DE4221431A1 - Herstellverfahren für einen Schlüsselkondensator - Google Patents

Herstellverfahren für einen Schlüsselkondensator

Info

Publication number
DE4221431A1
DE4221431A1 DE4221431A DE4221431A DE4221431A1 DE 4221431 A1 DE4221431 A1 DE 4221431A1 DE 4221431 A DE4221431 A DE 4221431A DE 4221431 A DE4221431 A DE 4221431A DE 4221431 A1 DE4221431 A1 DE 4221431A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
capacitor
bowl
auxiliary layer
hole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE4221431A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Stephan Dipl Phys Auer
Armin Dr Rer Nat Kohlhase
Hanno Dipl Phys Melzner
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE4221431A priority Critical patent/DE4221431A1/de
Priority to TW082104683A priority patent/TW230844B/zh
Priority to JP6501947A priority patent/JPH07508136A/ja
Priority to PCT/DE1993/000551 priority patent/WO1994000874A1/de
Priority to EP93912618A priority patent/EP0647356A1/de
Publication of DE4221431A1 publication Critical patent/DE4221431A1/de
Priority to KR1019940704838A priority patent/KR950702339A/ko
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40—Capacitors
    • H01L28/60—Electrodes
    • H01L28/82—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation
    • H01L28/90—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation having vertical extensions
    • H01L28/91—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation having vertical extensions made by depositing layers, e.g. by depositing alternating conductive and insulating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
    • H10B12/01—Manufacture or treatment
    • H10B12/02—Manufacture or treatment for one transistor one-capacitor [1T-1C] memory cells
    • H10B12/03—Making the capacitor or connections thereto
    • H10B12/033—Making the capacitor or connections thereto the capacitor extending over the transistor
    • H10B12/0335—Making a connection between the transistor and the capacitor, e.g. plug
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
    • H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
    • H10B12/31—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells having a storage electrode stacked over the transistor
    • H10B12/318—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells having a storage electrode stacked over the transistor the storage electrode having multiple segments

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
DE4221431A 1992-06-30 1992-06-30 Herstellverfahren für einen Schlüsselkondensator Withdrawn DE4221431A1 (de)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4221431A DE4221431A1 (de) 1992-06-30 1992-06-30 Herstellverfahren für einen Schlüsselkondensator
TW082104683A TW230844B (cs) 1992-06-30 1993-06-12
JP6501947A JPH07508136A (ja) 1992-06-30 1993-06-24 深皿形コンデンサの製造方法
PCT/DE1993/000551 WO1994000874A1 (de) 1992-06-30 1993-06-24 Herstellungsverfahren für einen schüsselkondensator
EP93912618A EP0647356A1 (de) 1992-06-30 1993-06-24 Herstellungsverfahren für einen schüsselkondensator
KR1019940704838A KR950702339A (ko) 1992-06-30 1994-12-30 크라운 캐패시터용 제조방법 및 장치(process for producing a dish capacitor)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4221431A DE4221431A1 (de) 1992-06-30 1992-06-30 Herstellverfahren für einen Schlüsselkondensator

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE4221431A1 true DE4221431A1 (de) 1994-01-05

Family

ID=6462140

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4221431A Withdrawn DE4221431A1 (de) 1992-06-30 1992-06-30 Herstellverfahren für einen Schlüsselkondensator

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP0647356A1 (cs)
JP (1) JPH07508136A (cs)
KR (1) KR950702339A (cs)
DE (1) DE4221431A1 (cs)
TW (1) TW230844B (cs)
WO (1) WO1994000874A1 (cs)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4221432A1 (de) * 1992-06-30 1994-01-05 Siemens Ag Globales Planarisierungsverfahren für integrierte Halbleiterschaltungen oder mikromechanische Bauteile
DE4442432A1 (de) * 1993-12-01 1995-06-08 Hyundai Electronics Ind Verfahren zum Herstellen von Kondensatoren in Halbleiterspeichervorrichtungen
WO1997013272A1 (en) * 1995-10-04 1997-04-10 Advanced Micro Devices, Inc. An efficient and economical method of planarization of multilevel metallization structures in integrated circuits using cmp
US5714779A (en) * 1992-06-30 1998-02-03 Siemens Aktiengesellschaft Semiconductor memory device having a transistor, a bit line, a word line and a stacked capacitor
DE19710961A1 (de) * 1997-03-07 1998-09-24 United Microelectronics Corp Polysilizium-CMP-Prozeß für DRAM-Zellen-Strukturen mit hoher Dichte
US5939747A (en) * 1996-11-13 1999-08-17 Oki Electric Industry Co., Ltd. Capacitor produced in a semiconductor device

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998028789A1 (fr) * 1996-12-20 1998-07-02 Hitachi, Ltd. Dispositif memoire a semi-conducteur et procede de fabrication associe

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2524862B2 (ja) * 1990-05-01 1996-08-14 三菱電機株式会社 半導体記憶装置およびその製造方法
US5162248A (en) * 1992-03-13 1992-11-10 Micron Technology, Inc. Optimized container stacked capacitor DRAM cell utilizing sacrificial oxide deposition and chemical mechanical polishing

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4221432A1 (de) * 1992-06-30 1994-01-05 Siemens Ag Globales Planarisierungsverfahren für integrierte Halbleiterschaltungen oder mikromechanische Bauteile
US5623164A (en) * 1992-06-30 1997-04-22 Siemens Aktiengesellschaft Integrated semiconductor circuit or micromechanical component and process therefore
US5714779A (en) * 1992-06-30 1998-02-03 Siemens Aktiengesellschaft Semiconductor memory device having a transistor, a bit line, a word line and a stacked capacitor
DE4442432A1 (de) * 1993-12-01 1995-06-08 Hyundai Electronics Ind Verfahren zum Herstellen von Kondensatoren in Halbleiterspeichervorrichtungen
DE4442432C2 (de) * 1993-12-01 2000-11-23 Hyundai Electronics Ind Verfahren zum Herstellen von Kondensatoren in Halbleiterspeichervorrichtungen
WO1997013272A1 (en) * 1995-10-04 1997-04-10 Advanced Micro Devices, Inc. An efficient and economical method of planarization of multilevel metallization structures in integrated circuits using cmp
US5840623A (en) * 1995-10-04 1998-11-24 Advanced Micro Devices, Inc. Efficient and economical method of planarization of multilevel metallization structures in integrated circuits using CMP
US5939747A (en) * 1996-11-13 1999-08-17 Oki Electric Industry Co., Ltd. Capacitor produced in a semiconductor device
DE19710961A1 (de) * 1997-03-07 1998-09-24 United Microelectronics Corp Polysilizium-CMP-Prozeß für DRAM-Zellen-Strukturen mit hoher Dichte
DE19710961C2 (de) * 1997-03-07 2002-02-28 United Microelectronics Corp Verfahren zum Herstellen einer Halbleitereinrichtung mit einem Kondensator

Also Published As

Publication number Publication date
WO1994000874A1 (de) 1994-01-06
EP0647356A1 (de) 1995-04-12
TW230844B (cs) 1994-09-21
KR950702339A (ko) 1995-06-19
JPH07508136A (ja) 1995-09-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10228118A1 (de) Ferroelektrische Speichervorrichtungen mit erweiterten Plattenleitungen und Herstellungsverfahren dafür
DE19935947A1 (de) Verfahren zum Ausbilden einer Mehrebenen-Zwischenverbindung in einem ferroelektrischen Speicherbauelement
DE19930295C2 (de) Säulenförmiger Speicherknoten eines Kondensators und Verfahren zur Herstellung desselben
DE19838741A1 (de) Kondensator und Verfahren zur Herstellung eines Kondensators
DE10236682A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE10302377B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit Metall-Isolator-Metall-Kondensatoren
DE4442432A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Kondensatoren in Halbleiterspeichervorrichtungen
EP0648374B1 (de) Planarisierungverfahren für integrierte halbleiterschaltungen
DE10053170C2 (de) Speicherkondensator und zugehörige Kontaktierungsstruktur sowie Verfahren zu deren Herstellung
DE4221431A1 (de) Herstellverfahren für einen Schlüsselkondensator
EP0647355B1 (de) Herstellungsverfahren fur eine halbleiterspeicheranordnung
DE4102184C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer DRAM-Zelle
DE4208129C2 (de) Halbleiterspeicherbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE10039185A1 (de) Halbleitervorrichtung mit einer Potentialsicherung, sowie Verfahren zu ihrer Herstellung
DE10057806B4 (de) Ferroelektrische Speicheranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE4430963B4 (de) Kondensator für einen dynamischen Direktzugriffspeicher sowie Verfahren zur Herstellung desselben
WO2001084605A1 (de) Verfahren zur herstellung von kondensatorstrukturen
EP1390978B1 (de) Halbleiterspeichereinrichtung sowie verfahren zu deren herstellung
DE10134101B4 (de) Integrierter Halbleiterspeicher und Herstellungsverfahren
DE102019118100A1 (de) VERFAHREN UND STRUKTUREN BEZÜGLICH VERBESSERTEN FERROELEKTRISCHEN DIREKTZUGRIFFSSPEICHERS (FeRAM)
DE10232002A1 (de) Integrierter Halbleiterspeicher und Herstellungsverfahren
DE10219841A1 (de) Kontaktplugausbildung für Bauelemente mit gestapelten Kondensatoren
DE10249216B3 (de) Herstellungsverfahren für ein Kontaktloch in einer Halbleiterstruktur
DE112022006263T5 (de) Metall-isolator-metall (mim)-kondensatormit einem isolatorbecher und einem sich lateral erstreckenden isolatorflansch
DE102004036156B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterspeicherbauelementes mit oberseitigen Bitleitungsanschlüssen

Legal Events

Date Code Title Description
8139 Disposal/non-payment of the annual fee