DE10149037A1

DE10149037A1 - Waferhorde und Verfahren

Info

Publication number: DE10149037A1
Application number: DE2001149037
Authority: DE
Inventors: Josef Unterweger; Andreas Sumper
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2001-10-05
Filing date: 2001-10-05
Publication date: 2003-04-24

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Waferhorde zur Aufnahme und Transport von Wafern zur halbleitertechnologischen Prozessierung, mit zwei durch Querstege voneinander beabstandete und zueinander ausgerichtete, entsprechend der Anzahl der vorgesehenen Wafer an sich gegenüberliegenden Seiten mit senkrechten, äquidistanten Schlitzen versehene Gehäuseplatten, bei der die Bereiche zwischen den Querstegen zur besseren Durchflutung eines Innenbereichs der Waferhorde mit einem Prozessmedium frei sind. Die Erfindung betrifft ferner ein Umhordeverfahren.

Description

Die Erfindung betrifft eine Waferhorde der im Oberbegriff des Anspruchs 1 genannten Art sowie ein Umhordeverfahren.

Bei der halbleitertechnologischen Prozessierung von Wafern - beispielsweise in Implantationsanlagen, Sputteranlagen, Lithographieanlagen, nasschemischen Anlagen, etc. - werden eine Vielzahl von Wafern in einer eigens dafür vorgesehenen Waferhorde aufbewahrt und transportiert. Eine solche Waferhorde ist beispielsweise in den deutschen Gebrauchsmustern G 680 29 074 U1 und G 93 14 849 U1 beschrieben. Eine solche Waferhorde weist ein Gehäuse mit einer nach oben hin offenen Ausnehmung auf. Das Gehäuse der Waferhorde besteht aus zwei durch stirn- und rückseitige Begrenzungsplatten miteinander verbundene, geschlitzte Verbindungsteilen. Die üblicherweise verwendeten Waferhorden weisen eine standardmäßige Gehäuseform auf, d. h. sie sind zur Aufnahme von 25 einzelnen Wafern ausgelegt. Die für einen jeweiligen Wafer vorgesehenen Schlitze (Slots) weisen einen standardmäßigen Schlitzabstand von 3/16 Zoll (etwa 4,5 mm) auf. Derartige Standard-Waferhorden haben sich bislang bewährt und ermöglichen eine optimale, d. h. weitestgehend rückstandsfreie Prozessierbarkeit bei nasschemischen Ätz- und Reinigungsprozessen sowie bei der Trocknung von Wafern.

Mithin besteht jedoch der Bedarf, ohne nennenswerten Equipmentmehraufwand - z. B. durch Bereitstellen zusätzlicher Ätz-, Reinigungs- und Trocknungsapparate - einen höheren Durchsatz der zu prozessierenden Wafer und somit eine Kapazitätserhöhung zu erreichen. Hierzu könnten beispielsweise die Slotabstände einer Waferhorde verringert werden. Jedoch können die Slotabstände zur Kapazitätserhöhung nicht beliebig verringert werden, da mit einer Verringerung der Slotabstände die gleichmäßige Prozessierbarkeit - beispielsweise beim nasschemischen Ätzen, Spülen und Trocknen - zunehmend problematisch wird. Dies liegt daran, dass das Prozessmedium bei sehr engen Slotabständen innerhalb der Standard-Waferhorden nicht mehr ausreichend zirkuliert.

Problematisch ist eine Verringerung der Slotabstände insbesondere beim Ätzen mit verdünnter Phosphorsäure. Verdünnte Phosphorsäure besteht aus einer Lösungsflüssigkeit, sowie konzentrierter Phosphorsäure. Da Phosphorsäure sehr viel schwerer ist als die Lösungsflüssigkeit, sinkt sie bei nicht ausreichender Zirkulation naturgemäß im Ätzbecken ab. Konzentrierte Phosphorsäure benetzt zudem die Oberflächen eines Wafers nur sehr schwer. Bei einer Verringerung der Slotabstände bei herkömmlichen Waferhorden führt dies zu einer geringeren Benetzung und Ätzung der Waferoberflächen im Waferzentrum gegenüber dem Waferrand. Eine gleichmäßige Prozessierung der Waferoberflächen wird dadurch nicht mehr gewährleistet. Das gleiche Problem ergibt sich - wenngleich nicht so gravierend - beim Reinigen und Trocknen der Wafer. Insbesondere beim Trocknungsprozess trocknen die inneren Bereiche der Wafer sehr viel langsamer als die äußeren Bereiche.

Aus all den genannten Gründen hat sich eine weitere Verringerung der Slotabstände und somit eine Erhöhung der aufnehmbaren Waferanzahl bei Standard-Waferhorden nicht bewährt und würde aus diesen Gründen auch nicht vorgenommen.

Ausgehend davon liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine Waferhorde anzugeben, mittels der eine Kapazitätserhöhung und zudem eine möglichst gleichmäßige Prozessierung der Wafer möglich ist. Ferner soll ein Umhordeverfahren für solche Waferhorden angegeben werden.

Die anordnungsbezogene Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Waferhorde mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst. Demgemäß ist eine gattungsgemäße Waferhorde vorgesehen, bei der die Bereiche zwischen den Querstegen zur besseren Durchflutung eines Innenbereichs der Waferhorde mit einem Prozessmedium frei sind.

Die verfahrensbezogene Aufgabe wird durch ein Umhordeverfahren mit den Merkmalen des Patentanspruchs 10 gelöst. Demgemäß ist ein Verfahren zum Umhorden einer Vielzahl von Wafern einer Waferhorde in eine andere Waferhorde zum Zwecke der halbleitertechnischen Prozessierung der Wafer vorgesehen, welches die folgenden Verfahrensschritte aufweist:

A) Eine erste und mindestens eine zweite Waferhorde mit normalen Schlitzabständen sowie eine dritte Waferhorde nach einem der vorstehenden Ansprüchen mit verdichteten Schlitzabständen werden bereitgestellt;
B) Mittels einer Umhordevorrichtung werden die Wafer der ersten und der zweiten Waferhorden in die dritte Waferhorde befördert;
C) Die Wafer der dritten Waferhorde werden anschließend in einem Flüssigkeitsbecken nasschemisch prozessiert.

Vorteilhafte Ausgestaltung und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den weiteren Unteransprüchen sowie der Beschreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnung.

Die Waferhorde mit verdichtetem Slotabstand ist erfindungsgemäß so ausgestaltet, dass sie einerseits die Wafer in einer sicheren Position zueinander hält und andererseits für die Prozessierung der Wafer ausreichend freie Waferfläche bietet, so dass ein weitestgehend gleichmäßiges Prozessieren, d. h. nasschemisches Ätzen, Spülen und Trocknen, der in den verdichteten Schlitzen angeordneten Wafer möglich ist. Zu diesem Zweck besteht das Gehäuse der Waferhorde im wesentlichen aus den die Schlitze enthaltenden, parallel zueinander angeordneten Gehäuseplatten. Die übrigen Bereiche des Gehäuses sind vorteilhafterweise (zumindest teilweise) frei und ermöglichen somit eine optimale Durchflutung des Innenraums der Waferhorde mit dem Prozessmedium. Zur Stabilisierung und zur Ausrichtung der parallelen Gehäuseplatten sind lediglich Querstege bzw. Querstäbe zwischen den Gehäuseplatten angeordnet, die jedoch die Durchflutung des Gehäuseinneren durch das Prozessmedium gar nicht oder nur unwesentlich verringern.

Der besondere Vorteil der Erfindung besteht insbesondere darin, dass mit demselben Prozessequipement ohne Modifizierung desselben eine signifikante Kapazitätserhöhung und zudem eine Zeitersparnis ermöglicht wird. Beispielsweise wird bei einer Verdichtung der Slotabstände auf den halben Abstand eine Kapazitätserhöhung um den Faktor 2 möglich. Damit können beispielsweise bei einem Flüssigkeitsbecken, welches zur Aufnahme von maximal vier herkömmlichen Waferhorden á 25 Wafer ausgelegt ist, statt der pro Prozessiervorgang prozessierbaren 100 Wafer nunmehr 200 Wafer prozessiert werden.

Eine Ätzflüssigkeit weist typischerweise eine maximale Lebensdauer auf, bei deren Erreichen sie ausgetauscht werden muss. Bei verdünnter Phosphorsäure beträgt die Lebensdauer beispielsweise 144 Stunden. Unter Verwendung erfindungsgemäßer Waferhorden kann der doppelte Waferdurchsatz mit demselben Flüssigkeitsbad erreicht werden, was somit zu einer Säureeinsparung von 100% führt.

Unter Berücksichtigung einer signifikanten Zeitersparnis und Säureersparnis bei der Prozessierung von in erfindungsgemäßen Wäferhorden angeordneten Wafern lassen sich diese auch kostengünstiger bearbeiten.

In einer typischen Ausgestaltung weisen erfindungsgemäße Waferhorden gegenüber Standard-Waferhorden (Schlitzabstand 3/16 Zoll) einen halben Schlitzabstand, d. h. 3/32 Zoll (= 24 mm), auf. Eine weitere Verringerung der Slotabstände wäre zwar denkbar, jedoch würde sich insbesondere bei sehr großen Waferdurchmessern die gleichmäßige Prozessierbarkeit der Wafer dadurch verringern. Darüber hinaus wäre es selbstverständlich auch denkbar, den Schlitzabstand im Bereich zwischen 3/16 und 3/32 Zoll zu wählen. Der jeweils geeignete Schlitzabstand hängt typischerweise von dem Waferdurchmesser sowie der zu prozessierenden Flüssigkeit ab. In einer vorteilhaften Ausgestaltung weisen die erfindungsgemäßen Waferhorden zwar die Form von herkömmlichen Standard-Waferhorden á 25 Wafer auf, jedoch sind sie zur Aufnahme von 50 Wafern ausgelegt.

In einer sehr vorteilhaften Weiterbildung weisen die Schlitze in einem Bereich, in dem die Wafer im eingeführten Zustand angeordnet sind, eine radiale Ausformung auf. Unter einer radialen Ausformung ist eine verringerte Schlitztiefe gegenüber den Bereichen außerhalb dieser radialen Ausformung zu verstehen. Darüber hinaus ist die Form der radialen Ausformungen an die Form eines in diesem Bereich eingeführten Wafers angepasst, d. h. der Wafer weist an seiner Außenflanke eine konvexe Form auf und die entsprechende radiale Ausformung weist eine entsprechende konkave Form auf. Im eingeführten Zustand des Wafers bilden diese konvexen und konkaven Formen Kreisbögen, die im wesentlichen denselben Mittelpunkt aufweisen. Durch die radialen Ausformung der Schlitze im Bereich der Waferendposition lassen sich Benetzungsfehler wie z. B. Ätzrückstände weitestgehend vermeiden. Insbesondere wird dadurch gewährleistet, dass der Wafer auch an den seitlichen Rändern optimal prozessiert wird.

In einer ebenfalls sehr vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung weist eine Gehäuseplatte ein offenes Fenster an der Gehäusewand auf, welches sich vorteilhafterweise über die gesamte Breite, in der Schlitze vorgesehen sind und somit Wafer angeordnet sein können, erstreckt. Dieses offene Fenster ermöglicht eine optimale Durchflutung mit dem Prozessmedium auch von der Seite der Gehäuseplatte her. Unter dem Prozessmedium ist beim nasschemischen Ätzen die entsprechende Ätzflüssigkeit und beim Spülen die entsprechende Spülflüssigkeit zu verstehen. Darüber hinaus kann als Prozessmedium beispielsweise auch ein Gas, wie z. B. Luft oder Stickstoff, das beispielsweise beim Trocknen der Wafer verwendet wird, verstanden werden.

Im unteren Bereich einer Gehäuseplatte ist vorteilhafterweise ein Waferzentriersteg vorgesehen, der typischerweise eine Vielzahl von Schlitzen aufweist. Der Waferzentriersteg gewährleistet, dass die Wafer beim Einführen in die Schlitze innerhalb der Schlitze zentriert und somit fixiert werden. Dies kann dadurch geschehen, dass die Schlitze des Waferzentriersteges lateral zu den Schlitzen in den Gehäuseplatten versetzt sind. Ein Wafer wird somit gewissermaßen zwischen einem Schlitz des Waferzentriersteges und einem Schlitzen in der Gehäuseplatte eingeklemmt. Dieses Zentrieren garantiert identische Waferabstände und damit eine weitestgehend einheitliche Prozessierung der Wafer.

In einer typischen Ausgestaltung weisen die Gehäusewände, insbesondere in den Bereichen außerhalb der Schlitze, eine möglichst glatte Oberfläche auf, die somit eine optimale Zirkulation bzw. Durchflutung des Prozessmediums sicher stellt.

In einer sehr vorteilhaften Ausgestaltung besteht die Waferhorde zumindest teilweise aus Polyetheretherketon (PEEK). Als Material der erfindungsgemäßen Waferhorden weist PEEK vorteilhafterweise eine sehr hohe Gebrauchstemperatur bis 240°C auf. Dies ist dann von Vorteil, wenn als Prozessmedium beispielsweise 150°C heiße Phosphorsäure verwendet wird, da PEEK-Waferhorden auch bei den genannt hohen Temperaturen formstabil bleibt. Zudem entstehen bei der Phosphorsäurenätzung keine Blasen an den Oberflächen der Waferhorde, was beispielsweise im Randbereich eines Wafers zu unerwünschten Oxidresten führen könnte. Darüber hinaus sind die PEEK- Waferhorden für alle nasschemischen Prozesse - mit Ausnahme einer 98%-igen Schwefelsäure - geeignet und können in allen Fertigungsbereichen eingesetzt werden. PEEK-Material weist somit eine ausgezeichnete chemische und Hydrolysebeständigkeit auf. Ein besonderer Vorteil für die Verwendung von Polyetheretherketon für Waferhorden liegt in seiner hohen mechanischen Festigkeit und somit in seiner mechanisch sehr präzisen Bearbeitbarkeit. Dies ist insbesondere für eine kostengünstige Herstellung der erfindungsgemäßen Waferhorden elementar, da hier gewährleistet sein muss, dass die Schlitzabstände mit hoher Genauigkeit, jedoch nichts desto Trotz möglichst kostengünstig herstellbar sind. Dies ist mit dem erfindungsgemäßen PEEK-Material möglich. Alternativ wäre auch denkbar, Polytetrafluorethylen (PTFE, Teflon) oder Perfluoralkoxy (PFA) als Material für die erfindungsgemäßen Waferhorden zu verwenden, jedoch weisen diese nicht so gute mechanische Eigenschaften auf wie PEEK-Material.

Um die erfindungsgemäßen Waferhorden zu prozessieren, müssen die einzelnen Wafer zunächst aus Standard-Waferhorden mit beispielsweise 25 Wafern umgehordet werden. Bei Bereitstellung einer erfindungsgemäßen Waferhorde mit halbierten Slotabständen wird zu diesem Zwecke eine Umhordevorrichtung bereitgestellt, die die Wafer aus mindestens zwei herkömmlichen Waferhorden entnimmt und die erfindungsgemäße Waferhorde mit diesen Wafern bestückt. Anschließend kann die erfindungsgemäße Waferhorde dann prozessiert werden. Im Anschluss an die Prozessierung können die Wafer aus der erfindungsgemäßen Waferhorde wieder in die dafür bereitgestellten, herkömmlichen Waferhorden umgehordet werden. Der Vorteil dieses Umhordeverfahrens besteht darin, dass ein einzelner Umhordevorgang unter Zuhilfenahme einer vorteilhafterweise automatisierten Umhordevorrichtung sehr wenig Zeit, beispielsweise etwa 30 Sekunden, beansprucht. Ein Ätzprozess, dem sich anschließend ein Spülprozess und Trocknungsprozess anschließt, dauert demgegenüber sehr viel länger, beispielsweise einige Minuten bis zu 30 Minuten. Somit lässt sich mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens sowie unter Zuhilfenahme der erfindungsgemäßen Waferhorden eine signifikante Zeitersparnis bei der halbleitertechnologischen Prozessierung erreichen.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand der in den Figuren der Zeichnung angegebenen Ausführungsbeispiele näher erläutert.
Es zeigt dabei:
Fig. 1 eine perspektivische Ansicht einer erfindungsgemäßen Waferhorde;
Fig. 2 eine Innenansicht einer Gehäuseplatte der erfindungsgemäßen Waferhorde entsprechend Fig. 1;
Fig. 3 eine Querschnittsdarstellung der Gehäuseplatte entsprechend Fig. 2 entlang der Linie B-B sowie ein Detail dieser Querschnittsdarstellung;
Fig. 4 eine Querschnittsdarstellung der Gehäuseplatte entsprechend Fig. 2 entlang der Linie A-A.
In den nachfolgenden Figuren sind - sofern nichts anderes angegeben ist - gleiche oder funktionsgleiche Elemente und Teile mit gleichen Bezugszeichen bezeichnet worden.
Fig. 1 zeigt in einer perspektivischen Ansicht eine erfindungsgemäße, mit Bezugszeichen 1 versehene Waferhorde. Die Waferhorde 1 besteht aus zwei im wesentlichen parallelen Gehäuseplatten 2. Zwischen den Gehäuseplatten 2 sind vier Querstäbe 3 angeordnet, mittels der die beiden Gehäuseplatten 2 voneinander beabstandet und zueinander ausgerichtet sind. Die erfindungsgemäße Waferhorde 1 weist somit zwei Außenwände 14, die von den Gehäuseplatten 2 gebildet werden, auf, wohingegen die vier übrigen Seiten der Waferhorde 1, d. h. die Bereiche zwischen den Querstäben 3, im wesentlichen frei bleiben. Die Waferhorde 1 ist somit von diesen freien Seiten her mit einem Prozessmedium durchflutbar. Die Querstäbe 3 dienen ferner dem Handling der Waferhorde 1, beispielsweise bei der Handhabung und beim Transport. Die Gehäuseplatten 2 weisen darüber hinaus ein durchgehend offenes Fenster 4 auf. Das offene Fenster 4 erstreckt sich über nahezu die gesamte Breite der Gehäuseplatte 2 und ermöglicht somit eine Durchflutung des Innenbereichs 5 der Waferhorde 1 auch von der Seite der Gehäuseplatten 2 her.
Eine Gehäuseplatte 2 weist auf der in den Innenbereich 5 gerichteten Oberfläche eine Vielzahl von Schlitzen 6 auf. Die Schlitze 6 sind in äquidistantem Abstand zueinander angeordnet und dienen der Aufnahme von in Fig. 1 nicht dargestellten Wafern. Zu diesem Zwecke müssen die gegenüber liegenden Schlitze 6 der beiden Platten 2 aufeinander ausgerichtet sein. Die Schlitze 6 sind vertikal und parallel zueinander in die Innenwand 5 der jeweiligen Gehäuseplatte 2 eingebracht.
In einem oberen Bereich weisen die Schlitze 6 eine erste Schlitztiefe t1 auf. In einem unteren Bereich 9 weisen die Schlitze 6 eine radiale Ausformung 9 auf, bei der die Schlitze 6 eine geringere Schlitztiefe t2 < t1 aufweist (siehe Fig. 3). Im Bereich dieser radialen Ausformung 9 sind die Schlitze 6 konkav derart ausgebildet, dass die Schlitzform und Schlitztiefen t2 an die konvexe Randform eines Wafers sowie die jeweilige Wafergröße, für die die Waferhorde 1 ausgelegt ist, angepasst ist (siehe Fig. 4).
Eine Gehäuseplatte 2 weist ferner einen Waferzentriersteg 10 auf. Der Waferzentriersteg 10 besteht aus einer Vielzahl weiterer Schlitze 11, deren Anzahl im wesentlichen der Anzahl der Schlitze 6 entspricht. Im vorliegenden Fall ist der Waferzentriersteg 10 unterhalb der Schlitze 6 und auch unterhalb des offenen Fensters 4 in der Gehäuseplatte 2 vorgesehen.
Eine Gehäuseplatte 2 weist ferner in ihrem unteren Bereich senkrechte Stege 12 zur Fixierung der Waferhorde 1 in einer Halbleiterfertigungsanlage oder in einem Behälter zur Aufnahme der Waferhorde 1 auf. Der Steg 12 erstreckt sich im vorliegenden Fall über die gesamte Breite der Gehäuseplatte 2. An der Unterkante des Steges 12 ist ferner eine Ausnehmung 13vorgesehen, die der Fixierung sowie der Zentrierung der Waferhorde 1 dient.
Anhand der Fig. 2 bis 4 wird nachfolgend die erfindungsgemäße Ausgestaltung der Schlitze 6,11 innerhalb einer Gehäuseplatte 2 näher erläutert. Die Werte für Schlitzabstand, Schlitztiefen und dergleichen entsprechen einer vorteilhaften Ausgestaltung einer erfindungsgemäßen Waferhorde 1, die zur Aufnahme von 50 6-Zoll Wafern ausgelegt ist. Zu diesem Zwecke wurde der Schlitzabstand a gegenüber herkömmlichen Waferhorden, die bekanntlich einen typischen Schlitzabstand von a = 3/16 Zoll (etwa 4,76 mm) aufweisen, halbiert. Der Schlitzabstand beträgt im vorliegenden Ausführungsbeispiel somit a = 3/32 Zoll (etwa 2,38 mm) (siehe Fig. 3).
Die Gehäuseplatte 2 weist keine durchgehende Fläche auf, sondern sie ist im unteren Bereich 15 gegenüber dem oberen Bereich 16 nach innen versetzt (siehe Fig. 4). Die Schlitze 6 befinden sich dabei im oberen Bereich 16, wohingegen die Zentrierschlitze 11 bzw. der Waferzentriersteg 10 sich im unteren, leicht nach innen versetzten Bereich 15 befinden. Die Zentrierschlitze 11 sind darüber hinaus lateral geringfügig zu den Schlitzen 6 versetzt (siehe Fig. 3, Detail). Auf diese Weise wird gewährleistet, dass ein in die Schlitze 6 eingeführter Wafer quasi zwischen Schlitzen 6 und Zentnerschlitzen 11 eingeklemmt und somit fixiert wird. Mithin wird dadurch auch gewährleistet, dass die Vielzahl der in der Waferhorde 1 angeordneten Wafer weitestgehend parallel zueinander angeordnet sind.
Fig. 3 zeigt auch die radiale Ausformung 9 der Schlitze 6. Im oberen Bereich, d. h. im Bereich 8 außerhalb der radialen Ausformung 9, weisen die Schlitze 6 eine Schlitztiefe t1 = 6 mm auf. Im Bereich der radialen Ausformung 9 ist die Schlitztiefe t2 ≥ 3 mm. Die radialen Ausformungen 9 der Schlitze 6 sind derart an die Außenkontur der Wafer angepasst, dass beim Einführen eines Wafers in einen Schlitz 6 dieser in seiner Endposition in etwa denselben Mittelpunkt 17 wie die radiale Ausformung 9 aufweist.
Zusammenfassend kann festgestellt werden, dass durch Verringerung des Slotabstandes bei Waferhorden auf sehr einfache, jedoch nichts desto trotz sehr effektive Weise eine Kapazitätserhöhung und eine damit einhergehende Zeitersparnis und Equipementeinsparung bei der Prozessierung von Wafern realisiert werden kann, ohne dass die Nachteile (ungleichmäßige Prozessierung, Reinigung, Benetzung, geringere Kapazität) von Anordnungen nach dem Stand der Technik in Kauf genommen werden müssen.
Die Erfindung sei nicht ausschließlich auf das Ausführungsbeispiel der Fig. 1 bis 4 beschränkt. Vielmehr lässt sich die Erfindung durch konstruktive Umgestaltung, beispielsweise durch Variation der Schlitzform, der Gehäuseplatten, der Querstäbe, der radialen Ausformung und dergleichen im Rahmen des fachmännischen Handelns und Wissens in geeigneter Weise in mannigfaltigen Ausführungsformen und Abwandlungen realisieren. Bezugszeichenliste a Schlitzabstand
t1 erste Schlitztiefe
t2 zweite Schlitztiefe
1 Waferhorde
2 Gehäuseplatten
3 Querstäben/-stege
4 offenes Fenster
5 Innenbereich einer Waferhorde
6 (verdichtete) Schlitze
7 Innenwände
8 Bereiche
9 radiale Ausformungen der Schlitze
10 Waferzentriersteg
11 weitere Schlitze, Zentrierschlitze
12 Stege
13 Ausnehmungen
14 Außenwände
15 unterer Bereich der Gehäuseplatte
16 oberer Bereich der Gehäuseplatte
17 Mittelpunkt

Claims

1. Waferhorde (1) zur Aufnahme und Transport von Wafern zur halbleitertechnologischen Prozessierung, mit zwei durch Querstege (3) voneinander beabstandete und zueinander ausgerichtete, entsprechend der Anzahl der vorgesehenen Wafer an sich gegenüberliegenden Seiten mit senkrechten, äquidistanten Schlitzen (6) versehene Gehäuseplatten (2), dadurch gekennzeichnet, dass die Bereiche zwischen den Querstegen (3) zur besseren Durchflutung eines Innenbereichs (5) der Waferhorde (1) mit einem Prozessmedium frei sind.

2. Waferhorde nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Schlitze (6) einen Schlitzabstand (a) von etwa 3/32 Zoll (24 mm) aufweisen.

3. Waferhorde nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Waferhorde (1) die Abmessungen einer Standard- Waferhorde aufweist und zur Aufnahme von mindestens 50 Wafern ausgelegt ist.

4. Waferhorde nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Schlitze (6) radiale Ausformungen (9) in einem ersten Bereich (9) der Gehäuseplatten (2), in dem die Wafer im eingeführten Zustand innerhalb der Schlitze (6) angeordnet sind, derart aufweisen, dass in dem ersten Bereich (9) die Schlitze (6) eine gegenüber den übrigen Bereichen (8) geringere Schlitztiefe (t2) aufweisen und die Schlitztiefe (t2) in dem ersten Bereich (9) an die Formate der jeweils eingeführten Wafer, für die die Waferhorde (1) ausgelegt ist, angepasst ist.

5. Waferhorde nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass eine Schlitztiefe (t1) in den übrigen Bereichen (8) kleiner 6 mm, insbesondere kleiner 4 mm, ist.

6. Waferhorde nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Gehäuseplatte (2) ein durchgehend offenes Fenster (4) aufweist.

7. Waferhorde nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in einem unteren Bereich (15) der Gehäuseplatte (2) ein Waferzentriersteg (10) vorgesehen ist, der die Wafer beim Einführen in die Schlitze (6) innerhalb dieser Schlitze (6) zentriert bzw. fixiert.

8. Waferhorde nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Gehäuseplatten (2) in den Bereichen außerhalb der Schlitze (6, 11) eine glatte Oberfläche aufweisen.

9. Waferhorde nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Waferhorde (1) zumindest teilweise aus Polyetheretherketon (PEEK) besteht.

10. Verfahren zum Umhorden einer Vielzahl von Wafern einer Waferhorde in eine andere Waferhorde zur halbleitertechnologischen Prozessierung der Wafer, gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte:

A) Eine erste und mindestens eine zweite Waferhorde mit standardmäßigen Schlitzabständen. sowie eine dritte Waferhorde (1) nach einem der vorstehenden Ansprüchen mit verdichteten Schlitzabständen (a) werden bereitgestellt;

B) Mittels einer Umhordevorrichtung werden die Wafer der ersten und zweiten Waferhorden in die dritte Waferhorde (1) befördert;

C) Die Wafer der dritten Waferhorde (1) werden anschließend in einem Flüssigkeitsbecken nasschemisch prozessiert.

11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet,

A) dass nach dem Prozessieren der Wafer diese mittels der Umhordevorrichtung wieder von der dritten Waferhorde (1) in die erste und mindestens eine zweite Waferhorde transportiert werden.