DE522291C - Verfahren zur Herstellung von Graphitelektroden fuer Selenzellen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Graphitelektroden fuer SelenzellenInfo
- Publication number
- DE522291C DE522291C DET36412D DET0036412D DE522291C DE 522291 C DE522291 C DE 522291C DE T36412 D DET36412 D DE T36412D DE T0036412 D DET0036412 D DE T0036412D DE 522291 C DE522291 C DE 522291C
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- production
- graphite
- selenium
- cells
- graphite electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 13
- 239000010439 graphite Substances 0.000 title claims description 13
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 title claims description 13
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 9
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 title claims description 9
- 239000011669 selenium Substances 0.000 title claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 210000001520 comb Anatomy 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
- Verfahren zur Herstellung von Graphitelektroden für Selenzellen Es ist bekannt, daß bei der Herstellung lichtempfindlicher Selenzellen von manchen Autoren versucht worden ist, als Elektrodenmaterial Graphit auf einer geeigneten Unterlage zu verwenden. Es ist jedoch auch bekannt, daß bei Verwendung der bisherigen Graphitelektroden die Selenzellen in ak-ustischen Einrichtungen ein starkes Rauschen hervorriefen, welches durch den nicht gleichmäßigen Abstand der einzelnen Graphitteilchen verursacht wurde.
- Durch die Erfindung ist dieser Fehler beseitigt worden, und zwar durch die Verwendung des Graphits in Form kolloidaler Teilchen. Dieeinzelnen Teilchen haben nur einen Durchmesser von etwa 1/1000 nim. Außerdem ist natürlich auf die chemische Reinheit des Materials zu achten, d. h. es muß von den beigemengten mineralischen Verunreinigungen befreit sein. Solch fein verte'ilter Graphit gestattet, eine vollkommen gleichmäßige Schicht mit guten elektrischen Kontakteigenschaften herzustellen. Allerdings ist man darauf angewiesen, die kolloidalen Teilchen in einer Flüssigkeit gelöst zu verwenden, da im trockenen Zustande der kolloidale Zustand nicht erhalten bleibt.
- Eine der vielen möglichen Ausführungsformen der Erfindung zeigt die Figur. Als Unterlage wird eine sauber polierte Glasplatte benutzt, in welche in bekannter Weise das Elektrodenraster eingeätzt ist. Auf die geätzten Flächen wird der kolloidaleGraphit aufgetragen (schwarze Flächenteile der Figur). Die nicht mattierten,alsovollkommen blank gebliebenen Flächen der Glasplatte zeigen dann die Form einer Mäanderlinie (in Figur weiß geblieben). Die mit a bezeichneten graphitierten Flächen dien-en zur Herstellung der elektrischen Kontakte. In die Zwischenräume zwischen den Elektrodenkämmen wird das Selen gebracht, z. B. durch Kathodenzerstäubung. Zu beachten ist bei dieser Art der Elektrodenherstellung jedoch, daß der kolloidale Graphit nur in Form einer kolloidalen Lösung (z. B. Wasser) benutzt werden kann. Das Lösungsmittel würde aber die Lichtempfindlichkeit des Selens infolge chemischer Umsetzungen verderben. Es muß daher auf eine geeignete Art und Weise wieder entfernt werden, nachdem der Graphit aufgetragen ist. Als einfachstes Mittel hierzu hat sich längeres Erhitzen der Glasplatte erwiesen, bevor das lichtempfindliche Material aufgetragen wurde.
- Als besonders vorteilhaft erweist sich die Anwendung des Verfahrens gemäß der Erfindung bei der Herstellung ultrarotempfindlicher Zellen, bei denen bekanntlich Selen mit Zusätzen von Schwermetallen (z. B. Tellur) verwendet wird.
Claims (3)
- PATENTANSPRÜCHE- i. Verfahren zur Herstellung von Graphitelektroden für SelenzelIen, gekennzeichnet durch die Verwendung des Graphits in Form kolloidaler Teilchen.
- 2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß eine kolloidale Auflösung von chemisch reinem Graphit verwendet und das.
- Lösungsmittel nach Auftragen der Schicht wieder entfernt wird, z. B. durch Erhitzen. 3. Die Verwendung der nach dem Verfahren 'gemäß Anspruch i und 2 hergestellten Elektroden für ultrarotempfindliche Selenzellen, z.B. für Selen-Tellur-Zellen.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DET36412D DE522291C (de) | Verfahren zur Herstellung von Graphitelektroden fuer Selenzellen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DET36412D DE522291C (de) | Verfahren zur Herstellung von Graphitelektroden fuer Selenzellen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE522291C true DE522291C (de) | 1931-04-04 |
Family
ID=7559689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DET36412D Expired DE522291C (de) | Verfahren zur Herstellung von Graphitelektroden fuer Selenzellen |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE522291C (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1148761B (de) * | 1955-01-20 | 1963-05-16 | Ake Stig Thulin | Vorrichtung zum Steuern eines Stellgliedes in Abhaengigkeit von der Einwirkung eines Lichtflecks auf fotoelektrische Mittel |
-
0
- DE DET36412D patent/DE522291C/de not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1148761B (de) * | 1955-01-20 | 1963-05-16 | Ake Stig Thulin | Vorrichtung zum Steuern eines Stellgliedes in Abhaengigkeit von der Einwirkung eines Lichtflecks auf fotoelektrische Mittel |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2706519C2 (de) | Verfahren zum Reinigen der Oberfläche von polierten Siliciumplättchen | |
| DE102009028762A1 (de) | Verfahren zum Ätzen von Siliziumoberflächen | |
| DE3624057A1 (de) | Verfahren zur aufbringung eines siliciumdioxid-films | |
| DE2522548C3 (de) | Verfahren zum Erzeugen eines Oberflächen-Reliefmusters | |
| DE1546063B2 (de) | Verfahren und vorrichtung zum polieren von galliumarsenid mit einem aetzmittel | |
| DE522291C (de) | Verfahren zur Herstellung von Graphitelektroden fuer Selenzellen | |
| DE600046C (de) | Verfahren zur Herstellung korrosionsbestaendiger Schutzueberzuege auf Aluminium oder Aluminiumlegierungen | |
| DE856663C (de) | Verfahren zur Herstellung von Selen-Gleichrichtern | |
| AT124875B (de) | Verfahren zur Herstellung von Graphitelektroden. | |
| DE856154C (de) | Mittel zur Behandlung der Feuchtstellen von Flachdruckformen | |
| CH203783A (de) | Elektrolytischer Kondensator und Verfahren zu seiner Herstellung. | |
| EP0198199B1 (de) | Verfahren zur nasschemischen Herstellung eines Oberflächengitters mit einer bestimmten Gitterkonstante auf der Oberfläche eines Substrats aus einem Kristallmaterial | |
| DE1619973A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Silicium | |
| DE1281050B (de) | Verwendung von Strontiumfluorapatit als Waermequelle und Verfahren zur Herstellung und Sinterung des Strontiumfluorapatits | |
| DE1619975A1 (de) | Halbleitender Koerper und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE489314C (de) | Verfahren zur Herstellung von haltbaren, kolloidalen Loesungen des Silbers oder des Quecksilbers neben Silber in Pflanzen- und tierischen OElen, Fetten oder deren Fettsaeuren | |
| DE361112C (de) | Verfahren zur Behandlung von Bronzelackueberzuegen | |
| DE716362C (de) | Verfahren zur Herstellung von Kopiervorlagen fuer den autotypischen Tiefdruck | |
| DE2529865C2 (de) | Wäßrige Ätzlösung zum selektiven Ätzen von Siliciumdioxidschichten auf Halbleiterkörpern | |
| DE876728C (de) | Verfahren zur Bearbeitung der Oberflaeche von Elektroden fuer elektrolytische Kondensatoren | |
| DE680793C (de) | Verfahren zur Reinigung von geaetzten Elektroden, insbesondere zur Verwendung in elektrolytischen Kondensatoren | |
| DE610877C (de) | Entladungsroehre, bei der innerhalb der Roehre spannungsfuehrende Teile durch mit einem isolierenden UEberzug versehene isolierende Teile verbunden sind | |
| DE885753C (de) | Verfahren zur Herstellung eines Elektrolyten, insbesondere fuer Elektrolytkondensatoren | |
| AT237751B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes | |
| DE361046C (de) | Kabel fuer elektrische Kraftuebertragung mit einer Isolation aus Papierlagen |