DE4425360A1

DE4425360A1 - Ladungsgekoppelte Einrichtung und Verfahren zu deren Herstellung

Info

Publication number: DE4425360A1
Application number: DE4425360A
Authority: DE
Inventors: Jae Hong Jeong
Original assignee: Goldstar Electron Co Ltd
Current assignee: Intellectual Ventures II LLC
Priority date: 1993-08-18
Filing date: 1994-07-18
Publication date: 1995-02-23
Anticipated expiration: 2014-07-19
Also published as: DE4425360C2; US5607872A; KR950007454A; KR960015271B1; US5442207A; JPH07176724A; JP2909528B2

Description

Die Erfindung bezieht sich im allgemeinen auf ladungsgekoppelte Einrich tungen und Verfahren zu deren Herstellung. Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf die Struktur einer Ladungskopplungselektrode zur Ver besserung des Ladungstransfer-Wirkungsgrades sowie auf Verfahren zu deren Herstellung.

Eine ladungsgekoppelte Einrichtung enthält im allgemeinen ein Array von feinen Transfer-Elektroden, die durch einen isolierenden Film auf einem Siliciumsubstrat voneinander getrennt sind. Die ladungsgekoppelte Einrichtung überträgt Pulsladungen in einer Richtung unter Verwendung einer Potentialdifferenz innerhalb einer Halbleitereinrichtung, wobei die Potentialdifferenz durch Anlegen von Potentialdifferenzen an die jeweili gen Transfer-Elektroden erhalten wird. Dabei tritt eine gewisse Signal verzögerung auf.

Zum besseren Verständnis des Hintergrundes der vorliegenden Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnung der Aufbau einer konventionellen ladungsgekoppelten Einrichtung näher beschrieben.

Die Fig. 1 zeigt den Aufbau dieser konventionellen ladungsgekoppelten Einrichtung. Zunächst wird ihre Herstellung näher erläutert.

In einem ersten Schritt werden n-Typ Verunreinigungsionen in ein p-Typ Siliciumsubstrat 1 implantiert, um einen Bereich 2 für eine begrabene ladungsgekoppelte Einrichtung (BCCD bzw. Buried Charge Coupled Device) zu erhalten. Danach wird der gesamte Bereich 2 mit einem Oxid film 3 abgedeckt, der als Isolationsfilm dient.

In einem weiteren Schritt wird auf den Oxidfilm 3 eine leitende Schicht aus Polysilicium aufgebracht, die nachfolgend durch einen Photoätzprozeß strukturiert wird, um eine Mehrzahl von parallelen ersten Transfer- Elektroden 13 zu erhalten, die im Abstand voneinander liegen.

Unter Verwendung der ersten Transfer-Elektroden 13 als Masken werden anschließend durch Ionenimplantation Barrieren 9 in der Oberfläche des BCCD-Bereichs 2 gebildet. Schließlich werden die ersten Transfer- Elektroden 13 durch einen Oxidfilm gegeneinander isoliert. Danach wird eine Mehrzahl von parallelen zweiten Transfer-Elektroden 14 gebildet, die im Abstand voneinander und zwischen den ersten Transfer-Elektroden 13 liegen. Diese zweiten Transfer-Elektroden 14 bestehen ebenfalls aus Poly silicium.

Bei einer derartigen ladungsgekoppelten Einrichtung ist jede der ersten Transfer-Elektroden 13 mit einer benachbarten zweiten Transfer- Elektrode 14 gepaart. Jedes dieser Elektrodenpaare empfängt entweder einen ersten Taktpuls bzw. einen zweiten Taktpuls (H₁, H₂), die abwech selnd an die Elektrodenpaare angelegt werden.

Die Fig. 2 zeigt schematisch den Betriebsablauf bei einer konventionellen zweiphasigen ladungsgekoppelten Einrichtung. Dabei sind in Fig. 2a Bei spiele von ersten und zweiten Taktpulsen dargestellt, die an die Transfer- Elektroden der zweiphasigen ladungsgekoppelten Einrichtung angelegt werden, während die Fig. 2b Potentialverteilungen erläutert, die innerhalb des Halbleiters induziert werden, wenn die ersten und zweiten Taktimpul se zu den Transfer-Elektroden gelangen, wobei die Fig. 2b ebenfalls die Migration der Ladungen infolge der Potentialverteilungen erkennen läßt.

Genauer gesagt ist bei t=1 der erste Taktpuls (HΦ₁) in einem Zustand "niedrig", während der zweite Taktimpuls (HΦ₂) in einem Zustand "hoch" ist. Zu diesem Zeitpunkt ist die Potentialwanne unterhalb der Transfer- Elektrode 13 am tiefsten, so daß die Pulsladungen in dieser Wanne gefangen sind.

Bei t=2 nimmt der erste Taktpuls (HΦ₁) einen hohen Zustand an, während der zweite Taktpuls (HΦ₂) einen niedrigen Zustand annimmt. Demzufolge liegt jetzt die tiefste Potentialwanne unterhalb der ersten Transfer-Elek trode 13, die den ersten Taktpuls (HΦ₁) empfängt, während die Potential wanne unterhalb der zweiten Transfer-Elektrode 14, die den zweiten Takt puls (HΦ₂) empfängt, angehoben ist. Deswegen werden die Pulsladungen in Richtung der ersten Transfer-Elektrode 13 verschoben, unter der die tiefste Wanne liegt, und die den ersten Taktpuls ((HΦ₁) empfängt.

Bei t=3 erfolgt die Verschiebung der Pulsladungen wie bei t=2. Mit anderen Worten können die Pulsladungen in Fig. 2 nur nach rechts verschoben werden, und zwar infolge einer Potentialbarriere, die unter der linken Elektrode eines jeden Transfer-Elektrodenpaares vorhanden ist, das aus der ersten Transfer-Elektrode und der zweiten Transfer-Elektrode be steht.

Das wiederholte Anlegen der ersten und zweiten Taktpulse (HΦ₁, HΦ₂) erlaubt dann eine Verschiebung der Pulsladungen über einen größeren Bereich.

Bei der konventionellen ladungsgekoppelten Einrichtung ist die Ladungs übertragung jedoch problematisch. Wird die Potentialverteilung gem. Fig. 2b genauer betrachtet, so läßt sich erkennen, daß der Kantenbereich unterhalb einer jeden Transfer-Elektrode eine schnelle Änderung des Potentials verursacht, was zur Folge hat, daß hier die Pulsladung gleich mäßig bewegt werden kann. Im Zentralbereich liegt dagegen eine Equi potentialverteilung vor, so daß die Pulsladung zur benachbarten Elek trode nicht durch die Kraft eines elektrischen Feldes, sondern nur durch Diffusion transportiert wird, also mit relativ niedriger Geschwindigkeit und darüber hinaus auch nicht vollständig.

Dieses Phänomen macht sich umso stärker bemerkbar, je höher die Frequenz der an die Transfer-Elektroden angelegten Spannung ist. Die konventionelle ladungsgekoppelte Einrichtung ist daher bei hohen Frequenzen relativ träge.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die ladungsgekoppelte Einrich tung der eingangs beschriebenen Art so weiterzubilden, daß sie auch bei höheren Frequenzen ein gutes Ladungsübertragungsverhalten zeigt.

Durch die Erfinder wurde herausgefunden, daß sich die Effizienz der Ladungsübertragung durch Verzögerung der Anstiegszeit und der Abfall zeit der Taktpulse verbessern läßt, die in Übertragungsrichtung an die Transfer-Elektroden angelegt werden, um auf diese Weise Potential gradienten in einem Kanal zu erhalten, in welchem die Ladungen transpor tiert werden.

In Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung enthält eine ladungs gekoppelte Einrichtung eine erste Elektrode mit einem ersten Bereich und einem zweiten Bereich, dessen Widerstand geringer ist als der des ersten Bereichs; sowie eine zweite Elektrode mit einem ersten Bereich und einem zweiten Bereich, dessen Widerstand geringer ist als der derjenige dieses ersten Bereichs; wobei der erste Bereich der ersten Elektrode benachbart zum ersten Bereich der zweiten Elektrode und zwischen diesen beiden Bereichen ein Isolationsfilm liegt.

Ein Verfahren zur Herstellung einer erfindungsgemäßen ladungsgekop pelten Einrichtung zeichnet sich durch folgende Schritte aus: Bildung eines Ladungskopplungsbereichs vom zweiten Leitungstyp auf einem Halbleitersubstrat eines ersten Leitungstyps; Abdecken des Leitungskop plungsbereichs vom zweiten Leitungstyp mit einem ersten Isolationsfilm; Bildung einer ersten leitenden Schicht auf dem ersten Isolationsfilm; Bil dung einer Mehrzahl von im Abstand zueinander liegenden ersten Berei chen mit niedrigem Widerstand in vorbestimmten Bereichen der ersten leitenden Schicht, wobei die ersten Bereiche mit niedrigem Widerstand einen niedrigeren Widerstand als die erste leitende Schicht aufweisen; Strukturieren der ersten leitenden Schicht, die die ersten Bereiche mit niedrigem Widerstand enthält, um auf diese Weise eine Mehrzahl von ersten Elektroden zu erhalten, die jeweils an einer Seite einen der Bereiche mit niedrigem Widerstand aufweisen; vollständiges Abdecken der resultie renden Struktur mit einem zweiten Isolationsfilm; Bildung eines Verunrei nigungsbereichs in der Nähe der Oberfläche eines jeden Ladungskop plungsbereichs zwischen den ersten Elektroden; Bildung einer zweiten lei tenden Schicht auf dem zweiten Isolationsfilm; Bildung einer Mehrzahl von im Abstand zueinander liegenden zweiten Bereichen mit niedrigem Wi derstand in der zweiten leitenden Schicht, von denen ein jeder einen nie drigeren Widerstand als die zweite leitende Schicht aufweist und benach bart zu einem der ersten Bereiche mit niedrigem Widerstand der ersten Elektrode liegt; und Strukturieren der zweiten leitenden Schicht, die die zweiten Bereiche mit niedrigem Widerstand enthält, derart, daß der zweite Bereich mit niedrigem Widerstand an der Seite des ersten Bereichs mit nie drigem Widerstand zu liegen kommt, wobei eine Mehrzahl von zweiten Elektroden erhalten wird, von denen eine jede zwischen zwei ersten Elek troden liegt und einen der zweiten Bereiche mit niedrigem Widerstand ent hält.

Ein weiteres Verfahren zur Herstellung einer ladungsgekoppelten Einrich tung nach der Erfindung zeichnet sich durch folgende Schritte aus: Bil dung eines Ladungskopplungsbereichs vom zweiten Leitungstyp auf einem Halbleitersubstrat vom ersten Leitungstyp; Abdecken des Ladungs kopplungsbereichs vom zweiten Leitungstyp mit einem ersten Isolations film; Bildung einer ersten leitenden Schicht auf dem ersten Isolationsfilm; Strukturieren der ersten leitenden Schicht, um eine Mehrzahl von im Abstand zueinander liegenden ersten Elektrodenmustern zu erhalten; Abdecken der resultierenden Struktur mit einem zweiten Isolationsfilm; Bildung eines Verunreinigungsbereichs in der Nähe der Oberfläche eines jeden Ladungskopplungsbereichs zwischen zwei ersten Elektrodenmu stern; Bildung einer Mehrzahl von im Abstand zueinander liegenden zwei ten Elektrodenmustern auf dem Ladungskopplungsbereich, wobei jedes zweite Elektrodenmuster eine Höhe aufweist, die der Höhe des ersten Elek trodenmusters entspricht und zwischen zwei jeweils ersten Elektroden mustern zu liegen kommt; Abdecken der resultierenden Struktur mit einem dritten Isolationsfilm; und Bildung eines Bereichs mit niedrigem Widerstand sowohl in einem Gebiet des ersten Elektrodenmusters als auch in einem Gebiet des zweiten Elektrodenmusters, um in einem Ar beitsgang eine erste Elektrode als auch eine zweite Elektrode zu erhalten, wobei der Bereich mit niedrigem Widerstand, der zur ersten Elektrode ge hört, benachbart zu demjenigen Bereich mit niedrigem Widerstand zu lie gen kommt, der zur zweiten Elektrode gehört.

Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher beschrieben. Es zeigen:

Fig. 1 eine schematische Querschnittsansicht einer konventio nellen ladungsgekoppelten Einrichtung;

Fig. 2a Beispiele von ersten und zweiten Taktpulsen, die an Trans fer-Elektroden einer zwei Phasen aufweisenden ladungs gekoppelten Einrichtung angelegt werden;

Fig. 2b in einem Halbleiter induzierte Potentialverteilungen inner halb der konventionellen ladungsgekoppelten Einrich tung bei Anlegen der ersten und zweiten Taktpulse gemäß Fig. 2a an die Transfer-Elektroden;

Fig. 3 eine schematische Querschnittsdarstellung einer ladungsgekoppelten Einrichtung nach einem ersten Aus führungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;

Fig. 4 eine schematische Querschnittsdarstellung einer ladungsgekoppelten Einrichtung nach einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;

Fig. 5a Beispiele von ersten und zweiten Taktpulsen, die an die Transfer-Elektrode der ladungsgekoppelten Einrichtung nach der vorliegenden Erfindung angelegt werden;

Fig. 5b Potentialverteilungen innerhalb eines Halbleiters der erfindungsgemäßen ladungsgekoppelten Einrichtung bei Anlegen der ersten und zweiten Taktimpulse an die Trans fer-Elektroden;

Fig. 6a bis 6g Querschnittsansichten zur Erläuterung der Herstellung der ladungsgekoppelten Einrichtung nach dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; und

Fig. 7a bis 7g Querschnittsansichten zur Erläuterung der Herstellung der ladungsgekoppelten Einrichtung nach dem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.

Nachfolgend werden bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnung im einzelnen erläutert, wobei gleiche Teile mit den gleichen Bezugszeichen versehen sind.

Die Fig. 3 zeigt eine ladungsgekoppelte Einrichtung nach einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Diese ladungsgekoppel te Einrichtung enthält ein Halbleitersubstrat 20 eines ersten Leitungstyps, z. B. ein p-Typ Siliciumsubstrat. Auf dem Substrat 20 liegt ein n-Typ BCCD-Bereich 21, der einen Ladungskopplungsbereich eines zweiten Lei tungstyps darstellt. Dieser Bereich 21 ist mit einem Isolationsfilm 22 ab gedeckt, auf dem eine Mehrzahl von ersten Bereichen 23 und eine Mehr zahl von zweiten Bereichen 24 gebildet sind, die gegenüber den ersten Be reichen 23 einen niedrigeren Widerstand aufweisen. Jeder der zuerst ge nannten Bereiche 23 mit einem benachbarten der als zweites genannten Bereiche 24 bildet eine erste Transfer-Elektrode 25, an deren jeweiligen Kantenbereichen jeweils eine zweite Transfer-Elektrode 30 vorhanden ist, bestehend aus einem ersten Bereich 28 und aus einem zweiten und gegen über dem ersten Bereich 28 einen niedrigeren Widerstand aufweisenden Bereich 29. Die zweiten Transfer-Elektroden 30 erstrecken sich über den BCCD-Bereich 21 zwischen den voneinander beabstandeten ersten Trans fer-Elektroden 25, wobei der erste Bereich 23 der ersten Transfer-Elektro de 25 benachbart ist zum ersten Bereich 28 der zweiten Transfer-Elektro de 30 und zwischen ihnen ein Isolationsfilm 26 liegt. Andererseits liegt der zweite Bereich 24 der ersten Transfer-Elektrode 25 benachbart zum zwei ten Bereich 29 der zweiten Transfer-Elektrode 30, wobei zwischen ihnen ebenfalls der Isolationsfilm 26 vorhanden ist.

Die ladungsgekoppelte Einrichtung nach der Erfindung enthält weiterhin einen Verunreinigungsbereich 27, der als Barriere dient und sich unter halb einer jeden der zweiten Transfer-Elektroden 30 sowie in der Nachbar schaft der Oberfläche des BCCD-Bereichs 21 befindet. In der ersten Trans fer-Elektrode 25 ist der erste Bereich 23 weiter ausgedehnt als der zweite Bereich 24, während in der zweiten Transfer-Elektrode 30 der zweite Be reich 29 weiter ausgedehnt ist als der erste Bereich 28.

Jeder der ersten Bereiche 23, 28 der ersten und zweiten Transfer-Elektro den 25, 30 besteht z. B. aus Polysilicium, während jeder der zweiten Berei che 24, 29 der ersten und zweiten Transfer-Elektroden 25, 30 z. B. aus Poly silicium bestehen kann, das mit Verunreinigungen dotiert ist, um den elektrischen Widerstand der zuletzt genannten Bereiche gegenüber den zuerst genannten Bereichen zu verringern. Dabei kann der Bereich 28 den Bereich 23 zum Teil überlappen, während auch der Bereich 29 den Bereich 24 zum Teil überlappen kann.

Die Fig. 4 zeigt eine ladungsgekoppelte Einrichtung in Übereinstimmung mit einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung. Diese ladungsge koppelte Einrichtung weist ein Halbleitersubstrat 20 eines ersten Leitungstyps auf, z. B. ein p-Typ Siliciumsubstrat. Auf dem Substrat 20 liegt ein n-Typ BCCD-Bereich 21, der einen Ladungskopplungsbereich vom zweiten Leitungstyp darstellt. Dieser Bereich 21 ist mit einem Isola tionsfilm 22 abgedeckt, auf dem sich eine Mehrzahl von ersten Bereichen 23 sowie eine Mehrzahl von zweiten Bereichen 24 befinden, die gegenüber den ersten Bereichen 23 einen niedrigeren Widerstand aufweisen. Dabei bilden jeweils ein erster Bereich 23 und ein benachbarter zweiter Bereich 24 eine erste Transfer-Elektrode 25, wobei derartige Elektroden 25 im Abstand zueinander auf dem Isolationsfilm 22 angeordnet sind. Weiterhin befinden sich auf dem Isolationsfilm 22 Paare von zweiten Transfer- Elektroden 30 jeweils zwischen den Transfer-Elektroden 25. Jede zweite Transfer-Elektrode 30 besteht aus einem ersten Bereich 28 und aus einem zweiten Bereich 29, der gegenüber dem ersten Bereich 28 einen niedrige ren Widerstand aufweist. Dabei ist die erste Transfer-Elektrode 25 genau so hoch ausgebildet wie die zweite Transfer-Elektrode 30, wobei erste und zweite Transfer-Elektroden 25, 30 der Reihe nach abwechselnd angeord net sind.

Der erste Bereich 23 der ersten Transfer-Elektrode 25 liegt benachbart zum ersten Bereich 28 der zweiten Transfer-Elektrode 30, wobei zwischen diesen beiden Bereichen ein Isolationsfilm 26 vorhanden ist. Darüber hinaus liegt der zweite Bereich 24 der ersten Transfer-Elektrode 25 benachbart zum zweiten Bereich 29 der zweiten Transfer-Elektrode 30, wobei auch zwischen diesen Bereichen der Isolationsfilm 26 vorhanden ist.

Bei der ladungsgekoppelten Einrichtung nach dem zweiten Ausführungs beispiel der Erfindung befindet sich ein Verunreinigungsbereich 27, der als Barriere dient, unterhalb einer jeden der zweiten Transfer-Elektroden 30 sowie in der Nachbarschaft der Oberfläche des BCCD-Bereichs 21. Bei der ersten Transfer-Elektrode 25 ist der erste Bereich 23 weiter ausgedehnt als der zweite Bereich 24, während bei der zweiten Transfer-Elektrode 30 der zweite Bereich 29 weiter ausgedehnt ist als der erste Bereich 28.

Jeder der ersten Bereiche 23, 28 der ersten und zweiten Transfer- Elektroden 25, 30 besteht z. B. aus Polysilicium, während jeder der zweiten Bereiche 24, 29 der ersten und zweiten Transfer-Elektroden 25, 30 z. B. aus Polysilicium besteht, das mit Verunreinigungen dotiert ist, um den Widerstand der zweiten Bereiche 24, 29 gegenüber den ersten Bereichen 23, 28 zu verringern.

Unter Bezugnahme auf die Fig. 5a und 5b wird nachfolgend die Wirkungs weise der erfindungsgemäßen ladungsgekoppelten Einrichtung näher erläutert. Dabei zeigt die Fig. 2a Beispiele von Taktpulsen, die an die Über tragungselektrode der zweiphasigen ladungsgekoppelten Einrichtung angelegt werden, während die Fig. 2b im Halbleiter induzierte Potential verteilungen erkennen läßt, die bei Anlegen der Taktpulse an die Transfer- Elektroden entstehen, wobei ebenfalls der Migrationsverlauf der Ladungen in Abhängigkeit der Potentialverteilungen dargestellt ist.

Werden gemäß Fig. 5a aus rechteckförmigen Wellen erzeugte Sägezahn wellen angelegt, und ist bei t=1 ein erster Taktpuls (HΦ₁) gemäß Fig. 5b im Zustand "niedrig", während ein zweiter Taktpuls (HΦ₂) im Zustand "hoch" ist, so bildet sich die tiefste Potentialwanne unterhalb der ersten Transfer elektrode 25, an die der zweite Taktpuls (HΦ₂) angelegt wird. Die Puls ladungen werden dann in dieser Wanne eingefangen.

Bei t=2 wird der erste Taktpuls (HΦ₁) vom niedrigen Zustand in den hohen Zustand umgeschaltet, während der zweite Taktpuls (HΦ₂) vom hohen Zustand in den niedrigen Zustand umgeschaltet wird. Zu dieser Zeit reagiert jeder der mit Verunreinigungen dotierten Bereiche 24, 29 der ersten und zweiten Transfer-Elektroden 25, 30 ohne zeitliche Verzögerung auf derartige Änderungen der Taktpulse. Andererseits wird bei der Über tragung der Taktpulse (HΦ₁, HΦ₂) bei t=2 eine Zeitverzögerung in den undotierten Bereichen 23, 28 erhalten, die durch die RC-Zeitkonstante bestimmt ist. Dieses Phänomen tritt dadurch auf, daß die Taktpulse (HΦ₁, HΦ₂) in Abhängigkeit der zeitlichen Änderung des Potentials geändert werden, und daß ferner eine zeitliche Änderung infolge von Über schwingerscheinungen nach Änderung der Taktpulse erhalten wird.

Infolge der keine Zeitverzögerung verursachenden und mit Verunreini gungen dotierten Bereiche der Transfer-Elektroden einerseits sowie der Zeitverzögerungen verursachenden undotierten Bereiche der Transfer- Elektroden entsteht im Transfer-Kanal ein Potentialgradient, so daß die Ladungsübertragung nicht nur durch Diffusion unter Verwendung von Wärmeenergie sondern auch durch die Kraft eines elektrischen Feldes erfolgt. Die Ladungsübertragung in der ladungsgekoppelten Einrichtung nach der Erfindung weist somit einen höheren Übertragungswirkungs grad auf und überträgt die Ladungen ferner mit höherer Geschwindigkeit.

Bei t=3 nehmen die Taktpulse (HΦ₁, HΦ₂) gemäß Fig. 5a einen statischen Zustand ein, was gleichbedeutend mit dem Anlegen eines Gleichstrom potentials ist, so daß im Transfer-Kanal der Potentialgradient verschwin det. Dieses Verschwinden des Potentialgradienten führt zur Bildung einer Ladungswanne, ähnlich wie bei der konventionellen Struktur. Das wieder holte Anlegen der Taktpulse führt schließlich zur Übertragung der Puls ladungen in einer Richtung.

Wie die Fig. 5b erkennen läßt, sind jeweils nur die dotierten und einen niedrigen elektrischen Widerstand aufweisenden Bereiche mit Signal leitungen verbunden. So ist der zweite Bereich 29 der zweiten Transfer- Elektrode 30 mit dem zweiten Bereich 24 der ersten Transfer-Elektrode 25 und mit einer Signalleitung verbunden, an die der Taktpuls (HΦ₂) angelegt wird. Ein benachbartes Paar von ersten und zweiten Transfer-Elektroden 25, 30 empfängt dagegen in den Bereichen 29 und 24 über eine mit diesen Bereichen verbundene Signalleitung den Taktpuls (HΦ₁).

Nachfolgend werden Verfahren zur Herstellung der ladungsgekoppelten Einrichtungen gemäß der Erfindung beschrieben. Dabei zeigen die Fig. 6a bis 6g Verfahrensschritte zur Herstellung der ladungsgekoppelten Einrichtung nach dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung, wäh rend die Fig. 7a bis 7g Verfahrensschritte zur Erläuterung des Her stellungsverfahrens der ladungsgekoppelten Einrichtung nach einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigen.

Gemäß Fig. 6a werden zunächst in ein p-Typ Monosiliciumsubstrat 20 n- Typ Verunreinigungsionen implantiert, um einen BCCD-Bereich 21 zu erhalten, der ein Ladungskopplungsbereich ist. Auf diesen Bereich 21 wird dann ein erster Isolationsfilm 22 aufgebracht, beispielsweise ein Sili ciumoxidfilm. Sodann wird dieser Siliciumoxidfilm 22 mit einer ersten lei tenden Schicht abgedeckt, die z. B. eine Polysiliciumschicht sein kann. Diese Polysiliciumschicht wird in voneinander beabstandeten Bereichen hoch mit Verunreinigungen dotiert, um abwechselnd undotierte Polysilicium bereiche 23 und mit Verunreinigungen dotierte Bereiche 24 zu erhal ten, die nebeneinander liegen.

In einem weiteren Schritt gemäß Fig. 6b werden sodann die ersten Trans fer-Elektroden 25 gebildet, zu denen jeweils ein Bereich der undotierten Polysiliciumschicht 23 und ein Bereich der mit Verunreinigungen dotier ten Schicht 24 gehören. Die Strukturierung der ersten Transfer-Elektro den 25 erfolgt z. B. durch einen Photoätzprozeß. Dabei wird darauf geachtet, daß in Richtung der Oberfläche des Substrats 20 gesehen, der dotierte Bereich 24 eine geringere Ausdehnung bzw. geringere Breite auf weist als der Bereich 23. Mehrere dieser so erzeugten Transfer-Elektroden 25 kommen somit auf dem Isolationsfilm 22 im Abstand voneinander zu liegen.

In einem anschließenden Schritt gemäß Fig. 6c wird unter Verwendung der ersten Transfer-Elektroden 25 als Masken der erste Isolationsfilm 22 geätzt, der ein Siliciumoxidfilm ist.

Der erste Isolationsfilm 22 wird dabei vom Bereich 21 abgetragen. Er ver bleibt dann nur noch unterhalb der ersten Transfer-Elektrode 25, wie die Fig. 6c erkennen läßt.

Danach wird gemäß Fig. 6d auf die gesamte Oberfläche der resultierenden Struktur, also auf die ersten Transfer-Elektroden sowie auf das Substrat ein zweiter Isolationsfilm 26 aufgebracht, der ebenfalls ein Oxidfilm ist. Schließlich werden Ionen in die Oberfläche des BCCD-Bereichs 21 implan tiert, und zwar unter Verwendung der ersten Transfer-Elektroden 25 als Maske, um auf diese Weise im Oberflächenbereich der BCCD-Schicht 21 Verunreinigungsbereiche 27 zu bilden, die als Barriereschichten dienen.

In einem nachfolgenden Schritt gemäß Fig. 6e wird auf die gesamte freilie gende Oberfläche des zweiten Isolationsfilms 26 eine zweite leitende Schicht 28 aufgebracht, die z. B. eine Polysiliciumschicht sein kann. Diese zweite leitende Schicht wird anschließend selektiv mit Verunreinigungen dotiert, und zwar abschnittsweise, um nebeneinanderliegende undotierte bzw. dotierte Bereiche zu erhalten. Dabei liegen die dotierten Bereiche der zweiten Schicht nur an der Seite der ersten dotierten Bereiche der ersten Transfer-Elektrode 25 und bedecken nicht den jeweils undotierten Bereich der ersten Transfer-Elektrode 25, sondern nur deren dotierten Bereich. Dagegen liegt der undotierte Bereich der zweiten leitenden Schicht 28 an der Seite des undotierten Bereichs der ersten Transfer-Elek trode 25 und überdeckt nur diesen Bereich.

Als nächstes wird gem. Fig. 6f die zweite leitende Schicht bzw. Polysili ciumschicht, die die dotierten und nichtdotierten Bereiche aufweist, durch einen Photoätzprozeß so strukturiert, daß ihr dotierter Bereich 29 nur an der Seite des dotierten Bereichs 24 der ersten Transfer-Elektrode 25 zu liegen kommt und diesen zum Teil überdeckt, während der nicht dotierte Bereich 28 nur an der Seide des nichtdotierten Bereichs 23 der ersten Transfer-Elektrode 25 zu liegen kommt und diesen zum Teil über deckt. Die Bereiche 28 und 29 bilden eine zweite Transfer-Elektrode 30 oberhalb der jeweiligen Verunreinigungsbereiche 27, wobei zwischen diesen zweiten Transfer-Elektroden 30 die ersten Transfer-Elektroden 25 liegen. Die ersten Transfer-Elektroden 25 werden jedoch durch benach barte zweite Transfer-Elektroden 30 nicht vollständig abgedeckt, wie bereits erläutert. In jeder der zweiten Transfer-Elektroden 30 erstreckt sich in Richtung der Oberfläche des Substrats gesehen der dotierte Bereich 29 über einen größeren Bereich als der undotierte Bereich 28.

Schließlich wird gem. Fig. 6g auf die gesamte Oberfläche der so erhaltenen Struktur ein dritter Isolationsfilm 31 aufgebracht, der ebenfalls ein Oxid film sein kann. Danach werden mit der Struktur nicht dargestellte Anschlußleitungen bzw. -drähte verbunden, um Taktpulse an die jewei ligen Bereiche anlegen zu können. Die Leitungsverbindung mit den Berei chen erfolgt dabei so, daß Taktpulse nur an die mit Verunreinigungen dotierten Bereiche der ersten und zweiten Transfer-Elektroden 25, 30 angelegt werden können. Dabei sind die mit Verunreinigungen dotierten Bereiche 29, 24 zweier benachbarter Transfer-Elektroden 30, 25 über Taktsignalleitungen miteinander verbunden, wie auch in Fig. 5b zu erken nen ist.

Nachfolgend wird unter Bezugnahme auf die Fig. 7a bis 7g das Verfahren zur Herstellung der ladungsgekoppelten Einrichtung gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung erläutert.

Zunächst werden gemäß Fig. 7a in ein p-Typ Monosiliciumsubstrat 20 n- Typ Verunreinigungsionen implantiert, um einen BCCD-Bereich 21 zu erhalten, der als Ladungskopplungsbereich dient. Auf den Bereich 21 wird sodann ein erster Isolationsfilm 22 aufgebracht, der z. B. ein Siliciumoxid film sein kann. Sodann wird dieser Film 22 mit einer ersten leitenden Schicht 23 bedeckt, die z. B. eine Polysiliciumschicht ist.

Im nächsten Schritt 7b wird die Polysiliciumschicht 23 mit Hilfe eines Photoätzprozesses strukturiert, um eine Mehrzahl von im Abstand zuein ander liegenden ersten Transfer-Elektroden 25 zu erhalten.

Danach wird gemäß Fig. 7c der erste Isolationsfilm 22 von der Oberfläche des Bereichs 21 entfernt, wobei die ersten Transfer-Elektroden 25 als Maske verwendet werden. Der Isolationsfilm 22 wird mit anderen Worten weggeätzt und verbleibt nur noch unterhalb der ersten Transfer-Elektro den 25.

Anschließend wird auf die gesamte freiliegende Oberfläche der so erhalte nen Struktur ein zweiter Isolationsfilm 26 aufgebracht, der ein Oxidfilm sein kann. Dieser Oxidfilm 26 liegt dann auf den ersten Transfer- Elektroden 25 und auf dem Substrat bzw. auf der Schicht 21. Unter Ver wendung der ersten Transfer-Elektroden 25 als Maske werden in einem weiteren Schritt Verunreinigungsionen in die Oberfläche des BCCD- Bereichs 21 implantiert, um auf diese Weise Verunreinigungsbereiche 27 zu erhalten, die als Barriereschichten dienen. Diese Verunreinigungsbe reiche 27 liegen also im Oberflächenbereich der BCCD-Schicht 21 und jeweils zwischen benachbarten ersten Transfer-Elektroden 25.

Entsprechend der Fig. 7e wird dann auf die gesamte Oberfläche der so erhaltenen Struktur, also auf dem zweiten Isolationsfilm 26, eine zweite leitende Schicht 28 aufgebracht, die z. B. eine Polysiliciumschicht sein kann. Auf diese Schicht 28 wird sodann eine Planarisierungsschicht 32 aufgebracht, so daß schließlich eine Struktur mit einer ebenen Oberfläche vorliegt.

Im Schritt nach Fig. 7f wird die Planarisierungsschicht 32 zurückgeätzt, wonach anschließend auch die freigelegte zweite leitende Schicht 28 zurückgeätzt wird, und zwar soweit, daß am Schluß die Höhe der zweiten leitenden Schicht 28 der Höhe der ersten Transfer-Elektrode 25 entspricht. Im Ergebnis wird somit eine Mehrzahl von zweiten Transfer- Elektroden 30 erhalten, von denen jeweils eine zwischen zwei ersten Transfer-Elektroden 25 zu liegen kommt. Dabei befindet sich zwischen den ersten und zweiten Transfer-Elektroden 25, 30 jeweils der Isolations film 26.

Schließlich werden gemäß Fig. 7g die ersten und zweiten Transfer-Elektro den 25, 30 mit einem dritten Isolationsfilm 31 abgedeckt, der ein Oxidfilm sein kann. Sodann werden innerhalb der ersten und zweiten Transfer- Elektroden 25, 30 mit Verunreinigungen hoch dotierte Bereiche 24, 29 erzeugt, und zwar durch Ionenimplantation. Auf diese Weise entsteht in der ersten Transfer-Elektrode 25 ein mit Verunreinigungen dotierter Bereich 24, während in der zweiten Transfer-Elektrode 30 ein mit Verun reinigungen dotierter Bereich 29 entsteht. Diese beiden Bereiche 24 und 29 liegen benachbart zueinander und sind nur durch den Isolationsfilm 26 voneinander getrennt. Mit anderen Worten sind erste Transfer-Elektroden 25 vorhanden, die jeweils undotierte Bereiche 23 und dotierte Bereiche 24 aufweisen, während zweite Transfer-Elektroden 30 vorhanden sind, die jeweils undotierte Bereiche 28 und dotierte Bereiche 29 aufweisen. Sämtliche Dotierungsbereiche werden dabei gleichzeitig erzeugt. Obwohl nicht dargestellt, werden mit den dotierten Bereichen Anschlußleitungen bzw. -drähte verbunden, um über diese Leitungen bzw. Drähte Taktpulse an die dotierten Bereiche anlegen zu können. Dabei gelangen die jewei ligen Taktpulse nur an die mit Verunreinigungen dotierten Bereiche 24, 29 von erster und benachbarter zweiter Transfer-Elektrode 25, 30, wozu diese Bereiche 24, 29 mit einer gemeinsamen Signalleitung verbunden sind.

Die ladungsgekoppelten Einrichtungen nach der vorliegenden Erfindung weisen einen sehr guten Ladungstransfer-Wirkungsgrad sowie eine hohe Ladungstransfer-Geschwindigkeit auf, da zum Ladungstransport im we sentlichen die Kraft eines elektrischen Feldes ausgenutzt wird und nicht, wie im konventionellen Fall, im wesentlichen die Diffusion durch Wär meenergie. Die erfindungsgemäßen CCD-Einrichtungen führen somit zur Verbesserung von Festkörper-Bildsensoren mit hoher Bildqualität sowie von Zeitverzögerungseinrichtungen, die beide den Einsatz von CCD-Ein richtungen erfordern und bei hoher Frequenz betrieben werden. Bei einem Festkörper-Bildsensor, der von der erfindungsgemäßen CCD Gebrauch macht, verschlechtert sich darüber hinaus nicht der Dunkelzustand, bei dem nur eine geringe Anzahl von Pulsladungen erzeugt wird.

Claims

1. Ladungsgekoppelte Einrichtung, gekennzeichnet durch:

- eine erste Elektrode (25) mit einem ersten Bereich (23) und einem zweiten Bereich (24) mit geringerem Widerstand als der erste Bereich (23); und
- einer zweiten Elektrode (30) mit einem ersten Bereich (28) und einem zweiten Bereich (29) mit geringerem Widerstand als der erste Bereich (28), wobei der erste Bereich (23) der ersten Elektrode (25) benach bart zum ersten Bereich (28) der zweiten Elektrode (30) liegt und sich zwischen diesen zuletzt genannten Bereichen (23, 28) ein Isolationsfilm (26) befindet.

2. Ladungsgekoppelte Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet, daß der erste Bereich (23) der ersten Elektrode (25) einen größe ren Teil in der ersten Elektrode (25) einnimmt als der zweite Bereich (24) innerhalb der ersten Elektrode (25).

3. Ladungsgekoppelte Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet, daß der zweite Bereich (29) der zweiten Elektrode (30) einen größeren Teil in der zweiten Elektrode (30) einnimmt als der erste Bereich (28) innerhalb der zweiten Elektrode (30).

4. Ladungsgekoppelte Einrichtung, gekennzeichnet durch:

- ein Halbleitersubstrat (20) vom ersten Leitungstyp;
- einen Ladungskopplungsbereich (21) vom zweiten Leitungstyp auf dem Halbleitersubstrat (20) vom ersten Leitungstyp;
- eine Mehrzahl von im Abstand voneinander angeordneten ersten Elektroden (25) auf einem Isolationsfilm (22) oberhalb des Ladungs kopplungsbereichs (21) vom zweiten Leitungstyp, wobei jede der ersten Elektroden (25) einen ersten Bereich (23) und einen zweiten Bereich (24) mit niedrigerem Widerstand als der erste Bereich (23) aufweist;
- eine Mehrzahl von im Abstand voneinander angeordneten zweiten Elektroden (30) auf dem Isolationsfilm (22) oberhalb des Ladungskop plungsbereichs (21) vom zweiten Leitungstyp, wobei jede der zweiten Elek troden (30) einen ersten Bereich (28) und einen zweiten Bereich (29) mit niedrigerem Widerstand als der erste Bereich (28) aufweist, und wobei fer ner jede der zweiten Elektroden (30) zwischen zwei ersten Elektroden (25) liegt; und
- einen Verunreinigungsbereich (27) in der Nähe der Oberfläche des Ladungskopplungsbereichs (21) vom zweiten Leitungstyp sowie unterhalb einer jeden der zweiten Elektroden (30).

5. Ladungskopplungseinrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekenn zeichnet, daß der erste Bereich (23) der ersten Elektrode (25) benachbart zum ersten Bereich (28) der zweiten Elektrode (30) liegt, wobei sich zwischen diesen beiden Bereichen (23, 28) ein Isolationsfilm (26) befindet, und daß der zweite Bereich (24) der ersten Elektrode (25) benachbart zum zweiten Bereich (29) der zweiten Elektrode (30) liegt, wobei auch zwischen diesen Bereichen (24, 29) der Isolationsfilm (26) vorhanden ist.

6. Ladungsgekoppelte Einrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekenn zeichnet, daß der erste Bereich (23) der ersten Elektrode (25) einen größe ren Teil der ersten Elektrode (25) einnimmt als der zweite Bereich (24) der ersten Elektrode (25).

7. Ladungsgekoppelte Einrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekenn zeichnet, daß der zweite Bereich (29) der zweiten Elektrode (30) einen größeren Teil der zweiten Elektrode (30) einnimmt als der zweite Bereich (28) der zweiten Elektrode (30.

8. Ladungsgekoppelte Einrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekenn zeichnet, daß der erste Bereich (23) der ersten Elektrode (25) und der erste Bereich (28) der zweiten Elektrode (30) Polysilicium enthalten oder aus solchem bestehen.

9. Ladungsgekoppelte Einrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekenn zeichnet, daß der zweite Bereich (24) der ersten Elektrode (25) und der zweite Bereich (29) der zweiten Elektrode (30) Polysilicium enthalten, daß mit Verunreinigungen hoher Dichte dotiert ist.

10. Ladungsgekoppelte Einrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekenn zeichnet, daß die zweite Elektrode (30) auf dem Ladungskopplungs bereich (21) zwischen ersten Elektroden (25) gebildet ist und sich über die Kantenbereiche der ersten Elektrode (25) erstreckt.

11. Ladungsgekoppelte Einrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekenn zeichnet, daß die erste Elektrode (25) dieselbe Höhe aufweist wie die zweite Elektrode (30).

12. Ladungsgekoppelte Einrichtung nach Anspruch 4, gekennzeichnet durch Leitungsverbindungen zum Anlegen von Taktpulsen sowohl an den zweiten Bereich (24) der ersten Elektrode (25) als auch an den zweiten Bereich (29) der zweiten Elektrode (30).

13. Verfahren zur Herstellung einer ladungsgekoppelten Einrichtung, gekennzeichnet durch folgende Schritte:

- Bildung eines Ladungskopplungsbereichs (21) vom zweiten Leitungstyp auf einem Halbleitersubstrat (20) vom ersten Leitungstyp;
- Bildung eines ersten Isolationsfilms (22) auf dem Ladungskop plungsbereich (21) vom zweiten Leitungstyp;
- Bildung einer ersten leitenden Schicht auf dem ersten Isolations film (22);
- Bildung einer Mehrzahl von im Abstand zueinander liegenden ersten Bereichen (24) mit niedrigem Widerstand in vorbestimmten Teilen der ersten leitenden Schicht, wobei die ersten Bereiche (24) mit niedrigem Widerstand einen niedrigeren Widerstand als die erste leitende Schicht aufweisen;
- Strukturieren der ersten leitenden Schicht, die die ersten Bereiche (24) mit niedrigem Widerstand enthält, um eine Mehrzahl von ersten Elektroden (25) zu bilden, die jeweils an einer Seite einen der Bereiche (24) mit niedrigem Widerstand aufweisen;
- Abdecken der resultierenden Struktur mit einem zweiten Isola tionsfilm (26);
- Bildung eines Verunreinigungsbereichs (27) in der Nähe der Ober fläche jedes Ladungskopplungsbereichs zwischen den ersten Elektroden (25);
- Bildung einer zweiten leitenden Schicht auf dem zweiten Isolations film (26);
- Bildung einer Mehrzahl von im Abstand zueinander liegenden zwei ten Bereichen (29) mit niedrigem Widerstand in der zweiten leitenden Schicht, wobei jeder dieser zweiten Bereiche einen niedrigeren Widerstand als die zweite leitende Schicht aufweist und benachbart zum ersten Bereich (24) mit niedrigem Widerstand der ersten Elektrode (25) liegt; und
- Strukturieren der zweiten leitenden Schicht, die die zweiten Be reiche (29) mit niedrigem Widerstand enthält, wobei die zweiten Bereiche (29) mit niedrigem Widerstand an der Seite der ersten Bereiche (24) mit niedrigem Widerstand zu liegen kommen, und wobei ferner eine Mehrzahl von zweiten Elektroden (30) erhalten wird, von denen eine jede zwischen zwei ersten Elektroden (25) liegt und einen der zweiten Bereiche (29) mit niedrigem Widerstand aufweist.

14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die erste leitende Schicht und die zweite leitende Schicht beide durch Nieder schlagen bzw. Aufbringen von Polysilicium hergestellt werden.

15. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt zur Bildung der Mehrzahl der ersten Bereiche (24) mit niedrigem Widerstand in der ersten leitenden Schicht durch selektives Implantieren von Verunreinigungsionen mit hoher Dichte in die erste leitende Schicht hinein erfolgt.

16. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Elektrode durch Strukturierung der ersten leitenden Schicht so aus gebildet wird, daß in ihr die erste leitende Schicht einen größeren Teil ein nimmt, als der erste Bereich (24) mit niedrigem Widerstand.

17. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt zur Bildung einer Mehrzahl von zweiten Bereichen (29) mit niedri gem Widerstand in der zweiten leitenden Schicht dadurch ausgeführt wird, daß in die zweite leitende Schicht selektiv Verunreinigungsionen mit hoher Dichte implantiert werden.

18. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß jeder der zweiten Bereiche (29) mit niedrigem Widerstand in der Nachbarschaft eines ersten Bereichs (24) mit niedrigem Widerstand liegt und nicht die Grenzfläche zwischen dem Bereich mit niedrigem Widerstand und der ersten leitenden Schicht überschreitet.

19. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß eine Mehrzahl von zweiten Elektroden (30) durch Strukturierung der zweiten leitenden Schicht erhalten wird, wobei die zweiten Bereiche (29) mit nie drigem Widerstand in der zweiten leitenden Schicht den größeren Teil des zweiten leitenden Bereichs bzw. der zweiten Elektrode (30) einnehmen.

20. Verfahren nach Anspruch 13, gekennzeichnet durch einen Schritt zur Verbindung des ersten Bereichs (24) mit niedrigem Widerstand der ersten Elektroden (25) und des zweiten Bereichs (29) mit niedrigem Wider stand der zweiten Elektroden (30) mit Leitungsanschlüssen bzw. -dräh ten, über die Taktpulse zu den Bereichen (24, 29) mit niedrigem Wider stand geführt werden.

21. Verfahren zur Herstellung einer ladungsgekoppelten Einrichtung, gekennzeichnet durch folgende Schritte:

- Bildung eines Ladungskopplungsbereichs (21) vom zweiten Leitungstyp auf einem Halbleitersubstrat (20) vom ersten Leitungstyp;
- Abdecken des Ladungskopplungsbereichs (21) vom zweiten Leitungstyp mit einem ersten Isolationsfilm (22);
- Bildung einer ersten leitenden Schicht (23) auf dem ersten Isola tionsfilm (22);
- Strukturierung der ersten leitenden Schicht (23) zur Bildung einer Mehrzahl von im Abstand zueinander liegenden ersten Elektroden mustern (25);
- Bedecken der resultierenden Struktur mit einem zweiten Isola tionsfilm (26);
- Bildung eines Verunreinigungsbereichs (27) in der Nähe der Ober fläche eines jeden Ladungskopplungsbereichs zwischen ersten Elektrodenmustern (25);
- Bildung einer Mehrzahl von im Abstand zueinander liegenden zwei ten Elektrodenmustern (30) auf dem Ladungskopplungsbereich (21), wobei jedes zweite Elektrodenmuster (30) so hoch wie die ersten Elektrodenmu ster (25) ist und zwischen zwei ersten Elektrodenmustern (25) liegt;
- Abdecken der resultierenden Struktur mit einem dritten Isolations film (31); und
- es werden in Teilbereichen des ersten Elektrodenmusters (25) und des zweiten Elektrodenmusters (30) jeweils Bereiche (24, 29) mit niedrigem Widerstand gebildet, um gleichzeitig eine erste Elektrode (25) und eine zweite Elektrode (30) zu erhalten, wobei gleiche Bereiche (24, 29) bzw. (23, 38) von erstem Elektrodenmuster (25) und zweitem Elektrodenmuster (30) benachbart zueinander liegen.

22. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung der Mehrzahl der zweiten Elektrodenmuster (30) eine zweite leitende Schicht (28) auf den zweiten Isolationsfilm (26) aufgebracht wird, daß danach eine Planarisationsschicht (32) auf die zweite leitende Schicht (28) aufgebracht wird, und daß dann die Planarisationsschicht (32) zurückgeätzt wird, um die zweite leitende Schicht (28) freizulegen, wonach die freigelegte zweite leitende Schicht (28) zurückgeätzt wird.

23. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß im Schritt zur Bildung eines Bereichs mit den niedrigem Widerstand Verun reinigungsionen selektiv in vorbestimmte Bereiche implantiert werden, von denen sich ein jeder von einem Teil des ersten Elektrodenmusters (25) zu einem Teil des zweiten Elektrodenmusters (30) benachbart zu diesem ersten Muster erstreckt.

24. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß die er ste Elektrode (25) durch einen Strukturierungsprozeß so hergestellt wird, daß der erste leitende Bereich (23) einen größeren Teil in der ersten Elektrode (25) einnimmt als der Bereich (24) mit niedrigem Widerstand.

25. Verfahren nach Anspruch 21, gekennzeichnet durch einen Schritt zur Verbindung der Bereiche (24, 29) mit niedrigem Widerstand der ersten Elektrode (25) und der zweiten Elektrode (30) mit Verbindungsleitungen bzw. -drähten, über die Taktpulse zu den Bereichen (24, 29) mit niedrigem Widerstand geführt werden.