DE4127911A1 - Verfahren zur herstellung einer halbleiter-baugruppe mit einem aussenanschlussteil - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer halbleiter-baugruppe mit einem aussenanschlussteil

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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Baugruppe mit einem Außenanschlußteil, und insbesondere ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Baugruppe mit einem Außenanschlußteil, die als Zündanordnung für eine Brennkraftmaschine verwendet wird.
Zum Stand der Technik: Die Fig. 5A bis 5D stellen das bekannte Verfahren zur Herstellung einer Zündanordnung dar, die als Halbleiter-Baugruppe aufgebaut ist, um in einer Brennkraftmaschine verwendet zu werden.
Zunächst ist eine Halbleiteranordnung (IC) (2) auf einem Stanzteil eines Zuleitungsrahmens (1) gemäß Fig. 5A aufgebracht. Der Zuleitungsrahmen (1) hat eine Anzahl Zuleitungen (3). Die einzelne, an der Mitte angeordnete Zuleitung erstreckt sich vom Stanzteil weg. Die einzelnen Zuleitungen (3) werden miteinander ausgerichtet mittels eines Verbindungsstegs miteinander verbunden. Ferner ist die Halbleiteranordnung (2) gemäß Fig. 5B mit den Zuleitungen (3) unter Verwendung eines Drahtes (4) verbunden, d. h. es ist eine sogenannte Drahtverbindung durchgeführt. Anschließend wird ein Vergußteil (5) zum Versiegeln des Zuleitungsrahmens (1) einschließlich des Stanzteils mit der drauf befindlichen Halbleiteranordnung (2) und den inneren Zuleitungen unter Verwendung eines Harzes gebildet, wie in Fig. 5C dargestellt ist. Darauf werden nicht benötigte Abschnitte des Zuleitungsrahmens (1) weggeschnitten, um das in Fig. 5C gezeigte IC-Gehäuse (Halbleitergehäuse) zu vervollständigen. Nach dem vorstehend aufgeführten Herstellungsverfahren werden die Abschnitte (7) des Zuleitungsrahmens (1), die in Fig. 6 schraffiert dargestellt sind, weggeschnitten, um die Zuleitungen voneinander zu trennen, nachdem der Vergußteil (5) gebildet wurde.
Es kann in Betracht gezogen werden, das Halbleitergehäuse (6) und einen Außenanschlußteil (8) als eine Einheit gemäß Fig. 7 zu bilden, d. h. den Abschnitt, der den Vergußteil (5) und den Außenanschlußteil (8) enthält, plastisch zu formen. Es ist jedoch unmöglich, den Vergußteil (5) und den Außenanschlußteil (8) als eine Einheit zu formen, da es sehr schwierig ist, die nicht nötigen Abschnitte (9, 10) (die in Fig. 7 schraffiert angegebenen Abschnitte) des Zuleitungsrahmens (1) abzuschneiden, nachdem der Vergußteil (5) und der Außenanschlußteil (8) als eine Einheit gebildet wurden. Das heißt, da der nicht benötigte Abschnitt (9), der die oberen Bereiche (den Verbindungsstegabschnitt) der Zuleitungen gemäß Fig. 7 bildet, in das Harz eingebettet ist, wenn der Vergußteil und der Außenanschlußteil als eine Einheit gebildet werden, kann er beispielsweise nur weggeschnitten werden, nachdem der nicht benötigte Abschnitt (9) freigelegt wird, indem ein Teil des Gießharzes weggenommen wird. Ein dabei verbliebener Spalt kann anschließend mit dem Harz aufgefüllt werden. Jedoch erhöht sich die Möglichkeit, daß ein Wasseranteil in das Gehäuse eintritt und es wird die Zuverlässigkeit des Halbleitergehäuses verringert. Ferner ist es schwierig, den nicht benötigten Abschnitt (10) wegzuschneiden, der die unteren Teile der Zuleitungen bildet, da die unteren Endabschnitte der Zuleitungen (3) im Außenanschlußteil (8) aufgenommen werden, wenn der Vergußteil und der Außenanschlußteil als eine Einheit hergestellt werden. In diesem Fall muß der nicht benötigte Abschnitt (10) vorab weggeschnitten werden.
Bei dem vorstehend aufgeführten bekannten Herstellungsverfahren ist es unmöglich, den Vergußteil und den Außenanschlußteil einstückig als eine Einheit zu bilden, was die Trennung der Zuleitungen und die Halterung der Zuleitung während des Formens betrifft. Das heißt, es ist unmöglich, eine gegenseitige Trennung der Zuleitungen und die Halterung der einzelnen Zuleitungen in fluchtendem Zustand zu gewährleisten, bevor der Vergußteil gebildet ist.
Im Hinblick auf die vorstehend aufgeführten Schwierigkeiten der bekannten Verfahren liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Baugruppe mit einem Außenanschlußteil zu schaffen, das es ermöglicht, einen Vergußteil und einen Außenanschlußteil mühelos als eine Einheit herzustellen.
Zur Lösung der vorstehenden Aufgabenstellung wird gemäß einem Aspekt der Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Baugruppe mit einem Außenanschlußteil geschaffen, das einen Schritt zur Durchführung eines Vorab-Formens (pre molding) umfaßt, um die Zuleitungen zu verbinden und zu halten und sie dadurch daran zu hindern, getrennt zu werden, nachdem die Abschnitte des Zuleitungsrahmens, die zwischen den Zuleitungen liegen, abgeschnitten sind, einen Schritt zum Abschneiden der Abschnitte des Zuleitungsrahmens, die zwischen den Zuleitungen liegen, um die Zuleitungen elektrisch voneinander zu isolieren, und einen Schritt zur Bildung des Formteils (mold package) und des Außenanschlußteils als Einheit.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Baugruppe mit einem Außenanschlußteil geschaffen, das einen Schritt zur Herstellung eines Außenanschlußteils umfaßt, der Klemmen aufweist, die den äußeren Zuleitungen der Zuleitungen des Zuleitungsrahmens entsprechen, einen Schritt zur Verbindung des Außenanschlußteils mit dem Zuleitungsrahmen, in dem die jeweiligen Klemmen des Außenanschlußteils mit den entsprechenden Zuleitungen verbunden werden, um zu verhindern, daß die Zuleitungen abgetrennt werden, nachdem die Abschnitte des Zuleitungsrahmens, die zwischen den Zuleitungen liegen, weggeschnitten werden, einen Schritt zum Wegschneiden der Abschnitte des Zuleitungsrahmens, die zwischen den Zuleitungen liegen, um die Zuleitungen elektrisch voneinander zu trennen, und einen Schritt zum plastischen Versiegeln des Zuleitungsrahmens zusammen mit dem Außenanschlußteil.
Zusammenfassend betrifft die Erfindung gemäß einer ersten Ausführungsform ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Baugruppe mit einem Außenanschlußteil, wobei die Halbleiter-Baugruppe ein von einem Formteil umhüllter Zuleitungsrahmen ist, der einen Stanzteilabschnitt aufweist, auf dem mindestens eine Halbleiteranordnung befestigt ist, die eine interne Schaltung bildet, sowie eine Anzahl Zuleitungen, die mindestens eine Zuleitung enthält, die sich vom Stanzabschnitt wegerstreckt und die Anzahl Zuleitungen miteinander mittels eines Verbindungsstegs verbunden sind. Das Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß es die Schritte umfaßt:
Aufpressen der Halbleiteranordnung auf den Standabschnitt des Zuleitungsrahmens;
Vornahme einer Drahtverbindung zwischen der Halbleiteranordnung und den inneren Zuleitungen der Zuleitungen;
Bildung eines Vorab-Formteils an den inneren Zuleitungen der Anzahl Zuleitungen, um eine gegenseitige mechanische Verbindung der Zuleitungen zu gewährleisten, sowie eine Halterung der Zuleitungen während der Herstellung;
Wegschneiden unnötiger Abschnitte des Zuleitungsrahmens und Abschnitte des Zuleitungsrahmens, die zwischen den Zuleitungen liegen, um die Zuleitungen elektrisch voneinander zu trennen; und
Bildung eines Formteils und des Außenanschlußteils als eine Einheit unter Verwendung eines elektrisch isolierenden Harzes, wobei der Formteil den Stanzteil des Zuleitungsrahmens, auf dem die Halbleiteranordnung befestigt ist, die inneren Zuleitungen der Zuleitungen und den Vorab-Formteil versiegelt und der Außenanschlußteil sich derart erstreckt, daß er die äußeren Zuleitungen der Zuleitungen abdeckt, um eine mechanische Verbindung zu einem externen Gerät und somit den elektrischen Anschluß der äußeren Zuleitungen zu gewährleisten.
Ferner ist die Erfindung gemäß einem weiteren Aspekt gerichtet auf ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Baugruppe mit einem Außenanschlußteil, wobei die Halbleiter-Baugruppe ein mit einem Formteil umhüllter Zuleitungsrahmen ist, der einen Stanzteilabschnitt hat, auf dem mindestens eine Halbleiteranordnung, die eine interne Schaltung bildet, befestigt ist, sowie eine Anzahl Zuleitungen, die mindestens eine Zuleitung enthalten, die sich von dem Stanzteilabschnitt wegerstreckt, und die Anzahl Zuleitungen mittels eines Verbindungssteges miteinander verbunden sind. Das Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß es die Schritte umfaßt:
Aufpressen der Halbleiteranordnung auf den Stanzteilabschnitt des Zuleitungsrahmens;
Bildung einer Drahtverbindung zwischen der Halbleiteranordnung und den inneren Zuleitungen der Zuleitungen;
Bildung des Außenanschlußteils, der eine mechanische Verbindung mit einem externen Gerät liefert und eine Anzahl Klemmen hat, wovon jede ein inneres Ende aufweist, das mit der Zuleitung zu verbinden ist, und ein äußeres Ende, das an das externe Gerät anschließbar ist;
elektrische Verbindung des inneren Endes jeder Klemme des Außenanschlußteils mit der entsprechenden Zuleitung in der Anzahl Zuleitungen des Zuleitungsrahmens zwecks Verbindung des Außenanschlußteils mit dem Zuleitungsrahmen;
Wegschneiden unnötiger Abschnitte des Zuleitungsrahmens und von Abschnitten des Zuleitungsrahmens, die zwischen den Zuleitungen liegen, um die Zuleitungen elektrisch voneinander zu trennen; und Bildung eines Formteils zur Umhüllung des Stanzteilabschnittes des Zuleitungsrahmens auf dem die Halbleiteranordnung befestigt ist, der Anzahl Zuleitungen des Zuleitungsrahmens und mindestens einen Teil des Außenanschlußteils, der die Anzahl Klemmen enthält.
In den Zeichnungen zeigen:
Fig. 1A bis 1D Vorderansichten, die ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Baugruppe mit einem Außenanschlußteil gemäß einer Ausführungsform der Erfindung angeben;
Fig. 2 eine Vorderansicht, die eine Abänderung der Ausführung nach den Fig. 1A bis 1D zeigt;
Fig. 3A bis 3D Vorderansichten, die ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Baugruppe mit einem Außenanschlußteil gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung darstellen;
Fig. 4 eine Vorderansicht einer Abänderung der Ausführung nach den Fig. 3A bis 3D;
Fig. 5A bis 5D Vorderansichten eines bekannten Verfahrens zur Herstellung einer Halbleiter-Baugruppe mit einem Außenanschlußteil;
Fig. 6 eine Vorderansicht, die den Abschnitt eines Zuleitungsrahmens darstellt, der weggeschnitten werden soll; und
Fig. 7 eine Vorderansicht, die angibt, wie eine Baugruppe und ein Außenanschlußteil als Einheit gebildet werden, bevor der Zuleitungsrahmen weggeschnitten wird.
Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung werden anschließend in Verbindung mit den anliegenden Zeichnungen beschrieben.
Die Fig. 1A bis 1D zeigen ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Baugruppe mit einem Außenanschlußteil gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung. Die gleichen Bezugszeichen werden verwendet, um Teile zu bezeichnen, die denen in Fig. 5 gleich oder ähnlich sind. Ein Zuleitungsrahmen (1) ist der gleiche, wie er beim bekannten Verfahren verwendet wird. Jedoch ist der Zuleitungsrahmen (1) zur Erleichterung der Beschreibung allein als aus einem Stanzteil (1a) und einer Anzahl Zuleitungen (3) bestehend dargestellt. Jede Zuleitung (3) enthält eine innere Zuleitung (3a) und eine äußere Zuleitung (3b) . Eine in der Mitte befindliche einzelne Zuleitung erstreckt sich vom Stanzteil (1a) weg. Die einzelnen Zuleitungen (3) werden miteinander durch einen Verbindungssteg (3c) verbunden.
Zunächst ist ein IC (2), der eine Halbleiteranordnung darstellt, auf dem Stanzteil (1a) des Zuleitungsrahmens (1) gemäß Fig. 1A aufgepreßt. Als nächstes ist gemäß Fig. 1B eine Drahtverbindung zwischen dem IC (2) und den inneren Zuleitungen (3a) der Zuleitungen (3) unter Verwendung eines Drahtes (4) durchgeführt.
Anschließend wird ein Vorab-Formen (pre molding) (11) an den inneren Zuleitungen (3a) der Zuleitungen (3) gemäß Fig. 1C durchgeführt. Das Vorab-Formen (11) erfolgt beispielsweise mittels eines elektrisch isolierenden Harzes. Das Vorab-Formen (11) ermöglicht es den einzelnen Zuleitungen (3), miteinander verbunden zu werden und vom Stanzteil (1a) gehalten zu werden. Anschließend werden nicht benötigte Abschnitte (7) des Zuleitungsrahmens (1), die in Fig. 1C schraffiert angegeben sind, weggeschnitten, um die Zuleitungen (3) voneinander elektrisch zu trennen.
Anschließend werden ein Formteil (5) und ein Außenanschlußteil (8) als eine Einheit mit Hilfe eines elektrisch isolierenden Harzes gebildet. Der Formteil (5) versiegelt den Stanzteil (1a) mit der darauf montierten Halbleiteranordnung (2) , den inneren Zuleitungen (3a) der Zuleitungen (3) und dem Vorab-Formteil (11), und der Außenanschlußteil (8) deckt die äußeren Zuleitungen (3b) ab, um eine mechanische Verbindung und damit eine elektrische Verbindung der äußeren Zuleitungen (3b) der Zuleitungen mit einem externen Gerät zu erreichen. Die äußeren Zuleitungen (3b) erstrecken sich derart innerhalb des Außenanschlußteiles (8), daß sie mit dem äußeren Gerät verbindbar sind.
Die vorstehend aufgeführten Verfahrensreihen werden Rahmen nach Rahmen durchgeführt, wobei jeder der Rahmen die gegenseitig verbundenen Zuleitungsrahmen (1) umfaßt. In dem Rahmen sind die Anzahl der Zuleitungsrahmen (1) miteinander durch unnötige Abschnitte (siehe Fig. 1A bis 1C) der Rahmen verbunden, die sich jeweils seitlich der Zuleitungsrahmen (1) erstrecken. Diese unnötigen Abschnitte werden ebenfalls weggeschnitten, wenn die Halbleiter-Baugruppen mit dem Außenanschlußteil nacheinander in der Endstufe der Herstellung getrennt werden.
Dabei wird der Vorab-Formteil (11) gebildet, bevor die Baugruppe (5) und der Außenanschlußteil (8) als Einheit gebildet werden, um zu gewährleisten, daß die einzelnen Zuleitungen (3) voneinander getrennt werden und vom Stanzteil (1a) gehalten werden, wenn die Baugruppe (5) und der Außenanschlußteil (8) gebildet werden.
Fig. 2 zeigt das Vorab-Formen (11), ausgeführt an einer Mehrfachstift-Halbleiter-Baugruppe mit einer groben Anzahl von Zuleitungen (3). In diesem Falle gestattet es der Vorab-Formteil (11), daß die inneren Zuleitungen (30, 31) in den Zuleitungen (3) besonders effektiv voneinander getrennt und vom Stanzteil gehalten werden.
Die Fig. 3A bis 3D zeigen ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Baugruppe mit einem Außenanschlußteil gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung. Die gleichen Bezugszeichen werden zur Bezeichnung von Teilen verwendet, die gleich oder ähnlich denen in der bekannten Anordnung sind. Zunächst wird das IC (2) auf den Zuleitungsrahmen (1) aufgepreßt, wie aus Fig. 3A hervorgeht. Anschließend wird gemäß Fig. 3B eine Drahtverbindung zwischen dem IC (2) und den inneren Zuleitungen (3a) der Zuleitungen (3) unter Verwendung eines Drahtes (4) hergestellt. Ferner wird ein Abschnitt (70) des Zuleitungsrahmens (1), der die äußeren Zuleitungen (3b) enthält und der in Fig. 3B schraffiert dargestellt ist, als unnötiger Abschnitt weggeschnitten. Ein Zuleitungsrahmen, der keinen schraffierten Abschnitt (70) hat, kann bei dieser Ausführungsform hergestellt und verwendet werden.
Als nächstes wird der Außenanschlußteil (8) mit einer Anzahl Klemmen (8a), wie er beispielsweise in Fig. 3C dargestellt ist, gebildet. Jede der Klemmen (8a) hat ein inneres Ende (80), das mit jeder Zuleitung verbunden ist, und ein äußeres Ende (81), das sich derart innerhalb des Außenanschlußteiles erstreckt, daß es mit einem äußeren Gerät verbindbar ist. Der Außenanschlußteil (8) und der Zuleitungsrahmen (1) werden miteinander verbunden, indem das innere Ende (80) einer jeden Klemme (8a) des Außenanschlußteiles (8) mit Abschnitten des Verbindungssteges (3c) des Zuleitungsrahmens (1) verbunden werden, die jeder Zuleitung (3) entsprechen, beispielsweise durch Verschweißen. Anschließend werden die nicht benötigten Abschnitte (7) des Verbindungsstegs (3c) des Zuleitungsrahmens (1), die in Fig. 3C schraffiert angegeben sind, d. h. der Abschnitt des Verbindungsstegs (3c), der zwischen den Zuleitungen liegt, weggeschnitten, um die Zuleitungen (3) elektrisch zu trennen.
Als nächstes wird der Formteil (5) zur Versiegelung des Stanzteils (1a) mit der darauf befestigten Halbleiteranordnung (2), der Zuleitungen (3) und des Außenanschlußteils (8), der die Klemmen (8a) enthält, gebildet. Jedoch darf der Formteil (5) nicht derart gebildet werden, daß er den Außenanschlußteil (8) vollständig abdeckt. Der Außenanschlußteil (8) kann vom Formteil (5) in solchem Ausmaß abgedeckt sein, daß ein Wasseranteil daran gehindert wird, über den Spalt zwischen dem Außenanschlußteil (8) und dem Formteil (5) in diesen einzutreten.
Die vorstehenden Verfahrensfolgen werden an jedem Rahmen durchgeführt und jeder Rahmen enthält eine Anzahl Zuleitungsrahmen (1). Die Zuleitungsrahmen (1) sind miteinander durch nicht benötigte Abschnitte (siehe Fig. 3A bis 3C) des Rahmens verbunden, die sich jeweils seitlich innerhalb der Zuleitungsrahmen (1) erstrecken. Diese unnötigen Abschnitte werden ebenfalls weggeschnitten, beispielsweise wenn die Halbleiter-Baugruppen nacheinander in der Endstufe der Fertigung getrennt werden.
Somit wird der Außenanschlußteil (8), der die Anzahl Klemmen (8a) enthält, die als äußere Zuleitungen dienen, vorweg hergestellt. Der Außenanschlußteil (8) und der Zuleitungsrahmen (1) werden miteinander verbunden, indem die einzelnen Klemmen (8a) an die einzelnen Zuleitungen (3) angeschlossen werden, um zu gewährleisten, daß die Zuleitungen (3) voneinander getrennt sind und vom Stanzteil getragen werden, wenn der Formteil gebildet wird. Das heißt, wenn der Formteil (5) gebildet wird, können die einzelnen Zuleitungen (3) elektrisch voneinander getrennt und vom Stanzteil (1a) in einem ausgerichteten Zustand gehalten werden. Somit kann die Bildung der Baugruppe aus der Halbleiteranordnung und des Außenanschlußteils als eine Einheit mühelos erleichtert werden. Ferner kann ein Austausch des Außenanschlußteils ebenfalls mühelos erfolgen.
Fig. 4 zeigt den Außenanschlußteil (8), der mit einer Mehrfachstift-Halbleiter-Baugruppe mit einer großen Anzahl Zuleitungen (3) verbunden ist. In diesem Fall ermöglicht es der Außenanschlußteil (8) den inneren Zuleitungen (30, 31) in den Zuleitungen (3), daß sie besonders wirksam voneinander getrennt und von dem Stanzteil gehalten werden.
Im Vergleich zu dem Fall, bei dem eine getrennt gebildete Halbleiter-Baugruppe und ein Außenanschlußteil miteinander verbunden werden, hat die Halbleiter-Baugruppe mit dem Außenanschlußteil gemäß der vorliegenden Erfindung keinen Spalt zwischen dem Formteil und dem Außenanschlußteil und ist somit zuverlässiger, weil keine Möglichkeit eines Wassereintritts in die Anordnung besteht.

Claims (10)

1. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Baugruppe (2) mit einem Außenanschlußteil (8), wobei die Halbleiter-Baugruppe ein von einem Formteil umhüllter Zuleitungsrahmen (1) ist, der einen Stanzteilabschnitt (1a) aufweist, auf dem mindestens eine Halbleiteranordnung (2) befestigt ist, die eine interne Schaltung bildet, sowie eine Anzahl Zuleitungen (3), die mindestens eine Zuleitung enthält, die sich vom Stanzabschnitt (1a) wegerstreckt und die Anzahl Zuleitungen miteinander mittels eines Verbindungsstegs verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren die Schritte umfaßt:
Aufpressen der Halbleiteranordnung (2) auf den Stanzabschnitt (1a) des Zuleitungsrahmens (1);
Vornahme einer Draht(4)-Verbindung zwischen der Halbleiteranordnung und den inneren Zuleitungen (3a) der Zuleitungen (3);
Bildung eines Vorab-Formteils (11) an den inneren Zuleitungen (3a) der Anzahl Zuleitungen, um eine gegenseitige mechanische Verbindung der Zuleitungen zu gewährleisten, sowie eine Halterung der Zuleitungen während der Herstellung;
Wegschneiden unnötiger Abschnitte (7; 70) des Zuleitungsrahmens (1) und Abschnitte des Zuleitungsrahmens, die zwischen den Zuleitungen liegen, um die Zuleitungen elektrisch voneinander zu trennen; und
Bildung eines Formteils (5) und des Außenanschlußteils (8) als eine Einheit unter Verwendung eines elektrisch isolierenden Harzes, wobei der Formteil den Stanzteil (1a) des Zuleitungsrahmens (1), auf dem die Halbleiteranordnung (2) befestigt ist, die inneren Zuleitungen (3a) der Zuleitungen und den Vorab-Formteil (11) versiegelt und der Außenanschlußteil (8) sich derart erstreckt, daß er die äußeren Zuleitungen (3b) der Zuleitungen abdeckt, um eine mechanische Verbindung zu einem externen Gerät und somit den elektrischen Anschluß der äußeren Zuleitungen (3b) zu gewährleisten.
2. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Baugruppe mit einem Außenanschlußteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Vorab-Formteil (11) aus einem elektrisch isolierenden Harz hergestellt ist.
3. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Baugruppe mit einem Außenanschlußteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Zuleitungsrahmen (1) fünf oder mehr Zuleitungen hat, die voneinander getrennt werden können und die von dem Vorab-Formteil (11) gehalten werden, wenn der Formteil (5) und der Außenanschlußteil (8) als eine Einheit gebildet werden.
4. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Baugruppe mit einem Außenanschlußteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiter-Baugruppe eine Zündvorrichtung für eine Brennkraftmaschine ist.
5. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Baugruppe mit einem Außenanschlußteil, wobei die Halbleiter-Baugruppe ein mit einem Formteil umhüllter Zuleitungsrahmen ist, der einen Stanzteilabschnitt hat, auf dem mindestens eine Halbleiteranordnung (2), die eine interne Schaltung bildet, befestigt ist, sowie eine Anzahl Zuleitungen, die mindestens eine Zuleitung enthalten, die sich von dem Stanzteilabschnitt (1a) wegerstreckt, und die Anzahl Zuleitungen (3) mittels eines Verbindungssteges miteinander verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren die Schritte umfaßt:
Aufpressen der Halbleiteranordnung (2) auf den Stanzteilabschnitt (1a) des Zuleitungsrahmens (1);
Bildung einer Draht(4)-Verbindung zwischen der Halbleiteranordnung (2) und den inneren Zuleitungen (3a) der Zuleitungen;
Bildung des Außenanschlußteils (8), der eine mechanische Verbindung mit einem externen Gerät liefert und eine Anzahl Klemmen hat, wovon jede ein inneres Ende aufweist, das mit der Zuleitung zu verbinden ist, und ein äußeres Ende, das an das externe Gerät anschließbar ist;
elektrische Verbindung des inneren Endes jeder Klemme des Außenanschlußteils (8) mit der entsprechenden Zuleitung in der Anzahl Zuleitungen des Zuleitungsrahmens (1) zwecks Verbindung des Außenanschlußteils (8) mit dem Zuleitungsrahmen (1)
Wegschneiden unnötiger Abschnitte (7; 70) des Zuleitungsrahmens (1) und von Abschnitten des Zuleitungsrahmens, die zwischen den Zuleitungen liegen, um die Zuleitungen elektrisch voneinander zu trennen; und
Bildung eines Formteils zur Umhüllung des Stanzteilabschnittes (1a) des Zuleitungsrahmens (1) auf dem die Halbleiteranordnung (2) befestigt ist, der Anzahl Zuleitungen (3) des Zuleitungsrahmens und mindestens eines Teils des Außenanschlußteils (8), der die Anzahl Klemmen (8a) enthält.
6. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Baugruppe mit einem Außenanschlußteil nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Zuleitungsrahmen (1) fünf oder mehr Zuleitungen (3) hat, und die Verbindung des Außenanschlußteils (8) mit der Anzahl Klemmen (8a) zum Zuleitungsrahmen (1) sicherstellt, daß die Zuleitungen voneinander getrennt sind und während der Bildung des Formteils (5) gehalten werden.
7. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Baugruppe mit einem Außenanschlußteil nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiter-Baugruppe eine Zündanordnung für eine Brennkraftmaschine ist.
8. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Baugruppe mit einem Außenanschlußteil nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Klemmen (8a) der Außenanschlußteile (8) jeweils mit den Zuleitungen (3) des Zuleitungsrahmens (1) durch Schweißen verbunden werden.
9. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Baugruppe mit einem Außenanschlußteil nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Zuleitungen (3) des Zuleitungsrahmens innere Zuleitungen (3a) umfassen, die sich vom Verbindungssteg (3c) gegen den Stanzteilabschnitt (1a) erstrecken und äußere Zuleitungen (3b), die sich vom Verbindungssteg in entgegengesetzter Richtung erstrecken, das Verfahren ferner den Schritt umfaßt, wonach die äußeren Zuleitungen (3b) der Zuleitungen weggeschnitten werden, bevor der Schritt der Verbindung des Außenanschlußteils (8) zum Zuleitungsrahmen (1) durchgeführt wird, so daß die Klemmen (8a) des Außenverbindungsteils jeweils mit den Abschnitten des Verbindungsstegs (3c) verbunden werden können, die den Zuleitungen bei dem Verbindungsschritt entsprechen.
10. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Baugruppe mit einem Außenverbindungsteil nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Zuleitungen (3) des Zuleitungsrahmens (1) nur innere Zuleitungen (3a; 30, 31) haben, die sich vom Verbindungssteg (3c) gegen den Stanzteilabschnitt hin erstrecken, und daß in dem Verbindungsschritt die Klemmen des Außenanschlußteils (8) jeweils mit den Abschnitten des Verbindungsstegs (3c) verbunden werden, die den Zuleitungen entsprechen.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0639884B1 (de) * 1993-08-17 2000-05-17 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft, Patentabteilung AJ-3 Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Antriebseinheit

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3096824B2 (ja) * 1992-04-17 2000-10-10 ローム株式会社 Ｌｅｄ製造用フレームおよびこれを用いたｌｅｄの製造方法
JP2927660B2 (ja) * 1993-01-25 1999-07-28 シャープ株式会社 樹脂封止型半導体装置の製造方法
US5681663A (en) * 1995-06-09 1997-10-28 Ford Motor Company Heatspreader carrier strip
TW349082B (en) * 1996-02-08 1999-01-01 Sumitomo Chemical Co Coated fertilizer
US9397029B1 (en) * 2015-06-29 2016-07-19 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Power semiconductor package device having locking mechanism, and preparation method thereof

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4320412A (en) * 1977-06-23 1982-03-16 Western Electric Co., Inc. Composite material for mounting electronic devices
DE3033856A1 (de) * 1980-09-09 1982-05-06 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Gehaeuseloses schaltungsmodul und verfahren zu seiner herstellung
US4859632A (en) * 1987-12-28 1989-08-22 Siemens Corporate Research And Support, Inc. Method for manufacturing the same

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3439238A (en) * 1963-12-16 1969-04-15 Texas Instruments Inc Semiconductor devices and process for embedding same in plastic
US3418089A (en) * 1965-12-16 1968-12-24 Berg Electronics Inc Assembly for transistor manufacture
JPS57110952A (en) * 1980-11-19 1982-07-10 Omron Tateisi Electronics Co Measuring device equipped with amperometric electrode
JPS5842939A (ja) * 1981-09-07 1983-03-12 Nitsushiyoo:Kk 医療用温度測定プローブ
JPS5919364A (ja) * 1982-07-23 1984-01-31 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法およびその方法において用いるリ−ドフレ−ム
JPS59172753A (ja) * 1983-03-23 1984-09-29 Stanley Electric Co Ltd コネクタダイオ−ド
JPS60167359A (ja) * 1984-02-09 1985-08-30 Matsushita Electronics Corp リ−ドフレ−ムおよびこれを用いた半導体装置
JPS61108158A (ja) * 1984-11-01 1986-05-26 Nec Corp 集積回路用リ−ド端子構体
JPH0691178B2 (ja) * 1985-10-14 1994-11-14 トヨタ自動車株式会社 厚膜ｉｃへの半田付け方法
JPS6298759A (ja) * 1985-10-25 1987-05-08 Mitsubishi Electric Corp 電子デバイス
JPS6340351A (ja) * 1986-08-05 1988-02-20 Mitsubishi Electric Corp リ−ドフレ−ム
JPS63269550A (ja) * 1987-04-27 1988-11-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US5104827A (en) * 1990-11-27 1992-04-14 Lsi Logic Corporation Method of making a plastic-packaged semiconductor device having lead support and alignment structure

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4320412A (en) * 1977-06-23 1982-03-16 Western Electric Co., Inc. Composite material for mounting electronic devices
DE3033856A1 (de) * 1980-09-09 1982-05-06 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Gehaeuseloses schaltungsmodul und verfahren zu seiner herstellung
US4859632A (en) * 1987-12-28 1989-08-22 Siemens Corporate Research And Support, Inc. Method for manufacturing the same

Non-Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP 59-172753 A. In: Patents Abstracts of Japan, 1985, Vol. 9, Nr. 27, E-294 *
JP 59-19364 A. In: Patents Abstracts of Japan, 1984, Vol. 8, Nr. 103, E-244 *
JP 60-167359 A. In: Patents Abstracts of Japan, 1986, Vol. 10, Nr. 1, E-371 *
JP 61-108158 A. In: Patents Abstracts of Japan, 1986, Vol. 10, Nr. 289, E-442 *
JP 62-88351 A. In: Patents Abstracts of Japan, 1987, Vol. 11, Nr. 288, E-542 *
JP 63-269550 A. In: Patents Abstracts of Japan, 1989, Vol. 13, Nr. 92, E-722 *
JP 63-40351 A. In: Patents Abstracts of Japan, 1988, Vol. 12, Nr. 254, E-634 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0639884B1 (de) * 1993-08-17 2000-05-17 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft, Patentabteilung AJ-3 Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Antriebseinheit

Also Published As

Publication number Publication date
DE4127911C2 (de) 1999-03-18
KR950003337B1 (ko) 1995-04-10
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KR920004713A (ko) 1992-03-28

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