DE4013094A1 - Verfahren zur herstellung von printplatten - Google Patents
Verfahren zur herstellung von printplattenInfo
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Description
Printplatten sind bekannte Industrieprodukte und werden für
eine große Vielzahl von elektronischen Einsatzgebieten ein
gesetzt, wie beispielsweise in Geräten, Radios, Maschinen
etc. Die jeweilige Platte enthält eine gewünschte Schal
tungskonfiguration in der Form von elektrisch leitendem
Material, das auf die Platte gedruckt ist. Platten, die
Schaltungen auf jeder Seite besitzen, sind zwischen be
stimmten Bereichen auf den gegenüberliegenden Seiten über
Durchgangslöcher miteinander verbunden. Diese Löcher sind in
der gewünschten Form gebohrt oder gestanzt, und die Wände
sind mit einem elektrisch leitenden Material beschichtet.
Es gibt im wesentlichen zwei Verfahren zum Herstellen von
Printplatten, von denen eines als Subtraktionsverfahren und
das andere als Additionsverfahren bezeichnet wird.
Beide
Verfahren sind bekannt und in der US-PS 42 33 344 beschrie
ben. Beim Additionssystem besteht die Ausgangsplatte aus
Kunststoff ohne Metallfolie, und die metallische Schaltung
wird dann auf dem nicht leitenden Substrat im gewünschten
Muster aufgebaut. Bei einem der Subtraktionsverfahren ist
ein nicht leitendes Substrat, beispielsweise epoxidgebun
denes Fiberglas, auf zwei Seiten mit einem Metallüberzug
oder einem Laminat verklebt, bei dem es sich oft um Kupfer
handelt. Durch die Kupferlaminatplatte werden Löcher ge
bohrt, die den Kunststoff freilegen. Die Platte wird dann
entgratet, chemisch gereinigt und gespült. Sie wird dann zur
Plattierung der Durchgangslöcher mit einer verdünnten Säure
lösung in Kontakt gebracht, in einen Katalysator, bei dem es
sich häufig um einen sauren Palladium-Zinn-Katalysator han
delt, eingetaucht, um den Kunststoff für stromlose Abschei
dungen zu aktivieren, in Wasser gespült, mit einem Be
schleuniger behandelt, um das Katalysatormetall zu akti
vieren, wieder gespült und in ein stromloses Plattierungs
bad eingetaucht, um alle katalytisch behandelten Flächen der
Platte zu plattieren und hierbei eine leitende Schicht auf
der Innenseite des Durchgangsloches auszubilden, um die
beiden Metall (Kupfer)-Seiten elektrisch miteinander zu
verbinden. Ein Ätzresist wird dann über die unerwünschten
Kupferbereiche im gewünschten Schaltungsmuster aufgebracht.
Die Platte wird dann gereinigt, mit Kupfer elektroplattiert
und mit Sn/Pb beschichtet. Der Ätzresist wird dann mit einer
geeigneten Lösung (entweder einem Lösungsmittel oder einer
alkalischen Lösung) entfernt, um die darunter befindliche
Folie sowie das darauf befindliche stromlose Kupfer freizu
legen, wobei dieses Kupfer durch Ätzen entfernt und auf
diese Weise die gewünschte Schaltung hergestellt wird.
Unabhängig von der Art des Verfahrens zur Herstellung von
Printplatten müssen die nicht leitenden Abschnitte des
Substrates vor der Metallisierung entweder durch eine strom
lose oder durch eine elektrolytische Metallplattierung akti
viert werden. Bedauerlicherweise ist es nicht durchführbar,
nur die nicht leitenden Abschnitte der Platte zu behandeln,
so daß man die gesamte Platte in sämtliche Behandlungsbäder
eintaucht, einschließlich der katalytischen Lösung und des
stromlosen Plattierungsbades.
Um die offensichtliche Vergeudung von Kupfer sowie andere
Probleme, die mit den Verfahren des Standes der Technik
verbunden sind, zu vermeiden, wird bei neueren Methoden am
Ende des Herstellvorgangs der Printplatte stromlos plat
tiert. Bei diesen Methoden wird die gebohrte Platte
üblicherweise zuerst katalytisch behandelt, wonach ein
Ätzresist (Trockenfilmtyp) über dem gewünschten Schaltungs
muster verwendet wird, einschließlich der Abdeckung der
Durchgangslöcher. Das unerwünschte Kupfer wird dann abge
ätzt, wobei ammoniakalisches Kupferchlorid oder Eisen (III)-
Chlorid verwendet wird. Der Ätzresist wird dann entfernt,
und die Platte wird stromlos plattiert, wobei die einzigen
Abschnitte, die plattiert werden, die Schaltungsleiter und
die Durchgangslöcher sind.
Die Verwendung eines in einem organischen Lösungsmittel
löslichen Ätzresistes stellt normalerweise kein Problem dar.
Bedauerlicherweise wird jedoch durch die Entfernung des Ätz
resistes unter der Verwendung von alkalischen Lösungen auch
der Katalysator von den Durchgangslöchern entfernt, wodurch
die Metallplattierung unwirksam gemacht wird. Dies ist ein
besonders schwerwiegendes Problem, wenn ein aus Umweltgrün
den bevorzugter wäßriger löslicher Ätzresist verwendet wird,
da die üblicherweise verwendete KOH-Lösung sofort den von
der Wand des Durchgangsloches absorbierten Katalysator ent
fernt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum
Behandeln eines katalysierten nicht leitenden Substrates zu
schaffen, mit dem dessen Widerstand gegenüber den beim Plat
tierungsvorgang verwendeten Substanzen erhöht wird.
Die Erfindung bezweckt ferner die Schaffung eines wirkungs
vollen und wirksamen Verfahrens zum Herstellen einer Print
platte, die Durchgangslöcher enthält. Ferner sollen durch
die Erfindung Printplatten geschaffen werden, die mit dem
neuartigen erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt werden.
Die vorstehend genannte Aufgabe wird durch ein Verfahren mit
den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst.
Weiterbildungen der Erfindung gehen aus den Unteransprüchen
hervor.
Es wurde festgestellt, daß der Widerstand von katalytisch
behandelten nicht leitenden Substraten gegenüber in Plat
tierungsverfahren verwendeten Substanzen, insbesondere
Substanzen, die zum Entfernen von Ätzresists, d.h. Lösungen
von KOH, verwendet werden, erhöht werden kann, indem man das
katalytisch behandelte Substrat mit einem Beschleuniger in
Kontakt bringt, das mit dem Beschleuniger behandelte
Substrat mit einem Reduktionsmittel behandelt und danach das
behandelte Substrat brennt.
In bezug auf die Herstellung von Printplatten mit Durch
gangslöchern, die plattiert werden müssen, umfaßt ein Ver
fahren das Reinigen und Vorbehandeln einer gebohrten, mit
einer Kupferfolie überzogenen Platte, wonach die folgenden
Schritte durchgeführt werden:
- a) Katalytisches Behandeln der Platte einschließlich der Durchgangslöcher durch Eintauchen der Platte in eine Katalysatorsubstanz, d.h. einen herkömmlichen sauren Palladium-Zinn-Katalysator;
- b) Beschleunigen der katalytisch behandelten Platte;
- c) Eintauchen der mit dem Beschleuniger behandelten Platte in ein Reduktionsmittel;
- d) Brennen der mit dem Reduktionsmittel behandelten Platte durch Erhitzen der Platte auf eine wirksame erhöhte Tem peratur;
- e) Aufbringung eines Ätzresistes über das gewünschte Schal tungsmuster und Abdecken der Durchgangslöcher;
- f) Abätzen des freiliegenden Kupfers;
- g) Entfernen des Resists unter Verwendung eines geeigneten Lösungsmittels; und
- h) stromloses Plattieren der Platte einschließlich der Durchgangslöcher durch Eintauchen der behandelten Platte in eine geeignete Lösung zum stromlosen Plattieren.
Irgendein geeignetes Kunststoff- und/oder verstärktes Kunst
stoffsubstrat kann mit dem Verfahren der Erfindung behandelt
werden, d.h. Acrylnitril-Butadien-Styrol, Polystyrol, Poly
carbonat etc. Aus Vereinfachungsgründen bezieht sich die
nachfolgende Beschreibung auf mit Kupfer laminierte Epoxid
harzsubstrate, bei denen es sich um die am meisten verwen
deten Kunststoffe in der Printplatten-Industrie handelt.
Die vorkatalytischen Verfahren zur Herstellung des mit den
Durchgangslöchern versehenen Substrates oder irgendeines
beliebigen Kunststoffsubstrates können sehr unterschiedlich
sein, je nach dem herzustellenden Gegenstand. Allgemein
gesagt, wird das kupferbeschichtete Substrat entgratet,
chemisch gereinigt und gespült. Beispielsweise kann die
Platte 5 Minuten lang bei 60°C bis 70°C mit einem Reiniger
behandelt werden. Ein geeignetes Reinigungsmittel ist bei
spielsweise das Produkt ENPLATE PC-475, das von der Firma
Enthone Inc., West Haven, Connecticut, USA vertrieben wird.
Dieses Reinigungsmittel enthält kationische und nicht
ionische Tenside. Nach dem Spülen mit Wasser wird die Platte
in ein Kupferätzmittel eingetaucht, wie beispielsweise
ENPLATE AD-485, das vom Peroxisulfattyp ist. Die Tauchdauer
beträgt 1-2 Minuten bei 20°C bis 25°C. Die Platte wird
dann mit Wasser gespült und 2 Minuten lang bei 20°C bis
25°C in 10%-ige Schwefelsäure eingetaucht.
Nach dem Bohren kann das Substrat als solches verwendet
werden, oder es kann unter Verwendung von organischen
Quellmitteln und Oxidationsmitteln, wie beispielsweise
Chromsäure, Schwefelsäure, Permanganatlösungen u.ä., be
handelt werden, um die Adhäsionsfähigkeit der Metall
plattierung zu vergrößern. Diese Behandlungen sind in der
US-PS 45 92 852 erläutert.
Wenn das Substrat zur katalytischen Behandlung bereit ist,
wird es in die katalytische Substanz eingetaucht. Der Kata
lysator adsorbiert in bekannter Weise an der Substratfläche.
Es kann irgendein geeigneter Katalysator verwendet werden.
Wenn die Substratoberfläche unter Verwendung von irgendeiner
im Handel erhältlichen gemischten Zinn-Palladium-Chlorid-
Lösungen katalytisch behandelt wird, adsorbieren diverse
Mengen von Zinn und Palladium an der Substratoberfläche, je
nach der Konzentration und der Temperatur des Katalysators,
der Zeitdauer für die katalytische Behandlung und der Vor
konditionierungsbehandlung des Harzsubstrates. Üblicherweise
bleibt durch eine höhere Temperatur, eine längere Eintauch
zeit und eine höhere Konzentration der katalytischen Lösung
der Katalysator auf der Oberfläche des Harzsubstrates zu
rück. Es gibt eine minimale Menge an Katalysator, die auf
der Substratoberfläche benötigt wird, um die stromlose Me
tallabscheidung richtig zu initiieren, wobei diese Minimal
menge üblicherweise einfach dadurch erreicht wird, daß das
Substrat unter Berücksichtigung einer vorgegebenen Reihe von
Parametern, die von den Lieferanten der im Handel erhält
lichen katalytischen Lösungen angegeben werden, in die
Sn/Pd-Katalysatorlösung eingetaucht wird. Beispielhafte
Katalysatoren sind in der US-PS 30 11 920 beschrieben.
Normalerweise wird eine im Handel erhältliche saure kata
lytische Substanz, die 100-250 mg/l Palladium und 3-10 g/l
Zinn enthält, bei einer typischen Temperatur von etwa
20°C bis 40°C und einer Eintauchzeit von 3 bis 15 Minuten
verwendet. Ein im Handel erhältlicher Katalysator ist bei
spielsweise das Produkt ENPLATE ACTIVATOR-444 von der Firma
Enthone.
Das katalytisch behandelte Substrat wird dann üblicher
weise mit einem Beschleuniger oder Nachaktivator behandelt,
um den Plattierungsschritt zu verbessern, wonach das strom
lose Plattieren folgt. Zu diesem Zeitpunkt nach der kataly
tischen Behandlung wird das behandelte Substrat mit einem
Beschleuniger in Kontakt gebracht. Hiernach wird das
Substrat mit einem Reduktionsmittel behandelt, wonach ein
Brennvorgang folgt, um eine katalytisch behandelte Fläche
auszubilden, die einen erhöhten Widerstand gegenüber wei
teren Behandlungssubstanzen besitzt, beispielsweise gegen
über KOH, die bei der Herstellung von Printplatten zum Ent
fernen des Ätzresistes verwendet wird. Ein bevorzugter Be
schleuniger ist eine saure H2SO4-Substanz, wie beispiels
weise das Produkt ENPLATE PA-493 von der Firma Enthone. Die
Beschleuniger enthalten ENPLATE PA 1889, eine saure Substanz
auf Fluorborsäure-Basis, und ENPLATE PA 2748, eine Substanz
auf alkalischer Basis. Allgemein gesagt aktiviert ein Be
schleuniger den Katalysator. Beispiele von geeigneten Be
schleunigern sind verdünnte Säuren, wie beispielsweise
Perchlorsäure, H2SO4, Phosphorsäure, und alkalische Substan
zen, wie beispielsweise NaOH, Natriumkarbonat etc.
Es kann irgendein geeignetes Reduktionsmittel verwendet
werden, wie beispielsweise die C1-C4-Alkylaminborane und
Alkalimetallborhydride. Dimethylaminboran (DMAB) und ins
besondere Natriumborhydrid werden besonders bevorzugt auf
grund ihrer erwiesenen Wirksamkeit. Normalerweise wird die
mit dem Katalysator und dem Beschleuniger behandelte Ober
fläche bei einer Temperatur von etwa 15 bis 50°C über 1 bis
10 Minuten mit dem Reduktionsmittel in Kontakt gebracht. Bei
DMAB wurden eine Konzentration von 5 bis 20 g/l und ein ein
gestellter pH-Wert von etwa 7-14, d.h. 11, bei einem
Temperaturbereich von 21 bis 44°C über 5-15 Minuten als
besonders geeignet gefunden, als man hiermit Epoxid-Platten
behandelte, die mit einem im Handel erhältlichen Zinn-
Palladium-Katalysator katalytisch und mit einem sauren Be
schleuniger bei Raumtemperatur über 3-5 Minuten behandelt
worden waren. Für Natriumborhydrid beträgt eine bevorzugte
Konzentration etwa 1-5 g/l bei einer Temperatur von 20-30°C
über 3-8 Minuten.
Das behandelte Substrat wird dann bis zur Erweichungstem
peratur des Substrates erhitzt, d.h. vorzugsweise auf etwa
60°C bis 150°C, noch bevorzugter auf etwa 130°C bis
150°C, über beispielsweise 60 Minuten.
Nach der erfindungsgemäßen Behandlung des Substrates wird
die Herstellung der Printplatte unter Einsatz von irgend
einer aus einer Vielzahl von bekannten Techniken fortge
setzt.
Bei einer Ausführungsform wird nach der Aufbringung eines
wäßrigen lösbaren Trockenfilm-Ätzresistes über die ge
wünschte Schaltung unter Abdeckung der Durchgangslöcher das
unerwünschte Kupfer unter Verwendung von ammoniakalischem
Kupfer (II)-Chlorid, Eisen (III)-Chlorid etc. abgeätzt.
Hiernach folgt die Entfernung des Ätzresistes unter Ver
wendung einer wäßrigen KOH-Lösung. Ein Beispiel eines derar
tigen Ätzresistes ist das Produkt RlSTON 3800 und 4200 von
der Firma DuPont. Bei der KOH-Lösung handelt es sich etwa um
2-2,5 Gew.%-ige KOH, und die Platte wird behandelt, indem
man die Lösung über etwa 30 Sekunden bis 2 Minuten bei 50°C
bis 60°C aufsprüht oder die Platte in die Lösung eintaucht.
Nach der Entfernung des Resistes kann die Platte unter Ver
wendung von einer der bekannten Plattierungssubstanzen
stromlos plattiert werden. Beispielhafte Substanzen sind in
den US-PS′en 36 98 9440 und 39 76 816 beschrieben. Die
plattierte Platte kann dann durch irgendein anderes bekann
tes Verfahren für ihren Einsatz fertiggestellt werden.
Zur weiteren Verdeutlichung der vorliegenden Erfindung
dienen die nachfolgenden Beispiele.
Es wurde eine Reihe von gebohrten doppelseitig beschichteten
Epoxidharz-Printplatten einer Größe von 45,72 cm×60,96 cm
für Plattierungszwecke nach dem folgenden Verfahren herge
stellt:
- 1) Permanganat-Desmar durch Eintauchen für 5/10/5 Minu ten und 60-71°C/71-82°C/54-66°C in ENPLATE MLB-495a, ENPLATE MLB-497b und ENPLATE MLB-498c;
- 2) Eintauchen in ENPLATE PC-475 bei 40°C über 5 Minuten;
- 3) Spülen in kaltem Wasser;
- 4) Eintauchen in ENPLATE AD-485 bei 20-25°C über 2 Minu ten;
- 5) Spülen in kaltem Wasser;
- 6) Eintauchen in 10%-ige H2SO4 bei Raumtemperatur über 1 Minute;
- 7) Spülen in kaltem Wasser;
- 8) Eintauchen in ENPLATE PC-236d bei 20-25°C über 1 Minute;
- 9) Eintauchen in ENPLATE ACT-444 bei 38°C über 10 Minu ten;
- 10) Spülen in kaltem Wasser.
- a) Alkalische wäßrige Lösung (Glykol-Äther) zur Kondi tionierung des Substrates.
- b) Alkalische Permanganatlösung mit einem pH-Wert von 13-14.
- c) Neutralisationslösung enthaltend ein Reduktionsmittel vom Amintyp.
- d) NaCl-CHl Vortauchlösung.
Eine Reihe der vorstehend beschriebenen Platten wurde in
der nachfolgenden Weise behandelt:
- 1) Eintauchen in eine Beschleunigungslösung ENPLATE PA-493 bei Raumtemperatur über 4 Minuten;
- 2) Eintauchen in eine 10 g/l DMAB (Dimethylaminboran)- Lösung (pH 11) über 5 Minuten bei Raumtemperatur;
- 3) Trocknen;
- 4) Erhitzen über 30-40 Minuten auf 132°C;
- 5) Abkühlenlassen auf Raumtemperatur;
- 6) Eintauchen in eine 2,25 Gew.-%-ige KOH-Lösung über 1 Minute bei 60°C (zur Simulation des Ätzresist- Abbeiz-Schrittes);
- 7) Eintauchen in ENPLATE PC-455e über 5 Minuten bei 60°C;
- 8) Eintauchen in ENPLATE AD-485 über 2 Minuten bei 20-25°C;
- 9) Eintauchen in ENPLATE PA-493 über 5 Minuten bei Raumtemperatur;
- 10) Plattieren mit ENPLATE CU-9011f über 12-16 Stunden bei 60°C.
- e) Reinigungssubstanz für nicht-ionisches Tensid
- f) Kupfersulfatlösung zum stromlosen Plattieren ent haltend 1-2 g/l Kupfer als Komplex mit Äthylen diamintetraessigsäure unter Verwendung von Form aldehyd als Reduktionsmittel mit einem pH-Wert von etwa 12,5.
Die auf diese Weise hergestellte Plattierung deckte die
Durchgangslöcher im wesentlichen ab.
Beispiel 1 wurde wiederholt, mit der Ausnahme, daß der DMAB-
Schritt ersetzt wurde durch die Verwendung von 2 g/l NaBH4-
Lösung über 5 Minuten bei Raumtemperatur. Die Plattierung
deckte die Löcher im wesentlichen ab.
Beispiel II wurde wiederholt, mit der Ausnahme, daß der
Nachaktivierungsschritt (1) weggelassen wurde. Die Metalli
sierung der Löcher war unvollständig.
Die Beispiele I und II wurden wiederholt, mit der Ausnahme,
daß der Reduktionsschritt (2) nicht durchgeführt wurde. Die
Metallisierung der Löcher war unvollständig.
Der gleiche Versuch ohne Reduktionsschritt (2) und Er
hitzungsschritt (4) ergab ebenfalls eine unvollständige
Metallisierung der Löcher.
Beispiel I wurde wiederholt, mit der Ausnahme, daß Schritt
(1) - Eintauchen in ENPLATE PA-493 als Nachaktivierung -
weggelassen wurde. Die Metallisierung der Löcher war un
vollständig.
In entsprechender Weise wurde Beispiel I wiederholt, mit der
Ausnahme, daß Schritt (1) und der Erhitzungsschritt (4) weg
gelassen wurden. Die Metallisierung der Löcher war unvoll
ständig.
Beispiel I wurde wiederholt, mit der Ausnahme, daß sowohl
der Nachaktivierungsschritt (1) als auch der Reduktions
schritt (2) weggelassen wurden. Dabei wurde nur eine Spuren
metall-Plattierung erhalten. In entsprechender Weise ergab
sich nur eine Spurenmetall-Plattierung, als auch der Er
hitzungsschritt (4) weggelassen wurde.
Claims (9)
1. Verfahren zum Behandeln von Kunststofflächen, die zur
Durchführung einer stromlosen Metallplattierung katalytisch
behandelt worden sind, gekennzeichnet durch die folgenden
Schritte:
Behandeln der katalytisch behandelten Fläche mit einem Be schleuniger, Behandeln der mit dem Beschleuniger behandelten Fläche mit einem Reduktionsmittel und Erhitzen der behandel ten Fläche über einen wirksamen Zeitraum vor dem stromlosen Metallplattieren.
Behandeln der katalytisch behandelten Fläche mit einem Be schleuniger, Behandeln der mit dem Beschleuniger behandelten Fläche mit einem Reduktionsmittel und Erhitzen der behandel ten Fläche über einen wirksamen Zeitraum vor dem stromlosen Metallplattieren.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
das Reduktionsmittel aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus
Alkylaminboranen und Alkalimetall-Borhydriden besteht.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeich
net, daß die Kunststoffläche unter Verwendung eines sauren
Palladium-Zinn-Katalysators katalytisch behandelt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß
das Reduktionsmittel aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus
DMAB und Natirumborhydrid besteht.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß
der Beschleuniger eine saure Lösung ist.
6. Verfahren zur Herstellung einer Printplatte aus einem
kupferlaminierten Substrat, das Durchgangslöcher enthält,
gekennzeichnet durch die folgenden Schritte:
- a) Katalytisches Behandeln der Platte einschließlich der Durchgangslöcher durch Eintauchen der Platte in eine Kata lysator-Substanz;
- b) Behandeln der katalytisch behandelten Platte mit einem Beschleuniger;
- c) Behandeln der mit dem Beschleuniger behandelten Platte durch Eintauchen in ein Reduktionsmittel;
- d) Brennen der mit dem Reduktionsmittel behandelten Platte über einen wirksamen Zeitraum bei erhöhter Temperatur;
- e) Aufbringen eines Ätzresistes über das gewünschte Schal tungsmuster und Abdecken der Durchgangslöcher;
- f) Abätzen des freiliegenden Kupfers;
- g) Entfernen des Ätzresistes unter Verwendung eines geeig neten Lösungsmittels; und
- h) stromloses Plattieren der Platte einschließlich der Durchgangslöcher durch Eintauchen der behandelten Platte in eine geeignete Lösung zum stromlosen Plattieren.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß
der Katalysator eine saure Palladium-Zinn-Substanz ist.
8. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeich
net, daß das Reduktionsmittel aus der Gruppe ausgewählt ist,
die aus DMAB und Natriumborhydrid besteht.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß
das Reduktionsmittel durch 10 g/l wäßrige DMAB-Lösung mit
einem pH-Wert von etwa 11 gebildet wird.
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Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5358602A (en) * | 1993-12-06 | 1994-10-25 | Enthone-Omi Inc. | Method for manufacture of printed circuit boards |
JP3393190B2 (ja) * | 1999-02-22 | 2003-04-07 | 有限会社関東学院大学表面工学研究所 | 銅パターンの選択的活性化方法およびこれに用いる活性化剤 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1197720B (de) * | 1959-06-08 | 1965-07-29 | Shipley Co | Verfahren zur Vorbehandlung von insbesondere dielektrischen Traegern vor der stromlosen Metallabscheidung |
US3698944A (en) * | 1970-06-15 | 1972-10-17 | Texas Instruments Inc | Method of obtaining phased growth of epitaxial layers |
US3976816A (en) * | 1973-10-29 | 1976-08-24 | Enthone, Incorporated | Activation of surfaces intended for electroless plating |
US4036707A (en) * | 1975-08-29 | 1977-07-19 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for metallizing thermosetting plastics |
US4233344A (en) * | 1978-07-20 | 1980-11-11 | Learonal, Inc. | Method of improving the adhesion of electroless metal deposits employing colloidal copper activator |
US4592852A (en) * | 1984-06-07 | 1986-06-03 | Enthone, Incorporated | Composition and process for treating plastics with alkaline permanganate solutions |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4662944A (en) * | 1972-07-11 | 1987-05-05 | Kollmorgen Technologies Corporation | Process and composition for sensitizing articles for metallization |
US4748056A (en) * | 1972-07-11 | 1988-05-31 | Kollmorgen Corporation | Process and composition for sensitizing articles for metallization |
AR218223A1 (es) * | 1975-05-05 | 1980-05-30 | Borg Warner | Composicion cataliticamente activa |
US4150171A (en) * | 1976-03-30 | 1979-04-17 | Surface Technology, Inc. | Electroless plating |
ZA77897B (en) * | 1976-04-13 | 1977-12-28 | Kollmorgen Corp | Liquid seeders and catalyzation processes for electroless metal deposition |
US4167596A (en) * | 1977-08-01 | 1979-09-11 | Nathan Feldstein | Method of preparation and use of electroless plating catalysts |
GB2013722A (en) * | 1978-01-19 | 1979-08-15 | Canning W Materials Ltd | Plating process |
US4234628A (en) * | 1978-11-28 | 1980-11-18 | The Harshaw Chemical Company | Two-step preplate system for polymeric surfaces |
US4448811A (en) * | 1981-12-30 | 1984-05-15 | Omi International Corporation | Oxidizing agent for acidic accelerator in electroless metal plating process |
ZA843704B (en) * | 1983-07-01 | 1985-09-25 | Macdermid Inc | Oxidizing accelerator |
JPS6036674A (ja) * | 1983-08-08 | 1985-02-25 | Hitachi Chem Co Ltd | 無電解銅めつきに対する活性化法 |
DE3504455A1 (de) * | 1984-02-17 | 1985-08-22 | Omi International Corp. (eine Gesellschaft n.d.Ges.d. Staates Delaware), Warren, Mich. | Verfahren zur behandlung eines elektrisch nicht leitenden substrats vor der stromlosen metallisierung |
US4684550A (en) * | 1986-04-25 | 1987-08-04 | Mine Safety Appliances Company | Electroless copper plating and bath therefor |
CN87100440B (zh) * | 1987-01-27 | 1988-05-11 | 中国人民解放军装甲兵工程学院 | 在不导电材料上刷镀铜的方法 |
US4873136A (en) * | 1988-06-16 | 1989-10-10 | General Electric Company | Method for preparing polymer surfaces for subsequent plating thereon, and improved metal-plated plastic articles made therefrom |
-
1990
- 1990-04-23 FR FR909005136A patent/FR2646583B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1990-04-24 IT IT67307A patent/IT1241204B/it active IP Right Grant
- 1990-04-24 JP JP2108576A patent/JPH0734501B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-04-25 DE DE4013094A patent/DE4013094A1/de active Granted
- 1990-05-01 GB GB9009796A patent/GB2232168B/en not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-02-06 HK HK13395A patent/HK13395A/xx not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1197720B (de) * | 1959-06-08 | 1965-07-29 | Shipley Co | Verfahren zur Vorbehandlung von insbesondere dielektrischen Traegern vor der stromlosen Metallabscheidung |
US3698944A (en) * | 1970-06-15 | 1972-10-17 | Texas Instruments Inc | Method of obtaining phased growth of epitaxial layers |
US3976816A (en) * | 1973-10-29 | 1976-08-24 | Enthone, Incorporated | Activation of surfaces intended for electroless plating |
US4036707A (en) * | 1975-08-29 | 1977-07-19 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for metallizing thermosetting plastics |
US4233344A (en) * | 1978-07-20 | 1980-11-11 | Learonal, Inc. | Method of improving the adhesion of electroless metal deposits employing colloidal copper activator |
US4592852A (en) * | 1984-06-07 | 1986-06-03 | Enthone, Incorporated | Composition and process for treating plastics with alkaline permanganate solutions |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2646583B1 (fr) | 1992-01-24 |
IT9067307A1 (it) | 1991-10-24 |
FR2646583A1 (fr) | 1990-11-02 |
IT1241204B (it) | 1993-12-29 |
HK13395A (en) | 1995-02-10 |
DE4013094C2 (de) | 1993-07-22 |
GB2232168A (en) | 1990-12-05 |
GB2232168B (en) | 1993-06-16 |
JPH02303181A (ja) | 1990-12-17 |
GB9009796D0 (en) | 1990-06-20 |
IT9067307A0 (it) | 1990-04-24 |
JPH0734501B2 (ja) | 1995-04-12 |
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