DE554584C - Verfahren zur Herstellung von Kupfer-Kupferoxyd-Gleichrichter-Platten - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Kupfer-Kupferoxyd-Gleichrichter-PlattenInfo
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- H10P14/29—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by the substrates
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- H10D48/071—Preparation of the foundation plate, preliminary treatment oxidation of the foundation plate or reduction treatment
- H10D48/075—Reduction of the copper oxide or treatment of the oxide layer
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- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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Description
Es sind bereits Verfahren zur Herstellung von Kupfer-Kupferoxyd-Gleichrichter-Platten
bekannt, bei welchen eine präparierte Kupferplatte in oxydierender Atmosphäre auf hohe Temperatur erhitzt und dann in
einem reduzierenden Kühlmittel gelöscht wird. Es hat sich dabei als nötig erwiesen,
das Löschen ebenfalls bei hohen Temperaturen, d. h. mit solchen Reduktionsmitteln auszuführen,
die in der Nähe von 500 ° C nicht flüchtig sind. Die bereits als Reduktionsmittel
vorgeschlagenen organischen Säuren, Ketone, Aldehyde und Alkohole sind allzu flüchtig, um für diesen Zweck verwendbar
zu sein. Andererseits hat man auch versucht, hochsiedende Mineralöle auf Paraffinbasis zu
benutzen, um Kupferoxyd zu reduzieren. Es hat sich nun herausgestellt, daß die wirksamen
Dämpfe des Reduktionsmittels (denn um Dämpfe handelt es sich bei diesen Temperaturen)
an und für sich zu konzentriert sind und ein besonderes Molekulargefüge des reduzierten Kupfers erzeugen, welches
nicht die volle Wirkung zustande bringt.
Diese Nachteile werden gemäß der Erfindung dadurch vermieden, daß man nicht
die konzentrierten Dämpfe des Reduktionsmittels verwendet, sondern diese mittels eines
unwirksamen Trägers verdünnt, wobei als Reduktionsmittel Kohlenwasserstoffderivate
mit reduzierenden Eigenschaften zur Verwendung kommen, deren spezifisches Gewicht
bei 150 bis 2000 C größer ist als dasjenige
des geschmolzenen inerten Trägers, wie Paraffin bei dieser Temperatur, und deren Siedepunkt
über 1500C liegt. Ein solches Reduktionsmittel
ist das Hydrochinon, auf welches als Ausführungsbeispiel der Erfindung im nachstehenden Bezug genommen· wird.
Das Hydrochinon kann mit Paraffin erhitzt werden, so daß der Dampfdruck des
Hydrochinons in dem Paraffin nennenswert wird, wobei die Wirksamkeit der Mischung
durch die Temperatur kontrolliert werden kann. Oberhalb des Schmelzpunktes des Hydrochinons ist eine Regelung der Konzentration,
dieses Reduktionsmittels im Paraffin durch Änderung der Temperatur nicht mehr möglich, weil sich das flüssige Hydrochinon
mit dem Paraffin mischt. Die Schmelztemperatur des Hydrochinons bildet aus diesem Grunde die obere Temperaturgrenze
für die Verwendbarkeit der Lösung.
Es ist bekannt, daß bei Berührung zweier normal unvermischbarer Flüssigkeiten jede
von diesen etwas in die andere hineindiffundiert, so daß ein gewisser Dampfdruck
einer jeden in der anderen vorhanden ist. Aus diesem Grunde mischen sich öl und
Wasser bis zu einem gewissen Grade, ebensowohl Luft und Wasser, so daß das Wasser
mit Luft und Luft mit Wasserdampf gesättigt ist. Nur wenige Substanzen sind im Paraffin löslich, und bei gewöhnlicher Temperatur
ist das Paraffin außerordentlich inaktiv. Wird jedoch Paraffin geschmolzen und mit Hydrochinon in Berührung gebracht,
so wird der Hydrochinondampf das Paraffin
durchdringen und sich in einer Konzentration befinden, welche von der Temperatur und
dem Druck des Gemisches abhängt. Befindet sich ein Überschuß von Hydrochinon in Berührung
mit dem Paraffin, so ist das Paraffin mit Hydrochinon gesättigt. Diese Eigenschaft
der Dampfdiffusion schafft eine fast ideale Bedingung für das Löschmittel bei der
Behandlung der Gleichrichter-Platten, weil
ίο das Hydrochinon dem Paraffin ohne weiteres
hinzugefügt werden kann und nur dessen Dampf sich bei einer niedrigen Konzentration
in dem Paraffin befindet, wobei diese Konzentration durch Änderung der Arbeitstemperatur
gesteuert werden kann. Es kommt noch hinzu, daß das spezifische Gewicht des Hydrochinons bei 150 bis 2000 C größer ist
als dasjenige des geschmolzenen Paraffins bei dieser Temperatur, so daß das Hydrochinon
auf dem Boden des Gefäßes verbleibt. Sonst würde die präparierte Kupferplatte durch das
Hydrochinon beim Eintritt in die Paraffinmasse hindurchgehen und der Belag zerstört
werden. Das Hydrochinon bildet ein sehr aktives Reduktionsmittel, so daß sowohl das
rote wie auch das schwarze Kupferoxyd bei Arbeitstemperaturen zwischen 200 und 500 ° C
sehr rasch angegriffen werden. Die unerwünschten Umsetzungsprodukte zwischen dem Hydrochinon und dem Kupferoxyd sind
bei dieser Temperatur der Lösung gasförmig und verdampfen.
Die Verwendung des beschriebenen Verfahrens bietet folgende Vorteile:
i. Die Beschaffenheit des Kontaktes zwischen dem reduzierten Kupfer und dem Oxyd
ist außerordentlich wichtig und muß so geregelt werden, daß der zuverlässigste und
wirksamste Kontakt zwischen diesen beiden Schichten gesichert bleibt. Die Löschmittel
gemäß Erfindung sichern eine solche Kontrolle, und zwar in genauer Weise.
2. Die Wirksamkeit des Löschmittels hängt gewöhnlich von der Temperatur ab, bei weleher
die oxydierten Gleichrichter-Platten eingetaucht werden. Dieser Umstand ist sonst
störend, weil die für die günstigste Wirksamkeit erforderliche Temperatur oberhalb derjenigen
liegen könnte, welche zulässig ist, um das richtige Molekulargefüge des gebildeten
Kupfers zu sichern.
Das Löschmittel gemäß Erfindung besitzt besondere Eigenschaften in dieser Hinsicht,
weil die Wirksamkeit des Reduktionsmittels innerhalb seiner selbst beliebig geändert werden
kann und nicht von der hohen Temperatur der eingetauchten Platte abhängt.
3. Das Löschmittel gemäß Erfindung gestattet die Verwendung eines sehr wirksamen
flüchtigen Stoffes als Reduktionsmittel, ohne daß das aktive Gas dieses Stoffes als ein
unkontrollierbares Reduktionsmittel wirksam wird. Es kann nur eine sehr beschränkte
Konzentration des aktiven Dampfes an der Platte in irgendeinem Zeitpunkte zugegen
sein.
4. Das Löschmittel bietet noch einen weiteren Vorteil darin, daß die Platten nach dem
Verlassen des Löschbades selbsttätig gegen Feuchtigkeit geschützt werden, da das Paraffin
diese Platten vollständig einschließt und an der Platte derart fest anhaftet, daß dadurch
ein luftdichter Abschluß gesichert bleibt.
Claims (2)
- 75 Patentansprüche:i. Verfahren zur Herstellung von Kupfer-Kupferoxyd-Gleichrichter-Platten durch Erhitzen einer präparierten Kupferplatte in oxydierender Atmosphäre auf hohe Temperatur und Löschen derselben in einem reduzierenden Kühlmittel, dadurch gekennzeichnet, daß das Löschen dadurch bewirkt wird, daß man die Platte der Einwirkung des Dampfes eines in einer inerten Masse, z. B. Paraffin, als Träger verteilten Kohlenwasserstoffderivates mit reduzierenden Eigenschaften unterwirft, dessen spezifisches Gewicht bei 150 bis 2000 C größer ist als dasjenige des geschmolzenen inerten Trägers und dessen Siedepunkt über 1500 C liegt.
- 2. Verfahren nach Anspruch r, dadurch gekennzeichnet, daß Hydrochinon als Reduktionsmittel in Verbindung mit dem inerten Paraffin verwendet wird.BERLtN. GEDRÜCKT IS ISER
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEH120415D DE554584C (de) | 1929-02-19 | 1929-02-20 | Verfahren zur Herstellung von Kupfer-Kupferoxyd-Gleichrichter-Platten |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEH0120415 | 1929-02-19 | ||
| DEH120415D DE554584C (de) | 1929-02-19 | 1929-02-20 | Verfahren zur Herstellung von Kupfer-Kupferoxyd-Gleichrichter-Platten |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE554584C true DE554584C (de) | 1932-07-11 |
Family
ID=25980926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEH120415D Expired DE554584C (de) | 1929-02-19 | 1929-02-20 | Verfahren zur Herstellung von Kupfer-Kupferoxyd-Gleichrichter-Platten |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE554584C (de) |
-
1929
- 1929-02-20 DE DEH120415D patent/DE554584C/de not_active Expired
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