DE3936579A1 - Verfahren zur bildung von duennfilmabschluessen fuer keramikkondensatoren geringer induktivitaet und danach hergestellter artikel - Google Patents
Verfahren zur bildung von duennfilmabschluessen fuer keramikkondensatoren geringer induktivitaet und danach hergestellter artikelInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur
Herstellung von Dünnfilmabschlüssen auf Keramikkondensatoren
mit geringer Induktivität u.ä. und danach hergestellte
Produkte.
Mehrschichtkeramikkondensatoren werden zunehmend beim Einsatz
von Computern verwendet, insbesondere als Mittel für Dämpfung
von fehlerverursachenden Spannungsspitzen in der
Stromversorgung von IC-Geräten. Es ist bekannt, daß die
Dämpfungseffizienz eines Kondensators beträchtlich erhöht
wird, wenn die Induktivität des Kondensators herabgesetzt wird
und wenn die Länge der den Kondensator mit dem IC-Gerät
verbindenden Leitungen ebenfalls vermindert wird.
Bei konventionellen Mehrschichtkeramikkondensatoren, die an
entgegengesetzten Endteilen abgeschlossen werden, hat es sich
herausgestellt, daß sie eine relativ hohe Induktivität
aufweisen und die Verwendung von relativ langen Leitungen
erforderlich gemacht haben, die von den Kondensatorabschlüssen
zu den IC-Geräten führen, was die Induktivität der Schaltung
weiter erhöht.
Um die Induktivität zu minimieren und die Anschlußleitungen
zwischen Kondensator und übriger Schaltung zu reduzieren, ist
eine verbesserte Ausführung des
Mehrschichtkeramikkondensators, in der Industrie als
"Tab"-Kondensator bekannt, entwickelt worden. Beim
Tab-Kondensator, von dem ein repräsentatives Beispiel in der
US-PS 43 28 530 vom 04.05.82 offenbart ist, enthalten die
Kondensatorelektroden Verbindungs-Tabs, die alle auf einer
einzigen Oberfläche des Kondensators auftreten. Die mit
Elektroden gleicher Polarität verbundenen Tabs sind durch
Kurzschlußbügel auf der Kondensatoroberfläche elektrisch
verbunden, wobei die Kurzschlußbügel eine ausgewählte Anzahl
der Elektroden verbinden können, so daß ein einziger
Standardkondensator hinsichtlich der Kapazität in
Übereinstimmung mit der Anzahl der durch die Kurzschlußbügel
verbundenen Tabs eingestellt werden kann.
Um die Induktivität zwischen dem Tab-Kondensator und seinen
angeschlossenen elektronischen Bauelementen zu minimieren, ist
die Verbindung durch Anwendung von
Kugelbegrenzungsmetallurgie-Techniken hergestellt worden (ball
limiting metallurgy - BLM). In Übereinstimmung mit der
BLM-Technologie werden an den Kurzschlußbügeln in ausgewählten
Mustern Lötkugeln angebracht. Der Kondensator wird an dem
angeschlossenen elektronischen Gerät durch Plazierung der
Lötkugeln gegen das Gerät angebracht, das mit einem den
Abstand der Lötkugeln angepaßten "Fußabdruck" versehen ist,
und danach wird die Grenzstelle erwärmt, um die Lötkugeln mit
den Leitern des angeschlossenen Bauelements zu verbinden.
Kondensatorabschlüsse sind typischerweise durch
Dickfilmtechnologie hergestellt worden. Dickfilmabschlüsse
machen es erforderlich, daß leitende Partikel enthaltende
Pasten, genau über die zu verbindenden Kondensatorelektroden
gestrichen oder in Maskentechnik aufgebracht werden. Die Paste
enthält typischerweise metallische Partikel und
niedrigschmelzende Glasfritte. Nach dem Aufbringen der Paste
muß der Kondensator erhitzt werden, um die Fritte zu sintern
und Kontakt zwischen den Metallkomponenten der Paste und den
freiliegenden Teilen der Kondensatorelektroden herzustellen.
Während Dickfilmabschlüsse bei konventionellen Kondensatoren
(mit Endabschlüssen) wirksam sind, haben sich
Dickfilmabschlußtechniken wegen solcher Faktoren wie Größe,
Anwendungsschwierigkeiten und Zerbrechlichkeit bei
Tab-Keramikkondensatoren wirtschaftlich als nicht
existenzfähig erwiesen.
Zahlreiche Verfahren sind für den Abschluß von
Tab-Keramikkondensatoren zum Einsatz in Verbindung mit der
BLM-Kondensatorbefestigungstechnologie vorgeschlagen worden.
Solche Verfahren erfordern die Bildung von Lötstangen durch
Hohlprägung von Nuten in die grüne Keramik zwischen
Tab-Reihen, Plattierung oder Dampfmetallisierung der gesamten
Tab-enthaltenden Oberfläche, das nachfolgende Sägen zur
Abtrennung ausgewählter Tab-Gruppen und die Aufdampfung in
Übereinstimmung mit Tabs eingeschlossen, um die
Kurzschlußbügel zu definieren.
Keine der bisher praktizierten bekannten Techniken hat sich
als befriedigende Lösung für den Abschluß von
Tab-Kondensatoren erwiesen. Während Aufdampfung (wobei dieser
Ausdruck Aufspritzen und verschiedene
Vakuummetallisierungstechniken einschließt) also bekannte
Verfahren darstellt, die sich z.B. für den Auftrag von dünnen
Filmen auf Siliziumwaffeln u.ä. durch Masken eignen, haben
solche Techniken, obwohl vorher für die Verwendung auf einer
keramischen Oberfläche vorgeschlagen, keinen idealen
Kurzschlußbügel zur Aufnahme der in der BLM-Technologie
verwendeten Lötkugeln geschaffen.
Der Kurzschlußbügel eines Tab-Kondensators muß eine Anzahl
Eigenschaften aufweisen, um wirksam zu sein. Der Bügel muß
fest am Kondensatorkörper haften, Wärmebeständigkeit
aufweisen, sich bei Erwärmung nicht vom Kondensator abschälen,
hochleitend, rostbeständig, durch das Lötmittel nicht
benetzbar sein, der Wanderung der den Elektroden-Tabs zugrunde
liegenden Metalle widerstehen und eine starke Haftung der
Lötkugeln an den Kurzschlußbügel bewirken.
Konventionelle Dünnfilmauftragstechniken (Aufdampfung) haben
es nicht ermöglicht, einen idealen, alle vorerwähnten
Eigenschaften aufweisenden Kurzschlußbügel zu bilden.
Vorveröffentlichungen zum Stand der Technik bezüglich
verschiedener Phasen der Kondensatorherstellung,
Elektrodenbildung, BLM-Technologie, Metallisierungstechnologie
und Tab-Kondensator-Konstruktionen werden nachstehend
aufgeführt.
"IBM Technical Bulletin" Artikel 26 Nr. 12 von Mai 1984 (Seite
6595) und "IBM Technical Bulletin" V-26 Nr. 10B von März 1984
(Seite 5684) sind in ihrer Darstellung von Tab-Kondensatoren
und Lötkugelbefestigungstechniken relevant.
"IBM Technical Bulletin" Band 24 Nr. 1B von Juni 1981 (Seite
437 ff.) bezieht sich auf einen am Boden abgeschlossenen
Kondensator, wobei die untere Oberfläche geläppt ist, um sie
für die Dünnfilmbehandlung geeignet zu machen. Die
Vorveröffentlichung offenbart allgemein die Anbringung einer
dielektrischen Schicht, die durchgeätzt ist und bei der
Durchgangsmetall "am wahrscheinlichsten durch" Aufdampfung
aufgebracht wird. Danach werden Kurzschlußbügel angebracht,
gefolgt von der Anbringung von Lötkugeln.
Das US-Patent 43 28 530 bezieht sich auf einen
Tab-Kondensator, der Schichten einschließt, von denen
ausgesagt wird, daß sie durch Plattierungs- oder
Aufdampfungstechniken aufgetragen worden sind.
Das US-Patent 44 30 690 offenbart einen Tab-Kondensator mit
niedriger Induktivität, der durch Hohlprägung von Schlitzen in
die grüne Keramik gebildete Lötstangenabschlüsse verwendet.
Von den Stangen wird ausgesagt, daß sie durch Aufdampfen von
Metall in die Schlitze und die Aufdampfung eines Lötmittels
auf Stangenteile gebildet werden.
Das US-Patent 44 19 714 offenbart einen Tab-Kondensator mit
geringer Induktivität, der durch die Metallisierung einer
Schicht gebildet wird, die alle auf einer Oberfläche
freiliegenden Tabs bedeckt, und das selektive Durchsägen des
Metalls, um Bereiche der Metallisierungsschicht abzutrennen.
Danach werden nichtlösungsmittelbenetzende Sperren um die
restlichen metallisierten Komponenten angebracht.
"IBM Technical Disclosure Bulletin" Band 25 Nr. 4 von
September 1982 (Seite 1902 ff.) offenbart einen
Tab-Kondensator von geringer Induktivität und schlägt die
Verwendung von Dünn- oder Dickfilmtechniken zur Bildung von
Kurzschlußbügel vor.
"IBM Technical Disclosure Bulletin" Band 25 Nr. 4 von
September 1982 (Seite 1907) schlägt die Verwendung von
Ersatzausrichtungs-Tabs auf der den Elektroden-Tabs
entgegengesetzten Seite vor, um die Ausrichtung der
Kondensatoren für ihre Plazierung zur Maskierung und
Positionierung für weitere Behandlungsschritte zu erleichtern.
"IBM Technical Disclosure Bulletin" Band 26 Nr. 3A von August
1983 (Seite 1084 ff.) offenbart einen Tab-Kondensator von
niedriger Induktivität, bei dem
Dünnfilmmetallisierungstechniken eingesetzt werden. Von den
Kondensatoren wird ausgesagt, daß sie in eine Bakelit-Matrix
zur Positionierung hinsichtlich späterer Behandlungsschritte
eingebracht werden.
Das US-Patent 44 39 813 offenbart einen
Entkopplungskondensator zur Anbringung auf einer
IC-Mehrfachstromkreis-Keramik. Der Kondensator wird gebildet
durch das Aufdampfen oder Aufspritzen einer Elektrode auf
einen Träger, gefolgt durch das Aufbringen einer
hochdielektrischen Schicht, einer weiteren Elektrode und einer
oberen Isolierschicht. Löcher werden in die entsprechenden
Elektrodenschichten geätzt und Metall und Lötkugeln danach
aufgebracht.
In einer Veröffentlichung, betitelt "SOLID STATE TECHNOLOGY"
von Juni 1983 (Seiten 91 bis 97) werden die Vorteile der
Verwendung von Lötkugeln diskutiert, um verschiedene Chips mit
Substraten zu verbinden. In einem anderen, in derselben
Publikation auf den Seiten 119 bis 126 erschienenen Artikel
wird das Konzept der Verwendung von Schichten aus
aufgedampften Metallen für Schmuck- und Leitzwecke
beschrieben. Dieser Artikel beschreibt die Verwendung einer
Tungsten- und Titan-Legierung, die zur Bildung einer Sperre
aufgedampft wird, um die Migration zwischen Metallen
verschiedener Arten zu verhindern. Der Artikel beschreibt die
Verwendung des Tungstens und Titans als Sperre zwischen einem
eine Silizium-Waffel erregenden Platinkontakt und einer
Aluminium-Schicht.
Ein Artikel in einer Veröffentlichung, betitelt "IBM JOURNAL
OF REGENT DEVELOPMENTS" von Mai 1969 (Seiten 226 bis 238)
offenbart die Anbringung von Aluminium-Streifen auf einem
Silizium-Substrat und die Verwendung von plattierten, in
metallisierten Vias sitzenden Kupferkugeln als Mittel zur
Montage des daraus resultierenden Geräts. Der Artikel
diskutiert auch den kontrollierten Zusammenbruch von durch
nichtbenetzende Bereiche umgebene Lötkugeln.
Experimentalversuche, die von den Erfindern dieser Anmeldung
durchgeführt wurden, um durch konventionelle
Metallisierungsmittel (Aufspritzen und Vakuumauftrag)
Kurzschlußbügel auf Keramik-Tab-Kondensatoren herzustellen,
haben einheitlich zur Bildung von Kondensatoren geführt, die
in einer oder mehrerer Hinsicht mangelhaft waren. Insbesondere
haben Versuche, Kurzschlußbügel, die für das Anbringen von
Lötkugeln durch Techniken, wie sie auf Seiten 119 bis 126 des
vorerwähnten Artikels "SOLID STATE TECHNOLOGY" beschrieben
sind, zur Bildung von Kondensatoren geführt, die in einer oder
mehreren der nachstehenden Beziehungen mangelhaft waren.
Das Aufbringen von Tungsten- und Titan-Legierungen, gefolgt
von der Bildung einer direkt auf die Keramik im gesinterten
Zustand aufgetragenen Aluminium-Schicht, resultierte in der
Herstellung von Kurzschlußbügeln die, obwohl sie stark an der
Keramik anhafteten, einen nicht hinnehmbar hohen
Gleichstromwiderstand über die Länge eines Kurzschlußbügels
zeigten. Wir haben theoretisch den hohen Widerstand durch die
Tatsache erklärt, daß die relativ rauhe oder gerunzelte
Oberfläche der Keramik in der Bildung eines Metallfilms
resultiert, der unangemessen gestreckt ist, weil er den
Spitzen und Tälern des Keramiksubstrats folgt. Darüber hinaus
zeigten auf der Aluminiumschicht oder auf einer weiteren
Deckschicht aufgebrachte Lötkugeln eine Bruchneigung und
wurden leicht von der Oberfläche des aufgebrachten
Kurzschlußbügels getrennt.
Versuche, die Oberfläche der Keramik vor der Bildung eines
metallisierten Kurzschlußbügels zu polieren oder zu läppen,
haben noch andere Probleme hervorgerufen. Wenn der
Kurzschlußbügel aus Kompositmetall eine optimale Gesamtstärke
übersteigt, kann der Bügel eine geeignete Haftung an die
Keramik und einen geeigneten niedrigen Gleichstromwiderstand
zeigen, er löst sich jedoch schnell von der Keramik ab, wenn
die Vorrichtung Temperaturen in der Größenordnung unterworfen
wird, die auftreten, wenn die Lötkugeln zur Befestigung auf
einem Komplement-Substrat umgeschmolzen werden. Vermutlich
wird die Abtrennung durch unterschiedliche Wärmedehnung des
Kurzschlußbügels und der Keramik hervorgerufen.
Wenn die Keramikkontaktschicht des Komposit-Kurzschlußbügels
in ungenügender Dicke ausgebildet ist, tritt eine
Metallmigration durch diese Schicht zur leitenden
Aluminiumschicht auf.
Nach vielen Versuchen ist es gelungen, zu einer Reihe von
optimalen Dicken der entsprechenden metallisierenden Schichten
zu gelangen, wie nachstehend offenbart. Diese Kompositschicht
weist die gewünschte Konduktivität, Nichtbenetzbarkeit und
erforderliche Dehnfähigkeit auf, um gegen eine Verlagerung
widerstandsfähig zu sein, wenn die Vorrichtung
Temperaturgefällen unterworfen wird. Jedoch stellte sich sogar
diese optimale Vakuummetallbedampfungsfolge als unzureichend
mechanisch an die Oberfläche der Keramik gebunden heraus, um
einem Abschälen des Kurzschlußbügels von der
Kondensatoroberfläche zu widerstehen, wenn der Kondensator den
Beansprungen unterworfen wird, denen IC-Geräte u.ä. während
der Handhabung und Anwendung ausgesetzt sind.
Die vorliegende Erfindung kann als auf die überraschende
Feststellung gerichtet zusammengefaßt werden, daß ein
metallisierter Kurzschlußbügel mit allen erforderlichen und
wünschenswerten Eigenschaften für die Verwendung als Mittel
zum Tragen von Lötkugeln zur Rückflußverbindung eines
Kondensators o.ä. mit einem assoziierten elektronischen
Bauelement dadurch gebildet werden kann, daß die
Keramikoberfläche vor der Metallisierung einem abschließenden
Schleif- oder Poliervorgang unterworfen wird, indem ein
Poliermittel verwendet wird, das eine
Durchschnittspartikelgröße von ca. 2 µ bis ca. 10 µ hat.
Insbesondere wurde die überraschende Entdeckung gemacht, daß
ein einzigartiges Verhältnis zwischen der Partikelgröße des im
abschließenden Poliervorgang auf einer keramischen Oberfläche
verwendeten Poliermittels und der Eignung einer solchen
Oberfläche, einen Kurzschlußbügel zu tragen, der als Behältnis
für sogenannte C-4-Lötkugeln, wie sie gebräuchlicherweise bei
der BLM-Technologie verwendet werden, besteht.
Wie vorerwähnt wurde herausgefunden, daß die Tabs eines
Keramikkondensators verbindende Kurzschlußbügel aus Metallen
gebildet sein sollten, die bestimmte spezifische Eigenschaften
haben, und in Dicken innerhalb vorbestimmter Bereiche
hergestellt werden müssen. Wir haben z.B. festgestellt, daß,
wenn eine anfängliche Grenzschicht zu dünn ist (d.h. unterhalb
ca. 2000 Å), sie die gewünschte Isolierung gegen Migration
nicht erfüllen kann. Wenn die Gesamtdicke der anfänglichen
Grenzschicht zu groß ist, trifft man auf einen unpassend hohen
Gleichstromwiderstand. Der Kompositkurzschlußbügel muß dünn
genug sein, um so flexibel zu sein, daß er nicht aufgrund von
unterschiedlichen Wärmedehnungswirkungen verdrängt wird. es
wurde herausgefunden, daß ein geeigneter Kurzschlußbügel durch
Aufdampfung einer Grenzschicht einer Dicke von ca. 2000 bis
4000 Å, einer leitenden Schicht von ca. 6000 bis ca. 12 000 Å
und einer abschließenden Abdeck- oder Passivierungsschicht von
ca. 2000 bis 4000 Å Dicke gebildet werden kann. Ein solcher
Kurzschlußbügel weist alle für die Verwendung im Zusammenhang
mit der BLM-Technologie erforderlichen Eigenschaften auf.
In Sonderheit wurde festgestellt, daß ein beschriebener
Kurzschlußbügel zufriedenstellend auf einem Keramiksubstrat
aufgebracht und mit konventioneller BLM-Technologie verwendet
werden kann, wenn, und nur wenn die Keramikoberfläche einem
abschließenden Schleifvorgang unter Verwendung von Partikeln
in der erwähnten Größenordnung unterworfen worden ist. Die
Bezugnahme auf die Partikelgröße soll sich auf die
Durchschnittsgröße der verwendeten Partikel beziehen, die um
ca. 50% in einer bestimmten Charge variieren kann. Daher soll
die Bezugnahme auf eine Körnung von z.B. 5 µ eine
Poliermischungszusammensetzung miteinbegreifen, deren
Durchschnittsgröße ca. 5 µ beträgt, worin jedoch Mengen
oberhalb und unterhalb dieses Wertes vorliegen. Der
Poliervorgang kann unter Einsatz jedweden Polierverfahrens aus
einer Anzahl bekannter Polierverfahren, insbesondere
einschließlich einer bevorzugten Poliermethode, wobei Partikel
in einer flüssigen Suspension getragen werden, die mechanisch
über die Oberfläche der zu behandelnden Kondensatoren gerieben
wird, durchgeführt werden. Andere Polierverfahren, wie
Druckluftputzen und Ultraschallbehandlungen, sind auch
geeignet, solange sie im Zusammenhang mit Partikeln innerhalb
der erwähnten Größenordnung eingesetzt werden.
Versuche, dieselben Poliermethoden unter Verwendung von
Partikeln durchzuführen, die kleiner als ca. 2 µ sind, haben
ergeben, daß sich ein leitender Kurzschlußbügel bildet, der
sich leicht von der Oberfläche der Keramik ablöst. Der Einsatz
eines abschließenden Poliervorgangs unter Verwendung von
Partikeln einer Größe von mehr als ca. 10 µ, jedoch von
weniger als 20 µ, ergibt ebenfalls einen Kurzschlußbügel, der
sich leicht von der Keramikoberfläche ablöst. Ein
abschließender Poliervorgang unter Verwendung von
Polierpartikeln, die größer sind als ca. 20 µ, ergibt die
Bildung eines Kurzschlußbügels, der, während er fest auf der
Keramikoberfläche anhaftet, in den Lötkugeln selbst und an der
Grenzschicht zwischen Lötkugel und Kurzschlußbügel eine
Porosität bewirkt, die die Lötkugeln anfällig für Brüche
werden läßt, wenn der Kondensator danach mit einem
assoziierten Elektronik-Gerät verbunden wird.
Aus einer Prüfung des Keramiksubstrats und der Unterfläche von
aufgebrachten metallischen Kurzschlußbügeln nach nicht
zerstörungsfreier Prüfung in der Art einer mechanischen Kraft,
die auf die Lötkugel in einer Richtung senkrecht zur
Oberfläche der Keramik angreift, wurde die Theorie
aufgestellt, daß die Kritikalität der Körnung der
abschließenden Polierung eine Funktion der Art von
Keramikzusammensetzungen ist, die aus einer Vielzahl von
miteinander verbundenen Körnern besteht, die an benachbarten
Korngrenzen aneinandergebunden sind. Insbesondere besteht die
Oberfläche der Keramik nach dem Polieren aus einer im
allgemeinen flachen planaren Masse, von der Teile durch
Teilkörner definiert sind, deren Grenzen nur leicht mit
benachbarten Körnern verbunden sind. Andere Teile der
Oberfläche werden durch zentrale Massen benachbarter Körner
definiert. Durch den Einsatz eines abschließenden
Poliervorgangs unter Verwendung von Partikeln des
beschriebenen kritischen Bereichs wird angenommen, daß die
partiellen und schwach anhaftenden Körner auf den Oberflächen
der Keramik entfernt werden und nur die größeren freiliegenden
Oberflächen von Körnern zurückbleiben, die an den Oberflächen
von benachbarten Körnern stark anhaften. Mit anderen Worten
schafft die Verwendung von Partikeln innterhalb der erwähnten
Größenbegrenzungen eine relativ flache oder leicht narbige
Oberfläche, die im wesentlichen frei von kleinen partiellen
Korninkrementen ist. Während bei der Verwendung eines
Poliermaterials einer Größe von weniger als ca. 2 µ eine
Oberfläche bleibt, die glatter ist als die, die erzielt wird,
wenn Partikel innerhalb der kritischen Größenordnung verwendet
werden, können damit in Übereinstimmung mit der aufgefundenen
Theorie wegen der geringeren Masse solchen Poliermaterials die
kleinen partiellen Körner nicht entfernt werden.
Es wird angenommen, daß die Verwendung von Poliermaterialien
in der Größenordnung von mehr als 10 µ, jedoch von weniger als
20 µ, eine Oberfläche erzeugt, in der die partiellen Körner
verbleiben, vermutlich weil die Größe der Schleifpartikel die
Größe der partiellen Körner wesentlich überschreitet, die
selbst im Bereich von ca. 1 bis 3 µ in Tiefe und Durchmesser
liegen und deshalb mit den partiellen Körnern nicht in
Eingriff kommen und diese verdrängen können.
Es wurde weiterhin herausgefunden, daß die Verwendung von
abschließenden Schleiftechniken unter Verwendung von
Partikeln, deren Durchschnittsgröße größer ist als ca. 20 µ,
die Bildung eines stark anhaftenden metallischen
Kurzschlußbügels erlaubt, wobei die starke Anhaftung
theoretisch auf die relativ rauhe Oberfläche zurückzuführen
ist, die als Ergebnis des Schleifverfahrens verbleibt. Ein auf
einer solch rauheren Oberfläche aufgebrachter Kurzschlußbügel
kann nicht bei BLM-Metallurgie-Techniken verwendet werden, da
die Lötkugeln selbst porös und zerbrechlich werden und eine
hohe Ausfallrate aufweisen, nachdem sie einer
Rückflußerwärmung unterworfen worden sind, um sie mit einem
verbundenen Elektronik-Gerät zusammenzuschließen. Es wird
angenommen, daß die hohe Ausfallrate von Lötkugeln, die über
einem Kurzschlußbügel aufgebracht worden sind, der über einer
keramischen, abschließend mit Partikeln einer Größe von mehr
als ca. 20 µ geschliffenen Oberfläche gebildet worden ist,
durch die Tatsache hervorgerufen wird, daß Luft an der
Grenzfläche zwischen der Lötkugel und der rauhen Oberfläche
des Kurzschlußbügels eingeschlossen wird. Da es ein
notwendiges Merkmal der obersten Schicht des Kurzschlußbügels
ist, daß der Bügel nicht durch das Lötmittel benetzbar ist,
wird das Vorhandensein in der Grenzfläche die Verbindung der
Lötkugel mit dem Kurschlußbügel zwangsweise schwächen oder
nach Umschmelzen des Lötmittels die eingeschlossene Luft in
die Matrix des geschmolzenen Lötmittels einführen und so eine
poröse Struktur in der Lötkugel selbst erzeugen.
Die vorstehenden theoretischen Ausführungen sollen in einem
nichteinschränkenden Sinne gesehen werden, da sie nur einen
Versuch darstellen, die überraschende Kritikalität der
Größenbereiche der Polierpartikel zu erklären. Folglich sollte
nicht durch die Genauigkeit der oben dargelegten theoretischen
Erklärung eine Einschränkung erfolgen.
Es ist danach ein Ziel der Erfindung, ein Verfahren zur
Bildung eines Kurzschlußbügels auf einer Oberfläche eines
Keramiktabkondensators vorzuschlagen, der bei konventioneller
BLM-Technologie verwendet werden kann.
Ein weiteres Ziel der Erfindung ist die Schaffung eines nach
dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten
Tab-Keramikkondensators mit niedriger Induktivität.
In der Zeichnung ist ein Ausführungsbeispiel eines
erfindungsgemäßen Kondensators dargestellt. Es zeigen:
Fig. 1 einen abgebrochenen schematischen
Vertikalschnitt durch einen Teil eines
Keramikkondensators, wobei der Schnitt durch
einen mit einer Elektrode verbundenen Tab des
Kondensators geht;
Fig. 2 einen ähnlichen Schnitt wie Fig. 1 nach einem
ersten Poliervorgang;
Fig. 3 einen ähnlichen Schnitt wie Fig. 1 und 2 nach
einem abschließenden erfindungsgemäßen
Poliervorgang;
Fig. 4 einen ähnlichen Schnitt wie Fig. 1 bis 3,
nachdem die Oberfläche des Kondensators
metallisiert und eine Lötkugel auf dem
metallisierten Kurzschlußbügel befestigt worden
ist;
Fig. 5 eine Graphische Darstellung, die die Größe der
abschließenden Schleifpartikel in Relation zur
Haftung des Kurzschlußbügels und/oder der
Lötkugel auf dem Keramiksubstrat vergleicht.
In den Fig. 1 bis 4 wird eine Oberfläche eines
Tab-Keramikkondensators mit niedriger Induktivität in
verschiedenen Stufen seiner Herstellung dargestellt. Die
Darstellungen sind schematischer Natur. Fig. 1 zeigt ein
Inkrement 10 eines Keramikkondensatorkörpers, das eine obere
Fläche 11 einschließt, an der die oberste Fläche 12 des
Metalltabs 13 freiliegt, der mit einer inneren (nicht
dargestellten) Kondensatorelektrode verbunden ist. Es ist
einleuchtend und aus einer Elektronenmikrofotografie der
oberen Fläche ersichtlich, daß diese aus einer Folge von
Spitzen und Tälern besteht, die die Korngrenzen der obersten
Fläche bilden. Der in Fig. 1 dargestellte Kondensator soll die
so gebildete Struktur darstellen, die, wie im Stand der
Technik bekannt, Werkzeugmarkierungen und verschiedene andere
Ungleichmäßigkeiten zusätzlich zur erwähnten ungleichmäßigen
Kornstruktur enthält.
Fig. 2 zeigt den Kondensator der Fig. 1, der einem ersten
Polier- oder Schleifverfahren, wie es im nachstehenden
ausführlich beschrieben wird, unterworfen worden ist. Wie aus
Fig. 2 ersichtlich, wird der erste oder Rohpoliervorgang, dem
die Oberfläche 11′ der Fig. 1 unterworfen worden ist. wegen
der Entfernung von ca. 1 bis 2 mils (25,4 bis 50,8 µ) der
Kondensatoroberfläche, wodurch solche groben
Ungleichmäßigkeiten, wie Werkzeugmarkierungen usw., entfernt
werden, glatter sein als die so gebildete Fläche. Wie aus
Fig. 2 ersichtlich, hinterläßt der Rohpoliervorgang eine neue
oberste Fläche 11′, von der ein wesentlicher Teil durch
Teilkörner, wie z.B. 14, definiert ist, die mit benachbarten,
im allgemeinen kompletten Körnern 15 an unregelmäßigen Stellen
über die Grenzfläche zwischen den Korngrenzen verbunden sind.
Fig. 3 zeigt das Aussehen der Oberfläche 11′ des Kondensators
der Fig. 2, nachdem diese durch den abschließenden und
kritischen Poliervorgang, der nachstehend ausführlich
beschrieben werden soll, behandelt worden ist. Wie durch einen
Vergleich der Fig. 2 und 3 zu verstehen ist, hat der
erfindungsgemäße Poliervorgang die Teilkörner 14 entfernt und
z.B. ein Reihe von Löchern 16 hinterlassen, die in der Praxis
ca. 1 oder 2 µ tief sind. Ein bißchen Experimentieren
hinsichtlich der optimalen Körnung für den abschließenden
Poliervorgang kann wünschenswert sein, da innerhalb der
erwähnten Bereiche eine gewisse Korrelation zwischen der
optimalen Körnung und Korngröße der Keramik zu bestehen
scheint.
Fig. 4 ist eine schematische Darstellung eines Segments des
Kurschlußbügels 17, bestehend aus aufeinanderfolgenden
Schichten 18, 19 und 20, wobei auf die oberste Schicht gemäß
konventioneller Praxis eine Lötkugel 21 aufgebracht worden
ist. Gemäß der dargestellten Ausführungsform kann ein
bevorzugter Kurzschlußbügel 17 aus einer untersten oder
oberflächenbenachbarten Schicht 18, die eine Grenze gegen die
Migration des Metalls (normalerweise Platin oder Palladium)
des Tabs 13 definiert, einer mittleren hochleitenden Schicht
19 und einer passivierenden oberen Schicht 20 bestehen.
Einzelheiten der bevorzugten Zusammensetzungen der
verschiedenen Schichten sowie Einzelheiten der verschiedenen
Verfahrensschritte werden nachfolgend dargelegt.
Fig. 5 ist eine graphische Darstellung, die das Verhältnis
zwischen der im abschließenden Poliervorgang verwendeten
Körnung und dem Widerstand der Kurzschlußbügelstruktur
und/oder der Lötkugeln des Kondensators gegen Verdrängung vom
Kondensator veranschaulicht. Im unteren Bereich der Körnung,
d.h. unterhalb von 1 oder 2 µ, tritt die Trennung als Ergebnis
einer schlechten Haftung des Kurzschlußbügels an dem
Keramiksubstrat auf. Am oberen Ende (ca. 12 bis ca. 20 µ) ist
die Trennung auch auf die schlechte Haftung des
Kurzschlußbügels an der Keramik zurückzuführen. Oberhalb von
ca. 20 µ resultierte die Trennung aus einer Schwäche innerhalb
der Lötkugeln oder zwischen den Lötkugeln und dem
Kurzschlußbügel, wobei die Schwäche als Ergebnis von
Lufteinschlüssen betrachtet wird.
Es folgt eine detaillierte Beschreibung eines bevorzugten
Ausführungsbeisiels des Verfahrens: Es sollte ohne weiteres zu
verstehen sein, daß Einzelheiten der nachfolgenden
Beschreibung beträchtlichen Variationen unterliegen und somit
die vorliegende Erfindung, ausgenommen des in den beigefügten
Ansprüchen definierten Umfangs, unkritisch zu betrachten ist.
Der Ausdruck "Keramik", wie er hier verwendet wird, soll sich
auf eine dielektrische gesinterte Dickfilmmatrix beziehen, die
aus miteinander verbundenen Körnern, beispielsweise
Bariumtitanat usw., besteht und eine hohe dielektrische
Konstante, ca. 1000 oder größer, aufweist. Es hat sich
herausgestellt, daß das Verfahren weitgehend unabhängig von
den verwendeten bestimmten Keramikrezepturen ist.
Eine aus ca. 1000 Keramikkondensatoren bestehende Charge
wurde bereitgestellt. Die Kondensatoren hatten im wesentlichen
die folgenden Abmessungen: 25 mm lang, 2 mm breit, 13 mm dick.
Die Kondensatoren enthielten auf ihrer Oberfläche 9 Reihen von
mit den inneren Kondensatorplatten verbundenen Tabs, wobei
sich in jeder Reihe 4-8 Tabs befanden. Die Kondensatoren waren
aus einer im wesentlichen konventionellen Rezeptur von
Bariumtitanat, dielektrisch, hergestellt.
Die unteren Oberflächen der Kondensatoren wurden durch ein
konventionelles Bindemittel, z.B. "Superglue" (Handelsname für
Cyanacrylat-Klebemittel), auf eine Platte mit den Abmessungen:.
254 mm Durchmesser×254 mm Dicke geklebt. Die oberen Flächen
der Kondensatoren waren im allgemeinen ungleichmäßig oder rauh
mit Spitzen und Tälern mit einer Abweichung von 25,4 bis
50,8 µ.
Die Kondensatoren wurden zuerst wie folgt durch ein
Abgleich-Glättungs-Verfahren behandelt. Eine
Schleifpapierscheibe wurde auf eine Platte von 400 mm
Durchmesser aufgebracht und mit 100 Upm in Drehung versetzt,
wobei Wasser auf das Papier floß. Das zur Durchführung dieses
Verfahrens benutzte Gerät ist ein "Maximet"-Schleifpolierer
von Buehler. Die Schleifkomponente der Scheibe bestand aus
einer Körnung von 400 (durchschnittliche Frittgröße: 37 µ).
Die rotierende Platte wurde mit den freiliegenden Oberflächen
der auf der Scheibe getragenen Kondensatoren bei einem Druck
von ca. 4,54 kg über einen Gesamtzeitraum von 2 Minuten in
Berührung gebracht, wobei nach 1 Minute das Papier
ausgewechselt wurde.
Das Verfahren wurde danach unter Verwendung eines
Schleifpapiers von 600 Körnung (Größe: 25 µ) auf der
rotierenden Platte für einen Zeitraum von 30 Sekunden
wiederholt. Das besagte Verfahren entfernte ca. 50,8 µ Dicke
von den Kondensatoren und hinterließ eine Oberfläche, die,
glatt für das bloße Auge, bei der Vergrößerung
Oberflächenungleichmäßigkeiten oder -rauhigkeiten einer Tiefe
von ca. 5-10 µ aufwies.
Die Oberfläche der rotierenden Platte wurde danach mit einem
Filztuchmaterial einer Dicke von ca. 13 mm bedeckt, wobei der
Filz mit einer Suspension von Körnern einer Durchschnittsgröße
von 5 µ in einem wäßrigen Medium gesättigt war. Die Platte
wurde für 2 Minuten unter einem Druck von 4,54 kg gegen die
freiliegenden oberen Flächen gedreht.
Aus Tonerde, Diamant oder Karborund bestehende Schleifkörner
können angemessenerweise verwendet werden, ohne daß das
Verfahren oder Ergebnis wesentlich verändert wird.
Die Kondensatoren wurden durch Eintauchen in Aceton von der
Platte gelöst. Nachdem die Teile aus der Spannvorrichtung zu
ihrem Schutz in ein weiches Sieb gefallen waren, wurden sie
noch zweimal in sauberem Aceton gespült und getrocknet. Es hat
sich herausgestellt, daß es hilft, alle restlichen organischen
Kontaminationen zu entfernen, wenn die Teile einer Temperatur
über 300°C, jedoch unter 1000°C ausgesetzt werden.
Dann wurden die Teile in eine Einrichtung so eingespannt, daß
die vorbereiteten (polierten) Oberflächen freilagen, und zu
diesem Zeitpunkt mit einer "Metallisierungs"-Maske bedeckt
waren. In dieser Maske waren für jeden Kondensator in der
Einrichtung neun Schlitze in jeder Position angebracht, die
mit den neun Tab-Reihen übereinstimmten. Die Schlitze waren
typischerweise 5 mils (127 µ) breit und 75 mils (1905 µ) lang.
Die Einrichtung wurde dann wie üblich mit anderen unter
Verwendung von im Stand der Technik bekannten Techniken
metallisiert. Bei einem Verfahren wird z.B. die Einrichtung in
eine Spritzmaschine eingebracht, die aus einer Vakuumkammer,
einem "Target" (Ziel), besteht, das das aufzutragende Metall,
in diesem Fall eine Titan-Tungsten-Legierung (gewöhnlich 90%
Tungsten) liefert. Ein Vakuum wird an das System angelegt und
eine geringe Menge eines Inertgases, gewöhnlich Argon, wird in
die Kammer eingelassen. Ein Restdruck von ca. 40 Milli-Torr
wird aufrechterhalten. Dann wird das Argon-Gas durch Anlegen
eines hohen Gleichstromfeldes (manchmal auch unterstützt durch
ein HF-Feld) angeregt. Der "Leistungspegel" wird auf ca. 4 kW
eingestellt und die Einrichtungen veranlaßt, unter das
"Target" und auf die andere Seite bei einer linearen
Geschwindigkeit von ca. 100 mm/min zu gleiten. Diese
Geschwindigkeit und Leistung werden eingestellt, um eine
ca. 3000 Å Schichtdicke an Metall zu erbringen.
Es hat sich als günstig herausgestellt, vor dem
Auftragsschritt eine "HF-Ätzung" vorzunehmen, die in derselben
Kammer durchgeführt wird. Das bedeutet, daß ein Plasma durch
ein angelegtes HF-Feld so erregt wird, daß Argonatome die
Einrichtung und die freiliegende Oberfläche der Keramik
bombardieren und sie durch "Herausschlagen" von Unreinheiten
und Restgasen säubern. Die Parameter für diesen Schritt liegen
zwischen 5 und 15 Minuten mit einer Leistungseinstellung von
ca. 1 kW.
Die Kondensatoren werden danach in einen "E-Strahl"-Aufdampfer
gebracht, an den ein Vakuum von normalerweise ca. 10-6 torr
angelegt wird. Die Vorrichtung ist in der Nähe des
Kammeroberteils angeordnet, wobei die zu metallisierende
Oberfläche der "Aufdampferschale" zugewandt ist, in die
Aluminium eingebracht worden ist. Der E-Strahl wird
eingeschaltet, wodurch das Aluminium auf den Verdampfungspunkt
erhitzt wird. Der Emissionsstrom wird eingestellt, um eine
Aufdampfgeschwindigkeit von 10-15 A/s zu ergeben. Nachdem eine
Schicht von ca. 10 000 Å aufgedampft worden ist, wird das
Aufdampfen abgeschaltet, indem ein Verschluß zwischen die
Schale und das Ziel gebracht wird. Der E-Strahl wird
abgeschaltet, so daß das System abkühlen kann, dann wird das
Vakuum aufgehoben und die Kammer geöffnet.
Der abschließende Schritt bei der "Streifen-Metallisierung"
ist die Wiederholung des "Ti-W"-Aufspritzens (Schritt 7), um
ein Metall-"Sandwich" zu erzielen.
Die Schritte 10 bis 12, die im wesentlichen eine
konventionelle BLM-Metallurgie darstellen, werden nachfolgend
beschrieben, aber sie bilden für sich keinen Teil der
vorliegenden Erfindung. Folglich sind die nachstehend
beschriebenen, zwischen dem aus Schichten 18, 19 und 20
bestehenden, dargestellten Kurzschlußbügel befindlichen
Schichten und der Lötkugel in den Zeichnungen nicht
dargestellt.
Die Streifenmaske wird entfernt und durch eine
unterschiedliche Maske ersetzt. Jene Maske besteht aus einer
Anordnung von 101,6 µ großen Löchern, die so angeordnet sind,
daß sie mit den Streifen zusammenfallen. Die Maske wird
optisch ausgerichtet, um eine Zentrierung der Löcher über den
Streifen zu gewährleisten, und die Anordnung wird in einen
"Heizfaden-Aufdampfer" eingesetzt. Dieser Aufdampfer ist mit
drei Aufdampfquellen ausgestattet. Die erste ist ein
schalenförmiges, elektrisch beheiztes Element, in dem sich
Chromkörnchen befinden. Die zweite Schale ist mit
Kupferpellets versehen, und die dritte hat ein einziges
Goldpellet. Zwischen diesen Elementen und den zu
metallisierenden Teilen befindet sich ein Satz von drei
Verschlüssen, wodurch eine genaue Kontrolle der Auftragzeiten
und folglich der -dicke ermöglicht wird.
Die Kammer wird auf ca. 4×10-6 torr abgepumpt. Argon wird in
die Kammer durch ein Nadelventil eingelassen, und der Druck
kann sich bei 10-20 µ stabilisieren. Zu diesem Zeitpunkt wird
ein Feld von 1200 V zwischen der Anordnung und einer
"domartigen", die Anordnung umgebenden Vorrichtung aufgebaut.
Wie vorerwähnt, wird durch das Verfahren die Oberfläche durch
Bombardierung der Oberfläche mit hochenergetischen Argonionen
gereinigt. Die Stromstärke wird auf ca. 0,85 A eingestellt,
und die Ätzung dauert 5 Minuten oder länger an.
Der Argonstrom wird abgebrochen, und der
Metallisierungsvorgang beginnt. Das Chrom wird erhitzt, indem
ein 100-A-Strom für eine Minute durch seinen Heizfaden
geleitet wird, dann wird die Stromstärke allmählich
stufenweise auf 250 Å erhöht. Der Verschluß über diesem
Element wird entfernt, wodurch das Chrom auf die Anordnung
aufdampfen kann. Das Chrom wird aufgedampft, bis eine Schicht
von ca. 1600 Å aufgebracht ist. Das Kupfer wird eingeschaltet,
und die beiden Metalle zusammen aufgedampft, bis eine Schicht
von 700 Å der Mischung erreicht ist. Zu diesem Zeitpunkt wird
das Chrom abgeschaltet. Das Kupfer sollte andauern, bis ca.
5000 Å aufgebracht ist. Dann wird das Kupfer abgeschaltet, und
das Gold wird zur Vervollständigung aufgedampft, ca. 1000 Å.
Das Vakuum wird zurückgenommen und die Anordnung entfernt, die
Maske wird durch eine Maske mit größeren Löchern eines
Durchmessers von ca. 127 µ ersetzt. Diese Maske muß sorgfältig
ausgerichtet werden, so daß jedes Loch über einer 101,6 µ
großen goldbedeckten Stelle zentriert ist. Die Anordnung wird
in einen Hochleistungs "HF-Aufdampfer" geladen, der mit einer
Blei/Zinn-Legierung beladen ist. Das Vakuum wird geschaffen,
und eine Dicke von 101,6-127 µ der Legierung auf die
Vorrichtung aufgedampft. Zu diesem Zeitpunkt werden die Teile
aus der Kammer entfernt und die Maske entfernt.
Die fertiggestellten Kondensatoren wurden geprüft, um die
Haftfestigkeit zu bewerten, die sich aus der Anbringung der
Lötkugeln des Kondensators auf einer ergänzend aufgebauten
Reihe von metallisierten Polstern ergibt. Insbesondere wurden
die Lötkugeln der fertiggestellten Kondensatoren in Berührung
mit einem Tonerde-Substrat gebracht, auf dem eine Reihe von
metallisierten Polstern angebracht waren, die in bezug auf die
Lötkugeln des Kondensators entsprechend im Abstand angeordnet
waren und stark auf dem Substrat hafteten. Die Lötkugeln
wurden in Übereinstimmung mit Standardpraxis einer Erwärmung
unterworfen, um eine Rückströmung und eine Bindung der Kugeln
auf den metallisierten Polstern zu bewirken.
Ein Metallstift wurde auf die Rückseite des Tonerde-Substrats
geklebt. Die Ränder des Kondensators und der Stift des
Substrats wurden einer Trennkraft in einer zu den gepaarten
Oberflächen des Substrats senkrechter Richtung unterworfen,
und der Kondensator und die zur Bewirkung einer Trennung der
besagten Komponenten erforderliche Kraft wurde gemessen. In
allen Fällen ergab sich eine Trennung oder Spaltung an der
Grenzfläche zwischen der Oberfläche des Kondensators und den
Kurzschlußbügeln oder an der Grenzfläche zwischen Lötkugel und
Kurzschlußbügel.
Bei in Übereinstimmung mit dem vorerwähnten Beispiel
gebildeten Kondensatoren waren Kräfte von 0,45 kg oder mehr
erforderlich, um die Trennung zu bewirken, wobei Kräfte von
bis zu 0,68 kg in vielen Fällen auftraten. In der Praxis wird
eine Trennkraft von ca. 0,45 kg als Mindesterfordernis für
einen Kondensator des beschriebenen Typs erachtet.
Die in Beispiel 1 beschriebenen Verfahren wurden genauso, wie
sie dort beschrieben sind, durchgeführt, wobei der einzige
Unterschied darin bestand, daß in Schritt 4 die beim
abschließenden Polierschritt verwendeten Partikel eine
Durchschnittsgröße von 0,5 µ hatten. Wenn die sich ergebenden
Kondensatoren dem vorbeschriebenen Zugtest unterworfen wurden,
stellte sich die Trennung bei einer Durchschnittskraft von
einem Drittel bis zur Hälfte der Kraft ein, die erforderlich
war, um die Trennung der in Übereinstimmung mit Beispiel 1
gebildeten Kondensatoren zu bewirken. Eine Inspektion der
getrennten Oberfläche der entfernten metallischen Komponenten
zeigte eine beträchtliche Keramikmenge, die an der unteren
Oberfläche des Metalls haftenblieb. Aus dieser Beobachtung
wurde geschlossen, daß, während der Dünnfilmauftragsschritt
wirksam Metall auf Inkremente der keramischen Oberfläche
aufbrachte, die relativ schlechte Haftung des Kurzschlußbügels
auf dem Keramiksubstrat insgesamt darauf zurückzuführen war,
daß sich Inkremente der Keramik von anderen Inkrementen der
Keramik lösten.
Als weiterer Kontrollversuch wurde der abschließende
Polierschritt unter Verwendung von Partikeln einer Korngröße
von 20 µ durchgeführt. Insbesondere wurden die
vorbeschriebenen Schritte 1-12 genau in Übereinstimmung mit
Beispiel 1 durchgeführt mit dem einzigen Unterschied, daß der
abschließende Polierschritt darin bestand, die
Kondensatoroberfläche während einer Minute unter Verwendung
einer Korngröße von 20 µ zu polieren. Die sich ergebende
Haftung des Metalls auf der Keramik wurde wie beschrieben
getestet, und es wurde festgestellt, daß der Kurzschlußbügel
sich vom Substrat unter einer Durchschnittskraft von ca. 0,23
kg trennte, d.h. weniger als 50% der erforderlichen Kraft, um
die Trennung von in Übereinstimmung mit Beispiel 1
hergestellter Kondensatoren zu bewirken. Eine Prüfung der
unteren Oberfläche des Metalls zeigte wiederum beträchtliche
anhaftende Inkremente von Keramik darauf, was bedeutete, daß
die Bindung von Metall auf Keramik in einzelnen Bereichen der
Grenzfläche wirksam war und daß eine Haftungsschwäche des
Metalls auf der Keramik durch die Schwäche verursacht wurde,
mit der Inkremente der Keramik an anderen Inkrementen der
Keramik hafteten, was eine Trennkraft in Richtung senkrecht
zur Oberfläche der Keramik betraf.
Ein anderer im Zusammenhang mit der Verwendung einer
20-µ-Abschlußpolierung bemerkter Effekt war die Porosität der
wie beschrieben gebildeten Lötkugel. Diese Porosität wurde dem
Lufteinschluß an der Grenzfläche zwischen dem aufgebrachten
Metall und dem Lötmittel infolge der relativ rauhen Oberfläche
des Kurzschlußbügels zugeschrieben. Versuche mit noch gröberen
Polierkörnern zeigten den Tatbestand von zunehmend poröseren
Lötkugeln und eine Tendenz der Kugel, sich von dem auf dem
Kondensator aufgetragenen Metall zu trennen.
Es wurde herausgefunden, daß die speziellen Schleifmittel in
Übereinstimmung mit Schritt 4 geändert werden können, ohne daß
dadurch der vorbeschriebene hohe Widerstand gegen Trennung
wesentlich geändert würde. Insbesondere wurde das in Nr. 4
oben angegebene abschließende Polieren durchgeführt, indem die
die Kondensatoren tragende Platte in eine wäßrige Lösung einer
Korngröße von 5 µ getaucht wurde, wobei ein
Ultraschallschütteln von 50 W verwendet wurde, während die
Einrichtung mit ca. 1 Upm (mit der polierten Oberfläche nach
unten) langsam gedreht wurde. Nach 5 Minuten wurde die Platte
herausgenommen, mit sauberem Wasser gespült, und die
Kondensatoren wurden demontiert und in Übereinstimmung mit den
Schritten 4 bis 12 behandelt. Die Ergebnisse von
Trennungstests waren im wesentlichen gleich den von in
Übereinstimmung mit Beispiel 1 gebildeten Kondensatoren
aufgewiesenen Ergebnissen.
Im wesentlichen gleiche Ergebnisse wurden erzielt, wenn
Schritt 4 in dem Ausmaß geändert wurde, daß
Durchschnittskrongrößen von 5 µ in einem Luftstrom gegen die
freiliegenden Oberflächen der Kondensatoren vorwärtsgetrieben
wurden.
Wie oben kurz beschrieben hat es sich als höchst wünschenswert
herausgestellt, Metallisierungsmaterialien und -stärken
innerhalb vorbestimmter Bereiche zu verwenden. Als ein
bevorzugtes erstes oder Basismetallisierungsmaterial wird eine
Legierung aus Titan und Tungsten (90% Tungsten) bevorzugt,
obwohl eine reine Chrommetallisierung erfolgreich verwendet
worden ist. Es wurde festgestellt, daß, wenn die
Anfangsbeschichtung ungebührlich dünn ist, d.h. weniger als
1000 Å, sie eine Migration nicht stoppen kann und daß, wenn
die Beschichtung ungebührlich dick ist, d.h. größer als 8000 Å,
sie wegen der unterschiedlichen Wärmedehnungscharakteristiken
des Metalls und der Keramik nicht die erforderliche
Flexibilität aufweist, um einer Trennung zu widerstehen. Es
wurde weiterhin herausgefunden, daß, wenn die metallisierte
Beschichtung über einer rauhen Keramikoberfläche angebracht
wird, wie sie gebildet würde, wenn die Beschichtung direkt
über der gebrannten Oberfläche aufgebracht würde oder
ungebührlich grobe Korngrößen im abschließenden Schleifschritt
verwendet würden, der Widerstand des Kurzschlußbügels über
seine Länge unannehmbar hoch sein wird wegen der Tatsache, daß
die wirksame, sich aus dem Vorliegen von Spitzen und Tälern
ergebende Gesamtlänge des Kurzschlußbügels bedeutend größer
sein wird als dort, wo dieser über einer im wesentlichen
glatten Oberfläche gebildet wird. Als Beispiel wird ein in
Übereinstimmung mit den Schritten 6 bis 9 gebildeter
Kurzschlußbügel genannt, der direkt über der gebrannten
Oberfläche des Kondensators aufgebracht wird und einen
Widerstand aufweist, der vier mal größer ist als der
Widerstand des Kurzschlußbügels über der erfindungsgemäß
polierten Oberfläche. Zusätzlich resultiert die Rauhigkeit
eines unmittelbar über einer gebrannten (unpolierten) Keramik
angebrachten Kurzschlußbügels in einem schlechten Kontakt
zwischen der Lötkugel und dem Kurzschlußkontakt mit einer sich
daraus ergebenden zehnfachen Erhöhung des Widerstands an der
Grenzfläche von Kurzschlußbügel und Lötkugel.
Wie aus dem Vorhergehenden ersichtlich, ist vorstehend ein
neues Verfahrens zum Anbringen eines Kurzschlußbügels auf die
freiliegenden Tabs eines Keramikkondensators beschrieben. Die
Erfindung wird zum großen Teil aufgrund der Feststellung
prädiziert, daß unerwarteterweise die Haftung einer (oder
mehrerer) im Vakuumverfahren aufgebrachten Dünnfilmschicht
oder -schichten auf der Oberfläche eines
Keramik-Tab-Kondensators wesentlich durch die Größe des bei
der Durchführung des abschließenden Polierschrittes
verwendeten Poliermittels beeinflußt wird. Insbesondere
resultiert die Verwendung einer
Oberflächenbehandlungskorngröße oberhalb oder unterhalb des
hierin definierten kritischen Bereiches in einer schlechten
Haftung des Kurzschlußbügels, während völlig überraschend die
Verwendung von Körnungen innerhalb des vorbestimmten Bereiches
die Haftung von Keramik und Kurzschlußbügel beträchtlich
erhöht. Der Zusammenhang von Haftung und kritischer Korngröße
wird als völlig unerwartet und überraschend betrachtet und
resultiert in der Bildung eines Tab-Kondensators von niedriger
Induktivität, der bedeutend überlegene physikalische
Eigenschaften gegenüber vorbekannten Kondensatoren dieses Typs
hat. Das Verfahren schafft ein vereinfachtes Mittel zum
Abschließen solcher Kondensatoren gegenüber bekannten
Verfahren, die die Verwendung von Lötsperren, Nuten,
aufeinanderfolgender Metallisierungs- und Sägeverfahren u.ä.
bedingen.
Während das Konzept oder die Idee der Verwendung eines
Vakuumauftrags zur Durchführung der Metallisierung von
Tab-Kondensatoren aus gesinterter Keramik und mit niedriger
Induktivität im angezogenen Stand der Technik vorgeschlagen
worden ist, gilt die Überzeugung, daß keine wirtschaftlich
wirksame Methode zur Verwirklichung eines solchen Konzepts
bisher bekannt ist.
Wie für den mit der vorliegenden Offenbarung bekannt gemachten
Fachmann offensichtlich, können zahlreiche Änderungen in den
Einzelheiten der vorstehend beschriebenen Schritte
durchgeführt werden, ohne vom Geist der Erfindung abzuweichen.
Daher ist die Erfindung im Umfang der beigefügten Ansprüche
weit auszulegen.
Claims (5)
1. Verfahren zum Abschließen eines hochwertigen
Keramikkondensators des Tab-Typs mit niedriger Induktivität
durch Dünnfilm-Vakuum-Auftragstechniken, wobei der
Kondensator nebeneinander angeordnete leitende Tabs auf
einer ersten Oberfläche des Kondensators hat, umfassend die
Schritte
- - des Abschleifens dieser ersten Oberfläche des gesinterten Kondensators, um eine im allgemeinen glatte Konfiguration zu bilden,
- - des nachfolgenden Polierens der Oberfläche unter Verwendung eines Schleifpoliermittels mit einer Durchschnittspartikelgröße im Bereich von ca. 2 µ bis ca. 10 µ,
- - des nachfolgenden Maskierens der Oberfläche, um Teile davon abzudecken, während andere Teile in Übereinstimmung mit ausgesuchten Teilen von Tabs freigelegt werden
- - und des nachfolgenden Auftragens einer oder mehrerer Metallschicht/en auf der Oberfläche durch die Maske mittels einer Vakuumauftragstechnik.
2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch die
Aufbringung mindestens einer Metallschicht mit einer
kombinierten Dicke im Bereich von ca. 5000 Å bis 40 000 Å.
3. Verfahren nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch die
Aufbringung einer Metallbeschichtung aus einer ersten
Schicht, die im wesentlichen aus einer unmittelbar auf der
Oberfläche angebrachten Tungsten- und Titan-Legierung
besteht, einer zweiten Schicht, die im wesentlichen aus
über der ersten Schicht aufgebrachtem Aluminium und einer
dritten Schicht, die im wesentlichen aus Tungsten- und
Titan-Legierung besteht, die über der zweiten Schicht
aufgebracht wird.
4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß
mindestens eine dreidimensionale Lötmasse verwendet wird,
um an ausgewählten Stellen die Metallschicht durch die
Maske zu verbinden.
5. Kondensator, hergestellt gemäß dem Verfahren nach
mindestens einem der Ansprüche 1 bis 4.
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