DE554584C - Verfahren zur Herstellung von Kupfer-Kupferoxyd-Gleichrichter-Platten - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Kupfer-Kupferoxyd-Gleichrichter-Platten

Info

Publication number
DE554584C
DE554584C DEH120415D DEH0120415D DE554584C DE 554584 C DE554584 C DE 554584C DE H120415 D DEH120415 D DE H120415D DE H0120415 D DEH0120415 D DE H0120415D DE 554584 C DE554584 C DE 554584C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
copper
paraffin
hydroquinone
production
extinguishing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DEH120415D
Other languages
English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hanovia Chemical and Manufacturing Co
Original Assignee
Hanovia Chemical and Manufacturing Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hanovia Chemical and Manufacturing Co filed Critical Hanovia Chemical and Manufacturing Co
Priority to DEH120415D priority Critical patent/DE554584C/de
Application granted granted Critical
Publication of DE554584C publication Critical patent/DE554584C/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02425—Conductive materials, e.g. metallic silicides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02565—Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02614—Transformation of metal, e.g. oxidation, nitridation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/16—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising cuprous oxide or cuprous iodide
    • H01L21/161—Preparation of the foundation plate, preliminary treatment oxidation of the foundation plate, reduction treatment
    • H01L21/165—Reduction of the copper oxide, treatment of the oxide layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Description

Es sind bereits Verfahren zur Herstellung von Kupfer-Kupferoxyd-Gleichrichter-Platten bekannt, bei welchen eine präparierte Kupferplatte in oxydierender Atmosphäre auf hohe Temperatur erhitzt und dann in einem reduzierenden Kühlmittel gelöscht wird. Es hat sich dabei als nötig erwiesen, das Löschen ebenfalls bei hohen Temperaturen, d. h. mit solchen Reduktionsmitteln auszuführen, die in der Nähe von 500 ° C nicht flüchtig sind. Die bereits als Reduktionsmittel vorgeschlagenen organischen Säuren, Ketone, Aldehyde und Alkohole sind allzu flüchtig, um für diesen Zweck verwendbar zu sein. Andererseits hat man auch versucht, hochsiedende Mineralöle auf Paraffinbasis zu benutzen, um Kupferoxyd zu reduzieren. Es hat sich nun herausgestellt, daß die wirksamen Dämpfe des Reduktionsmittels (denn um Dämpfe handelt es sich bei diesen Temperaturen) an und für sich zu konzentriert sind und ein besonderes Molekulargefüge des reduzierten Kupfers erzeugen, welches nicht die volle Wirkung zustande bringt.
Diese Nachteile werden gemäß der Erfindung dadurch vermieden, daß man nicht die konzentrierten Dämpfe des Reduktionsmittels verwendet, sondern diese mittels eines unwirksamen Trägers verdünnt, wobei als Reduktionsmittel Kohlenwasserstoffderivate mit reduzierenden Eigenschaften zur Verwendung kommen, deren spezifisches Gewicht bei 150 bis 2000 C größer ist als dasjenige des geschmolzenen inerten Trägers, wie Paraffin bei dieser Temperatur, und deren Siedepunkt über 1500C liegt. Ein solches Reduktionsmittel ist das Hydrochinon, auf welches als Ausführungsbeispiel der Erfindung im nachstehenden Bezug genommen· wird.
Das Hydrochinon kann mit Paraffin erhitzt werden, so daß der Dampfdruck des Hydrochinons in dem Paraffin nennenswert wird, wobei die Wirksamkeit der Mischung durch die Temperatur kontrolliert werden kann. Oberhalb des Schmelzpunktes des Hydrochinons ist eine Regelung der Konzentration, dieses Reduktionsmittels im Paraffin durch Änderung der Temperatur nicht mehr möglich, weil sich das flüssige Hydrochinon mit dem Paraffin mischt. Die Schmelztemperatur des Hydrochinons bildet aus diesem Grunde die obere Temperaturgrenze für die Verwendbarkeit der Lösung.
Es ist bekannt, daß bei Berührung zweier normal unvermischbarer Flüssigkeiten jede von diesen etwas in die andere hineindiffundiert, so daß ein gewisser Dampfdruck einer jeden in der anderen vorhanden ist. Aus diesem Grunde mischen sich öl und Wasser bis zu einem gewissen Grade, ebensowohl Luft und Wasser, so daß das Wasser mit Luft und Luft mit Wasserdampf gesättigt ist. Nur wenige Substanzen sind im Paraffin löslich, und bei gewöhnlicher Temperatur ist das Paraffin außerordentlich inaktiv. Wird jedoch Paraffin geschmolzen und mit Hydrochinon in Berührung gebracht, so wird der Hydrochinondampf das Paraffin
durchdringen und sich in einer Konzentration befinden, welche von der Temperatur und dem Druck des Gemisches abhängt. Befindet sich ein Überschuß von Hydrochinon in Berührung mit dem Paraffin, so ist das Paraffin mit Hydrochinon gesättigt. Diese Eigenschaft der Dampfdiffusion schafft eine fast ideale Bedingung für das Löschmittel bei der Behandlung der Gleichrichter-Platten, weil
ίο das Hydrochinon dem Paraffin ohne weiteres hinzugefügt werden kann und nur dessen Dampf sich bei einer niedrigen Konzentration in dem Paraffin befindet, wobei diese Konzentration durch Änderung der Arbeitstemperatur gesteuert werden kann. Es kommt noch hinzu, daß das spezifische Gewicht des Hydrochinons bei 150 bis 2000 C größer ist als dasjenige des geschmolzenen Paraffins bei dieser Temperatur, so daß das Hydrochinon auf dem Boden des Gefäßes verbleibt. Sonst würde die präparierte Kupferplatte durch das Hydrochinon beim Eintritt in die Paraffinmasse hindurchgehen und der Belag zerstört werden. Das Hydrochinon bildet ein sehr aktives Reduktionsmittel, so daß sowohl das rote wie auch das schwarze Kupferoxyd bei Arbeitstemperaturen zwischen 200 und 500 ° C sehr rasch angegriffen werden. Die unerwünschten Umsetzungsprodukte zwischen dem Hydrochinon und dem Kupferoxyd sind bei dieser Temperatur der Lösung gasförmig und verdampfen.
Die Verwendung des beschriebenen Verfahrens bietet folgende Vorteile:
i. Die Beschaffenheit des Kontaktes zwischen dem reduzierten Kupfer und dem Oxyd ist außerordentlich wichtig und muß so geregelt werden, daß der zuverlässigste und wirksamste Kontakt zwischen diesen beiden Schichten gesichert bleibt. Die Löschmittel gemäß Erfindung sichern eine solche Kontrolle, und zwar in genauer Weise.
2. Die Wirksamkeit des Löschmittels hängt gewöhnlich von der Temperatur ab, bei weleher die oxydierten Gleichrichter-Platten eingetaucht werden. Dieser Umstand ist sonst störend, weil die für die günstigste Wirksamkeit erforderliche Temperatur oberhalb derjenigen liegen könnte, welche zulässig ist, um das richtige Molekulargefüge des gebildeten Kupfers zu sichern.
Das Löschmittel gemäß Erfindung besitzt besondere Eigenschaften in dieser Hinsicht, weil die Wirksamkeit des Reduktionsmittels innerhalb seiner selbst beliebig geändert werden kann und nicht von der hohen Temperatur der eingetauchten Platte abhängt.
3. Das Löschmittel gemäß Erfindung gestattet die Verwendung eines sehr wirksamen flüchtigen Stoffes als Reduktionsmittel, ohne daß das aktive Gas dieses Stoffes als ein unkontrollierbares Reduktionsmittel wirksam wird. Es kann nur eine sehr beschränkte Konzentration des aktiven Dampfes an der Platte in irgendeinem Zeitpunkte zugegen sein.
4. Das Löschmittel bietet noch einen weiteren Vorteil darin, daß die Platten nach dem Verlassen des Löschbades selbsttätig gegen Feuchtigkeit geschützt werden, da das Paraffin diese Platten vollständig einschließt und an der Platte derart fest anhaftet, daß dadurch ein luftdichter Abschluß gesichert bleibt.

Claims (2)

  1. 75 Patentansprüche:
    i. Verfahren zur Herstellung von Kupfer-Kupferoxyd-Gleichrichter-Platten durch Erhitzen einer präparierten Kupferplatte in oxydierender Atmosphäre auf hohe Temperatur und Löschen derselben in einem reduzierenden Kühlmittel, dadurch gekennzeichnet, daß das Löschen dadurch bewirkt wird, daß man die Platte der Einwirkung des Dampfes eines in einer inerten Masse, z. B. Paraffin, als Träger verteilten Kohlenwasserstoffderivates mit reduzierenden Eigenschaften unterwirft, dessen spezifisches Gewicht bei 150 bis 2000 C größer ist als dasjenige des geschmolzenen inerten Trägers und dessen Siedepunkt über 1500 C liegt.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch r, dadurch gekennzeichnet, daß Hydrochinon als Reduktionsmittel in Verbindung mit dem inerten Paraffin verwendet wird.
    BERLtN. GEDRÜCKT IS ISER
DEH120415D 1929-02-19 1929-02-20 Verfahren zur Herstellung von Kupfer-Kupferoxyd-Gleichrichter-Platten Expired DE554584C (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEH120415D DE554584C (de) 1929-02-19 1929-02-20 Verfahren zur Herstellung von Kupfer-Kupferoxyd-Gleichrichter-Platten

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEH0120415 1929-02-19
DEH120415D DE554584C (de) 1929-02-19 1929-02-20 Verfahren zur Herstellung von Kupfer-Kupferoxyd-Gleichrichter-Platten

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE554584C true DE554584C (de) 1932-07-11

Family

ID=25980926

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEH120415D Expired DE554584C (de) 1929-02-19 1929-02-20 Verfahren zur Herstellung von Kupfer-Kupferoxyd-Gleichrichter-Platten

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE554584C (de)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1913718A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
DE554584C (de) Verfahren zur Herstellung von Kupfer-Kupferoxyd-Gleichrichter-Platten
AT155712B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterüberzügen.
DE595306C (de) Vorrichtung zur Durchfuehrung von Reaktionen bei erhoehten Drucken
DE872938C (de) Verfahren und Vorrichtung zur Durchfuehrung exothermer katalytischer Gasreaktionen
DE2545552C2 (de) Verfahren zur schnellen Senkung des Drucks und/oder der Temperatur im Reaktionssystem der Oxidation von Kohlenwasserstoffen in flüssiger Phase unter Druck mit Sauerstoff enthaltenden Gasen
DE421786C (de) Herstellung von Schwefelsaeure
DE918933C (de) Verfahren zur Herstellung eines brennbaren Blankgluehgases
DE283347C (de)
AT82207B (de) Verfahren zum Hydrieren von ungesättigten Verbindungen.
DD213692A5 (de) Verfahren zur haertung von eisenlegierungen im waessrigen medium
DE960005C (de) Verfahren zur Gewinnung von Salzsaeure durch Absorption von Chlorwasserstoff aus Gasen
DE493874C (de) Verfahren zur Herstellung von Eisen durch thermische Zersetzung von Eisencarbonyl
DE2120409A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Aluminium oder dessen Legierungen
DE479825C (de) Verfahren zur Gewinnung fluechtiger organischer Stoffe aus Gasgemischen mittels Waschoele
DE758960C (de) Verfahren zur Vermeidung von Kondensatbildungen in Klimaraeumen
DE398063C (de) Verfahren zur Herstellung kolloidaler Loesungen
DE278867C (de)
DE971554C (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Carbonsaeuren durch Oxydation organischer Stoffe mit Salpetersaeure
DE711052C (de) Verfahren zum Abscheiden von Schwefel in fluessiger Form
AT110885B (de) Verfahren zur Verminderung des Nikotingehaltes gebrauchsfertiger Tabakfabrikate.
DE610660C (de) Verfahren zum Chlorieren von gesaettigten aliphatischen Kohlenwasserstoffen
DE601014C (de) Verfahren zur Erzeugung der Lichtempfindlichkeit von lichtelektrisch aktiven Koerpern, wie Selen o. dgl., mittels Waermebehandlung unter Verwendung einer die Waerme auf en betreffenden Koerper uebertragenden indifferenten Fluessigkeit
DE418992C (de) Verfahren zum Riechbarmachen von geruchlosen, giftigen Gasen
DE906331C (de) Verfahren zur Abtrennung nichtsauerstoffhaltiger organischer Verbindungen