DE4324325A1 - Verfahren zur Herstellung eines Bauelementes und optisches Bauelement - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines Bauelementes und optisches BauelementInfo
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Description
- a) ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelementes, insbesondere eines optischen Bauelementes, nach dem Oberbegriff von Anspruch 1;
- b) ein optisches Bauelement nach dem Oberbegriff von Anspruch 20,
- c) ein optisches Abbildungssystem nach dem Oberbe griff von Anspruch 27,
- d) eine Vakuumbehandlungsanlage zur Herstellung ei nes derartigen Bauelementes nach dem Oberbegriff von Anspruch 29,
- e) ein Verfahren zur Verfolgung des Schichtabtrages bzw. Schichtauftrages nach dem Oberbegriff von Anspruch 40,
- f) eine Anlage hierfür nach dem Oberbegriff von An spruch 41,
- g) ein Verfahren zur Feststellung des Erreichens ei ner Oberfläche beim reaktiven Ätzen nach dem Oberbegriff von Anspruch 42,
- h) ein optisches Bauelement nach dem Oberbegriff von Anspruch 45,
- i) ein Ätzprozeß-Steuerverfahren nach dem Oberbe griff von Anspruch 44 sowie
- k) eine Verwendung einer Y2O3-Schicht als Ätzstopp-Schicht nach Anspruch 49.
EP A 0 463 319 (IBM)
EP A 0 265 658 (IBM)
WO A 9 101 514 (RAYCHEM)
EP A 0 026 337 (IBM)
EP A 0 049 799 (DAI NIPPON INSATSU)
THIN SOLID FILMS. Bd. 203, Nr. 2, 30. August 1991, Lausanne CH, Seiten 227-250
LEHAN ET AL "Optical and microstructural properties of hafnium dioxide thin films", siehe Tabelle VI.
- - Me ein Metall mindestens der Masse 44 ist,
- - x so gewählt wird, daß der Absorptionskoeffi zient des Schichtmaterials bei Licht von λ = 308 nm zu k308 0,01,bevorzugterweise gar zuk308 0,003wird.
- - L: Schicht niedrigbrechenden Materials,
- - H: Schicht hochbrechenden Materials,
- - optische Dicke = (Brechungsindex) * (physikali sche Dicke x),
- - x: physikalische Dicke.
Beispiel 3 | |
Einzelschicht Ta₂O₅ | |
Ätzparameter: | |
Reaktivgas: | |
CHClF₂ | |
Gasfluß: | 50 sccm |
Gasdruck: | p=1,2×10-2 mbar |
Rf-Leistung: | 500 W (13,56 MHz) |
DC-Bias: | 0 V |
Elektrodenabstand: | d=5 cm |
Ätzrate: | 0,95 nm/sec |
Beispiel 4 | |
Einzelschicht HfO₂ | |
Ätzparameter: | |
Reaktivgas: | |
CHClF₂ | |
Gasfluß: | 50 sccm |
Gasdruck: | 1,1×10-2 mbar |
Rf-Leistung: | 300 W (13,56 MHz) |
DC-Bias: | 0 V |
Elektrodenabstand: | d=5 cm |
Ätzrate: | 0,39 nm/sec |
Beispiel 5 | |
Einzelschicht Y₂O₃ (als Ätz-Stopp-Schicht!) | |
Ätzparameter: | |
Reaktivgas: | |
CHClF₂, He | |
Gasflüsse: | CHClF₂: 50 sccm; He: 69 sccm |
Druck: | 1,2 · 10-2 mbar |
Rf-Leistung: | 300 W (13,56 MHz) |
DC-Bias: | -80 V |
Elektrodenabstand: | d=5 cm |
Ätzrate: | 0,06 nm/sec |
Beispiel 6 | |
Einzelschicht, als niedrigbrechende in Stapel: Al₂O₃ | |
Ätzparameter: | |
Reaktivgas: | |
CHClF₂, He | |
Gasflüsse: | CHClF₂: 50 sccm; He: 69 sccm |
Druck: | 1,2 · 10-2 mbar |
Rf-Leistung: | 500 W (13,56 MHz) |
DC-Bias: | -97 V |
Elektrodenabstand: | d=5 cm |
Ätzrate: | 0,41 nm/sec |
Claims (51)
- - die dielektrische Schicht der Gattung MeOx auf
eine Unterlage aufgebracht wird, wobei
Me ein Metall ist, dessen Masse mindestens 44 be trägt,
x so gewählt wird, daß der Absorptionskoeffi zient kλ des Schichtmaterials bei Licht der Wel lenlänge λ=308 nm k308 0,01ist, - - die Schicht durch reaktives Ätzen mittels eines aktivierten Gases zur Bildung der Dickenstufung abgebaut wird.
x = 2,5,und damit die Schicht aus Ta2O5 erstellt wird.
x = 2,und damit die Schicht aus HfO2 erstellt wird.
- - Me ein Metall mindestens der Masse 44 ist,
- - x so gewählt ist, daß das Schichtmaterial für Licht der Wellenlänge λ=308 nm einen Absorp tionskoeffizienten kλ k308 0,01aufweist und die Dickenstufung durch ein reakti ves Ionenätzverfahren erstellt ist.
- - Me = Ta,
- - x = 2,5.
- - Me = Hf,
- - x = 2.
- - einen Vakuumrezipienten, darin
- - eine Substratträgerelektrode,
- - diesbezüglich eine Gegenelektrode,
- - einen Wechselspannungsgenerator an Substratträ
gerelektrode und Gegenelektrode,
wobei die Gegenelektrode eine Anordnung verteilter, im wesentlichen gegen die Werkstückträger-Elektrode gerichteter Gasauslaßöffnungen für ein Reaktivgas umfaßt.
x = 1,5und damit die Schicht Y2O3 ist.
x = 1,5.
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19504434C1 (de) * | 1995-02-10 | 1996-05-15 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung siliziumhaltiger Masken |
DE19538634A1 (de) * | 1995-10-17 | 1997-04-30 | Itt Ind Gmbh Deutsche | Verfahren zum Trennen von in einem Körper verbundenen Elementen, insbesondere elektronischen Elementen |
DE10111501A1 (de) * | 2001-03-09 | 2002-09-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE102013212957A1 (de) * | 2013-07-03 | 2014-07-17 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Verfahren zur Entladung von Photolithographiemasken und Vorrichtung hierfür |
WO2024041875A1 (de) * | 2022-08-22 | 2024-02-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Zwischenprodukt zur herstellung eines optischen elements für eine projektionsbelichtungsanlage, optisches element für eine projektionsbelichtungsanlage, verfahren zur herstellung eines zwischenprodukts und verfahren zur herstellung eines optischen elements |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19641303B4 (de) * | 1995-10-10 | 2006-11-23 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung eines optischen Elementes |
US6120942A (en) * | 1997-02-18 | 2000-09-19 | Micron Technology, Inc. | Method for making a photomask with multiple absorption levels |
JPH11237503A (ja) * | 1997-12-03 | 1999-08-31 | Canon Inc | 回折光学素子及びそれを有する光学系 |
US6680900B1 (en) * | 1999-06-04 | 2004-01-20 | Ricoh Company, Ltd. | Optical-pickup slider, manufacturing method thereof, probe and manufacturing method thereof, and probe array and manufacturing method thereof |
JP3610863B2 (ja) * | 2000-02-10 | 2005-01-19 | 株式会社村田製作所 | 誘電体線路の製造方法および誘電体線路 |
US6716362B1 (en) * | 2000-10-24 | 2004-04-06 | International Business Machines Corporation | Method for thin film laser reflectance correlation for substrate etch endpoint |
US6818493B2 (en) | 2001-07-26 | 2004-11-16 | Motorola, Inc. | Selective metal oxide removal performed in a reaction chamber in the absence of RF activation |
US6902681B2 (en) * | 2002-06-26 | 2005-06-07 | Applied Materials Inc | Method for plasma etching of high-K dielectric materials |
EP1591561A1 (de) * | 2004-04-28 | 2005-11-02 | ALSTOM (Switzerland) Ltd | Verfahren zum Aufbringen einer schützenden Beschichtung auf ein thermisch beanspruchtes Bauteil |
US20070221616A1 (en) * | 2006-03-24 | 2007-09-27 | Yi-Tyng Wu | Etching method |
JP4351229B2 (ja) * | 2006-06-28 | 2009-10-28 | ジーイー・メディカル・システムズ・グローバル・テクノロジー・カンパニー・エルエルシー | 超音波探触子の製造方法 |
US8387230B2 (en) * | 2010-08-27 | 2013-03-05 | Transducerworks, Llc | Method of making an ultrasonic transducer system |
JP2018152418A (ja) * | 2017-03-10 | 2018-09-27 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法及びエッチング用マスク |
US11587362B2 (en) | 2020-12-16 | 2023-02-21 | Lenovo (Singapore) Pte. Ltd. | Techniques for determining sign language gesture partially shown in image(s) |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3880684A (en) * | 1973-08-03 | 1975-04-29 | Mitsubishi Electric Corp | Process for preparing semiconductor |
US4141621A (en) * | 1977-08-05 | 1979-02-27 | Honeywell Inc. | Three layer waveguide for thin film lens fabrication |
US4270999A (en) * | 1979-09-28 | 1981-06-02 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for gas feed control in a dry etching process |
DE3173769D1 (en) * | 1980-10-09 | 1986-03-27 | Dainippon Printing Co Ltd | Photomask blank and photomask |
DE3040489A1 (de) * | 1980-10-28 | 1982-05-27 | Dr. Johannes Heidenhain Gmbh, 8225 Traunreut | Aufzeichnungstraeger mit einer aufzeichnung hoher informationsdichte |
US4569717A (en) * | 1983-05-24 | 1986-02-11 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Method of surface treatment |
US4534620A (en) * | 1983-07-11 | 1985-08-13 | Rca Corporation | Standardized multi-stack dielectric-layer filter blank and method for fabricating color-encoding filter therefrom |
DE3442208C3 (de) * | 1984-11-19 | 1998-06-10 | Leybold Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen harter Kohlenstoffschichten |
DE3633386A1 (de) * | 1986-10-01 | 1988-04-14 | Leybold Ag | Verfahren und vorrichtung zum behandeln von substraten im vakuum |
US4780175A (en) * | 1986-10-27 | 1988-10-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for the production of an optical phase-shifting board |
US4923772A (en) * | 1986-10-29 | 1990-05-08 | Kirch Steven J | High energy laser mask and method of making same |
US4684436A (en) * | 1986-10-29 | 1987-08-04 | International Business Machines Corp. | Method of simultaneously etching personality and select |
JPH0797216B2 (ja) * | 1986-10-29 | 1995-10-18 | インタ−ナショナル・ビジネス・マシ−ンズ・コ−ポレ−ション | マスクの製造方法 |
KR0129663B1 (ko) * | 1988-01-20 | 1998-04-06 | 고다까 토시오 | 에칭 장치 및 방법 |
GB8916133D0 (en) * | 1989-07-14 | 1989-08-31 | Raychem Ltd | Laser machining |
US5082685A (en) * | 1989-07-24 | 1992-01-21 | Tdk Corporation | Method of conducting plasma treatment |
EP0428358B1 (de) * | 1989-11-13 | 1996-05-15 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Geometrie und Gestaltungen eines Geräts zum Magnetronzerstäuben |
JP2599513B2 (ja) * | 1990-06-25 | 1997-04-09 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | アブレーション・マスク |
JP3004699B2 (ja) * | 1990-09-07 | 2000-01-31 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法 |
US5074456A (en) * | 1990-09-18 | 1991-12-24 | Lam Research Corporation | Composite electrode for plasma processes |
US5252516A (en) * | 1992-02-20 | 1993-10-12 | International Business Machines Corporation | Method for producing interlevel stud vias |
US5254202A (en) * | 1992-04-07 | 1993-10-19 | International Business Machines Corporation | Fabrication of laser ablation masks by wet etching |
-
1993
- 1993-07-19 FR FR9308825A patent/FR2694131B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1993-07-20 JP JP17915193A patent/JP3626217B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1993-07-20 GB GB9314993A patent/GB2271087B/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-07-20 DE DE4324325A patent/DE4324325B4/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-07-21 NL NL9301283A patent/NL195025C/nl not_active IP Right Cessation
-
1994
- 1994-02-14 US US08/196,766 patent/US5667700A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19504434C1 (de) * | 1995-02-10 | 1996-05-15 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung siliziumhaltiger Masken |
DE19538634A1 (de) * | 1995-10-17 | 1997-04-30 | Itt Ind Gmbh Deutsche | Verfahren zum Trennen von in einem Körper verbundenen Elementen, insbesondere elektronischen Elementen |
DE10111501A1 (de) * | 2001-03-09 | 2002-09-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
US8138511B2 (en) | 2001-03-09 | 2012-03-20 | Osram Ag | Radiation-emitting semiconductor component and method for producing the semiconductor component |
DE10111501B4 (de) * | 2001-03-09 | 2019-03-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE102013212957A1 (de) * | 2013-07-03 | 2014-07-17 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Verfahren zur Entladung von Photolithographiemasken und Vorrichtung hierfür |
WO2024041875A1 (de) * | 2022-08-22 | 2024-02-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Zwischenprodukt zur herstellung eines optischen elements für eine projektionsbelichtungsanlage, optisches element für eine projektionsbelichtungsanlage, verfahren zur herstellung eines zwischenprodukts und verfahren zur herstellung eines optischen elements |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2271087A (en) | 1994-04-06 |
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DE4324325B4 (de) | 2006-09-14 |
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