DE4032035A1

DE4032035A1 - Hochstromdurchkontaktierungsverpackung und verfahren zum herstellen derselben

Info

Publication number: DE4032035A1
Application number: DE4032035A
Authority: DE
Inventors: Raymond L Brown; Jun Clifford L Shock
Original assignee: Hughes Aircraft Co
Current assignee: Raytheon Co
Priority date: 1989-10-20
Filing date: 1990-10-09
Publication date: 1991-04-25
Anticipated expiration: 2010-10-10
Also published as: FR2653594A1; GB9021825D0; FR2653594B1; DE4032035C2; JPH03263857A; JPH0824152B2; SE9003101L; SE9003101D0; GB2237453B; US5008492A; GB2237453A

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft die mikroelektronische Verpackungstechnologie. Insbesondere betrifft die vorlie gende Erfindung die Bereitstellung eines Gehäuses für einen mikroelektronischen Leistungsschaltkreis, welcher Hochstrom durchkontaktierungen aufweist, und ein Verfahren zum Her stellen desselben.

In dem Bereich der mikroelektronischen Verpackungstechnolo gie ist es gegenwärtig üblich, Durchkontaktierungen zu ver wenden, welche Kovar-Anschlüsse aufweisen, die mit Glas in einem Kovar-Ringrahmen abgedichtet sind. Die geringe thermi sche Leitfähigkeit von Glas verbunden mit der geringen ther mischen und elektrischen Leitfähigkeit des Kovars führt zu einem extremen Aufheizen der Durchkontaktierungen, wenn sie hohe Ströme leiten. Als ein Ergebnis ist die Stromleitkapa zität von gegenwärtig verwendeten Verpackungen auf ungefähr 5 Ampere Dauerstrom pro Verpackungsdurchkontaktierung auf grund ihrer Aufheizung begrenzt, obwohl 40 Ampere für einen intermittierenden Stromfluß bei einem niedrigen Arbeits zyklus möglich sind.

Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die Strom leitkapazität von Verpackungsdurchkontaktierungen zu erhö hen, indem die Glas-zu-Metall-Dichtung eliminiert wird.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch eine Vorrichtung gemäß den Ansprüchen 1 beziehungsweise 12 beziehungsweise 13 beziehungsweise 14 und ein Verfahren gemäß den Ansprüchen 21 beziehungsweise 25 beziehungsweise 26 gelöst.

In Übereinstimmung mit dieser Aufgabe und weiteren Merkmalen der vorliegenden Erfindung wird eine Hochstromdurchkontak tierungsverpackung bereitgestellt, welche eine Mehrzahl von alternierenden Ringen aufweist, welche jeweils ein thermisch leitendes Material und ein elektrisch leitendes Material aufweisen. Das thermisch leitende Material kann ein Metall oxid oder ein keramisches Material wie beispielsweise Alumi niumnitrid oder Berylliumoxid sein, während das elektrisch leitende Material beispielsweise aus Molybdän oder einer seiner Legierungen bestehen kann.

Die Durchkontaktierungen leiten Hochstrom in die Verpackung hinein und hinaus, ohne dabei eine extreme Aufheizung zu bewirken. Die Verpackung besteht aus alternierenden Ringen oder Schichten aus Aluminiumnitrid und Molybdän oder einer seiner Legierungen wie beispielsweise Titanzirkoniummolybdän (TZM), die aufeinandergestapelt oder geschichtet werden, um eine Wand zu bilden. Die geschichtete Wand wird in einem einzelnen Schritt auf eine Basis gelötet. Die elektrisch leitenden Molybdänringe werden zum Beispiel als die Hoch stromdurchkontaktierungen verwendet und beinhalten Lötfahnen auf ihrem inneren und äußeren Umfang, welche die Verbindung der Einrichtungen, die innerhalb des Gehäuses angeordnet sind, mit externen Schaltkreisen zur Verfügung stellen. Die thermisch leitenden Aluminiumnitridringe stellen zum Bei spiel eine elektrische Isolation zwischen den Durchkontak tierungsringen oder -schichten bereit. Die hohe thermische Leitfähigkeit von Molybdän und Aluminiumnitrid stellt eine exzellente thermische Dissipation von den Leitungen zu der Verpackungsbasis sicher. Eine Zwangskonvektionskühlung kann des weiteren verwendet werden, um die Stromleitfähigkeit der Verpackung weiter zu erhöhen.

Ein Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses, welches Hoch stromkontaktierungen aufweist, umfaßt die folgenden Schritte. Zunächst wird ein thermisch leitender Ring mit beispielsweise Aluminiumnitrid auf einer Grundplatte (Basis) angeordnet. Anschließend wird ein elektrisch leitender Ring mit beispielsweise nickelbeschichtetem Molybdän auf dem thermisch leitenden Ring aus Aluminiumnitrid angeordnet. Dann werden zusätzliche Ringe von Aluminiumnitrid und nickelbeschichtetem Molybdän aufeinander angeordnet, bis eine gewünschte Gehäusewallhöhe erreicht ist. Die Wallhöhe hängt grundsätzlich von der Anzahl der benötigten Ein- und Ausgänge ab. Dann wird typischerweise ein Dichtungsring auf der obersten Schicht aus Aluminiumnitrid angeordnet. An schließend wird der Aufbau verlötet, um die komplette Ver packung zu bilden. Dies wird typischerweise durch ein kon ventionelles Einschritt-Lötverfahren erreicht. Das Gehäuse kann dann mit einer Kombination aus Nickel und Gold beschichtet werden. Nach dem Verlöten und Beschichten kann die Verpackung mittels konventioneller Methoden fugenver dichtet werden. Schließlich kann ein Deckel beispielsweise bestehend aus Kovar oder Molybdän auf dem Dichtungsring angeordnet werden.

Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung liegt darin, daß eine Leistungsverpackung bereitgestellt wird, in der hohe Ströme durch die Gehäusewand geführt werden können.

Ein weiterer Vorteil der Erfindung liegt darin, daß Lötfah nen in gleichmäßigem Abstand entlang des inneren und äußeren Umfangs der Verpackung angeordnet werden können, um eine Verteilung von Strom zu jedem Punkt entlang des Walls zu ermöglichen.

Ein weiterer Vorteil liegt darin, Verpackungswände für die Führung von Strom zu verwenden, um so eine höhere Schalt kreisdichte zu erlauben.

Ein weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung liegt in der Verwendung von Durchkontaktierungen entlang des äußeren Umfangs der Verpackung, die als Kühlrippen fungieren, um die thermische Dissipation von den Leitern zu erhöhen.

Ein weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung liegt in der Bereitstellung von Durchkontaktierungen, welche eine hohe thermische Leitfähigkeit und einen großen Kontaktbereich zum Kühlen der Durchkontaktierungen aufweisen, und die die oben angesprochenen Probleme mit konventionellen Glasdurchkontak tierungen nicht mehr aufweisen.

Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.

Weitere Einzelheiten, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnung.

Es zeigt:

Fig. 1 eine Draufsicht der Hochstromdurchkontaktie rungsverpackung, welche in Übereinstimmung mit dem Prinzip der vorliegenden Erfindung herge stellt wurde, in der ein hohles rechtwinkliges Gehäuse für Mikroelektronik dargestellt ist, welches Durchkontaktierungen entlang des inneren und äußeren Umfangs aufweist;

Fig. 2 eine Seitenansicht der Hochstromdurchkontaktie rungsverpackung von Fig. 1, in der die alternie renden Schichten aus Aluminiumnitridringen und nickelbeschichteten Molybdänringen dargestellt sind, welche aufeinandergestapelt sind, um das Gehäuse zu bilden; und

Fig. 3 eine perspektivische Ansicht der Hochstromdurch kontaktierungsverpackung von Fig. 1 und Fig. 2, in der nickelbeschichtete Molybdänverbindungs lötfahnen dargestellt sind, welche für die Durchkontaktierungen verwendet werden, die in verschiedenen Ebenen und von Ebene zu Ebene von einander versetzt angeordnet sind, um die Ver bindung zu erleichtern.

Unter Bezugnahme auf die Zeichnung ist in Fig. 1 eine Ver packung 9 in Übereinstimmung mit dem Prinzip der vorliegen den Erfindung dargestellt, welche eine im wesentlichen ebene, thermisch leitende, rechtwinklige Basis 10 aufweist, auf die eine Mehrzahl von Schichten oder dünnen Lagen aufge baut oder in Schichten gestapelt ist, um eine Wand 11 zu bilden, welche ein hohles Gehäuse 16 umgibt. Die Basis 10 ist vorzugsweise aus einem Material mit geringer thermischer Expansion hergestellt, wie beispielsweise aus Molybdän oder Keramik. Die ebene Basis 10 weist an den vier Ecken Öffnun gen 15 auf, um Einrichtungen wie beispielsweise Schrauben aufzunehmen, welche für die Befestigung oder Montage der Verpackung 9 auf andere Objekte verwendet werden können. Eine Mehrzahl von thermisch und elektrisch leitenden Lötfah nen 13 ist entlang der inneren und äußeren Peripherie von jeder Schicht des Gehäuses 16 aufgesetzt und ragt von der inneren zu der äußeren Oberfläche der Wand 11 heraus. Die Lötfahnen 13 sind aus einem Metall hergestellt, welches eine hohe elektrische und thermische Leitfähigkeit aufweist, wie beispielsweise Molybdän. Die Lötfahnen 13 haben zwei Funk tionen: die erste ist, den Strom zu jedem beliebigen inneren oder äußeren Punkt entlang der Wand 11 des Gehäuses 16 zu leiten; die zweite ist, Hitze mittels der Lötfahnen 13 abzu strahlen, welche als Kühlrippen verwendet werden, um die thermische Dissipation zu erhöhen. Die Lötfahnen 13 sind mit Nickel und Gold beschichtet, um die Verbindung zwischen Ver bindungsdrähten oder anderen Schaltkreiselementen zu erleichtern. Die oberste Schicht der Wand 11 des Gehäuses 16 ist ein Dichtungsring 14 (welcher in den Fig. 2 und 3 darge stellt ist), der keine Lötfahnen 13 aufweist, und der aus Molybdän hergestellt sein kann. Der Dichtring 14 und daher die Verpackung 9 oder das Gehäuse 16 können mittels eines Deckels 21 (welcher in Fig. 2 dargestellt ist) abgedichtet werden, der beispielsweise aus Kovar oder Molybdän herge stellt ist.

Wie aus Fig. 2 ersichtlich, wird die Wand 11 des Gehäuses 16 auf die Basis 10 aufgebaut, indem vier Schichten aus Alumi niumnitridringen 12 alternierend mit drei Schichten aus nickelbeschichteten Molybdänringen 17, welche nickelbe schichtete Molybdänlötfahnen 13 aufweisen, die um ihre Peri pherie herum gesetzt sind, verwendet werden. Ein derartiger Aufbau ist allerdings nur als Beispiel gewählt, und es ist klar, daß die Anzahl der Schichten oder dünnen Lagen, welche aufeinandergesetzt werden, um die Wand 11 aufzubauen, von der jeweiligen Anwendung abhängen werden. Molybdän und Alu miniumnitrid sind gewählt worden, weil sie gut angepaßte thermische Expansionskoeffizienten aufweisen. Auf dem letzten oder obersten Aluminiumnitridring 12 wird der Dichtungsring 14 angeordnet, der beispielsweise aus nickelbeschichtetem Molybdän hergestellt sein kann. Die Wand 11 des Gehäuses 16 wird unter Verwendung eines Einschrittlötverfahrens zusam mengelötet. Nach dem Löten wird die Wand 11 des Gehäuses 16 mit Nickel und Gold beschichtet, um die Verbindung mit den Molybdänlötfahnen zu 13 erleichtern. Es wird daraufhingewie sen, daß die Beschichtung nur auf das Molybdän und nicht auf das Aluminiumnitrid aufgebracht wird. Der Deckel 21 ist oberhalb der vervollständigten Verpackung vor dem Abdichten dargestellt.

Zusätzlich können die Aluminiumnitridringe 12 beispielsweise metallisiert und nickelbeschichtet sein, um die Verwendung von anderen Typen von Lötlegierungen zu erlauben. In diesen Fällen würden nur die unteren und oberen Seiten eines jeden Aluminiumnitridringes 12 metallisiert werden, da eine elek trische Isolierung zwischen den alternierenden Ringen 12 und 17 gewünscht ist. Wenn die Aluminiumnitridringe metallisiert sind, wird eine aktive Lötlegierung wie beispielsweise "Ticusil", erhältlich von GTE Wesgo, oder eine Standardle gierung wie beispielsweise "Cusil", desgleichen erhältlich von GTE Wesgo verwendet, um den Aufbau zusammenzulöten. Die metallisierten Aluminiumnitridringe 12 können mittels einer Beschichtung durch ein konventionelles Dünnschichtverfahren unter Verwendung von Titan-Wolfram (TiW) und Gold, oder anderer schwer schmelzbarer Metalle wie beispielsweise Molybdän oder Mangan, metallisiert werden.

Unter Bezugnahme auf Fig. 3, welche eine perspektivische Sicht eines Querschnittsbereiches des Gehäuses 16 darstellt, ist die ebene Basis 10 dargestellt, auf die die alternieren den Schichten aus Aluminiumnitridringen 12 und nickelbe schichteten Molybdänringen 17 aufgebaut sind. Die nickelbe schichteten Molybdänlötfahnen 13, welche auf den nickelbe schichteten Molybdänringen 14 ausgebildet oder integral mit ihnen hergestellt sind, sind von Ebene zu Ebene versetzt sichtbar, was das Herstellen der Verbindungen erleichtert. Die oberste Schicht der Wand 11 des Gehäuses 16 ist der Dichtungsring 14, welcher beispielsweise aus nickelbeschich tetem Molybdän hergestellt ist.

Es kann daher festgestellt werden, daß eine neue und verbes serte Verpackung beschrieben wurde, welche Hochstromkontak tierungen aufweist. Die Verpackung kann im Dauerbetrieb pro Leitung 100 Ampere Eingangsstrom aufnehmen, was eine erheb liche Verbesserung gegenüber bekannten Hochstromverpackungs aufbauten ist. Der Verpackungsaufbau erhöht die Stromleitfä higkeit seiner Durchkontaktierungen, indem er keine Glas-zu- Metall-Verbindungen verwendet. Die Verpackung erlaubt das Führen von hohen Strömen durch die Verpackungswände. Die Verpackung stellt Lötfahnen bereit, welche entlang des inne ren und äußeren Umfangs der Wand angeordnet sein können, um eine Verteilung des Stromes zu jedem beliebigen Punkt ent lang der Wand zu erlauben. Die Verpackung verwendet seine Wände zum Stromleiten, um so die Schaltkreisdichte zu erhö hen. Die Verpackung verwendet Durchkontaktierungen entlang ihres äußeren Umfangs, die als Rippen fungieren, um die thermische Dissipation von den Leitern zu erhöhen.

Zusammenfassend kann also festgestellt werden: Eine Hochstromdurchkontaktierungsverpackung weist eine Mehr zahl von alternierenden Ringen auf, welche jeweils aus einem thermisch leitenden Material und einem elektrisch leitenden Material bestehen. Die thermisch leitenden Ringe beinhalten ein thermisch leitendes, keramisches Material wie Aluminium nitrid, während die elektrisch leitenden Ringe beispiels weise ein Material wie Molybdän oder eines seiner Legierun gen beinhalten. Die Verpackung besteht daher aus alternie renden Ringen oder dünnen Lagen aus beispielsweise Alumini umnitrid und Molybdän, welche zusammengesetzt oder geschich tet sind, um eine Wand zu formen. Die geschichtete Wand wird in einem einzelnen Schritt auf eine Grundplatte gelötet. Die Molybdänringe wirken als Hochstromdurchkontaktierungen und weisen an ihrem inneren und äußeren Umfang Lötfahnen auf, welche für die Verbindung zwischen Einrichtungen innerhalb des Gehäuses und externen Schaltkreisen zur Verfügung ste hen. Die Aluminiumnitridringe stellen eine elektrische Iso lation zwischen den Durchkontaktierungsringen bereit. Die hohe thermische Leitfähigkeit des Molybdäns und des Alumini umnitrids erlaubt eine exzellente thermische Dissipation von der Verpackung. Eine Zwangskonvektionskühlung kann des wei teren verwendet werden, um die Stromleitfähigkeit der Ver packung zu erhöhen. Des weiteren sind Verfahren zum Herstel len der Verpackung offenbart.

Abschließend wird darauf hingewiesen, daß die oben beschrie bene Ausführungsform lediglich eine von vielen bestimmten Ausführungsformen der Erfindung bezüglich ihrer vielfältigen Anwendungsmöglichkeiten darstellt. Eine Vielzahl von weite ren und verschiedenen Aufbauten kann auf einfache Art und Weise gewählt werden, ohne den Schutzbereich der Erfindung zu verlassen.

Claims

1. Eine Verpackung, welche Hochstromdurchkontaktierungen aufweist, mit:
einer Basis, welche ein Material mit einem geringen thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweist; und
einer Vielzahl von alternierenden, thermisch und elek trisch leitenden Ringen, welche auf der Basis aufgebaut sind, um ein Gehäuse zu definieren, wobei
die elektrisch leitenden Ringe eine Mehrzahl von inter nen und externen Lötfahnen aufweisen, welche Hochstrom durchkontaktierungen definieren, wobei die thermisch leitenden Ringe eine elektrische Isolation zwischen den Durchkontaktierungen bereitstellen.

2. Die Verpackung nach Anspruch 1, worin die thermisch leitenden Ringe ein thermisch leitendes, keramisches Material aufweisen.

3. Die Verpackung nach Anspruch 2, worin das thermisch leitende keramische Material Aluminiumnitrid und der elektrisch leitende Ring Molybdän aufweist.

4. Die Verpackung nach Anspruch 3, worin die Molybdänringe nickelbeschichtetes Molybdän aufweisen.

5. Die Verpackung nach Anspruch 1, worin die thermisch leitenden Ringe aus einem thermisch leitenden metalli schen Oxydmaterial bestehen.

6. Die Verpackung nach Anspruch 1, worin die Lötfahnen entlang der Peripherie der nickelbeschichteten Molyb dänringe aufgesetzt sind, so daß die aufgestapelte Ringanordnung jeweilige Lötfahnen bei verschiedenen relativen Orten bei verschiedenen Ebenen aufweist.

7. Die Verpackung nach Anspruch 1, welche des weiteren einen Dichtungsring aufweist.

8. Die Verpackung nach Anspruch 7, worin der Dichtungsring nickelbeschichtetes Molybdän aufweist.

9. Die Verpackung nach Anspruch 1, welche des weiteren einen Deckel aufweist, der mit dem Dichtungsring dichtend verbunden ist.

10. Die Verpackung nach Anspruch 1, worin die Ringe der Verpackung zusammengelötet sind.

11. Die Verpackung nach Anspruch 1, worin die Verpackung mit Nickel und Gold beschichtet ist.

12. Ein Gehäuse, welches Hochstromdurchkontaktierungen auf weist, mit:
einer im wesentlichen ebenen keramischen Basis;
einer Mehrzahl von alternierenden elektrisch leitenden und isolierenden Ringen, welche eine relativ hohe ther mische Leitfähigkeit haben, wobei die Ringe auf die Basis aufgestapelt werden, um ein hohles Gehäuse zu definieren, die elektrisch leitenden Ringe eine Mehr zahl von internen und externen Lötfahnen aufweisen, welche die Hochstromdurchkontaktierungen definieren, die alternierend isolierenden Ringe eine elektrische Isolation zwischen den Durchkontaktierungen bereitstel len, die Lötfahnen entlang der Peripherie auf den Rin gen aufgesetzt sind, so daß der aufgestapelte Aufbau der Ringe für die Lötfahnen verschiedene Orte bei ver schiedenen relativen Positionen in verschiedenen Ebenen aufweist;
einem Dichtungsring, welcher aus elektrisch und ther misch leitendem Metall besteht; und
einem Deckel, welcher aus einem Metall mit hohem elek trischen Widerstand hergestellt ist.

13. Eine Verpackung, welche Hochstromdurchkontaktierungen aufweist, mit:
einer im wesentlichen ebenen Metallbasis mit geringer thermischer Expansion; und
einer Mehrzahl von alternierenden Aluminiumnitridringen und nickelbeschichteten Molybdänringen, wobei
die nickelbeschichteten Molybdänringe eine Mehrzahl von internen Lötfahnen und eine Mehrzahl von externen Löt fahnen aufweisen, um Hochstromdurchkontaktierungen zu definieren, wobei
die Lötfahnen entlang der Peripherie der nickelbe schichteten Molybdänringe aufgesetzt sind, so daß der aufgestapelte Aufbau der Ringe die jeweiligen Lötfahnen bei verschiedenen relativen Orten in verschiedenen Ebe nen aufweist, wobei
die Aluminiumnitridringe eine elektrische Isolierung zwischen den Durchkontaktierungen bereitstellen und die alternierenden Ringe auf die Basis aufgesetzt werden, um ein hohles Gehäuse für Mikroelektronik zu definie ren.

14. Ein Gehäuse, welches Hochstromdurchkontaktierungen auf weist, mit:
einer Basis, welche ein Material mit einem geringen thermischen Expansionskoeffizienten aufweist; und
einer Mehrzahl von alternierenden Aluminiumnitrid- und nickelbeschichteten Molybdänringen, welche auf die Basis aufgestapelt werden, um ein Gehäuse zu definie ren, wobei
die nickelbeschichteten Molybdänringe eine Mehrzahl von internen und externen Lötfahnen aufweisen, welche Hoch stromkontaktierungen definieren, und die Alumini umnitridringe eine elektrische Isolation zwischen den Durchkontaktierungen bereitstellen.

15. Die Verpackung nach Anspruch 14, worin die Lötfahnen entlang der Peripherie der nickelbeschichteten Molyb dänringe aufgesetzt sind, so daß der aufgestapelte Auf bau der Ringe die jeweiligen Lötfahnen bei verschie denen relativen Orten bei verschiedenen Ebenen auf weist.

16. Die Verpackung nach Anspruch 14, welche des weiteren einen Dichtungsring aufweist.

17. Die Verpackung nach Anspruch 16, worin der Dichtungs ring nickelbeschichtetes Molybdän aufweist.

18. Die Verpackung nach Anspruch 14, welche des weiteren einen Deckel aufweist, der mit dem Dichtungsring dichtend verbunden ist.

19. Die Verpackung nach Anspruch 14, worin die Ringe der Verpackung zusammengelötet sind.

20. Die Verpackung nach Anspruch 14, worin die Verpackung mit Nickel und Gold beschichtet ist.

21. Ein Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses, welches Hochstromdurchkontaktierungen aufweist, wobei das Ver fahren die Schritte beinhaltet:
Anordnen eines thermisch leitenden Ringes auf einer Basis;
Anordnen eines elektrisch leitenden Ringes auf dem thermisch leitenden Ring;
Aufeinanderstapeln von zusätzlichen thermisch leitenden und elektrisch leitenden Ringen, bis ein gewünschtes Gehäuse entstanden ist.

22. Das Verfahren nach Anspruch 21, welches des weiteren die Schritte beinhaltet:
Anordnen eines Dichtungsringes auf dem obersten der thermisch leitenden Ringe;
Anordnen eines Deckels auf dem Dichtungsring;
Verlöten des so geformten Gehäuses; und
Beschichten des Gehäuses mit einer Kombination aus Nickel und Gold.

23. Das Verfahren nach Anspruch 21, worin der Schritt des Anordnens des thermisch leitenden Ringes auf einer Basis den Schritt des Anordnens eines Aluminiumni tridringes auf der Basis umfaßt.

24. Das Verfahren nach Anspruch 21, worin der Schritt des Anordnens des elektrisch leitenden Ringes auf dem ther misch leitenden Ring den Schritt des Anordnens eines Aluminiumnitridringes auf dem thermisch leitenden Ring umfaßt.

25. Ein Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses, welches Hochstromdurchkontaktierungen aufweist, wobei das Ver fahren die Schritte beinhaltet:
Anordnen eines Aluminiumnitridringes auf einer Basis;
Anordnen eines Ringes aus nickelbeschichtetem Molybdän auf den Ring aus Aluminiumnitrid;
Anordnen von zusätzlichen Ringen aus Aluminiumnitrid und nickelbeschichtetem Molybdän aufeinander solange, bis eine gewünschte Gehäusewandhöhe erreicht ist;
Anordnen eines Dichtungsringes auf dem letzten Ring aus Aluminiumnitrid;
Anordnen eines Kovar-Deckels auf dem Dichtungsring;
Verlöten des so gebildeten Gehäuses; und
Beschichten des Gehäuses mit einer Kombination aus Gold und Nickel.

26. Ein Verfahren zum Aufbauen eines Gehäuses, welches Hochstromdurchkontaktierungen aufweist, wobei das Ver fahren die Schritte beinhaltet:
Anordnen eines Aluminiumnitridringes auf einer im wesentlichen ebenen Basis;
Alternierendes Anordnen von drei Ringen aus zuvor mit Nickel beschichtetem Molybdän und drei Ringen aus Alu miniumnitrid, beginnend mit dem Ring aus zuvor mit Nickel beschichtetem Molybdän;
Anordnen eines Dichtungsringes, der aus dem zuvor mit Nickel beschichteten Molybdän hergestellt ist, auf der gesamten Struktur;
Dichtendes Verbinden eines Kovardeckels mit dem Dich tungsring;
Verlöten der Struktur; und
Beschichten des Gehäuses mit einer Kombination aus Gold und Nickel.