^–1 beobachtet.
Die erhaltene Aluminiumplatte wurde für 3 Minuten auf 130°C erwärmt, woraufhin die einem Sulfonsäureester zugeordnete Absorption bei 1.400–1.300 cm^–1 verschwand und die einer Sulfonsäure zugeordnete Absorption bei 1.100–950 cm^–1 auftrat. Die wärmebehandelte Aluminiumplatte wurde in Tetrahydrofuran, Ethylendichlorid, Cyclohexanon, Methylethylketon, Aceton, Methanol, Ethanol, Glykolmonomethylether, Ethylenglykolmonoethylether, 2-Methoxyethylacetat, Diethylenglykoldimethylether, 1-Methoxy-2-propanol, 1-Methoxy-2-propylacetat, N,N-Dimethylformamid, N,N-Dimethylacetamid, Toluol, Ethylacetat, Ethyllactat, Methyllactat, Dimethylsulfoxid, destilliertem Wasser, einer verdünnten Lösung von Entwickler DP-4, hergestellt von Fuji Photo Film Co., Ltd., in destilliertem Wasser (1/6) oder 1 N Salzsäure für 1 Minute eingetaucht und dann wurde erneut das IR-Absorptionsspektrum gemessen. Das IR-Absorptionsspektrum wurde durch das Eintauchen in ein beliebiges dieser Lösungsmittel nicht verändert. Folglich wurde eine Aluminiumplatte (9) mit einer Polymerkomplexschicht hergestellt.
Der Kontaktwinkel mit Wasser auf der Oberfläche der Polymerkomplexschicht der Aluminiumplatte (9) mit einer Polymerkomplexschicht wurde gemessen und zu 62° bei 23°C bestimmt. Ferner wurde eine geeignete Menge negative PS-Entwicklungstinte, hergestellt von Fuji Photo Film Co., Ltd., auf der Oberfläche der Polymerkomplexschicht der gleichen Aluminiumplatte plaziert und mit einem Schwamm gerieben. Hierbei wurde die Oberfläche beim schwachen Reiben eingefärbt, jedoch ging die Polymerkomplexschicht wie beim Abstreifen einer Folie ab und wurde nicht eingefärbt, wenn stark gerieben wurde. Das IR-Absorptionsspektrum der Aluminiumplatte, die nicht eingefärbt werden konnte, wurde gemessen und als Ergebnis wurde eine Absorption, die auf die Polymerkomplexschicht zurückzuführen ist, nicht beobachtet.
Herstellung der Aluminiumplatte (10) mit Polymerkomplexschicht
Auf einer Aluminiumplatte, die in der gleichen Weise wie bei der Herstellung der Aluminiumplatte (8) mit einer Polymerkomplexschicht behandelt wurde, wurde die hergestellte Lösung (10) mit der folgenden Zusammensetzung durch Rotationsbeschichtung mit einer Umdrehungszahl von 150 U/min aufgeschichtet und dann für 3 Minuten bei 80°C getrocknet. Hierbei betrug die aufgeschichtete Feststoffgehaltmenge 1,0 g/m². Das Infrarotabsorptionsspektrum der erhaltenen Aluminiumplatte wurde gemessen und es wurden die einem Carbonsäureester zugeordneten Absorptionen bei 1.800–1.700 cm^–1 und 1.300–1.200 cm^–1 beobachtet.
Die erhaltene Aluminiumplatte wurde vollständig mit einer Hochdruckquecksilberlampe belichtet und für 3 Minuten auf 120°C erwärmt, woraufhin die einem Carbonsäureester zugeordneten Absorptionen bei 1.800–1.700 cm^–1 und 1.300–1.200 cm^–1 verschwanden, und die einer Carbonsäure zugeordnete Absorption bei 1.800–1.700 cm^–1 auftauchte. Die wärmebehandelte Aluminiumplatte wurde in Tetrahydrofuran, Ethylendichlorid, Cyclohexanon, Methylethylketon, Aceton, Methanol, Ethanol, Glykolmonomethylether, Ethylenglykolmonoethylether, 2-Methoxyethylacetat, Diethylenglykoldimethylether, 1-Methoxy-2-propanol, 1-Methoxy-2-propylacetat, N,N-Dimethylformamid, N,N-Dimethylacetamid, Toluol, Ethylacetat, Ethyllactat, Methyllactat, Dimethylsulfoxid, destilliertem Wasser, einer verdünnten Lösung von Entwickler DP-4, hergestellt von Fuji Photo Film Co., Ltd., in destilliertem Wasser (1/6) oder 1 N Salzsäure für 1 Minute eingetaucht und dann wurde erneut das IR-Absorptionsspektrum gemessen. Hierbei wurde das IR-Absorptionsspektrum durch Eintauchen in ein beliebiges Lösungsmittel nicht verändert.
Aus diesen Ergebnissen wurde geschlossen, dass die Carbonsäureestergruppe im Polymerelektrolytvorläufer (1) durch die Wärmebehandlung unter Verwendung der erzeugten Säure des säureerzeugenden Mittels als Katalysator zersetzt wurde und zu einer Carbonsäuregruppe wurde, und diese Carbonsäuregruppe bildete ein Ionenpaar mit der in dem Polymerelektrolyten (3) vorhandenen Ammoniumgruppe, wodurch die Polymerelektrolyten (3) ionisch verbrückt wurden. Folglich wurde eine Aluminiumplatte (10) mit einer Polymerkomplexschicht gebildet.
Der Kontaktwinkel mit Wasser auf der Oberfläche der Polymerkomplexschicht der Aluminiumplatte (10) mit einer Polymerkomplexschicht wurde gemessen und zu 65° bei 23°C bestimmt. Ferner wurde eine geeignete Menge negative PS-Entwicklungstinte, hergestellt von Fuji Photo Film Co., Ltd., auf der Oberfläche der Polymerkomplexschicht der gleichen Aluminiumplatte plaziert und mit einem Schwamm gerieben. Hierbei wurde die Oberfläche beim schwachen Reiben eingefärbt, jedoch ging die Polymerkomplexschicht wie beim Abstreifen einer Folie ab und wurde nicht eingefärbt, wenn stark gerieben wurde. Das IR-Absorptionsspektrum der Aluminiumplatte, die nicht eingefärbt werden konnte, wurde gemessen und als Ergebnis wurde eine Absorption, die auf die Polymerkomplexschicht zurückzuführen ist, nicht beobachtet.
Herstellung der Aluminiumplatte (11) mit Polymerkomplexschicht
Auf einer Aluminiumplatte, die in der gleichen Weise wie bei der Herstellung der Aluminiumplatte (8) mit einer Polymerkomplexschicht behandelt wurde, wurde die hergestellte Lösung (11) mit der folgenden Zusammensetzung durch Rotationsbeschichtung mit einer Umdrehungszahl von 150 U/min aufgeschichtet und dann für 3 Minuten bei 120°C getrocknet.
Das IR-Absorptionsspektrum der erhaltenen Aluminiumplatte wurde gemessen und die einem Sulfonsäuresalz zugeordnete Absorption bei 1.100–950 cm^–1 wurde beobachtet. Die getrocknete Aluminiumplatte wurde in Tetrahydrofuran, Ethylendichlorid, Cyclohexanon, Methylethylketon, Aceton, Methanol, Ethanol, Ethylenglykolmonomethylether, Ethylenglykolmonoethylether, 2-Methoxyethylacetat, Diethylenglykoldimethylether, 1-Methoxy-2-propanol, 1-Methoxy-2-propylacetat, N,N-Dimethylformamid, N,N-Dimethylacetamid, Toluol, Ethylacetat, Ethyllactat, Methyllactat, Dimethylsulfoxid, destilliertem Wasser, einer verdünnten Lösung von Entwickler DP-4, hergestellt von Fuji Photo Film Co., Ltd., in destilliertem Wasser (1/6) oder 1 N Salzsäure für 1 Minute eingetaucht und dann wurde erneut das IR-Absorptionsspektrum gemessen. Hierbei wurde das IR-Absorptionsspektrum durch Eintauchen in ein beliebiges dieser Lösungsmittel nicht verändert.
Aus diesen Ergebnissen wurde geschlossen, dass die Sulfonsäureestergruppe im Polymerelektrolytvorläufer (3) und die Pyridingruppe im Polymerelektrolytvorläufer (2) eine nukleophile Austauschreaktion durch die Wärmebehandlung eingegangen sind, wodurch ein Pyridiniumsulfonat gebildet wurde und dadurch die Polymerelektrolyten ionisch verbrückt wurden. Folglich wurde eine Aluminiumplatte (11) mit einer Polymerkomplexschicht hergestellt.
Eine geeignete Menge negative PS-Entwicklungstinte, hergestellt von Fuji Photo Film Co., Ltd., wurde auf der Oberfläche der Polymerkomplexschicht der gleichen Aluminiumplatte (11) plaziert und mit einem Schwamm gerieben. Hierbei wurde die Oberfläche beim schwachen Reiben eingefärbt, jedoch ging die Polymerkomplexschicht wie beim Abstreifen einer Folie ab und wurde nicht eingefärbt, wenn stark gerieben wurde. Das IR-Absorptionsspektrum der Aluminiumplatte, die nicht eingefärbt werden konnte, wurde gemessen und als Ergebnis wurde eine Absorption, die auf die Polymerkomplexschicht zurückzuführen ist, nicht beobachtet.
Herstellung der Aluminiumplatte (12) mit Polymerkomplexschicht
Auf eine Aluminiumplatte, die in der gleichen Weise wie bei der Herstellung der Aluminiumplatte (8) mit einer Polymerkomplexschicht behandelt wurde, wurde die mit der folgenden Zusammensetzung hergestellte Lösung (12) mit einem Stabbarren #10 aufgebracht und dann für 3 Minuten bei 120°C getrocknet.
Das IR-Absorptionsspektrum der erhaltenen Aluminiumplatte wurde gemessen und die einem Sulfonsäuresalz zugeordnete Absorption bei 1.100–950 cm^–1 wurde beobachtet. Die getrocknete Aluminiumplatte wurde in Tetrahydrofuran, Ethylendichlorid, Cyclohexanon, Methylethylketon, Aceton, Methanol, Ethanol, Ethylenglykolmonomethylether, Ethylenglykolmonoethylether, 2-Methoxyethylacetat, Diethylenglykoldimethylether, 1-Methoxy-2-propanol, 1-Methoxy-2-propylacetat, N,N-Dimethylformamid, N,N-Dimethylacetamid, Toluol, Ethylacetat, Ethyllactat, Methyllactat, Dimethylsulfoxid, destilliertem Wasser, einer verdünnten Lösung von Entwickler DP-4, hergestellt von Fuji Photo Film Co., Ltd., in destilliertem Wasser (1/6) oder 1 N Salzsäure für 1 Minute eingetaucht und dann wurde erneut das IR-Absorptionsspektrum gemessen. Hierbei wurde das IR-Absorptionsspektrum durch Eintauchen in ein beliebiges dieser Lösungsmittel nicht verändert.
Aus diesen Ergebnissen wurde geschlossen, dass die Sulfonsäureestergruppe im Polymerelektrolytvorläufer (4) und die Aminogruppe im Polymerelektrolytvorläufer (5) eine nukleophile Austauschreaktion durch die Wärmebehandlung eingegangen sind, wodurch ein Ammoniumsulfonat gebildet und dadurch die Polymerelektrolyten ionisch verbrückt wurden. Folglich wurde eine Aluminiumplatte (12) mit einer Polymerkomplexschicht hergestellt.
Eine geeignete Menge negative PS-Entwicklungstinte, hergestellt von Fuji Photo Film Co., Ltd., wurde auf der Oberfläche der Polymerkomplexschicht der Aluminiumplatte (12) plaziert und mit einem Schwamm gerieben. Hierbei wurde die Oberfläche beim schwachen Reiben eingefärbt, jedoch ging die Polymerkomplexschicht wie beim Abstreifen einer Folie ab und wurde nicht eingefärbt, wenn stark gerieben wurde. Das IR-Absorptionsspektrum der Aluminiumplatte, die nicht eingefärbt werden konnte, wurde gemessen und als Ergebnis wurde eine Absorption, die auf die Polymerkomplexschicht zurückzuführen ist, nicht beobachtet.
Herstellung der Aluminiumplatte (13) mit einer Polymerkomplexschicht
Auf einer in der gleichen Weise wie bei der Herstellung der Aluminiumplatte (8) mit einer Polymerkomplexschicht behandelten Aluminiumplatte wurde die mit der folgenden Zusammensetzung hergestellte Lösung (13), die für 1 Stunde in einem Lackschüttler geschüttelt wurde, mittels eines Stabbarrens #10 aufgebracht und dann für 3 Minuten bei 80°C getrocknet. Hierbei betrug die aufgeschichtete Feststoffgehaltmenge 1,2 g/m². Das IR-Absorptionsspektrum der so erhaltenen Aluminiumplatte wurde gemessen und es wurde die einem Sulfonsäureester zugeordnete Absorption bei 1.400–1.300 cm^–1 beobachtet.
Die erhaltene Aluminiumplatte wurde für 3 Minuten auf 170°C erwärmt, woraufhin die einem Sulfonsäureester zugeordnete Absorption bei 1.400–1.300 cm^–1 verschwand und die einer Sulfonsäure zugeordnete Absorption bei 1.100–950 cm^–1 auftrat. Die wärmebehandelte Aluminiumplatte wurde in Tetrahydrofuran, Ethylendichlorid, Cyclohexanon, Methylethylketon, Aceton, Methanol, Ethanol, Glykolmonomethylether, Ethylenglykolmonoethylether, 2-Methoxyethylacetat, Diethylenglykoldimethylether, 1-Methoxy-2-propanol, 1-Methoxy-2-propylacetat, N,N-Dimethylformamid, N,N-Dimethylacetamid, Toluol, Ethylacetat, Ethyllactat, Methyllactat, Dimethylsulfoxid, destilliertem Wasser, einer verdünnten Lösung von Entwickler DP-4, hergestellt von Fuji Photo Film Co., Ltd., in destilliertem Wasser (1/6) oder 1 N Salzsäure für 1 Minute eingetaucht und dann wurde erneut das IR-Absorptionsspektrum gemessen. Das IR-Absorptionsspektrum wurde durch das Eintauchen in ein beliebiges dieser Lösungsmittel nicht verändert.
Aus diesen Ergebnissen wurde geschlossen, dass die Sulfonsäureestergruppe im Polymerelektrolyten (1) durch die Wärmebehandlung zersetzt wurde und zu einer Sulfonsäuregruppe wurde, und diese Sulfonsäuregruppe bildete ein Ionenpaar mit der in dem Polymerelektrolyten (1) vorhandenen Ammoniumgruppe, wodurch die Polymerelektrolyten (1) ionisch verbrückt wurden. Folglich wurde eine Aluminiumplatte (13) mit einer Polymerkomplexschicht gebildet.
Der Kontaktwinkel mit Wasser auf der Oberfläche der Polymerkomplexschicht der Aluminiumplatte (13) mit einer Polymerkomplexschicht wurde gemessen und zu 72° bei 23°C bestimmt. Ferner wurde eine geeignete Menge negative PS-Entwicklungstinte, hergestellt von Fuji Photo Film Co., Ltd., auf der Oberfläche der Polymerkomplexschicht der gleichen Aluminiumplatte plaziert und mit einem Schwamm gerieben. Hierbei wurde die Oberfläche beim schwachen Reiben eingefärbt, jedoch ging die Polymerkomplexschicht wie beim Abstreifen einer Folie ab und wurde nicht eingefärbt, wenn stark gerieben wurde. Das IR-Absorptionsspektrum der Aluminiumplatte, die nicht eingefärbt werden konnte, wurde gemessen und als Ergebnis wurde eine Absorption, die auf die Polymerkomplexschicht zurückzuführen ist, nicht beobachtet.
Herstellung der Aluminiumplatte (14) mit einer Polymerkomplexschicht
Auf einer Aluminiumplatte, die in der gleichen Weise wie bei der Herstellung der Aluminiumplatte (8) mit einer Polymerkomplexschicht behandelt wurde, wurde die hergestellte Lösung (14) mit der folgenden Zusammensetzung durch Rotationsbeschichtung mit einer Umdrehungszahl von 150 U/min aufgeschichtet und dann für 3 Minuten bei 80°C getrocknet. Hierbei betrug die aufgeschichtete Feststoffgehaltmenge 0,4 g/m². Das IR-Absorptionsspektrum der erhaltenen Aluminiumplatte wurde gemessen und es wurde die einem Sulfonsäureester zugeordnete Absorption bei 1.400–1.300 cm^–1 beobachtet.
Die erhaltene Aluminiumplatte wurde für 3 Minuten auf 130°C erwärmt, woraufhin die einem Sulfonsäureester zugeordnete Absorption bei 1.400–1.300 cm^–1 verschwand und die einer Sulfonsäure zugeordnete Absorption bei 1.100–950 cm^–1 auftrat. Die wärmebehandelte Aluminiumplatte wurde in Tetrahydrofuran, Ethylendichlorid, Cyclohexanon, Methylethylketon, Aceton, Methanol, Ethanol, Glykolmonomethylether, Ethylenglykolmonoethylether, 2-Methoxyethylacetat, Diethylenglykoldimethylether, 1-Methoxy-2-propanol, 1-Methoxy-2-propylacetat, N,N-Dimethylformamid, N,N-Dimethylacetamid, Toluol, Ethylacetat, Ethyllactat, Methyllactat, Dimethylsulfoxid, destilliertem Wasser, einer verdünnten Lösung von Entwickler DP-4, hergestellt von Fuji Photo Film Co., Ltd., in destilliertem Wasser (1/6) oder 1 N Salzsäure für 1 Minute eingetaucht und dann wurde erneut das IR-Absorptionsspektrum gemessen. Das IR-Absorptionsspektrum wurde durch das Eintauchen in ein beliebiges dieser Lösungsmittel nicht verändert. So wurde die Aluminiumplatte (14) mit einer Polymerkomplexschicht hergestellt.
Der Kontaktwinkel mit Wasser auf der Oberfläche der Polymerkomplexschicht der Aluminiumplatte (14) mit einer Polymerkomplexschicht wurde gemessen und zu 67° bei 23°C bestimmt. Ferner wurde eine geeignete Menge negative PS-Entwicklungstinte, hergestellt von Fuji Photo Film Co., Ltd., auf der Oberfläche der Polymerkomplexschicht der gleichen Aluminiumplatte plaziert und mit einem Schwamm gerieben. Hierbei wurde die Oberfläche beim schwachen Reiben eingefärbt, jedoch ging die Polymerkomplexschicht wie beim Abstreifen einer Folie ab und wurde nicht eingefärbt, wenn stark gerieben wurde. Das IR-Absorptionsspektrum der Aluminiumplatte, die nicht eingefärbt werden konnte, wurde gemessen und als Ergebnis wurde eine Absorption, die auf die Polymerkomplexschicht zurückzuführen ist, nicht beobachtet.
Herstellung des Lithografie-Druckplattenoriginals (1)
Auf die wie oben hergestellte Aluminiumplatte (1) mit einer Polymerkomplexschicht wurde die mit der folgenden Zusammensetzung hergestellte Lösung (A) durch Rotationsbeschichtung mit einer Umdrehungszahl von 150 U/min aufgeschichtet und bei 80°C für 3 Minuten getrocknet. Das Trockenbeschichtungsgewicht betrug 1,0 g/m². Auf diese Weise wurde das Lithografie-Druckplattenoriginal (1) erhalten.
Herstellung des Lithografie-Druckplattenoriginals (2)
Auf die wie oben hergestellte Aluminiumplatte (2) mit einer Polymerkomplexschicht wurde die mit der folgenden Zusammensetzung hergestellte Lösung (B) durch Rotationsbeschichtung mit einer Umdrehungszahl von 150 U/min aufgeschichtet und bei 80°C für 3 Minuten getrocknet. Das Trockenbeschichtungsgewicht betrug 1,0 g/m². Auf diese Weise wurde das Lithografie-Druckplattenoriginal (2) erhalten.
Herstellung des Lithografie-Druckplattenoriginals (3)
Auf die wie oben hergestellte Aluminiumplatte (3) mit einer Polymerkomplexschicht wurde die mit der folgenden Zusammensetzung hergestellte Lösung (C) durch Rotationsbeschichtung mit einer Umdrehungszahl von 150 U/min aufgeschichtet und bei 80°C für 3 Minuten getrocknet. Das Trockenbeschichtungsgewicht betrug 1,0 g/m². Auf diese Weise wurde das Lithografie-Druckplattenoriginal (3) erhalten.
Herstellung des Lithografie-Druckplattenoriginals (4)
Auf die wie oben hergestellte Aluminiumplatte (4) mit einer Polymerkomplexschicht wurde die mit der folgenden Zusammensetzung hergestellte Lösung (D) durch Rotationsbeschichtung mit einer Umdrehungszahl von 150 U/min aufgeschichtet und bei 80°C für 3 Minuten getrocknet. Das Trockenbeschichtungsgewicht betrug 1,0 g/m². Auf diese Weise wurde das Lithografie-Druckplattenoriginal (4) erhalten.
Herstellung des Lithografie-Druckplattenoriginals (5)
Auf die wie oben hergestellte Aluminiumplatte (5) mit einer Polymerkomplexschicht wurde die mit der folgenden Zusammensetzung hergestellte Lösung (E) durch Rotationsbeschichtung mit einer Umdrehungszahl von 150 U/min aufgeschichtet und bei 80°C für 3 Minuten getrocknet. Das Trockenbeschichtungsgewicht betrug 1,2 g/m². Auf diese Weise wurde das Lithografie-Druckplattenoriginal (5) erhalten.
Herstellung des Lithografie-Druckplattenoriginals (6)
Auf die wie oben hergestellte Aluminiumplatte (6) mit einer Polymerkomplexschicht wurde die mit der folgenden Zusammensetzung hergestellte Lösung (F) mittels eines Stabbarrens #10 aufgeschichtet und bei 80°C für 3 Minuten getrocknet. Das Trockenbeschichtungsgewicht betrug 1,2 g/m². Auf diese Weise wurde das Lithografie-Druckplattenoriginal (6) erhalten.
Herstellung des Lithografie-Druckplattenoriginals (7)
Auf die wie oben hergestellte Aluminiumplatte (7) mit einer Polymerkomplexschicht wurde die mit der folgenden Zusammensetzung hergestellte Lösung (G) mittels eines Stabbarrens #10 aufgeschichtet und bei 80°C für 3 Minuten getrocknet. Das Trockenbeschichtungsgewicht betrug 0,9 g/m². Auf diese Weise wurde das Lithografie-Druckplattenoriginal (7) erhalten.
Herstellung des Lithografie-Druckplattenoriginals (8)
Auf die wie oben hergestellte Aluminiumplatte (8) mit einer Polymerkomplexschicht wurde die mit der folgenden Zusammensetzung hergestellte Lösung (H) durch Rotationsbeschichtung mit einer Umdrehungszahl von 150 U/min aufgeschichtet und bei 80°C für 3 Minuten getrocknet. Das Trockenbeschichtungsgewicht betrug 1,2 g/m². Auf diese Weise wurde das Lithografie-Druckplattenoriginal (8) erhalten.
Herstellung des Lithografie-Druckplattenoriginals (9)
Auf die wie oben hergestellte Aluminiumplatte (1) mit einer Polymerkomplexschicht wurde die mit der folgenden Zusammensetzung hergestellte Lösung (I) durch Rotationsbeschichtung mit einer Umdrehungszahl von 150 U/min aufgeschichtet und bei 80°C für 3 Minuten getrocknet. Das Trockenbeschichtungsgewicht betrug 1,2 g/m². Auf diese Weise wurde das Lithografie-Druckplattenoriginal (9) erhalten.
Herstellung des Lithografie-Druckplattenoriginals (10)
Auf die wie oben hergestellte Aluminiumplatte (10) mit einer Polymerkomplexschicht wurde die mit der folgenden Zusammensetzung hergestellte Lösung (J) so aufgebracht, dass die Beschichtungsmenge 1,0 g/m² betrug. Auf diese Weise wurde das Lithografie-Druckplattenoriginal (10) erhalten.
Herstellung des Lithografie-Druckplattenoriginals (11)
Auf die wie oben hergestellte Aluminiumplatte (9) mit einer Polymerkomplexschicht wurde die mit der folgenden Zusammensetzung hergestellte Lösung (K) so aufgebracht, dass die Beschichtungsmenge 1,8 g/m² betrug. Auf diese Weise wurde das Lithografie-Druckplattenoriginal (11) erhalten.
Herstellung des Lithografie-Druckplattenoriginals (12)
Auf die wie oben hergestellte Aluminiumplatte (11) mit einer Polymerkomplexschicht wurde die mit der folgenden Zusammensetzung hergestellte Lösung (L) so aufgebracht, dass die Beschichtungsmenge 1,0 g/m² betrug. Auf diese Weise wurde das Lithografie-Druckplattenoriginal (12) erhalten.
Herstellung des Lithografie-Druckplattenoriginals (13)
Auf die wie oben hergestellte Aluminiumplatte (5) mit einer Polymerkomplexschicht wurde die mit der folgenden Zusammensetzung hergestellte Lösung (M) so aufgebracht, dass die Beschichtungsmenge 1,8 g/m² betrug. Auf diese Weise wurde das Lithografie-Druckplattenoriginal (13) erhalten.
Herstellung des Lithografie-Druckplattenoriginals (14)
Auf die wie oben hergestellte Aluminiumplatte (1) mit einer Polymerkomplexschicht wurde die mit der folgenden Zusammensetzung hergestellte Lösung (N) aufgebracht und bei 100°C für 2 Minuten getrocknet. Das Trockenbeschichtungsgewicht betrug 1,1 g/m². Auf diese Weise wurde das Lithografie-Druckplattenoriginal (14) erhalten.
Herstellung des Lithografie-Druckplattenoriginals (15)
Auf die wie oben hergestellte Aluminiumplatte (2) mit einer Polymerkomplexschicht wurde die mit der folgenden Zusammensetzung hergestellte Lösung (O) aufgebracht und bei 100°c für 2 Minuten getrocknet. Das Trockenbeschichtungsgewicht betrug 1,1 g/m². Auf diese Weise wurde das Lithografie-Druckplattenoriginal (15) erhalten.
Herstellung des Lithografie-Druckplattenoriginals (16)
Auf die wie oben hergestellte Aluminiumplatte (3) mit einer Polymerkomplexschicht wurde die mit der folgenden Zusammensetzung hergestellte Lösung (P) aufgebracht und bei 100°C für 2 Minuten getrocknet. Das Trockenbeschichtungsgewicht betrug 1,0 g/m². Auf diese Weise wurde das Lithografie-Druckplattenoriginal (16) erhalten.
Herstellung des Lithografie-Druckplattenoriginals (17)
Auf die wie oben hergestellte Aluminiumplatte (4) mit einer Polymerkomplexschicht wurde die mit der folgenden Zusammensetzung hergestellte Lösung (Q) aufgebracht und bei 100°C für 2 Minuten getrocknet. Das Trockenbeschichtungsgewicht betrug 1,2 g/m². Auf diese Weise wurde das Lithografie-Druckplattenoriginal (17) erhalten.
Herstellung des Lithografie-Druckplattenoriginals (18)
Auf die wie oben hergestellte Aluminiumplatte (7) mit einer Polymerkomplexschicht wurde die mit der folgenden Zusammensetzung hergestellte Lösung (R) aufgebracht und bei 100°C für 2 Minuten getrocknet. Das Trockenbeschichtungsgewicht betrug 1,0 g/m². Auf diese Weise wurde das Lithografie-Druckplattenoriginal (18) erhalten.
Herstellung des Lithografie-Druckplattenoriginals (19)
Auf die wie oben hergestellte Aluminiumplatte (12) mit einer Polymerkomplexschicht wurde die mit der folgenden Zusammensetzung hergestellte Lösung (S) aufgebracht und bei 100°C für 1 Minute getrocknet. Das Trockenbeschichtungsgewicht betrug 1,2 g/m². Auf diese Weise wurde das Lithografie-Druckplattenoriginal (19) erhalten.
Herstellung des Lithografie-Druckplattenoriginals (20)
Auf die wie oben hergestellte Aluminiumplatte (13) mit einer Polymerkomplexschicht wurde die mit der folgenden Zusammensetzung hergestellte Lösung (T) aufgebracht und bei 100°C für 1 Minute getrocknet. Das Trockenbeschichtungsgewicht betrug 1,2 g/m². Auf diese Weise wurde das Lithografie-Druckplattenoriginal (20) erhalten.
Herstellung des Lithografie-Druckplattenoriginals (21)
Auf die wie oben hergestellte Aluminiumplatte (14) mit einer Polymerkomplexschicht wurde die mit der folgenden Zusammensetzung hergestellte Lösung (U) aufgebracht und bei 100°C für 1 Minute getrocknet. Das Trockenbeschichtungsgewicht betrug 1,2 g/m². Auf diese Weise wurde das Lithografie-Druckplattenoriginal (21) erhalten.
Herstellung des Lithografie-Druckplattenoriginals (22)
Eine 0,30 mm dicke Aluminiumplatte (Baustoffmaterial 1050) wurde durch Waschen der Platte mit Trichlorethylen entfettet, unter Verwendung einer Nylonbürste und einer wässrigen Suspension von 400 mesh-Bimsstein einer Körnung der Oberfläche unterworfen und dann sorgfältig mit Wasser gewaschen. Diese Platte wurde durch Eintauchen in 25 Gew.%-ige wässrige Natriumhydroxidlösung bei 45°C für 9 Sekunden geätzt, mit Wasser gewaschen, für 20 Sekunden in 2 % Salpetersäure eingetaucht und erneut mit Wasser gewaschen. Hierbei betrug die Ätzmenge der gekörnten Oberfläche etwa 3 g/m². Anschliessend wurde diese Platte bei einer Stromdichte von 15 A/dm2 in 7 % Schwefelsäure als Elektrolytlösung gleichstromanodisiert, wodurch eine anodische Oxidschicht von 3 g/m² gebildet wurde, und dann mit Wasser gewaschen und getrocknet. Die erhaltene Aluminiumplatte wurde in eine 2,5 Gew.%-ige wässrige Lösung von Nr. 3-Natriumsilicat (d.h. Natriumtetrasilicat) (70°C) für 14 Sekunden eingetaucht und dann mit Wasser gewaschen und getrocknet.
Auf die so behandelte Aluminiumplatte wurde die hergestellte Lösung (V) mit der nachfolgenden Zusammensetzung durch Rotationsbeschichtung mit einer Umdrehungszahl von 150 U/min aufgebracht und dann für 3 Minuten bei 80°C getrocknet. Hierbei betrug die Beschichtungsmenge des Feststoffgehalts 1,2 g/m². Auf dieses Weise wurde das Lithografie-Druckplattenoriginal (22) erhalten.
Herstellung des Lithografie-Druckplattenoriginals (23)
Eine 0,30 mm dicke Aluminiumplatte (Baustoffmaterial 1050) wurde durch Waschen der Platte mit Trichlorethylen entfettet, unter Verwendung einer Nylonbürste und einer wässrigen Suspension von 400 mesh-Bimsstein einer Körnung der Oberfläche unterworfen und dann sorgfältig mit Wasser gewaschen. Diese Platte wurde durch Eintauchen in 25 Gew.%-ige wässrige Natriumhydroxidlösung bei 45°C für 9 Sekunden geätzt, mit Wasser gewaschen, für 20 Sekunden in 2 % Salpetersäure eingetaucht und erneut mit Wasser gewaschen. Hierbei betrug die Ätzmenge der gekörnten Oberfläche etwa 3 g/m². Anschliessend wurde diese Platte bei einer Stromdichte von 15 A/dm² in 7 % Schwefelsäure als Elektrolytlösung gleichstromanodisiert, wodurch eine anodische Oxidschicht von 3 g/m² gebildet wurde, und dann mit Wasser gewaschen und getrocknet.
Auf die so behandelte Aluminiumplatte wurde die mit der folgenden Zusammensetzung hergestellte Lösung (W) aufgebracht und dann für 1 Minute bei 100°C getrocknet. Die aufgeschichtete Feststoffgehaltmenge betrug hierbei 1,8 g/m². Auf dieses Weise wurde das Lithografie-Druckplattenoriginal (23) erhalten.
Herstellung des Lithografie-Druckplattenoriginals (24)
Eine 0,30 mm dicke Aluminiumplatte (Baustoffmaterial 1050) wurde durch Waschen der Platte mit Trichlorethylen entfettet, unter Verwendung einer Nylonbürste und einer wässrigen Suspension von 400 mesh-Bimsstein einer Körnung der Oberfläche unterworfen und dann sorgfältig mit Wasser gewaschen. Diese Platte wurde durch Eintauchen in 25 Gew.%-ige wässrige Natriumhydroxidlösung bei 45°C für 9 Sekunden geätzt, mit Wasser gewaschen, für 20 Sekunden in 2 % Salpetersäure eingetaucht und erneut mit Wasser gewaschen. Hierbei betrug die Ätzmenge der gekörnten Oberfläche etwa 3 g/m². Anschliessend wurde diese Platte bei einer Stromdichte von 15 A/dm² in 7 % Schwefelsäure als Elektrolytlösung gleichstromanodisiert, wodurch eine anodische Oxidschicht von 3 g/m² gebildet wurde, und dann mit Wasser gewaschen und getrocknet.
Auf die so behandelte Aluminiumplatte wurde die mit der folgenden Zusammensetzung hergestellte Lösung (X)-aufgebracht und dann für 2 Minuten bei 100°C getrocknet. Die aufgeschichtete Feststoffgehaltmenge betrug hierbei 1,1 g/m². Auf dieses Weise wurde das Lithografie-Druckplattenoriginal (24) erhalten.
Herstellung des Lithografie-Druckplattenoriginals (25)
Eine 0,30 mm dicke Aluminiumplatte (Baustoffmaterial 1050) wurde durch Waschen der Platte mit Trichlorethylen entfettet, unter Verwendung einer Nylonbürste und einer wässrigen Suspension von 400 mesh-Bimsstein einer Körnung der Oberfläche unterworfen und dann sorgfältig mit Wasser gewaschen. Diese Platte wurde durch Eintauchen in 25 Gew.%-ige wässrige Natriumhydroxidlösung bei 45°C für 9 Sekunden geätzt, mit Wasser gewaschen, für 20 Sekunden in 2 % Salpetersäure eingetaucht und erneut mit Wasser gewaschen. Hierbei betrug die Ätzmenge der gekörnten Oberfläche etwa 3 g/m². Anschliessend wurde diese Platte bei einer Stromdichte von 15 A/dm² in 7 % Schwefelsäure als Elektrolytlösung gleichstromanodisiert, wodurch eine anodische Oxidschicht von 3 g/m² gebildet wurde, und dann mit Wasser gewaschen und getrocknet.
Auf die so behandelte Aluminiumplatte wurde die mit der folgenden Zusammensetzung hergestellte Lösung (Y) aufgebracht und dann für 1 Minute bei 100°C getrocknet. Die aufgeschichtete Feststoffgehaltmenge betrug hierbei 1,1 g/m². Auf dieses Weise wurde das Lithografie-Druckplattenoriginal (25) erhalten.
Herstellung des Lithografie-Druckplattenoriginals (26)
Eine 0,30 mm dicke Aluminiumplatte (Baustoffmaterial 1050) wurde durch Waschen der Platte mit Trichlorethylen entfettet, unter Verwendung einer Nylonbürste und einer wässrigen Suspension von 400 mesh-Bimsstein einer Körnung der Oberfläche unterworfen und dann sorgfältig mit Wasser gewaschen. Diese Platte wurde durch Eintauchen in 25 Gew.%-ige wässrige Natriumhydroxidlösung bei 45°C für 9 Sekunden geätzt, mit Wasser gewaschen, für 20 Sekunden in 2 % Salpetersäure eingetaucht und erneut mit Wasser gewaschen. Hierbei betrug die Ätzmenge der gekörnten Oberfläche etwa 3 g/m². Anschliessend wurde diese Platte bei einer Stromdichte von 15 A/dm² in 7 % Schwefelsäure als Elektrolytlösung gleichstromanodisiert, wodurch eine anodische Oxidschicht von 3 g/m² gebildet wurde, und dann mit Wasser gewaschen und getrocknet. Die erhaltene Aluminiumplatte wurde in eine 2,5 Gew.%-ige wässrige Lösung von Nr. 3-Natriumsilicat (70°C) für 14 Sekunden eingetaucht und dann mit Wasser gewaschen und getrocknet.
Auf die so behandelte Aluminiumplatte wurde die hergestellte Lösung (15) mit der nachfolgenden Zusammensetzung aufgebracht und dann für 3 Minuten bei 100°C getrocknet. Hierbei betrug die Beschichtungsmenge des Feststoffgehalts 0,4 g/m².
Auf die so behandelte Aluminiumplatte wurde die hergestellte Lösung (Z) mit der nachfolgenden Zusammensetzung aufgebracht und dann für 3 Minuten bei 80°C getrocknet. Hierbei betrug die Beschichtungsmenge des Feststoffgehalts 1,0 g/m². Auf diese Weise wurde das Lithografie-Druckplattenoriginal (26) erhalten.
Die oben bei der Herstellung des Lithografie-Druckplattenoriginals verwendeten Polymerelektrolyte, Polymerelektrolytvorläufer, Infrarotabsorptionsmittel, positiven polaren Umwandlungspolymerverbindungen, in wässriger Alkalilösung löslichen Polymerverbindungen, negativen polaren Umwandlungspolymerverbindungen, säureerzeugenden Mittel, Vernetzungsmittel und wasserlöslichen Polymere sind nachstehend angegeben.
BEISPIELE 1 BIS 9 UND VERGLEICHSBEISPIELE 1 UND 2
Die erhaltenen Lithografie-Druckplattenoriginale (1) bis (9), (22) und (26) wurden mit einem Halbleiterlaser, der Infrarotstrahlung mit einer Wellenlänge von 840 nm emittierte, oder einem YAG-Laser, der Infrarotstrahlung mit einer Wellenlänge von 1.064 nm emittierte, mit einer Hauptrastergeschwindigkeit von 2,0 m/s belichtet. Nach der Belichtung wurden die Platten jeweils für 1 Minute in destilliertes Wasser eingetaucht und die Linienbreite im Nichtbildbereich wurde mit einem optischen Mikroskop beobachtet. Die der Linienbreite entsprechende Laserbestrahlungsenergie wurde bestimmt und als Empfindlichkeit verwendet.
Getrennt davon wurden die Lithografie-Druckplattenoriginale (1) bis (9), (22) und (26) in der gleichen Weise wie oben mit einem Halbleiterlaser, der Infrarotstrahlung mit einer Wellenlänge von 840 nm emittierte, oder einem YAG-Laser, der Infrarotstrahlung mit einer Wellenlänge von 1.064 nm emittierte, mit einer Hauptrastergeschwindigkeit von 2,0 m/s oder 4,0 m/s belichtet, und anschliessend einem herkömmlichen Druckvorgang in einer Hidel KOR-D-Druckmaschine ohne Durchlaufen irgendeiner Behandlung unterworfen. Die Auswertung wurde darauf ausgerichtet, ob im Nichtbildbereich des 3.000. Druckblattes eine Verschmutzung erzeugt wurde und wieviel Blätter guter Drucke erzielt werden konnten. Die Ergebnisse sind nachstehend in Tabelle 1 angegeben.
In allen Fällen der Lithografie-Druckplattenoriginale (1) bis (9), in denen eine Polymerkomplexschicht verwendet wurde, war die Empfindlichkeit hoch und im Nichtbildbereich des 3.000. Druckblattes wurde keine Verschmutzung erzeugt, unabhängig davon, ob die Rastergeschwindigkeit bei der Belichtung 2,0 m/s oder 4,0 m/s betrug.
Das Lithografie-Druckplattenoriginal (22) aus Vergleichsbeispiel 1 war ein Lithografie-Druckplattenoriginal, das nur eine Aufzeichnungsschicht auf dem Aluminiumträger aufwies. Im Fall dieses Lithografie-Druckplattenoriginals war die Empfindlichkeit etwas niedrig und bei der Belichtung mit einer Rastergeschwindigkeit von 2,0 m/s wurde im Nichtbildbereich des 3.000. Druckblattes keine Verschmutzung erzeugt und es wurden 45.000 Blatt guter Drucke erhalten, wenn jedoch mit einer Rastergeschwindigkeit von 4,0 m/s belichtet wurde, wurden im Nichtbildbereich des 500. Druckblattes Verschmutzungen erzeugt. Das rührt daher, dass in dem Lithografie-Druckplattenoriginal (22) die Wasserauflösung der Aufzeichnungsschicht von der Oberfläche der Aufzeichnungsschicht her erfolgte, und wenn die Rastergeschwindigkeit hoch war (4,0 m/s), konnte die Aufzeichnungsschicht nicht vollständig wasserlöslich gemacht werden und es wurde eine auf der Aufzeichnungsschicht zurückbleibende Schicht hervorgerufen.
Das Lithografie-Druckplattenoriginal (26) aus Vergleichsbeispiel 2 war ein Lithografie-Druckplattenoriginal, das auf einem Aluminiumträger eine Schicht, die ein Infrarotabsorptionsmittel und ein wasserlösliches Polymer enthielt, und eine Aufzeichnungsschicht aufwies. Im Fall dieses Lithografie-Druckplattenoriginals waren die Linienbreitenempfindlichkeit und die Verschmutzung im Nichtbildbereich des 3.000. Druckblattes auf nahezu dem gleichen Niveau wie bei den Lithografie-Druckplattenoriginalen der Beispiele 1 bis 9. Der Grund hierfür ist, dass die Schicht, die ein Infrarotabsorptionsmittel und ein wasserlösliches Polymer enthielt, den Effekt hervorrief, dass die Aufzeichnungsschicht von unten wasserlöslich gemacht wurde, wodurch die Wärmediffusion auf den Aluminiumträger verhindert wurde, was einen Teil der Wirkungen der Polymerkomplexschicht darstellt, und folglich konnte die Aufzeichnungsschicht auch dann entfernt werden, wenn die Aufzeichnungsschicht nicht vollständig wasserlöslich gemacht wurde. Die Schicht, die ein Infrarotabsorptionsmittel und ein wasserlösliches Polymer enthielt, wurde jedoch langsam durch die Benetzungslösung während des Druckvorgangs aufgelöst und daher wurde der Bildbereich abgelöst und es konnten nur 20.000 Blatt guter Drucke erhalten werden.
BEISPIELE 10 BIS 13 UND VERGLEICHSBEISPIEL 3
Die erhaltenen Lithografie-Druckplattenoriginale (10) bis (13) und (23) wurden mit einem Halbleiterlaser, der Infrarotstrahlung mit einer Wellenlänge von 840 nm emittierte, oder einem YAG-Laser, der Infrarotstrahlung mit einer Wellenlänge von 1.064 nm emittierte, belichtet. Nach der Belichtung wurden die Platten jeweils unter Verwendung einer automatischen Entwicklungsmaschine ("PS-Prozessor 900VR", hergestellt von Fuji Photo Film Co., Ltd.) entwickelt, der mit dem Entwickler DP-4 und der Spüllösung FR-3 (1:7), hergestellt von Fuji Photo Film Co., Ltd., beschickt war. Hierbei wurden 2 Niveaus an Entwickler DP-4 verwendet, das eine war auf 1:6 verdünnt und das andere auf 1:12. Die Linienbreite in den Nichtbildbereichen, die mit den jeweiligen Entwicklern erhalten wurden, wurde gemessen und die der Linienbreite entsprechende Laserbestrahlungsenergie wurde bestimmt und als Empfindlichkeit verwendet. Der Empfindlichkeitsunterschied zwischen dem 1:6 verdünnten Entwickler als Standard und einem auf 1:12 verdünnten Entwickler wurde aufgezeichnet. Je kleiner der Unterschied ist, desto besser ist die Entwicklungsbreite. Eine Breite von 20 mJ/cm² oder weniger ist ein praktisch anwendbares Niveau. Die erhaltenen Ergebnisse sind nachstehend in Tabelle 2 angegeben.
TABELLE 2
In allen Fällen der Lithografie-Druckplattenoriginale (10) bis (13), in denen eine Polymerkomplexschicht verwendet wurde, war die Empfindlichkeit hoch und die Entwicklungsbreite war auf einem praktisch anwendbaren Niveau.
Andererseits war im Fall des Lithografie-Druckplattenoriginals (23) aus Vergleichsbeispiel 3, das ein Lithografie-Druckplattenoriginal war, das nur eine Aufzeichnungsschicht auf dem Aluminiumträger aufwies, die Empfindlichkeit etwas gering und die Entwicklungsbreite erreichte kein praktisch anwendbares Niveau.
BEISPIELE 14 BIS 18 UND VERGLEICHSBEISPIEL 4
Die erhaltenen Lithografie-Druckplattenoriginale (14) bis (18) und (24) wurden mit einem Halbleiterlaser, der Infrarotstrahlung mit einer Wellenlänge von 840 nm emittierte, oder einem YAG-Laser, der Infrarotstrahlung mit einer Wellenlänge von 1.064 nm emittierte, mit einer Hauptrastergeschwindigkeit von 2,0 m/s belichtet. Nach der Belichtung wurden die Platten jeweils in eine wässrige Lösung (Wasser: 84,7 %, Isopropanol: 10 %, Triethylamin: 5 %, konzentrierte Salzsäure: 0,3 %) mit einem pH-Wert von 8,8 eingetaucht und dann wurde die Linienbreite im Bildbereich mit einem optischen Mikroskop beobachtet. Die der Linienbreite entsprechende Laserbestrahlungsenergie wurde bestimmt und als Empfindlichkeit verwendet.
Getrennt davon wurden die Lithografie-Druckplattenoriginale (14) bis (18) und (24) in der gleichen Weise wie oben mit einem Halbleiterlaser , der Infrarotstrahlung mit einer Wellenlänge von 840 nm emittierte, oder einem YAG-Laser, der Infrarotstrahlung mit einer Wellenlänge von 1.064 nm emittierte, mit einer Hauptrastergeschwindigkeit von 2,0 m/s oder 4,0 m/s belichtet und anschliessend in einer Hidel KOR-D-Druckmaschine ohne irgendeine Behandlung zu durchlaufen einem herkömmlichen Druckvorgang unterworfen. Die Bedingungen der Benetzungslösung in diesem Druckvorgang sind nachstehend angegeben.
Benetzungslösung
pH: 8,8 (Wasser: 84,7 %, Isopropanol: 10 %, Triethylamin: 5 %, konzentrierte Salzsäure: 0,3 %)
Die Auswertung wurde darauf ausgerichtet, ob der Bildbereich des 10.000. bedruckten Blattes ausreichend eingefärbt wurde und wieviel Blätter guter Drucke erzielt werden konnten. Die Ergebnisse sind nachstehend in Tabelle 3 angegeben.
In allen Fällen der Lithografie-Druckplattenoriginale (14) bis (18), in denen eine Polymerkomplexschicht verwendet wurde, war die Empfindlichkeit hoch und die Entfärbungseigenschaften des Bildbereichs waren gut.
Andererseits war im Fall des Lithografie-Druckplattenoriginals (24) aus Vergleichsbeispiel 4 bei der Belichtung mit hoher Rastergeschwindigkeit (4,0 m/s) die Empfindlichkeit etwas niedrig und die Einfärbungseigenschaft im Bildbereich war schlecht. Ferner konnte nicht ein Blatt eines guten Drucks erzielt werden.
BEISPIELE 19 BIS 21 UND VERGLEICHSBEISPIEL 5
Die erhaltenen Lithografie-Druckplattenoriginale (19) bis (21) und (25) wurden mit einem Halbleiterlaser, der Infrarotstrahlung mit einer Wellenlänge von 840 nm emittierte, belichtet. Nach der Belichtung wurden die Platten jeweils für 1 Minute bei 140°C in einem Ofen erhitzt und dann unter Verwendung einer automatischen Entwicklungsmaschine ("PS-Prozessor 900VR", hergestellt von Fuji Photo Film Co., Ltd.) entwickelt, der mit dem Entwickler DP-4 und der Spüllösung FR-3 (1:7), hergestellt von Fuji Photo Film Co., Ltd., beschickt war. Hierbei wurden 2 Niveaus an Entwickler DP-4 verwendet, das eine war auf 1:6 verdünnt und das andere auf 1:12. Die Linienbreite in den Nichtbildbereichen, die mit den jeweiligen Entwicklern erhalten wurden, wurde gemessen und die der Linienbreite entsprechende Laserbestrahlungsenergie wurde bestimmt und als Empfindlichkeit verwendet. Der Empfindlichkeitsunterschied zwischen dem 1:6 verdünnten Entwickler als Standard und einem auf 1:12 verdünnten Entwickler wurde aufgezeichnet. Je kleiner der Unterschied ist, desto besser ist die Entwicklungsbreite. Eine Breite von 20 mJ/cm² oder weniger ist ein praktisch anwendbares Niveau. Die erhaltenen Ergebnisse sind nachstehend in Tabelle 4 angegeben.
TABELLE 4
In allen Fällen der Lithografie-Druckplattenoriginale (19) bis (21), in denen eine Polymerkomplexschicht verwendet wurde, war die Empfindlichkeit hoch und die Entwicklungsbreite war auf einem praktisch anwendbaren Niveau.
Andererseits war im Fall des Lithografie-Druckplattenoriginals (25) aus Vergleichsbeispiel 5, das ein Lithografie-Druckplattenoriginal war, das nur eine Aufzeichnungsschicht auf dem Aluminiumträger aufwies, die Empfindlichkeit etwas gering und die Entwicklungsbreite erreichte kein praktisch anwendbares Niveau.
Das erfindungsgemässe Lithografie-Druckplattenoriginal weist eine Polymerkomplexschicht auf dem Träger auf und daher wird die Wärmediffusion auf den Träger zum Zeitpunkt der Wärmemodusbildaufzeichnung verhindert, und als Ergebnis können eine hohe Empfindlichkeit erzielt und eine von Restfärbung oder Verschmutzung freie Drucksache erhalten werden. Insbesondere kann das Lithografie-Druckplattenoriginal die direkte Plattenherstellung aus digitalen Daten durch Anwendung der Bildaufzeichnung unter Verwendung eines Feststofflasers oder eines Halbleiterlasers, die Infrarotstrahlung emittieren, erzielen.
Ferner kann durch Verwendung einer polaren Umwandlungspolymerverbindung (unabhängig davon ob positiv oder negativ) in der Aufzeichnungsschicht ein Lithografie-Druckplattenoriginal bereitgestellt werden, das zur Entwicklung mit Wasser geeignet ist oder nach dem Schreiben eines Bildes auf eine besondere Behandlung verzichten kann, wie beispielsweise eine Nassbehandlung oder Reiben, und die eine sehr einfache Handhabung besitzt.
Während die Erfindung unter Bezugnahme auf spezifische Ausführungsformen detaillierter beschrieben wurde, ist es für den Fachmann ersichtlich, dass verschiedene Veränderungen und Modifikationen darin vorgenommen werden können, ohne von deren Geist und Umfang abzuweichen.

Claims

Lithografie-Druckplattenvorläufer, der einen Träger umfasst, auf dem nacheinander eine Schicht, die einen Polymerkomplex enthält (Schicht A), und eine Aufzeichnungsschicht, die eine thermisch veränderliche Löslichkeit in mindestens einem aus Wasser und einer wässrigen Lösung besitzt (Schicht B) ausgebildet sind, der Träger besitzt eine hydrophile Oberfläche und mindestens eine der Schichten A und B enthält ein Licht/Wärme-Umwandlungsmittel.
Lithografie-Druckplattenvorläufer gemäss Anspruch 1, worin die Beschichtungsmenge der Schicht, die einen Polymerkomplex enthält (Schicht A) 0,1–1,0 g/m² beträgt, und die Absorbanz bei der Laserwellenlänge für die Aufzeichnung eines Bildes beträgt 0,3 oder mehr.
Lithografie-Druckplattenvorläufer gemäss Anspruch 1, worin die Aufzeichnungsschicht (Schicht B) eine Polymerverbindung mit einer hydrophoben funktionellen Gruppe enthält, deren Hydrophilizität thermisch veränderlich ist.