DE545789C - Einrichtung zur Verhuetung von Rueckzuendungen in Quecksilberdampf-Gleichrichtern, bei denen die Bildung von Quecksilberdampf aus der freien Quecksilber-Oberflaeche mit Ausnahme der Flaeche des Kathodenflecks durch eine innerhalb des Kathodenquecksilbers angeordnete Kuehleinrichtung unterdrueckt ist - Google Patents
Einrichtung zur Verhuetung von Rueckzuendungen in Quecksilberdampf-Gleichrichtern, bei denen die Bildung von Quecksilberdampf aus der freien Quecksilber-Oberflaeche mit Ausnahme der Flaeche des Kathodenflecks durch eine innerhalb des Kathodenquecksilbers angeordnete Kuehleinrichtung unterdrueckt istInfo
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J13/00—Discharge tubes with liquid-pool cathodes, e.g. metal-vapour rectifying tubes
- H01J13/02—Details
- H01J13/04—Main electrodes; Auxiliary anodes
- H01J13/06—Cathodes
- H01J13/14—Cooling, heating, circulating, filtering, or controlling level of the liquid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2893/00—Discharge tubes and lamps
- H01J2893/0072—Disassembly or repair of discharge tubes
- H01J2893/0073—Discharge tubes with liquid poolcathodes; constructional details
- H01J2893/0074—Cathodic cups; Screens; Reflectors; Filters; Windows; Protection against mercury deposition; Returning condensed electrode material to the cathodic cup; Liquid electrode level control
- H01J2893/0075—Cathodic cups
- H01J2893/0081—Cooling means
Description
Die Entstehung von Rückzündungen in Quecksilberdampfgleichrichtern mit Glas-
und Metallgefäßen wird hauptsächlich durch den aus dem Kathodenquecksilber aufsteigenden
Quecksilberdampf begünstigt. Zur Vermeidung der Bildung von schädlichen Quecksilberdampfmengen
hat man bereits die verschiedensten Mittel und Wege vorgeschlagen. Zumeist hat man dies dadurch zu erreichen
versucht, daß man den Kathodenfleck auf der Quecksilber-Oberfläche fixierte und ihn so
weit als möglich am Wandern hinderte. Zu dem Zweck hat man sowohl aus dem Kathodenquecksilber
herausragende, als auch davon bedeckte Einsätze aus schwer schmelzbarem Material vorgesehen. Im letzteren Fall wird
die Kathodenquecksilberschicht derart bemessen, daß sie vom Arbeitslichtbogen durchstoßen
werden kann.
ao Es ist ferner bekannt, daß eine Verringerung der Ouecksilberdampfmenge in weit
größerem Maße ohne Fixierung des Lichtbogens, d. h. also bei auf der Kathodenoberfläche
wanderndem Kathodenfleck dadurch erreicht werden kann, daß die Oberfläche des Kathodenquecksilbers so gekühlt wird, daß
sie als Kondensator für den Quecksilberdampf dient.
Es sind Gleichrichter bekannt, bei denen das Kathodenquecksilber unmittelbar derart
gekühlt ist, daß die Bildung von Quecksilberdampf an der freien Quecksilber-Oberfläche
außerhalb der Fläche des Kathodenfiecks unterdrückt wird. Für die Kühlung hat man
z. B. Kühlschlangen im Quecksilber vorgeschlagen. Diese Anordnungen haben aber den
Nachteil, daß der Lichtbogen die Quecksilberschicht oberhalb des Kühlkörpers durchstoßen
und sich an dem Kühlkörper ansetzen und diesen zerstören kann.
Gemäß der Erfindung wird dieser Nachteil dadurch vermieden, daß zwischen der
Kühleinrichtung und der Oberflächenschicht des Quecksilbers eine Schutzplatte aus einem
Metall mit einem Schmelzpunkt von mindestens 25000 C angeordnet ist.
In der Zeichnung ist ein Ausführungsbeispiel der Erfindung schematisch dargestellt.
α ist der Kathodenisolator und b die Kathodenabschlußplatte,
die als besonderer Kühlmittelsammelbehälter ausgeführt ist. Innerhalb des Kathodenquecksilbers c ist die Kühlschlange
d angebracht. Das Kühlmittel wird der Kühlschlange bei e zugeführt, fließt dann
in den Sammelbehälter und bei f ab. Um die Wärmeabfuhr aus dem an sich schlecht
wärmeleitenden Quecksilber möglichst energisch durchführen zu können, ist es zweckmäßig,
als Material für den Kühlkörper ein Metall großer Wärmeleitfähigkeit zu wählen, z. B. Kupfer, das gegebenenfalls mit
einer nicht amalgamierenden Metallschicht überzogen ist. Oberhalb des Kühlkörpers ist
eine Schutzplatte g aus schwer schmelzbarem Metall angebracht, um zu verhüten, daß bei
ίο einem eventuellen Durchstoßen der dünnen
Ouecksilberschicht durch den Arbeitslichtbogen ein Ansetzen desselben an dem Kühlkörper
und dadurch eine Zerstörung des letzteren eintreten kann.
Für die Kühlung des Quecksilbers genügt im allgemeinen die Verwendung von Wasser.
Zur intensiveren Kühlung der Oberflächenschicht des Kathodenquecksilbers ist es notwendig,
eine Unterkühlung des Quecksilbers durch ein Kühlmittel herbeizuführen, das von sich aus oder durch künstliche Mittel große
Wärmeaufnahmefähigkeit besitzt, wie z. B. Ammoniak, verflüssigte Gase, deren Verdampfung
durch Kälteerzeugung verhindert wird, usw. Auf diese Weise kann das Kathodenquecksilber
so weit gekühlt werden, daß es eine Temperatur von mindestens o° in seiner Oberflächenschicht besitzt. Die Unterkühlung
kann auch bis zum Erstarrungspunkt des Quecksilbers durchgeführt werden.
An Stelle der Kühlung oder Unterkühlung des gesamten Kathodenquecksilbers kann es
unter Umständen genügen, daß nur der Rand der Ouecksilberschicht oder aber nur die
Mitte derselben gekühlt wird.
Claims (3)
- Patentansprüche:zur Verhütung von in Quecksilberdampf-i. Einrichtung
RückzündungenGleichrichtern, bei denen die Bildung von Quecksilberdampf aus der freien Quecksilber-Oberfläche mit Ausnahme der Fläche des Kathodenflecks durch eine innerhalb des Kathodenquecksilbers angeordnete Kühleinrichtung unterdrückt ist, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Kühleinrichtung und der Oberflächenschicht des Quecksilbers eine Schutzplatte aus einem Metall mit einem Schmelzpunkt von mindestens 25000 C angeordnet ist. - 2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Kathodenquecksilber mindestens auf o° gekühlt wird.
- 3. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Kathodenquecksilber bis zum Erstarrungspunkt von Quecksilber unterkühlt wird.Hierzu ι Blatt Zeichnungen
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEA53162D DE545789C (de) | 1928-01-31 | 1928-01-31 | Einrichtung zur Verhuetung von Rueckzuendungen in Quecksilberdampf-Gleichrichtern, bei denen die Bildung von Quecksilberdampf aus der freien Quecksilber-Oberflaeche mit Ausnahme der Flaeche des Kathodenflecks durch eine innerhalb des Kathodenquecksilbers angeordnete Kuehleinrichtung unterdrueckt ist |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DEA53162D DE545789C (de) | 1928-01-31 | 1928-01-31 | Einrichtung zur Verhuetung von Rueckzuendungen in Quecksilberdampf-Gleichrichtern, bei denen die Bildung von Quecksilberdampf aus der freien Quecksilber-Oberflaeche mit Ausnahme der Flaeche des Kathodenflecks durch eine innerhalb des Kathodenquecksilbers angeordnete Kuehleinrichtung unterdrueckt ist |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE545789C true DE545789C (de) | 1932-03-05 |
Family
ID=6938843
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEA53162D Expired DE545789C (de) | 1928-01-31 | 1928-01-31 | Einrichtung zur Verhuetung von Rueckzuendungen in Quecksilberdampf-Gleichrichtern, bei denen die Bildung von Quecksilberdampf aus der freien Quecksilber-Oberflaeche mit Ausnahme der Flaeche des Kathodenflecks durch eine innerhalb des Kathodenquecksilbers angeordnete Kuehleinrichtung unterdrueckt ist |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE545789C (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE943783C (de) * | 1941-07-20 | 1956-06-01 | Siemens Ag | Metalldampfentladungsgefaess mit fluessiger Kathode |
DE948540C (de) * | 1943-04-09 | 1956-09-06 | Siemens Ag | Einanodiges Metalldampf-Entladungsgefaess |
US5304643A (en) * | 1991-11-27 | 1994-04-19 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Process for producing epsilon-caprolactam |
-
1928
- 1928-01-31 DE DEA53162D patent/DE545789C/de not_active Expired
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE943783C (de) * | 1941-07-20 | 1956-06-01 | Siemens Ag | Metalldampfentladungsgefaess mit fluessiger Kathode |
DE948540C (de) * | 1943-04-09 | 1956-09-06 | Siemens Ag | Einanodiges Metalldampf-Entladungsgefaess |
US5304643A (en) * | 1991-11-27 | 1994-04-19 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Process for producing epsilon-caprolactam |
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