DE4430050A1 - Leadframe zur LOC-Montage im Innerleadbereich und/oder zur ungehäusten Montage eines Chips im Outerleadbereich - Google Patents

Leadframe zur LOC-Montage im Innerleadbereich und/oder zur ungehäusten Montage eines Chips im Outerleadbereich

Info

Publication number
DE4430050A1
DE4430050A1 DE4430050A DE4430050A DE4430050A1 DE 4430050 A1 DE4430050 A1 DE 4430050A1 DE 4430050 A DE4430050 A DE 4430050A DE 4430050 A DE4430050 A DE 4430050A DE 4430050 A1 DE4430050 A1 DE 4430050A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
lead
leads
chip
area
pads
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE4430050A
Other languages
English (en)
Inventor
Eric Dipl Ing Bootz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE4430050A priority Critical patent/DE4430050A1/de
Publication of DE4430050A1 publication Critical patent/DE4430050A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49503Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
    • H01L23/4951Chip-on-leads or leads-on-chip techniques, i.e. inner lead fingers being used as die pad
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • H01L2224/05554Shape in top view being square
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/4826Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4911Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49113Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107Disposition of discrete passive components off-chip wires

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft in Lead-On-Chip-Technologie (LOC) mit einem Chip verbundene Leadframes (Systemträger, mit Anschluß­ beinchen). Dabei sind die Leadtips (Spitzen der Leads) mit der Fläche des Chips (Halbleiterelement) verbunden, auf der sich die Pads (elektrische Anschlußflächen) befinden. Im Quterleadbereich können, unabhängig von der im Innerleadbe­ reich verwendeten Technologie, ungehäuste Chips montiert werden.
Bevor die Anschlüsse von Halbleiterchips kontaktiert werden können, müssen die Halbleiterelemente in herkömmlicher Tech­ nik selbst auf einer Unterlage, dem Substrat, befestigt werden. Diese Substrate können unterschiedlichster Art sein. Bekannt sind metallene Systemträger, vorgefertigte Gehäuse­ böden, Schichtschaltungen oder Leiterplatten. Neben der reinen elektrischen Funktion sind die mechanischen Halterun­ gen, die relative Positionierung und eine Wärmeableitungs­ funktion wichtig.
Ein metallischer Systemträger, ein sog. Leadframe, ist ein weit verbreitetes Substrat, insbesondere für die Verwendung in Kombination mit Kunststoffgehäusen. Dabei wird in der Regel auf einer im Zentrum liegenden Insel der Chip befe­ stigt. Um die Insel herum sind die Kontaktenden der Anschluß­ beinchen, die sog. Leadtips, angeordnet. Diese sind unter Querschnittsvergrößerung jeweils isoliert gegeneinander nach außen geführt.
Neben einer Grundform eines Systemträgers gibt es zahlreiche Spezialformen. Wesentliche Merkmale für die Gehäusebauform sind Anschlußzahl, Anwendungsfall und Materialverbrauch.
Die Herstellung von Systemträgern erfolgt überwiegend im Stanzverfahren, kann jedoch auch in Ätztechnik vonstatten gehen. Nachdem die Werkzeugkosten für ein Stanzverfahren relativ hoch liegen, ist entsprechend eine hohe Stückzahl von Produkten erforderlich, um wirtschaftlich zu sein.
Die sog. LOC-Technologie sieht vor, daß die direkt mit den Pads eines Chips elektrisch zu verbindenden Leadtips mit der Fläche des Chips verbunden werden, auf der sich die Pads befinden. Die elektrische Kontaktierung von den Leadtips zu den Pads erfolgt über sog. Bonddrähte. Bei der LOC-Technolo­ gie wirkt sich die regelmäßige Verkleinerung von Chips, sowie die ständig steigende Anzahl von Anschlußbeinchen besonders kraß aus. Insbesondere nimmt der Pitch (Abstand zwischen zwei Anschlußbeinchen, von Mitte zu Mitte gerechnet) am gesamten Leadframe, d. h. im Outerleadbereich, sowie im Innerleadbe­ reich ständig ab.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Anzahl der notwendigen Innerleads in LOC-Technologie auf einem Chip aufzubringen, wenn nach Vorgabe der Gehäuseaußenmaße bzw. der Chipabmessungen die Pads und ihre Beabstandung derart mini­ miert worden sind, daß eine Optimierung der elektrischen Kontaktierung mit einem herkömmlichen Leadframe nicht möglich ist.
Die Lösung dieser Aufgabe geschieht durch die Merkmale des Anspruchs 1.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß Leads, deren Abmessungen je nach Anwendungsfall durch bestimmte Normen bestimmte Größen nicht unterschreiten dürfen, auch bei weite­ rer Verkleinerung der Chipabmessungen und entsprechender Erhöhung von Anschlußzahlen sämtliche Leads auf den entspre­ chenden Pads des Chips kontaktierbar sind. Dazu wird die LOC- Technologie in Verbindung mit einem Leadframe-Multilayer eingesetzt bzw. im Outerleadbereich eine Nacktchipmontage vorgenommen oder beides gleichzeitig getätigt. Die im Multi­ layer zugeführten Leads liegen in mehreren Lagen übereinander und in üblicher Weise nebeneinander. Die Leadtips sind bei übereinanderliegenden Leads jeweils gegeneinander versetzt, so daß eine Kontaktierung sowohl der oberen, als auch der unteren Leadtips ermöglicht wird. Dies bietet ausreichend Platz, die Leads auf dem Chip anzupassen und entsprechend zu optimieren. Eine gegenseitige Isolierung der verschiedenen Lagen des Leadframe-Multilayers, wie die Isolierung zweier benachbarter Lagen bzw. die Isolierung zwischen zwei benach­ barten Anschlußbeinchen ist notwendig.
Vorteilhafte Ausgestaltungen sind den Unteransprüchen zu entnehmen.
Im folgenden wird anhand von schematischen Figuren ein Aus­ führungsbeispiel beschrieben.
Fig. 1 zeigt den nächstliegenden Stand der Technik, wobei das Rastermaß der Pads 2 wesentlich geringer ist als das der Leads 3,
Fig. 2 zeigt einen Leadframe-Multilayer für LOC-Techno­ logie,
Fig. 3 zeigt einen Ausschnitt aus einem Leadframe mit Innerleadbereich 10 und Außerleadbereich 11 mit Multilayerleads im Outerleadbereich.
In Fig. 1 sind in einem entsprechenden Rastermaß gegenseitig beabstandete Pads 2 relativ zu einer Chipkante 1 dargestellt. Die Reihe der Pads 2 ist in diesem Fall senkrecht zur Chip­ kante 1 ausgerichtet. Die Leadtips, d. h. die Enden der Leads 3, sind so nahe wie möglich an die Pads 2 herangeführt und auf der Chipoberfläche befestigt. Vier der insgesamt sechs dargestellten Leads 3 weisen eine rechtwinklige Form auf und sind seitwärts zugeführt. Die zwei zur Chipkante 1 benachbar­ ten Leads 3 sind zur Bedienung der beiden in der Nähe der Chipkante 1 liegenden, also äußerst rechts liegenden Pads 2 vorgesehen. Bei dieser Planung ist jedoch erkennbar, daß bei den Größenverhältnissen von Pads 2 und Leads 3 spätestens beim Bonden durch die Gefahr von Kurzschlüssen Probleme auftreten können. Durch das Spreizen der dargestellten Bond­ drähte 8 werden diese an den benachbarten Leadtips derart nahe vorbeigeführt, daß keine ausreichende Sicherheit gegeben ist. Ein Verrutschen der Leadtips in Fig. 1 nach links würde die gleichen Verhältnisse auf der linken Seite ergeben. Die in Fig. 1 gewählte Darstellung berücksichtigt ein Lead 3, das außerhalb der Chipfläche gelagert ist.
Insgesamt ist in Fig. 1 dargestellt, wie eine zur Zeit gängige Technologie zur Verkleinerung der Rastermaße am Halbleiterelement führt, wobei jedoch die Leads 3 nicht mehr auf den Chip passen. Die räumlichen Möglichkeiten zur Opti­ mierung der geometrischen Ausgestaltung der Anordnungen von Leads 3 und Pads 2 ist wesentlich eingeschränkt.
Fig. 2 zeigt einen Leadframe-Multilayer für die LOC-Technik. Man erkennt, daß sämtliche Leads auf einem Chip aufgebracht werden können und wieder ausreichend Platz zum Optimieren vorhanden ist. Hierdurch werden die oben beschriebenen Pro­ bleme ausgeräumt. Der mehrlagige Aufbau der Leads 35, 36 beinhaltet die Führung eines Teiles der Leads 36 in minde­ stens eine zweite oder höhere Ebene, so daß die Leads 36, wie in Fig. 2 dargestellt, über den Leads 35 zum liegen kommen. Eine gegenseitige Isolierung ist notwendig. Die Isolierung wird in dem dargestellten Fall durch zwischenliegende elek­ trisch isolierende Bänder 4 dargestellt. Die Leadtips von übereinanderliegenden Leads sind derart versetzt positio­ niert, daß ein Bonden über Bonddrähte 8 sowohl mit dem unte­ ren Leadtip, als auch mit dem oberen Leadtip möglich ist. Somit werden zwei direkt vor den Leadtips liegende Pads 2 mit jeweils einem Leadtip verbunden. Daraus ergibt sich direkt, daß die unteren Leadtips weiter in Richtung auf die Pads 2 vorstehen und die oberen Leadtips der Leads 36 zurückversetzt sind und in dieser Darstellung etwa mit der unteren Längs­ kante des Bandes 4 abschließen. Über die Verbindungen 7 sind die erste Lage 5 und die zweite Lage 6 der Leads 35, 36 mit­ einander verbunden. Mit dem senkrecht verlaufenden Steg auf der rechten Seite der Fig. 2 ist ein sog. Dambar 9 angedeu­ tet worden. Dies ist ein Dichtsteg, der am äußeren Ring zwischen Gießformen, sog. Moldkavitäten, zur Abdichtung derselben angebracht wird. Die in Fig. 2 dargestellten Verhältnisse betreffen ausschließlich die Innerleads eines Leadframes.
Die elektrische Isolierung kann, wie in Fig. 2 dargestellt, durch Bänder 4 (Tape) oder auch durch Lack oder andere Isola­ toren vorgenommen werden. Gängige Abstandshalter sind aus Polyimid hergestellt.
Theoretisch kann auch eine Entwicklung von dünneren Leadfra­ mematerialien verfolgt werden. Im Bereich der Speicherchips wird hierbei jedoch durch die Norm JEDEC (Joint Electronic Device Engeneering Council) eine Grenze gesetzt. Darin sind die Gehäuseaußenabmessungen teilweise vorgeschrieben. Aus diesem Grund gilt es, eine relativ grobe Struktur eines Leadframes im Innerleadbereich mit einer feineren Struktur von Pads 2 auf dem Chip zu kombinieren. Die Pads weisen ein vorbestimmtes Raster auf, das nicht wesentlich gespreizt werden kann. Der Pitsch (Abstand der Leadtips) ist zu groß für das aktuelle Rastermaß der Pads. Dieses Problem wird durch den Einsatz eines Multilayers im Innerleadbereich des Leadframes behoben.
Typische derzeit gängige Abmessungen sind:
Kantenlänge eines Pads: 0,09 mm
Kantenlänge oder Durchmesser eines Leads im Querschnitt: 0,15 bis 0,2 mm
Pitch zwischen den Leads: 1,8- bis 2mal der Materialstärke des Leads.
Die Fig. 3 zeigt die ausschnittweise Darstellung einer Chipfläche mit einer Chipkante 1 und Pads 2. Weiterhin ist ein Leadframe teilweise durch zwei Multilayerleads 35, 36 dargestellt. Der Innerleadbereich 10 ist schematisch gegen den Outerleadbereich 11 abgegrenzt. In der rechten Seite der Fig. 3 sind Leiterbahnen 12 einer gedruckten Schaltung angedeutet, die mit den Outerleads über Bonddrähte 8 kontak­ tiert sind. Die Umrisse der Leiterplatte sind nicht darge­ stellt. Entsprechend Fig. 2 befinden sich die Leads 35 in der unteren ersten Lage 5 und die Leads 36 in der oberen zweiten Lage 6. Entsprechend sind die Leadtips sowohl im Innerleadbereich 10, als auch im Outerleadbereich 11 zwangs­ weise versetzt, da eine Reihe mehr Elemente als die andere Reihe hat. Die unten liegenden Leadtips ragen unter denen der Leads 36 im Kontaktierbereich hervor, so daß beide Lagen der Leads kontaktierbar sind. Es ist auf beiden Seiten erkennbar, daß der Einsatz eines Multilayers mit mehreren Lagen von Leads bei unveränderten Abmessungen der Leads 3, 35, 36 eine hohe Anzahl von Pads 2 und Leiterbahnen 12 mit geringerem Rastermaß bedienen kann.
Der Multilayer-Leadframe kann prinzipiell im Innerleadbereich 10 oder im Outerleadbereich 11, oder in einer Kombination eingesetzt werden. Der Einsatz im Innerleadbereich 10 ist mit der LOC-Technologie verbunden, indem die Leadtips direkt auf der Chipfläche aufgebracht sind. Der Einsatz eines Multi­ layer-Leadframes im Outerleadbereich 11 ist beispielsweise bei der Montage des Chips auf einer Leiterplatte von Inter­ esse. Diese Nacktchipmontage sieht vor, daß ungekapselte integrierte Schaltungen statt der sonst üblichen Gehäuse­ bauformen verarbeitet werden. Der montierte Chip wird dann in der Regel mit einer Kunststoffmasse zum Schutz gegen mecha­ nischen und chemischen Angriff umgossen.

Claims (4)

1. Leadframe mit Lead-On-Chip-Montage (LOC) im Innerleadbe­ reich, insbesondere für die Kontaktierung von Speicherchips, dadurch gekennzeichnet, daß im Inner­ leadbereich die Leads (35, 36) mehrlagig ausgebildet sind, wobei bei jeweils übereinanderliegenden Leads (35, 36) die in Richtung auf die Pads (2) zeigenden Leadspitzen gegeneinander versetzt sind.
2. Leadframe zur ungehäusten Montage eines Chips im Outer­ leadbereich (11), insbesondere für die Kontaktierung von Speicherchips, dadurch gekennzeichnet, daß im Outer­ leadbereich (11) die Leads (35, 36) mehrlagig ausgebildet sind, wobei bei jeweils übereinanderliegenden Leads (35, 36) die in Richtung auf elektrische Anschlußflächen zeigenden Leadspitzen gegeneinander versetzt sind.
3. Leadframe nach Anspruch 1 und 2, wobei die Leads (35, 36) in Lead-On-Chip-Technik auf dem Chip befestigt sind, im Outerleadbereich (11) eine Nacktchipmontage vorgesehen ist und sowohl im Innerleadbereich (10), als auch im Outerleadbe­ reich (11) ein Multilayer-Leadframe vorliegt.
4. Leadframe nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zwei benachbarte Lagen von Leads (35, 36) durch elektrisch isolie­ rende Bänder (4) getrennt sind.
DE4430050A 1994-08-24 1994-08-24 Leadframe zur LOC-Montage im Innerleadbereich und/oder zur ungehäusten Montage eines Chips im Outerleadbereich Withdrawn DE4430050A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4430050A DE4430050A1 (de) 1994-08-24 1994-08-24 Leadframe zur LOC-Montage im Innerleadbereich und/oder zur ungehäusten Montage eines Chips im Outerleadbereich

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4430050A DE4430050A1 (de) 1994-08-24 1994-08-24 Leadframe zur LOC-Montage im Innerleadbereich und/oder zur ungehäusten Montage eines Chips im Outerleadbereich

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE4430050A1 true DE4430050A1 (de) 1996-02-29

Family

ID=6526466

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4430050A Withdrawn DE4430050A1 (de) 1994-08-24 1994-08-24 Leadframe zur LOC-Montage im Innerleadbereich und/oder zur ungehäusten Montage eines Chips im Outerleadbereich

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE4430050A1 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008139273A1 (en) * 2007-05-10 2008-11-20 Freescale Semiconductor, Inc. Power lead-on-chip ball grid array package
US7829997B2 (en) 2007-04-04 2010-11-09 Freescale Semiconductor, Inc. Interconnect for chip level power distribution
US8791582B2 (en) 2010-07-28 2014-07-29 Freescale Semiconductor, Inc. Integrated circuit package with voltage distributor

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02310956A (ja) * 1989-05-26 1990-12-26 Hitachi Ltd 高密度実装半導体パツケージ
JPH0395961A (ja) * 1989-09-07 1991-04-22 Shinko Electric Ind Co Ltd Epc付きリードフレーム
JPH03109759A (ja) * 1989-09-22 1991-05-09 Fuji Electric Co Ltd 集積回路装置のプラスチックパッケージング用リードフレーム

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02310956A (ja) * 1989-05-26 1990-12-26 Hitachi Ltd 高密度実装半導体パツケージ
JPH0395961A (ja) * 1989-09-07 1991-04-22 Shinko Electric Ind Co Ltd Epc付きリードフレーム
JPH03109759A (ja) * 1989-09-22 1991-05-09 Fuji Electric Co Ltd 集積回路装置のプラスチックパッケージング用リードフレーム

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP 4-199670 A2. In: Patent Abstracts of Japan, E-1287, 30.10.1992, Vol. 16, No. 530 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7829997B2 (en) 2007-04-04 2010-11-09 Freescale Semiconductor, Inc. Interconnect for chip level power distribution
WO2008139273A1 (en) * 2007-05-10 2008-11-20 Freescale Semiconductor, Inc. Power lead-on-chip ball grid array package
US8129226B2 (en) 2007-05-10 2012-03-06 Freescale Semiconductor, Inc. Power lead-on-chip ball grid array package
US8791582B2 (en) 2010-07-28 2014-07-29 Freescale Semiconductor, Inc. Integrated circuit package with voltage distributor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112009000351B4 (de) Mikroelektronischer Baustein, der Siliziumpatches für Zwischenverbindungen hoher Dichte enthält, und Verfahren zum Herstellen desselben
DE102009032973B4 (de) Leistungshalbleitervorrichtung
DE19801252C1 (de) Halbleiterkomponente
DE102009055691B4 (de) Leistungshalbleitermodul
DE1933547A1 (de) Anschlussvorrichtung fuer Halbleiterelemente
DE10231385A1 (de) Halbleiterchip mit Bondkontaktstellen und zugehörige Mehrchippackung
DE19747105A1 (de) Bauelement mit gestapelten Halbleiterchips
DE19928788A1 (de) Elektronische Keramikkomponente
DE2536270A1 (de) Mii oeffnungen versehene halbleiterscheibe
DE3913221A1 (de) Halbleiteranordnung
DE19634202C2 (de) Halbleitervorrichtung
WO2004109812A2 (de) Gehäuse für ein strahlungsemittierendes bauelement, verfahren zu dessen herstellung und strahlungsemittierendes bauelement
DE112021002909T5 (de) Halbleiterbauteil
DE102019202715A1 (de) Folienbasiertes package mit distanzausgleich
DE19651549B4 (de) Anschlußrahmen und Chipgehäuse
DE10205698A1 (de) Leuchtdiode und Verfahren zur Herstellung Derselben
DE2451211A1 (de) Dichte packung fuer integrierte schaltungen
EP4141923A1 (de) Leistungshalbleiterbauteil und verfahren zur herstellung eines leistungshalbleiterbauteils
DE10153666B4 (de) Kontaktanordnung mit hoher Dichte und Verfahren zum Anordnen von Kontakten
DE10023823A1 (de) Multichip-Gehäuse
EP3958302A1 (de) Bodenplatte für ein halbleitermodul und verfahren zum herstellen einer bodenplatte
DE19821916C2 (de) Halbleitereinrichtung mit einem BGA-Substrat
DE3930858C2 (de) Modulaufbau
DE19902462B4 (de) Halbleiterbauelement mit Chip-on-Chip-Aufbau
DE4430050A1 (de) Leadframe zur LOC-Montage im Innerleadbereich und/oder zur ungehäusten Montage eines Chips im Outerleadbereich

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8130 Withdrawal