DE4033309C2

DE4033309C2 - Halbleitereinrichtung und Herstellungsverfahren dafür

Info

Publication number: DE4033309C2
Application number: DE4033309A
Authority: DE
Inventors: Yoshinori Okumura
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1989-10-20
Filing date: 1990-10-19
Publication date: 1996-01-11
Anticipated expiration: 2010-10-20
Also published as: JP2928342B2; JPH03204940A; DE4033309A1

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleitereinrichtung nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 1 und auf ein Herstellungsverfahren dafür nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 9.

Die grundlegende Anordnung eines MOS-Typ-Feldeffekttransi stors weist eine Ladungsträger zuführende Source und ein Ladungsträger abziehendes Drain auf, die auf beiden Seiten eines sogenannten MOS-Kondensators vorgesehen sind, der ein Siliziumsubstrat und eine darüber angeordnete Metallelektrode aufweist, wobei ein dünner Oxidfilm zwischen diesen beiden vorgesehen ist. Da die Metallelektrode auf dem Oxidfilm die Funktion zum Steuern der Leitung zwischen der Source und dem Drain ausübt, wird sie als Übertragungsgateelektrode bezeichnet. Als Materialien für die Übertragungsgateelektrode werden oft mit Fremdatomen dotiertes Polysilizium und ein Metallsilizid verwandt, das durch Anwenden einer Wärmebehand lung in einem inerten Gas auf ein auf Polysilizium abgeschie denes, wärmefestes Metall, wie Wolfram, gebildet ist.

Wenn die Spannung der Übertragungsgateelektrode (Gatespan nung) niedriger als die zum Invertieren des Leitungstypes der Fläche benachbart zu der Siliziumsubstratoberfläche zwi schen einer Source und einem Drain (Kanal) benötigten Schwel lenspannung V_th ist, sind die Source und das Drain voneinan der durch einen pn-Übergang isoliert, und Strom fließt nicht. Wenn eine Gatespannung höher als V_th angelegt ist, wird der Leitungstyp der Kanaloberfläche invertiert, eine Schicht des gleichen Leitungstypes wie der der Source und des Drains wird in diesem Gebiet gebildet, und Strom fließt zwischen der Source und dem Drain.

Wenn Variationen in der Fremdatomkonzentrationsverteilung an der Grenze zwischen Source und Drain und dem Kanal groß sind, ist die elektrische Feldstärke in diesem Gebiet groß. Aufgrund des elektrischen Feldes erhalten die Ladungsträger Energie, und sogenannte heiße Träger werden erzeugt. Die Ladungsträger werden dann in den isolierenden Übertragungs gatefilm injiziert, manchmal bilden sie einen Grenzschicht zustand an einem Grenzschichtbereich des isolierenden Über tragungsgatefilmes und eines Halbleitersubstrates, oder manchmal werden sie in dem isolierenden Übertragungsgatefilm gefangen. Somit werden die Schwellenspannung und die Über tragungsleitung des MOS-Transistors während des Betriebes verschlechtert. Dieses ist das MOS-Transistorverschlechte rungsphänomen aufgrund heißer Träger. Die Durchbruchsspannung fällt ebenfalls aufgrund der heißen Träger. Daher wird die elektrische Feldstärke durch Verringern der n-Typ-Fremdatom konzentration in der Nachbarschaft der Source und des Drains verringert, damit nur eine kleine Variation in der Konzentra tionsverteilung erzielt wird. In einem Transistor vom MOS-Typ und der LDD-Anordnung unterdrückt dieses die MOS-Transistor verschlechterung aufgrund der heißen Träger und erhöht die Durchbruchsspannung der Source und des Drains.

Ein Herstellungsverfahren für einen Transistor vom MOS-Typ mit einer LDD-Anordnung ist in den Fig. 15A bis 15H dar gestellt. Zuerst wird bei diesem Verfahren ein Übertragungs gateoxidfilm 3 in einem von einem Bauelemente trennenden Isolierfilm 2 umgebenden Bauelement bildenden Gebiet auf einem p-Typ-Halbleitersubstrat 1 durch das sogenannte LOCOS- (Local Oxidation of Sillcon)-Verfahren gebildet (Fig. 15A). Als nächstes werden zum Steuern der Schwellenspannung p-Typ- Fremdatome, wie Bor-Ionen, überall in das Halbleitersub strat 1 zum Bilden von ionen-implantierten Bereichen 4 ein geführt (Fig. 15B). Darauffolgend wird ein Polysiliziumfilm auf dem gesamten Übertragungsgateoxidfilm 3 durch das Nieder druck-CVD-(Chemical Vapor Deposition)-Verfahren abgeschieden und eine Übertragungsgateelektrode 5 durch die photolitho graphische Technik und die reaktive Ionenätztechnik gebildet (Fig. 15C). Als Alternative kann für die Übertragungsgate elektrode 5 ein Zweischichtfilm aus einem wärmefesten Metall, wie Wolfram, Molybdän und Titan oder deren Silizidverbindun gen und Polysilizium anstelle des Polysiliziums verwendet werden. Phosphorionen werden in die Übertragungsgateelektrode 5 zum Erhöhen von deren Leitfähigkeit dotiert. In diesem Fall wird die Übertragungsgateelektrode 5 zum n-Typ, der der gleiche wie der des Kanales oder der der Source und des Drains ist. Selbst wenn daher eine Gatespannung nicht an die Übertragungsgateelektrode 5 angelegt ist, ist die p-Typ- Kanaloberfläche in einem solchen Zustand, als wenn eine posi tive Gatespannung angelegt wäre, wegen des Unterschiedes zwischen den Arbeitsfunktionen der n-Typ-Übertragungsgate elektrode 5 und der p-Typ-Kanaloberfläche.

Dies wird im folgenden mit der Band-Theorie beschrieben. Wenn keine n-Typ-Übertragungsgateelektrode 5 auf dem Kanal oberfläche gebildet ist, sind zuerst die Bänder der Übertra gungsgateelektrode 5, des Übertragungsgateoxidfilmes 3 und des p-Typ-Halbleitersubstrates 1 wie in Fig. 15G gezeigt. Wenn eine Übertragungsgateelektrode 5 auf der Kanaloberfläche gebildet ist, wobei ein Übertragungsgateoxidfilm 3 zwischen den beiden vorgesehen ist, verändern sich die Bänder, wie in Fig. 15H gezeigt ist. Die Änderung der Bänder tritt auf, da das Fermi-Niveau E_FG der Übertragungsgateelektrode 5 und das Fermi-Niveau E_FS des Halbleitersubstrates gleich werden, so daß ein ausgeglichener Zustand erzeugt wird, und das Band in der Nähe der Oberfläche des Halbleitersubstrates 1 wird unter dem Effekt des elektrischen Feldes durch die Übertragungsgateelektrode 5 heruntergebogen. Nach dem Bilden des Übertragungsgates 5 werdend wie in Fig. 15H gezeigt, freie Elektronen in die Nachbarschaft der Oberfläche des Halbleitersubstrates 1 injiziert. Folglich ist die Übertra gungsgateelektrode 5 in einem Zustand, in dem effektiv ein positives Potential an sie angelegt ist.

Die n-Typ-Fremdatomdotierung in der Übertragungsgateelektrode 5 kann ebenfalls in die p-Typ-Kanaloberfläche aufgrund der folgenden Wärmebehandlung diffundieren. Aus diesen Gründen sinkt V_th, und es kann möglicherweise passieren, daß eine invertierte Schicht bereits in dem Kanal in einigen Fällen erzeugt ist. Die oben beschriebenen Bereiche 4, die mit Ionen implantiert sind, dienen zum Überwinden des Effektes, der erzeugt ist, indem beim Implantieren von p-Typ-Fremdatomen Fremdatomionen in die Übertragungsgateelektrode 5 dotiert werden, damit sicher die gewünschte V_th-Spannung erreicht wird.

Als nächstes werden unter der Benutzung der Gateelektrode 5 als Maske n-Typ-Fremdatome, wie Phosphorionen und Arsen ionen vertikal in die Halbleitersubstratoberfläche zum Bilden von Schichten 6, die mit Ionen vom n-Typ implantiert sind, implantiert (Fig. 15D). Darauffolgend wird ein isolierender Film aus Siliziumdioxid oder ähnlichem über der gesamten Oberfläche des Halbleitersubstrates 1 durch das Niederdruck- CVD-Verfahren oder durch das CVD-Verfahren bei atmosphäri schem Druck abgeschieden, diese werden dem anisotropen Ätzen zum Bilden von Seitenwandabstandsstücken 7 unterworfen (Fig. 15E). Als nächstes werden unter Benutzung der Übertragungs gateelektrode 5 und der Seitenwandabstandsstücke 7 als Masken n-Typ-Fremdatome, wie Phosphorionen und Arsenionen senkrecht in die Oberfläche des Halbleitersubstrates 1 zum Bilden von Schichten 8 mit n-Typ-Ionenimplantierungen von höherer Kon zentration als die der Schichten 6 mit Ionenimplantierungen eingeführt (Fig. 15F). Damit ist nach der Wärmebehandlung zum Aktivieren der implantierten Fremdatomionen ein Transi stor vom MOS-Typ mit LDD-Anordnung fertiggestellt.

Während in der oben beschriebenen Ausführungsform ein p-Typ- Halbleitersubstrat eingesetzt ist, kann ebenfalls ein Sub strat mit einer p-Wanne oder einem Bereich verwendet werden, bei dem zumindest nahe der Substratoberfläche Fremdatom implantierungen vom p-Typ vorgenommen sind. Ebenfalls kann als Substrat ein n-Typ Halbleitersubstrat oder ein Substrat mit einer n-Typ-Wanne oder einem Bereich mit Fremdatomimplan tierungen vom n-Typ mindestens nahe der Oberfläche verwendet werden. In diesem Fall ist dann die Übertragungsgateelektrode 5 vom p-Typ, die Bereiche 4 mit Ionenimplantierungen zum Steuern der Schwellenspannung sind vom n-Typ, und Schichten 6 und 8 mit Ionenimplantierungen vom p-Typ werden als Source gebiet und Draingebiet gebildet.

Da die obige Ausführungsform darauf basiert, daß die Ionen implantierung nur in eine Richtung senkrecht zu der Ober fläche des Halbleitersubstrates 1 ausgeführt wird, müssen die Bereiche 4 mit Ionenimplantierungen zum Steuern der Schwellenspannung vor dem Bilden der Übertragungsgateelek trode 5 gebildet werden. Andererseits wird auf die japanische Offenlegungsschrift 61-226968 Bezug genommen für ein Ver fahren zum Bilden entsprechender ionenimplantierter Schichten nach dem Bilden der Übertragungsgateelektrode 5, indem ein Verfahren zum schrägen Ionenimplantieren angewandt wird. Wie in den Fig. 16A bis 16D gezeigt ist, werden bei dem Verfahren zum Herstellen einer MOS-Typ-Halbleitereinrichtung, das in der genannten Schrift beschrieben ist, unter Benutzung eines auf einem p-Typ-Halbleitersubstrat 11 gebildeten Feld oxidfilmes 12 und Gates 14 n-Typ-Bereiche 18 durch Implan tieren von Phosphorionen mit einer Beschleunigungsspannung von 20 keV gebildet (Fig. 16A). Darauffolgend werden, indem Borionen unter Benutzung der Gateelektrode 14 als Maske unter einem Einfallswinkel von 30° und mit einer Beschleu nigungsspannung vom 30 keV auf das Substrat gerichtet werden, p-Typ-Bereiche 19a gebildet (Fig. 16B). Nachdem eine ähn liche schräge Ionenimplantation von der entgegengesetzten Seite durchgeführt ist, sind p-Typ-Bereiche 19a und 19b ge bildet, die insgesamt die Seiten und den Boden der n-Typ- Bereiche 18 umgeben (Fig. 16C).

Als nächstes wird ein Photolack 20 um das Gate 14 herum ge bildet, und indem dieser als Maske benutzt wird, werden Arsenionen mit einer hohen Konzentration implantiert, so daß n-Typ-Bereiche 21 als Source und Drain gebildet werden (Fig. 16D).

Schließlich wird ein Siliziumoxidfilm 22 über der gesamten Oberfläche durch das CVD-Verfahren abgeschieden, Kontakt löcher werden an vorgeschriebenen Stellen in den entspre chenden Bereichen von Gate, Source und Drain durch das reak tive Ionenätzverfahren oder ähnliches gebildet, und Aluminium wird durch das Sprühverfahren oder das CVD-Verfahren abge schieden und bemustert, dann ist die n-Kanal-Halbleiterein richtung vom MOS-Typ beendet.

Gemäß der obigen Ausführungsform werden entsprechende Schich ten mit Ionenimplantierungen gebildet, nachdem die Gateelek trode 14 gebildet ist, da die p-Typ-Bereiche 19a und 19b durch schräge Ionenimplantierung gebildet werden.

Unter den oben beschriebenen Herstellungsverfahren für Halbleitereinrichtungen wird bei der ersten Ausführungsform durch vertikales Implantieren von Ionen über die gesamte Oberfläche des Halbleitersubstrates vor dem Bilden der Übertragungsgate elektrode 5 der Bereich 4 mit Ionenimplantierung oder eine diffundierte Schicht zum Steuern der Schwellenspannung ge bildet. Folglich ist die Konzentrationsverteilung der p-Typ- Fremdatomionen ziemlich gleichförmig über den gesamten Kanal bereich, wie durch die gestrichelte Linie in Fig. 17 gezeigt ist. Dieses Verhalten ändert sich nicht stark nach der ther mischen Diffusion, wie durch die zweifach gestrichelte Linie in Fig. 17 gezeigt ist. Da die Schwellenspannung entsprechend eines ziemlich durchschnittlichen Wertes des Kanalpotentiales über dem Kanalbereich bestimmt ist, wird nach Einstellung einer vorbestimmten Schwellenspannung der mittlere Wert der Konzentrationsverteilung der zu bildenden Bereiche 4 mit Ionenimplantierungen entsprechend bestimmt. Bei dem ersten Beispiel wird die Konzentrationsverteilung in dem Bereich 4 der Ionenimplantierungen in der Nachbarschaft des Kanal bereiches oder die Verteilung des Kanalpotentiales ziemlich gleichförmig, und das Kanalpotential in der Nachbarschaft des Sourcebereiches und des Drainbereiches nimmt einen rela tiv niedrigen Wert an, der ziemlich dem Potential in dem mittleren Gebiet des Kanales gleich ist. Folglich wird in der Nachbarschaft des Source- und Draingebietes auf beiden Enden des Kanalbereiches keine ausreichende Potentialbarriere gebildet. Daher nimmt die Ausdehnung der Verarmungsschicht in die Richtung des Halbleitersubstrates in der Nachbarschaft der Source und des Drains zu. Da die Einrichtung hoch inte griert ist und die Länge der Übertragungsgateelektrode oder der effektiven Kanallänge kürzer werden, tritt ein Kurzschluß zwischen der Source und dem Drain leichter auf, da sich die Verarmungsschicht ausdehnt, und die Durchbruchsspannung zwi schen der Source und dem Drain sinkt. Wenn die Konzentration der Ionen in dem Kanalbereich zum Unterdrücken der Ausdehnung der Verarmungsschicht erhöht wird, wird die Schwellenspannung höher als ein gewünschter Wert.

Ebenso steigt die Wahrscheinlichkeit, daß der sogenannte ALPEN-(Alpha Particle Source/Drain Penetration)-Effekt auf tritt, bei dem durch radioaktive Isotope, wie Uran oder Thorium in der Gießharzpackung ausgestrahlte α-Teilchen durch das Source- und Draingebiet gehen. Aufgrund dieses ALPEN- Effektes tritt ein sogenannter "soft error" auf, wenn ein α-Strahl eine Speicherzelle trifft, dadurch wird die Infor mation einer Speicherzelle zerstört, wodurch eine Fehlfunk tion auftritt. In dem Fall, in dem die Information "H" ge speichert ist, bei dem Elektronen nicht in dem Kondensator einer Speicherzelle gesammelt sind, werden, falls α-Teilchen diese Speicherzelle treffen, Elektron-Loch-Paare durch den Stromeffekt durch die Energie der α-Teilchen erzeugt, und die Elektronen werden in einer Verarmungszone so gesammelt, daß die Bedingung der Information "L" erreicht wird. Wenn die α-Teilchen durch die Source und das Drain gehen, werden Elektron-Loch-Paare entlang des Weges der α-Teilchen erzeugt. Die Elektron-Loch-Paare werden durch das elektrische Feld der Verarmungszone zwischen der Source oder dem Drain und dem Halbleitersubstrat getrennt, und eine neue vorübergehende Verarmungszone wird entlang des Weges der α-Teilchen erzeugt. Das Phänomen, daß eine vorübergehende Verarmungsschicht ent lang des Weges der α-Teilchen erzeugt wird, wird als "Funneling"-Phänomen (Kanalisierungsphänomen) bezeichnet. Wäh rend des Betriebes eines Transistors tritt ein vorübergehen der Durchbruch zwischen der Source und Drain auf, wenn eine vorübergehende Verarmungszone aufgrund des Funneling-Phäno mens zwischen den Verarmungszonen in der Nähe der Source und des Drains erzeugt wird, wodurch ein soft error einer neuen Art ("L → < H" soft error) erzeugt wird.

Wenn bei dem oben beschriebenen ersten Herstellungsverfahren die Einrichtung hoch-integriert ist, sinkt die Source-/Durch bruchsspannung, und der soft error tritt wahrscheinlicher auf, und es besteht das Problem, daß sowohl die anfängliche Eigenschaft als auch die Langzeitzuverlässigkeit der Einrich tung verschlechtert wird.

Die p-Typ-Bereiche 19a, 19b, die in der zweiten Ausführungs form gebildet sind, dienen als Barrieren zum Verhindern eines Durchbruches an beiden Enden des Kanalbereiches. Diese p- Typ-Bereiche 19a, 19b werden unabhängig von der Steuerung der Schwellenspannung des Kanalbereiches gebildet. Daher ist zusätzlich zu der Erhöhung der Zahl der Schritte beim Herstellungsverfahren auch die vorbestimmte Schwellenspannung beeinflußt.

Es ist daher Aufgabe der Erfindung, eine Halbleitereinrich tung mit Eigenschaften der Source-/Drain-Durchbruchsspannung oder ähnliches vorzusehen, die nicht sinkt, selbst wenn die Einrichtung hochintegriert ist.

Weiterhin soll ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterspeicher einrichtung geschaffen werden.

Erfindungsgemäß ist eine Halbleitereinrichtung vorgesehen mit einem MOS-Typ-Feldeffekttransistor mit den Merkmalen des Patentanspruches 1.

Bevorzugte Ausgestaltungen der Halbleitereinrichtung sind in den zugehörigen Unteransprüchen angegeben.

Gemäß der Halbleitereinrichtung ist die Kanalpotentialvertei lung in dem Kanalbereich in der Nähe des zentralen Abschnit tes des Kanalbereiches niedrig und entspricht der Fremdatom ionenkonzentrationsverteilung, und sie ist deutlich hoch an beiden Enden. Folglich wird eine Hochpotentialbarriere an beiden Enden des Kanalbereiches so gebildet, daß die Aus dehnung der Verarmungsschicht zwischen den Source-Drain gebieten beschränkt ist. Als Resultat tritt ein Kurzschluß der Verarmungsschicht zwischen dem Sourcebereich und dem Drainbereich nicht leicht auf, und die Durchbruchsspannung zwischen der Source und dem Drain steigt.

Selbst wenn die α-Teilchen in den Source- und Drainbereich eindringen, ist das Funnelling-Phänomen aufgrund dieser durch die Hochpotentialbarrieren an beiden Enden des Kanalbereiches beschränkt, und der zeitweilige Durchbruch zwischen der Source und dem Drain aufgrund des ALPEN-Effektes wird eben falls vermieden.

Diese Erfindung ist besonders effektiv anwendbar auf eine MOS-Typ-LDD-Anordnung mit einem Source-Bereich und einem Drain-Bereich mit Fremdatomdiffusionsbereichen niedriger Konzentration des zweiten Leitungstypes, die in der Nachbar schaft der Abschnitte direkt unter beiden Seiten der Über tragungsgateelektrode gebildet sind und mit Fremdatomdiffu sionsbereichen höherer Konzentration außerhalb der Fremdatom diffusionsbereiche niedriger Konzentration.

Das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren einer Halbleitereinrichtung weist die Merkmale des Patentanspruches 9 auf.

Eine gemäß des obigen Herstellungsverfahrens hergestellte Halbleitereinrichtung mit den oben beschriebenen Effekten kann sehr effektiv hergestellt werden.

Bevorzugte Ausgestaltungen des Verfahrens sind in den zugehörigen Unteransprüchen angegeben.

Es können Arbeitseffekte bei diesem Herstellungsverfah ren ähnlich zu dem Fall erzielt werden, in dem die Bereiche mit implantierten Ionen zur Schwellenspannungssteuerung durch die Ionenimplantation mit schräger Rotation gebildet wer den. Bei dieser Ionenimplantation mit fester Neigung schrei tet die Diffusion rasch vorwärts, wenn eine für die Einrich tung notwendige thermische Behandlung danach angewandt wird, da die Fremdatomkonzentrationsverteilung vor dem Diffusions schritt durch die thermische Behandlung sich scharf ändert, so daß der Effekt des Bildens einer Potentialbarriere an beiden Enden des Kanalbereiches verringert wird im Vergleich mit dem Fall, in dem die Ionenimplantation mit veränderlicher Neigung durchgeführt wird.

Es folgt die Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Figuren. Von den Figuren zeigen:

Fig. 1A-1F aufeinanderfolgende Schnittansichten, die systematisch die Herstellungsschritte gemäß der ersten Ausführungsform zeigen;

Fig. 2 ein Diagramm, das schematisch das Profil der ionenimplantierten Schichten in der Nach barschaft des Kanales des Transistors vom MOS-Typ mit LDD-Anordnung, der gemäß des Verfahrens der Ausführungsform nach Fig. 1 gebildet ist, und die entsprechende Fremd atomionenkonzentrationsverteilung zeigt;

Fig. 3 ein Diagramm, das schematisch das Profil der ionenimplantierten Schichten in der Nach barschaft des Kanales des Transistors vom MOS-Typ mit LDD-Anordnung für den Fall, bei dem die ionenimplantierten Schichten für die Schwellenspannungssteuerung gemäß eines ähnlichen Verfahrens gebildet sind, bei dem die Neigung der Ionenimplantation fest ist anstatt daß die Neigung der Ionenimplantation rotiert, und die entsprechende Fremdatom ionenkonzentrationsverteilung zeigt;

Fig. 4 ein Diagramm, das die Ionenreichweite und das System von Koordinaten zum Beschreiben der Theorie der numerischen Analyse zum Auf finden der Fremdatomkonzentration in den entsprechenden Ausführungsformen zeigt;

Fig. 5A-5C Diagramme zum Beschreiben dreier Faktoren des Effektes des Abschirmens der Übertra gungsgateelektrode bei dem Ionenimplantieren;

Fig. 6 ein Diagramm zum Beschreiben des Systemes von Koordinaten bei der Analyse der Ionen implantation mit Neigungsrotation;

Fig. 7A ein Diagramm der Verteilung der Gewichts funktion W (X), W_mod (X) unter Berücksichti gung des Abschattungseffektes und des Durch dringungseffektes der Übertragungsgateelek trode, und Fig. 7B ein Diagramm der Vertei lung der Verteilungsfunktion in die Richtung der Tiefe P (Z), P_mod (Z);

Fig. 8A-8F aufeinanderfolgende Schnittdiagramme, die systematisch das Herstellungsverfahren nach einer zweiten Ausführungsform zeigen;

Fig. 9A-9C aufeinanderfolgende Schnittansichten, die schematisch die Grundzüge des Herstellungs verfahrens nach einer dritten Ausführungsform zeigen;

Fig. 10A-10D aufeinanderfolgende Schnittansichten, die schematisch die Grundzüge des Herstellungs verfahrens nach einer vierten Ausführungsform zeigen;

Fig. 11A-11D aufeinanderfolgende Schnittansichten, die systematisch die Grundzüge des Herstellungs verfahrens nach einer fünften Ausführungs form zeigen;

Fig. 12A-12D aufeinanderfolgende Schnittansichten, die schematisch die Grundzüge des Herstellungs verfahrens nach einer sechsten Ausführungs form zeigen;

Fig. 13A-13D aufeinanderfolgende Schnittansichten, die schematisch die Grundzüge des Herstellungs verfahrens nach einer siebenten Ausführungs form zeigen;

Fig. 14A-14D aufeinanderfolgende Schnittansichten, die schematisch die Grundzüge des Herstellungs verfahrens nach einer achten Ausführungsform zeigen;

Fig. 15A-15F aufeinanderfolgende Schnittansichten, die schematisch das Herstellungsverfahren eines Beispieles zeigen, und

Fig. 15G und 15H Diagramme der Bedingungen der Änderungen des Energiebandes vor und nach Bilden der Übertragungsgateelektrode auf der Halblei tersubstratoberfläche;

Fig. 16A-16D aufeinanderfolgende Schnittansichten, die schematisch die Grundzüge des Herstellungs verfahrens eines zweiten Beispieles zeigen; und

Fig. 17 ein Diagramm, das schematisch ein Profil von ionenimplantierten Schichten in der Nachbar schaft des Kanales eines Transistors vom MOS-Typ mit LDD-Anordnung, der gemäß des ersten Beispieles gebildet ist, und die diesem entsprechende Fremdatomionenkonzen tration zeigt.

Unter Bezugnahme auf die Fig. 1 wird das Herstellungsver fahren nach einer ersten Ausführungsform beschrieben. Zuerst wird ein isolierender Übertragungsgatefilm 3 auf einem ein Element bildenden Gebiet, das von einem Element trennenden Gebiet 2 umgeben ist, durch das LOCOS-Verfahren auf einem p-Typ-Halbleitersubstrat 1 gebildet (Fig. 1A). Als nächstes wird ein Polysiliziumfilm über der gesamten Oberfläche des isolierenden Übertragungsgatefilmes 3 durch das Niederdruck- CVD-Verfahren zum Bilden einer Übertragungsgateelektrode 5 durch Photolithographie und reaktives Ionenätzen abgeschieden (Fig. 1B). Diese Übertragungsgateelektrode 5 kann anstatt, daß sie aus einer einzelnen Polysiliziumschicht gebildet ist, auch durch Abscheiden einer Doppelschicht aus einem wärmefesten Metall, wie Wolfram, Molybdän oder Titan und Polysilizium durch das Niederdruck-CVD-Verfahren oder das Sprühverfahren und durch Anwenden der Photolithographie und des reaktiven Ionenätzens gebildet werden. Sie kann ebenfalls durch Abscheiden eines silizidierten wärmefesten Metalles, d. h. eines wärmefesten Metallsilizids, und Anwenden der Photolithographie und des reaktiven Ionenätzens gebildet werden.

Fremdatomionen, wie Phosphorionen, werden in die Übertra gungsgateelektrode 5 zum Erhöhen ihrer Leitfähigkeit dotiert, und der Leitungstyp wird entgegengesetzt zu dem des Halblei tersubstrates oder der gleiche wie der des Kanals. Aufgrund der positiven Differenz der Arbeitsfunktion zwischen der n-Typ-Übertragungsgateelektrode und des p-Typ-Kanalbereiches und aufgrund der Phosphorionendiffusion in den Kanal aufgrund der folgenden Wärmebehandlung nimmt folglich die Schwellen spannung ab. Es ist daher notwendig, die Schwellenspannung durch Bilden von ionenimplantierten Bereichen 4 zu erhöhen, wie weiter unten beschrieben wird.

Als nächstes werden Borionen, die Fremdatomionen vom p-Typ und damit die gleichen wie die für das Halbleitersubstrat 1 sind, in eine schräge Richtung bei einem vorbestimmten Neigungswinkel θ gegenüber der normalen Richtung über die gesamte Oberfläche des Halbleitersubstrates 1 implantiert. Die Ionenimplantation wird in diesem Fall in dem Bereich der Beschleunigungsspannung von 80 keV bis 180 keV durchge führt, und die Dosis des Bors beträgt 4 × 10¹²/cm² bis 8 × 10¹²/cm². Zur gleichen Zeit wird das Halbleitersubstrat 1 um eine willkürliche Normalachse der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrates rotiert. Durch diese Ionenimplantation mit Neigung und Rotation werden die ionenimplantierten Schichten 4 vom p-Typ zum Steuern der Schwellenspannung ge bildet (Fig. 1C).

Wenn der Neigungswinkel θ der Ionenimplantation kleiner als ungefähr 10° ist, tritt der sogenannte Channelling-Effekt ein, bei dem die Ionen ungewöhnlich tief in die Richtung der Kristallachse eindringen, da sie nur schwach mit den Atomen wechselwirken; dieses ist nicht bevorzugt. Selbst wenn der Winkel θ größer als ungefähr 10° ist, wenn er jedoch kleiner als ungefähr 15° ist, wird die Ionenimplantation in den Abschnitt direkt unter der Übertragungsgateelektrode 5 nicht ausreichend gut ausgeführt, so daß das Steuern der Schwellenspannung schwierig ist. Wenn der Winkel θ ungefähr 60° übersteigt, tritt das Problem auf, daß der Betrag der Ionenimplantation in den Abschnitt direkt unter der Übertra gungsgateelektrode 5 so ansteigt, daß die Schwellenspannung zu hoch wird. Daher wird der Neigungswinkel θ der Ionenim plantation bevorzugt größer als 15° und kleiner als 60° ge wählt. Üblicherweise ist er größer als 30° und kleiner als ungefähr 45°.

Danach werden Phosphorionen oder Arsenionen, das sind Fremd atomionen des n-Types, der den entgegengesetzten Leitungstyp zu dem des Halbleitersubstrates 1 darstellt, in der Normal richtung über die gesamte Oberfläche des Halbleitersubstrates 1 implantiert. Somit werden ionenimplantierte Schichten 6 vom n-Typ unter Benutzung der Übertragungsgateelektrode 5 als Maske gebildet (Fig. 1D). Als nächstes wird ein Oxidfilm aus Siliziumdioxid durch das CVD-Verfahren oder ähnliches über der gesamten Oberfläche des Halbleitersubstrates 1 ab geschieden, auf den dann das anisotrope Ätzen so angewandt wird, daß Seitenwandabstandsstücke 7 gebildet werden.

Als nächstes werden n-Typ-Fremdatomionen, Phosphorionen oder Arsenionen in die Normalrichtung über die gesamte Oberfläche des Halbleitersubstrates 1 implantiert. Somit werden ionen implantierte Schichten 8 vom n-Typ unter Benutzung der Gate elektrode 5 und der Seitenwandabstandsstücke 7 als Masken gebildet.

Dabei wird zum Bilden der LDD-Anordnung der Betrag der Ionen implantation in die ionenimplantierten Schichten 6 so einge stellt, daß die implantierte Konzentration sehr viel geringer ist als die der ionenimplantierten Schichten 8.

Dann werden durch Ausführen der Wärmebehandlung die entspre chenden ionenimplantierten Schichten 6 und 8 zum Bilden von Fremdatomionendiffusionsschichten aktiviert.

Während bei dieser Ausführungsform ein p-Typ-Halbleitersub strat 1 als Substrat zum Bilden eines Transistors vom MOS- Typ mit LDD-Anordnung verwandt wird, kann auch eines, das mit einer p-Wanne, einem p-Typ-Bereich mit mindestens einer vorbestimmten Tiefe von der Substratoberfläche an verwendet werden.

Der Leitungstyp des Substrates ist nicht auf p-Typ be schränkt, und die ionenimplantierten Schichten 6 und 8 können als p-Typ in einem n-Typ-Substrat und ionenimplantierten Schichten 4 gebildet werden.

Die Fremdatomionenkonzentrationsverteilung des Transistors vom MOS-Typ mit LDD-Anordnung, der wie oben gebildet ist, ist in Fig. 2 gezeigt.

Das Profil und die Kanalpotentialverteilung der ionenimplan tierten Bereiche 4 in dem Fall der Anwendung des Implanta tionsverfahrens mit schrägem Einfall und Rotation kann durch numerische Analyse berechnet werden, bei der zusätzlich zu der später zu beschreibenden LSS-Theorie eine Theorie der vertikalen Ionenimplantation in ein amorphes Ziel, und eine Gewichtsfunktion benutzt werden, die den Abschattungseffekt und den Gate-Eindringeffekt der Übertragungsgateelektrode 5 berücksichtigen. Die Fremdatomionenkonzentrationsverteilung in Fig. 2 zeigt schematisch die Verteilung auf der Kanal gebietoberfläche aufgrund des berechneten Resultates.

Eine Zusammenfassung der Theorie der numerischen Analyse zum Erzielen der Fremdatomkonzentrationsverteilung gemäß Fig. 2 wird im folgenden beschrieben.

Die Verteilung von in das Halbleitersubstrat 1 implantierten Fremdatomen ist zuerst durch die Dosis, die Beschleunigungs spannung und die Implantationsrichtung bestimmt. Die Bezie hung kann hergestellt werden, indem der Mechanismus eines Stoßes des implantierten Ions und des Zielatomes analysiert wird. Das Wesen der thermischen Behandlung nach der Implan tation kann als zweiter Faktor zum Bestimmen der Fremdatom verteilung eingesetzt werden. Das heißt, die durch den Stoß mit dem Zielatom bestimmte Verteilung kann durch die Diffu sion während der thermischen Behandlung verändert werden.

Zuerst wird der erste Anteil ohne die thermische Behandlung beschrieben. Selbst wenn die Zielsubstanz (Target-Substanz) kristallin ist, kann sie für den Fall der Ionenimplantation in zufällige Richtungen zum Verhindern des Channelling- Effektes als amorph angesehen werden. Daher ist die Theorie der Ionenimplantation in amorphen Substanzen angewendet.

Die implantierten Ionen dringen in das Substrat von der Sub stratoberfläche her ein, und dann werden ihre Bewegungsrich tungen von dem Ort in dem Substrat abgebogen, wie in Fig. 4 gezeigt ist. Die gesamte Länge R des Ortes der Ionen in dem Substrat wird als Gesamtbereich bezeichnet. Der gesamte Bereich R stimmt nicht immer mit der Eindringtiefe R_p der Ionen von der Substratoberfläche überein. Diese Eindringtiefe R_p ist durch die auf eine Achse senkrecht zu der Substrat oberfläche projizierte Entfernung bezeichnet oder durch im Projektionsbereich R_p, wie in Fig. 4 gezeigt ist.

Der Bereich der implantierten Ionen enthält eine Richtungs komponente R_xy in der xy-Ebene. Diese entsprechenden Bereiche sind um den mittleren Wert mit einer bestimmten Verteilung vorhanden, da der Stoß bzw. der Einfall statistisch bzw. zufällig erfolgt. Lindhard u. a. führten eine Integralglei chung ein, die die Verteilung dieser Bereiche angibt, wobei der Ausdruck für die implantierte Ionenverteilung ziemlich gute Übereinstimmung mit den experimentellen Werten zeigte. Dieses wird als die LSS-Theorie bezeichnet (siehe zum Bei spiel "(K.K.) Kogyochosa-kai, Electronics-Zenshu (8) Ion implantation Technique, Seite 29 bis Seite 40").

Der Ausdruck der dreidimensionalen Konzentrationsverteilung N (X, Y, Z) der Fremdatomionen, die durch die LSS-Theorie erhalten ist, wird unten gezeigt.

wobei
ΔR_p die Standardabweichung von R_p ist,
ΔX², ΔY² die mittlere quadratische Standardabweichung in X-Richtung und Y-Richtung ist,ΔX = die Ausdehnung von R_p in die X-Richtung ist undΔY = die Ausdehnung von R_p in die Y-Richtung ist.

Als nächstes wird zusätzlich zur obigen LSS-Theorie die numerische Analyse beschrieben, bei der eine Gewichtsfunktion im Hinblick auf den Abschattungseffekt und den Gate-Eindring effekt der Übertragungsgateelektrode 5 eingeführt wird.

Die Implantation mit schrägem Neigungswinkel und Rotation enthält drei Faktoren, wie in Fig. 5A, 5B und 5C gezeigt ist. Der erste ist ein Faktor des Abschattens der implantier ten Tonen an dem Ende der Übertragungsgateelektrode 5 (siehe Fig. 5A), der hier als der Faktor "A" bezeichnet wird. Der zweite Faktor ist ein Faktor aufgrund des direkten Eindrin gens der Ionen von der Halbleitersubstratoberfläche in einen Abschnitt unter der Übertragungsgateelektrode 5 (siehe Fig. 5B), der im folgenden als der Faktor "B" bezeichnet wird. Der dritte Faktor beruht auf der Ioneneindringung durch das Polysiliziumgate 5b an der Seite der Übertragungsgateelek trode 5 (siehe Fig. 8C), dies wird als der Faktor "C" hier bezeichnet.

All diese drei Faktoren "A", "B" und "C" wirken zur Reduzie rung der Zahl von Ionen, die in das Halbleitersubstrat im plantiert werden, im Vergleich mit dem Fall der Abwesenheit der Übertragungsgateelektrode 5. Daher kann ihr Effekt mit dem Konzept der Wahrscheinlichkeit beschrieben werden. In anderen Worten, das Verhältnis der in das Substrat implan tierten Ionen in dem Fall, in dem die Übertragungsgateelek trode 5 tatsächlich existiert, zu der Zahl der in das Halb leitersubstrat 1 implantierten Ionen in dem Fall, in dem die Übertragungsgateelektrode 5 nicht existiert, wird ein geführt. Dieses Verhältnis hängt ziemlich offensichtlich von dem Abstand von der Übertragungsgateelektrode 5 ab.

Grob gesagt setzt sich die Fremdatomverteilung, die durch die Ionenimplantation mit Schiefe und Rotation erzeugt wird, aus zwei Komponenten zusammen. Eine wird von der Halb leitersubstratoberfläche implantiert, diese enthält die Fak toren "A" und "B". Die andere wird von der Seite des Poly siliziumgates implantiert, diese enthält den Faktor "C". Wenn die Faktoren "A", "B" und "C" als Gewichte genommen werden, kann die Fremdatomverteilung N (X, Z), die durch die Implantation mit Schiefe und Rotation erzeugt wird, wie unten gezeigt dargestellt werden:

N (X, Z) = N_ocosθ {W (X) · P (Z) + W_mod (X) · P_mod (Z)},

wobei:
N_o der eingestrahlte Betrag der Fremdatomionen pro Einheitsfläche ist,
θ der Neigungswinkel der Ionenimplantationsrichtung gegenüber der Vertikalen zu dem Substrat ist,
W (X) die Gewichtsfunktion in die X-Richtung durch die Faktoren "A" und "B" ist,
W_mod (X) die Gewichtsfunktion in die X-Richtung durch den Faktor "C" ist,
P (X) die Konzentrationsverteilung in die Z-Richtung für den Fall, daß W (X) = 1,0, W_mod (X) = 0 ist,
P_mod (Z) die Konzentrationsverteilung in die Z-Rich tung für den Fall von W (X) = 0, W_mod (X) = 1,0 ist.

Der erste Term in der obigen Gleichung "N_ocosθ W (X) P (Z)" zeigt eine von der Oberfläche des Halbleitersubstrates im plantierte Komponente, und der zweite Term "N_ocosθ W_mod (X) P_mod (Z)", zeigt eine von der Seite des Polysiliziumgates 5b implantierte Komponente.

In diesem System von Koordinaten ist der Ursprung 0 auf der Halbleitersubstratoberfläche unter der Seite der Übertra gungsgateelektrode 5 angeordnet, und die X-, Y- und Z-Achse sind wie in Fig. 6 gezeigt angeordnet.

Als ein spezielles Beispiel für die Verteilung der Gewichts funktion für θ = 45°, Energie der implantierten Ionenstrah lung E_imp = 42 keV und N_o = 2,8 × 10¹³cm^-2 sind die Resul tate für die Berechnung von W (X), W_mod (X), P (Z) und P_mod (Z) in den Fig. 7A und 7B gezeigt.

Aus den wie oben beschrieben erhaltenen Funktionswerten und der obigen Gleichung für N (X, Y, Z) werden die berechneten Werte für die Fremdatomionenkonzentrationsverteilung in der Nachbarschaft der Kanaloberfläche durch die Kurve der ge strichelten Linie in der Fig. 2 gezeigt.

Das Ionenimplantationsverfahren mit schräger Implantation, das zum Bilden der p-Typ-Bereiche 19a und 19b in dem-zweiten Beispiel benutzt wurde, kann für die Bildung der ionenim plantierten Bereiche 4 in den Schritten des Herstellens des Transistors vom MOS-Typ mit LDD-Anordnung gemäß der obigen Ausführungsformen anstelle der Implantation mit schrägem Einfall und Rotation zum Bilden der ionenimplantierten Bereiche 4 benutzt werden, wodurch ähnliche Effekte wie bei der obigen Ausführungsform erzielt werden. In Fig. 3 sind das Profil der ionenimplantierten Bereiche 4, unmittelbar nachdem die Ionenimplantation beendet ist, und die entspre chende Fremdatomkonzentrationsverteilung in der Nachbarschaft der Substratoberfläche für den Fall gezeigt, bei dem die ionenimplantierten Bereiche 4 in der obigen ersten Ausfüh rungsform durch das Ionenimplantationsverfahren mit schrägem Einfall (im folgenden als "Ionenimplantation mit festem Nei gungswinkel" bezeichnet) gebildet ist, wobei der Einfall symmetrisch in zwei Richtungen mit einem gegebenen Neigungs winkel ausgeführt wird und die Übertragungsgateelektrode 5 als Maske benutzt wird. Dieses ist durch gestrichelte Li nien in Fig. 3 gezeigt. Weiterhin ist die Fremdatomkonzen trationsverteilung, nachdem die Wärmebehandlung unter Be dingungen angewandt ist, wie sie für die Einrichtung danach nötig sind, durch die doppelt gestrichelte Linie in Fig. 3 gezeigt.

Indem die Kurven in den Fig. 2 und 3 verglichen werden, kann gesehen werden, daß das Fremdatomionenprofil direkt nach der Beendigung der Ionenimplantation, das durch Ionen implantation mit schrägem Einfall und Rotation gebildet ist, die Tendenz hat, daß die p-Typ-Ionenkonzentration in der Nähe der beiden Enden des Kanales höher ist. Sie variiert jedoch in geringerem Maße im Vergleich zu der Ionenimplanta tion mit festem Einfallswinkel, wie aus Fig. 3 zu sehen ist. Wie bereits in der Beschreibungseinleitung beschrieben ist, geschieht das aus den folgenden Gründen. Bei der Ionenimplan tation mit festem Neigungswinkel werden aufgrund der Abschir mung durch die Übertragungsgateelektrode 5 und der Seiten wandabstandsstücke 7 die eingestrahlten Ionen, deren Konzen trationsverteilung in großem Maße an den Kanten des Schattens variiert, mit dem gleichen Neigungswinkel und für eine feste Zeitdauer eingestrahlt, so daß die Konzentrationsverteilung unmittelbar nach Beendigung der Ionenimplantation deutlich von den Effekten des Schattens beeinflußt werden, so daß sie stark variiert. Auf der anderen Seite verändern der Schatten der Abschirmung durch die Übertragungsgateelektrode 5 und die Seitenwandabstandsstücke 7 laufend ihre Position bei dem Ionenimplantationsverfahren mit schrägem Einfall und Rotation, da die eingestrahlten Ionen und das Halbleiter substrat 1 relativ zueinander rotieren. Der Effekt, der auf der Variation der Fremdatomionenkonzentrationsverteilung aufgrund des Schattens beruht, wird ausgemittelt und ge glättet, so daß die Konzentrationsverteilung kleine Varia tionen aufweist.

Wie oben beschrieben variiert das durch die Ionenimplantation mit schrägem Einfall und Rotation erzeugte Fremdatomprofil selbst unmittelbar nach der Ionenimplantation wenig, so daß es nicht stark durch die danach benötigte thermische Behand lung beeinflußt wird. Da die Diffusion der Fremdatome durch die thermische oder Wärmebehandlung proportional zu dem räum lichen Gradienten des Fremdatomprofiles ist, variiert das durch die Ionenimplantation mit schrägem Einfall und Rotation erzeugte Fremdatomprofil nicht so stark bei der Wärmebehand lung. Dies bedeutet, daß die am besten geeignete Verteilung des Fremdatomprofiles nach der Wärmebehandlung unter der Bedingung der Wärmebehandlung realisiert werden kann, die zum Aufrechterhalten der Eigenschaften einer Einrichtung nötig sind, wie zum Beispiel die geeignete Wärmebehandlungs bedingung zum Erzielen der Auffrischeigenschaften in einem DRAM (Dynamic Random Access Memory) zum Beispiel. Das heißt, da das durch die Implantation mit schrägem Einfall und Rota tion gebildete Fremdatomionenprofil nicht so sehr durch die Diffusion aufgrund der folgenden Wärmebehandlung bei den am besten geeigneten Bedingungen für die Einrichtung beein flußt wird, kann das am besten geeignete Fremdatomionenprofil praktisch unabhängig von den Wärmebehandlungsbedingungen bestimmt werden.

Andererseits variiert das zum Beispiel durch die Ionenimplan tation mit festem Neigungswinkel erzeugte Fremdatomprofil unmittelbar nach der Implantation stark, so daß es deutlich durch die danach benötigte Wärmebehandlung beeinflußt wird. Daher ist die Wärmebehandlungsbedingung, die die geeignetste Verteilung des Fremdatomionenprofiles aufrechterhält, nicht die am meisten geeignete Bedingung für die Wärmebehandlung für die Einrichtung in vielen Fällen. Im Gegenteil, wenn die geeignete Wärmebehandlung für die Einrichtung durchge führt wird, ist es nicht möglich, das geeignetste Fremdatom ionenprofil nach der Wärmebehandlung zu erreichen.

Je kleiner die Variation des Fremdatomionenprofiles unmittel bar nach der Beendigung der Ionenimplantation ist, desto geeignetere Fremdatomionenprofile unter den meisten geeig neten Wärmebehandlungsbedingungen für die Einrichtung können erzielt werden, wie oben beschrieben ist. In diesem Hinblick kann gesagt werden, daß die Implantation mit schrägem Einfall und Rotation ein besseres Ionenimplantationsverfahren für den Einrichtungsentwurf ist als das Implantieren mit festem Neigungswinkel.

Die Schwellenspannung entspricht praktisch dem mittleren Wert des Kanalpotentiales über den Kanalbereich. Es wird im folgenden eine qualitative Zusammenfassung gegeben. Wenn die p-Typ-Fremdatomionenkonzentration in dem Längenabschnitt L (in Fig. 2 gezeigt) in der Nachbarschaft des Source- Bereiches und des Drain-Bereiches höher ist, wird die Schwel lenspannung in diesem Abschnitt höher, und eine Abnahme der Driftgeschwindigkeit proportional zu der Beweglichkeit der Ladungsträger oder der Stärke des elektrischen Feldes auf grund der Fremdatomstreuung in diesem Abschnitt wird verur sacht. Folglich wird die Schwellenspannung V_th über den Tran sistor höher. Somit nimmt durch Verringern der p-Typ-Ionen konzentration in dem zentralen Abschnitt des Kanals im Ver gleich zu dem eines herkömmlichen Transistors die Schwellen spannung in diesem Abschnitt im Gegensatz ab, und die Beweg lichkeit in diesem Abschnitt nimmt zu. Folglich kann die Schwellenspannung V_th über den Kanal verringert werden. Wie oben beschrieben ist die Schwellenspannung V_th über den ge samten Kanal bestimmt entsprechend dem mittleren Wert der p-Typ-Fremdatomkonzentration über die gesamte Kanallänge (die Länge L in Fig. 2).

Wegen der Verteilung des Kanalpotentiales zum Erzielen einer vorbestimmten Schwellenspannung wird durch Anwenden der Implantation mit schrägem Einfall und Rotation das Kanal potential in der Nähe des Source-Bereiches und des Drain- Bereiches im Vergleich mit dem Implantationsverfahren mit festem Neigungswinkel größer. Als Resultat bildet dieser Abschnitt eine Potentialbarriere zum Beschränken der Aus dehnung der Verarmungsschicht zwischen dem Source-Bereich und dem Drainbereich, so daß die Durchbruchsspannung zwischen Source und Drain für den Fall, daß keine Spannung an die Übertragungsgateelektrode 5 angelegt ist, steigt. Selbst wenn die α-Teilchen in den Kanalbereich durch den Source- Bereich und den Drain-Bereich eindringen, kann das Funnelling-Phänomen des Erzeugens einer Verarmungsschicht zeitweilig entlang des Eindringweges der α-Teilchen durch diese Potentialbarriere beschränkt werden. Folglich können auch der zeitweilige Durchbruch zwischen der Source und dem Drain aufgrund des ALPEN-Effektes und der soft error aufgrund des ("L" → "H"-Fehlers) ebenfalls begrenzt werden.

Wie oben beschrieben können gute ursprüngliche Eigenschaften erzielt werden, indem bei dieser Ausführungsform eine hohe Potentialbarriere in der Nähe der Source und des Drains an beiden Enden des Kanalbereiches gebildet werden, selbst wenn die Einrichtung hochintegriert ist, wobei die effektive Kanallänge verkürzt wird. Was die vorübergehenden Eigenschaf ten angeht, kann ebenfalls ein zuverlässiger Betrieb erreicht werden.

Das Herstellungsverfahren der in den Fig. 8A bis 8F ge zeigten Ausführungsform weist, wie das der in den Fig. 1A bis 1F gezeigten Ausführungsform, die Schritte des Bil dens eines isolierenden Übertragungsgatefilmes 3 in dem das Element bildenden Bereich, das durch den das Element iso lierenden Bereich 2 umgeben ist, auf dem p-Typ-Halbleitersub strat 1 durch das LOCOS-Verfahren (Fig. 8A) und das Bilden einer Übertragungsgateelektrode 5 (Fig. 8B) auf.

Im Gegensatz zu der obigen Ausführungsform wird das p-Typ- Ionenimplantationsgebiet 4 zum Steuern der Schwellenspannung durch Ionenimplantieren mit schrägem Einfall und Rotation gebildet, nachdem die Ionenimplantationsschichten 6 und 8 vom n-Typ bei dieser Ausführungsform gebildet sind. Das heißt, bei dieser Ausführungsform wird ein Seitenwandab standsstück 7 gebildet (Fig. 8D), nachdem die ionenimplan tierten Schichten 6 vom n-Typ durch Ionenimplantation mit schrägem Einfall unter Benutzung der Übertragungsgateelek trode 5 als Maske (Fig. 8C) gebildet sind.

Als nächstes werden unter Benutzung der Übertragungsgate elektrode 5 und der Seitenabstandsstücke 7 als Masken ionen implantierte Schichten 8 vom n-Typ durch vertikale Ionen implantation gebildet (Fig. 8E). Danach werden ionenimplan tierte Bereiche 4 vom p-Typ zum Steuern der Schwellenspannung gebildet (Fig. 8F), wobei das Halbleitersubstrat 1 um die mittlere Normalachse der Übertragungsgateelektrode 5 rotiert wird und die Ionenimplantation mit einem vorbestimmten Ein fallswinkel θ durchgeführt wird, wobei die Übertragungsgate elektrode 5 und die Seitenwandabstandsstücke 7 als Masken benutzt werden. Danach wird eine Wärmebehandlung zum Diffun dieren der implantierten Ionen durchgeführt.

Durch das Durchführen der Schritte dieser Ausführungsform wird praktisch das gleiche Profil der entsprechenden ionen implantierten Schichten und der Kanalpotentialverteilung erzielt wie die in Fig. 2 gezeigten.

Bei der oben beschriebenen ersten und zweiten Ausführungsform ist die Halbleitereinrichtung auf einen Transistor vom MOS- Typ mit LDD-Anordnung angewandt, aber die Idee kann ebenfalls auf einen MOS-Typ-Transistor angewendet werden, der keine LDD-Anordnung aufweist. Es folgt die Beschreibung von Aus führungsformen für Herstellungsverfahren für MOS-Typ-Tran sistoren, die andere Anordnungen als die LDD-Anordnung auf weisen.

Die in den Fig. 9A bis 9C gezeigte Ausführungsform stellt ein Verfahren zum Herstellen eines Transistors vom MOS-Typ dar, bei dem keine Seitenwandabstandsstücke an den Seiten wänden einer Übertragungsgateelektrode 5 gebildet sind. Bei dieser Ausführungsform wird die Übertragungsgateelektrode 5 durch Photolithographie und reaktives Ionenätzen auf einem isolierenden Übertragungsgatefilm 3 auf einer p-Typ-Halb leitersubstratoberfläche 1 (Fig. 9A) gebildet. Als nächstes wird unter Benutzung dieser Übertragungsgateelektrode 5 als Maske ein n-Typ-Fremdatomstrahl aus Phosphor oder Arsen senk recht auf die Substratoberfläche zum Bilden von ionenimplan tierten Schichten 6 gerichtet, die den Source-Bereich und den Drain-Bereich (Fig. 9B) darstellen. Als nächstes werden unter Rotieren des Halbleitersubstrates 1 in einer horizon talen Ebene p-Typ-Borionen in eine schräge Richtung mit einem vorbestimmten Neigungswinkel zum Bilden von ionenim plantierten Bereichen 4 zum Steuern der Schwellenspannung des Kanalbereiches (Fig. 9C) eingestrahlt.

Auf diese Weise kann das Verfahren ebenfalls auf Schritte zum Bilden eines Feldeffekttransistors vom MOS-Typ mit einem einzigen Source-/Drain-Typ angewendet werden.

Bei der in den Fig. 10A bis 10D gezeigten Ausführungsform wird, wie bei der obigen dritten Ausführungsform, zuerst die Übertragungsgateelektrode 5 gebildet (Fig. 10A), dann werden die ionenimplantierten Schichten 6 als Source-Bereich und Drain-Bereich durch Implantieren von n-Typ-Ionen unter Benutzung der Übertragungsgateelektrode 5 als Maske gebil det (Fig. 10B). Bei dieser Ausführungsform werden jedoch nach Bilden der ionenimplantierten Schichten 6 Seitenwand abstandsstücke 7 an einer Seitenwand der Übertragungsgate elektrode 5 gebildet (Fig. 10C), und dann werden ionenim plantierte Bereiche 4 durch Ionenimplantation unter schrägem Einfall und mit Rotation gebildet (Fig. 10D). Da bei dieser Ausführungsform das Seitenwandabstandsstück 7 zur Steuerung zum Bilden der Schritte für die ionenimplantierten Bereiche 4 verwandt wird, aber nicht zur Bildung von LDD, wird die Feineinstellung der Konzentrationsverteilung der ionenim plantierten Bereiche 4 durch Ändern der Seitenwandbreiten unabhängig von LDD möglich.

Bei der in den Fig. 11A bis 11D gezeigten Ausführungsform werden nach Bilden einer Übertragungsgateelektrode 5 auf dem isolierenden Übertragungsgatefilm 3 (Fig. 11A), wobei dieses als Maske benutzt wird, ionenimplantierte Bereiche 4 durch Ionenimplantation mit schrägem Einfall und Rotation gebildet (Fig. 11B). Nachdem als nächstes ein Seitenwand abstandsstück (Fig. 11C) gebildet ist, werden ionenimplan tierte Schichten 6 durch das vertikale Ionenimplantieren gebildet. Bei dieser Ausführungsform dient das Seitenwand abstandsstück 7 zum Ausdehnen der Maskenbreite in dem Fall des Bildens der ionenimplantierten Schichten 6, da die Dif fusionsgeschwindigkeit von Phosphor größer ist als die von Bor.

Bei der in den Fig. 12A bis 12D gezeigten Ausführungsform werden unmittelbar nachdem die Gateelektrode 5 gebildet ist (Fig. 12A), Seitenwandabstandstücke 7 abgeschieden (Fig. 12B), ionenimplantierte Bereiche 4 werden durch Ionenimplan tation mit schrägem Einfall und Rotation in diesem Zustand gebildet (Fig. 12C), und dann werden ionenimplantierte Be reiche 6 durch das vertikale Ionenimplantieren gebildet (Fig. 12D).

Bei der in den Fig. 13A bis 13D gezeigten Ausführungsform werden nach Bildung einer ionenimplantierten Schicht 4 durch Ionenimplantation von Bor bei schrägem Einfall und Rotation unter der Benutzung einer Übertragungsgateelektrode 5 als Maske (Fig. 13A) Seitenwandabstandsstücke 7 abgeschieden (Fig. 13B). Danach werden Phosphorionen durch das vertikale Ionenimplantieren zum Bilden von ionenimplantierten Schichten 6 von relativ geringer Konzentration implantiert (Fig. 13C), überdies werden Arsenionen mit einem kleineren thermischen Diffusionskoeffizienten als der der Phosphorionen durch das vertikale Ionenimplantieren zum Bilden von ionenimplantierten Schichten 9 mit einer relativ hohen Konzentration implantiert (Fig. 13D). Dem liegt die Idee zugrunde, daß die elektrische Feldintensität in dem Kanalabschnitt durch die doppelten ionenimplantierten Schichten 6 und 9 verringert wird, die mit verschiedenen Konzentrationen auf diese Weise gebildet sind, wodurch der Durchbruch in dem Kanal verhindert wird. Diese Idee ist ähnlich wie die bei der LDD-Anordnung. Diese Anordnung wird als Transistor vom MOS-Typ mit doppelt diffundiertem Drain (DDD) bezeichnet.

Die in den Fig. 14A bis 14D gezeigte achte Ausführungsform ist die gleiche wie die oben beschriebene siebente Ausfüh rungsform, indem nämlich das Verfahren zum Bilden eines Tran sistors vom MOS-Typ mit DDD-Anordnung eingesetzt wird. Bei dieser Ausführungsform werden nach dem Abscheiden von Seiten wandabstandsstücken 7 (Fig. 14A) Borionen durch Ionenimplan tation mit schrägem Einfall und Rotation zum Bilden von ionenimplantierten Bereichen 4 vom p-Typ implantiert (Fig. 14B). Phosphorionen werden durch vertikales Ionenimplantieren danach implantiert (Fig. 14C), und Arsenionen werden weiter hin implantiert (Fig. 14D), so daß eine DDD-Anordnung ge bildet wird, die die gleiche wie in der siebenten Ausfüh rungsform ist.

Bei der oben beschriebenen dritten bis achten Ausführungsform weisen die ionenimplantierten Bereiche 4 zum Einstellen der Schwellenspannung des Kanales praktisch die gleiche Vertei lung auf wie bei der ersten Ausführungsform. Folglich wird die Fremdatomkonzentrationsverteilung, wie sie durch die zweifach gestrichelte Linie in Fig. 2 gezeigt ist, nach der Wärmebehandlung erreicht, und die elektrische Barriere wird gebildet, die Source-Drain-Durchbruchsspannung kann erhöht werden.

Claims

1. Halbleitereinrichtung mit einem Feldeffekttransistor vom MOS-Typ, mit:

- einem Halbleitersubstrat (1) mit einem Bereich des ersten Leitungstypes mindestens in der Nachbarschaft der Ober fläche des Halbleitersubstrates (1);
- einem Source- und einem Drain-Bereich (6) eines zweiten Leitungstypes, die sowohl an der rechten als auch an der linken Seite eines dazwischen in der Nachbarschaft der Oberfläche des Halbleitersubstrates (1) von der Oberfläche des Halbleitersubstrates (1) bis zu einer gegebenen Tiefe vorgesehenen Kanalbereiches gebildet sind;
- einer an einer den Kanalbereich auf dem Halbleitersubstrat (1) bedeckenden Stelle gebildeten Übertragungsgateelektrode (5), wobei ein isolierender Gatefilm (3) zwischen der Übertragungsgateelektrode (5) und dem Halbleitersubstrat (1) vorgesehen ist;
- mindestens in der Nachbarschaft des Kanalbereiches gebil deten ionenimplantierten Bereichen (4) des ersten Leitungs types zum Steuern der Schwellenspannung des Kanalbereiches;

dadurch gekennzeichnet,

- daß die ionenimplantierten Bereiche (4) eine höhere Fremd atomkonzentrationsverteilung sowohl in dem rechten als auch in dem linken Seitenbereich benachbart zu dem Source bzw. Drain-Bereich (6) als in der Nähe des zentralen Ab schnittes des Kanalbereiches aufweisen.

2. Halbleitereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Seitenwandabstandsstück (7) auf einer Seitenoberfläche der Übertragungsgateelektrode (5) gebildet ist und daß der Source- und Drain-Bereich eine LDD-Anordnung aufweisen mit
in der Nachbarschaft direkt unter sowohl dem linken als auch dem rechten Seitenende der Übertragungsgateelektrode (5) gebildeten ionenimplantierten Schichten (6) mit niedriger Konzentration und
einer außerhalb der ionenimplantierten Schichten (6) gebil deten ionenimplantierten Schicht (8) hoher Konzentration.

3. Halbleitereinrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die ionenimplantierten Bereiche (4) durch Implantieren von Fremdatomionen des ersten Lei tungstypes in eine schräge Richtung mit einem vorbestimmten Neigungswinkel (θ) in Bezug auf die Oberfläche des Halblei tersubstrates (1) gebildet sind und daß das Halbleitersub strat (1) dabei in einer Ebene parallel zu dessen Oberfläche rotiert.

4. Halbleitereinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Leitungstyp der p-Typ ist.

5. Halbleitereinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß Phosphorionen in die Übertra gungsgateelektrode (5) implantiert sind.

6. Halbleitereinrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß Phosphorionen oder Arsenionen in die ionenimplantierten Schichten (6) niedriger Konzentra tion und in die ionenimplantierten Schichten (8) hoher Kon zentration implantiert sind.

7. Halbleitereinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß Borionen in die ionenimplantier ten Bereiche (4) des ersten Leitungstypes implantiert sind.

8. Halbleitereinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die ionenimplantierten Bereiche (4) durch aufeinanderfolgendes Ionenimplantieren von zwei Richtungen mit einem gegebenen Neigungswinkel symmetrisch zu einer Ebene senkrecht zu der Oberfläche des Halbleitersub strates (1) gebildet sind.

9. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitereinrichtung mit einem Transistor vom MOS-Typ, mit den Schritten:

- Vorbereiten eines Halbleitersubstrates (1) mit einem Be reich eines ersten Leitungstypes mindestens in der Nähe der Oberfläche des Halbleitersubstrates (1);
- Bilden eines Source- und eines Drain-Bereiches eines zwei ten Leitungstypes an der linken bzw. rechten Seite eines dazwischen vorgesehenen Kanalbereiches in der Nähe der Oberfläche des Halbleitersubstrates (1) von der Oberfläche des Halbleitersubstrates (1) bis in eine gewisse Tiefe;
- Bilden einer Übertragungsgateelektrode (5) an einer den Kanalbereich überdeckenden Stelle auf der Oberfläche des Halbleitersubstrates (1) mit einem dazwischen vorgesehenen isolierenden Gatefilm (3); und
- Bilden von ionenimplantierten Bereichen (4) des ersten Leitungstypes mindestens in der Nähe des Kanalbereiches zum Steuern einer Schwellenspannung des Kanalbereiches;

dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Bildens der ionenimplantierten Bereiche (4) ausgeführt wird durch
Implantieren von Ionen in einer schrägen Richtung mit einem vorbestimmten Neigungswinkel (θ) in Bezug auf die Oberfläche des Halbleitersubstrates (1),
wobei mindestens die Übertragungsgateelektrode (5) als Maske benutzt wird und das Halbleitersubstrat (1) in einer Ebene parallel zu der Oberfläche des Halbleitersubstrates (1) rotiert wird, und
danach Anwenden einer Wärmebehandlung zum Aktivieren der ionenimplantierten Bereiche.

10. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitereinrichtung nach Anspruch 9, gekennzeichnet durch:

- Bilden von ionenimplantierten Schichten (6) niedriger Kon zentration durch Implantieren von Fremdatomionen eines zweiten Leitungstypes unter Benutzung der Übertragungsgate elektrode (5) als Maske;
- Bilden von aus Isolatoren zusammengesetzten Seitenwandab standsstücken (7) an beiden Seitenwänden der Übertragungs gateelektrode (5); und
- Bilden von ionenimplantierten Schichten (8) hoher Konzen tration durch Implantieren von Fremdatomionen des zweiten Leitungstypes unter Benutzung der Seitenwandabstandsstücke (7) und der Übertragungsgateelektrode (5) als Masken;
- wobei die ionenimplantierten Bereiche (4) nach dem Bilden der Übertragungsgateelektrode (5) und vor dem Bilden der ionenimplantierten Bereiche (6) niedriger Konzentration oder unmittelbar nach dem Bilden der ionenimplantierten Bereiche (8) hoher Konzentration gebildet werden.

11. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitereinrichtung nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Bildens der ionenimplantierten Bereiche (4) dadurch ausgeführt wird, daß nacheinander Ionen in zwei Richtungen mit einem vorbe stimmten Neigungswinkel symmetrisch zu einer Ebene senkrecht zu der Oberfläche des Halbleitersubstrates (1) implantiert werden, wobei mindestens die Übertragungsgateelektrode (5) als Maske benutzt wird.

12. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitereinrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Leitungstyp der p-Typ ist und daß der zweite Leitungstyp der n-Typ ist.

13. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitereinrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß bei dem Schritt des Bildens der Übertragungsgateelektrode (5) auf dem Halbleitersubstrat (1) eine aus Polysilizium zusammengesetzte Übertragungsgate elektrode (5) auf einem p-Typ-Halbleitersubstrat oder einer p-Typ-Wanne gebildet wird, wobei ein Siliziumoxidfilm da zwischen vorgesehen wird.

14. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitereinrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 13,
dadurch gekennzeichnet, daß Phosphorionen oder Arsenionen als Fremdatomionen des zweiten Leitungstypes zum Bilden der entsprechenden ionenimplantierten Schichten (6, 8) mit hoher oder niedriger Konzentration implantiert werden und
daß Borionen als Fremdatomionen des zweiten Leitungstypes verwandt werden und in das rotierende Substrat unter einem vorbestimmten Neigungswinkel (θ) implantiert werden.

15. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitereinrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß n-Typ-Fremdatomionen weiterhin in die Übertragungsgateelektrode (5) implantiert werden.

16. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitereinrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß der Neigungswinkel zum Implantie ren von Fremdatomionen des ersten Leitungstypes in das rotie rende Halbleitersubstrat (1) etwa 15° bis etwa 60°, bevorzugt etwa 30° bis etwa 45° beträgt.