DE4000451A1 - Elektrooptisches fluessigkristallschaltelement - Google Patents
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Description
- a) die Streifen- oder Linienelektroden alternierend in wenigstens zwei zur Flüssigkristallschicht paralle len Ebenen angeordnet sind, wobei die beiden Ebenen insbesondere von den beiden entgegengesetzten Ober flächen einer isolierenden Folie, Dünnplatte, Schicht o. dgl. gebildet sein können; oder
- b) die mit unterschiedlichem Potential beaufschlagten Streifen- oder Linienelektroden kammartig ineinander greifend in der gleichen Ebene angeordnet sind, wobei diese Ebene insbesondere von der der Flüssigkristallschicht zugewandten Oberfläche eines die Flüssigkristallschicht begrenzenden Substrats oder einer auf ein solches Sub strat aufgebrachten isolierenden Folie, Dünnplatte, Schicht o. dgl. gebildet sein kann.
- a) der Ausrichtungswinkel bei positiver Dielektrizitäts anisotropie des Flüssigkristalls größer als 70° und kleiner als 90° ist, oder daß
- b) der Flüssigkristall eine negative Dielektrizitätsan isotropie hat, wobei der Ausrichtungswinkel kleiner als 20° und größer als 0° ist.
- a) der Flüssigkristall in seiner Ausgangsorientierung eine unverdrillte Struktur aufweist und durch die überwiegend parallel zur Flüssigkristallschicht ausge richtete Feldkomponente in eine verdrillte Struktur umorientierbar ist, bei der die Verdrillungsachse senk recht zur Flüssigkristallschicht ist, oder daß
- b) der Flüssigkristall in seiner Ausgangsorientierung eine verdrillte Struktur aufweist, deren Verdrillungs achse senkrecht zur Flüssigkristallschicht ist und die durch die überwiegend parallel zur Flüssigkri stallschicht ausgerichtete Feldkomponente entdrillbar ist.
- 1) zum Betreiben des elektrooptischen Flüssigkristall schaltelements in Durchlichtbetriebsweise auf der einen Seite der Flüssigkristallschicht ein Polarisa tor und auf der anderen Seite ein Analysator vorge sehen ist; oder daß
- 2) zum Betreiben des elektrooptischen Flüssigkristall schaltelements in Reflexionsbetriebsweise auf der einen Seite der Flüssigkristallschicht ein Polarisa tor/Analysator und auf der anderen Seite ein Reflek tor vorgesehen ist.
β₀ = Ausrichtungswinkel, der überwiegend parallel zur Flüssigkristallschicht 2 ausgerichteten elektri schen Feldkomponente, die von der felderzeugenden Struktur 7 erzeugt wird, zu der Vorzugsrichtung der Molekülachsen des Flüssigkristalls 2, die diese in der Ausgangsorientierung des Flüssigkristalls 2 auf der Schichtseite der Flüssigkristallschicht 2 haben, welche der felderzeugenden Struktur 7 zu gewandt ist, also an der Orientierungsschicht 5; dieser Winkel ist gleich dem Winkel zwischen dem Direktor am Substrat 3 bzw. in der Orientierungs schicht 5 und der Senkrechten zu der Längsrichtung der Streifen- oder Linienelektroden 9, 10 in der Ebene dieser Streifen- oder Linienelektroden.
α₀ = Anstellwinkel, den die Ausgangsorientierung der Flüssigkristallschicht 2 zumindest auf ihrer der felderzeugenden Struktur 7 zugewandten Schicht seite der Flüssigkristallschicht 2 mit einer zur Flüssigkristallschicht 2 parallelen Ebene ein schließt, wobei hier unter der Ausgangsorientie rung der Flüssigkristallschicht die Vorzugsrich tung der Molekülachsen des Flüssigkristalls 2 in der Ausgangsorientierung der Flüssigkristallschicht verstanden wird.
ψ = Winkel zwischen dem Direktor an dem Substrat 3 bzw. in der Orientierungsschicht 5 und der Durch laßrichtung des Polarisators 15 bzw. des Polarisa tors/Analysators 22.
ψ′ = Winkel zwischen dem Direktor an dem Substrat 3 bzw. in der Orientierungsschicht 5 und der Durch laßrichtung des Analysators 16.
|ψ-ψ′| = Winkel zwischen der Durchlaßrichtung von Polarisa tor und Analysator.
d = Dicke der Flüssigkristallschicht 2.
ε′′, ε⟂ = Dielektrizitätskonstanten parallel bzw. senkrecht zum Direktor des Flüssigkristalls.
Δε = Dielektrizitätsanisotropie des Flüssigkristalls = Differenz zwischen ε′′ und ε⟂, d. h. Δε = ε′′-ε⟂.
n₀, ne = ordentlicher bzw. außerordentlicher Brechungs index des Flüssigkristalls.
λ = Lichtwellenlänge.
Δn = ne-n₀ .
Dicke der Flüssigkristallschicht: | |
1 µm bis 10 µm | |
Flächige Größe der einem Bildpunkt entsprechenden felderzeugenden Struktur: | Quadrat mit einer Kantenlänge von 10 µm bis 1 mm |
Abstand zwischen benachbarten Streifen- oder Linienelektroden: | 2 µm bis 50 µm |
Spannung zwischen benachbarten Streifen- oder Linienelektroden bei maximalem Kontrast: | 1 Volt bis 80 Volt |
Dicke der Flüssigkristallschicht|= 6,9 µm | |
Dielektrizitätsanisotropie | = -1,5 |
Optische Weglänge d×Δn/λ | = 0,865 |
Ausgangsverdrillungswinkel β | = 0° |
Ausrichtungswinkel β₀ | = 5° |
Anstellwinkel α₀ | = 5° |
Winkel zwischen Polarisator und Analysator | = 90° |
Der Winkel THETA ist der Winkel zwischen der Beobachtungs richtung und der Senkrechten auf der Flüssigkristallschicht. Auf den Achsen der Polarkoordinatendarstellung ist die In tensität des Transmissionslichts angegeben. Die Transmission beträgt für senkrechte Inzidenz ca. 25%.
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OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8181 | Inventor (new situation) |
Free format text: BAUR, GUENTER, DR., 7800 FREIBURG, DE FEHRENBACH, WALTRAUD, 8000 MUENCHEN, DE WEBER, GEB. STAUDACHER, BARBARA, 7637 ETTENHEIM, DE WINDSCHEID, FRIEDRICH, 7800 FREIBURG, DE KIEFER, RUDOLF, DR., 7801 VOERSTETTEN, DE |
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8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: MERCK PATENT GMBH, 64293 DARMSTADT, DE |
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