DE4319146A1 - Magnetfeldsensor, aufgebaut aus einer Ummagnetisierungsleitung und einem oder mehreren magnetoresistiven Widerständen - Google Patents

Magnetfeldsensor, aufgebaut aus einer Ummagnetisierungsleitung und einem oder mehreren magnetoresistiven Widerständen

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Description

Die Messung von Magnetfeldern geringer Stärke, wie beispielsweise des Erdmagnetfeldes, ist bekanntlich mit Sensoren möglich, die den anisotropen magnetoresistiven Effekt nutzen. Trotz ausreichender Magnetfeldempfindlichkeit ergeben sich bei größeren Temperaturänderungen jedoch wegen der nicht unerheblichen Nullpunktdrift der Sensoren größere Probleme.
Eine Methode zur Eliminierung der Nullpunktdrift bei magnetoresistiven Sensorbrücken wird in der Technischen Information 901 228 von Philips Components beschrieben. Die magnetoresistive Sensorbrücke wird in einer gewickelten Spule plaziert. Kurze Stromimpulse abwechselnder Richtung durch die Spule erzeugen genügend Magnetfeld, um die Eigenmagnetisierung der magnetoresistiven Schichtstreifen in die entsprechende Richtung einzustellen. Da mit der Umkehr der Magnetisierungsrichtung das Sensorsignal seine Polarität ändert, ist mit Trennung des magnetfeldproportionalen Wechselanteils vom Gleichanteil, der die Nullspannung der Sensorbrücke enthält, auch deren Drift eliminiert. Die Herstellung solcher Spulen ist jedoch aufwendig. Ihre Induktivität begrenzt die Meßfrequenz. Die Justierung der Sensorelemente in der Spule ist ein aufwendiger Arbeitsvorgang, insbesondere, wenn alle drei Magnetfeldkomponenten im Raum mit einer Anordnung gemessen werden sollen.
Aufgabe der Erfindung ist es, einen Magnetfeldsensor mit minimaler Nullpunktdrift anzugeben, der vollständig in Dünnschichttechnik kostengünstig gefertigt werden kann und bei dem Einschränkungen in der Meßfrequenz durch das Sensorelement nicht verursacht werden.
Die Aufgabe wird durch die in den Ansprüchen beschriebenen Dünnschichtanordnungen gelöst. Im einfachsten Fall genügt es, einen einzigen magnetfeldabhängigen Widerstand, der aus einem oder mehreren magnetoresistiven Schichtstreifen besteht, isoliert auf einem zu dessen Längsrichtung senkrechten hochleitfähigen Dünnschichtleiterstreifen anzuordnen. Der hochleitfähige Dünnschichtleiterstreifen ist jedoch mäanderförmig strukturiert. Damit trotz der über den nebeneinanderliegenden Mäanderstreifen abwechselnden Magnetfeldrichtung bei Stromdurchfluß ein Widerstand entsteht, der sich in allen Teilbereichen unter dem Einfluß eines zu messenden Feldes gleichsinnig ändert, wurden die magnetoresistiven Schichtstreifen in solche Bereiche zerlegt, die Barberpolstrukturen mit entgegengesetzt gerichtetem Neigungswinkel zur Streifenlängsrichtung haben. Durch die Mäandrierung des hochleitfähigen Dünnschichtleiterstreifens ergibt sich vorteilhafterweise, daß für die Umkehr der Magnetisierungsrichtung nur ein geringer Strom benötigt wird. Weiterhin ist das außerhalb des Sensorchips vorhandene magnetische Streufeld sehr gering, da sich die Magnetfelder der nebeneinanderliegenden Mäanderstreifen wegen ihrer entgegengesetzten Richtung weitgehend aufheben. Damit können die Magnetfeldsensoren in unmittelbarer Nähe zueinander betrieben werden. Aus dem gleichen Grunde hat der Ummagnetisierungsleiter auch eine sehr geringe Induktivität, so daß Begrenzungen der Meßfrequenz durch diese nicht mehr auftreten.
Bei Betrieb des Magnetfeldsensors mit einem magnetoresistiven Widerstand wird in diesen ein Konstantstrom eingespeist. Als Ausgangssignal wird die Spannung am magnetoresistiven Widerstand gemessen. Nach einem Stromimpuls bestimmter Richtung durch den hochleitfähigen Dünnschichtleiterstreifen ist die Eigenmagnetisierung in den Bereichen des magnetoresistiven Widerstandes in bestimmter Weise festgelegt. Das zu messende Magnetfeld bewirkt in diesem Zustand eine Zunahme des Widerstandswertes des magnetoresistiven Widerstandes. Die Ausgangsspannung ist also größer als im magnetfeldfreien Fall. Wird jetzt in den hochleitfähigen Dünnschichtleiterstreifen ein Stromimpuls mit entgegengesetzter Richtung zum vorhergehenden eingespeist, kehren sich die Richtungen der Eigenmagnetisierungen um. Damit bewirkt das zu messende Feld eine Widerstandsverringerung und die Ausgangsspannung ist kleiner als im magnetfeldfreien Fall. Mit ständig wechselnder Impulsrichtung ist also am Ausgang eine Wechselspannung vorhanden, deren Amplitude dem zu messenden Magnetfeld proportional ist. Irgendwelche Einflüsse, wie beispielsweise die Temperatur, die zu einer langsamen Drift des Widerstandswertes des magnetoresistiven Schichtstreifens führen, haben keinen Einfluß auf die Ausgangswechselspannung. Allerdings macht sich die Abnahme des magnetoresistiven Effektes mit steigender Temperatur in der Ausgangswechselspannungsamplitude bemerkbar.
Deshalb ist in einer anderen Ausführung der Erfindung unter jedem magnetoresistiven Schichtstreifen isoliert in gleicher Richtung ein weiterer hochleitfähiger Schichtstreifen vorhanden. Der Strom durch diese hochleitfähigen Schichtstreifen wird von der Sensorausgangsspannung so gesteuert, daß das angelegte zu messende Magnetfeld durch ihn gerade aufgehoben wird. Die dazu notwendige Schaltung ist jedoch nicht Gegenstand dieser Erfindung. Der magnetoresistive Magnetfeldsensor wirkt in diesem Fall als Nulldetektor. Ausgangsgröße der Anordnung ist die Größe des Kompensationsstromes, die von der Temperatur der Anordnung nicht abhängt. Ebenso spielen Nichtlinearitäten in der Sensorkennlinie keine Rolle mehr, da der Sensor ja nicht ausgesteuert wird.
In einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung wird nicht nur ein einziger magnetoresistiver Widerstand verwendet, sondern es sind über dem Dünnschichtummagnetisierungsleiter und dem hochleitfähigen Kompensationsleiter vier parallele aus mehreren Bereichen bestehende magnetoresistive Widerstände vorhanden, deren Bereiche mit Barberpolstrukturen abwechselnden positiven und negativen Winkels zur Längsrichtung der magnetoresistiven Schichtstreifen versehen sind, und zwar so, daß sie jeweils abwechselnd mit Bereichen positiven und negativen Barberpolstrukturwinkels beginnen. Die vier Widerstände sind zu einer Wheatstone-Brücke verschaltet. Wird der Ummagnetisierungsleiter wieder mit Impulsen abwechselnd entgegengesetzter Richtung betrieben, so erscheint am Brückenausgang ein Wechselspannungssignal. Diesem ist jetzt nur ein Gleichspannungssignal überlagert, das sich aus den möglicherweise ungleichen vier Widerstandswerten der Brücke ergibt. Dieser Gleichspannungsanteil ist jedoch wesentlich geringer als der bei der Verwendung eines einzigen Widerstandes, was eine einfachere Auswertung ermöglicht. Selbstverständlich ist die Kompensation des zu messenden Magnetfeldes auch hier anwendbar.
Die Brückenanordnung kann aus vier Widerständen bestehen, die alle aus einer geraden Zahl von Bereichen gebildet sind. Nur die Reihenfolge des Winkels der Barberpolstruktur ändert sich von einem Widerstand zum anderen. Durch einen ersten starken Stromimpuls durch den Ummagnetisierungsleiter wird die Magnetisierungsrichtung in den Bereichen eingestellt. Damit ist die Sensorbrücke magnetfeldempfindlich und kann so in üblicher Weise ohne weitere Ummagnetisierung benutzt werden. Da alle vier Widerstände der Brücke aus gleichen Bereichen bestehen, ist bei veränderlicher Temperatur der Sensoranordnung in allen Widerständen mit gleichen Änderungen zu rechnen. Das gilt auch für den Änderungsanteil, der über die veränderlichen Schichtspannungen und in deren Folge durch die Magnetostriktion entsteht. Die Sensorbrücke hat also eine reduzierte Nullpunktdrift gegenüber bekannten Sensorbrückenanordnungen und ist deshalb auch im üblichen Betrieb zur Messung kleinerer Felder geeignet. Ein konstanter Strom durch den Ummagnetisierungsleiter kann jetzt zur Erzeugung eines bestimmten Stabilisierungsmagnetfeldes dienen, über das eine bestimmte Sensorempfindlichkeit eingestellt wird. Die erfindungsgemäße Anordnung ist also bei Anwendung unterschiedlicher Auswerteverfahren für die Magnetfeldmessung vorteilhaft einsetzbar.
Die Erfindung wird im folgenden an Ausführungsbeispielen näher erläutert. In Fig. 1 ist dazu ein magnetoresistiver Widerstand über einem ebenen Ummagnetisierungsleiter dargestellt. Fig. 2 zeigt, wie zusätzlich dazu ein ebener Kompensationsleiter angeordnet ist. Fig. 3 enthält eine komplexe Anordnung mit Sensorbrücke, Ummagnetisierungsleiter und Kompensationsleiter.
In Fig. 1 ist ein mäandrierter hochleitfähiger ebener Dünnschichtleiter 6, der sich auf einem Schichtträger befindet, dargestellt, in den bei Anschluß an beiden Enden ein Strom IM eingespeist werden kann. Über diesem Dünnschichtleiter 6 sind isoliert Bereiche 1 von magnetoresistiven Schichtstreifen mit ihrer Längsrichtung senkrecht zu den Mäanderstreifen des Dünnschichtleiters 6 angeordnet. Auf den Bereichen 1 der magnetoresistiven Schichtstreifen befinden sich Barberpolstrukturen, die abwechselnd einen negativen Winkel 3 und einen positiven Winkel 4 mit der Längsrichtung der Bereiche 1 bilden. Die Bereiche 1 sind alle durch gut leitfähige, nichtmagnetische Verbindungen 2 elektrisch in Reihe geschaltet, so daß ein einziger Widerstand vorhanden ist. Die Reihenschaltung ist an den Kontaktflächen 5 elektrisch anschließbar. Im Betrieb des Magnetfeldsensors wird hier ein Konstantstrom eingespeist. Nach einem Stromimpuls durch den Ummagnetisierungsleiter 6 in der durch den Pfeil charakterisierten Richtung sind die Magnetisierungsrichtungen in den Bereichen 1 wie durch die entsprechenden Pfeile angezeigt, eingestellt. Ein zu messendes externes Magnetfeld He bewirkt bei den gezeichneten Magnetisierungsrichtungen eine Erhöhung des Widerstandswertes in allen Bereichen 1 gegenüber dem feldfreien Zustand. Ein Stromimpuls entgegengesetzter Richtung durch den Ummagnetisierungsleiter 6 dreht die Magnetisierungen aller Bereiche 1 in die entgegengesetzte Richtung. Damit wird durch das externe Magnetfeld He eine Widerstandsabnahme bewirkt. Am magnetoresistiven Widerstand ist so bei periodischer Ummagnetisierung eine Wechselspannung abgreifbar, deren Amplitude der Magnetfeldstärke von He proportional ist. Zur Ummagnetisierung der magnetoresistiven Bereiche ist eine bestimmte Mindestfeldstärke erforderlich. Die Feldstärke, die durch den Ummagnetisierungsstrom erzeugt wird, ist der Breite des Dünnschichtleiters umgekehrt proportional. Durch die Mäandrierung wird die Breite wesentlich herabgesetzt und damit der zum Ummagnetisieren nötige Stromwert drastisch verringert. Durch die Aufteilung des magnetoresistiven Widerstandsleiters in viele Bereiche 1 kann ohne weiteres ein hoher Widerstandswert realisiert werden. Da die Widerstandsänderung dem Widerstandswert proportional ist und diese wiederum als Proportionalitätsfaktor in die Ausgangswechselspannung eingeht, ist auch für eine hohe Ausgangsspannungsamplitude gesorgt. Daß der magnetoresistive Widerstand durch die Verbindungen 2 ebenfalls in Form eines Mäanders ausgebildet ist, hat den Vorteil, daß das Sensorelement auf Chipflächen geringer Abmessung untergebracht werden kann.
Die in Fig. 2 gezeigte Anordnung unterscheidet sich von der in Fig. 1 lediglich durch einen zusätzlichen gut leitenden Schichtmäander 7, der unter den magnetoresistiven Bereichen 1 angeordnet ist. Das Magnetfeld des Stromes Ik durch diesen Mäander 7 ist dem externen Magnetfeld He am Ort der Bereiche 1 entgegengerichtet. Aus der Ausgangswechselspannung des magnetoresistiven Widerstandes läßt sich ein Signal ableiten, das dafür sorgt, daß der Strom Ik genau auf einen solchen Wert eingestellt wird, daß das externe Magnetfeld am Ort der Bereiche 1 aufgehoben ist. Der so eingestellte Kompensationsstrom Ik stellt nun das Sensorausgangssignal dar. Der magnetoresistive Widerstand wirkt hier nur noch als Nulldetektor. Temperaturabhängigkeiten und Nichtlinearitäten in seiner Kennlinie sind so eliminiert.
In Fig. 3 sind die Bereiche 1 der magnetoresistiven Widerstände durch Verbindungsleitungen 2 und 10 so miteinander verbunden, daß eine Brückenschaltung entsteht. Die Kontaktflächen 8 sind für die Brückenbetriebsspannung, die Kontaktflächen 9 für die Brückenausgangsspannung vorgesehen. Ein Ummagnetisierungsleiter 6 und eine Kompensationsleitung 7 sind wie in Fig. 2 auch hier vorhanden. Kompensation des externen zu messenden Magnetfeldes ist hier selbstverständlich ebenso möglich, wenn zur Regelung des Stromes Ik das Wechselspannungssignal des Brückenausgangs verwendet wird.
In der Fig. 3 besteht jeder Brückenwiderstand aus einer geraden Anzahl von Bereichen 1. Unterschiedlich ist nur der Winkel der Barberpolstrukturen der jeweils nebeneinander befindlichen Bereiche 1. Die Brückenwiderstände sind also aus völlig gleichen Bestandteilen zusammengesetzt. Bei Temperaturänderungen werden sich die Widerstände also auch um gleiche Werte ändern. Das trifft auch für die sich aus der über die Magnetostriktion erzeugte Widerstandsänderung durch Drehung der Magnetisierungsrichtung zu. Unterschiede in dieser Größe stellen bei bisher bekannten magnetoresistiven Brückenanordnungen den Hauptanteil der Nullpunktdrift der Brückenausgangsspannung dar. Deshalb hat die hier vorgestellte Brücke auch bei Betrieb mit Gleichspannung eine stark reduzierte Nullpunktdrift. Damit ist auch das Betreiben des Brückensensors ohne ständige periodische Ummagnetisierung der Bereiche 1 vorteilhaft möglich. Ein Gleichstrom durch den Ummagnetisierungsleiter 6 kann in diesem Fall zur Erzeugung eines magnetischen Gleichfeldes am Ort der Bereiche 1 genutzt werden und so die einmal eingestellte Magnetisierungsrichtung stabilisieren.

Claims (6)

1. Magnetfeldsensor, aufgebaut aus einer Ummagnetisierungsleitung und einem oder mehreren magnetoresistiven Widerständen, die durch Schichtstreifen mit Barberpolstruktur gebildet sind, dadurch gekennzeichnet, daß ein oder mehrere parallel angeordnete magnetoresistive Schichtstreifen jeweils aus hintereinander geschalteten, magnetisch getrennten Bereichen (1) bestehen, die Barberpolstrukturen (3; 4) mit abwechselnd positivem (4) und negativem Winkel (3) zur Schichtstreifenlängsrichtung tragen und daß ein als Ummagnetisierungsleitung dienender hochleitfähiger Dünnschichtleiterstreifen (6), dessen Längsrichtung mit der Längsrichtung der magnetoresistiven Schichtstreifen einen Winkel bildet und von diesen isoliert ist, mäanderförmig darunter angeordnet ist.
2. Magnetfeldsensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Winkel zwischen den Längsrichtungen der magnetoresistiven Schichtstreifen und der hochleitfähigen Dünnschichtleiterstreifen 90° ist.
3. Magnetfeldsensor nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere gleiche parallel angeordnete magnetoresistive Schichtstreifen mäanderförmig verbunden sind, und so alle einen einzigen Widerstand bilden.
4. Magnetfeldsensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Kompensation des von außen auf den Sensor wirkenden Magnetfeldes unter den magnetoresistiven Schichtstreifen weitere hochleitfähige Schichtstreifen (7), deren Längsrichtung mit der der magnetoresistiven Schichtstreifen übereinstimmt, isoliert von den anderen Schichten vorhanden sind, und in der Fläche zwischen jeweils zwei magnetoresistiven Schichtstreifen ein Verbindungsleiter verläuft, so daß ein weiterer Mäander entsteht.
5. Magnetfeldsensor nach Anspruch 1 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß vier parallele, aus mehreren Bereichen (1) bestehende magnetoresistive Schichtstreifen vorhanden sind, die mit Bereichen (1) beginnen, die abwechselnd Barberpolstrukturen mit positivem (3) und negativem (4) Winkel tragen und die zu einer Wheatstonebrücke verschaltet sind.
6. Magnetfeldsensor nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Brückenwiderstand aus mehreren magnetoresistiven Schichtstreifen besteht.
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Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0707218A3 (de) * 1994-10-15 1996-08-14 Lust Antriebstechnik Gmbh Sensorchip
DE19521617C1 (de) * 1995-06-14 1997-03-13 Imo Inst Fuer Mikrostrukturtec Sensorchip zur Bestimmung eines Sinus- und eines Cosinuswertes sowie seine Verwendung zum Messen eines Winkels und einer Position
DE19810838A1 (de) * 1998-03-12 1999-09-16 Siemens Ag Sensorsubstrat für mangetoresistive Sensoren mit einer Substratschicht und darauf angeordneten Sensorelementen
DE19648879C2 (de) * 1996-11-26 2000-04-13 Inst Mikrostrukturtechnologie Magnetfeldsensor mit parallelen magnetoresistiven Schichtstreifen
DE102005047413A1 (de) * 2005-02-23 2006-09-14 Infineon Technologies Ag Magnetoresistives Sensorelement und Konzept zum Herstellen und Testen desselben
DE102006046739A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-03 Siemens Ag Magnetfeldsensor
DE102006046736A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-10 Siemens Ag Verfahren zum Betreiben eines Magnetfeldsensors und zugehöriger Magnetfeldsensor
WO2008146184A2 (en) * 2007-05-29 2008-12-04 Nxp B.V. External magnetic field angle determination
DE102007040183A1 (de) 2007-08-25 2009-03-05 Sensitec Naomi Gmbh Magnetfeldsensor zur Erfassung eines äußeren magnetischen Felds, insbesondere des Erdmagnetfelds, sowie mit solchen Magnetfeldsensoren gebildetes Magnetfeldsensorsystem
US7923987B2 (en) 2007-10-08 2011-04-12 Infineon Technologies Ag Magnetic sensor integrated circuit with test conductor
US8080993B2 (en) 2008-03-27 2011-12-20 Infineon Technologies Ag Sensor module with mold encapsulation for applying a bias magnetic field
US8559139B2 (en) 2007-12-14 2013-10-15 Intel Mobile Communications GmbH Sensor module and method for manufacturing a sensor module
DE19722834B4 (de) * 1997-05-30 2014-03-27 Sensitec Gmbh Magnetoresistives Gradiometer in Form einer Wheatstone-Brücke zur Messung von Magnetfeldgradienten sowie dessen Verwendung
WO2014177436A1 (de) * 2013-05-02 2014-11-06 Sensitec Gmbh Magnetfeldsensorvorrichtung
WO2019185094A1 (de) * 2018-03-29 2019-10-03 Schaeffler Technologies AG & Co. KG Magnetfeldsensoranordnung und anordnung zum messen eines drehmomentes sowie verfahren zum herstellen der magnetfeldsensoranordnung

Families Citing this family (107)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5929636A (en) * 1996-05-02 1999-07-27 Integrated Magnetoelectronics All-metal giant magnetoresistive solid-state component
DE69723960T2 (de) * 1997-05-09 2004-07-22 Tesa Sa Magnetoresistiver Sensor für Dimensionsbestimmung
US5976681A (en) * 1997-06-30 1999-11-02 Ford Global Technologies, Inc. Giant magnetoresistors with high sensitivity and reduced hysteresis
DE19747255A1 (de) * 1997-10-25 1999-05-12 Danfoss As Schutzimpedanz für eine netzspannungsgespeiste elektronische Schaltung
US6529114B1 (en) * 1998-05-27 2003-03-04 Honeywell International Inc. Magnetic field sensing device
JP2001028485A (ja) * 1999-07-15 2001-01-30 Ricoh Co Ltd 機器の転倒防止装置
JP3782915B2 (ja) * 2000-02-16 2006-06-07 セイコーインスツル株式会社 磁気センサを有する電子機器
AU2001261775A1 (en) * 2000-05-18 2001-11-26 Stefaan De Schrijver Apparatus and method for secure object access
WO2001091062A2 (en) * 2000-05-22 2001-11-29 Stefaan De Schrijver Electronic cartridge writing instrument
WO2001097165A2 (en) * 2000-06-16 2001-12-20 Stefaan De Schrijver Writing pen with piezo sensor
JP2003075157A (ja) * 2001-09-06 2003-03-12 Seiko Instruments Inc 電子機器
DE10158053A1 (de) * 2001-11-27 2003-06-05 Philips Intellectual Property Sensoranordnung
US7046117B2 (en) * 2002-01-15 2006-05-16 Honeywell International Inc. Integrated magnetic field strap for signal isolator
JP2004301741A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Denso Corp 磁気センサ
US7206693B2 (en) * 2003-04-15 2007-04-17 Honeywell International Inc. Method and apparatus for an integrated GPS receiver and electronic compassing sensor device
US7239000B2 (en) * 2003-04-15 2007-07-03 Honeywell International Inc. Semiconductor device and magneto-resistive sensor integration
US7265543B2 (en) * 2003-04-15 2007-09-04 Honeywell International Inc. Integrated set/reset driver and magneto-resistive sensor
DE102005037036B4 (de) * 2005-08-06 2007-07-12 Sensitec Gmbh Magnetoresistiver Sensor mit Offsetkorrektur und dafür geeignetes Verfahren
JP2007048847A (ja) * 2005-08-08 2007-02-22 Tokai Rika Co Ltd 磁気抵抗素子
US7420365B2 (en) * 2006-03-15 2008-09-02 Honeywell International Inc. Single chip MR sensor integrated with an RF transceiver
US9823090B2 (en) 2014-10-31 2017-11-21 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor for sensing a movement of a target object
US7923996B2 (en) * 2008-02-26 2011-04-12 Allegro Microsystems, Inc. Magnetic field sensor with automatic sensitivity adjustment
US8269491B2 (en) * 2008-02-27 2012-09-18 Allegro Microsystems, Inc. DC offset removal for a magnetic field sensor
US20090315554A1 (en) * 2008-06-20 2009-12-24 Honeywell International Inc. Integrated three-dimensional magnetic sensing device and method to fabricate an integrated three-dimensional magnetic sensing device
US7973527B2 (en) * 2008-07-31 2011-07-05 Allegro Microsystems, Inc. Electronic circuit configured to reset a magnetoresistance element
US8063634B2 (en) * 2008-07-31 2011-11-22 Allegro Microsystems, Inc. Electronic circuit and method for resetting a magnetoresistance element
US7891102B2 (en) * 2008-08-01 2011-02-22 Honeywell International Inc. Nanowire magnetic compass and position sensor
US7926193B2 (en) * 2008-08-01 2011-04-19 Honeywell International Inc. Nanowire magnetic sensor
DE112010000848B4 (de) 2009-02-17 2018-04-05 Allegro Microsystems, Llc Schaltungen und Verfahren zum Erzeugen eines Selbsttests eines Magnetfeldsensors
KR101673185B1 (ko) * 2009-07-22 2016-11-07 알레그로 마이크로시스템스, 엘엘씨 자기장 센서의 진단 동작 모드 생성 회로 및 방법
US8525514B2 (en) * 2010-03-19 2013-09-03 Memsic, Inc. Magnetometer
TWI467821B (zh) 2010-12-31 2015-01-01 Voltafield Technology Corp 磁阻感測器及其製造方法
EP2472280A3 (de) * 2010-12-31 2013-10-30 Voltafield Technology Corporation Magnetoresistiver Sensor
CN103477235B (zh) * 2011-02-01 2016-11-23 株式会社Sirc 传感器元件及使用传感器元件的功率测量装置
WO2012103950A1 (en) * 2011-02-03 2012-08-09 Sensitec Gmbh Magnetic field sensing device
US20140347047A1 (en) * 2011-02-22 2014-11-27 Voltafield Technology Corporation Magnetoresistive sensor
US8680846B2 (en) 2011-04-27 2014-03-25 Allegro Microsystems, Llc Circuits and methods for self-calibrating or self-testing a magnetic field sensor
US8604777B2 (en) 2011-07-13 2013-12-10 Allegro Microsystems, Llc Current sensor with calibration for a current divider configuration
US9335386B2 (en) * 2011-09-29 2016-05-10 Voltafield Technology Corp. Magnatoresistive component and magnatoresistive device
US8947082B2 (en) 2011-10-21 2015-02-03 University College Cork, National University Of Ireland Dual-axis anisotropic magnetoresistive sensors
US9201122B2 (en) 2012-02-16 2015-12-01 Allegro Microsystems, Llc Circuits and methods using adjustable feedback for self-calibrating or self-testing a magnetic field sensor with an adjustable time constant
US9817078B2 (en) 2012-05-10 2017-11-14 Allegro Microsystems Llc Methods and apparatus for magnetic sensor having integrated coil
US9310446B2 (en) * 2012-10-18 2016-04-12 Analog Devices, Inc. Magnetic field direction detector
US9612262B1 (en) 2012-12-21 2017-04-04 Neeme Systems Solutions, Inc. Current measurement sensor and system
US10197602B1 (en) 2012-12-21 2019-02-05 Jody Nehmeh Mini current measurement sensor and system
US9383425B2 (en) 2012-12-28 2016-07-05 Allegro Microsystems, Llc Methods and apparatus for a current sensor having fault detection and self test functionality
EP2778704B1 (de) * 2013-03-11 2015-09-16 Ams Ag Magnetfeldsensorsystem
US10725100B2 (en) 2013-03-15 2020-07-28 Allegro Microsystems, Llc Methods and apparatus for magnetic sensor having an externally accessible coil
JP6149462B2 (ja) * 2013-03-29 2017-06-21 Tdk株式会社 平面コイル、磁気検出装置および電子部品
US9134385B2 (en) 2013-05-09 2015-09-15 Honeywell International Inc. Magnetic-field sensing device
US10495699B2 (en) 2013-07-19 2019-12-03 Allegro Microsystems, Llc Methods and apparatus for magnetic sensor having an integrated coil or magnet to detect a non-ferromagnetic target
US10145908B2 (en) 2013-07-19 2018-12-04 Allegro Microsystems, Llc Method and apparatus for magnetic sensor producing a changing magnetic field
US9810519B2 (en) 2013-07-19 2017-11-07 Allegro Microsystems, Llc Arrangements for magnetic field sensors that act as tooth detectors
DE102013107821A1 (de) 2013-07-22 2015-01-22 Sensitec Gmbh Mehrkomponenten-Magnetfeldsensor
EP3203254A1 (de) 2013-12-26 2017-08-09 Allegro Microsystems, LLC Verfahren und vorrichtung zur sensordiagnose
US9645220B2 (en) 2014-04-17 2017-05-09 Allegro Microsystems, Llc Circuits and methods for self-calibrating or self-testing a magnetic field sensor using phase discrimination
US9735773B2 (en) 2014-04-29 2017-08-15 Allegro Microsystems, Llc Systems and methods for sensing current through a low-side field effect transistor
US9354284B2 (en) 2014-05-07 2016-05-31 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor configured to measure a magnetic field in a closed loop manner
US9739846B2 (en) 2014-10-03 2017-08-22 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensors with self test
US9719806B2 (en) 2014-10-31 2017-08-01 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor for sensing a movement of a ferromagnetic target object
US9823092B2 (en) 2014-10-31 2017-11-21 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor providing a movement detector
US10712403B2 (en) 2014-10-31 2020-07-14 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor and electronic circuit that pass amplifier current through a magnetoresistance element
US9720054B2 (en) 2014-10-31 2017-08-01 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor and electronic circuit that pass amplifier current through a magnetoresistance element
US10466298B2 (en) 2014-11-14 2019-11-05 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor with shared path amplifier and analog-to-digital-converter
US9804249B2 (en) 2014-11-14 2017-10-31 Allegro Microsystems, Llc Dual-path analog to digital converter
US9841485B2 (en) 2014-11-14 2017-12-12 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor having calibration circuitry and techniques
US9322887B1 (en) 2014-12-01 2016-04-26 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor with magnetoresistance elements and conductive-trace magnetic source
JP2016186476A (ja) * 2015-03-27 2016-10-27 Tdk株式会社 磁気センサ及び磁気式エンコーダ
US9638764B2 (en) 2015-04-08 2017-05-02 Allegro Microsystems, Llc Electronic circuit for driving a hall effect element with a current compensated for substrate stress
US9632150B2 (en) * 2015-04-27 2017-04-25 Everspin Technologies, Inc. Magnetic field sensor with increased field range
US9851417B2 (en) 2015-07-28 2017-12-26 Allegro Microsystems, Llc Structure and system for simultaneous sensing a magnetic field and mechanical stress
CN105182258A (zh) * 2015-10-21 2015-12-23 美新半导体(无锡)有限公司 能够实现重置和自检的磁场传感器
US10107873B2 (en) 2016-03-10 2018-10-23 Allegro Microsystems, Llc Electronic circuit for compensating a sensitivity drift of a hall effect element due to stress
US11187763B2 (en) 2016-03-23 2021-11-30 Analog Devices International Unlimited Company Offset compensation for magnetic field detector
JP6588371B2 (ja) * 2016-03-30 2019-10-09 アルプスアルパイン株式会社 磁界検出装置およびその調整方法
US10132879B2 (en) 2016-05-23 2018-11-20 Allegro Microsystems, Llc Gain equalization for multiple axis magnetic field sensing
US10260905B2 (en) 2016-06-08 2019-04-16 Allegro Microsystems, Llc Arrangements for magnetic field sensors to cancel offset variations
US10012518B2 (en) 2016-06-08 2018-07-03 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor for sensing a proximity of an object
US10041810B2 (en) 2016-06-08 2018-08-07 Allegro Microsystems, Llc Arrangements for magnetic field sensors that act as movement detectors
CN205861754U (zh) * 2016-07-08 2017-01-04 江苏多维科技有限公司 一种无需置位和复位装置的各向异性磁电阻电流传感器
US10162017B2 (en) 2016-07-12 2018-12-25 Allegro Microsystems, Llc Systems and methods for reducing high order hall plate sensitivity temperature coefficients
CN110235012B (zh) 2017-01-27 2021-07-20 三菱电机株式会社 磁阻效应元件单元及磁阻效应元件装置
US11428755B2 (en) 2017-05-26 2022-08-30 Allegro Microsystems, Llc Coil actuated sensor with sensitivity detection
US10837943B2 (en) 2017-05-26 2020-11-17 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor with error calculation
US10324141B2 (en) 2017-05-26 2019-06-18 Allegro Microsystems, Llc Packages for coil actuated position sensors
US10310028B2 (en) 2017-05-26 2019-06-04 Allegro Microsystems, Llc Coil actuated pressure sensor
US10996289B2 (en) 2017-05-26 2021-05-04 Allegro Microsystems, Llc Coil actuated position sensor with reflected magnetic field
US10641842B2 (en) 2017-05-26 2020-05-05 Allegro Microsystems, Llc Targets for coil actuated position sensors
US10739165B2 (en) * 2017-07-05 2020-08-11 Analog Devices Global Magnetic field sensor
US10520559B2 (en) 2017-08-14 2019-12-31 Allegro Microsystems, Llc Arrangements for Hall effect elements and vertical epi resistors upon a substrate
US10866117B2 (en) 2018-03-01 2020-12-15 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field influence during rotation movement of magnetic target
JP6900936B2 (ja) * 2018-06-08 2021-07-14 Tdk株式会社 磁気検出装置
US11255700B2 (en) 2018-08-06 2022-02-22 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor
US10823586B2 (en) 2018-12-26 2020-11-03 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor having unequally spaced magnetic field sensing elements
US11061084B2 (en) 2019-03-07 2021-07-13 Allegro Microsystems, Llc Coil actuated pressure sensor and deflectable substrate
AU2020272196A1 (en) * 2019-04-11 2021-08-05 Tdw Delaware, Inc. Pipeline tool with composite magnetic field for inline inspection
US10955306B2 (en) 2019-04-22 2021-03-23 Allegro Microsystems, Llc Coil actuated pressure sensor and deformable substrate
US11280637B2 (en) 2019-11-14 2022-03-22 Allegro Microsystems, Llc High performance magnetic angle sensor
US11237020B2 (en) 2019-11-14 2022-02-01 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor having two rows of magnetic field sensing elements for measuring an angle of rotation of a magnet
US11194004B2 (en) 2020-02-12 2021-12-07 Allegro Microsystems, Llc Diagnostic circuits and methods for sensor test circuits
US11169223B2 (en) 2020-03-23 2021-11-09 Allegro Microsystems, Llc Hall element signal calibrating in angle sensor
US11262422B2 (en) 2020-05-08 2022-03-01 Allegro Microsystems, Llc Stray-field-immune coil-activated position sensor
JP7173104B2 (ja) 2020-07-21 2022-11-16 Tdk株式会社 磁気センサ
US11493361B2 (en) 2021-02-26 2022-11-08 Allegro Microsystems, Llc Stray field immune coil-activated sensor
US11630130B2 (en) 2021-03-31 2023-04-18 Allegro Microsystems, Llc Channel sensitivity matching
US11578997B1 (en) 2021-08-24 2023-02-14 Allegro Microsystems, Llc Angle sensor using eddy currents
US11994541B2 (en) 2022-04-15 2024-05-28 Allegro Microsystems, Llc Current sensor assemblies for low currents

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4533872A (en) * 1982-06-14 1985-08-06 Honeywell Inc. Magnetic field sensor element capable of measuring magnetic field components in two directions
DE3931780A1 (de) * 1988-09-26 1990-03-29 Hl Planartechnik Gmbh Magnetisches feldeffekt-bauelement mit vier in einer brueckenschaltung angeordneten magnetfeldabhaengigen widerstaenden
DE4121374A1 (de) * 1991-06-28 1993-01-07 Lust Electronic Systeme Gmbh Kompensierter magnetfeldsensor
EP0544479A2 (de) * 1991-11-26 1993-06-02 Honeywell Inc. Magnetfeldfühler

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59214784A (ja) * 1983-05-20 1984-12-04 Canon Inc 磁気センサ装置
DE3442278A1 (de) * 1984-11-20 1986-05-22 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Magnetfeldmessgeraet
JPH07105006B2 (ja) * 1985-11-05 1995-11-13 ソニー株式会社 磁気抵抗効果型磁気ヘツド
US4851771A (en) * 1987-02-24 1989-07-25 Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki Seisakusho Magnetic encoder for detection of incremental and absolute value displacement
GB2202635B (en) * 1987-03-26 1991-10-30 Devon County Council Detection of magnetic fields
JPH077012B2 (ja) * 1987-08-18 1995-01-30 富士通株式会社 加速度センサ
US4847584A (en) * 1988-10-14 1989-07-11 Honeywell Inc. Magnetoresistive magnetic sensor
JPH03223685A (ja) * 1990-01-29 1991-10-02 Fujitsu Ltd 外部磁界検出センサ
US5351005A (en) * 1992-12-31 1994-09-27 Honeywell Inc. Resetting closed-loop magnetoresistive magnetic sensor

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4533872A (en) * 1982-06-14 1985-08-06 Honeywell Inc. Magnetic field sensor element capable of measuring magnetic field components in two directions
DE3931780A1 (de) * 1988-09-26 1990-03-29 Hl Planartechnik Gmbh Magnetisches feldeffekt-bauelement mit vier in einer brueckenschaltung angeordneten magnetfeldabhaengigen widerstaenden
DE4121374A1 (de) * 1991-06-28 1993-01-07 Lust Electronic Systeme Gmbh Kompensierter magnetfeldsensor
EP0544479A2 (de) * 1991-11-26 1993-06-02 Honeywell Inc. Magnetfeldfühler

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JESSEN, J., PETERSEN, A., KOCH, J.: Eigenschaften und Anwendungen der Magnetfeld- sensoren KMZ, In: Technische Informationen 9012228 von Philips Components, 1990, S. 1-15 *

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5719494A (en) * 1994-10-15 1998-02-17 Lust Antriebstechnik Gmbh Sensor assembly
EP0707218A3 (de) * 1994-10-15 1996-08-14 Lust Antriebstechnik Gmbh Sensorchip
DE19521617C1 (de) * 1995-06-14 1997-03-13 Imo Inst Fuer Mikrostrukturtec Sensorchip zur Bestimmung eines Sinus- und eines Cosinuswertes sowie seine Verwendung zum Messen eines Winkels und einer Position
DE19648879C2 (de) * 1996-11-26 2000-04-13 Inst Mikrostrukturtechnologie Magnetfeldsensor mit parallelen magnetoresistiven Schichtstreifen
DE19722834B4 (de) * 1997-05-30 2014-03-27 Sensitec Gmbh Magnetoresistives Gradiometer in Form einer Wheatstone-Brücke zur Messung von Magnetfeldgradienten sowie dessen Verwendung
DE19810838A1 (de) * 1998-03-12 1999-09-16 Siemens Ag Sensorsubstrat für mangetoresistive Sensoren mit einer Substratschicht und darauf angeordneten Sensorelementen
DE19810838C2 (de) * 1998-03-12 2002-04-18 Siemens Ag Sensoreinrichtung mit mindestens einem magnetoresistiven Sensor auf einer Substratschicht eines Sensorsubstrats
DE102005047413B4 (de) * 2005-02-21 2012-01-05 Infineon Technologies Ag Magnetoresistives Sensorelement und Verfaheren zum Durchführen eines On-Wafer-Funktionstests, sowie Verfahren zur Herstellung von Magnetfeldsensorelementen und Verfahren zur Herstellung von Magnetfeldsensorelementen mit On-Wafer-Funktionstest
DE102005047413A1 (de) * 2005-02-23 2006-09-14 Infineon Technologies Ag Magnetoresistives Sensorelement und Konzept zum Herstellen und Testen desselben
US7323870B2 (en) 2005-02-23 2008-01-29 Infineon Technologies Ag Magnetoresistive sensor element and method of assembling magnetic field sensor elements with on-wafer functional test
DE102005047413B8 (de) * 2005-02-23 2012-06-06 Infineon Technologies Ag Magnetfeldsensorelement und Verfahren zum Durchführen eines On-Wafer-Funktionstests, sowie Verfahren zur Herstellung von Magnetfeldsensorelementen und Verfahren zur Herstellung von Magnetfeldsensorelementen mit On-Wafer-Funktionstest
DE102006046739A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-03 Siemens Ag Magnetfeldsensor
DE102006046736B4 (de) * 2006-09-29 2008-08-14 Siemens Ag Verfahren zum Betreiben eines Magnetfeldsensors und zugehöriger Magnetfeldsensor
DE102006046739B4 (de) * 2006-09-29 2008-08-14 Siemens Ag Verfahren zum Betreiben eines Magnetfeldsensors und zugehöriger Magnetfeldsensor
DE102006046736A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-10 Siemens Ag Verfahren zum Betreiben eines Magnetfeldsensors und zugehöriger Magnetfeldsensor
WO2008146184A3 (en) * 2007-05-29 2009-01-29 Nxp Bv External magnetic field angle determination
CN101680740B (zh) * 2007-05-29 2011-06-01 Nxp股份有限公司 外部磁场角度确定
WO2008146184A2 (en) * 2007-05-29 2008-12-04 Nxp B.V. External magnetic field angle determination
US10209321B2 (en) 2007-05-29 2019-02-19 Nxp B.V. External magnetic field angle determination
DE102007040183A1 (de) 2007-08-25 2009-03-05 Sensitec Naomi Gmbh Magnetfeldsensor zur Erfassung eines äußeren magnetischen Felds, insbesondere des Erdmagnetfelds, sowie mit solchen Magnetfeldsensoren gebildetes Magnetfeldsensorsystem
US7923987B2 (en) 2007-10-08 2011-04-12 Infineon Technologies Ag Magnetic sensor integrated circuit with test conductor
US8559139B2 (en) 2007-12-14 2013-10-15 Intel Mobile Communications GmbH Sensor module and method for manufacturing a sensor module
US8080993B2 (en) 2008-03-27 2011-12-20 Infineon Technologies Ag Sensor module with mold encapsulation for applying a bias magnetic field
WO2014177436A1 (de) * 2013-05-02 2014-11-06 Sensitec Gmbh Magnetfeldsensorvorrichtung
CN105190340A (zh) * 2013-05-02 2015-12-23 森斯泰克有限公司 磁场传感器装置
US9903920B2 (en) 2013-05-02 2018-02-27 Sensitec Gmbh Magnetic field sensor device
WO2019185094A1 (de) * 2018-03-29 2019-10-03 Schaeffler Technologies AG & Co. KG Magnetfeldsensoranordnung und anordnung zum messen eines drehmomentes sowie verfahren zum herstellen der magnetfeldsensoranordnung

Also Published As

Publication number Publication date
WO1994029740A1 (de) 1994-12-22
JPH08503778A (ja) 1996-04-23
DE4319146C2 (de) 1999-02-04
US5521501A (en) 1996-05-28
EP0654145A1 (de) 1995-05-24
JP3465059B2 (ja) 2003-11-10

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