DE4132849A1 - Verfahren zur automatischen verdrahtung in einer halbleiterschaltungsanordnung - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Ver­ drahtung in einer integrierten Halbleiterschaltungsanordnung und ein Verfahren zur computergestützten automatischen Verdrahtung in einer integrierten Halbleiterschaltungsanord­ nung, die vier oder mehr Verdrahtungsebenen von Signallei­ tungen besitzt.

Ein herkömmliches Verfahren zur Kanalverdrahtung für Halbleiterschaltungsanordnungen ist in der Veröffentlichung "DA Conference", S. 298-302, veröffentlicht 1977, beschrie­ ben.

Diese Technik hat zum Ziel, Signalleitungen auf vier Ver­ drahtungsebenen zu erzeugen, und umfaßt fünf Verdrahtungs­ modi. Das Verdrahtungsverfahren, das auf dieser herkömm­ lichen Technik beruht, wird nun mit Bezugnahme auf die Zeichnungen erklärt werden.

Fig. 8 ist eine Abbildung, die Beispiele zur Verdrahtung in vier Ebenen mit fünf Verdrahtungsmodi zeigt, die auf der oben genannten herkömmlichen Technik beruhen. Die Fig. 9 und 10 sind Abbildungen, die das Anschlußverdrahten von der ersten zur vierten Verdrahtungsebene veranschaulicht. Die Fig. 11, 12 und 13 sind Abbildungen, die das Auftre­ ten nicht durchführbarer Verdrahtungen aufgrund des her­ kömmlichen Verdrahtungsverfahrens veranschaulichen. In den Fig. 8 bis 13 bedeuten 1 Anschlüsse, 2 Verdrahtung auf der ersten Ebene, 3 Verdrahtung auf der zweiten Ebene, 4 Verdrahtung auf der dritten Ebene, 5 Verdrahtung auf der vierten Ebene, 6 Durchgangslöcher, 7 eine Zellenreihe (row of cells) und 8 Gesamtdurchgangslöcher.

Allgemein hat eine integrierte Halbleiterschaltungsanordnung einen inneren Aufbau mit multiplen Zellenreihen, wobei jede dieser ein Schaltungselement als ein logisches Gatter mit einer Verdrahtungsfläche in Form mehrfacher Verdrahtungs­ ebenen darstellt, die zwischen den Zellenreihen so angeordnet sind, daß die Anschlüsse der Zellen unter Bildung verschie­ dener funktioneller Schaltkreise in der Verdrahtungsebene miteinander verbunden sind. Die Anschlüsse der Zellen befinden sich gewöhnlich auf der niedrigsten Ebene und werden zur Zusammenschaltung auf geeignete Verdrahtungsebenen geführt. Bei der oben genannten herkömmlichen Technik werden die Anschlüsse in einem der Verdrahtungsmodi, die in Fig. 8 dargestellt sind, miteinander verbunden.

• a) in Fig. 8 zeigt ein Beispiel des Verdrahtungsmodus I, das zur Verbindung der Anschlüsse 1 benachbarter Zellen­ reihen 7 verwendet wird. Dabei werden Leitungen von beiden Anschlüssen 1 zur ersten Ebene geführt, die sich ergebenden Leitungen 2 auf der ersten Ebene werden weiter durch die Durchgangslöcher 6 zur zweiten Ebene geführt, und schließlich werden beide Anschlüsse durch eine Leitung 3 auf der zweiten Ebene miteinander verbunden.
• b) und (c) zeigen Beispiele des Verdrahtungsmodus II und des Verdrahtungsmodus III, die zur Verbindung eines Anschlusses 1 einer Zellenreihe 7 mit einem Anschluß einer anderen (nicht gezeigten) Zellenreihe über Zwischenzellen­ reihen verwendet werden. Z. B. wird eine Leitung von einem Anschluß 1 über eine Leitung 2 auf der ersten Ebene und ein Durchgangsloch 6 zur zweiten Ebene und weiter durch ein Durchgangsloch 6 zur dritten Ebene wie in der Verbindung nach Modus I geführt und schließlich über eine Leitung 4 auf der dritten Ebene mit einem Anschluß einer anderen Zellenreihe verbunden.
• d) und (e) zeigen Verdrahtungsmodus IV und Verdrahtungs­ modus V, die zur Verbindung von einer Zellenreihe über eine Verdrahtungsfläche zu einer anderen Zellenreihe in einem (nicht gezeigten) anderen Bereich verwendet werden. Bei Verdrahtungsmodus IV wird eine Leitung aus einem anderen Bereich über eine Leitung 4 auf der dritten Ebene zu der Verdrahtungsfläche geführt, und beide Leitungen werden über eine Leitung 3 auf der zweiten Ebene in der Verdrah­ tungsfläche verbunden. Bei Verdrahtungsmodus V wird eine andere Leitung über eine Leitung 4 auf der dritten Ebene zur Verdrahtungsfläche geführt, und beide Leitungen werden über eine Leitung 5 auf der vierten Ebene in der Verdrah­ tungsfläche verbunden.

Obwohl die herkömmliche Technik für die Verdrahtung in vier Ebenen mit fünf Arten von Verdrahtungsmodi anwendbar ist, verwendet sie aufgrund des Vorliegens von Zellenan­ schlüssen auf der niedrigsten Ebene im allgemeinen niedrigere Ebenen, was zur unzureichenden Ausnutzung der vierten Ebene führt. In den Beispielen von Fig. 8 kann die vierte Ebene nur durch Modus-V-Verdrahtung ausgenutzt werden.

Ein weiteres Problem der herkömmlichen Technik, das auf­ tritt, weil die Anschlußverdrahtung für die Anschlüsse 1 auf der ersten Ebene durchgeführt wird, ist, daß, wenn beabsichtigt ist, die Anschlüsse unter Verwendung einer Leitung 5 auf der vierten Ebene gemäß Verdrahtungsmodus V zu verbinden, es nötig ist, die Leitung von einem Anschluß über eine Leitung 3 der zweiten Ebene zur dritten Ebene zu führen und sie dann über eine Leitung 5 der vierten Ebene mit einer Leitung 4 der dritten Ebene zu verbinden, wie es in Fig. 9 gezeigt ist, was zu einer erhöhten Verdrahtungsdichte auf der zweiten und dritten Ebene führt.

Im oben erwähnten Fall sind die Durchgangslöcher über drei Ebenen (von der ersten zur zweiten, von dieser zur dritten, und von letzterer zur vierten Ebene) vom Standpunkt der strukturellen Qualität und damit der Ausbeute bei der Herstellung nicht wünschenswert, obwohl es möglich ist, die Leitungen der ersten Ebene der Anschlüsse 1 zur Leitung 5 der vierten Ebene durch Gesamtdurchgangslöcher 8, wie in Fig. 10 gezeigt, zu verbinden. Deswegen werden die Leitungen im allgemeinen über Zwischenverdrahtungsebenen sequentiell von der niedrigsten Ebene zu der höchsten Ebene geführt. Selbst im Fall der Verwendung von Gesamtdurchgangslöchern können die Durchgangslöcher auf der zweiten und dritten Ebene die weitere Verdrahtung behindern und sind deswegen nicht erwünscht.

Ein weiteres Problem der herkömmlichen Technik, das auf­ grund der Festlegung des Verdrahtungsweges ohne Berück­ sichtigung der Ausnutzungsgrade der einzelnen Verdrah­ tungsebenen auftritt, ist, daß, wenn die Anschlüsse B über eine Leitung 3 der zweiten Ebene miteinander verbunden werden, es unmöglich wird, die Anschlüsse A, wie in Fig. 11 gezeigt, miteinander zu verbinden. Die Abbildung ist eine Aufsicht eines Chips mit einer Verdrahtungsfläche zwischen Zellen, die das Auftreten von nicht durchgeführ­ ter Verdrahtung 11 zeigt, wenn die Anschlußverdrahtung zu einer höheren Ebene in der Verteilung jeder Verdrah­ tungsebene in der x-Richtung nicht in Betracht gezogen wird.

Im Beispiel von Fig. 11 befinden sich ein Zweiebenenabstand 11 und zwei Vierebenenabstände 10 zwischen Zellenreihen 7, und die Leitung 3 der zweiten Ebene und die Leitung 5 der vierten Ebene in der seitlichen Richtung können auf den Ebenen dieser Lage gebildet werden. Wenn die Anschlüsse B über eine Leitung 3 der zweiten Ebene mit­ einander verbunden werden, ist keine Verdrahtung auf der zweiten Ebene mehr möglich, selbst nicht über eine freie vierte Ebene. Deswegen kann die Leitung von Anschluß A nicht sequentiell über eine Leitung 3 der zweiten Ebene und eine Leitung 4 der dritten Ebene zur vierten Ebene geführt werden, und die Verbindung zwischen den Anschlüssen A bleibt als nicht durchgeführte Verdrahtung 11, wenn nicht Gesamtdurchgangslöcher verwendet werden.

Fig. 12 zeigt ein Beispiel des Falls, wo mit der herkömmlichen Technik die Verdrahtung über eine Zellen­ reihe durchgeführt wird. Längsverdrahtungswege in y-Richtung zur Verbindung der Anschlüsse C sind zu mehr als 100% der Summe der Ausnutzungsgrade der einzelnen Verdrahtungs­ ebenen in der lateralen (x) Richtung vorgesehen, was den Ausfall der Verbindung zwischen den Anschlüssen A der­ selben Zellenreihe als nicht durchgeführte Verdrahtung 11 bewirkt. Im Fall dieses Beispiels treten auf der zweiten und dritten Ebene Krümmungen der Leitung auf, und der Ausnutzungsgrad einer Längsleitung wird 100% übersteigen, wenn die Verdrahtungsebene in der x-Richtung die vierte Ebene ist und die Verdrahtungsebene in der y-Richtung die erste Ebene für die Verdrahtung zur Verbindung der Anschlüsse C ist.

Fig. 13 zeigt ein Beispiel der Verbindung zwischen den Anschlüssen B und zwischen den Anschlüssen C, basierend auf der herkömmlichen Technik durch die Zuordnung kurzer Leitungen in der x-Richtung zur vierten Ebene. Das Führen vieler kurzer Leitungen zur vierten Ebene bewirkt erhöhte Ausnutzungsgrade der zweiten und dritten Ebene, was zum Auftreten nicht durchgeführter Verdrahtung 11 für die Verbindung zwischen den Anschlüssen A führt.

Wie oben erwähnt, ist die herkömmliche Technik hinsicht­ lich der Verdrahtung auf Verdrahtungsebenen in einem Abstand von drei oder mehr Ebenen von der Ebene der Anschlüsse (diese Ebenen werden "obere Ebenen" genannt werden) unzu­ länglich und erlaubt keine wirkungsvolle Ausnutzung der oberen Ebenen. Ein weiteres Problem sind die ausgedehnten Leitungen zu entfernten oberen Ebenen, wenn diese von der Anschlußebene angesteuert werden.

Die vorliegende Erfindung soll die Mängel des beschrie­ benen Standes der Technik vermeiden, und ihre Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur Verdrahtung in einer integrierten Halbleitschaltungsanordnung zur Verfügung zu stellen, das die Minimierung der Länge der Verdrahtungs­ wege von der Anschlußebene zu entfernten oberen Ebenen erlaubt, die Störung der weiteren Verdrahtung durch die Anschlußverdrahtung verhindert, die Verdrahtung zu oberen Ebenen erleichtert, eine hochdichte Verdrahtung an oberen Ebenen ermöglicht und undurchführbare Verdrahtung verhin­ dert.

Weiterhin soll mit der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zur Verdrahtung in einer integrierten Halbleiterschaltungs­ anordnung zur Verfügung gestellt werden, das geeignet ist, die Ausnutzungsgrade einzelner Verdrahtungsebenen 100% nicht übersteigen zu lassen, so daß lokale Verdrah­ tungsüberfrachtungen auf jeder Verdrahtungsebene nicht auftreten.

Die Aufgabe wird anspruchsgemäß gelöst. Die Lösung ergibt sich durch die Zuordnung längerer Leitungen zu von der Anschlußebene entfernten oberen Ebenen, so daß die oberen Ebenen erhöhte Ausnutzungsgrade haben, basierend auf einer kleineren Anzahl Leitungen und darauf, daß die Anzahl der Verdrahtungen zu den oberen Ebenen minimiert wird.

Die genannten Ziele werden durch Führen von Anschlußleitungen zu oberen Ebenen entlang den kürzesten festgelegten Ver­ drahtungswegen erreicht. Der hier erwähnte festgelegte Verdrahtungsweg soll eine Programmbibliothek von Ver­ drahtungswegen von Anschlüssen jeder Zelle zu oberen Ebenen vorbereiten und unter Bezugnahme auf die Pro­ grammbibliothek beim Führen einer Leitung zu einer obe­ ren Ebene unter Verwendung einer Zelle die Leitung ent­ lang eines registrierten Verdrahtungsweges führen.

Die genannten Ziele werden durch Festlegen einer Verdrah­ tungsebene erreicht, wobei die Ausnutzungsgrade einzelner Verdrahtungsebenen abgeschätzt werden, um die Ausnutzungs­ grade der Verdrahtungsebenen gleich zu halten.

Durch das Zuordnen langer Leitungen zu von der Anschluß­ ebene entfernten oberen Ebenen können die oberen Ebenen durch die Verwendung einer kleineren Anzahl von Leitungen eine erhöhte Verdrahtungsdichte besitzen, und die oberen Ebenen können mit einer minimalen Anzahl von Krümmungen und Gesamtdurchgangslöchern wirksamer ausgenutzt werden. Deswegen wird es durch das Führen einer Anschlußleitung zu einer oberen Ebene, wobei die Anschlüsse auf der un­ tersten Ebene angeordnet sind, möglich, die Krümmungen an beiden Enden der Leitung, wie in Fig. 9 gezeigt, und die Verwendung von Gesamtdurchgangslöchern, wie in Fig. 10 gezeigt ist, zu vermindern.

Im allgemeinen ist die Anzahl von Hauptleitungen in der seitlichen Richtung umgekehrt proportional der Länge der Hauptleitungen, wie in Fig. 7A gezeigt ist. Deswegen können, wenn α% langer Hauptleitungen oberen Ebenen zugeordnet werden, β% (α < β) der Gesamtverdrahtungslänge in der seitlichen Richtung den oberen Ebenen, wie in Fig. 7B gezeigt, zugeordnet werden, so daß diese Ebenen wirksam ausgenutzt werden können.

Für den Fall, daß eine Leitung zu einer oberen Ebene ge­ führt wird, kann die Länge gekrümmter Verdrahtung durch Verwendung des kürzesten festgelegten Verdrahtungsweges, der im voraus vorbereitet wurde, minimiert werden.

Ein Vorteil der Verwendung des festgelegten Verdrahtungs­ weges ist der, daß die Anschlüsse behandelt werden, als ob sie auf der höchsten Ebene liegen würden, wenn das automatische Verdrahtungsprogramm in Betracht gezogen wird, weil Leitungen von den Anschlüssen zu oberen Ebenen durch auf der Programmbibliothek beruhende automatische Entwicklung bereitgestellt werden. Das herkömmliche automatische Verdrahtungsprogramm wird unverändert benutzt, um die Verdrahtung der ersten, zweiten und dritten Ebene, basierend auf der 3-Ebenen-Verdrahtung der zweiten, dritten und vierten Ebene durchzuführen, wobei ein Teil der Anschlüsse auf der ersten Ebene verbleibt, und als Ergebnis kann die Verdrahtung der ersten bis zur vierten Ebene auf Basis des herkömmlichen Verdrahtungsalgorithmus′ durchgeführt werden.

Ein weiterer Vorteil der Verwendung des festgelegten Ver­ drahtungsweges ist, daß die Verdrahtung zu oberen Ebenen entlang den kürzesten Verdrahtungswegen definiert und deswegen die Störung anderer Verdrahtungskanäle minimiert werden können.

Darüber hinaus bedeutet bei der Zuordnung von Verdrahtungs­ wegen in der Längsrichtung die Festlegung von Verdrahtungs­ ebenen für diese Verdrahtungswege, während die Ausnutzungs­ faktoren von einzelnen Verdrahtungsebenen so zugeordnet werden, daß ihre Ausnutzungsgrade gleich sind, die Festlegung von Verdrahtungsebenen für Verdrahtungswege in der seitlichen Richtung, und obere Ebenen können eine erhöhte Verdrahtungsdichte aufweisen.

Die Erfindung wird anhand von in der Zeichnung veranschau­ lichten Beispielen näher erläutert.

Fig. 1 ist ein Flußdiagramm zur Erklärung des Ver­ drahtungsverfahrens, das auf einem Ausfüh­ rungsbeispiel der Erfindung beruht;

Fig. 2 ist eine Abbildung, die die Beziehung zwi­ schen der Verdrahtungsrichtung und der Ver­ drahtungsebene erklärt;

Fig. 3 ist eine Abbildung, die das Führen von Lei­ tungen zur vierten Ebene entlang festge­ legten Verdrahtungswegen erklärt;

Fig. 4, 5 und 6 sind Abbildungen, die Beispiele der Ver­ drahtungswege zeigen, die auf dem erfinde­ rischen Verfahren beruhen;

Fig. 7A und 7B sind Graphiken, die die Beziehung zwischen der Länge der Hauptleitungen der seitlichen Verdrahtung und der Anzahl der Leitungen und dem Prozentsatz an der Gesamtverdrah­ tungslänge zeigen;

Fig. 8 ist eine Abbildung, die die Verdrahtungs­ modi der 4-Ebenen-Verdrahtung, basierend auf der herkömmlichen Technik, zeigt;

Fig. 9 und 10 sind Abbildungen, die das Führen der Lei­ tungen auf der ersten Ebene zur vierten Ebene erklären; und

Fig. 11, 12 und 13 sind Abbildungen, die das Auftreten von nicht durchführbarer Verdrahtung zeigen, das sich aus der herkömmlichen Technik ergibt.

Das Verdrahtungsverfahren für integrierte Halbleiterschal­ tungsanordnungen, das auf einem Ausführungsbeispiel der Erfindung beruht, wird im einzelnen unter Bezugnahme auf die Abbildungen beschrieben.

Die in den Fig. 3-6 verwendeten Symbole entsprechen denen in Fig. 8-13.

Zunächst wird die Beziehung zwischen der Verdrahtungs­ richtung und der Verdrahtungsebene erklärt. In einer inte­ grierten Halbleiterschaltungsanordnung ist die Beziehung zwischen der Verdrahtungsrichtung und der Verdrahtungsebene dergestalt, daß die erste und dritte Verdrahtungsebene in der seitlichen Richtung so gestaltet sind, daß sich Leitungen auf diesen Ebenen in der Dickenrichtung nicht überlappen und die zweite und die vierte Verdrahtungsebene in der Längsrichtung so ausgestaltet sind, daß sich Leitungen auf diesen Ebenen in der Dickenrichtung nicht überlappen, wie z. B. in Fig. 2 gezeigt ist.

Demgemäß wird zur Verbindung eines Punktes 901 und eines Punktes 908 unter Verwendung aller Verdrahtungsebenen, von der ersten bis zur vierten, der Punkt 901 mit einem Punkt 902 auf der ersten Ebene, dann über ein Durchgangsloch mit der zweiten Ebene verbunden, der Punkt 902 wird mit einem Punkt 903 auf der zweiten Ebene, dann über ein Durchgangsloch mit der dritten Ebene verbunden, der Punkt 903 wird mit einem Punkt 904 auf der dritten Ebene und dann über ein Durchgangsloch mit der vierten Ebene verbunden, der Punkt 904 wird mit einem Punkt 905 auf der vierten Ebene verbunden, und durch umgekehrtes Einhalten der Vorgehensweise wird der Punkt 905 zum Punkt 908 geführt.

Aus dem obigen Beispiel ist ersichtlich, daß die direkte Verdrahtung von der ersten Ebene zur dritten Ebene und die direkte Verdrahtung von der zweiten Ebene zur vierten Ebene allgemein nicht möglich sind. Eine Ausnahme besteht für unregelmäßige Verdrahtungswege, wobei direkte Ver­ drahtung zwischen diesen Ebenen möglich ist.

Anschließend wird der Vorgang zur Durchführung des er­ finderischen Verfahrens, das für hochdichte Verdrahtung auf oberen Ebenen ohne Störung anderer Verdrahtungen und zur Minimierung der Anzahl von Durchgangslöchern geeignet ist, unter Bezugnahme auf das Flußdiagramm von Fig. 1 erklärt.

• 1) Zu Beginn werden die globalen Verdrahtungswege ohne Berücksichtigung der Verdrahtungsebenen auf dem Makro­ koordinatensystem festgelegt (Schritt 501).
• 2) Die Leitungen in der x-Richtung werden mit der ab­ nehmenden Leitungslängenreihenfolge auf dem Makrokoordi­ natensystem sortiert, und die Leitungen werden mit der abnehmenden Leitungslängenreihenfolge oberen Verdrah­ tungsebenen so zugeordnet, daß der Ausnutzungsgrad jeder Verdrahtungsebene 100% nicht übersteigt (Schritte 502, 503).
• 3) Nachdem die Verdrahtungsebenen in der x-Richtung fest­ gelegt sind, werden die Ausnutzungsgrade einzelner Ver­ drahtungsebenen überprüft, und es wird untersucht, ob der Prozeß der Zuordnung von Verdrahtungsebenen für alle Verdrahtungswege in der x-Richtung abgeschlossen ist (Schritte 504, 505).
• 4) Wenn sich im Schritt 505 erweist, daß der Zuordnungs­ prozeß nicht abgeschlossen ist, kehrt die Programmabfolge zum Schritt 503 zurück, um den Prozeß zu wiederholen. Wenn sich im Schritt 505 erweist, daß der Zuordnungsprozeß abgeschlossen ist, werden die Lagen der Längsverdrahtungs­ wege so festgelegt, daß der Ausnutzungsgrad einzelner Verdrahtungsebenen in der x-Richtung 100% nicht über­ schreitet (Schritt 506).

Der Zuordnungsprozeß von Schritt 503 kann mit für niedrigere Verdrahtungsebenen zunehmender Länge der Leitungen durch­ geführt werden.

Das vorstehende, auf einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung beruhende Verfahren legt die Verdrahtung in einer integrierten Halbleiterschaltungsan­ ordnung zur Erzeugung von Verdrahtungsmustern, wie in den Fig. 4, 5 und 6 gezeigt, fest, wobei nicht durchführbare Verdrahtungen nicht auftreten.

Fig. 4 entspricht der in Fig. 11 gezeigten, auf der herkömmlichen Technik beruhenden Verdrahtung, und der Ausnutzungsgrad der zweiten Ebene für die Verbindung zur vierten Ebene wird bestimmt sowie die Verdrahtung zwischen den Anschlüssen B auf der vierten Ebene durchgeführt. Gemäß diesem Ausführungsbeispiel der Erfindung wird es möglich, die Anschlüsse A mit einer Leitung 5 der vierten Ebene zu verbinden, wobei sonst undurchführbare Verdrahtung auftreten würde.

Fig. 5 entspricht der auf der herkömmlichen Technik ba­ sierenden Verdrahtung über eine Zellenreihe, die in Fig. 12 gezeigt ist. Im Beispiel von Fig. 12 werden die vierte Ebene zur Verdrahtung in der x-Richtung und die erste Ebene zur Verdrahtung in der y-Richtung verwendet, wobei Krümmungen auf der zweiten und dritten Ebene erzeugt werden, was zu nicht durchführbarer Verdrahtung 11 führt. Dagegen ordnet das erfinderische Verfahren gemäß Fig. 5 eine Leitung zur Verbindung der Anschlüsse C entlang der y-Richtung zur dritten Ebene zu, wodurch das Auftreten von nicht durchführbarer Verdrahtung verhindert wird.

In Fig. 6 ist ein Beispiel zur Verhinderung von nicht durchführbarer Verdrahtung 11 für die Verbindung der Anschlüsse A durch Zuordnung kurzer Leitungen in der x- Richtung, wie in Fig. 13 dargestellt, zur vierten Ebene für die Verbindung der Anschlüsse B gezeigt. Durch die Zuordnung von Leitungen für die Verbindung der Anschlüsse A und C mit abnehmender Leitungslänge in der x-Richtung zur vierten Ebene kann das Auftreten von nicht durchführbarer Verdrahtung verhindert werden.

Das vorstehende Ausführungsbeispiel der Erfindung kann im Einklang mit einer Methode zur Verbindung von Anschlüssen von Zellenreihen zu oberen Ebenen durch die Verdrahtung entlang der festgelegten Verdrahtungswege verwendet werden.

Fig. 3 zeigt die Durchführung der Verbindung der Zellenan­ schlüsse zur vierten Ebene entlang der festgelegten Ver­ drahtungswege, wobei Anschlüsse auf der niedrigsten Ebene in minimalen Abständen von der ersten Ebene zur vierten Ebene über Zwischenebenen verdrahtet werden. Diese fest­ gelegten Verdrahtungswege für einzelne Zellen einer inte­ grierten Halbleiterschaltungsanordnung werden in einer Programmbibliothek gespeichert, und diese kann während des Verdrahtungsvorgangs, der auf dem vorstehenden Aus­ führungsbeispiel der Erfindung beruht, angesteuert werden.

Obwohl Ausführungsbeispiele der Erfindung für den Fall von vier Verdrahtungsebenen erklärt worden sind, ist die Erfindung auch auf Anordnungen mit mehr als vier Verdrah­ tungsebenen anwendbar.

Wenn das vorstehende Ausführungsbeispiel der Erfindung auf die "Master Slice LSI" angewendet wird, wird es möglich, die Chip-Route zu verkürzen, die Anzahl von nicht durchführ­ baren Verdrahtungen zu reduzieren und folglich die Zeit für das Design der hochdichten (LSI-) Packung zu erniedrigen. Darüber hinaus kann man so die Chip-Fläche von schon erhältlichen hochintegrierten Anordnungen und auch ihre Herstellungskosten verringern.

Gemäß der Erfindung kann, wie oben beschrieben, die Länge der Zuleitungen von der Anschlußebene zu entfernten oberen Ebenen minimiert werden, es kann verhindert werden, daß die Zuleitungsverdrahtung andere Verdrahtungen stört, die Verdrahtung zu oberen Ebenen wird erleichtert, die Verdrahtung an oberen Ebenen kann in hoher Dichte durch­ geführt werden, und es kann undurchführbare Verdrahtung verhindert werden.

Claims (6)

1. Verfahren zur Verdrahtung in einer integrierten Halb­ leiterschaltungsanordnung mit vier oder mehr Verdrah­ tungsebenen, wobei die unterste Ebene eine Anschluß­ ebene ist und lange Leitungen oberen Ebenen zugeordnet werden.

2. Verfahren zur Verdrahtung in einer integrierten Halb­ leiterschaltungsanordnung mit vier oder mehr Verdrah­ tungsebenen, wobei die unterste Ebene eine Anschluß­ ebene ist und in abnehmender Reihenfolge der Leitungs­ länge den oberen Ebenen Leitungen zugeordnet werden, oder in zunehmender Reihenfolge der Leitungslänge den unteren Ebenen Leitungen zugeordnet werden.

3. Verdrahtungsverfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Anschußleitungen von der Anschlußebene zu oberen Ebenen entlang vorher festgelegter Verdrahtungswege verdrahtet werden.

4. Verdrahtungsverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei Leitungen oberen Ebenen so zugeordnet werden, daß der Leitungsausnutzungsgrad jeder Verdrahtungs­ ebene 100% nicht übersteigt.

5. Verdrahtungsverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei eine Verdrahtungsebene für eine Leitung in der x-Richtung, die mit einer Leitung in der y-Richtung zu verbinden ist, abhängig von der Position der Leitung in der y-Richtung festgelegt wird und die Position der Leitung in der y-Richtung so festgelegt ist, daß der Ausnutzungsgrad der Leitung in der x-Richtung 100% nicht übersteigt.

6. Verfahren zur Verdrahtung in einer integrierten Halb­ leiterschaltungsanordnung mit vier oder mehr Verdrah­ tungsebenen, wobei die unterste Ebene eine Anschluß­ ebene ist, zu Anfang kurze Verdrahtungswege festgelegt werden, Leitungen in der x-Richtung in abnehmender Reihenfolge der Leitungslänge umgeordnet werden, die Leitungen in x-Richtung oberen Ebenen in zunehmender Reihenfolge der Leitungslänge zugeordnet werden und, nachdem alle Leitungen in der x-Richtung so zugeordnet sind, daß der Ausnutzungsgrad jeder Verdrahtungsebene 100% nicht übersteigt, Wegpositionen für Leitungen in der y-Richtung so festgelegt werden, daß die Aus­ nutzungsgrade aller Verdrahtungsebenen 100% nicht übersteigen.