JPS60253229A - プラズマエツチング装置用光学窓 - Google Patents
プラズマエツチング装置用光学窓Info
- Publication number
- JPS60253229A JPS60253229A JP10833084A JP10833084A JPS60253229A JP S60253229 A JPS60253229 A JP S60253229A JP 10833084 A JP10833084 A JP 10833084A JP 10833084 A JP10833084 A JP 10833084A JP S60253229 A JPS60253229 A JP S60253229A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- optical window
- condition
- etching
- electric power
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、窓表面に無機ハロゲン化合物ある−いは有機
ハロゲン化合物の薄膜を形成させることによって、プラ
ズマ発生源中の活性反応化学種による汚染を防止するよ
うにしたプラズマエツチング装置用光学窓に関するもの
である。
ハロゲン化合物の薄膜を形成させることによって、プラ
ズマ発生源中の活性反応化学種による汚染を防止するよ
うにしたプラズマエツチング装置用光学窓に関するもの
である。
一般にプラズマエツチング装置には、プラズマの状態を
装置外部で観測し、また、モニタリングすべく紫外領域
から可視領域に亘る光を外。
装置外部で観測し、また、モニタリングすべく紫外領域
から可視領域に亘る光を外。
部に採光するための光学窓が設けられるものとなってい
る。しかしながら、これまでの光学窓−にあっては、プ
ラズマの状態が変化しない場合であっても光学窓からの
光量が経済的に減少してしまい、これがために正確なモ
ニタリングが不可能となっているのが実状である。これ
は、プラズマ発生源中の活性反応化学種によって光学窓
が化学エツチングを受け、その表面がすりガラス状に変
化してしまうがらである。
る。しかしながら、これまでの光学窓−にあっては、プ
ラズマの状態が変化しない場合であっても光学窓からの
光量が経済的に減少してしまい、これがために正確なモ
ニタリングが不可能となっているのが実状である。これ
は、プラズマ発生源中の活性反応化学種によって光学窓
が化学エツチングを受け、その表面がすりガラス状に変
化してしまうがらである。
よって本発明の目的は、プラズマ発生源中の活性反応化
学種によっては化学エツチングを受けないプラズマエツ
チング装置用光学窓を供するにある。
学種によっては化学エツチングを受けないプラズマエツ
チング装置用光学窓を供するにある。
この目的のため本発明は、光学窓表面に無機あるいは有
機のハロゲン化合物の薄膜を形成させるようにしたもの
である。プラズマ観測用の光学窓としては通常紫外領域
から可視領域の光が通過可とされた石英あるいは５Ｌｏ
２ガラスが用。
機のハロゲン化合物の薄膜を形成させるようにしたもの
である。プラズマ観測用の光学窓としては通常紫外領域
から可視領域の光が通過可とされた石英あるいは５Ｌｏ
２ガラスが用。
いられるが、これら材質はプラズマ中の活性度。
応化字種と反応してｓＬＦ；、 １８Ｆ４などに変化し
た。
た。
うえ揮散するようになっている。したがって、。
化学エツチングされる光学窓表面に活性反応化。
字種であるフッ素イオン、フッ素ラジカル、フ。
ッ素化合物イオン、７ノ素化合物ラジカルなどのハロゲ
ンイオン、ハロゲンラジカル、ハロゲ１゜ン化合物イオ
ン、ハロゲン化合物ラジカルと反８応せず、しかも紫外
領域から可視領域の光が通。
ンイオン、ハロゲンラジカル、ハロゲ１゜ン化合物イオ
ン、ハロゲン化合物ラジカルと反８応せず、しかも紫外
領域から可視領域の光が通。
過とされた有機あるいは無機のハロゲン化合物の薄膜を
予め形成させておく場合は、光学窓表面の活性反応化学
種による汚染（この場合には１，１エツチング）は有効
に防止され得るものである。
予め形成させておく場合は、光学窓表面の活性反応化学
種による汚染（この場合には１，１エツチング）は有効
に防止され得るものである。
以下、本発明を第１図、第２図により説明する。
本発明による光学窓は既に述べたようにこれまでの光学
窓表面に有機あるいは無機めハロゲン化合物の薄膜を形
成せしめてなるものであるが、第１図は本発明による光
学窓を有するＳＪ（膜用プラズマエツチング装置の概要
構成を示したものである。ＯＦ４ガスなどフッ素化合物
を原料ガスとする５ＬＮ４膜用プラズマエツチング装置
においては、そのチャンバ１内で電極２．３間には高周
波電源４より高周波電力が印加されるようになっており
、高周波電力の印加によって電極２．５間にはフッ素イ
オンなどの活性反応化学種１．１を含むプラズマ５が発
生し５ＬＮ４膜のエツチングが生じるものとなっている
。この場合でのプラズマ５の状態はＮ２の発光スペクト
ルを検出することによって行なわれる。プラズマ５の発
生によって光学窓６からは各種波長の光７が外部に取り
出されるが、光検出器８によってＳ Ｌ Ｎ４膜のエツ
チング状態と対応するＮ２の発生スペクトル（波長３３
６ｔｔｆｉ ）が光７より分光、検出されるようになっ
ているものである。電気的に検出されたＮ２の発光スペ
クトル対応の発光量は表示などに・ ３ 供されるが、この発光量によりプラズマ状態が。
窓表面に有機あるいは無機めハロゲン化合物の薄膜を形
成せしめてなるものであるが、第１図は本発明による光
学窓を有するＳＪ（膜用プラズマエツチング装置の概要
構成を示したものである。ＯＦ４ガスなどフッ素化合物
を原料ガスとする５ＬＮ４膜用プラズマエツチング装置
においては、そのチャンバ１内で電極２．３間には高周
波電源４より高周波電力が印加されるようになっており
、高周波電力の印加によって電極２．５間にはフッ素イ
オンなどの活性反応化学種１．１を含むプラズマ５が発
生し５ＬＮ４膜のエツチングが生じるものとなっている
。この場合でのプラズマ５の状態はＮ２の発光スペクト
ルを検出することによって行なわれる。プラズマ５の発
生によって光学窓６からは各種波長の光７が外部に取り
出されるが、光検出器８によってＳ Ｌ Ｎ４膜のエツ
チング状態と対応するＮ２の発生スペクトル（波長３３
６ｔｔｆｉ ）が光７より分光、検出されるようになっ
ているものである。電気的に検出されたＮ２の発光スペ
クトル対応の発光量は表示などに・ ３ 供されるが、この発光量によりプラズマ状態が。
把握され、また、エツチングが監視され得るも。
のである。
第２図はＮ２の発光量の経時的変化をこれまで。
の光学室と本発明による光学窓（厚さ５Ｍｍに亘って０
ＡＦ２蒸着）とについて実際の測定結果の例。
ＡＦ２蒸着）とについて実際の測定結果の例。
とじて示したものである。プラズマの状態を一定として
実線表示のものは本発明による光学窓について、また、
点線表示のものはこれまでのものについて示すが、これ
からも判るようにこ１゜れまでのものはその表面が活性
反応化学種によってエツチングされてしまい見掛上の発
光量が低下する結果、正確なモニタリングは不可能とな
る。しかしながら、本発明によるものにおいてはその表
面はエツチングされず）したがって５ 正確なモニタリングが可能となっている。
実線表示のものは本発明による光学窓について、また、
点線表示のものはこれまでのものについて示すが、これ
からも判るようにこ１゜れまでのものはその表面が活性
反応化学種によってエツチングされてしまい見掛上の発
光量が低下する結果、正確なモニタリングは不可能とな
る。しかしながら、本発明によるものにおいてはその表
面はエツチングされず）したがって５ 正確なモニタリングが可能となっている。
最後に光学窓表面に形成されるハロゲン化合物とその形
成方法について具体的に説明すれば、例えばフッ素化合
物の場合無気化合物としては結晶質のＯａ？２． Ｍｔ
ｌＦ２がよく、また、有機化合物、 ４ としてはポリテトラフルオロエチレンが適した。
成方法について具体的に説明すれば、例えばフッ素化合
物の場合無気化合物としては結晶質のＯａ？２． Ｍｔ
ｌＦ２がよく、また、有機化合物、 ４ としてはポリテトラフルオロエチレンが適した。
ものとなっている。ａａｐ２やＭＰ？２の形成は蒸着法
で行なわれその条件は０６Ｆ２は１２８０°０、Ｍｆ？
２は１２７−〇で蒸着されるようにした。この場合膜厚
約１銃程度まで可能である示、実用的には数Ｍｍ程一度
が適当となっている。また、ポリテトラフルオロエチレ
ンの形成は含フツ素有機化合物とプラズマ重合法によっ
ている。成膜条件は１３．５６ＭＨｚの周波数を用いる
ＲＦ放電で、１００Ｗ１ガス圧０．５Ｔｏｒｒで行ない
約１００ＯＡの厚さの膜が形成されるようにした。
で行なわれその条件は０６Ｆ２は１２８０°０、Ｍｆ？
２は１２７−〇で蒸着されるようにした。この場合膜厚
約１銃程度まで可能である示、実用的には数Ｍｍ程一度
が適当となっている。また、ポリテトラフルオロエチレ
ンの形成は含フツ素有機化合物とプラズマ重合法によっ
ている。成膜条件は１３．５６ＭＨｚの周波数を用いる
ＲＦ放電で、１００Ｗ１ガス圧０．５Ｔｏｒｒで行ない
約１００ＯＡの厚さの膜が形成されるようにした。
以上説明したように本発明は、光学室表面にプラズマ中
の活性反応化学種と反応しない無機あるいは有機のハロ
ゲン化合物の薄膜を形成せしめるようになしたものであ
る。したがって、本発明による場合は、光学窓表面はプ
ラズマ中の活性反応化学種によっては汚染あるいはエツ
チングされず長期間に亘っての正確なモニタリング、プ
ラズマ状態の把握が可能であり、これまで行なわれてい
た再研磨による光学窓の平置８化透過率復元といった作
業が不要であるという。
の活性反応化学種と反応しない無機あるいは有機のハロ
ゲン化合物の薄膜を形成せしめるようになしたものであ
る。したがって、本発明による場合は、光学窓表面はプ
ラズマ中の活性反応化学種によっては汚染あるいはエツ
チングされず長期間に亘っての正確なモニタリング、プ
ラズマ状態の把握が可能であり、これまで行なわれてい
た再研磨による光学窓の平置８化透過率復元といった作
業が不要であるという。
効果がある。
第１図は、本発明による光学窓を有するプラズマエツチ
ング装置の概要構成を示す図、第２゜図は、これまでの
光学窓に対する本発明による。 効果の程を説明するための図である。 ５・・・プラズマ、 ６・・・光学窓１１（（ ８・・・光検出器。 第１図 第２図 う判定時向 →
ング装置の概要構成を示す図、第２゜図は、これまでの
光学窓に対する本発明による。 効果の程を説明するための図である。 ５・・・プラズマ、 ６・・・光学窓１１（（ ８・・・光検出器。 第１図 第２図 う判定時向 →
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 プラズマ発生源の状態を装置外部より監視す。 べくプラズマエツチング装置に設けられている。 透明な観測用の光学窓であって、紫外領域から。 可視領域に亘る光が透過とされ、且つプラズマ。 発生源中の活性反応化学種によっては化学エラ。 チングされない無機あるいは有機のハロゲン化合物の薄
膜が表面に形成されてなる構成を特徴。 とするプラズマエツチング装置用光学窓。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10833084A JPS60253229A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | プラズマエツチング装置用光学窓 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10833084A JPS60253229A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | プラズマエツチング装置用光学窓 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60253229A true JPS60253229A (ja) | 1985-12-13 |
Family
ID=14481959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10833084A Pending JPS60253229A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | プラズマエツチング装置用光学窓 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60253229A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020077753A (ko) * | 2001-04-03 | 2002-10-14 | 한국표준과학연구원 | 박막 두께 변화율 산출 및 공정조건 모니터링 장치 |
-
1984
- 1984-05-30 JP JP10833084A patent/JPS60253229A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020077753A (ko) * | 2001-04-03 | 2002-10-14 | 한국표준과학연구원 | 박막 두께 변화율 산출 및 공정조건 모니터링 장치 |
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