NL195025C - Werkwijze voor het vervaardigen van een bouwelement en inrichting voor het met toepassing van de werkwijze vervaardigen van een bouwelement. - Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een bouwelement en inrichting voor het met toepassing van de werkwijze vervaardigen van een bouwelement. Download PDFInfo
- Publication number
- NL195025C NL195025C NL9301283A NL9301283A NL195025C NL 195025 C NL195025 C NL 195025C NL 9301283 A NL9301283 A NL 9301283A NL 9301283 A NL9301283 A NL 9301283A NL 195025 C NL195025 C NL 195025C
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- layer
- etching
- building element
- manufacturing
- element according
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 68
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 87
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 65
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 49
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 15
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 12
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 11
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 7
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 claims description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 3
- -1 Argon ions Chemical class 0.000 claims description 2
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 128
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 5
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000012634 optical imaging Methods 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001804 chlorine Chemical class 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001637 plasma atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 1
- HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N scandium oxide Chemical compound O=[Sc]O[Sc]=O HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Description
1 195025 * Werkwijze voor het vervaardigen van een bouwelement en inrichting voor het met toepassing van de werkwijze vervaardigen van een bouwelement
De onderhavige uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het vervaardigen van een bouwelement, 5 dat een masker vormt voor het moduleren van een ultra-violette laserstraal, teneinde een laserablatieproces uit te voeren, bestaande uit een dragersubstraat alsmede een daarop aangebracht laagsysteem, waarbij het laagsysteem ten minste één diëlektrische laag van een sterk brekend materiaal omvat en een aangrenzende laag van een zwak brekend materiaal, de lagen van het laagsysteem op het dragersubstraat worden neergeslagen in een patroon met stapsgewijs variërende dikte, het materiaal van de diëlektrische laag van 10 sterk brekend materiaal van de soort MeO„ is, waarbij Me een metaal is waarvan het massagetal ten minste 44 is, en het patroon in het laagsysteem wordt gevormd met gebruik van reactief etsen.
De uitvinding heeft ook betrekking op een inrichting voor het met toepassing van de werkwijze vervaardigen van een bouwelement, dat een masker vormt voor het moduleren van een ultraviolette laserstraal voor toepassing in een laserablatieproces, waarbij de inrichting omvat een detectie-eenheid voor het verschaffen 15 van verschillende signalen voor de verschillende oppervlakken die worden blootgesteld aan het etsproces.
Een dergelijke werkwijze voor het vervaardigen van een bouwelement en een inrichting voor het met toepassing van deze werkwijze vervaardigen van een bouwelement zijn bekend uit het Amerikaanse octrooischrift US-A-4.923.772.
Uit genoemd octrooischrift is het bekend om voor de toepassing van eximeerlasers voor laserablatie-20 processen, bijvoorbeeld met een lichtgolflengte van 248 nm werkend en waarbij voor het ablatieproces energiedichtheden groter dan 100 mJ/cm2 nodig zijn, sterk reflecterende diëlektrische lagen, die bestendig zijn ten aanzien van hoge straalenergiestromen als maskerlaagsysteem toe te passen. Het masker wordt met een meerlagenstapel gevormd afwisselend met lagen van sterk brekend en gering brekend materiaal.
Als sterk brekend materiaal wordt hafniumoxide, scandiumoxide, aluminiumoxide of talliumfluoride toege-25 past. De oppervlakteafdracht aan de maskeriaagstapel zou hierbij door een ion-milling werkwijze, door glimontladingsetsen of reactief ionenetsen kunnen worden gerealiseerd, waarbij echter de glimontlading (plasma) of reactief ionenetsen langzaam en moeilijker is bij diëlektrische lagen als gevolg van het feit dat het sterk brekende materiaal ertoe neigt niet reactief te zijn. Daarom worden de voorgestelde sterk brekende lagen door ion-milling of door lift-off techniek gestructureerd.
30 De onderhavige uitvinding heeft tot doel een werkwijze voor het vervaardigen van een bouwelement van de in de aanhef genoemde soort te verschaffen, die gunstig is qua kosten doordat een hoge etssnelheid en hoge selectiviteit ten opzichte van een maskeringsmateriaal, zoals b.v. fotolak en/of chroom, wordt verkregen en hierdoor dunne laklagen, kenmerkend van 500 nm, kunnen worden toegepast ook voor hoge af te dragen diktes van de diëlektrische laag. Hierbij moet verder de thermische belasting van het 35 maskeringsmateriaal, in het bijzonder van de fotolak en/of chroom, gering blijven. Verder moet een goede trapprofielcontrole mogelijk zijn in die zin dat in wezen verticale trapwanden verkrijgbaar moeten zijn.
Daartoe heeft een werkwijze voor het vervaardigen van een bouwelement van de in de aanhef genoemde soort volgens de uitvinding het kenmerk dat de parameter x van het materiaal van de sterk brekende diëlektrische laag zodanig wordt gekozen dat de absorptiecoëfficiënt k^ van het laagmateriaal 40 voor licht met een golflengte λ = 308 nm voldoet aan k^ < 0,01 en doordat het patroon binnen het laagsysteem wordt gevormd door het afzonderlijk selectief etsen van de lagen van sterk en zwak brekend materiaal, waarbij mogelijk een etsstoplaag in het laagsysteem wordt gebruikt met een verschillende materiaalsamenstelling.
Tegengesteld aan de uiteenzettingen uit het US-A-4.923.772 werd gevonden dat de benutte diëlektrische 45 lagen uitstekend voor reactief etsen geschikt zijn en bovendien materialen zijn die ook in het UV-bereik sterk brekend zijn. Doordat dergelijke diëlektrische lagen reactief geëtst kunnen worden, wordt voor deze materialen een profileringswerkwijze met hoge selectiviteit en etssnelheid gerealiseerd en worden de voordelen van het reactieve etsen in het bijzonder bij het reactief ionenetsen, de hoge beheersbaarheid van de traphoekvorming gerealiseerd.
50 Uit het US-A-4.440.841 is het wel bekend om Ta203 reactief te etsen, waarbij echter ondanks de keuze van tantaal als Me de keuze van x niet de voor de toepasbaarheid voor UV-licht in het golflengtebereik ê < 308 nm noodzakelijk kleine absorptie wordt verkregen, namelijk k308 < 0,01 of zelfs k^ < 0,003. Het moet verder op deze plek duidelijk zijn dat ofschoon de MeO-lagen, die worden toegepast, met hun gedrag in het UV-bereik worden gespecificeerd, dit niet wil zeggen dat zij alleen in het UV-bereik inzetbaar moeten zijn, 55 b.v. op grond van hun chemische resistentie moeten de beschreven en beoogde lagen resp. laagstapel ook in andere spectrale bereiken, in het bijzonder in het zichtbare, worden toegepast.
195025 2
Een inrichting voor het met toepassing van de werkwijze vervaardigen van een bouwelement van de in ' de aanhef beschreven soort heeft volgens de uitvinding het kenmerk dat de inrichting is voorzien van verdeelde uitlaatopeningen, bij voorkeur gevormd door doorstroomelementen, verbonden met een voorraad-container met een Cl2 bevattend gas en verdere voorraadcontainers, die andere gassen bevatten, waarbij 5 de verbinding met de voorraadcontainers instelbaar is in reactie op de door de detectie-eenheid gedetecteerde signalen.
Opgemerkt wordt dat uit de Europese octrooiaanvrage EP-A-0.026.337 een inrichting bekend is voor het etsen van een werkstuk, waarbij een reactief gasmengsel wordt toegevoerd vanuit gekoelde toevoerkanalen die zijn opgesteld tegenover het te etsen oppervlak van het werkstuk.
10
De uitvinding wordt toegelicht met verwijzing naar de tekeningen. Hierin toont: figuur 1 schematisch een te bewerken bouwelement met een laagsysteem met etsmasker en etsstoplaag aan het substraat; figuur 2 een laagsysteem, analoog aan dat van figuur 1, met ingebedde etsstoplaag, bijvoorbeeld om het 15 laagsysteem tot op verschillende diepten gestaffeld te etsen; figuur 3 schematisch een optisch bouwelement dat in de diepte gestaffeld is geëtst met resterende nog te verwijderen etsmaskerdelen; figuur 4 schematisch een optisch afbeeldingssysteem waarin een met de werkwijze vervaardigd bouwelement wordt toegepast; 20 figuur 5 schematisch een voltooid bouwelement met een laagsysteem, waarbij één van de MeOx-lagen zelf als etsstoplaag wordt toegepast; figuur 6 schematisch een vacuümbehandelingsinrichting voor het met toepassing van de werkwijze vervaardigen van een bouwelement; figuur 7a een aan de inrichting volgens figuur 6 bij voorkeur toegepast etsdiepte- resp. laagdikte- 25 detectiesysteem; en figuur 7b het systeem volgens figuur 7a waarbij uitgezonden lichtstraal en gereflecteerde lichtstraal in de werkstukdragerelektrode door hetzelfde lichtgeleidingskanaal worden gevoerd.
In figuur 1 is op een substraat 1 een laagsysteem 3 voorgesteld. Het laagsysteem 3 omvat ten minste een 30 sterk brekende diëlektrische laag 3H, maar is voor de meeste toepassingsgevallen als laagstapel opgebouwd met ten minste ook een gering brekende laag 3L. De minimale configuratie is substraat 1 en een sterk brekende laag 3H.
De sterk brekende laag 3H is uit een diëlektrische verbinding MeOx opgebouwd, waarbij - Me een metaal ten minste van de massa 44 is, 35 - x zodanig wordt gekozen dat de absorptiecoëfficiënt van het laagmateriaal bij licht van λ = 308 nm gelijk aan k308 < 0,01, en bij voorkeur zelfs gelijk aan k^ < 0,003 wordt.
Hierdoor kan de laag 3H ook voor UV-licht worden toegepast, waarbij de kleine absorptiecoëfficiënt waarborgt dat ook bij UV-golflengten < 308 nm hoge vermogens kunnen worden getransmitteerd zonder dat de vernietigingsdrempel van het diëlektrische materiaal wordt bereikt.
40 Als gering brekende laag 3L wordt bij voorkeur een Si02-laag toegepast.
Bij 7 is een op bekende soort en manier gevormd etsmasker voorgesteld, op de gewenste laag 3H of 3L liggend, dat bijvoorbeeld een fotolaklaag 7a en/of een metaallaag 7b van Cr, Al of ook van Fe203 kan omvatten. Het masker 7 wordt op bekende soort en manier, zoals ontwikkelen van de fotolak, etsen van de metaallaag, of dergelijke, gevormd.
45 Bij 11 is verder gestreept een etsstoplaag ingetekend, in het bijzonder van Y203, die bij het nog te beschrijven etsen van de vrijgemaakte gebieden 3a moet verhinderen dat het substraat 1 aangeëtst wordt.
Dit op grond van de selectieve werking van het reactieve etsen, waarbij aan de structuur volgens figuur 1 alleen de het laagsysteem 3 vormende laagmaterialen worden geëtst. Een etsstoplaag analoog aan de laag 11 kan overal daar in het laagsysteem worden ingebouwd waar het etsproces af- of onderbroken moet 50 worden.
Op sterk verkieslijke manier wordt als sterk brekend laagmateriaal de laag 3H TaOs of HfOz toegepast.
Deze laagmaterialen zijn uitstekend geschikt voor de vermelde toepassing in het UV-lichtbereik, maar kunnen vanzelfsprekend ook bij licht van grotere golflengte worden toegepast.
3 195025 * Wanneer de diëlektrische laagstapel 3 niet tot aan het substraat 1 door het reactieve etsproces moet worden afgedragen, dan wordt, zoals in figuur 2 is aangegeven, tussen een bovengedeelte van het laagsysteem 30 en een ondergedeelte 3u een etsstoplaag 11, in het bijzonder van Y203, opgenomen. Dienovereenkomstig worden dan, wanneer de diëlektrische laagstapel tot op verschillende niveaus moet 5 worden afgedragen of weggenomen, meerdere etsstoplagen 11 ingelegd en, 2oals bekend, na het bereiken van de eerste etsstoplaag door opnieuw opbrengen van een etsmasker, zoals van fotolak en de ontwikkeling daarvan, aan de etsstoplaag van de nieuw opgedragen maskerlaag vrijgelaten gebieden gevormd, zij het door overeenkomstig etsen of met behulp van een natte techniek, waarna dan de daaronder gelegen diëlektrische laagstapel 3 verder wordt geëtst tot eventueel tot het bereiken van een verdere etsstoplaag, 10 enz.
Eventueel kan de in figuur 1 resp. 2 ingetekende metaallaag 7b weggelaten worden en kan de maskering alleen met behulp van de fotolaklaag 7a teweeg gebracht worden, Verder kan ook na het ontwikkelen van de laklaag 7a, het wegetsen van de metaallaag 7b, bijvoorbeeld van Cr, de resterende laklaag worden verwijderd en alleen de resterende metaallaag als etsmasker worden toegepast.
15 In-flguur 3-iS-bijvoorbeeld een optisch bouwelement aangegeven, waaraan het diëlektrische laagsysteem 3 op twee niveaus werd afgedragen of weggenomen, waarbij de fotolak 71 tot 73 alsmede de etsstoplagen 11, en 112 als laatste nog moeten worden verwijderd. Een optisch bouwelement omvat in zijn minimale structuur een drager 1 alsmede een laag 3H en een aangrenzende laag 3L volgens figuur 1 en kan met verdere lagen willekeurig en op bekende soort en manier verder zijn gevormd.
20 Als gevolg van de geringe absorptie van het toegepaste sterk brekende materiaal, in het bijzonder van Ta2Os of Hf02, worden optische bouwelementen realiseerbaar met zeer nauwkeurige structureringsranden, die uitstekend geschikt zijn om samen met UV-lasers, eximeerlasers van hoge energie te worden toegepast, zoals bijvoorbeeld voor de laserablatietechniek bij materiaalbewerking, in het bijzonder bij halfgeleiderpro-ductie. Hierbij worden vermogensdichtheden toepasbaar boven 100 mJ/cm2, bij voorkeur boven 200 mJ/cm2 25 of zelfs boven 300 mJ/cm2.
Een optisch afbeeldingssysteem is in figuur 4 schematisch aangegeven en omvat een eximeertaser 15, in de stralengang waarvan een met de werkwijze vervaardigd optisch bouwelement 17 als masker is toegepast zodanig dat een door laserablatie te structureren werkstuk 19 op grond van de maskerbedongen, lokaal verschillende laserenergietransmissie, zoals schematisch aangegeven, wordt gestructureerd.
30 In figuur 5 is een laagsysteem aangegeven met een etsmasker 7, daaronder een laag 3L van gering brekend materiaal en een verdere laag 3H van sterk brekend materiaal. De laatstvermelde laag bestaat uit het gespecificeerde materiaal MeOx. De laag van gering brekend materiaal op zijn beurt bestaat bij voorkeur uit Si02. Aan het schematisch voorgestelde etsprofiel (a) is het etsen van de laag 3L overeenkomstig het masker 7 aangegeven. Dit reactieve etsen gebeurt met een reactief gas G dat zoals dat zich tegenwoordig 35 aftekent, bij voorkeur ten minste in wezen geen chloor bevat maar verkieslijkerwijs fluor. Met behulp van het ene reactieve gas kan de laag 3H niet of slechts in geringe mate worden geëtst waardoor deze laag ais etsstoplaag voor het etsproces voor de laag 3L werkt.
In het geval van een reactief etsproces wordt ondanks het bereiken van het oppervlak van de laag 3H met het bij voorkeur fluorhoudende reactieve gas verder geëtst tot de laag 3L overeenkomstig het masker 7 40 volledig van het oppervlak van de laag 3H is weggeëtst. Nu kan het bewerkingsproces zijn afgesloten wanneer namelijk niet beoogd wordt de laag 3H eveneens te etsen of het reactieve gas wordt veranderd doordat nu een ander bij voorkeur chloorhoudend gas wordt toegepast zoals met G (Cl) schematisch aangeduid. Mogelijkerwijs kunnen ook de procesparameters worden veranderd.
In figuur 6 is schematisch een vacuümbehandelingsinrichting aangegeven welke ingericht is voor het 45 uitvoeren van het binnen het kader van de werkwijze uit te voeren etsproces. Zoals vermeld is kan de structurering binnen het kader volgens de werkwijze in principe met verschillende reactieve etsprocessen worden uitgevoerd. Bij voorkeur wordt echter reactief ionenetsen met behulp van een glimontlading toegepast. Hiertoe heeft de inrichting volgens figuur 6 in een vacuümkamer 20 een via een leidingsysteem 22 watergekoelde werkstukdragerelektrode 24. De werkstukdragerelektrode 24 voor het werkstuk 25 is met 50 betrekking tot de wand van de kamer 20, zoals schematisch bij 26 aangegeven, elektrisch geïsoleerd gemonteerd. Centraal onder de werkstukdragerelektrode 24 is het met een turbomoleculaire pomp 28 verbonden zuigsteunstuk 30 aangebracht, waarvan de pompdwarsdoorsnede met behulp van een irisdiafragma 32 via een versteleenheid 34 hiervoor kan worden versteld.
195025 4
Tegenover de werkstukdragerelektrode 24 is een via een leidingsysteem 36 bij voorkeur watergekoelde tegenelektrode 37 voorzien. Aan zijn tegenover het werkstuk 26 gelegen vlak zijn op regelmatig verdeelde wijze gasuitlaatopeningen 40 voorzien die met een gasverdeelsysteem 38 en een gastoevoerleiding 42 communiceren. De laatste is via doorstroomregelorganen 24 verbonden met één of meerdere gasvoorraad-5 houders 46. Met behulp van de instelelementen 44 wordt de betreffende doorstroomhoeveelheid resp. de reactieve gassamenstelling ingesteld resp. geregeld. Om redenen van netheid is het volstrekt mogelijk de inrichtingconfiguratie op verticale wijze of met de werkstukdragerelektrode bovenliggend uit te voeren.
Zoals boven vermeid wordt of worden de sterk brekende lagen van de laagstapel volgens de figuren 1 tot 3 bij voorkeur met een chloorhoudend gas als reactief gas geëtst. Daarmede omvatten de voorraadhouders 10 46, zoals met behulp van de voorraadhouder 46a aangegeven, een chloorhoudend gas, bij voorkeur CHCIFZ, eventueel aanvullend He resp. CHF3 resp. H2. Deze voorraadhouder 46a kan verder een combinatie van de gassen Cl2, H2, F2 of CF4 omvatten welk combinatiegas ook uit meerdere gasvoorraad-houders gemengd aan de behandelingskamer kan worden toegevoerd. De gering brekende lagen, in het bijzonder van Si02, aan de laagstapel volgens de figuren 1 tot 3 zijn ook met behulp van een reactief gas 15 etsbaar, dat in wezen geen chloor bevat maar bijvoorbeeld en bij voorkeur fluorhoudend is.
Bijgevolg wordt met een tweede gasvoorraadhouder 46b volgens figuur 6 bij voorkeur het laatstvermelde, niet chloorhoudende maar fluorhoudende gas beschikbaar gesteld. Hiermede kan, zoals nog zal worden toegelicht, en volgens figuur 5 telkens een laag van gering brekend materiaal met het fluorhoudende gas uit de voorraadhouder 46b worden geëtst, en na het afetsen daarvan tot op de direct ondergelegen sterk 20 brekende laag de laatste dan door toevoer van een ander, bij voorkeur een chloorhoudend gas, in de procesruimte P worden geëtst.
In het aangegeven voorbeeld wordt de werkstukdragerelektrode 24 vanuit een hoogfrequente generator 48 via een ontkoppelnetwerk 50 gevoed, betrokken op massa, waarop bijvoorbeeld ook de recipiënt 20 is geschakeld. Voor de voorspanningsaansluiting van de werkstukdragerelektrode kan het hoogfrequente 25 signaal door een gelijkspanningsbron 52 opnieuw via een ontkoppelnetwerk 54, aanvullend met een instelbare DE-waarde worden gevoed.
Vanzelfsprekend kan de elektrische schakeling op bekende soort en manier ook op andere wijze worden uitgevoerd doordat het wisselsignaal tussen werkstukdragerelektrode 24 en elektrode 37 wordt geschakeld en de recipiënt 20 onafhankelijk zwevend van de elektrodepotentialen of aan een referentiepotentiaal wordt 30 aangesloten. Onafhankelijk hiervan kan de werkstukdragerelektrode verder aan een gelijkstroomvoor-spanning zijn gelegd.
Zoals toegelicht is, is het bij het toegepaste reactieve etsproces van belang te detecteren wanneer de afdracht van de op het substraat 1 volgens de figuren 1 tot 3 aangebrachte laagstapel een vooraf bepaalde mate heeft bereikt. Hiertoe is, zoals in figuur 6 schematisch is aangegeven, een detectie-eenheid 56 35 voorzien die op een van de nog te beschrijven manieren het bereiken van een vooraf bepaalde afdracht-diepte detecteert en via een waardeereenheid 58 sturend op het etsproces ingrijpt, zij het zoals aangegeven via de hoogfrequent generator en/of via de doorstroomelementen 44 voor het reactieve gas resp. de reactieve gassen.
In het bijzonder is het hiermede mogelijk om na het etsen van de gering brekende lagen het ene gas, bij 40 voorkeur met niet chloor maar bij voorkeur fluorhoudende gas uit de voorraadhouder 46b mee het reactieve gas te veranderen, bij voorkeur door toevoer van ten minste een chlooraandeel resp. het vermelde chloorhoudende gas en zoals met figuur 5 is toegelicht de sterk brekende laag van MeOx te etsen. In het algemeen geven de huidige resultaten aanleiding te vermoeden dat met enige waarschijnlijkheid de vermelde selectiviteit door een geschikte keuze van het CI^F-gehalte alsmede eventueel verdere gas-45 gedeelten wordt bereikt.
Wanneer zoals aan de hand van de figuren 1 tot 3 is beschreven etsstoplagen 11 in de reactieve ionengeëtste laagstapel worden voorzien, dan detecteert de detectie-eenheid 56 bijvoorbeeld een hierbij veranderende processtraling. In dit verband werd gevonden dat, wanneer als substraatmateriaal een glas met aardalkaliionen wordt toegepast, dat - wanneer het etsproces het substraat bereikt - licht met een 50 hiervoor significant spectraal gedeelte wordt opgewekt namelijk oranje licht, zodat bij toepassing van een dergelijk substraat de laatste gelijktijdig als etsstoplaag, waarvan het bereiken gemakkelijk kan worden gedetecteerd, kan worden toegepast.
In het algemeen kunnen nu verder in het laagsysteem laagoppervlakken worden voorzien die met aardalkaliionen zijn gedoteerd om op de vermelde soort en manier aan de hand van het bereiken van dit 55 oppervlak door het etsproces significant veranderende glimontladingslichtspectrum te detecteren wanneer dit oppervlak is bereikt. De dotering van het vermelde oppervlak met aardalkaliionen gebeurt vanzelfsprekend in afhankelijkheid van het feit of een dergelijke dotering voor de latere toepassing van het volgens de 5 195025 ' uitvinding vervaardigde bouwelement wel of niet kan worden getolereerd. Zo kan een dotering met aardalkaliionen, zij het van het substraat zoals het substraatglas of een stapellaag, in het bijzonder een geringbrekende laag, zoals een Si02-laag, ertoe leiden dat het voltooide optische bouwelement niet meer op optimale wijze geschikt voor toepassing van UV-straling is. Omdat echter, zoals reeds vermeld werd, de 5 optische bouwelementen met de bewerkte MeOx-laag in geen geval alleen voor de UV-toepassing geschikt zijn, maar volstrekt ook in het zichtbare lichtbereik met voordeel kunnen worden toegepast, is de vermelde dotering in vele gevallen zonder bezwaar.
Er wordt aan herinnerd dan de vermelde MeOx-materialen, zoals in het bijzonder HfOz, chemisch buitengewoon stabiel zijn en bijvoorbeeld door ionenplateren vervaardigd, een uiterst laag strooilichtaandeel 10 hebben zodat de toepassing van deze lagen ook bij optische bouwelementen vaak naar voren komt die in het zichtbare lichtbereik moeten worden toegepast.
Bij de toepassing van een substraatmateriaal van glas met aardalkaliionen b.v. natriumionen, is verder gebleken dat de etssnelheid van dit substraat beduidend geringer is dan die van de toegepaste diëlektrische lagen MeOx resp. de bij voorkeur toegepaste gering brekende lagen, zoals van Si02, zodat aanvullend bij 15 toepassing van een dergelijk substraatmateriaal gewaarborgd is dat het substraatoppervlak voorafgaande aan het onderbreken van het etsproces bij detectie van het kenmerkende glimontladingslichtspectraal aandeel slechts weinig wordt aangeêtst.
Voor de bewaking van het etsproces met betrekking tot de resterende laag resp. laagstapeldikte kunnen ook andere bekende werkwijzen worden toegepast zoals bijvoorbeeld bekende reflectiemetingen van een 20 laserstraal die bijvoorbeeld door de elektrode 37 op het geëtste bouwelement wordt geleid en waarvan de reflectie wordt gewaardeerd.
Verder kunnen ook methoden, zoals plasma-emissiespectroscopie of massaspectroscopie van de weggepompte gassen voor de processturing in aanmerking worden genomen.
Een verkieslijke werkwijze voor de procesvoering is schematisch en uitgaand van de weergave van 25 figuur 6 in de figuren 7a en 7b aangegeven. Hierbij wordt, betrokken op figuur 6, door de werkstukdrager-elektrode 24 heen de straal 60 van een lichtbron, bij voorkeur een laseriichtbron 62, doorgevoerd en op het in het spectrale bereik van de lichtstraal 50 transmitterende bouwelement 64 gericht, waarvan het oppervlak aan het afdrachtproces is onderworpen of in het algemeen moet worden bewerkt, dus bijvoorbeeld ook met een laag moet worden bekleed. De door het bouwelement 64 gereflecteerde straal 66 of de door de 30 meerdere lagen gereflecteerde stralen 66 worden bijvoorbeeld via lichtgeleiders aan een waardeereenheid 68 toegevoerd. Veranderingen van de straal reflectie aan het bouwelement 64 worden als maat daarvoor gewaardeerd welke lagen tot dan door het etsproces zijn afgedragen of welke laagdikten zijn aangebracht bijvoorbeeld met behulp van een plasmaondersteund CVD-proces.
Zoals in figuur 7b is aangegeven kan deze techniek ook zodanig worden uitgevoerd dat met behulp van 35 een doorlatend spiegelelement 70 de straal loodrecht op het bouwelement 64 wordt gericht en via de spiegel 70 de gereflecteerde straal 66 aan de waardeereenheid 68 wordt toegevoerd die op de reactieve-gas stelelementen en/of de hoogfrequente generator 48 volgens figuur 6 inwerkt binnen het kader van het etsproces. Hierbij moet worden opgemerkt dat al naar het etsproces bij het bereiken van een vooraf bepaalde etsdiepte, waarbij op een veranderend laagmateriaal wordt gestoten, dit na detectie in de eenheid 40 68 ook alleen voor een verandering van het reactieve-gasmengsel kan worden benut zoals vermeld werd en tegenwoordig met enige waarschijnlijkheid zich aftekent door wisseling van chloorhoudend naar fluorhou· dend gas en omgekeerd resp. door wisseling tussen andere gassen.
Hiernavolgend worden voorbeelden van de werkwijze alsmede van de met toepassing van de werkwijze vervaardigde bouwelementen aangegeven.
45 Hierbij betekenen: - L: laag van gering brekend materiaal, - H: laag van sterk brekend materiaal, - optische dikte = (brekingsindex) * (fysische dikte x), - x: fysische dikte.
50 De diameter van de werkstukdragerelektrode 24 volgens figuur 5 bedraagt 25 cm, de afstand d tussen werkstukdragerelektrode en tegenelektrode 37 is telkens onder de etsparameters aangegeven.
195025 6
Voorbeeld 1
TagOg/SiOg spiegel met een laagstapel van gecentreerd voor 308 nm:
Reeks Materiaal Fysische dikte x 5 --— .............—-
Substraat L, Si02 106 nm H-, Ta205 30 nm
Lg Si02 91 nm 10 H2 Ta205 30 nm L Si02 53 nm 4x ' H Ta205 33 nm 15 Lg Si02 106 nm structuur ί,Η,ί^Η^Ι-Η)^ totale dikte fysisch: 707 nm 20 Etsparameter.
reactief gas: CHCIF2, He gasstroom: CHCIF2: 50 sccm
He: 50 sccm gasdruk: p = 1,8 x 10'3 mbar
25 hf-vermogen: 300 W
frequentie: 13,56 MHz elektrodenafstand: d = 5 cm etstijd tot substraat: τ = 657 s gem. etssnelheid: 1,08 nm/s
30 voorspanning: OV
opmerking: incl. etsen van het Cr-masker
Voorbeeld 2
HfCySiCX, spiegel met een laagstapel van gecentreerd voor 248 nm: 35 -
Reeks Materiaal Fysische dikte x
Substraat L, Si02 83 nm 40 H, Hf02 29 nm L Si02 42 nm 7x H HfOz 29 nm 45 lucht structuur Ι.-,Η,ίΙ.Η)7 totale dikte: fysisch 609 nm 50 Etsparameter.
reactief gas: CHCIF2 gasstroom: 50 sccm gasdruk: p = 7x10'3mbar RF-vermogen: 300 W (13,56 MHz) 33 elektrodenafstand: d = 5 cm « 7 195025 t etstijd: τ = 1098 s etssnelheid: 0,555 nm/s
voorspanning: Ο V
, met 1 pm AZ 1350 fotolakmasker 5
Voorbeeld 3 enkele laag Ta2Os
Etsparameter 10 reactief gas: CHCIF2 gasstroom: 50 sccm gasdruk: p = 1,2 x 10*2 mbar RF-vermogen: 500 W (13,56 MHz)
voorspanning: O V
15 elektrodenafstand: d = 5 cm etssnelheid: 0,95 nm/s
Voorbeeld 4 enkele laag Hf02 20
Etsparameter.
reactief gas: CHCIF2 gasstroom: 50 sccm gasdruk: p = 1,1 x 10'2 mbar 25 RF-vermogen: 300 W (13,56 MHz)
voorspanning: O V
elektrodenafstand: d = 5 cm etssnelheid: 0,39 nm/s 30 Voorbeeld 5 enkele laag Y203 (als etsstoplaag)
Etsparameter.
reactief gas: CHCIF2, He 35 gasstromen: CHCIF2: 50 sccm
He: 69 sccm gasdruk: p = 1,2 x 10'2 mbar RF-vermogen: 300 W (13,56 MHz)
voorspanning: -80 V
40 elektrodenafstand: d = 5 cm etssnelheid: 0,06 nm/s
Voorbeeld 6 enkele laag, als gering brekend in stapel: Al203 45
Etsparameter.
reactief gas: CHCIF2, He gasstromen: CHCIF2: 50 sccm
He: 69 sccm 50 gasdruk: p = 1,2 x 10'2 mbar RF-vermogen: 500 W (13,56 MHz)
voorspanning: -97 V
elektrodenafstand: d = 5 cm etssnelheid: 0,41 nm/s
Opgemerkt moet worden dat in plaats van het verkieslijke reactieve ionenetsen met behulp van glimontlading in principe ook andere reactieve etswerkwijzen, zoals bijvoorbeeld ’’chemically assisted ion beam 55
Claims (14)
1. Werkwijze voor het vervaardigen van een bouwelement, dat een masker vormt voor het moduleren van een ultraviolette laserstraal, teneinde een laserablatieproces uit te voeren, bestaande uit een drager* substraat alsmede een daarop aangebracht laagsysteem, waarbij het laagsysteem ten minste één diëlektrische laag van een sterk brekend materiaal omvat en een aangrenzende laag van een zwak brekend materiaal, de lagen van het laagsysteem op het dragersubstraat worden neergeslagen in een patroon met 15 -stapsgewijs variërende-dikte, het materiaal van de diëlektrische laag van sterk brekend materiaal van de soort MeOx is, waarbij Me een metaal is waarvan het massagetal ten minste 44 is, en het patroon in het laagsysteem wordt gevormd met gebruik van reactief etsen, met het kenmerk, dat de parameter x van het materiaal van de sterk brekende diëlektrische laag zodanig wordt gekozen dat de absorptiecoëfficiënt k^ van het laagmateriaal voor licht met een golflengte λ = 308 nm voldoet aan jc,na < 0,01 en 20 dat het patroon binnen het laagsysteem wordt gevormd door het afzonderlijk selectief etsen van de lagen van sterk en zwak brekend materiaal, waarbij mogelijk een etsstoplaag in het laagsysteem wordt gebruikt met een verschillende materiaalsamenstelling.
2. Werkwijze voor het vervaardigen van een bouwelement volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat k^ < 0,003 is.
3. Werkwijze voor het vervaardigen van een bouwelement volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk, dat de sterk brekende diëlektrische laag uit Ta205 wordt vervaardigd.
4. Werkwijze voor het vervaardigen van een bouwelement volgens één der conclusies 1 tot en met 3, met het kenmerk, dat het etsen van de diëlektrische laag wordt uitgevoerd in een reactieve gasatmosfeer met CHCIFj».
5. Werkwijze voor het vervaardigen van een bouwelement volgens conclusie 4, met het kenmerk, dat de reactieve gasatmosfeer verder He en/of CHF3 en/of H2 omvat voor het etsen van de lagen met sterk brekend materiaal.
6. Werkwijze voor het vervaardigen van een bouwelement volgens conclusie 4 of 5, met het kenmerk, dat de reactieve gasatmosfeer een combinatie van Cl2 met ten minste één van de verdere gassen H2, F2, CF4,
35 SFe omvat voor het etsen van de lagen met sterk brekend materiaal.
7. Werkwijze voor het vervaardigen van een bouwelement volgens één der conclusies 1 tot en met 6, waarbij de laag van zwak brekend materiaal in het bijzonder van Si02 is, met het kenmerk, dat de sterk brekende laag voorafgaand aan zijn afbouw met een laag van zwak brekend materiaal ten minste voor een deel wordt afgedekt en de laag van zwak brekend materiaal met een gas, bij voorkeur in wezen zonder 40 chlooraandeel, reactief wordt geëtst, bij voorkeur door een gas met fluoraandeel dat de MeOx-laag niet etst.
8. Werkwijze voor het vervaardigen van een bouwelement volgens één der conclusies 1 tot en met 7, met het kenmerk, dat de ten minste ene laag van zwak brekend materiaal selectief geëtst wordt in een reactieve gasatmosfeer zonder Cl2.
9. Werkwijze voor het vervaardigen van een bouwelement volgens één der conclusies 1 tot en met 8, met 45 het kenmerk, dat het selectief etsen wordt uitgevoerd in een plasma.
10. Werkwijze voor het vervaardigen van een bouwelement volgens één der conclusies 1 tot en met 9, met het kenmerk, dat de aangrenzende laag van zwak brekend materiaal met aardalkaliionen gedoteerd Si02 omvat.
11. Werkwijze voor het vervaardigen van een bouwelement volgens één der conclusies 1 tot en met 10, 50 met het kenmerk, dat als substraat een glas met aardalkaliionen wordt toegepast en bij voorkeur een verandering van de geëmitteerde lichtstraling wordt gedetecteerd wanneer het ondersteunde etsproces het glasoppervlak bereikt.
12. Werkwijze voor het vervaardigen van een bouwelement volgens één der conclusies 1 tot en met 11, met het kenmerk, dat ten minste een lichtstraal met een spectraal bereik, waarin het bouwelement 55 lichttransmitterend is, vanaf de niet-afgedragen zijde van het bouwelement af op de laatste wordt gericht en dat uit veranderingen van de straalreflectie de resterende laagdikte van het substraat wordt afgeleid.
13. Werkwijze voor het vervaardigen van een bouwelement volgens één der conclusies 1, 2, 4 tot en met 9 195025 * 12, met het kenmerk, dat Me = Y en x = 1,5 en dat hiermede de laag uit Y203 bestaat, waarbij de laag uit Y203 als etsstoplaag in het laagsysteem wordt gebruikt.
14. Inrichting voor het onder toepassing van een werkwijze volgens een van de conclusies 1 tot en met 13 vervaardigen van een bouwelement dat een masker vormt voor het moduleren van een ultraviolette 5 laserstraal voor toepassing in een laserablatieproces, waarbij de inrichting omvat een detectie-eenheid voor het verschaffen van verschillende signalen voor de verschillende oppervlakken die worden blootgesteld aan het etsproces, met het kenmerk, dat de inrichting is voorzien van verdeelde uitlaatopeningen, bij voorkeur gevormd door doorstroomelementen, verbonden met een voorraadcontainer met een Cl2 bevattend gas en verdere voorraadcontainers die andere gassen omvatten, waarbij de verbinding met de voorraadcontainers 10 instelbaar is in reactie op de door de detectie-eenheid gedetecteerde signalen. f ______ Hierbij 4 bladen tekening
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CH229292 | 1992-07-21 | ||
| CH229292A CH686461A5 (de) | 1992-07-21 | 1992-07-21 | Verfahren zur Herstellung eines Bauelementes, optisches Bauelement und Anlage zur Durchfuehrung des Verfahrens. |
| US97008092A | 1992-11-02 | 1992-11-02 | |
| US97008092 | 1992-11-02 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL9301283A NL9301283A (nl) | 1994-02-16 |
| NL195025C true NL195025C (nl) | 2003-06-18 |
Family
ID=25690035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL9301283A NL195025C (nl) | 1992-07-21 | 1993-07-21 | Werkwijze voor het vervaardigen van een bouwelement en inrichting voor het met toepassing van de werkwijze vervaardigen van een bouwelement. |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5667700A (nl) |
| JP (1) | JP3626217B2 (nl) |
| DE (1) | DE4324325B4 (nl) |
| FR (1) | FR2694131B1 (nl) |
| GB (1) | GB2271087B (nl) |
| NL (1) | NL195025C (nl) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19538634C2 (de) * | 1995-10-17 | 1997-09-04 | Itt Ind Gmbh Deutsche | Verfahren zum Vereinzeln von elektronischen Elementen aus einem Halbleiterwafer |
| DE19504434C1 (de) * | 1995-02-10 | 1996-05-15 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung siliziumhaltiger Masken |
| DE19641303B4 (de) * | 1995-10-10 | 2006-11-23 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung eines optischen Elementes |
| US6120942A (en) | 1997-02-18 | 2000-09-19 | Micron Technology, Inc. | Method for making a photomask with multiple absorption levels |
| JPH11237503A (ja) * | 1997-12-03 | 1999-08-31 | Canon Inc | 回折光学素子及びそれを有する光学系 |
| US6680900B1 (en) * | 1999-06-04 | 2004-01-20 | Ricoh Company, Ltd. | Optical-pickup slider, manufacturing method thereof, probe and manufacturing method thereof, and probe array and manufacturing method thereof |
| JP3610863B2 (ja) * | 2000-02-10 | 2005-01-19 | 株式会社村田製作所 | 誘電体線路の製造方法および誘電体線路 |
| US6716362B1 (en) * | 2000-10-24 | 2004-04-06 | International Business Machines Corporation | Method for thin film laser reflectance correlation for substrate etch endpoint |
| DE10111501B4 (de) | 2001-03-09 | 2019-03-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US6818493B2 (en) * | 2001-07-26 | 2004-11-16 | Motorola, Inc. | Selective metal oxide removal performed in a reaction chamber in the absence of RF activation |
| US6902681B2 (en) * | 2002-06-26 | 2005-06-07 | Applied Materials Inc | Method for plasma etching of high-K dielectric materials |
| EP1591561A1 (de) * | 2004-04-28 | 2005-11-02 | ALSTOM (Switzerland) Ltd | Verfahren zum Aufbringen einer schützenden Beschichtung auf ein thermisch beanspruchtes Bauteil |
| US20070221616A1 (en) * | 2006-03-24 | 2007-09-27 | Yi-Tyng Wu | Etching method |
| JP4351229B2 (ja) * | 2006-06-28 | 2009-10-28 | ジーイー・メディカル・システムズ・グローバル・テクノロジー・カンパニー・エルエルシー | 超音波探触子の製造方法 |
| US8387230B2 (en) * | 2010-08-27 | 2013-03-05 | Transducerworks, Llc | Method of making an ultrasonic transducer system |
| DE102013212957A1 (de) * | 2013-07-03 | 2014-07-17 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Verfahren zur Entladung von Photolithographiemasken und Vorrichtung hierfür |
| JP2018152418A (ja) * | 2017-03-10 | 2018-09-27 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法及びエッチング用マスク |
| US11587362B2 (en) | 2020-12-16 | 2023-02-21 | Lenovo (Singapore) Pte. Ltd. | Techniques for determining sign language gesture partially shown in image(s) |
| DE102022208658A1 (de) * | 2022-08-22 | 2024-02-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Zwischenprodukt zur Herstellung eines optischen Elements für eine Projektionsbelichtungsanlage, optisches Element für eine Projektionsbelichtungsanlage, Verfahren zur Herstellung eines Zwischenprodukts und Verfahren zur Herstellung eines optischen Elements |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3880684A (en) * | 1973-08-03 | 1975-04-29 | Mitsubishi Electric Corp | Process for preparing semiconductor |
| US4141621A (en) * | 1977-08-05 | 1979-02-27 | Honeywell Inc. | Three layer waveguide for thin film lens fabrication |
| US4270999A (en) * | 1979-09-28 | 1981-06-02 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for gas feed control in a dry etching process |
| DE3173769D1 (en) * | 1980-10-09 | 1986-03-27 | Dainippon Printing Co Ltd | Photomask blank and photomask |
| DE3040489A1 (de) * | 1980-10-28 | 1982-05-27 | Dr. Johannes Heidenhain Gmbh, 8225 Traunreut | Aufzeichnungstraeger mit einer aufzeichnung hoher informationsdichte |
| US4569717A (en) * | 1983-05-24 | 1986-02-11 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Method of surface treatment |
| US4534620A (en) * | 1983-07-11 | 1985-08-13 | Rca Corporation | Standardized multi-stack dielectric-layer filter blank and method for fabricating color-encoding filter therefrom |
| DE3442208C3 (de) * | 1984-11-19 | 1998-06-10 | Leybold Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen harter Kohlenstoffschichten |
| DE3633386A1 (de) * | 1986-10-01 | 1988-04-14 | Leybold Ag | Verfahren und vorrichtung zum behandeln von substraten im vakuum |
| US4780175A (en) * | 1986-10-27 | 1988-10-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for the production of an optical phase-shifting board |
| JPH0797216B2 (ja) * | 1986-10-29 | 1995-10-18 | インタ−ナショナル・ビジネス・マシ−ンズ・コ−ポレ−ション | マスクの製造方法 |
| US4923772A (en) * | 1986-10-29 | 1990-05-08 | Kirch Steven J | High energy laser mask and method of making same |
| US4684436A (en) * | 1986-10-29 | 1987-08-04 | International Business Machines Corp. | Method of simultaneously etching personality and select |
| KR0129663B1 (ko) * | 1988-01-20 | 1998-04-06 | 고다까 토시오 | 에칭 장치 및 방법 |
| GB8916133D0 (en) * | 1989-07-14 | 1989-08-31 | Raychem Ltd | Laser machining |
| US5082685A (en) * | 1989-07-24 | 1992-01-21 | Tdk Corporation | Method of conducting plasma treatment |
| DE69027004T2 (de) * | 1989-11-13 | 1996-11-14 | Optical Coating Laboratory Inc | Geometrie und Gestaltungen eines Geräts zum Magnetronzerstäuben |
| JP2599513B2 (ja) * | 1990-06-25 | 1997-04-09 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | アブレーション・マスク |
| JP3004699B2 (ja) * | 1990-09-07 | 2000-01-31 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法 |
| US5074456A (en) * | 1990-09-18 | 1991-12-24 | Lam Research Corporation | Composite electrode for plasma processes |
| US5252516A (en) * | 1992-02-20 | 1993-10-12 | International Business Machines Corporation | Method for producing interlevel stud vias |
| US5254202A (en) * | 1992-04-07 | 1993-10-19 | International Business Machines Corporation | Fabrication of laser ablation masks by wet etching |
-
1993
- 1993-07-19 FR FR9308825A patent/FR2694131B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1993-07-20 DE DE4324325A patent/DE4324325B4/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-07-20 JP JP17915193A patent/JP3626217B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1993-07-20 GB GB9314993A patent/GB2271087B/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-07-21 NL NL9301283A patent/NL195025C/nl not_active IP Right Cessation
-
1994
- 1994-02-14 US US08/196,766 patent/US5667700A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL9301283A (nl) | 1994-02-16 |
| GB9314993D0 (en) | 1993-09-01 |
| JP3626217B2 (ja) | 2005-03-02 |
| JPH06279059A (ja) | 1994-10-04 |
| US5667700A (en) | 1997-09-16 |
| GB2271087B (en) | 1997-01-08 |
| FR2694131A1 (fr) | 1994-01-28 |
| DE4324325A1 (de) | 1994-01-27 |
| GB2271087A (en) | 1994-04-06 |
| FR2694131B1 (fr) | 1996-09-27 |
| DE4324325B4 (de) | 2006-09-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL195025C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een bouwelement en inrichting voor het met toepassing van de werkwijze vervaardigen van een bouwelement. | |
| US20020104821A1 (en) | Reactive ion etching of silica structures | |
| JP2516270B2 (ja) | 材料の成長速度とエッチング速度の光学的監視 | |
| US4479848A (en) | Etching method and apparatus | |
| US5739051A (en) | Method and device for detecting the end point of plasma process | |
| JP2007079608A (ja) | 無機回折素子の製造方法 | |
| US6541388B1 (en) | Plasma etching termination detecting method | |
| JPH11162928A (ja) | ウェットエッチプロセス終止点の判定方法 | |
| JPH0834199B2 (ja) | エッチング終点検出方法及び装置 | |
| US6449038B1 (en) | Detecting a process endpoint from a change in reflectivity | |
| EP0990253A2 (en) | Liquid etch endpoint detection and process metrology | |
| US6500521B2 (en) | Stepped etalon | |
| US20040018647A1 (en) | Method for controlling the extent of notch or undercut in an etched profile using optical reflectometry | |
| US6593242B2 (en) | Process for planarization and recess etching of integrated circuits | |
| WO2006072717A1 (fr) | Dispositif et procede pour le controle de la profondeur de gravure lors de la gravure alternee par plasma de substrats semi-conducteurs. | |
| US20050117165A1 (en) | Semiconductor etching process control | |
| EP1320867A2 (en) | Reducing deposition of process residues on a surface in a chamber | |
| KR910005880B1 (ko) | 석판화 기술을 이용한 장치 및 그 제조방법 | |
| AU724044B2 (en) | Reactive ion etching of silica structures | |
| JPS60253229A (ja) | プラズマエツチング装置用光学窓 | |
| JP2006514261A (ja) | 薄膜の検査または測定方法および装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| BA | A request for search or an international-type search has been filed | ||
| BB | A search report has been drawn up | ||
| BC | A request for examination has been filed | ||
| NP1 | Not automatically granted patents | ||
| V1 | Lapsed because of non-payment of the annual fee |
Effective date: 20070201 |