DE3318289A1 - Gehaeuse zur kapselung einer halbleiter-hochspannungsschaltanordnung und verfahren zu seiner herstellung - Google Patents

Gehaeuse zur kapselung einer halbleiter-hochspannungsschaltanordnung und verfahren zu seiner herstellung

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DE3318289A1
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Description

.: ."■ PATENTAN WAT-T--:
D H- "KA-NS: UL.RΓΟΗ MAY Q Q I Q Ο Q Q
D d"MptfCHEN 22, TH1ERSCTHSTRASSE 27 OO I O /. O O
TELEGRAMME: MAVPATENT MÜNCHEN TELEX 52 4487 PATOP
IELEFON COB93 22 5Ο31
T-23-F-32/1920 München, 19- Mai 1983
52 259 DCM MON /
THOMSON-CSF in Paris / Frankreich
Gehäuse zur Kapselung einer Halbleiter-Hochspannungsschaltanordnung und Verfahren zu seiner Herstellung
Die Erfindung betrifft ein Gehäuse zur Kapselung eines Halbleiters, das zum Gebrauch bei sehr hoher Spannung bestimmt ist, d.h. Spannungen von mehreren Tausend Volt auf der Stufe der Halbleitertabletten. Im erfindungsgemäßen Gehäuse ist die Halbleitertablette von den Metallteilen des Gehäuses isoliert und abgesehen von den Ausgangsanschlüssen in einem dichten, völlig isolierenden Gehäuse eingeschlossen, das in seiner Wandstärke keinerlei Metallteil aufweist.
Die Erfindung wird mit Bezug auf das Beispiel einer Diode beschrieben, ist jedoch auch anwendbar für andere Halbleiter-SchaItanordnungen, wie beispielsweise Transistoren, Thyristoren oder Triacs. Die Herstellung der HaIbleiter-SchaItanordnung selbst, d.h. der Tablette, welche beispielsweise Sperrspannungen der Größenordnung von 3000 Volt zwischen Anode und Kathode aushält, ist ein damit zusammenhängendes, jedoch von der Erfindung unabhängiges Problem. Dagegen sind die Aufrechterhaltung einer Spannung von 10.000 Volt zwischen der Halbleitertablette, deren aktive Bereiche absichtlich kurzgeschlossen sind, und der metallischen Grundplatte des Gehäuses oder auch die Aufrechterhaltung dieser gleichen Spannung zwischen den Ausgangsanschlussen und der Grundplatte des Gehäuses Probleme, die in den Bereich der Erfindung gehören.
Unter den im Hinblick auf höchste Spannungsfestigkeit untersuchten Halbleitern sind die Transistoren, von denen bestimmte Typen bis 1000 Volt vorgesehen sind, und die Dioden und Gleichrichter, welche nicht über etwa 1700 Volt gehen. In diesem letzten Fall sind jedoch die Tabletten oft in einem Glasgehäuse gekapselt, das aus einem Glasrohr besteht, in dessen beide Enden die AusgangsanSchlüsse eingeschmolzen sind. Dieser Typ von Glasgehäuse gestattet keine Abgabe der Leistung, während das erfindungsgemäße Gehäuse ermöglicht, die Leistung abzugeben und zu diesem Zweck eine Grundplatte aus Metall zur Abgabe der entwickelten Wärme und eine Isolierplatte, die zwischen der Halbleitertablette und der metallischen Grundplatte angeordnet ist, aufweist. Außerdem weist das erfindungsgemäße Gehäuse zwei Wände, eine obere und eine untere, und einen die Dicke bestimmenden Rahmen auf, wobei diese drei Teile aus isolierendem Material bestehen und untereinander ohne jedes Metall versiegelt sind, so daß sie eine dichte Kammer bilden, was jeden Leckstrom oder elektrischen Lichtbogen bis über 10.000 Volt verhindert.
Das wird erhalten, indem man die Befestigungs- oder Dichtungslötungen eines keramischen Gehäuses durch eine Glasversiegelung ersetzt, welche keinen Leckstrom auslöst»
Genauer betrifft die Erfindung ein Gehäuse zur Kapselung einer Halbleiter-Schaltanordnung für Hochspannungsbetrieb, das durch Lötung auf einem zur Befestigung und Wärmeabgabe dienenden Metallsockel angebracht ist, wobei das Gehäuse eine Bodenplatte, einen Seitenkörper und eine Deckplatte aufweist und dadurch gekennzeichnet ist, daß erstens der Boden, der Seitenkörper und der Deckel aus einem elektrisch isolierenden keramikartigen Material bestehen und zweitens der Boden und der Deckel jeder an einem Ende des Seitenkörpers durch Glasversiegelungen befestigt sind, so daß sie einen dichten keramischen Hohlraum bilden, durch den als einzige Metallteile die Anschlußverbindungen zur Halbleiter-Schaltanordnung führen, wobei diese Verbindungen an der Seite des Gehäuses angeordnet sind, welche der am Metallsockel angelöteten Seite gegenüberliegt.
Die Erfindung wird mit weiteren Einzelheiten und Vorteilen erläutert durch die folgende Beschreibung eines Ausführungsbeispiels, die sich auf die beigefügten Figuren bezieht. Hierin zeigen:
Fig. 1 ein Kapselungsgehäuse bekannter Art Fig. 2 ein Kapselungsgehäuse für sehr hohe Spannungen gemäß der Erfindung.
Wie erwähnt, wird die Erfindung beschrieben für den Fall einer Diode, wodurch die Beschreibung klarer und die Figuren einfacher gestaltet werden können. Die gekapselte Halbleitertablette kann jedoch ebenso gut beispielsweise die eines Transistors sein.
Fig. 1 zeigt ein bekanntes Kapselungsgehäuse von dem Typ, der gegenwärtig beispielsweise für PIN-Dioden verwendet wird. Dieses Gehäuse besteht insbesondere aus einem Metallsockel 1 , einem Seitenkörper 2, der als Trennwand oder Unterlegplatte zwischen dem Metallsockel und dem Deckel 3 dient, welcher das Gehäuse verschließt. Der Seitenkörper 2 und der Deckel 3 bestehen aus isolierenden Materialien, wie Keramik, Steatit, Aluminiumoxid, Berylliumoxid, und diese isolierenden Materialien werden im folgenden allgemein als "Keramik" bezeichnet. Die Halbleitertablette 4 ist auf einer Platte 5 aus Berylliumoxid befestigt, das ein elektrischer Isolator und ein guter Wärmeleiter ist, und sie ist mittels zwei auf der Berylliumoxidplatte 5 abgeschiedenen Metallisierungen 8 und 9 mit ihren Ausgangsanschlüssen β und 7 verbunden. Die Berylliumoxidplatte 5 ist im Inneren des Gehäuses durch eine Lötung 10 auf dem Metallsockel 1 befestigt, während die Ausgangsanschlüsse 6 und 7 durch zwei Metallisierungen oder Lötungen 11 an ihren Durchführungen durch den Deckel 3 des Gehäuses befestigt sind.
Gegebenenfalls und je nach Typ des Gehäuses und der Befestigung sind im Metallsockel zwei Löcher 12 ausgebildet, welche die Anordnung und Befestigung der Diode in einem komplizierteren System ermöglichen.
Die bei diesem Gehäusetyp bei sehr hohen Spannungen auftretenden Schwierigkeiten rühren vor allem her von der Nähe des Sockels und der Lötung 10 zu den Elektroden β und 7 und den Metallisierungen 8 und 9. Es ist gegenwärtig üblich, die Berylliumoxidplatte aus Gründen von Schwierigkeiten der Lötung, Platzbedarf und Preis so klein wie möglich bezüglich des Halbleiter chips zu wählen, was zur Folge hat, daß der freie Raum 13 zwischen der Berylliumoxidplatte 5 und dem Seitenkörper 2 sich störend auswirkt, da dieser freie Raum den Metallsockel 1 freiläßt und Leckströme oder elektrische Lichtbogen zwischen den benachbarten Metallisierungen 8 und 9 und der Oberseite des Metallsockels 1 begünstigt. Außerdem ist der Seitenkörper 2 am Metallsockel 1 mittels einer ersten Lötung 14 und am Deckel 3 mittels einer zweiten Lötung 15 angelötet. Die Methoden der Lötung auf Aluminiumoxid oder Keramik sind bekannt und liegen außerhalb des Bereichs der Erfindung, jedoch bleibt die Tatsache, daß sich bei sehr hohen Spannungen eine Kette bildet, ein erster Kondensator, der von der Metallisierung 11 als erstem Belag, dem Keramikisolator des Deckels 3 als Dielektrikum und der Lötung 1 als zweitem Belag gebildet wird, und weiter die Lötung 15 als erster Belag eines zweiten Kondensators, die Keramik des Seitenkörpers 2 als Dielektrikum und die Lötung 14 als zweiter Belag. Die so von drei Lötungen und zwei Dielektrika gebildete Kette von zwei Kondensatoren begünstigt, wenn die Spannungsdifferenz zwischen einer Elektrode 6 oder 7 und dem Sockel 1 Werte von 3000 bis 10.000 Volt erreicht, einen Leckstrom parallel zur gekapselten Diode, der einen deutlichen Durchschlag zur Folge haben kann.
Das erfindungsgemäße Gehäuse löst diese Probleme von Leckstrom und elektrischen Lichtbogen zwischen Metallisierungen und Metallsockel, indem ein Gehäuse geschaffen wird, das eine Kammer bildet, wo alle Lötungen oder Metallteile ausgeschlossen sind in der Dicke der Wände der Kammer, ausgenommen die Metallisierungen zur Befestigung der zwei Ausgangselektroden.
Fig. 2 zeigt ein erfindungsgemäßes Gehäuse von einem vergleichbaren Typ wie der des beschriebenen bekannten Gehäusesr wobei jedoch seine Ausbildung Spannungsfestigkeit von über 10.000 V selbst bei kleinen Abmessungen ermöglicht.
Das erfindungsgemäße Gehäuse weist wie das bekannte Gehäuse einen Metallsockel 21 auf, der im wesentlichen zur Befestigung, entweder durch Schweißung oder häufiger durch Löcher 12, und zur Abführung der von der Halbleitertablette abgegebenen Wärme dient, da dieses Gehäuse vor allem für Leistungshalbleiter bestimmt ist, die infolgedessen Energie abgeben. Die Anordnung von Gegenständen, wie die Halbleitertablette 4» die Metallisierungen 8 und 9 und die AusgangsanSchlüsse 6 und 7, sind vergleichbar mit den üblichen und gehören nicht eigentlich zum Bereich der Erfindung.
Was das erfindungsgemäße Gehäuse unterscheidet, ist, daß die Berylliumoxidplatte 25, auf der die Tablette 4 befestigt ist, solche Abmessungen hat, daß sie in Berührung mit dem Seitenkörper 22 kommt, wobei die Berührung durch das Innere des Körpers 22 gemäß einer im folgenden erläuterten Ausbildung erfolgt. Der Deckel 23 des Gehäuses kommt seinerseits auch in Berührung mit dem Seitenkörper 22, vorzugsweise mittels einer Kehlung, wodurch der Deckel 23 auf einem Teil des Seitenkörpers 22 ruht.
Die Berylliumoxidplatte, die als unterer Teil des Gehäuses dient, ist am Seitenkörper 22 nicht angelötet, sondern an diesem durch ein Band von geschmolzenem Glas 26 befestigt. In gleicher Weise ist der Deckel 23 nicht am Seitenkörper 22 angelötet sondern an diesem durch eine Glasversiegelung 27 befestigt, die in jeder Hinsicht vergleichbar ist mit der Glasversiegelung Der Schutzteil des Gehäuses besteht daher aus einem Gehäuseboden 25 aus Berylliumoxid, der durch eine Glasversiegelung mit einem Seitenkörper 22 verbunden ist, der selbst aus isolierendem Keramik besteht und mit einem Deckel 23 mittels einer zweiten
.f.
Glasversiegelung 27 verbunden ist. So ist, abgesehen vom notwendigen Austritt der elektrischen Anschlüsse 6 und 7, kein Metallteil in der Wandstärke der Wände des erfindungsgemäßen Gehäuses vorhanden. Eine Anzahl von Einzelheiten der Ausführung sind wichtig und werden im folgenden erläutert.
An erster Stelle besteht der Gehäuseboden 25 vorzugsweise aus Berylliumoxid, da, wie bekannt, dieses Material gleichzeitig ein guter elektrischer Isolator und ein guter Wärmeleiter ist> jedoch kann für den Fall, daß die abgegebene Leistung gering ist, dieser Gehäuseboden gemäß einer Abwandlung der Erfindung auch aus Keramik, wie beispielsweise Aluminiumoxid, bestehen. Dagegen ist es aus Gründen der Kosten des Gehäuses nicht interessant, daß der Seitenkörper 22 oder der Deckel 23 aus Berylliumoxid bestehen. Tatsächlich bemüht man sich, die Wärme vor allem durch das Substrat der Halbleitertablette und durch den Metallsockel abzuführen, und das Vorhandensein eines Seitenkörpers und eines Deckels 23 kann an einer Wärmeabführung nur von einer Seite her beitragen, die der Seite des Radiators, welche die des Metallsockels 21 ist, entgegengesetzt ist, und das noch mit einer schlechten Leistung, da der Seitenkörper 22 und der Deckel 23 keinen direkten Kontakt mit dem Halbleitersubstrat haben. Infolgedessen bestehen der Seitenkörper 22 und der Deckel 23 vorzugsweise aus Aluminiumoxid oder allgemeiner aus Keramik, obgleich sie auch aus Glas bestehen können.
An zweiter Stelle wurde gesagt, daß die Berylliumoxidplatte am Seitenkörper 22 an dessen Innenseite versiegelt ist. Tatsächlich kann man vorsehen, daß der Seitenkörper 22 am Sockel versiegelt ist, dabei jedoch in mechanischer Berührung mit dem Gehäuseboden 25 steht, jedoch gewährleistet ein solcher Metallkontakt nicht eine Dichtheit des Gehäuses und ein Leckstrom kann stets zwischen den Metallisierungen 8 und 9 und dem Metall-r sockel 21 auftreten. Man kann auch vorsehen, den Seitenkörper durch eine Glasversiegelung am oberen Teil der Berylliumoxidplatte 25 zu versiegeln, jedoch hält eine Ausbildung an dieser Stelle nicht im Verlauf des Betriebs der Schaltanordnung.
Wenn nämlich die Halbleitertablette beginntt Wärme abzugeben, erwärmt sich die Berylliumoxidplatte und dehnt sich vorzugsweise linear aus, so daß der Seitenkörper 22 und die Glasversiegelung sich durch Scherung nach sehr kurzer Betriebszeit spalten. Bei der Ausbildung der Fig. 2 dagegen arbeitet die Berylliumoxidplatte 25 unter Druck bezüglich des Seitenkörpers 22, und obgleich die Ausdehnungskoeffizienten nicht die gleichen sind, sind die Abmessungen dieses Gehäuses und die Dicke des Seitenkörpers 22 so, daß das Gehäuse den von der Berylliumoxidplatte bei der Ausdehnung ausgeübten Druckkräften widersteht. Die Glasversiegelung ist nach vielen Betriebsstunden der Schaltanordnung intakt.
Schließlich kann der Deckel 23 auf dem Seitenkörper 22 in gleicher Weise wie in Fig. 1 der Deckel 3 auf dem Seitenkörper 2 ruhen. Die Herstellung des Gehäuses ist jedoch einfacher, wenn der Deckel 23 in einer Nut des Seitenkörpers 22 sitzt, da das Glasband 27, das vor dem Versiegeln in Form von Pulver vorliegt, bei dieser Ausbildung leichter zum Schmelzen gebracht werden kann.
Das erfindungsgemäße Gehäuse weist, wie gesagt, auch einen Metallsockel 21 auf, der bei 10 an den Boden 25 des Gehäuses angelötet ist. Dieser Sockel 21 ist vorzugsweise gekehlt, um für mögliche Unebenheiten in der Befestigung des Gehäusebodens 25 am Seitenkörper 22 oder des Glasflusses, der beim Herstellen der Versiegelung 26 auftritt, vorzusorgen. Er weist außerdem ein Blatt 28 aus Wolfram oder Molybdän auf (französische Patentanmeldung 79 11 023 der Anmelderin), das an die Seite angelötet ist, welche der das isolierende Gehäuse tragenden Seite gegenüberliegt, um Spannungen und Verformungen während des Betriebs zu vermeiden.
Schließlich wird das Gehäuse fertiggestellt durch Schweißen oder Löten der Außenanschlüsse 6 und 7 in den Metallisierungen
ΛΑ-
Um eine Vorstellung von den Abmessungen eines solchen Gehäuses zu geben, das bis 10.000 V zwischen Tablette und Sockel arbeitet, jedoch ohne daß diese Angaben die Erfindung irgendwie begrenzen, hat beispielsweise das Gehäuse einen Innendurchmesser in der Größenordnung von 14 mm, eine Höhe nur über den Keramikteil 22 - in der Größenordnung von 8 - 10 mm, und einen Abstand zwischen den Außenanschlüssen 6 und 7 in der Größenordnung von 7-8 mm.
Die Herstellung eines solchen Gehäuses umfaßt die folgenden Arbeitsgänge:
- serigraphisches Aufbringen der Metallisierungen 8 und 9 und auf der Rückseite für die Lötung 10 am Gehäuseboden 25, der, wie gesagt, vorzugsweise aus Berylliumoxid besteht. Die Metallisierungen sind solche aus Molybdän-Mangan oder Nickel-Gold.
- Glasbeschichtung des ümfangs des Bodens 25 durch eine Paste von hochtemperaturbeständigem Glas, dessen Zusammensetzung nahe bei Siliciumdioxid SiO„ liegt. Diese Glasbeschichtung erfolgt beispielsweise nach einer serigraphischen Methode.
- Glasbeschichtung des inneren Umfangs des Seitenkörpers 22 über eine Höhe entsprechend der Dicke des Gehäusebodens 25» Diese Glasbeschichtung kann ebenfalls nach einer Methode ähnlich der Serigraphie oder durch Abscheidung einer Glaspaste mit der Rolle oder dem Pinsel erfolgen.
- Zusammensetzen des Gehäusebodens 25 mit dem Seitenkörper 22 durch Schmelzen des Glases in einem Ofen bei einer Temperatur, die von der des verwendeten Glases abhängt.
- Löten des erhaltenen Werkstücks, das aus dem Gehäuseboden und dem Seitenkörper besteht, auf dem Sockel 21 und Montage der Halbleitertablette 4 auf seiner Metallisierung 8 sowie der Außenanschlüsse 6 und 7 auf ihren Metallisierungen 8 und 9.
- Schließen des Gehäuses durch Versiegeln des Deckels 23 am Seitenkörper 22 mittels einer Glasversiegelung 27. Um diese Versiegelung 27 herzustellen, muß der Deckel 23 zunächst an seinem Umfang eine Glasbeschichtung erhalten in genau gleicher Weise wie sie der Gehäuseboden 25 an seinem Umfang erhielt. Anschließend erhält der Seitenkörper 22 ebenfalls eine Glasbeschichtung an dem Teil der Bohrung, welche dem Deckel 23 entspricht. Die beiden einander zugewandten Glasschichten des Seitenkörpers 22 und des Deckels 23 werden dann zum Verschließen des Gehäuses geschmolzen, entweder durch eine rings um das Gehäuse angeordnete Heizspirale oder durch einen entfokalisierten Laserstrahl oder auch durch die Flamme eines Mikrobrenners.
- Außerdem wurde das erfindungsgemäße Gehäuse zu einem günstigen Zeitpunkt mit einem Isoliermaterial, wie einem Siliconharz, gefüllt, um Lichtbogen im Inneren des Gehäuses zu verhindern und seine Spannungsfestigkeit zu verbessern.
Das erfindungegemäße Gehäuse wurde am Beispiel einer Leistungsdiode beschrieben, jedoch ist es für den Fachmann selbstverständlich, daß die Zahl der AusgangsanSchlüsse nicht begrenzt ist und daß andere Halbleiterschaltanordnungen mit einer größeren Zahl von Ausgangselektroden im Bereich der Erfindung liegen; im Fall von 3 oder 4 Ausgangselektroden müssen die Abmessungen des Gehäuses so gewählt werden, daß Lichtbogen zwischen den Ausgangsanschlussen vermieden werden.

Claims (6)

  1. »: .·* PAT c ΝΓΓΑΜ WAtT-": DF*. 'H'AHS': ϋ\ΡΓΟ:Η MAY
    D ffMÜNCHEN 22. TPtfERSCriSTRASSE 27 JJ I
    TELEGRAMME: MAYPATENT MÜNCHEN TELEX 52 4487 PATOP
    IELEFON CO893 22 00 51
    T-23-P-32/1920 München, 19. Mai 1983
    52 259 DCM MON Dr.M/hs
    THOMSON-CSF in Paris / Frankreich
    Gehäuse zur Kapselung einer Halbleiter-Hochspannungsschaltanordnung und Verfahren zu seiner Herstellung
    Patentansprüche
    1J Gehäuse zur Kapselung einer bei sehr hoher Spannung arbeitenden Halbleiter-SehaltanOrdnung (4), das durch eine Lötung (10) an einem zur Befestigung und Wärmeabgabe dienenden Metallsockel (21) angebracht ist, wobei das Gehäuse eine Gehäusebodenplatte (25), einen Seitenkörper (22) und eine Gehäusedeckel-. platte (23) aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß erstens der Boden (25), der Seitenkörper (22) und der Deckel (23) aus einem keramikartigen, elektrisch isolierenden Material bestehen und zweitens der Boden (25) und der Deckel (23) jeder an einem Ende des Seitenkörpers (22) durch Glasversiegelungen (26, 27) befestigt sind, so daß ein dichter keramischer Hohlraum gebildet wird, durch den als einzige metallische Teile die Anschlußverbindungen (6, 7) zur Halbleiter-Schaltanordnung (4) führen, welche an der Seite des Gehäuses angeordnet sind, welche entgegengesetzt der Seite ist, an welcher der Metallsockel angelötet ist,
  2. 2. Gehäuse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Gehäuseboden (25) an seinem Umfang an der Innenseite des Seitenkörpers (22) versiegelt ist, wobei die Glasversiegelung (26) bei den auftretenden Wärmespannungen unter Druck arbeitet.
    ■ a,-
  3. 3. Gehäuse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Deckel (23) an seinem Umfang über eine Fläche, die gegenüber einer im Seitenkörper (22) ausgebildeten Bohrung liegt, mittels einer Glasversiegelung (27) versiegelt ist.
  4. 4. Gehäuse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Gehäuseboden (25) aus Berylliumoxid besteht.
  5. 5. Gehäuse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Seitenkörper (22) und der Deckel (23) aus einem Keramikmaterial, wie Berylliumoxid, Aluminiumoxid, Steatit und gegebenenfalls Glas, bestehen.
  6. 6. Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses zur Kapselung einer bei sehr hoher Spannung arbeitenden Halbleiter-SchaItanordnung, gekennzeichnet durch die folgenden Stufen:
    - Auf der ersten Seite des Gehäusebodens (25) werden Metallisierungen (8, 9) zum Anbringen des Bauelements (4) und auf der zweiten Fläche die Metallisierung (1O) zum Anlöten auf einen Sockel (21) abgeschieden;
    - am Umfang des Gehäusebodens (25) wird eine Paste von Hochtemperaturbeständigem Glas vom Typ Siliciumdioxid abgeschieden;
    - auf der inneren Peripherie des Seitenkörpers (22) wird eine Glaspaste über eine Breite entsprechend der Dicke des Gehäusebodens (25) abgeschieden;
    - der Gehäuseboden (25) wird mit dem Seitenkörper (22) zusammengesetzt und durch Schmelzen der Glasschicht (26) in einem Ofen vereinigt;
    - der Boden des Gehäuses (25) wird durch die Lötung (10) auf einem Metallsockel (21) angelötet;
    - an den Metallisierungen (8, 9) des Gehäusebodens (25) werden die äußeren Anschlußverbindungen (6, 7) und die Anschlüsse der Halbleiter-SchaltanOrdnung (4) angebracht, und das Gehäuse wird'durch ein Isoliermaterial vom Typ polymeres Harz gefüllt;
    - auf dem Umfang des Deckels (23) wird eine Glaspaste abgeschieden;
    BAD ORIGINAL
    auf dem Umfang der Bohrung des Seitenköxpers (22) wird eine Glaspaste abgeschieden;
    der Deckel (23) wird mit dem Seitenkorper (22) zusammengesetzt und durch Schmelzen der Glasschicht (27) vereinigt; die Außenanschlüsse (6, 7) werden im Bereich ihrer Durchführung durch den Deckel (23) durch eine Lötung (11) mit diesem verbunden.
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