DE4125097C2 - Kontaktanordnung für einen Vakuum-Leistungsschalter - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Kontaktanordnung für einen Va­ kuum-Leistungsschalter mit den im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 angegebenen Merkmalen.

Eine solche Kontaktanordnung für einen Vakuum-Lei­ stungsschalter, wie sie aus der JP-60-93721 bekannt ist, verfügt über zwei elektrisch isolierende zy­ lindrische Teile 1a-1 und 1a-2, die in axialer Richtung an­ geordnet sind, sowie über Endplatten 2 und 3, die an den äußeren Enden der zylindrischen Teile 1a-1 bzw. 1a-2 ange­ ordnet sind, um ein Vakuumgefäß 1 zu bilden, das evakuiert ist. Diese Struktur ist in Fig. 6 dargestellt. Ein festste­ hender Kontakt 4 ist mit einem ersten Endabschnitt eines elektrisch leitenden Stabes 4a verbunden, dessen zweiter Endabschnitt durch die Endplatte 2 luftdicht durchgeführt ist. Ein beweglicher Kontakt 5 ist mit einem ersten Endab­ schnitt eines elektrisch leitenden Stabs 5a verbunden, des­ sen zweiter Endabschnitt beweglich ist und hermetisch gegen die Endplatte 3 über einen Balg 6 abgedichtet ist. Der fest­ stehende Kontakt 4 und der leitende Stab 4a bilden eine feststehende Kontakteinheit, während der bewegliche Kontakt 5 und der leitende Stab 5a eine bewegliche Kontakteinheit bilden.

Ein erstes Endabschirmteil 7-1 liegt für den feststehenden Kontakt 4 vor. Ein mittleres Abschirmteil 8 ist in der Mitte des Vakuumgefäßes 1 vorhanden. Ein zweites Endabschirmteil 7-2 ist für den beweglichen Kontakt 5 vorhanden. Das heißt, daß das mittlere Abschirmteil 8 die ersten Endabschnitte der leitenden Stäbe 4a und 5a und die Kontakte 4 und 5 umgibt. Das erste Endabschirmteil 7-1 umgibt den zweiten Endab­ schnitt des leitenden Stabs 4a. Das zweite Endabschirmteil 7-2 umgibt den zweiten Endabschnitt des leitenden Stabs 5a. Diese Abschirmteile 7-1 und 7-2 spielen eine wichtige Rolle dabei zu verhindern, daß Metalldampf, der zwischen den Kon­ takten 4 und 5 bei Stromunterbrechung erzeugt wird, sich an der Innenwand des Vakuumgefäßes 1 niederschlägt. Jedoch ver­ ringert sich die Durchschlagspannung, da die elektrisch iso­ lierenden zylindrischen Teile 1a-1 und 1a-2 in der Nähe der Endabschirmteile 7-1 bzw. 7-2 und des mittleren Abschirm­ teils 8 angeordnet ist. Dies, weil ein Sekundärelektronen- Lawineneffekt an der Innenoberfläche der isolierenden zylin­ drischen Teile 1a-1 und 1a-2 erfolgt, wenn eine Hochspannung an die Kontaktstruktur gelegt wird. Als Gegenmaßnahme hier­ gegen wurde vorgeschlagen, daß die isolierenden zylindri­ schen Teile 1a-1 und 1a-2 an ihrer Innenseite mit einem Ma­ terial bedeckt werden, dessen Sekundärelektronen-Emissions­ wirkungsgrad δ nicht höher als 1 ist, wie z. B. Chromoxid (Cr₂O₃). Es wurde ein Verfahren vorgeschla­ gen, gemäß dem die isolierenden zylindrischen Teile 1a-1 und 1a-2 mit Filmen von Chromoxid 1b-1 bzw. 1b-2 nur auf den­ jenigen Innenseiten derselben beschichtet werden, die einem Spalt zwischen dem mittleren Abschirmteil 8 und den Endab­ schirmteilen 7-1 und 7-2 gegenüberstehen. Der Beschichtungs­ film ist 0,1 µm bis 5 µm dick, und die Beschichtung wird durch Vakuumabscheidung oder Sputtern aufgebracht. Dies ermöglicht es, daß elektrische Ladungen auf der Innenseite der isolierenden zylindrischen Teile 1a-1 und 1a-2 neutrali­ siert werden, was die Durchschlagspannung erhöht. Die Zeit zum Durchführen des Beschichtungsprozesses kann verkürzt wer­ den, und es kann ein Kontaktaufbau für einen Vakuum-Lei­ stungsschalter erzielt werden, der wirtschaftlich ist und eine hohe Sperrspannung und eine hohe Kapazität aufweist.

Der spezifische Widerstand von Chromoxid bei Raumtemperatur liegt in der Größenordnung von 10³ Ωcm. Wenn das isolierende zylindrische Teil mit Chromoxid an der Innenseite beschichtet wird, die der Lücke zwischen dem mittleren Abschirmteil 8 und den End­ abschirmteilen 7-1 und 7-2 gegenübersteht, um eine Bedec­ kungsschicht mit einer Dicke von 0,1 µm bis 5 µm zu bilden, ist der elektrische Widerstand der Bedeckungsschicht im allgemeinen nicht höher als 10 MΩ. Die von dem mittleren Abschirmteil 8 und den Endabschirmteilen 7-1 und 7-2 emit­ tierten Elektronen, insbesondere diejenigen vom Ende dersel­ ben, treffen auf die Oberfläche der Chromoxidschichten 1b-1 und 1b-2 und erhöhen die Oberflächentemperatur derselben. Chromoxid weist eine negative Temperaturcharakteristik auf, gemäß der der Widerstand mit zunehmender Temperatur abnimmt. Die Oberflächentemperatur der Schichten 1b-1 und 1b-2 wird auf Grund des Einschlags von Elektronen erhöht, wenn die Kon­ taktstruktur mit einer angelegten Spannung betrieben wird. Der elektrische Widerstand der Chromoxidschicht nimmt da­ durch weiter ab. Wenn eine Überspannung an die Kontaktstruk­ tur des Vakuum-Leistungsschalter gelegt wird, der mit der angelegten Spannung für eine lange Zeitspanne betrieben wird, tritt kein Überschlag im Anfangszustand auf, jedoch kann ein Überschlag zwischen dem mittleren Abschirmteil 8 und den Endabschirmteilen 7-1 und 7-2 über die Chromoxid­ schichten 1b-1 und 1b-2 erfolgen.

Wenn die Beschichtung mit Chromoxid durch Vakuumabscheidung oder Sputtern erstellt wird, wird eine große Anzahl von Ver­ unreinigungen im Aufdampf- bzw. Sputtergerät erzeugt, wo­ durch die Lebensdauer des Geräts verkürzt werden kann. Der Schmelzpunkt von Chromoxid ist sehr hoch und liegt bei 2320°C. Eine relativ lange Zeitspanne ist erforderlich, um eine Beschichtung durch Vakuumabscheidung oder Sputtern zu erzielen. Das Beschichten mit Chromoxid weist also verschie­ dene Probleme auf.

US-A-4 267 415 beschreibt eine Kontaktanordnung für einen Vakuum- Leistungsschalter, bei dem ein Vakuumgefäß aus einem elektrische iso­ lierenden Material innenseitig mit umlaufenden winklig abstehenden Rip­ pen versehen ist, damit durch den Unterbrechungslichtbogen entste­ hende metallische Dämpfe keine geschlossene Ablagerungsschicht auf der Vakuumgefäßinnenseite ausbilden.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Kontaktanord­ nung für einen Vakuum-Leistungsschalter mit verbesserten Antikriechspannungs-Eigenschaften anzugeben.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe bei einem gattungsgemäßen Vakuum-Leistungsschalter mit dem im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegebenen Merkmal gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen sind in den Unteransprüchen angegeben.

Insbesondere weist das Vakuumgefäß ein erstes und ein zwei­ tes isolierendes zylindrisches Teil aus einem elektrisch isolierenden Material auf, die miteinander an ersten Enden verbunden sind, wie auch eine erste und eine zweite End­ platte, die mit dem zweiten, freien Ende des ersten bzw. zweiten isolierenden zylindrischen Teils verbunden sind, wobei jedes der zylindrischen Teile eine Innenoberfläche aufweist; die feststehende und die bewegliche Kontakteinheit sind abgedichtet im Vakuumgefäß angeordnet, wobei jede Kon­ takteinheit einen leitenden Stab und einen Kontakt in einem ersten Endabschnitt aufweist, wobei sich die zweiten Endab­ schnitte der leitenden Stäbe der feststehenden bzw. bewegli­ chen Kontakteinheit durch die erste bzw. zweite Endplatte erstrecken; ein mittleres Abschirmteil ist vorhanden, um die ersten Endabschnitte und die Kontakte der feststehenden und der beweglichen Kontakteinheit im Vakuumgefäß zu umgeben; ein erstes Endabschirmteil ist vorhanden, um den zweiten Endabschnitt der feststehenden Kontakteinheit im Vakuumgefäß zu umgeben; ein zweites Endabschirmteil ist vorhanden, um den zweiten Endabschnitt der beweglichen Kontakteinheit im Vakuumgefäß zu umgeben; und Metallteilchen sind mindestens auf einem Teil der inneren Oberfläche sowohl des ersten wie auch des zweiten zylindrischen Teils des Vakuumgefäßes auf­ gebracht.

Bevorzugterweise ist der Durchmesser der Metallteilchen nicht wesentlich größer als 10 µm, und die Entfernung zwi­ schen den aufgebrachten Teilchen oder einer Teilchengruppe und benachbarten Teilchen oder einer benachbarten Gruppe ist im wesentlichen 10 bis 100 µm.

Die Metallteilchen können aus Kupfer, sauerstofffreiem Kup­ fer, Aluminium, Eisen oder rostfreiem Stahl gebildet sein.

Die vom mittleren Abschirmteil 8 und den Endabschirmteilen 7-1 und 7-2 emittierten Elektronen stoßen auf die Oberfläche der isolierenden zylindrischen Teile 1a-1 und 1a-2 und füh­ ren zur Emission von Sekundärelektronen. Die isolierenden zylindrischen Teile bestehen aus Glas oder einer Al₂O₃-Kera­ mik und weisen einen Sekundärelektronen-Emissionswirkungs­ grad auf, der in einem weiten Bereich der Primärelektronen­ energie nicht kleiner ist als 1, wie durch Kurven I und II in Fig. 1 dargestellt. Daher werden die isolierenden zylin­ drischen Teile an ihren Innenoberflächen elektrisch positiv geladen. Die positiven elektrischen Ladungen sammeln sich an den auf die Innenflächen der isolierenden zylindrischen Tei­ le aufgespritzten und dort angebrachten Metallteilchen an. Einige der vom mittleren Abschirmteil 8 und dem Endabschirm­ teil 7 emittierten Elektroden werden direkt auf die Metall­ teilchen an der Innenoberfläche der isolierenden zylindri­ schen Teile stoßen. Der Sekundärelektronen-Emissionswir­ kungsgrad eines Metalls wird allgemein durch die Kurve III von Fig. 1 gegeben. Aus dieser Kurve ist ersichtlich, daß der Sekundärelektronen-Wirkungsgrad in einem Bereich von einigen 100 eV der Primärelektronenenergie geringfügig grö­ ßer als 1 ist. Die Primärelektronenenergie ist im Hochspan­ nungs-Vakuum-Leistungsschalter so hoch, daß die Metallteil­ chen für den gesamten Energiebereich solcher Primärelektro­ nen als negativ geladen betrachtet werden können. Daher wer­ den negative Ladungen der Metallteilchen durch die positiven Ladungen neutralisiert, die von den isolierenden zylindri­ schen Teilen angesammelt werden mit dem Ergebnis, daß die Innenoberflächen der isolierenden zylindrischen Teile, auf die die Metallteilchen aufgesprüht und aufgebracht sind, im wesentlichen immun gegen Aufladung oder Elektrisierung sind. Elektrisches Aufladen oder Elektrisierung der isolierenden zylindrischen Teile, was einen Elektronenlawineneffekt her­ vorrufen kann, kann so verhindert werden, was die Durch­ schlagspannung der Kontaktanordnung des Vakuum-Leistungs­ schalters verbessert.

Darüber hinaus führt das sprühende Aufbringen von Metall­ teilchen auf die Innenoberflächen der isolierenden zylindri­ schen Teile zu einem hohen Isolationswiderstand zwischen den Teilchen, so daß der Isolationswiderstand der isolierenden zylindrischen Teile nicht verringert wird.

Die Erfindung wird im folgenden an Hand von durch Figuren veranschaulichten Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf den Stand der Technik näher beschrieben.

Fig. 1 ist ein Diagramm betreffend die Sekundärelektronen­ emissionscharakteristik von Al₂O₃-Keramiken, Glas und Me­ tall.

Fig. 2 ist ein Querschnitt durch eine Kontaktanordnung eines Vakuum-Leistungsschalters gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung.

Fig. 3 ist eine vergrößerte perspektivische Teilansicht des Kontaktaufbaus von Fig. 2.

Fig. 4 ist ein Querschnitt durch ein anderes Ausführungsbei­ spiel einer Kontaktanordnung eines Vakuum-Leistungsschalters gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung.

Fig. 5 ist ein Diagramm einer Durchschlagscharakteristik, woraus eine Wirkung der Erfindung ersichtlich ist.

Fig. 6 ist ein Querschnitt durch eine herkömmliche Kontakt­ anordnung eines aus dem Stand der Technik bekannten Vakuum-Leistungsschalters.

Es wird nun ein Ausführungsbeispiel der Erfindung unter Be­ zugnahme auf Fig. 2 beschrieben. Bauteile, die ähnlich denen des Aufbaus von Fig. 6 sind, sind durch die gleichen Bezugs­ zeichen gekennzeichnet. Die Anordnung der Bauteile von Fig. 2 kann identisch denen in Fig. 6 sein. Ein zentrisches Ab­ schirmteil 8 und ein erstes und ein zweites Endabschirmteil 7-1 bzw. 7-2 weisen zylindrische Form auf, obwohl dies nicht notwendigerweise sein muß. Beim mittleren Abschirmteil er­ strecken sich beide Enden nach innen, und auch das Ende des ersten wie auch des zweiten Endabschirmteils 7-1 und 7-2, das jeweils dem mittleren Abschirmteil 8 gegenübersteht, ist nach innen gebogen. Metallteilchen sind auf mindestens einen Teil der Innenoberflächen der isolierenden zylindrischen Teile 1a-1 und 1a-2 aufgebracht. Vorzugsweise sind Metall­ teilchen 9 auf mindestens diejenigen Bereiche der inneren Oberflächen des ersten und des zweiten isolierenden zylin­ drischen Teils 1a-1 und 1a-2 aufgesprüht und aufgebracht, die den nach innen vorspringenden Enden des mittleren Ab­ schirmteils 8 gegenüberstehen und auch den dem mittleren Ab­ schirmteil 8 gegenüberliegenden Enden des ersten und zweiten Endabschirmteils gegenüberstehen.

Fig. 3 ist eine vergrößerte Ansicht, die einen Abschnitt des ersten Endabschirmteils 7-2 und der dieses umgebenden Bau­ teile zeigt. Ein Teil von Elektronen 10, die vom Endab­ schirmteil 7-2 emittiert werden (relativ mehr Elektronen werden insbesondere vom Ende des Endabschirmteils 7-2 emit­ tiert), trifft direkt auf das isolierende zylindrische Teil 1a-2 auf und führt zur Emission von Sekundärelektronen von dort mit dem Ergebnis, daß positive elektrische Ladungen auf der Innenoberfläche des isolierenden zylindrischen Teils 1a-2 angesammelt werden. Die positiven elektrischen Ladungen sammeln sich dann auf Metallteilchen 9 an, die sich in der Nähe der positiven elektrischen Ladungen befinden. Ein an­ derer Teil der vom Endabschirmteil 7-2 emittierten Elektro­ nen trifft direkt auf die Metallteilchen 9, wodurch diese auf Grund des Sekundärelektronen-Emissionseffekts negativ ge­ laden werden (es wird auf die Kurve III von Fig. 1 verwie­ sen). Die elektrischen Ladungen auf den Metallteilchen 9 werden dadurch neutralisiert, daß die positiven elektrischen Ladungen vorhanden sind, wie sie vom zylindrischen Teil 1a-2 durch die Elektronen 10 gebildet werden und wie sie sich auf den Metallteilchen 9 ansammeln, und daß die negativen elek­ trischen Ladungen vorhanden sind, wie sie direkt auf den Me­ tallteilchen 9 erzeugt werden, so daß die Oberfläche des isolierenden zylindrischen Teils 1a-2 offensichtlich wenig geladen ist. Da die Metallteilchen 9 auf die Innenoberfläche des zylindrischen Teils 1a-2 aufgesprüht und dort aufge­ bracht werden, sind diese Metallteilchen oder Metallteil­ chengruppen elektrisch voneinander isoliert und verringern nicht den Antikriechspannungs-Widerstand des isolierenden zylindrischen Teils 1a-2. Es hat sich herausgestellt, daß der Durchmesser der Metallteilchen 9 0,5 µm bis 10 µm und eine Entfernung zwischen Teilchen oder einer Teilchengruppe und benachbarten Teilchen oder Teilchengruppen von 10 µm bis 100 µm am wirkungsvollsten ist, um einen guten Antikriech­ spannungs-Widerstand des zylindrischen Teils 1a-2 sicherzu­ stellen und zu verhindern, daß sich das zylindrische Teil auflädt.

Das Abscheiden oder Aufbringen von Metallteilchen 9 kann z. B. durch Sputtern erfolgen. Wenn die Teilchen auf die innere Oberfläche des zylindrischen Teils 1a-2 durch Sput­ tern aufgebracht werden, wachsen die aufgebrachten Teilchen, und ein Teil der gewachsenen Teilchen bildet Teilchengrup­ pen. Vorzugsweise ist der Widerstand des zylindrischen Teils im wesentlichen nicht geringer als 10¹¹ Ω, so daß die Teil­ chen oder Teilchengruppen an der Innenoberfläche des zylin­ drischen Teils 1a-2 insgesamt keine elektrisch leitende Schicht bilden. Zu diesem Zweck sollten die obengenannten Teilchen 9 vorzugsweise den obengenannten Teilchendurchmes­ ser aufweisen, und die genannte Entfernung zwischen den Teilchen/Teilchengruppen und benachbarten Teilchen/Teilchen­ gruppen sollte vorliegen. Um die obengenannte Teilchengröße und den Abstand zu erhalten, kann eine Sputtertechnik ver­ wendet werden, wie sie dem Fachmann bekannt ist.

Sputtern zum Aufbringen der Metallteilchen auf die Innen­ oberfläche der isolierenden zylindrischen Teile 1a-1 und 1a-2 oder nur auf eines von ihnen kann für jedes isolierende zylindrische Teil gesondert erfolgen. Das Sputtern kann auch durch HF-Glimmentladung erfolgen, nachdem die Kontaktanord­ nung zusammengebaut wurde, wie sie in Fig. 4 dargestellt wurde. Fig. 4 zeigt eine Kontaktanordnung eines Vakuum-Lei­ stungsschalters, bei dem die Endabschnitte 7a-1, 7a-2, 8a-1 und 8a-2 der Endabschirmteile 7-1 und 7-2 sowie des mittle­ ren Abschirmteils 8 aus Kupfer gebildet sind, so daß Kupfer aufgesputtert werden kann. Teilchen von Kupfer werden durch HF-Glimmentladung erzeugt, so daß die hauptsächlich auf die Oberflächen der isolierenden zylindrischen Teile 1a-1 und 1a-2 in der Nachbarschaft der Endabschnitte der Abschirmtei­ le aufgebracht werden können, wo das hochfrequente elektri­ sche Feld wirkt.

Fig. 5 zeigt die Gleichstromentladecharakteristik eines Va­ kuumgefäßes mit einem keramischen zylindrischen Teil, auf das Kupferteilchen durch Sputtern gemäß einem Ausführungs­ beispiel der Erfindung aufgebracht sind, und sie zeigt die entsprechende Charakteristik für ein bekanntes Vakuumgefäß mit einem keramischen zylindrischen Teil, auf das keine Me­ tallteilchen aufgebracht sind. Kurve IV repräsentiert die Charakteristik des Vakuumgefäßes gemäß einem Ausführungsbei­ spiel der Erfindung, während Kurve V die Charakteristik des bekannten Vakuumgefäßes repräsentiert. Der Teilchendurchmes­ ser und der Teilchenabstand für die auf das zylindrische Teil aufgebrachten Kupferteilchen waren etwa 5 µm bzw. 10 µm. Ein vorgegebener Teilchendurchmesser und ein vorge­ gebener mittlerer gegenseitiger Teilchenabstand kann dadurch erhalten werden, daß der Vakuumdruck und die Sputterzeit für das verwendete Sputtergerät eingestellt werden.

Aus Kurve IV von Fig. 5 ist erkennbar, daß keine elektrische Entladung auftritt, wenn 255 kV an die Kontakte angelegt werden, während Kurve V zeigt, daß elektrische Entladung zu­ nächst bei 90 kV auftritt und die Entladespannung nur bis auf 150 kV zunimmt, selbst wenn elektrische Entladung 16mal stattgefunden hat.

Claims (9)

1. Kontaktanordnung für einen Vakuum-Leistungsschalter mit:

• - einem hohlzylindrischen Vakuumgefäß (1) aus einem elektrisch isolierenden Material, das von metallischen Endplatten (2, 3) vakuumdicht abgeschlossen ist;
• - einer ersten und einer zweiten Kontakteinheit (4, 4a, 5, 5a), die axial relativ aufeinander zu beweglich sind und von axial durch die Endplatten tretenden leitenden Stäben (4a, 5a) getragen werden; und
• - zylindrischen Abschirmeinrichtungen (7-1, 8, 7-2), die die Kontaktein­ heiten im Vakuumgefäß (1) umgeben; gekennzeichnet durch
• - Metallteilchen (9), die auf mindestens einem Teil der inneren Oberfläche des Vakuumgefäßes (1) aufgebracht sind, die ferner einen Durchmesser im Bereich zwischen 0,5 µm und 10 µm aufweisen und voneinander getrennt und/oder in Teil­ chengruppen verteilt sind, wobei die Teilchen und Teilchen­ gruppen so verteilt sind, daß der Abstand zu benachbarten Teilchen oder benachbarten Teilchengruppen im Bereich zwi­ schen 10 µm und 100 µm liegt.

2. Kontaktanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß das Metall Kupfer ist.

3. Kontaktanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß das Metall sauerstofffreies Kupfer ist.

4. Kontaktanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß das Metall Aluminium, Chrom, Eisen oder rostfreier Stahl ist.

5. Kontaktanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß

• - das Vakuumgefäß (1) ein erstes und ein zweites isolie­ rendes hohlzylindrisches Teil (1a-1, 1a-2) aus einem elek­ trisch isolierenden Material aufweist, die miteinander an ersten Enden verbunden sind, und bei dem die erste und zweite Endplatte (2, 3) mit dem jeweiligen zweiten, freien Ende des ersten bzw. zweiten isolierenden zylindrischen Teils verbun­ den sind.

6. Kontaktanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß die erste Kontakteinheit (4, 4a) eine feste Kontakt­ einheit ist und die zweite Kontakteinheit (5, 5a) eine beweg­ liche Kontakteinheit ist.

7. Kontaktanordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeich­ net, daß sowohl die feststehende wie auch die bewegliche Kon­ takteinheit (4, 4a, 5, 5a) einen leitenden Stab (4a, 5a) und einen Kontakt (4, 5) an einem ersten Endabschnitt des jewei­ ligen Stabs aufweist, wobei sich der jeweilige zweite Endab­ schnitt der leitenden Stäbe (4a, 5a) der feststehenden bzw. beweglichen Kontakteinheit durch die erste bzw. zweite End­ platte (2, 3) erstreckt.

8. Kontaktanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß die Abschirmeinrichtung folgendes aufweist:

• - ein mittleres Abschirmteil (8), das die ersten Endab­ schnitte der leitenden Stäbe (4a, 5a) und die Kontakte der feststehenden und beweglichen Kontakteinheit im Vakuumgefäß umgibt;
• - ein erstes Endabschirmteil (7-1), das den zweiten Endab­ schnitt des leitenden Stabs (4a) der feststehenden Kontakt­ einheit im Vakuumgefäß umgibt; und
• - ein zweites Endabschirmteil (7-2), das den zweiten End­ abschnitt des leitenden Stabs (5a) der beweglichen Kontakt­ einheit im Vakuumgefäß umgibt; wobei
• - die Metallteilchen (9) auf mindestens einem Teil der inneren Oberflächen des ersten und des zweiten zylindrischen Teils des Vakuumgefäßes aufgebracht sind.

9. Kontaktanordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeich­ net, daß

• - das mittlere Abschirmteil (8), das erste Endabschirmteil (7-1) und das zweite Endabschirmteil (7-2) alle zylindrisch sind und jeweils eine innere Oberfläche aufweisen;
• - beide Enden des mittleren Abschirmteils nach innen vor­ stehen;
• - jeweils dasjenige Ende des ersten und des zweiten Endab­ schirmteils, das dem mittleren Abschirmteil gegenübersteht, nach innen vorsteht;
• - das erste isolierende zylindrische Teil (1a-1), minde­ stens die sich gegenüberstehenden, nach innen vorstehenden Enden des ersten Endabschirmteils (7-1) und des mittleren Endabschirmteils (8) umgibt, während das zweite isolierende zylindrische Teil (1a-2) die sich gegenüberstehenden, nach innen vorstehenden Enden des zweiten Endabschirmteils (7-2) und des mittleren Abschirmteils (8) umgibt; und
• - die Metallteilchen (9) zumindest auf diejenigen Bereiche der inneren Oberflächen des ersten und des zweiten isolieren­ den zylindrischen Teils (1a-1, 1a-2) aufgebracht sind, die relativ nahe zu den nach innen vorstehenden Enden des mittle­ ren Abschirmteils (8) und des ersten und zweiten Endabschirm­ teils (7-1, 7-2), die einander gegenüberstehen, liegen.