DE4014377A1 - Hochfrequenzverstaerker mit langsamwellen-verzoegerungsleitung - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft allgemein Hochfrequenzverstärker und im einzelnen Verstärker dieser Art, welche eine Langsamwel­ len-Verzögerungsleitung enthalten.

Bekanntermaßen haben Hochfrequenzverstärker ein weites An­ wendungsgebiet. Eine Art derartige Verstärker enthält eine Langsamwellen-Verzögerungsleitung, bei der ein angelegtes Hochfrequenzsignal sich entlang der Langsamwellen-Verzöge­ rungsleitung ausbreitet und die darin befindliche Signal­ energie mit einem benachbarten Elektronenstrahl in solcher Weise in Wechselwirkung tritt, daß ein Teil der im Elektro­ nenstrahl befindlichen Energie auf die sich ausbreitende Welle übergeht, mit dem Ergebnis, daß die von der Verzöge­ rungsleitung abnehmbare Hochfrequenzenergie verstärkt ist. Ein Verstärker dieser Bauart ist eine Wanderwellen-Verstär­ kerröhre. Hier erzeugt eine Elektronenkanone oder ein Elek­ tronenstrahlerzeugungssystem einen gebündelten Elektronen­ strahl mit einer Geschwindigkeit der Elektronen, die charak­ teristischerweise einer Beschleunigungsspannung in der Größenordnung von 10 Kilovolt entspicht. Der Elektronen­ strahl geht von einer Kathode aus und ist durch eine lang­ gestreckte, verhältnismäßig lose gewickelte, elektrisch lei­ tende Drahtwendel gerichtet, welche die Langsamwellen-Ver­ zögerungsleitung bildet, um dann auf einen Kollektor zu treffen. Ein axiales magnetisches Fokussierungsfeld, entweder gleichförmig oder periodisch ausgebildet, ist vorgesehen, um zu verhindern, daß sich der Elektronenstrahl verbreitert, um den Elektronenstrahl entlang der Mitte der Drahtwendel zu führen. Das Hochfrequenzsignal wird an dem der Kathode nahe­ liegenden Ende der Drahtwendel eingeführt und das verstärkte Signal erscheint dann an dem Kollektor naheliegenden Ende der Drahtwendel. Das angelegte Signal breitet sich um die Windungen der Drahtwendel herum aus und erzeugt in der Mitte der Wendel ein elektrisches Feld, welches längs der Wendel­ achse orientiert ist. Da die Geschwindigkeit, mit welcher sich das Signal längs der Drahtwendel ausbreitet, annähernd der Lichtgeschwindigkeit gleich ist, schreitet das elekt­ rische Feld, das durch das angelegte Signal erzeugt wird, mit einer geringeren Geschwindigkeit als der Lichtgeschwin­ digkeit fort. D.h. das Feld rückt mit einer Geschwindigkeit vor, die annähernd der Lichtgeschwindigkeit, multipliziert mit dem Verhältnis von Drahtwendelsteigung zu Drahtwendel­ umfang, gleich ist. Wenn die Geschwindigkeit der Elektronen im Strahl, der durch die Drahtwendel geschickt wird, an­ nähernd gleich der Geschwindigkeit des Signalfeldes ist, das sich axial längs der die Langsamwellen-Verzögerungsleitung bildenden Wendel ausbreitet, so findet eine Wechselwirkung zwischen dem sich ausbreitenden Signal oder der Welle auf­ grund des elektrischen Signalfeldes und den sich bewegenden Elektronen statt, welche derart ist, daß im Mittel die Elek­ tronen im Strahl Energie an das sich ausbreitende Signal an der Drahtwendel abgeben. Dadurch wird das Signal an der Drahtwendel am Ausgangsende der Drahtwendel verstärkt.

Es ist auf diesem Gebiet der Technik auch bekannt, verschie­ dene Halterungsstrukturen zur Abstützung der Drahtwendel innerhalb des Gehäuses oder des Kolbens der Wanderwellen­ röhre zu verwenden. Eine Art einer Halterungsstruktur ent­ hält eine Mehrzahl dielektrischer Halterungsstäbe, wie bei­ spielsweise in der US-Patentschrift 37 78 665 beschrieben.

Im einzelnen enthält die Wanderwellenröhre einen dicht abge­ schlossenen, langgestreckten zylindrischen Kolben. Inner­ halb des zylindrischen Kolbens befindet sich in koaxialer Lage die Drahtwendel. Eine Anzahl von dielektrischen Stäben, beispielsweise drei solche Stäbe, welche symmetrisch beab­ standet sind und langgestreckt sind, erstrecken sich in Längsrichtung parallel zu der gemeinsamen Achse des zylind­ rischen Kolbens und der Drahtwendel. Die Stäbe bestehen aus dielektrischem Material, so daß sie elektrisch die Drahtwen­ del von dem Kolben oder gegenüber Erdpotential der Wander­ wellenröhre isolieren und hierdurch einen Kurzschluß des an­ gelegten Hochfrequenzsignales verhindern. Die Stäbe haben in einer Querschnittsebene senkrecht zur gemeinsamen Achse im allgemeinen rechteckige Querschnittsform. Die Stäbe sind zwischen Bereichen der Innenwand des zylindrischen Kolbens und Teilen des Außenumfanges der Drahtwendel eingespannt, so daß sie die Drahtwendel koaxial ausgerichtet innerhalb des zylindrischen Kolbens abstützen, jedoch gegenüber diesem elektrisch isolieren. Die die Langsamwellen-Verzögerungs­ leitung bildende Wendel muß wegen ihres ohmschen Widerstan­ des sowie auch aufgrund des Elektronenbombardements in be­ trächtlichem Maße Wärmeenergie während des Wechselwirkungs­ vorganges abgeben. Während es daher einerseits notwendig ist, daß die Halterungsstäbe aus dielektrischem Material gefertigt sind, ist es andererseits auch erforderlich, daß sie eine hohe thermische Leitfähigkeit haben. Bekannte Ge­ räte benützen eine Halterungsstruktur für die Langsamwellen- Verzögerungsleitung aus elektrisch nicht leitfähigem, jedoch thermisch leitfähigem Material wie Beryllerde, Bornitrid oder andere keramische Materialien mit hohem thermischen Leitvermögen.

Wie weiterhin bekannt, werden die dielektrischen Haltestäbe elektrisch aufgeladen, wenn Streuelektronen aus dem Elektro­ nenstrahl auf sie treffen. Der resultierende Ladungsaufbau verursacht, wenn er groß genug ist, entweder eine Ablenkung des Elektronenstrahls, wenn die Aufladung unsymetrisch ist, oder wirkt als elektrostatische Linse, wenn die aufgebaute Ladung symetrisch ist. Diese Erscheinung kann die Auswellung des Strahles verlösen, was auch zu einem verstärkten Einfan­ gen von Elektronen durch die Drahtwendel führen kann, so daß der hierdurch verursachte Strom in der Drahtwendel erhöht wird. Weiter kann die Aufladung der Halterungsstäbe bewir­ ken, daß der Elektronenstrahl verlangsamt oder abgelenkt wird, was zu einer Verstärkung des Stromes führt, der die Drahtwendel in örtlich begrenzten Bereichen trifft. Dies kann letztlich zu einem unzulässigem Anstieg der Drahtwen­ deltemperatur und letztlich auch zur Zerstörung der Röhre führen. Im allgemeinen aber wird eine Wanderwellenröhre, bei der eine Aufladung der Halterungsstäbe stattfindet, dadurch fehlerhaft, daß ein unzulässig hoher Strom der Drahtwendel aufgrund des Einfangens von Elektronen auftritt.

Eine Methode zur Beseitigung dieses Problems besteht im diffizilen Einstellen des örtlichen Magnetfeldes längs der Drahtwendel. Dieser Vorgang, der manchmal auch als ein Ab­ gleichen bezeichnet wird, ist sehr zeitraubend, da die Ab­ gleichversuche nicht immer zu dem gewünschten Ergebnis führen. Eine zusätzliche Schwierigkeit ist durch die Zeit gegeben, zu welcher sich die elektrischen Ladungen an den Haltestäben aufbauen, da sich herausstellen kann, daß eine abgeglichene Röhre nicht richtig arbeitet, wenn sie aus einem Kaltstart heraus in Betrieb genommen wird.

Eine andere Maßnahme zur Beseitigung der Aufladung der Hal­ terungsstäbe besteht darin, die elektrische Leitfähigkeit der Oberfläche der Halterungsstäbe zu erhöhen, um den La­ dungsaufbau an der Staboberfläche zu verhindern. Diese Maß­ nahme erfordert die Verwendung einer dünnen elektrisch leitfähigen Schicht, beispielsweise aus Graphit, auf denje­ nigen Oberflächenbereichen der Stäbe, welche in unmittelba­ rer Nähe des Elektronenstrahls gelegen sind. Da diese Be­ reiche im Hochfrequenzfeld der Drahtwendel gelegen sind, können sie unerwünschte Verluste in den die Wendel enthal­ tenden Stromkreis einführen. Folglich erfordert die genannte Maßnahme manchmal einen Kompromiß zwischen dem Aufbringen eines entsprechenden Belages, der dick genug ist, um die Aufladung der Haltestäbe zu verhindern und einen Film, der nicht so dick ist, daß er unerwünschte Hochfrequenzverluste einführt.

Wie schließlich zuvor schon kurz angedeutet wurde, sind be­ vorzugte Werkstoffe für die dielektrischen Haltestäbe der Drahtwendel Bornitrid (BN) oder Beryllerde oder Beryllium­ oxid (BeO). Während Berylliumoxid-Haltestäbe keine Aufla­ dung erleiden, ist das Material schwieriger zu verwenden, und zwar vom mechanischen Herstellungsstandpunkt aus gese­ hen, da es giftig und brüchig ist. Bornitrid, auf der anderen Seite, ist ein leichter zu handhabendes und zweckmäßigeres Material wegen seiner Unempfindlichkeit bei der mechanischen Formung zur Einlagerung zwischen dem Außenumfang der Wendel und der Innenfläche des Röhren­ kolbens. Bornitrid zeigt aber die zuvor erwähnte uner­ wünschte Aufladung. Außerdem hat Bornitrid eine niedrigere Dielektrizitätskonstante als Berylliumoxid, welch letzteres elektrische Vorteile bietet.

Durch die Erfindung soll die Aufgabe gelöst werden, einen Hochfrequenzverstärker mit den Merkmalen des Oberbegriffes von Anspruch 1 so auszugestalten, daß die Halterungskon­ struktion für die Langsamwellen-Verzögerungsleitung insbe­ sondere bezüglich ihres elektrischen Verhaltens im vorge­ nannten Sinne, verbessert wird.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im kennzeich­ nenden Teil von Anspruch 1 angegebenen Merkmale gelöst.

Bei einem Hochfrequenzverstärker der hier angegebenen Art ist eine Langsamwellen-Verzögerungsleitung in Nachbarschaft eines Elektronenstrahls durch Haltemittel abgestützt. Die Haltemittel enthalten mindestens ein Halterungsbauteil mit einem Haltestab. An Bereichen der Außenfläche des Haltesta­ bes ist dielektrisches Material angebracht. Das dielektri­ sche Material ist von dem Material des Haltestabes selbst verschieden. Gemäß einem bedeutsamen Merkmal der hier ange­ gebenen Konstruktion besteht der Haltestab aus einem Mate­ rial mit hoher thermischer Leitfähigkeit. Bevorzugtes Mate­ rial für den Haltestab ist Bornitrid. Das dielektrische Material an Außenflächenbereichen des Haltestabes ist elek­ trisch isolierend und besitzt einen spezifischen Wider­ stand, der sich beim Auftreffen von Elektronen vermindert und/oder das dielektrische Material hat die Eigenschaft einer erwünschten Sekundärelektronenemission. Dielektrische Materialien dieser Art sind bevorzugtermaßen Titanoxid, Berylloxid und Magnesiumoxid.

Mit der angegebenen Konstruktion wird erreicht, daß Bor­ nitrid-Haltestäbe mit der erwünschten thermischen Leitfähig­ keit und den erwünschten mechanischen Eigenschaften bezüg­ lich des Einbaues nun ohne eine elektrische Aufladung einge­ setzt werden können, da sie dielektrisches Material an Be­ reichen ihrer Außenfläche tragen, das beim Auftreffen von Elektronen entweder seine elektrische Leitfähigkeit vermin­ dert, so daß ein Entladungsweg für die eintreffenden Elek­ tronen geschaffen wird oder daß im wesentlichen eine Sekun­ därelektronen-Emissionszahl von eins hat und auf diese Weise einen Ladungsaufbau an den Teilen der Haltemittel ver­ hindert.

Das dielektrische Material ist in Gestalt eines dünnen Bela­ ges in einer Dicke von insbesondere weniger als 1 Mikron vorgesehen. Bevorzugtermaßen beträgt die Dicke 0,1 Mikron. Derartige Beläge können durch bekannte Verfahren aufgebracht werden, etwa durch Aufdampfen oder Aufspattern.

Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele anhand der Zeichnung im einzelnen beschrieben. Es zeigen:

Fig. 1 In schematischer Darstellungsweise einen Längs­ schnitt durch eine Wanderwellenröhre mit einer Langsamwellen-Verzögerungsleitung in Gestalt einer Wendel, die durch Haltemittel entsprechend der vorliegend angegebenen Konstruktion abge­ stützt ist,

Fig. 2 einen Schnitt entsprechend der in Fig. 1 angege­ benen Schnittlinie 2-2,

Fig. 3 eine perspektivische Darstellung, teilweise im Querschnitt, von einem Teil der Wanderwelle nach Fig. 2,

Fig. 4 ein schematischer Auschnitt des Längsschnittes nach Fig. 1 zur Erläuterung der Beziehung zwi­ schen dem Aufbau der Haltemittel, einem Elektro­ nenstrahl und den äußeren Umfangsenden einer Drahtwendel zur näheren Erläuterung der Wirkungs­ weise,

Fig. 5 eine schematische Skizze einer dielektrischen Schicht, die von Elektronen getroffen wird, zur weiteren Erläuterung des hier angegebenen Prin­ zips und

Fig. 6 eine Diagrammkurve der Sekundärelektronen- Emissionszahl, aufgetragen über der Elektronen­ strahlenergie, für ein bestimmtes Material.

Zunächst sei auf die Fig. 1-3 Bezug genommen. Ein Hoch­ frequenzverstärker 10, vorwiegend eine Wanderwellenröhre, enthält eine Langsamwellen-Verzögerungsleitung in Gestalt einer Drahtwendel 12, die aus einer Mehrzahl von Windungen gebildet ist und sich längs einer Achse 13 eines evakuierten zylindrischen Metallkolbens 14 erstreckt. Ein Hochfrequenz­ signal wird an die Drahtwendel 12 über einen Eingangsleiter 15, vorwiegend eine herkömmliche koaxiale Übertragungslei­ tung, angekoppelt, deren Innenleiter 17 mit dem linken Ende der Drahtwendel 12 verbunden ist und deren Außenleiter 18 elektrische Verbindung mit dem Röhrenkolben 14 hat. Eine Ausgangsleitung 18, hier ebenfalls eine koaxiale Übertra­ gungsleitung, ist mit ihrem Außenleiter 21 elektrisch wie­ derum an dem Röhrenkolben 14 angeschlossen, während der Innenleiter 23 mit dem rechten Ende der Drahtwendel 12 ver­ bunden ist.

Eine Elektronenstrahlquelle 22 in Gestalt einer Elektronen­ kanone enthält eine dielektronenimitierende Kathode 24 mit leichtkonkavem Profil, um die Fokussierung des Elektronen­ strahls längs der Achse 13 zu einem Kollektor 20 hin zu unterstützen. Die Kathode 24 wird durch eine Kathodenheiz­ wendel 26 beheizt. Elektrische Leitungen erstrecken sich durch die Wand des Röhrenkolbens 14 hindurch, um die Teile der Elektronenkanone an eine geeignete Gleichspannungsquelle (nicht dargestellt), anschließen zu können. Eine Beschleuni­ gungselektrode 28, welche entsprechend vorgespannt ist, bei­ spielsweise durch ein positives Potential, hilft in übli­ cherweise bei der Fokussierung des Elektronenstrahls. Ein äußeres magnetisches Feld wird durch eine Magnetanordnung 30 erzeugt, welche ein magnetisches Material hoher Koerzitiv­ kraft enthalten kann, beispielsweise Samariumkobalt oder Platinkobalt oder welche von einem Elektromagneten gebildet sein kann, der den Kolben 14 umgibt. Das erzeugte Magnetfeld verläuft parallel zu der Achse 13 des Gerätes in an sich be­ kannter Weise.

Die die Langsamwellen-Verzögerungsleitung bildende Wendel 12 ist aus mehreren Windungen eines elektrisch leitfähigen Drahtes gebildet und innerhalb des Röhrenkolbens 14 nahe dem Elektronenstrahl durch Haltemittel 33 abgestützt. Die Halte­ mittel enthalten mehrere langgestreckte nicht leitfähige Halterungsbauteile 34, die in Längsrichtung parallel zur Röhrenachse 13 angeordnet sind. Die Haltebauteile 34 beste­ hen jeweils aus inneren Haltestäben 36 aus elektrisch iso­ lierendem, thermisch hoch leitfähigem Material. Der Wärme­ leitungskoeffizient der Haltestäbe 36 soll hoch sein, um die Drahtwendel zu kühlen. Vorwiegend bestehen die Haltestäbe 36 aus Bornitrid. Die Haltestäbe 36 sind an ihren Außenflächen mit einem dünnen Belag aus dielektrischem Material 38 ver­ sehen. Es hat sich herausgestellt, daß das Beschichten der Außenflächen der Haltestäbe 34 mit den dünnen, weniger als 1 Mikron dicken Beläge 39 (vorliegend mit einer Dicke von 0,1 Mikron) aus dielektrischem Material wie Titanoxid, Magne­ siumoxid oder Berylliumoxid, praktisch die Aufladung der Stäbe beseitigt. Es ist zu vermuten, daß eine derartige elektrische Aufladung der Innenflächen der Bornitrid-Halte­ stäbe 36 dadurch vermieden wird, daß über den Stäben ein dielektrisches Material angebracht wird, das einen spezifi­ schen Widerstand hat, der sich bei Auftreffen von Elektronen vermindert oder im wesentlichen einen Sekundärelektronen- Emissionskoeffizienten von eins hat. Es wird also bei Elektro­ nenbombardement aufgrund von Streuelektronen aus dem erzeug­ ten Elektronenstrahl Ladung, welche sich sonst an der Ober­ fläche der Bornitrid-Haltestäbe aufbauen würde, vernichtet. In dem Fall, in welchem sich der spezifische Widerstand des Beschichtungsmaterials vermindert, wird die Ladung durch Ab­ leitung zur Drahtwendel hin beseitigt. In dem Fall, in wel­ chem das Beschichtungsmaterial einen Sekundärelektronen-Emis­ sionskoeffizienten von eins aufweist, wird die Ladung durch Elektronenrücklieferung vernichtet.

Es sei nun auf die Fig. 4 und 5 Bezug genommen. Streu­ elektronen aus dem Haupt-Elektronenstrahl treffen auf Be­ reiche der Innenfläche 37 der Halterungskonstruktion für die Drahtwendel. Demgemäß wird eine Spannung V _surface auf der Oberfläche der Halterungskonstruktion erzeugt. Die Spannung an der Drahtwendel kann als V _helix bezeichnet werden. Es entsteht also eine Differenzspannung Δ V zwischen der Drahtwendel und Innenflächenbereichen 37 der dielektrischen Halterungskonstruktion, wobei Δ V = V _helix-V _surface (worin V _helix die Spannung der Drahtwendel relativ zu der Elektronenstrahlquelle, vorliegend der Kathode 24 ist und V _surface die Spannung an der Oberfläche des Belages 39 re­ lativ zur Kathode 24 ist).

Aus Fig. 4 ergibt sich folgendes:

Δ V = [1 - δ (V) ] IR (1)

Aus Gleichung (1) ist ersichtlich, daß Δ V von folgenden Größen abhängig ist:

Der Spannung in Abhängigkeit von dem Sekundärelektronen-Emi­ sionskoeffizienten [δ (V)]; ferner dem Ableitungswiderstand R und dem Strom I entsprechend den auftreffenden Elektronen. Messungen haben ergeben, daß der Ableitungswiderstand nicht konstant ist, sondern von der Größe des Stromes entsprechend den auftreffenden Elektronen und von der Spannung abhängig ist. Es wurden Messungen an Haltestäben aus Bornitrid mit oder ohne aufgespotteten Belag von 0,1 Mikron aus Titanoxid und Magnesiumoxid durchgeführt, wobei sich die Beläge an den Innenflächenbereichen 37, den Endflächenbereichen 40 gegen­ über der Kathode 24 und dem Kollektor 20 und den Seitenflä­ chenbereichen 42 befanden. Es ist daher festzustellen, daß die Enden der Außenflächen 41 der Haltestäbe 34, welche an dem Metallkolben 14 anliegen, nicht beschichtet sind und hier das Bornitrid unmittelbar an dem Röhrenkolben 14 an­ liegt. Die angelegte Spannung betrug 10 kV und der Strom des fokussierten Elektronenstrahls betrug 10 Nanoampere. Bei Nor­ malbetrieb ergaben sich folgende Ergebnisse:

Tabelle I

Wenn der Strom aufgrund eintreffender Elektronen im Bereich von 10 Nanoampere bis 10 000 Nanoampere verändert wurde und der Einfallswinkel zwischen 0° und 60° verändert wurde, so blieb der Wert der Differenzspannung Δ V an dem Material innerhalb eines Meßfehlers von etwa 50 Volt unverändert.

Wenn die Oberflächenspannung des Haltestabes um 3 kV von der Spannung der Drahtwendel von etwa 10 kV unterschiedlich wird, wie dies im Falle unbeschichteten Bornitrids ge­ schieht, so tritt eine Defokussierung auf. Wenn aber die Differenzspannung nur 200 Volt beträgt, wie im Falle von Titanoxid beschichtetem oder Magnesiumoxid beschichtetem Bornitrid gemessen werden kann, so ist die Defokussierung vernachlässigbar. Es wurde also festgestellt, daß dünne Metalloxidbeschichtungen aus Titanoxid, Magnesiumoxid oder Berylliumoxid das Aufladungsproblem entweder dadurch besei­ tigen, daß ein Mechanismus auftritt, bei dem die Beschich­ tungen unter Elektronenbombardement leitfähiger werden oder dadurch, daß eine Sekundärelektronenemission auftritt.

Der Mechanismus, durch den Unterschiede des Sekundärelektro­ nen-Emissionskoeffizienten zur Erklärung einer unterschied­ lichen Haltestabaufladung herangezogen werden können, kann anhand von Fig. 6 diskutiert werden, in der eine charakte­ ristische Sekundärelektronenemission als Funktion der Ener­ gie der auftreffenden Elektronen aufgezeichnet ist. Wenn die imitierende Oberfläche einen hohen Oberflächenwiderstand hat, es sich also um einen guten Isolator handelt, so lädt sich die Oberfläche negativ auf, wenn δ<1 ist oder sie lädt sich positiv auf, wenn δ<1 ist.

Wenn sich die Oberfläche auflädt, so hat ihre Oberflächen­ spannung das Bestreben, die auftreffenden Elektronen ent­ weder zu beschleunigen oder zu verzögern, was wiederum die Sekundärelektronen-Emissionsausbeute beeinflußt. Dieser Effekt ist solcher Art, daß unterhalb V ^I sich die Ober­ fläche negativ auflädt und die Energie eintreffender Elek­ tronen auf null vermindert. In entsprechender Weise wird oberhalb der Spannung V ^II das Potential auf V ^II vermindert. Zwischen den Spannungen V ^I und V ^II lädt sich die Oberfläche positiv auf und erhöht die Energie der eintreffenden Elek­ tronen bis ein Gleichgewicht an dem Punkt M erreicht ist, der nahe an der angelegten Drahtwendelspannung liegt, jedoch sich unterhalb der Spannung V ^II befindet.

Die Spannung V ^II hängt von dem Material ab, das für die di­ elektrische Beschichtung verwendet wird, sowie von der Dicke der Beschichtung. Wenn R gegen unendlich geht, so ist es das Ziel, eine Oberflächenbeschichtung aufzubringen, derart, daß V ^II = V _helix wird.

Für eine feste Röhrenbetriebsspannung werden also das Be­ schichtungsmaterial und die Beschichtungsdicke so gewählt, daß in Zusammenwirkung die beschichtete Oberfläche einen Sekundärelektronen-Emissionskoeffizienten von eins hat.

Im Rahmen des vorliegend beschriebenen Prinzips ergeben sich für den Fachmann Abwandlungsmöglichkeiten. Beispielsweise ist zu erwarten, daß andere dielektrische Materialien und Oxide entsprechende Eigenschaften haben (nämlich solche, bei denen unter Elektronenbombardement eine Verminderung des spezifischen Widerstandes auftritt und/oder ein Sekundär­ elektronen-Emissionskoeffizient von eins festzustellen ist) .

Auch können andere Beschichtungstechniken neben dem Aufdamp­ fen und Aufspotten eingesetzt werden.

Claims (9)

1. Hochfrequenzverstärker mit einer Langsamwellen-Verzöge­ rungsleitung, welche in Nachbarschaft eines Elektronen­ strahls mittels Haltemitteln angeordnet ist, wobei die Hal­ temittel mindestens ein Halterungsbauteil aufweisen, welches einen Haltestab enthält, dadurch gekennzeichnet, daß der Haltestab (36) an Oberflächenbereichen mit einer Beschichtung aus dielektrischem Material (39) versehen ist, das von dem Material des Haltestabes verschieden ist.

2. Verstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das dielektrische Material (39) einen spezifischen Widerstand hat, der sich unter Elektronenbombardement von Elektronen aus dem Elektronenstrahl vermindert.

3. Verstärker nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das dielektrische Material (39) einen Sekundärelektro­ nenemissionskoeffizienten von etwa eins aufweist.

4. Verstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der Haltestab (36) eine hohe thermische Leitfähigkeit besitzt.

5. Verstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der Haltestab aus Bornitrid besteht.

6. Verstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch ge­ kennzeichnet, daß das dielektrische Material (39) der Halte­ stabbeschichtung aus einem Metalloxid besteht.

7. Verstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Haltestabbeschichtung aus einem dielektrischen Material (39) besteht, welches durch Titan­ oxid oder Magnesiumoxid oder Berylliumoxid gebildet ist.

8. Verstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Langsamwellen-Verzögerungsleitung die Gestalt einer Drahtwendel (12) hat.

9. Verstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Beschichtung aus dielektrischem Mate­ rial (39) bei der Spannung der Langsamwellen-Verzögerungs­ leitung relativ zur Elektronenstrahlquelle (22) einen Sekun­ därelektronen-Emissionskoeffizienten von eins hat.