JPH03109759A - 集積回路装置のプラスチックパッケージング用リードフレーム - Google Patents

集積回路装置のプラスチックパッケージング用リードフレーム

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JPH03109759A
JPH03109759A JP1247584A JP24758489A JPH03109759A JP H03109759 A JPH03109759 A JP H03109759A JP 1247584 A JP1247584 A JP 1247584A JP 24758489 A JP24758489 A JP 24758489A JP H03109759 A JPH03109759 A JP H03109759A
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JP
Japan
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leads
lead
frame
die pad
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JP1247584A
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Osamu Hirohashi
広橋 修
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Fuji Electric Co Ltd
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Fuji Electric Co Ltd
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    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
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    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/49105Connecting at different heights
    • H01L2224/49109Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は集積回路チップをプラスチックパッケージ内に
収納しリードを外部に導出するために用いられるリード
フレームに関する。
〔従来の技術〕
集積回路装置のプラスチックパッケージはエポキシ樹脂
等のトランスファ成形や射出成形によって作られるが、
多数個のリードを集積回路チップに接続しかつバフケー
ジ外に導出するためにいわゆるリードフレームが用いら
れる0周知のようにこのリードフレームは薄い金属シー
トをエツチング加工したもので、互いに繋がった数個か
ら数十個の枠状のフレームにそれぞれダイパッドや多数
条のリードが支承されており、ダイパッド上にチップを
搭載してリードをこれとボンディング線により接続した
後に、プラスチック成形を施した上でリードをフレーム
から切り離すことにより、プラスチックパッケージ内に
収納された集積回路装置を複数個同時に製作でき、自動
化装置を利用して集積回路装置を量産するに適する。第
6図はかかるリードフレームの1フレーム内のチッフカ
搭載されたダイパッドとその周りに配列されたリードの
概要を示すものである。
第6図において、図の中央に示されたダイパッド11は
例えば4個の支えllaを介して図示しないフレームに
支承されており、その周りに先端部が分布配列された多
数個のり一ド12が基部を同様にフレームに支承されて
配列されている。集積回路のチップlはダイパッド11
上に搭載されてリード12と接続される。第7図に第6
図の円Aで囲んだ部分を拡大してこの接続の要領を示す
0図示のように、チップ1の周縁部に多数個配列された
接続パッド1aが対応するリード12の先端部12aと
ボンディング&112を介して接続される。このボンデ
ィング完了後、第6菌の部分ハシチップされた範囲に樹
脂成形を施した上で、リード12やダイパッド支えll
aをフレームからプレス作業で切り離すことにより、プ
ラスチックパッケージ3内に収納された集積回路装置が
得られる。
〔発明が解決しようとする課題〕 ところが、上述のような従来のリードフレームではリー
ド数に制約があり、外部接続点数の多い集積回路装置に
対応できない問題がある。
最近の集積回路装!では小容量負荷を直接駆動でき、例
えばプリンタの印字素子や表示パネルの画素を多数個駆
動するための回路が組み込まれるが、負荷ごとに出力リ
ードが必要なので、外部接続点数ないしはピン数が百個
以上にもなることがある。一方、近年の高集積化技術の
進歩によってチップサイズは著しく小形化されて来てお
り、かかる小形チップを搭載した第6図の数鵬角のダイ
パッド11の周りに、狭い先端間ピッチで多数個のリー
ドを配列しなければならない。
しかし、従来のリードフレームでは接続時のボンディン
グ装置の精度や製作時のエツチング精度に限界があって
、リードの先端間ピッチを250−程度以下にすること
は困難なので、チップサイズが非常に大きな場合は別に
してリードないしビンの総数は百個以上に制約され、折
角の高集積化技術もこの制約のために充分生かし切れな
い問題があった。なお、チップ1の周縁部に配列する接
続バンド1aの相互間ピッチは、50−程度以下にまで
縮めることが現伏でも可能である。
本発明はかかる制約を緩和して集積回路装置のリードな
いしはピン数が百個以上の場合にも適するプラスチック
パッケージング用リードフレームを提供することを目的
とする。
〔課題を解決するための手段〕
この目的は本発明によれば、リードフレームを集積回路
チップを搭載するダイパッドをフレームの中央部に備え
その周りに先端部を分布させてリードを配設した主リー
ドフレーム上にそのリードの先端部の外側に分布して先
端部が配列されたリードを備える従リードフレームを絶
縁フィルムを挟んで積み重ねた複合構成とし、絶縁フィ
ルムにはその下側のリードの先端部と主リードフレーム
のダイパッドを含む範囲に窓を開口し、従リードフレー
ムのリードの先端部を絶縁フィルムを介して主リードフ
レームのリードと重なるように配列するごとによって達
成される。
なお、上記構成中の従リードフレームはふつう1個とす
るのがよいが、必要に応じて複数個設けることもできる
〔作用〕
本発明では、ダイパッドをフレームの中央部に備えその
周りに先端部を分布させて複数個のリードを配設した主
リードフレーム上に、そのリードの先端部の外側に分布
して先端部が配列された複数個のリードを備える従リー
ドフレームを絶縁フィルムを挟んで積み重ねた複合構成
のリードフレームとすることにより、ダイパッドの周り
に主および従リードフレームのリードの先端部をいわば
同心杖の例えば二重層に配列して、ダイパッド支に搭載
されるチップと接続可能なリード数を増加させるととも
に、主、従両リードフレームのリードを絶縁フィルムに
より相互に絶縁する。
次に本発明では、絶縁フィルムにはその下側のリードの
先端部と主リードフレームのダイパッドを含む範囲に窓
を開口することにより、例えばこの窓内でダイパッド上
のチップ2土リードフレームのリードの先端部とをボン
ディングにより接続した上で、チップと従リードフレー
ムのリードの先端部とを接続できるようにする。
さらに本発明では、従リードフレームのリードの先端部
を絶縁フィルムを介して主リードフレームのリードと重
なるように配列することにより、従リードフレームのリ
ード先端部にボンディングを施す際にそれに掛かる圧力
や超音波エネルギが分散しないようにして、この従リー
ドフレームのリードをチップと接続するためのボンディ
ングが確実になされるようにする。
〔実施例〕
以下、図を参照しながら本発明の実施例を具体的に説明
する。第1図は本発明による複合構造のリードフレーム
の′lフレーム分をその主リードフレーム、絶縁フィル
ムおよび従リードフレームを順次重ね合わせた状態で示
す上面図であり、これに関連してチップとリード先端部
との接続部の詳細が第2図の要部拡大図に、リードのプ
ラスチックパッケージ外への導出部の構造が第3図の要
部拡大図にそれぞれ示されており、これらの図の前に説
明した第6図および第7図に対応する部分には同じ符号
が付されている。
第1図において、主リードフレーム10と従リードフレ
ーム20は、いずれも通例のようにニッケル鉄合金や銅
合金の0.15〜0.25mの厚みの金属シートを所望
のパターンにエツチングして形成したもので、図は両リ
ードフレームを絶縁フィルム30ヲ挟んで互いに重ね合
わせた状態を示す。
主リードフレーム!0は、第6図と同じ方形のグイバン
ド11とその周りに分布して先端部12aが並べられた
放射状配列の数十条のリード12を含み、この例では枠
状のタイバー13がリード12を中間部で相互に連結し
、かつ支えllaを介してグイバッド11を支承してお
り、これらの全体がリード12の基部12bを介して図
で一点11tIAでa嬉に示されたフレーム10aによ
って支承されている。
従リードフレーム20は、主リードフレーム10と同形
状のフレーム20aおよびタイバー23と、それらに支
承された同数かつほぼ同形状のり一ド22を含み、リー
ド22はリード12よりもやや短く形成されてそれらの
先端部22aがリード12の先端部12aの外側に分布
して並べられている。
これら両リードフレーム10と20の間に挟まれる絶縁
フィルム30は、例えば0.1〜0.2 mの厚みのポ
リイミドフィルムをこれに用いるのがよ(、この例では
その外形がタイバー13ないし23よりやや大な方形に
形成され、中央部には主リードフレーム11)のグイバ
ッド11とリード12の先端部12aとを図のように露
出させるこの例では方形の窓31が開口される。この窓
31の大きさは従リードフレーム20のリード22の先
端部22aが図示のようにその外側つまり絶縁フィルム
30上に来るようにされる。
この絶縁フィルム30の両面には接看剤を薄(塗布して
置き、これを挟んで両リードフレーム10と20を重ね
合わた後に僅かに加圧して3者を一体化して置くのがよ
い。
なお、この例では上述の窓31に連続してスリット32
が複敞個放射状に切られており、プラスチックパッケー
ジングのための樹脂成形時の樹脂の流れを良好にし、か
つ成形温度下の絶縁フィルム30の収縮によるリード1
2や22の変形を防止する役目を果たす。
以上の本発明によるリードフレームには、そのグイバッ
ド11上に集積回路装置のチップlを例えばはんだ付け
した上で、第2図に示すようにリード12と22に接続
する0本発明によるリード数の増加に応じて、同図(a
)のようにチップ10周縁には数十−角の小形接続バッ
ドlaが従来よりも狭い例えば100−程度のピッチで
並べられ、1個置きにボンディング線2を介してリード
12と22とに交互に接続される。
このボンディング作業は、同図(a)のY−Y矢視断面
である同図(ロ)のように絶縁フィルム30の窓31内
に露出されたり一ド12の先端部12aへのボンディン
グを済ませた後に、窓31の外側の絶縁フィルム30上
に位置するり一ド22の先端部22aへのボンディング
に移るのが合理的である0本発明では従リードフレーム
のり一ド22の先端部22aが絶縁フィルム30を介し
て主リードフレームのり一ド12と必ず重ね合わされて
いるので、これに超音波ボンディングを施しても加圧力
や超音波エネルギが散逸せず、常に確実な接続が果たさ
れる。
このようにボンディング12による接続を済ませた後、
第1図のタイバー13と23に囲まれた範囲にエポキシ
樹脂等のプラスチックパッケージ3をトランスファまた
は射出成形する。タイバー13と23はこの成形時に成
形キャビティを金型とともに閉鎖する役目を果たす、こ
の成形完了後、プレス作業でリードの基部12bと22
bをフレームlOaと20aから切り離すことにより各
集積回路装置を単離し、かつタイバー13と23のリー
ド相互間部分を打ち抜いてリード12と22を単離する
第3図は完成状態でのリード12と22のプラスチック
パッケージ3外への導出部を示す、上述のタイバーのリ
ード間部の打ち抜き後も、絶縁フィルム30の周縁33
はリード12と22の突出部分間に残って両者間を絶縁
する。上述のプレス作業後、リードの基部12bと基部
22bを図のように互いに異なる位置で折り曲げて図示
の完成状態とされる。集積回路装置の実装時には、もち
ろん、これらリードの基部12bと22bを介して印刷
配線基板等に取り付けかつ接続される。
第4図に本発明の異なる実施例の要部を示す。
この例では、主リードフレーム側のリード12の先1部
12cが従リードフレーム側のり−ド22の先端部22
aに対し先端部間ピッチの2分の1だけダイパッド11
の周縁方向にずれるよう曲がった形状にされる。これに
より、チップ1上の接続パッド1aの配列と同間隔で先
端部22aと12cが並び、ボンディングvA2による
接続が前の実施例よりも容易になる。もちろん、この場
合にも従リードフレームのリード22の先端部22aは
主リードフレームのり一ド12上に重ねられる。
第5図に要部を示す本発明のさらに異なる実施例では、
従リードフレームのり一ド22が中央部で曲がった形状
とされ、その基部22cが主リードフレームのリード1
2の基部12bからずらされる。また、この例では絶縁
膜30がプラスチックパッケージ3の内側に納められる
。この例でもタイバー13と23のリード間部を打ち抜
いてリード12と22を単離でき、第3図の場合と異な
りそれらの基部12bと22cを同じ位置で折り曲げで
きる。
なお、上述のいずれの実施例でも従リードフレームを1
個としたが、必要に応じてこれを複数個設けて、主リー
ドフレーム上に適宜な大きさの窓が開口された絶縁フィ
ルムを介して順次これらを重ね合わせることにより、リ
ード数をさらに増加させることができる。これからもわ
かるように、本発明は上述の実施例に限らず種々の態様
で実施をすることができる。
〔発明の効果〕
以上のとおり本発明によれば、プラスチックパッケージ
ング用リードフレームを、ダイパッドをフレームの中央
部に備えその周りに先端部を分布させてリードを配設し
た主リードフレーム上に、このリード先端部の外側に分
布して先端部が配列されたリードを備える従リードフレ
ームを絶縁フィルムを挟んで積み重ねた複合構成とする
ことにより、グイバンドの周りに主および従リードフレ
ームのリードの先端部を二重層以上に配列して、ダイパ
ッド上のチップと接続可能なリード数を増加させること
ができる。
さらに本発明では、絶縁フィルムにその下側のリードの
先端部と主リードフレームのダイパッドを含む範囲に窓
を開口することにより、主および従リードフレームのリ
ード先端部をそれに対応するチップの接続パッドと接続
する際のボンディング作業を容易にするとともに、従リ
ードフレームのリードの先端部を絶縁フィルムを介して
主リードフレームのリードと重なるように配列すること
により、従リードフレームのリード先端部にボンディン
グ線を接続する際にそれに掛ける圧力や超音波エネルギ
の分散を防止して接続を確実にすることができる。
かかる利点を有する本発明によるリードフレームを利用
することにより、従来の隘路を打開してプラスチックパ
ッケージ内に収納された百個以上のビン数の集積回路装
置を容易に製作できるようになり、進歩した高集積化技
術による小形半導体チップを小形のプラスチックパッケ
ージ内に収納した集積回路装置を経済的に量産して提供
することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図から第5図までが本発明に関し、第1図は本発明
によるプラスチックパッケージング用リードフレームの
実施例の1フレ一ム分の上面図、第2図はこの実施例に
おけるチップとリード先端部の接続の様子を示す要部拡
大上面図および断面図、第3図は同じ実施例におけるリ
ードのプラスチックパッケージ外への導出構造を示す要
部拡大断面図、第4図は本発明によるリードフレームの
異なる実施例の要部拡大上面図、第5図は本発明のさら
に異なる実施例の要部拡大断面図である。 第6図以降は従来技術に関し、第6図は第1図に対応す
る従来のリードフレームの上面図、第7図はそのチップ
とリード先端部の接続の様子を示す要部拡大上面図であ
る。これらの図において、l:集積回路装置用チップ、
2:ボンディング線、3ニブラスチツクパツケージ、1
0:主リードフレーム、10a : 1個のフレーム、
11:ダイパッド、11a:ダイパッド支え、12:リ
ード、12a:リードの先端部、12b:リードの基部
、12c:リードの屈曲された先端部、13:タイバー
、20:従リードフレーム、20a:1個のフレーム、
22:リード、22a:リードの先端部、22b:リー
ドの基部、22c:リードのずらされた基部、23:タ
イバ−1so:a縁フィルム、31:絶縁フィルムに開
口された窓、32ニスリツト、33:絶縁フィルムの外
第1 図 第2図 第6図 第 l 凶

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 集積回路チップを搭載するダイパッドをフレームの中央
    部に備えその周りに先端部を分布させてリードを配設し
    た主リードフレーム上にそのリードの先端部の外側に分
    布して先端部が配列されたリードを備える従リードフレ
    ームを絶縁フィルムを挟んで順次積み重ねてなり、絶縁
    フィルムにはその下側のリードの先端部と主リードフレ
    ームのダイパッドを含む範囲に窓を開口し、従リードフ
    レームのリードの先端部を絶縁フィルムを介して主リー
    ドフレームのリードと重なるように配列したことを特徴
    とする集積回路装置のプラスチックパッケージング用リ
    ードフレーム。
JP1247584A 1989-09-22 1989-09-22 集積回路装置のプラスチックパッケージング用リードフレーム Pending JPH03109759A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4430050A1 (de) * 1994-08-24 1996-02-29 Siemens Ag Leadframe zur LOC-Montage im Innerleadbereich und/oder zur ungehäusten Montage eines Chips im Outerleadbereich

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5998543A (ja) * 1982-11-26 1984-06-06 Hitachi Ltd 半導体装置
JPS6092646A (ja) * 1983-10-27 1985-05-24 Toshiba Corp 二層構造リ−ドフレ−ム

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5998543A (ja) * 1982-11-26 1984-06-06 Hitachi Ltd 半導体装置
JPS6092646A (ja) * 1983-10-27 1985-05-24 Toshiba Corp 二層構造リ−ドフレ−ム

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4430050A1 (de) * 1994-08-24 1996-02-29 Siemens Ag Leadframe zur LOC-Montage im Innerleadbereich und/oder zur ungehäusten Montage eines Chips im Outerleadbereich

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