DE2522548C3 - Verfahren zum Erzeugen eines Oberflächen-Reliefmusters - Google Patents
Verfahren zum Erzeugen eines Oberflächen-ReliefmustersInfo
- Publication number
- DE2522548C3 DE2522548C3 DE2522548A DE2522548A DE2522548C3 DE 2522548 C3 DE2522548 C3 DE 2522548C3 DE 2522548 A DE2522548 A DE 2522548A DE 2522548 A DE2522548 A DE 2522548A DE 2522548 C3 DE2522548 C3 DE 2522548C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- photoresist
- aluminum
- relief pattern
- substrate
- surface relief
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 26
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 2
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 240000008042 Zea mays Species 0.000 description 1
- 235000016383 Zea mays subsp huehuetenangensis Nutrition 0.000 description 1
- 235000002017 Zea mays subsp mays Nutrition 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002045 lasting effect Effects 0.000 description 1
- 235000009973 maize Nutrition 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 230000003362 replicative effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 238000004448 titration Methods 0.000 description 1
- 238000007704 wet chemistry method Methods 0.000 description 1
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
- G03H1/00—Holographic processes or apparatus using light, infrared or ultraviolet waves for obtaining holograms or for obtaining an image from them; Details peculiar thereto
- G03H1/02—Details of features involved during the holographic process; Replication of holograms without interference recording
- G03H1/0276—Replicating a master hologram without interference recording
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D1/00—Electroforming
- C25D1/10—Moulds; Masks; Masterforms
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
- G03F7/001—Phase modulating patterns, e.g. refractive index patterns
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
- G03H1/00—Holographic processes or apparatus using light, infrared or ultraviolet waves for obtaining holograms or for obtaining an image from them; Details peculiar thereto
- G03H1/02—Details of features involved during the holographic process; Replication of holograms without interference recording
- G03H1/024—Hologram nature or properties
- G03H1/0244—Surface relief holograms
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
- G03H1/00—Holographic processes or apparatus using light, infrared or ultraviolet waves for obtaining holograms or for obtaining an image from them; Details peculiar thereto
- G03H1/02—Details of features involved during the holographic process; Replication of holograms without interference recording
- G03H1/0276—Replicating a master hologram without interference recording
- G03H2001/0292—Replicating a master hologram without interference recording by masking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
- G03H1/00—Holographic processes or apparatus using light, infrared or ultraviolet waves for obtaining holograms or for obtaining an image from them; Details peculiar thereto
- G03H1/02—Details of features involved during the holographic process; Replication of holograms without interference recording
- G03H1/0276—Replicating a master hologram without interference recording
- G03H2001/0296—Formation of the master hologram
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
- G03H2260/00—Recording materials or recording processes
- G03H2260/14—Photoresist
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
- G03H2260/00—Recording materials or recording processes
- G03H2260/50—Reactivity or recording processes
- G03H2260/63—Indirect etching, e.g. lithography
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
- G03H2270/00—Substrate bearing the hologram
- G03H2270/10—Composition
- G03H2270/13—Metallic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
- G03H2270/00—Substrate bearing the hologram
- G03H2270/52—Integrated surface relief hologram without forming layer
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Ein solches Verfahren ist aus der US-PS 37 33 258 bekannt Bei dem bekannten Verfahren wird ein in einer
Photolackschicht gebildetes Reliefmuster in ein die Photolackschicht tragendes Glassubstrat dadurch übertragen,
daß man die Photolackschicht durch Kathodenzerstäubung im Vakuum abträgt, wobei die Oberfläche
des Glassubstrats je nach der Dicke der Photolackschicht an den verschiedenen Stellen früher
oder später freigelegt und dann ebenfalls abgetragen wird. Da sich die Abtragungsgeschwindigkeiten von
Photolack und Glas erheblich unterscheiden, ist eine formgetreue Übertragung des Reliefmusters der Photolackschicht
in das Glassubstrat praktisch nicht möglich. Ganz abgesehen davon, daß das bekannte Verfahren
relativ aufwendig und kompliziert ist, läßt sich außerdem auch eine gleichmäßige Abtragung über
einen größeren Flächenbereich nur schwer erzielen.
Es ist ferner aus der US-PS 35 65 978 bekannt, auf einem durch eine Photolackschicht gebildeten Oberflächenrelief-Hologramm
eine Schicht aus Metall oder einem härtbaren Material niederzuschlagen, die Schicht
dann vom Photolack zu trennen und auf einen festen Träger aufzubringen. Da die Auflösung eines typischen
Oberflächenrelief-Hologramms in der Größenordnung von 1 μιη liegt, erfordert dieses Verfahren äußerste
Sorgfalt, damit Beschädigungen des feinen Reliefmusters vermieden werden.
Zum Prägen von feinen Oberflächenreliefmustern, wie sie Oberflächenhologramme darstellen, muß das
Matrizenmaterial hart sein, gut an einem eventuellen Träger haften, eine äußerst feine, möglichst amorphe
Struktur haben und sich gut ätzen lassen. Die meisten harten Metalle rekristallisieren jedoch sehr leicht, wenn
sie in Form einer dünnen Schicht auf einem amorphen Substrat niedergeschlagen werden. Die Kristallgröße
liegt dabei im allgemeinen in der Größenordnung, die für die Auflösung von Hologrammen gefordert wird, so
daß man solche Metalle für die Vervielfältigung von Oberflächenreliefmustern praktisch nicht brauchen
kann. Weiche amorphe Metalle eignen sich ebenfalls nicht als Mairizenmaterialien, da sie nur eine begrenzte
Anzahl von Kopien zulassen.
Durch die Erfindung soll also ein leicht ätzbares Material angegeben werden, das harte Matrizen oder
Prägeformen, die sehr feinen optischen Strukturen entsprechen, herzustellen gestatten und für die Herstellung
nicht die Sorgfalt und viele Verfahrensschritte
ίο benötigen, die bei den konventionellen Verfahren
erforderlich sind.
Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 erfindungsgemäß
durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 gelöst
Das Verfahren gemäß der Erfindung ermöglicht es, äußerst feine Oberllächenreliefstrukturen einer Photolackschicht
im Endeffekt in ein hartes und dauerhaftes Material zu übertragen, das sich ausgezeichnet als
Matrize zum Pressen von Kopien der feinen Struktur eignet
Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen
näher erläutert, deren F i g. 1 bis 3 verschiedene Schritte eines Ausführungsbeispiels des vorliegenden Verfahrens
zeigen, bei welchen eine Matrize aus anodisch oxydiertem Aluminium zur Vervielfältigung von Hologrammen
hergestellt wird.
Aluminium läßt sich leicht mit hoher Geschwindigkeit
Aluminium läßt sich leicht mit hoher Geschwindigkeit
-to aufdampfen und kann daher in amorpher Form mit sehr
kleiner Teilchengröße niedergeschlagen werden, siehe z. B. S c h a 11, »Einführung in die Werkstoffwissenschaft«,
VEB Deutscher Verlag für Grundstoffindustrie, Leipzig, 1972. Aluminium ist außerdem auch mit
schwachen Säuren oder Basen, die sich mit Photolackentwicklungsverfahren
vertragen, leicht ätzbar. Ein wesentlicher Nachteil von Aluminium ist jedoch seine
geringe Härte, die etwa 2 bis 2,9 gemäß der Mohs-Skala beträgt.
■to Bei der vorliegenden Erfindung werden die vorteilhaften
Eigenschaften des Aluminiums ausgenutzt, nämlich seine amorphe Struktur und gute Ätzbarkeit,
während sein wesentlicher Nachteil, nämlich seine Weichheit, dadurch unwirksam gemacht wird, daß die
Oberfläche des Aluminiums, nachdem in ihr das Oberflächen-Reliefmuster gebildet vurde, anodisch
oxydiert wird. Das in das Aluminium eingeätzte Reliefmuster wird dadurch praktisch nicht verändert,
mit der Ausnahme von kleinen Dickenänderungen infolge von Volumenänderungen während der anodischen
Oxydation, denen jedoch vor der Oxydierung Rechnung getragen werden kann.
Um in einer Aluminiumoberfläche eine Mutterform oder Matrize zur Vervielfältigung eines Hologramms
herzustellen, wird folgendermaßen vorgegangen, wie an Hand der F i g. 1 bis 3 erläutert werden soll.
1. Wie Fig. 1 zeigt, wird ein Photolack 10, z. B. ein
positiv arbeitender Photolack, wie er z. B. in der US-PS 30 46 118 beschrieben ist, auf die Oberfläche
t>o eines Aluminiumsubstrats 12 aufgetragen, welches
seinerseits eine Schicht auf einem Basissubstrat 14 bildet.
2. der Photolack 10 wird mit einem Interferenzmuster belichtet, z. B. einem Fokussiertbild-Interfe-
*>r>
renzmuster;
3. das im Photolack 10 aufgezeichnete Interferenzmuster wird dann zu einem Oberflächen- Rciicfmustcr
16 entwickelt, wie es in F i g. 2 dargestellt ist;
4. das im Photolack, aufgezeichnete Oberflächen-Reliefmuster
16 wird dann auf die Oberfläche 18 des Aluminiumsubstrats 12 übertragen, wie Fig.3
zeigt;
5. ein etwa verbliebener Rest des Piiotolacks 10 wird
dann entfernt, und
6. die Oberfläche 18 des Aluminiums wird anodisch oxydiert
Das Oberflächen-Reliefmuster kann in die Aluminiumoberfläche
durch Sprühätzung linear eingeätzt ι ο werden, wie es in der US-PS 37 33 258 beschrieben ist,
oder durch chemische Ätzung, wie es in der DE-OS 25 22 549 beschrieben ist Außerdem kann auch in der
Aluminiumoberfläche eine impulsbreitenmodulierte Oberflächen-Reliefstruktur erzeugt werden, wie es in '5
der DE-OS 25 22 547 erläutert ist Das Aluminium kann mit einer Lösung aus 90 ml H3PO4,5 ml HNO3 und 10 ml
H2O bei einer Temperatur von 400C geätzt werden.
Eine etwa 30 Sekunden dauernde Einwirkung dieser Lösung bei schwacher Bewegung reicht aus, um in die 2η
Aluminiumoberfläche ein impulsbreitenmoduliertes Beugungsgitter mit im wesentlichen zwei Höhenniveaus
einzuätzen. Es ist wichtig, daß das Aluminium nicht ganz bis zum darunterliegenden Basissubstrat durchgeätzt
wird, da das gebildete Muster sonst nicht durch ein 2ί
naßchemisches Verfahren anodisch oxydiert werden kann, weil ja in den Vertiefungen des Musters kein
Metall verblieben ist das den die anodische Oxydierung bewirkenden Strom tragen könnte. Das Aluminium
kann auch thermisch oder in einem Sauerstoffplasma jo oxydiert werden.
Die Erfindung läßt sich wie folgt in die Praxis umsetzen; die folgenden Erläuterungen sind jedoch nur
beispielsweise zu verstehen und hinsichtlich der angegebenen Einzelheiten nicht einschränkend auszule- »
gen.
Auf eine Glasplatte wird eine 1 μπι dicke Schicht aus
Aluminium aufgedampft. Die Aluminiumschicht wird dann mit einer 4000A dicken Schicht aus Photolack
überzogen. Die Photolackschicht wird etwa eine Stunde bei 75°C erhitzt Der Photolack wird dann mit einem
holographischen Interferenzmuster belichtet das mit einen He-Cd-Laser erzeugt wurde. Die Wellenlänge
des Laserlichtes betrug 4416 A, die optimale Belichtung
betrug etwa 0,1 Joule/cm2. Der Photolack wurde mit Entwickler, der im wesentlichen aus einer wässerigen
NaOH-Lösung mit einer Titrations-Nermalität zwischen
etwa 1,71 und 1,73 sowie einem geringen Zusatz von Netzmittel bestand, in Verdünnung 1 :8 mit
destilliertem Wasser entwickelt, bis der Photolack vollständig entfernt war. Die gesamte Entwicklungsdauer
betrug etwa 3 bis 4 Minuten. Der Entwickler ätzt die Aluminiumschicht mit einer Geschwindigkeit die
vergleichbar mit der Geschwindigkeit ist mit der der Entwickler den Photolack abträgt da der erwähnte
Entwickler auf einer Natriumhydroxydlösung basiert die auch Aluminium ätzt Das Oberflächen-Reliefmuster
des Photolacks wird durch dieses Verfahren linear auf die Aluminiumoberfläche übertragen. Die Platte wird
dann mit Wasser abgespült und getrocknet Die geätzte Aluminiumschicht auf der Glasplatte wird nun mit dem
positiven Pol einer 12-V-Gleichspannungsquelle verbunden.
Die Kathode wird an eine Bleiplatte angeschlossen. Beide Platten werden dann in einen Becher
eingetaucht, der 0,05molare Schwefelsäure enthielt und die Anodisierung wurde bei Raumtemperatur
unter leichtem Rühren durchgeführt Das Oberflächen-Reliefmuster der Aluminiumschicht ist nach etwa
1,5 Minuten anodisch oxydiert und nach etwa 5 Minuten ist auch das nicht exponierte Aluminium anodisch
oxydiert.
Die anodisch oxydierte Aluminiumoberfläche hat eine Mohs-Härte von etwa 5,5 und kann unmittelbar zur
Vervielfältigung des Oberflächen-Relief musters durch Abdrücken in einem Thermoplasten, wie Polyvinylchlorid,
verwendet werden. Bei Verwendung von Polyvinylchlorid beträgt die optimale Prägetemperatur etwa
900C.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Verfahren zum Erzeugen eines Oberflächen-Reliefmusters, insbesondere zum Herstellen einer
Matrize, bei welchem ein Substrat mit Photolack überzogen, der Photolack mit einem Interferenzmuster
belichtet, der Photolack unter Erzeugung eines der Belichtung entsprechenden Oberflächen-Reliefmusters
entwickelt, das Reliefmuster in die Oberfläche des Substrats eingeätzt und der restliche
Photolack entfernt wird, dadurch gekennzeichnet,
daß als Substrat eine dünne, amorphe Aluminiumschicht verwendet und das geätzte Aluminiumsubstrat anodisch oxydiert wird.
Z Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß Oberflächen-Rsliefmuster erzeugt werden, deren Oberflächen- und Tiefendimensionen
in der Größenordnung von 1 μπι und darunter liegen.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Sprühätzung angewendet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Interferenzmuster ein Fokussiertbild-Interferenzmuster
verwendet wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US472293A US3875026A (en) | 1974-05-22 | 1974-05-22 | Method for producing aluminum holographic masters |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2522548A1 DE2522548A1 (de) | 1975-12-04 |
DE2522548B2 DE2522548B2 (de) | 1978-09-14 |
DE2522548C3 true DE2522548C3 (de) | 1979-05-03 |
Family
ID=23874914
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2522548A Expired DE2522548C3 (de) | 1974-05-22 | 1975-05-21 | Verfahren zum Erzeugen eines Oberflächen-Reliefmusters |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3875026A (de) |
JP (1) | JPS51338A (de) |
BE (1) | BE829260A (de) |
CA (1) | CA1045428A (de) |
CH (1) | CH611436A5 (de) |
DE (1) | DE2522548C3 (de) |
FR (1) | FR2272421B1 (de) |
GB (1) | GB1508660A (de) |
IT (1) | IT1037347B (de) |
NL (1) | NL7505950A (de) |
SE (1) | SE410235B (de) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4045318A (en) * | 1976-07-30 | 1977-08-30 | Rca Corporation | Method of transferring a surface relief pattern from a poly(olefin sulfone) layer to a metal layer |
JPS5962888A (ja) * | 1982-10-04 | 1984-04-10 | Ricoh Co Ltd | マスタ−ホログラム作製方法 |
EP0365031A3 (de) * | 1988-10-21 | 1991-04-03 | Toppan Printing Co., Ltd. | Hologrammstempel, Methode zu dessen Herstellung und Methode zur Herstellung eines Hologramms |
WO1992001973A2 (en) * | 1990-07-20 | 1992-02-06 | Mcgrew Stephen P | Embossing tool |
JPH05273901A (ja) * | 1992-03-27 | 1993-10-22 | Fuji Photo Optical Co Ltd | 反射型ホログラムの複製方法 |
US5604081A (en) * | 1992-08-14 | 1997-02-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for producing a surface structure with reliefs |
ES2076117B1 (es) * | 1993-10-06 | 1998-02-16 | Clemente Carmen Escandell | Metodo para fabricar piezas curvas, incluso alabeadas, de madera, instalacion para llevarlo a cabo y la estructura resultante. |
US6060220A (en) * | 1995-07-10 | 2000-05-09 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Method for producing an optical information carrier having a variable relief structure |
US7654580B2 (en) * | 1995-11-29 | 2010-02-02 | Graphic Security Systems Corporation | Self-authenticating documents with printed or embossed hidden images |
AU5913698A (en) * | 1997-01-17 | 1998-08-07 | Cymer, Inc. | Reflective overcoat for replicated diffraction gratings |
US7094502B2 (en) * | 1997-12-12 | 2006-08-22 | Alcon Inc. | Methods for transferring holographic images into metal surfaces |
US5881444A (en) * | 1997-12-12 | 1999-03-16 | Aluminum Company Of America | Techniques for transferring holograms into metal surfaces |
US20040003638A1 (en) * | 1997-12-12 | 2004-01-08 | Schaefer Mark W. | Transfer of holographic images into metal sporting and fitness products |
RU2228854C1 (ru) * | 2002-10-23 | 2004-05-20 | Любомирский Андрей Виленович | Способ декоративной обработки металлов |
US7674573B2 (en) * | 2006-08-08 | 2010-03-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing layered periodic structures |
MX2013004043A (es) | 2010-10-11 | 2013-10-03 | Graphic Security Systems Corp | Metodo para construir una imagen compuesta incorporando una imagen de autenticacion oculta. |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3290233A (en) * | 1963-10-22 | 1966-12-06 | Contemporary Res Inc | Vapor deposition process |
US3585113A (en) * | 1965-12-23 | 1971-06-15 | Rca Corp | Process for fabricating replicating masters |
US3666638A (en) * | 1970-04-21 | 1972-05-30 | Sidney Levine | Process for anodizing aluminum materials |
US3733258A (en) * | 1971-02-03 | 1973-05-15 | Rca Corp | Sputter-etching technique for recording holograms or other fine-detail relief patterns in hard durable materials |
-
1974
- 1974-05-22 US US472293A patent/US3875026A/en not_active Expired - Lifetime
-
1975
- 1975-04-17 IT IT22462/75A patent/IT1037347B/it active
- 1975-04-22 CA CA225,126A patent/CA1045428A/en not_active Expired
- 1975-05-02 GB GB18552/75A patent/GB1508660A/en not_active Expired
- 1975-05-15 JP JP50058482A patent/JPS51338A/ja active Granted
- 1975-05-20 BE BE156508A patent/BE829260A/xx unknown
- 1975-05-21 NL NL7505950A patent/NL7505950A/xx not_active Application Discontinuation
- 1975-05-21 DE DE2522548A patent/DE2522548C3/de not_active Expired
- 1975-05-21 SE SE7505781A patent/SE410235B/xx unknown
- 1975-05-22 FR FR7515997A patent/FR2272421B1/fr not_active Expired
- 1975-05-22 CH CH655775A patent/CH611436A5/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA1045428A (en) | 1979-01-02 |
DE2522548B2 (de) | 1978-09-14 |
SE7505781L (sv) | 1975-11-24 |
NL7505950A (nl) | 1975-11-25 |
JPS51338A (en) | 1976-01-06 |
DE2522548A1 (de) | 1975-12-04 |
FR2272421B1 (de) | 1978-09-08 |
GB1508660A (en) | 1978-04-26 |
US3875026A (en) | 1975-04-01 |
BE829260A (fr) | 1975-09-15 |
JPS5339778B2 (de) | 1978-10-23 |
CH611436A5 (de) | 1979-05-31 |
SE410235B (sv) | 1979-10-01 |
IT1037347B (it) | 1979-11-10 |
AU8124975A (en) | 1976-11-18 |
FR2272421A1 (de) | 1975-12-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2522548C3 (de) | Verfahren zum Erzeugen eines Oberflächen-Reliefmusters | |
DE2522549C3 (de) | Verfahren zum Übertragen eines in Photolack aufgezeichneten Halbton-Belichtungsmusters in ein Oberflächenreliefmuster einer Substratfläche | |
DE2424338C2 (de) | Verfahren zum Aufbringen von Mustern dünner Filme auf einem Substrat | |
EP0000702B1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer fliessbeständigen Resistmaske aus strahlungsempfindlichem Resistmaterial | |
DE2522547B2 (de) | ||
DE2402385C2 (de) | Verfahren zur Bildung einer Prägung mit Hilfe eines konzentrierten Schreibstrahls sowie Vorrichtungen zur Durchführung des Verfahrens | |
HK1003736A1 (en) | A method of manufacturing a matrix for producing optical disks without the medium of a master | |
DE19830293A1 (de) | Stempel für optische Disks und Verfahren/Systeme zur Herstellung der Stempel | |
EP0212054A2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Masken für die Röntgentiefenlithographie | |
EP0278996A1 (de) | Verfahren zur Verbesserung der Haftung von Photoresistmaterialien | |
DE3437724C2 (de) | ||
DE19945847A1 (de) | Druckform und Verfahren zum Ändern ihrer Benetzungseigenschaften | |
DE2401413A1 (de) | Matrize zum ausbilden eines geflechts | |
EP0141056A1 (de) | Verfahren zur einstufigen anodischen Oxidation von Trägermaterialien aus Aluminium für Offsetdruckplatten | |
DE60102600T2 (de) | Verfahren und vorrichtung zur bildung von mustern in filmen unter verwendung von temperaturgradienten | |
DE3035901A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines fliegenden anschlussleiters | |
DE2931293C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeige | |
DE60101744T2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines für ein Matrizenherstellungsverfahren geeigneten Substrats und durch das Verfahren erhaltenes Substrat | |
DE2645081C2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Dünnfilmstruktur | |
DE2855723C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Negativmusters einer Vorlage aus einem Positivlack | |
DE2410880A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines maskierenden musters aus photolack | |
DE2244486C2 (de) | Flachdruckplatte, die zu einer wasserfrei arbeitenden Flachdruckform verarbeitbar ist, und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE2443108C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Matrize | |
DE4310976C1 (de) | Trägermaterial und Verfahren zur Vorbehandlung solcher Trägermaterialien | |
AT224443B (de) | Photomechanisches Verfahren zur Herstellung von Abbildungen in einer Glasoberfläche |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |