DE4223326A1 - Traeger oder behaelter fuer wafer oder aehnliche halbleiterplaettchen - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft einen Träger nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 1.

Diese Träger dienen - und so ist der Begriff Wafer gemeint - der Aufnahme einzelner oder mehrerer Siliciumwafer oder anderer Halbleiterplättchen, Speicherscheiben, Substratplatten, flacher Plattendisplays und ähnlicher, scheibenförmiger Gegenstände, die während ihrer Herstellung einer chemischen Behandlung ausgesetzt werden.

Träger der hier in Frage kommenden Art werden eingesetzt, um scheibenförmige Gegenstände während einer Behandlung und zum Lagern zwischen den einzelnen Behandlungsstufen aufzunehmen. Entsprechende Träger sind beschrieben und dargestellt in folgenden US-Patenten: 39 61 877; 45 57 382; 48 15 601; 49 30 634; 49 49 848. Die meisten dieser Träger sind aus den verschiedensten Kunststoffen durch Gießen oder Spritzgießen hergestellt. Einige sind auch aus Metall, wie Aluminium und Stahl, her­ gestellt und entsprechend maschinell bearbeitet. Es ist auch möglich, sie aus Quarz oder nichtgießbaren Kunststoffen, wie Polytetrafluorethylen (PTFE) herzustellen. Gießbare Thermo­ plaste für derartige Träger sind Perfluor-Alkoxy (Teflon PFA), Tetrafluorethylen-Perfluorpropylen-Copolymer (Teflon, FEP), Polypropylen, hochdichtes Polyethylen, Polyacarbonat, Polyetherketon (PEEK), Polyethersulfon (PES), Polyaryl­ etherketon (PAEK), Acrylnitrilbutadienstyren (ABS) und andere (Teflon ist ein eingetragenes Warenzeichen der Firma DuPont).

Träger, die aus diesen Kunststoffen hergestellt sind und andere, die aus Polypropylen sowie hochdichtem Polyethylen bestehen, sind zweckmäßig zum Lagern von Wafern zwischen den einzelnen Behandlungsschritten. Andere, die aus Fluorpolymeren bestehen, sind geeignet, die Wafer während der Bearbeitung aufzunehmen, da sie entsprechend widerstandsfähig gegen zerstörerische Einwirkungen der Reagenzien und der hohen Temperaturen, die während der Bearbeitung auftreten, sind.

Alle diese Trägermaterialien sind aber nur beschränkt geeignet, diesen extremen Anforderungen gerecht zu werden. Fluorpolymermaterialien, PFA, FEP und PTFE, sind Materialien, die im wesentlichen widerstandsfähig gegen die Chemikalien sind, die während der Behandlung zur Wirkung kommen, sie nehmen aber geringe Anteile der Chemikalien auf und nehmen diese zu den nachfolgenden Verfahrensschritten mit, so daß die Wafer verunreinigt werden und auf diese Wafer austreten. Temperaturen oberhalb 180° führen dazu, daß Materialien wie Fluorpolymere ihre Festigkeit, Standhaftigkeit und Dimensionsstabilität verlieren, und dieses führt zu Schwierigkeiten bei der automatischen Handhabung der aufgeheizten Träger, die mit Wafern gefüllt sind. Andere gießbare Materialien weisen eine geringere Widerstandsfähigkeit gegen Chemikalien auf und sie sind nur bei niedrigeren Temperaturen als PFA einsetzbar. Versuche, PFA-Träger fester zu gestalten, und zwar mit starren Einlagen aus Kunststoffmaterial, wurden unternommen, diese sind aber insgesamt nicht zufriedenstellend verlaufen. Hierzu wird auf das US-Patent 48 72 554 verwiesen. Es ist wünschenswert, die Wafertemperaturen von 200 bis 300°C in einigen chemischen Behandlungsschritten auszusetzen, wobei Temperaturen von 250 bis 300°C bei Verfahrensschritten einschließlich Photoresist auftreten.

Teflon-Träger, obwohl entsprechend schmierfähig, sondern Teilchen auf die Wafer während der verschiedenen Behandlungs­ schritte ab, wenn eine Bewegung in und aus den Trägern stattfindet. Statische Aufladungen werden leicht und häufig in Verbindung mit derartigen Trägern erzeugt, mit dem Er­ gebnis, daß Teilchen aus der Luft und andere Verunreini­ gungen angezogen werden, die wiederum zu einer Verschmutzung der Wafer führen. Obwohl Kohlenstoff in manchen Fällen zu Kunststoffen hinzugefügt wurde, um der statischen Aufladung entgegenzuwirken, führt Kohlenstoff zu einer erhöhten Auf­ nahme von Chemikalien und zur Erzeugung von Teilchen mit dem Ergebnis einer Verunreinigung der Wafer.

Quarzträger wurden insbesondere bei Behandlungsschritten mit hohen Temperaturen, wie Brennen oder Härten im Bereich von 800 bis 1700°C oder höher eingesetzt, diese Quarzträger sind aber sehr viel teurer als aus Kunststoff gegossene Träger und sie führen leicht zu einer Beschädigung der Wafer.

Andere Materialien zur Herstellung der Träger weisen bessere Charakteristiken als PFA auf, diese erfordern aber, daß die Wafer in bestimmten Abständen von einem Träger zu einem anderen übertragen werden, da eine Teilchenerzeugung erfolgt. Dieses bedeutet weitere Verfahrensschritte.

Wie bereits erwähnt, wird unter dem Begriff Wafer grundsätzlich ein scheibenförmiger Gegenstand verstanden, wie er eingangs definiert wurde, und wie er einer entsprechenden chemischen Behandlung ausgesetzt wird.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Träger der eingangs genannten Art zu schaffen, der zur Aufnahme von Wafern in den unterschiedlichsten Behandlungsstufen sowie zur Lagerung und zum Transport derartiger Wafer eingesetzt ist, wobei eine Verunreinigung der Wafer auf ein Minimum herabgesetzt wird.

Diese Aufgabe wird grundsätzlich durch das Kennzeichen des Patentanspruches 1 gelöst.

Weiterhin ist die Erfindung gerichtet auf einen Trägerunter­ bau, der so gestaltet ist, daß sämtliche funktionalen Charakteristiken zum Halten eines oder mehrerer in einer bestimmten Stellung erfüllt werden, und ein schnelles und leichtes manuelles oder automatisches Handhaben der Träger möglich ist. Die Wafer sind schnell ein- und ausladbar. Der gesamte Trägerunterbau ist mit einem Diamantfilm oder -Überzug umschlossen.

Ein weiteres Merkmal der Erfindung besteht in einem Trägerunterbau aus einem Material, das dimensionsstabil ist, um Form und Größe unter verschiedensten Temperaturbedingungen, die während der Behandlung der Wafer auftreten, zu erhalten, wobei ein Diamantüberzug den Trägerunterbau umschließt. Der Trägerunterbau ist in typischer Weise aus einem thermoplastischen Material wie PEEK, PAEK, PEKK und PEK oder aus Metall, wie Stahl oder Stahllegierungen, hergestellt. Andere dimensionsstabile Metall oder temperaturaushärtbare Materialien, sind Epoxidharze oder Polymide oder Materialien mit einer keramischen Matrix, wie Quarz. Wenn weniger teure Materialien gewünscht werden, kann der Trägerunterbau aus Polycarbonat, Polypropylen, Polyethylen, ABS und dergleichen gegossen sein.

Der Trägerunterbau kann in einigen Fällen aus mehr als einem Material, d. h. aus einem zusammengesetzten Material, bestehen. Z.B. kann der Trägerunterbau, wie vorstehend beschrieben, gegossen sein, und zwar um und verstärkt durch einen sehr stabilen Kern. Der zusammengesetzte Trägerunterbau kann dann ebenfalls mit einem Diamantfilm überzogen und von diesem umgeben werden.

Das Material in dem Trägerunterbau kann außerdem Fasern, wie Kohlenstoff-Fasern, enthalten, die den Ausdehnungskoeffi­ zienten herabsetzen und für eine entsprechende Steifigkeit bei hohen Temperaturen sorgen.

Derartige diamantüberzogene Waferträger weisen viele Vorteile auf. Wichtig ist, daß der Überzug dazu führt, daß die Träger chemisch inert und undurchlässig sind, um zu verhindern, daß Chemikalien und Gase den Trägerunterbau angreifen, wodurch wieder verhindert wird, daß diese Chemikalien und Gase von dem Trägerunterbau aufgenommen werden. Der Diamantüberzug nimmt weder Chemikalien noch Gase auf. Als Ergebnis wird eine spätere Eindringung oder Gasübertragung der Chemikalien von den überzogenen Trägern auf die behandelten Wafer auf ein absolutes Minimum herabgesetzt. Der Überzug ist in hohem Grade unempfindlich gegen starke Chemikalien, die bei der Bearbeitung und Behandlung von Wafern eingesetzt werden. Der Diamantüberzug auf den Trägern ist darüber hinaus statisch unwirksam und dementsprechend zieht der überzogene Träger keine Teilchen aus der Luft oder andere Teilchen an. Außerdem ist der Diamantüberzug dimensionsstabil innerhalb eines sehr großen Temperaturbehandlungsbereiches, dem der Träger während der Behandlung der Wafer ausgesetzt wird. Da dem Diamantüberzug eine Schmierfähigkeit innewohnt, wird der Erzeugung verunreinigender Teilchen entgegengewirkt.

Im folgenden wird die Erfindung unter Hinweis auf die Zeichnung anhand verschiedener Ausführungsbeispiele näher erläutert:

Es zeigt:

Fig. 1 eine perspektivische Ansicht eines Waferträgers, wie er in typischer Weise in Verbindung mit der Bearbeitung von Siliziumwafern eingesetzt wird;

Fig. 2 einen Schnitt einer Einzelheit im vergrößerten Maßstab eines Siliziumträgers entsprechend dem­ jenigen der Fig. 1;

Fig. 3 eine teilweise abgebrochene Ansicht eines Trägers, wie er zum Transport von Wafern, Plättchen oder entsprechenden Substraten eingesetzt wird;

Fig. 4 eine Ansicht eines kastenförmigen, geschlossenen Transportbehälters oder Trägers zum Transportieren von Wafern oder dergleichen;

Fig. 5 eine perspektivische Ansicht eines Trägers zur flachen Anordnung von großen Platten, die aber dennoch mit Hilfe eines Trägers bearbeitet und gehandhabt werden sollen;

Fig. 6 eine perspektivische Ansicht eines Trägers für ein einzelnes Plättchen; und

Fig. 7 eine perspektivische Ansicht einer weiteren Ausführungsform eines Waferträgers.

Sämtliche Waferträger, wie sie in den Fig. 1 und 3 bis 6 dargestellt sind, sind ausgebildet zum Tragen von Wafern, wie sie in Fig. 1 mit W bezeichnet sind oder anderer Plättchen der unterschiedlichsten Art, die einer chemischen Behandlung ausgesetzt werden sollen, in der sie ihre endgültige Form erhalten, wobei diese zu behandelnden Teile im folgenden grundsätzlich als Wafer bezeichnet werden.

Der Waferträger 10 der Fig. 1 stellt eine typische Ausführungsform eines derartigen Trägers dar, in dem Wafer W während einer Behandlung angeordnet sind, bei der es sich um eine Spritztechnik, wie in den meisten Fällen handelt. Die Seitenwände 11 des Trägers sind mit einer Anzahl von Rippen oder Zähnen 12 versehen, die einen Abstand voneinander aufweisen, um die Kanten der Wafer dazwischen aufzunehmen. Die Räume zwischen den Rippen 12 gehen in Schlitze 13 über, um eine schnelle Bewegung der Flüssigkeiten und Gase durch den Träger während der Behandlung der Wafer zu unterstützen. Weiterhin wird hierdurch das Reinigen der Träger 10 zusammen mit den Wafern am Ende einer Behandlung erleichtert.

In Fig. 3 ist ein Waferträger 20, der auch allgemein als Scheibentransportbehälter bezeichnet wird, dargestellt. Er ist mit einem Bodendeckel 21 über dem offenen Boden und mit einem oberen Deckel 22 für die Oberseite des Trägers ausgerüstet. Diese verlaufen nach unten über die offenen Enden des Trägers. Der Träger 20 hat Rippen oder Distanzteile 23 um die Wafer dazwischen aufzunehmen und diese im Abstand voneinander zu halten, wenn sie in dem Träger angeordnet sind. Dieser Träger ist insbesondere zum Transport von Wafern geeignet. Die Seitenwände 24 sind daher nicht mit offenen Schlitzen versehen, wie in Fig. 1 dargestellt.

Eine andere Ausführungsform eines Gerätes zum Tragen von Wafern ist in Fig. 4 dargestellt. Bei dieser Ausführungsform ist der Träger 30 als zweiteiliger Kasten oder Behälter mit einem Unterteil 31 und einem Oberteil 32 ausgebildet, die beide mit Innenrippen 33, 34 versehen sind, um die Wafer gegen Bewegungen abzustützen und zu sichern. Bei dieser Ausführungsform sind federnde, dämpfende Finger 34 vorge­ sehen, die mit den einzelnen Wafern in Eingriff gelangen, und dazu führen, daß die Bewegung der Wafer herabgesetzt wird.

Der Träger 40, der in Fig. 5 dargestellt ist, besteht aus mehreren Teilen, die durch Gießen hergestellt sind. Die beiden Stirnwände 41, 42 sind einzeln gegossen. Die Seitenwandsegmente 43 sind ebenfalls getrennt gegossen und mit den Stirnwänden 41, 42 zusammengebaut und fest mit diesen verbunden.

Der Träger 40 ist besonders geeignet zum Tragen flacher Plättchendisplays, die Glas als ein Substrat oder auch andere Materialien verwenden, wobei die Platten, die gehandhabt und behandelt werden sollen, eine Größe von 300· 355 mm aufweisen können. Diese Platten sind wiederum in Schlitzen, gebildet durch beabstandete Rippen, an den Seitenwänden angeordnet, wie es beim Betrachten der Fig. 5 deutlich wird.

In Fig. 6 ist ein Waferträger 50 dargestellt, der einge­ richtet und ausgebildet ist, um eine einzige runde Wafer W zu tragen, wie sie auch in Fig. 1 dargestellt ist. Der Waferträger 50 besteht aus einem gegossenen Behälterboden 51 und einem Deckel 52, der über ein Scharnier 53 mit dem Boden 51 verbunden ist. Der Behälter 50 ist innen mit Beschlägen ausgerüstet, um die Wafer abzustützen und einer Bewegung in dem geschlossenen Behälter entgegenzuwirken.

Der in Fig. 7 dargestellte Träger 50 entspricht dem Träger, wie er in Fig. 7 des US-Patentes 48 72 554 dargestellt ist. Der Träger 50 besteht aus gegossenen Stirnwänden 51, 52, die durch beabstandete, zylindrische und ebenfalls gegossene Stangen 53, 54 verbunden sind. Die Stangen 53 bilden Seitenwände 55 des Trägers und die Stangen 54 stützen die Wafer, wobei sie als Abschnitte der Seitenwände 55 angesehen werden können. Die Stangen 53, 54 können steife Verstärkungsstangen oder Einschübe 56 enthalten, die aus Quarz, keramischen Materialien, Glas oder anderen Materialien, die temperaturbeständig sind, bestehen. Diese sind vollständig in den Stangen 53, 54 eingebettet. In einigen Fällen können die Stirnwände 51, 52 ebenso Versteifungseinsätze 57 aus ähnlichen Materialien wie die Einsätze 56 enthalten, und diese sind vollständig von den Stirnwänden umgeben.

Die Stangen 53, 54 weisen ebenfalls beabstandete Zähne 58 auf, die die Wafer in einem entsprechenden Abstand zueinander aufnehmen.

Der Träger 50 ist besonders geeignet, mit einem Diamantüberzug versehen zu werden, da es sich um eine offene Konstruktion handelt. Die Seitenwände 55 weisen breite Öffnungen 59 zwischen den Stangen 53, 54 auf, wobei ein offenes Oberteil 50.1, ein offener Boden 50.2 und offene Bereiche 50.3, 50.4 in den Stirnwänden vorgesehen sind, die sämtlich eine schnelle und leichte Übertragung des Diamantüberzuges ermöglichen.

Die in Fig. 2 im Schnitt dargestellte Einzelheit ist für sämtliche Behälter und Träger beispielhaft. In Fig. 2 ist ein Abschnitt eines Trägers 60 mit einem Unterbau 61 dar­ gestellt, der in den meisten Fällen durch Gießen hergestellt wird und mit einem Überzug oder einer Beschichtung 62 aus Diamantmaterial versehen ist. Der Abschnitt des Trägers 60, der in Fig. 2 dargestellt ist, stellt tatsächlich einen Abschnitt der Rippen 63 in den Trägerseitenwänden zur Auf­ rechterhaltung des Abstandes zwischen den Wafern W dar. Die Abstände 64 zwischen den Rippen sind dort vorgesehen, wo die Wafer festgehalten werden, wobei die Schlitze 65 die Be­ wegung der Behandlungsflüssigkeit auf die Wafer und von diesen weg erleichtern. Der Trägerunterbau 61 ist gegossen oder aus einem der vorstehend genannten Materialien hergestellt. Er kann auch aus Kohlenstoff-Fasern 16 als beliebige Bruchstücke oder andere Materialien enthalten, die darin eingebettet sind.

Sämtliche Waferträger 10, 20, 30, 40 und 50, wie sie in der Zeichnung dargestellt sind, sind mit einem Diamantüberzug 62, so wie definiert, versehen.

Es ist ohne weiteres einzusehen, daß der Trägerunterbau 61 die genaue Größe und Form des Trägers vorgibt, wie er insgesamt gestaltet werden soll. Bei einer bewährten Ausführungsform wurde der Trägerunterbau 61 aus thermoplastischem Material der Etherketon-Familie hergestellt, z. B. aus PEEK, PAEK, PEKK und PEK.

Andere Materialien können zur Herstellung des Unterbaus 61 eingesetzt werden, und zu diesen gehören auch Stahl und Legierungen oder andere mehrdimensionsstabile Metalle. Es können aber auch weniger teure Materialien wie Polycarbonat, Polypropylen, Polyethylen, ABS oder dergleichen, eingesetzt werden.

Das Material, in dem Diamantüberzug, kann beschrieben werden als Diamant, polykristalliner Diamant, diamantähnlicher Kohlenstoff, amorpher Diamant, hydrierter, diamantähnlicher Kohlenstoff, einzelkristalliner heteroepitaxialer Diamant. Bei diesen Diamantüberzügen oder diamantentsprechenden Über­ zügen, ist die Mehrzahl der Kohlenstoffatome diamantge­ bunden. Als Ergebnis entsteht ein harter, nahezu perfekter und chemisch widerstandsfähiger Überzug, der einen niedrigen Neigungskoeffizienten aufweist und nahezu undurchdringlich für flüssige und gasförmige Reagenzien ist. Der Überzug 62 wird durch einen chemischen Dampfauftrag (CVD) übertragen, obwohl andere Übertragungsverfahren, die sich mehr oder weniger stark unterscheiden, eingesetzt werden können.

Vorzugsweise handelt es sich bei dem chemischen Dampfauftrag zur Übertragung des Diamantauszuges um eine Ionenstrahltechnik. Die Ionenquelle, bei der es sich vorzugsweise um eine 30 cm-Durchmesser-Ionenquelle mit Extraktionsgittern, maskiert auf 10 cm im Durchmesser, handelt, wird benutzt, um den Diamantkohlenstoff-Film direkt aufzutragen. Die Ionenquelle verwendet Argongas in einer hohlen Kathode, die in der Hauptentladungskammer ebenso wie in der Neutralisationsvorrichtung angeordnet ist. Nachdem eine Entladung zwischen Kathode und Anode aufgebaut ist, wird Methan (CH₄) durch eine Leitung in die Entladungskammer eingeführt. Hierbei beträgt das Molverhältnis Methan zu Argon 0,28. Dieses Verhältnis hat sich als besonders geeignet zur Erzeugung eines Films unter einem Satz von Bedingungen herausgestellt. Bei diesem Verfahren ist die gesamte Ionenstrahlenergie die Summe der Entladungsspannung und der Schirmgitterspannung, und sie liegt bei ungefähr 100 eV. Typische Stromdichte bei diesen Bedingungen ist 1 ma/cm² bei einem Abstand von 2,5 cm in axialer Richtung stromabwärts der Gitter. Unter diesen Bedingungen werden die Filme aufgetragen und abgelagert, wie es erwünscht wird.

Eine etwas andere Technik, die zum Beschichten größerer Bereiche verwendet wurde, ist ein Glühfaden- oder Glühdraht-CDV-Verfahren, bei dem das Gas thermisch durch einen feuerfesten Metallfaden oder Draht aktiviert wird, der auf 1800 bis 2300°C aufgeheizt wird. Andere Verfahren verwenden Plasma, das durch zugeführtes Gas aktiviert wird (PACVD), wobei das Basis-CVD-Verfahren ausgedehnt wurde auf Hochdruckgasentladung, um die Wachstumsgeschwindigkeit des Diamantfilms zu erhöhen.

Ursprünglich überflutet das CVD-Verfahren Methan- und Wasser­ stoffgas mit Mikrowellen, bis eine Umwandlung in ein Plasma bei 1100°C erfolgt. Der Kohlenstoff von dem Methan wird auf einem Substrat abgelagert, wohingegen der Wasserstoff den Kohlenstoff daran hindert, von dem Diamantaufbau in den Graphitaufbau zurückzufallen. In einigen Fällen können die Reaktionskammertemperaturen unter 250° fallen, wenn Halo­ kohlenstoffe, wie Kohlenstofftetrafluorid anstelle von Hydrokohlenstoffausgangsmaterial, wie Methan, verwendet wird. In neuerer Zeit ist der Ionenstrahl durch Mikrowellen­ entladung ersetzt worden. Auch wurden Plasmabrenner, Glüh­ drähte und sogar Lichtbogenbrenner durch Mikrowellen­ entladung ersetzt.

Die sich hieraus ergebenen diamantüberzogenen Träger weisen eine Anzahl von Vorteilen auf. Der Diamantüberzug ist chemisch widerstandsfähig gegen Chemikalien, die in der Halbleiterindustrie zur Herstellung von Wafern eingesetzt werden, wobei eine große Reinheit vorhanden ist. Der Überzug wird nicht angegriffen, verschlechtert oder durch Chemi­ kalien gelöst, die in der Halbleiterindustrie angetroffen werden. Der Überzug besteht aus Kohlenstoff oder aus Kohlen­ stoff und Wasserstoff und es treten keine Verunreinigungen bei der Behandlung der Wafer auf.

Der Diamantüberzug auf dem Unterbau der Träger ist undurchlässig. Da der Überzug entsprechend dicht ist, werden keine Chemikalien aufgenommen, und es treten keine Probleme durch Übertragung von Chemikalien auf. Da der Überzug nicht durchlässig ist, wird auch der Trägerunterbau von Angriffen durch Chemikalien geschützt. Da der Diamantüberzug undurchlässig ist, hindert er organische Bestandteile, aus dem Unterbau aus und in die behandelten Wafer einzutreten.

Weiterhin ist der Diamantüberzug dimensionsstabil, bei hohen und bei niedrigen Temperaturen. Der Überzug ist stabil bis 400°C, so daß der Trägerunterbau, aus dimensionsstabilem Material wie PEEK, PAEK, PEKK und PEK oder sogar aus Metall bestehen kann. Der Träger weist eine gute Formbeständigkeit bei Umgebungstemperaturen bis zu 400°C auf, wenn entsprechende Materialien für den Unterbau 61 verwendet werden. Wie bereits dargestellt, kann dieser Temperaturbereich bei der Behandlung der Wafer eingesetzt werden, sowohl während der chemischen Behandlung als auch bei der Behandlung von Photoresist.

Natürlich können auch weniger teure Materialien wie Polycarbonat, Polypropylen, Poylethylen, ABS und dergleichen, zur Herstellung des innenliegenden Trägerunterbaus 61 eingesetzt werden, wenn ein preiswerter Niedrigtemperaturträger gewünscht wird.

Der Überzug 62 auf dem Trägerunterbau hat bei typischen Beispielen eine Stärke von 0,05 bis 1,5 µm.

Claims (14)

1. Träger für Wafer, Halbleiterplättchen oder ähnliche scheibenförmigen Gegenstände, mit einem Trägerunterbau, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest auf einem Abschnitt des Unterbaus (61) ein Diamantüberzug (62) vorgesehen ist.

2. Träger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Diamantüberzug auf den entsprechenden Abschnitten des Trägerunterbaus haftet oder klebt.

3. Träger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Diamantüberzug mit Hilfe eines chemischen Dampfauftrags übertragen wird.

4. Träger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Trägerunterbau aus einem Material besteht, das sich von dem Diamantüberzug unterscheidet.

5. Träger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Trägerunterbau aus einem Material besteht, der eine Dimensionsstabilität innerhalb des Temperaturbereiches aufweist, dem das Trägermaterial während der Herstellung oder Behandlung der Wafer ausgesetzt wird.

6. Träger nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Trägerunterbau aus einem hochtemperaturbeständigen Material mit geringem Ausdehnungskoeffizienten innerhalb eines Temperaturbereiches, dem der Träger während der Behandlung der Wafer ausgesetzt wird, besteht.

7. Träger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Trägerunterbau ein Thermoplast aus der Etherketon- Familie ist.

8. Träger nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Unterbau aus einem Material besteht, das aus einer Gruppe von Materialien ausgewählt ist, zu denen die Polyetheretherketone, die Polyarylenetherketone, die Polyetherketoneketone und die Polyetherketone gehören.

9. Träger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Unterbau aus einem temperaturaushärtenden Material besteht.

10. Träger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Unterbau aus einem Material besteht, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, zu der Stahl, Polycarbonat, PES, Polypropylen, Polyethylen und ABS gehört.

11. Träger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Diamantüberzug aus einem Überzugsmaterial besteht, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, zu der folgende Materialien gehören: Diamant, polykristalliner Diamant, diamantgleicher Kohlenstoff, amorpher Diamant, hydrierter, diamantgleicher Kohlenstoff und Einzelkristall-heteroepitaxialer Diamant.

12. Träger nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Unterbau aus mehr als einem Material besteht.

13. Träger nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß der Unterbau eine Matrix aus einem Material und zufälligen Bruchstücken eines anderen, darin eingebetteten Materiales bildet.

14. Träger nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß der Unterbau Einsätze aus einem Material aufweist, und innerhalb von umhüllten Abschnitten eines anderen Materiales enthalten ist.