DE4430050A1 - Leadframe zur LOC-Montage im Innerleadbereich und/oder zur ungehäusten Montage eines Chips im Outerleadbereich - Google Patents
Leadframe zur LOC-Montage im Innerleadbereich und/oder zur ungehäusten Montage eines Chips im OuterleadbereichInfo
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Description
Die Erfindung betrifft in Lead-On-Chip-Technologie (LOC) mit
einem Chip verbundene Leadframes (Systemträger, mit Anschluß
beinchen). Dabei sind die Leadtips (Spitzen der Leads) mit
der Fläche des Chips (Halbleiterelement) verbunden, auf der
sich die Pads (elektrische Anschlußflächen) befinden. Im
Quterleadbereich können, unabhängig von der im Innerleadbe
reich verwendeten Technologie, ungehäuste Chips montiert
werden.
Bevor die Anschlüsse von Halbleiterchips kontaktiert werden
können, müssen die Halbleiterelemente in herkömmlicher Tech
nik selbst auf einer Unterlage, dem Substrat, befestigt
werden. Diese Substrate können unterschiedlichster Art sein.
Bekannt sind metallene Systemträger, vorgefertigte Gehäuse
böden, Schichtschaltungen oder Leiterplatten. Neben der
reinen elektrischen Funktion sind die mechanischen Halterun
gen, die relative Positionierung und eine Wärmeableitungs
funktion wichtig.
Ein metallischer Systemträger, ein sog. Leadframe, ist ein
weit verbreitetes Substrat, insbesondere für die Verwendung
in Kombination mit Kunststoffgehäusen. Dabei wird in der
Regel auf einer im Zentrum liegenden Insel der Chip befe
stigt. Um die Insel herum sind die Kontaktenden der Anschluß
beinchen, die sog. Leadtips, angeordnet. Diese sind unter
Querschnittsvergrößerung jeweils isoliert gegeneinander nach
außen geführt.
Neben einer Grundform eines Systemträgers gibt es zahlreiche
Spezialformen. Wesentliche Merkmale für die Gehäusebauform
sind Anschlußzahl, Anwendungsfall und Materialverbrauch.
Die Herstellung von Systemträgern erfolgt überwiegend im
Stanzverfahren, kann jedoch auch in Ätztechnik vonstatten
gehen. Nachdem die Werkzeugkosten für ein Stanzverfahren
relativ hoch liegen, ist entsprechend eine hohe Stückzahl von
Produkten erforderlich, um wirtschaftlich zu sein.
Die sog. LOC-Technologie sieht vor, daß die direkt mit den
Pads eines Chips elektrisch zu verbindenden Leadtips mit der
Fläche des Chips verbunden werden, auf der sich die Pads
befinden. Die elektrische Kontaktierung von den Leadtips zu
den Pads erfolgt über sog. Bonddrähte. Bei der LOC-Technolo
gie wirkt sich die regelmäßige Verkleinerung von Chips, sowie
die ständig steigende Anzahl von Anschlußbeinchen besonders
kraß aus. Insbesondere nimmt der Pitch (Abstand zwischen zwei
Anschlußbeinchen, von Mitte zu Mitte gerechnet) am gesamten
Leadframe, d. h. im Outerleadbereich, sowie im Innerleadbe
reich ständig ab.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Anzahl der
notwendigen Innerleads in LOC-Technologie auf einem Chip
aufzubringen, wenn nach Vorgabe der Gehäuseaußenmaße bzw. der
Chipabmessungen die Pads und ihre Beabstandung derart mini
miert worden sind, daß eine Optimierung der elektrischen
Kontaktierung mit einem herkömmlichen Leadframe nicht möglich
ist.
Die Lösung dieser Aufgabe geschieht durch die Merkmale des
Anspruchs 1.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß Leads, deren
Abmessungen je nach Anwendungsfall durch bestimmte Normen
bestimmte Größen nicht unterschreiten dürfen, auch bei weite
rer Verkleinerung der Chipabmessungen und entsprechender
Erhöhung von Anschlußzahlen sämtliche Leads auf den entspre
chenden Pads des Chips kontaktierbar sind. Dazu wird die LOC-
Technologie in Verbindung mit einem Leadframe-Multilayer
eingesetzt bzw. im Outerleadbereich eine Nacktchipmontage
vorgenommen oder beides gleichzeitig getätigt. Die im Multi
layer zugeführten Leads liegen in mehreren Lagen übereinander
und in üblicher Weise nebeneinander. Die Leadtips sind bei
übereinanderliegenden Leads jeweils gegeneinander versetzt,
so daß eine Kontaktierung sowohl der oberen, als auch der
unteren Leadtips ermöglicht wird. Dies bietet ausreichend
Platz, die Leads auf dem Chip anzupassen und entsprechend zu
optimieren. Eine gegenseitige Isolierung der verschiedenen
Lagen des Leadframe-Multilayers, wie die Isolierung zweier
benachbarter Lagen bzw. die Isolierung zwischen zwei benach
barten Anschlußbeinchen ist notwendig.
Vorteilhafte Ausgestaltungen sind den Unteransprüchen zu
entnehmen.
Im folgenden wird anhand von schematischen Figuren ein Aus
führungsbeispiel beschrieben.
Fig. 1 zeigt den nächstliegenden Stand der Technik, wobei
das Rastermaß der Pads 2 wesentlich geringer ist
als das der Leads 3,
Fig. 2 zeigt einen Leadframe-Multilayer für LOC-Techno
logie,
Fig. 3 zeigt einen Ausschnitt aus einem Leadframe mit
Innerleadbereich 10 und Außerleadbereich 11 mit
Multilayerleads im Outerleadbereich.
In Fig. 1 sind in einem entsprechenden Rastermaß gegenseitig
beabstandete Pads 2 relativ zu einer Chipkante 1 dargestellt.
Die Reihe der Pads 2 ist in diesem Fall senkrecht zur Chip
kante 1 ausgerichtet. Die Leadtips, d. h. die Enden der Leads
3, sind so nahe wie möglich an die Pads 2 herangeführt und
auf der Chipoberfläche befestigt. Vier der insgesamt sechs
dargestellten Leads 3 weisen eine rechtwinklige Form auf und
sind seitwärts zugeführt. Die zwei zur Chipkante 1 benachbar
ten Leads 3 sind zur Bedienung der beiden in der Nähe der
Chipkante 1 liegenden, also äußerst rechts liegenden Pads 2
vorgesehen. Bei dieser Planung ist jedoch erkennbar, daß bei
den Größenverhältnissen von Pads 2 und Leads 3 spätestens
beim Bonden durch die Gefahr von Kurzschlüssen Probleme
auftreten können. Durch das Spreizen der dargestellten Bond
drähte 8 werden diese an den benachbarten Leadtips derart
nahe vorbeigeführt, daß keine ausreichende Sicherheit gegeben
ist. Ein Verrutschen der Leadtips in Fig. 1 nach links würde
die gleichen Verhältnisse auf der linken Seite ergeben. Die
in Fig. 1 gewählte Darstellung berücksichtigt ein Lead 3,
das außerhalb der Chipfläche gelagert ist.
Insgesamt ist in Fig. 1 dargestellt, wie eine zur Zeit
gängige Technologie zur Verkleinerung der Rastermaße am
Halbleiterelement führt, wobei jedoch die Leads 3 nicht mehr
auf den Chip passen. Die räumlichen Möglichkeiten zur Opti
mierung der geometrischen Ausgestaltung der Anordnungen von
Leads 3 und Pads 2 ist wesentlich eingeschränkt.
Fig. 2 zeigt einen Leadframe-Multilayer für die LOC-Technik.
Man erkennt, daß sämtliche Leads auf einem Chip aufgebracht
werden können und wieder ausreichend Platz zum Optimieren
vorhanden ist. Hierdurch werden die oben beschriebenen Pro
bleme ausgeräumt. Der mehrlagige Aufbau der Leads 35, 36
beinhaltet die Führung eines Teiles der Leads 36 in minde
stens eine zweite oder höhere Ebene, so daß die Leads 36, wie
in Fig. 2 dargestellt, über den Leads 35 zum liegen kommen.
Eine gegenseitige Isolierung ist notwendig. Die Isolierung
wird in dem dargestellten Fall durch zwischenliegende elek
trisch isolierende Bänder 4 dargestellt. Die Leadtips von
übereinanderliegenden Leads sind derart versetzt positio
niert, daß ein Bonden über Bonddrähte 8 sowohl mit dem unte
ren Leadtip, als auch mit dem oberen Leadtip möglich ist.
Somit werden zwei direkt vor den Leadtips liegende Pads 2 mit
jeweils einem Leadtip verbunden. Daraus ergibt sich direkt,
daß die unteren Leadtips weiter in Richtung auf die Pads 2
vorstehen und die oberen Leadtips der Leads 36 zurückversetzt
sind und in dieser Darstellung etwa mit der unteren Längs
kante des Bandes 4 abschließen. Über die Verbindungen 7 sind
die erste Lage 5 und die zweite Lage 6 der Leads 35, 36 mit
einander verbunden. Mit dem senkrecht verlaufenden Steg auf
der rechten Seite der Fig. 2 ist ein sog. Dambar 9 angedeu
tet worden. Dies ist ein Dichtsteg, der am äußeren Ring
zwischen Gießformen, sog. Moldkavitäten, zur Abdichtung
derselben angebracht wird. Die in Fig. 2 dargestellten
Verhältnisse betreffen ausschließlich die Innerleads eines
Leadframes.
Die elektrische Isolierung kann, wie in Fig. 2 dargestellt,
durch Bänder 4 (Tape) oder auch durch Lack oder andere Isola
toren vorgenommen werden. Gängige Abstandshalter sind aus
Polyimid hergestellt.
Theoretisch kann auch eine Entwicklung von dünneren Leadfra
mematerialien verfolgt werden. Im Bereich der Speicherchips
wird hierbei jedoch durch die Norm JEDEC (Joint Electronic
Device Engeneering Council) eine Grenze gesetzt. Darin sind
die Gehäuseaußenabmessungen teilweise vorgeschrieben. Aus
diesem Grund gilt es, eine relativ grobe Struktur eines
Leadframes im Innerleadbereich mit einer feineren Struktur
von Pads 2 auf dem Chip zu kombinieren. Die Pads weisen ein
vorbestimmtes Raster auf, das nicht wesentlich gespreizt
werden kann. Der Pitsch (Abstand der Leadtips) ist zu groß
für das aktuelle Rastermaß der Pads. Dieses Problem wird
durch den Einsatz eines Multilayers im Innerleadbereich des
Leadframes behoben.
Typische derzeit gängige Abmessungen sind:
Kantenlänge eines Pads: 0,09 mm
Kantenlänge oder Durchmesser eines Leads im Querschnitt: 0,15 bis 0,2 mm
Pitch zwischen den Leads: 1,8- bis 2mal der Materialstärke des Leads.
Kantenlänge eines Pads: 0,09 mm
Kantenlänge oder Durchmesser eines Leads im Querschnitt: 0,15 bis 0,2 mm
Pitch zwischen den Leads: 1,8- bis 2mal der Materialstärke des Leads.
Die Fig. 3 zeigt die ausschnittweise Darstellung einer
Chipfläche mit einer Chipkante 1 und Pads 2. Weiterhin ist
ein Leadframe teilweise durch zwei Multilayerleads 35, 36
dargestellt. Der Innerleadbereich 10 ist schematisch gegen
den Outerleadbereich 11 abgegrenzt. In der rechten Seite der
Fig. 3 sind Leiterbahnen 12 einer gedruckten Schaltung
angedeutet, die mit den Outerleads über Bonddrähte 8 kontak
tiert sind. Die Umrisse der Leiterplatte sind nicht darge
stellt. Entsprechend Fig. 2 befinden sich die Leads 35 in
der unteren ersten Lage 5 und die Leads 36 in der oberen
zweiten Lage 6. Entsprechend sind die Leadtips sowohl im
Innerleadbereich 10, als auch im Outerleadbereich 11 zwangs
weise versetzt, da eine Reihe mehr Elemente als die andere
Reihe hat. Die unten liegenden Leadtips ragen unter denen der
Leads 36 im Kontaktierbereich hervor, so daß beide Lagen der
Leads kontaktierbar sind. Es ist auf beiden Seiten erkennbar,
daß der Einsatz eines Multilayers mit mehreren Lagen von
Leads bei unveränderten Abmessungen der Leads 3, 35, 36 eine
hohe Anzahl von Pads 2 und Leiterbahnen 12 mit geringerem
Rastermaß bedienen kann.
Der Multilayer-Leadframe kann prinzipiell im Innerleadbereich
10 oder im Outerleadbereich 11, oder in einer Kombination
eingesetzt werden. Der Einsatz im Innerleadbereich 10 ist mit
der LOC-Technologie verbunden, indem die Leadtips direkt auf
der Chipfläche aufgebracht sind. Der Einsatz eines Multi
layer-Leadframes im Outerleadbereich 11 ist beispielsweise
bei der Montage des Chips auf einer Leiterplatte von Inter
esse. Diese Nacktchipmontage sieht vor, daß ungekapselte
integrierte Schaltungen statt der sonst üblichen Gehäuse
bauformen verarbeitet werden. Der montierte Chip wird dann in
der Regel mit einer Kunststoffmasse zum Schutz gegen mecha
nischen und chemischen Angriff umgossen.
Claims (4)
1. Leadframe mit Lead-On-Chip-Montage (LOC) im Innerleadbe
reich, insbesondere für die Kontaktierung von Speicherchips,
dadurch gekennzeichnet, daß im Inner
leadbereich die Leads (35, 36) mehrlagig ausgebildet sind,
wobei bei jeweils übereinanderliegenden Leads (35, 36) die in
Richtung auf die Pads (2) zeigenden Leadspitzen gegeneinander
versetzt sind.
2. Leadframe zur ungehäusten Montage eines Chips im Outer
leadbereich (11), insbesondere für die Kontaktierung von
Speicherchips,
dadurch gekennzeichnet, daß im Outer
leadbereich (11) die Leads (35, 36) mehrlagig ausgebildet
sind, wobei bei jeweils übereinanderliegenden Leads (35, 36)
die in Richtung auf elektrische Anschlußflächen zeigenden
Leadspitzen gegeneinander versetzt sind.
3. Leadframe nach Anspruch 1 und 2, wobei die Leads (35, 36)
in Lead-On-Chip-Technik auf dem Chip befestigt sind, im
Outerleadbereich (11) eine Nacktchipmontage vorgesehen ist
und sowohl im Innerleadbereich (10), als auch im Outerleadbe
reich (11) ein Multilayer-Leadframe vorliegt.
4. Leadframe nach einem der vorangehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß zwei
benachbarte Lagen von Leads (35, 36) durch elektrisch isolie
rende Bänder (4) getrennt sind.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4430050A DE4430050A1 (de) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | Leadframe zur LOC-Montage im Innerleadbereich und/oder zur ungehäusten Montage eines Chips im Outerleadbereich |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4430050A DE4430050A1 (de) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | Leadframe zur LOC-Montage im Innerleadbereich und/oder zur ungehäusten Montage eines Chips im Outerleadbereich |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4430050A1 true DE4430050A1 (de) | 1996-02-29 |
Family
ID=6526466
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4430050A Withdrawn DE4430050A1 (de) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | Leadframe zur LOC-Montage im Innerleadbereich und/oder zur ungehäusten Montage eines Chips im Outerleadbereich |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4430050A1 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008139273A1 (en) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Freescale Semiconductor, Inc. | Power lead-on-chip ball grid array package |
US7829997B2 (en) | 2007-04-04 | 2010-11-09 | Freescale Semiconductor, Inc. | Interconnect for chip level power distribution |
US8791582B2 (en) | 2010-07-28 | 2014-07-29 | Freescale Semiconductor, Inc. | Integrated circuit package with voltage distributor |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02310956A (ja) * | 1989-05-26 | 1990-12-26 | Hitachi Ltd | 高密度実装半導体パツケージ |
JPH0395961A (ja) * | 1989-09-07 | 1991-04-22 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Epc付きリードフレーム |
JPH03109759A (ja) * | 1989-09-22 | 1991-05-09 | Fuji Electric Co Ltd | 集積回路装置のプラスチックパッケージング用リードフレーム |
-
1994
- 1994-08-24 DE DE4430050A patent/DE4430050A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02310956A (ja) * | 1989-05-26 | 1990-12-26 | Hitachi Ltd | 高密度実装半導体パツケージ |
JPH0395961A (ja) * | 1989-09-07 | 1991-04-22 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Epc付きリードフレーム |
JPH03109759A (ja) * | 1989-09-22 | 1991-05-09 | Fuji Electric Co Ltd | 集積回路装置のプラスチックパッケージング用リードフレーム |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JP 4-199670 A2. In: Patent Abstracts of Japan, E-1287, 30.10.1992, Vol. 16, No. 530 * |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7829997B2 (en) | 2007-04-04 | 2010-11-09 | Freescale Semiconductor, Inc. | Interconnect for chip level power distribution |
WO2008139273A1 (en) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Freescale Semiconductor, Inc. | Power lead-on-chip ball grid array package |
US8129226B2 (en) | 2007-05-10 | 2012-03-06 | Freescale Semiconductor, Inc. | Power lead-on-chip ball grid array package |
US8791582B2 (en) | 2010-07-28 | 2014-07-29 | Freescale Semiconductor, Inc. | Integrated circuit package with voltage distributor |
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8130 | Withdrawal |