DE3878465T2 - Methode zum reinigen von alkylseleniden und alkyltelluriden. - Google Patents
Methode zum reinigen von alkylseleniden und alkyltelluriden.Info
- Publication number
- DE3878465T2 DE3878465T2 DE8989900285T DE3878465T DE3878465T2 DE 3878465 T2 DE3878465 T2 DE 3878465T2 DE 8989900285 T DE8989900285 T DE 8989900285T DE 3878465 T DE3878465 T DE 3878465T DE 3878465 T2 DE3878465 T2 DE 3878465T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- adduct
- alkyl
- tellurium
- process according
- purification process
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims 2
- OKIIEJOIXGHUKX-UHFFFAOYSA-L cadmium iodide Chemical compound [Cd+2].[I-].[I-] OKIIEJOIXGHUKX-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 28
- KPWJBEFBFLRCLH-UHFFFAOYSA-L cadmium bromide Chemical compound Br[Cd]Br KPWJBEFBFLRCLH-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 26
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 25
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims description 20
- ILXWFJOFKUNZJA-UHFFFAOYSA-N ethyltellanylethane Chemical compound CC[Te]CC ILXWFJOFKUNZJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 12
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 12
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 11
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- -1 isopropyl tellurium Chemical compound 0.000 claims description 7
- 229910021595 Copper(I) iodide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- LWJROJCJINYWOX-UHFFFAOYSA-L mercury dichloride Chemical compound Cl[Hg]Cl LWJROJCJINYWOX-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 4
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims description 3
- YFDLHELOZYVNJE-UHFFFAOYSA-L mercury diiodide Chemical compound I[Hg]I YFDLHELOZYVNJE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 3
- VMQMZMRVKUZKQL-UHFFFAOYSA-N Cu+ Chemical compound [Cu+] VMQMZMRVKUZKQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000002170 ethers Chemical group 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 2
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 41
- 239000000047 product Substances 0.000 description 20
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 18
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 11
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 8
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N methyl cyanide Natural products CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 8
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 8
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 8
- 229940075417 cadmium iodide Drugs 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004452 microanalysis Methods 0.000 description 4
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- HNUALPPJLMYHDK-UHFFFAOYSA-N C[CH]C Chemical compound C[CH]C HNUALPPJLMYHDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 description 3
- MCMSPRNYOJJPIZ-UHFFFAOYSA-N cadmium;mercury;tellurium Chemical compound [Cd]=[Te]=[Hg] MCMSPRNYOJJPIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- GCZWLZBNDSJSQF-UHFFFAOYSA-N 2-isothiocyanatohexane Chemical compound CCCCC(C)N=C=S GCZWLZBNDSJSQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- LSXDOTMGLUJQCM-UHFFFAOYSA-M copper(i) iodide Chemical compound I[Cu] LSXDOTMGLUJQCM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001649 bromium compounds Chemical class 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- PSLIMVZEAPALCD-UHFFFAOYSA-N ethanol;ethoxyethane Chemical compound CCO.CCOCC PSLIMVZEAPALCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000004508 fractional distillation Methods 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004694 iodide salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000003039 volatile agent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C391/00—Compounds containing selenium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C395/00—Compounds containing tellurium
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Description
- Diese Erfindung betrifft Verfahren zur Reinigung von Tellur- und Selenalkylen, insbesondere der Dialkyle dieser Metalle.
- Tellur- und Selenalkyle sind wichtige Verbindungen, die in der Halbleiterindustrie verwendet werden, beispielsweise zur Herstellung von Cadmium-Quecksilber-Tellurid (CMT), das für optoelektronische Anwendungen eingesetzt wird. In vielen solchen Verwendungen werden die Alkyle zersetzt, gewöhnlich thermisch, um das Element herzustellen, das dann selbst auf einem Substrat aufgebracht oder mit anderen Elementen in Verbindungen kombiniert wird. Ein sehr wichtiges Erfordernis solcher Alkyle liegt darin, daß sie extrem rein sein müssen, da das Vorhandensein selbst kleinster Mengen von Verunreinigungen, beispielsweise im Bereich von 1 ppm, einen schädlichen Einfluß auf die Eigenschaften des Halbleiters haben kann.
- Gegenwärtige Methoden der Reinigung von Tellur- und Selenalkylen umfassen im allgemeinen fraktionierte Destillation und sind nicht in der Lage, die oben erwähnten Reinheitswerte ohne weiteres zu erreichen. Ein anderes bekanntes Verfahren der Reinigung von Metallalkylen umfaßt die Bildung eines Addukts, das Eigenschaften hat, die seine Zersetzung in solcher Weise ermöglichen, daß das reine Alkyl als Zersetzungsprodukt gebildet wird.
- Die Verwendung von Addukten auf diese Weise zur Reinigung von Tellur- und Selenalkylen ist bisher unbekannt, obwohl einige Arbeit bereits zur Erforschung verschiedener Addukte dieser Alkyle geleistet worden ist. Beispielsweise erwähnen G. E. Coates, J. Chem. Soc. (1951) S.2003 bis 2013, Challenger & North, J. Chem. Soc. (1934), 1, S. 68 bis 71, Carr und Pearson, J. Chem. Soc. (1938), S. 282, und Ferguson und Loh, Austral. J. Chem. (1973), 26, S. 2615 bis 2622, alle, das diese Addukte verhältnismäßig leicht dissoziieren, aber daß bisher keine solchen bekannt waren, die in solcher Weise dissoziieren, daß man die reinen Alkyle erhält.
- Die vorliegende Erfindung bezweckt die Bewältigung des Problems der bekannten Verfahren zur Reinigung von Tellur- und Selenalkylen durch neue Lösungswege unter Verwendung von Addukten, von denen einige selbst neu sind.
- Gemäß der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Reinigung eines Tellur- oder Selenalkyls vorgesehen, das gekennzeichnet ist durch Bildung eines Addukts des Alkyls mit mindestens einer Verbindung eines Metalls der Gruppe 11 oder 12 (Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Hg) und thermisches Dissoziieren dieses Addukts, um das Alkyl zu erhalten. Vorzugsweise ist die mindestens eine Verbindung eines Metalls der Gruppe 11 oder 12 eine anorganische Verbindung.
- Das Verfahren eignet sich zur Reinigung aller Tellur- und Selenalkyle, ist aber besonders für die Metalldialkyle geeignet. Die Alkylgruppe kann eine gerade oder verzweigte Kette sein und ist vorzugsweise ein niedrigeres Alkyl, beispielsweise mit bis zu 4 Kohlenstoffatomen. Diese niedrigeren Alkyle sind zur Halbleiterherstellung äußerst brauchbar.
- Bevorzugte Metalle der Gruppe 11 oder 12 sind Cadmium, Quecksilber und Kupfer. Die Verbindung ist vorzugsweise ein Halogenid oder Nitrat, höchst vorzugsweise handelt es sich um Halogenide, nämlich Bromide, Chloride Jodide. Die meist bevorzugten Verbindungen sind daher CuI, CdI&sub2;, CdBr&sub2;, HgCl&sub2;, Cu&sub2;I&sub2;, HgI&sub2;.
- Vorzugsweise wird das Verfahren in folgender Weise ausgeführt:
- i) Eine Lösung des Alkyls in einem geeigneten Lösungsmittel wird zubereitet und diese wird einer Lösung der Metallverbindung in einem geeigneten Lösungsmittel, vorzugsweise in einem organischen Lösungsmittel, zugegeben.
- Bevorzugte Lösungsmittel sind in beiden Fällen polare aliphatische organische Lösungsmittel mit 1 bis 10 Kohlenstoffatomen, vorzugsweise 1 bis 5 Kohlenstoffatomen. Es ist wünschenswert, ein Lösungsmittel für das Alkyl zu verwenden, das außerdem in der Lage ist, die Metallverbindung aufzulösen.
- Geeignete Lösungsmittel für das Alkyl umfassen Äther wie beispielsweise THF, jedoch insbesondere Diäthyläther, Alkohole, insbesondere Äthanol, und Nitrile, insbesondere Acetonitrile. Diese Lösungsmittel sind auch für die Metallverbindung geeignet.
- Typischerweise wird das Alkyl in einem Äther aufgelöst und in entsprechender Menge einer Lösung der Metallkomponente in einem Alkohol zugegeben. Vorzugsweise liegen die verwendeten Mengen von Alkyl und der Metallverbindung in annähernd stöchiometrischen Verhältnissen vor.
- ii) Wenn die Reaktion beendet erscheint, können überschüssige Lösungsmittel durch Filtration vom ausgeschiedenen Produkt abgetrennt werden, oder alternativ oder zusätzlich kann die Masse des Lösungsmittels durch Verdampfen abgetrennt werden.
- iii) Das feste Adduktprodukt wird mit einem geeigneten Lösungsmittel gewaschen, beispielsweise mit dem in der Reaktion verwendeten Äther, und überschüssige flüchtige Bestandteile werden im Vakuum entfernt.
- iv) Das Addukt wird thermisch im Vakuum dissoziiert, um das reine Alkyl zu ergeben, das in einem gekühlten Sammler gesammelt werden kann. Geeignete Dissoziationstemperaturen hängen von dem Addukt ab und sind leicht experimentell bestimmbar. Im allgemeinen sind Temperaturen im Bereich von 80ºC bis 150ºC geeignet.
- Vorzugsweise erfolgt die Zubereitung und anschließende Manipulation des Addukts unter einer inerten Atmosphäre, wie beispielsweise Stickstoff.
- Geeignete Bedingungen für die Zubereitung eines bestimmten Tellur- oder Selenalkyls können leicht experimentel entsprechend den obigen Verfahrensgrundsätzen bestimmt werden. Mittels des Verfahrens nach der Erfindung gereinigte Alkyle sind in vielen Fällen in einem Reinheitszustand, der eine direkte Verwendung bei der Herstellung von Halbleitern ermöglicht, beispielsweise beim epitaktischen Niederschlag von CMT.
- Die Erfindung wird nachstehend lediglich beispielsweise beschrieben.
- Die untenstehende Tafel 1 listet verschiedene Addukte, die unter Verwendung des Verfahrens aus den zwei präparativen Beispielen hergestellt wurden, und einige ihrer Eigenschaften auf. Die untenstehende Tafel 2 listet die mikroanalytischen Daten für die verschiedenen Addukte auf.
- Einige der nachstehend beschriebenen Addukte sind neu, nämlich:
- ((C&sub2;H&sub5;)&sub2;Te)&sub2;Cdi&sub2;
- (C&sub2;H&sub5;)&sub2;Te(CdBr&sub2;)&sub2;
- ((C&sub2;H&sub5;)&sub2;Te)&sub2;CdBr&sub2;
- ((iso-C&sub3;H&sub7;)&sub2;Te)&sub2;CdI&sub2;
- ((iso-C&sub3;H&sub7;)&sub2;Te)&sub2;CdBr&sub2;
- (iso-C&sub3;H&sub7;)&sub2;Te.CdI&sub2; Tafel 1: Addukte für die Reinigung von Dialkyltellurverbindungen verwendetes Addukt Thermisches Verhalten (ºC) % Ausbeute an Dialkyltellur schmilzt dissoziiert n ist variabel und die Verbindung kann polymer sein Tafel 2: Zubereitung von Addukten von Re&sub2;Te mit Verbindungen von Metallen der Gruppen 11 oder 12 Dialkyltellur (R&sub2;Te) Metallverbindung MXn Verwendetes Lösungsmittel* R&sub2;Te:MXn Verhältnis im Addukt Analyse (%) ermittelt (theoretisch) Diäthyltellur Di-Isopropyltellur Äthanol Diäthyläther Acetonitril *In jedem Fall wurde eine ätherische Lösung von R&sub2;Te zu dem Metallhalogenid in dem eingegebenen Lösungsmittel zugegeben
- Eine Lösung von Diäthyltellur (25,5 g, 0,1373 gmol) in Diäthyläther (50cm³) wurde tropfenweise in eine Lösung von Cadmiumjodid (24,1 g, 0,065 gmol) in Äthanol (350 cm³) zugegeben, um ein weißes Präzipitat zu erhalten, das bei Erwärmung auf 50ºC aufgelöst wurde. Das Reaktionsgemisch wurde abgekühlt und bei Raumtemperatur während 30 min umgerührt. Das Volumen wurde im Vakuum auf 100 cm³ verringert, und das Produkt wurde in Form weißer Kristalle beim Abkühlen auf -30ºC über Nacht erhalten. Die Kristalle wurden aus dem Reaktionsgemisch durch Filtrieren unter einer Stickstoffatmosphäre und durch mehrmaliges Waschen mit auf 4ºC abgekühltem Petroläther isoliert. Die Kristalle wurden zur Beseitigung irgendwelcher flüchtiger Verunreinigungen während einer Stunde bei Raumtemperatur unter Vakuum gesetzt.
- Mikroanalytische Daten legten nahe, daß das Produkt eine empirische Endformel (Et&sub2;Te)&sub2;CdI&sub2; hat.
- Daß reine Addukt, (Et&sub2;Te)&sub2;CdI&sub2; (34,95 g, 0,0473 gmol) wurde dann auf 100ºC erhitzt. Reines Diäthyltellur destillierte und wurde im Vakuum in einer Kühlfalle gesammelt (11,00 g, 0,0592 gmol, 62,52% Ausbeute). Es zeigte sich, daß das Addukt zwischen 85ºC und 90ºC dissoziiert.
- Eine Lösung von Diäthyltellur (6,6g, 0,0355 gmol) in Diäthyläther (25 cm³) wurde tropfenweise in eine Lösung von Kupfer(I)Jodid (3,5 g, 0,0183 gmol) in Acetonitril (50 cm³) zugegeben. Ein blaßrosafarbenes mikrokristallines Präzipitat bildete sich während der Zugabe. Das überschüssige Diäthyltellur und Acetonitril wurden durch Filtrieren unter einer Stickstoffatmosphäre und durch mehrmaliges Waschen mit auf 4ºC abgekühltem Petroläther abgeschieden. Das erhaltene Addukt wurde während einer Stunde bei Raumtemperatur unter Vakuum gesetzt, um irgendwelche flüchtigen Verunreinigungen zu beseitigen.
- Mikroanalytische Studien ergaben eine empirische Grenzformel (Et&sub2;Te)CuI.
- Das Addukt, (Et&sub2;Te)CuI wurde dann im Vakuum auf 150ºC erhitzt. Reines Diäthyltellur destillierte und wurde in einer Kaltfalle gesammelt. Bis zu 150ºC zeigte sich kein Sublimieren des Addukts. Es zeigte sich, daß die Dissoziierung des Addukts zwischen 110ºC und 130ºC auftritt.
- Eine Lösung von Di-Isopropyltellur (26,34 g, 0,1253 gmol) in Diäthyläther (150 cm³) wurde tropfenweise zu einer Lösung von Cadmiumjodid (22,50 g, 0,0614 gmol) in Äthanol (200 cm³) zugegeben. Das Reaktionsgemisch wurde über Nacht auf -30ºC abgekühlt und das Produkt in Form weißer Nadelkristalle erhalten. Die Kristalle wurden von dem Reaktionsgemisch durch Filtrieren unter einer Stickstoffatmosphäre und mehrmaliges Waschen mit auf 4ºC vorgekühltem Petroläther isoliert. Die Kristalle wurden während einer Stunde bei Raumtemperatur unter Vakuum gesetzt, um irgendwelche flüchtige Verunreinigungen zu beseitigen. Die Gesamtausbeute betrug 25,14 g (51,47%). Die Mikroanalyse der Kristalle legte nahe, daß das Produkt eine empirische Grenzformel (iPrTe)&sub2;(CdI&sub2;) hat.
- Das reine Addukt (iPrTe)&sub2;(CdI&sub2;), (25,14 g, 0,0316 gmol) wurde auf etwa 175ºC erhitzt. Reines Di-Isopropyltellur destillierte und wurde im Vakuum in einer Kühlfalle gesammelt (7,17 g, 0,0335 gmol, 53% Ausbeute). Es zeigte sich, daß das Addukt zwischen 125ºC und 135ºC dissoziiert.
- Eine Lösung von Diäthyltellur (23,32 g, 0,1256 gmol) in Diäthyläther (150 cm³) wurde tropfenweise zu einer Lösung von Cadmiumbromid (CdBr&sub2;, 4H&sub2;O, 88,62 g, 0,2574 gmol)in Äthanol (200 cm³) zugegeben. Während der Zugabe bildete sich ein gelblich-weißes mikrokristallines Präzipitat, das, wie sich gezeigt hat, beim Erwärmen des Reaktionsgemisches auf 50ºC sich wieder auflöst. Die Lösung wurde gekühlt und bei Raumtemperatur während 30 min umgerührt. Das Volumen wurde dann im Vakuum auf etwa 200 cm³ verringert und das produkt wurde beim Kühlen auf -30ºC über Nacht als weiße Kristalle erhalten. Die Kristalle wurden von dem Reaktionsgemisch durch Filtrieren unter einer Stickstoffatmosphäre und durch mehrmaliges Waschen mit auf 4ºC vorgekühltem Petroläther isoliert. Die Kristalle wurden während einer Stunde bei Raumtemperatur unter Vakuum gesetzt, um irgendwelche flüchtigen Verunreinigungen zu beseitigen. Die Gesamtausbeute betrug 93,6 % (85,92 g).
- Die Mikroanalyse der Kristalle legte nahe, daß das Produkt eine empirische Grenzformel (Et&sub2;Te)(CdBr&sub2;)&sub2; hat.
- Das reine Addukt, (Et&sub2;Te)(CdBr)&sub2;, (85,92 g, 0,092 gmol) wurde auf 140ºC erhitzt. Reines Diäthyltellur destillierte und wurde im Vakuum in einer Kühlfalle gesammelt (14,66 g, 0,0789 gmol, 85,85% Ausbeute). Es zeigte sich, daß das Addukt zwischen 80ºC und 90ºC dissoziiert.
- Eine Lösung von Diäthyltellur (4,78 g, 0,025 gmol) wurde tropfenweise zu einer roten Lösung von Quecksilber(II)Jodid (6,16 g, 0,013 gmol) in Äthanol (250 cm³) zugegeben, um ein blaßgelbes kristallines Produkt zu erhalten. Das Produkt wurde von dem Reaktionsgemisch durch Filtrieren unter einer Stickstoffatmosphäre und durch mehrmaliges Waschen mit auf 4ºC vorgekühltem Petroläther isoliert. Die Kristalle wurden während einer Stunde bei Raumtemperatur unter Vakuum gesetzt, um irgendwelche flüchtige Verunreinigungen zu beseitigen.
- Mikroanalytische Daten legten nahe, daß das Produkt eine empirische Grenzformel (Et&sub2;Te)&sub2;HgI&sub2; hat.
- Das reine Addukt (Et&sub2;Te)&sub2;HgI&sub2;, (5,90 g, 7,146 mmol) wurde auf 150ºC erhitzt. Reines Diäthyltellur destillierte und wurde im Vakuum in einer Kühlfalle gesammelt, die auf -196ºC gehalten wurde (1,22g, 6,573 mmol, 46,99% Ausbeute). Es zeigte sich, daß das Addukt zwischen 120ºC und 140ºC dissoziiert.
- Eine Lösung von Diäthyltellur (5,71 g, 0,0307 gmol) wurde tropfenweise zu einer Lösung von Quecksilber(II)Chlorid (7,39 g, 0,0272 gmol) in Diäthyläther (250 cm³) zugegeben, um ein blaßgelbes kristallines Produkt zu erhalten. Das Produkt wurde von dem Reaktionsgemisch durch Filtrieren unter einer Stickstoffatmosphäre und durch mehrmaliges Waschen mit auf 4ºC vorgekühltem Petroläther isoliert. Die Kristalle wurden während einer Stunde bei Raumtemperatur unter Vakuum gesetzt, um irgendwelche flüchtigen Verunreinigungen zu beseitigen.
- Mikroanalytische Daten legten nahe, daß das Produkt eine empirische Grenzformel Et&sub2;TeHgCl&sub2; hat.
- Das reine Addukt, Et&sub2;TeHgCl&sub2;, (11,65 g, 0,0254 gmol) wurde dann auf 120ºC erhitzt. Reines Diäthyltellur destillierte und wurde im Vakuum in einer Kühlfalle gesammelt, die auf der Temperatur flüssigen Stickstoffs gehalten wurde. Es zeigte sich, daß das Addukt bei ca. 100ºC schmilzt und zwischen 100ºC und 120ºC dissoziiert.
- Eine Lösung von Di-Isopropyltellur (61,48 g, 0,288 gmol) in Diähtyläther (50 cm³) wurde tropfenweise zu einer Lösung von Cadmiumjodid (130,58 g, 0,3565 gmol) in Äthanol (ca. 250 cm³) zugegeben, was eine klare orangefarbene Lösung ergab. Das Reaktionsgemisch wurde über Nacht auf -30ºC gekühlt und das Produkt wurde in Form weißer nadelförmiger Kristalle erhalten. Diese Kristalle wurden von dem Reaktionsgemisch durch Filtrieren unter einer Stickstoffatmosphäre und mehrmaliges Waschen mit auf 4ºC vorgekühltem Petroläther isoliert. Die Kristalle wurden während einer Stunde bei Raumtemperatur unter Vakuum gesetzt, um irgendwelche flüchtigen Verunreinigungen zu beseitigen.
- Die Mikroanalyse des Produkts legte nahe, daß das Produkt eine Grenzzusammensetzung (i-C&sub3;H&sub7;)&sub2;Te.CdI&sub2; hat.
- Das reine Addukt (192,06 g, 0,331 mol) wurde auf ca. 130ºC erhitzt. Reines Di-Isopropyltellur destillierte und wurde im Vakuum in einer Kühlfalle gesammelt, die auf -136ºC gehalten wurde. Die Ausbeute betrug 31,26g, 50,81% auf der Basis des anfänglichen (i-C&sub3;H&sub7;)&sub2;Te.
- Eine Lösung von Di-Isopropyltellur (4,62 g, 0,0216 gmol) in Äthanol (50 cm³) wurde tropfenweise zu einer Lösung von Cadmiumbromid (CdBr&sub2;.4H&sub2;O, 9,91 g) in Äthanol (50 cm³) zugegeben. Ein gelb-weißes mikrokristallines Präzipitat bildete sich während der Zugabe. Das Produkt wurde von dem Reaktionsgemisch durch Filtrieren unter einer Stickstoffatmosphäre und durch mehrmaliges Waschen mit auf 4ºC vorgekühltem Petroläther isoliert. Die Kristalle wurden während einer Stunde bei Raumtemperatur unter Vakuum gesetzt, um irgendwelche flüchtigen Verunreinigungen zu beseitigen.
- Die Mikroanalyse der Kristalle legte nahe, daß das Produkt eine Grenzzusammensetzung CdBr&sub2;((i-C&sub3;H&sub7;)&sub2;Te)&sub2; hat.
- Das reine Addukt (2,5 g) wurde auf ca. 125ºC erhitzt. Reines Di-Isopropyltellur destillierte und wurde im Vakuum in einer Kühlfalle gesammelt, die auf -196ºC gehalten wurde. Die Ausbeute betrug 1,00g, 65,56% auf Gewichtsbasis des Addukts.
Claims (13)
1. Verfahren zur Reinigung eines Tellur- oder Selenalkyls,
gekennzeichnet durch Bildung eines Addukts des Alkyls mit
mindestens einer Verbindung eines Metalls der Gruppe 11 oder
12 (Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Hg) und thermisches Dissoziieren
dieses Addukts, um das Alkyl zu erhalten.
2. Reinigungsverfahren nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß das Tellur- oder Selenalkyl ein Dialkyl ist.
3. Reinigungsverfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß jede Alkylgruppe in dem Tellur- oder
Selenalkyl 1 bis 4 Kohlenstoffatome enthält.
4. Reinigungsverfahren nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3,
dadurch gekennzeichnet, daß das Alkyl ein Telluralkyl ist.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Verbindung eines Metalls der Gruppe 11 oder 12 ein Halogenid
oder ein Nitrat hiervon ist.
6. Reinigungsverfahren nach Anspruch 5, dadurch
gekennzeichnet, daß die Metallverbindung ein Chlorid, Bromid oder Jodid
ist.
7. Reinigungsverfahren nach Anspruch 6, dadurch
gekennzeichnet, daß die mindestens eine Verbindung eines Metalls der
Gruppe 11 oder 12 aus CuI, CdI&sub2;, CdBr&sub2;, HgCl&sub2;, Cu&sub2;I&sub2; und
HgI&sub2; ausgewählt ist.
8. Reinigungsverfahren nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß das Addukt durch Reaktion zwischen dem Alkyl und der
Metallverbindung in einem organischen Lösungsmittel gebildet
wird.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das
Lösungsmittel aus Äthern, Alkoholen und Nitrilen und
Gemischen hiervon ausgewählt ist.
10. Reinigungsverfahren nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß das Addukt bei 80ºC bis 150ºC dissoziiert
wird.
11. Reinigungsverfahren nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß das Diäthyltellur durch Bildung eines Addukts
mit einer Verbindung, die aus CdI&sub2;, CdBr&sub2;, HgCl&sub2;, CuI&sub2; und
HgI&sub2; ausgewählt ist, und anschließendes thermisches
Dissoziieren des Addukts und Sammeln des Alkyls gereinigt wird.
12. Reinigungsverfahren nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß das Isopropyltellur durch Bildung eines Addukts
mit einer Verbindung, die aus CdI&sub2; und CdBr&sub2; ausgewählt ist,
und anschließendes thermisches Dissoziieren des Addukts und
Sammeln des Alkyls gereinigt wird.
13. Dialkyltellur-Addukt mit einer aus nachstehendem
ausgewählten Formel:
((C&sub2;H&sub5;)&sub2;Te)&sub2;CdI&sub2;
(C&sub2;H&sub5;)&sub2;Te(CdBr&sub2;)&sub2;
((C&sub2;H&sub5;)&sub2;Te)&sub2;CdBr&sub2;
((i-C&sub3;H&sub2;)&sub2;Te)&sub2;CdI&sub2;
((i-C&sub3;H&sub7;)&sub2;Te)&sub2;CdBr&sub2;
(i-C&sub3;H&sub7;)&sub2;TeCdI&sub2;
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB878728393A GB8728393D0 (en) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | Method of purification of tellurium & selenium alkyls |
PCT/GB1988/001062 WO1989005293A1 (en) | 1987-12-04 | 1988-12-02 | Method for purification of tellurium and selenium alkyls |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3878465D1 DE3878465D1 (de) | 1993-03-25 |
DE3878465T2 true DE3878465T2 (de) | 1993-06-03 |
Family
ID=10628000
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE8989900285T Expired - Fee Related DE3878465T2 (de) | 1987-12-04 | 1988-12-02 | Methode zum reinigen von alkylseleniden und alkyltelluriden. |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0390833B1 (de) |
JP (1) | JPH0830056B2 (de) |
KR (1) | KR0139104B1 (de) |
DE (1) | DE3878465T2 (de) |
GB (2) | GB8728393D0 (de) |
WO (1) | WO1989005293A1 (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB8913799D0 (en) * | 1989-06-15 | 1989-08-02 | Secr Defence | Method for preparation of organotellurium and selenium compounds |
KR101895666B1 (ko) | 2016-05-18 | 2018-09-07 | 주식회사 서일 | 다각모양 음용용기에 대한 스트로 부착 방법 및 부착장치 |
-
1987
- 1987-12-04 GB GB878728393A patent/GB8728393D0/en active Pending
-
1988
- 1988-12-02 KR KR1019890701468A patent/KR0139104B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1988-12-02 JP JP1500945A patent/JPH0830056B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1988-12-02 WO PCT/GB1988/001062 patent/WO1989005293A1/en active IP Right Grant
- 1988-12-02 EP EP89900285A patent/EP0390833B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-12-02 DE DE8989900285T patent/DE3878465T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-12-02 GB GB8828190A patent/GB2213149B/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB8728393D0 (en) | 1988-01-13 |
EP0390833B1 (de) | 1993-02-10 |
WO1989005293A1 (en) | 1989-06-15 |
GB2213149A (en) | 1989-08-09 |
GB2213149B (en) | 1991-07-17 |
KR900700445A (ko) | 1990-08-13 |
JPH0830056B2 (ja) | 1996-03-27 |
GB8828190D0 (en) | 1989-01-05 |
JPH03501481A (ja) | 1991-04-04 |
DE3878465D1 (de) | 1993-03-25 |
KR0139104B1 (ko) | 1998-05-01 |
EP0390833A1 (de) | 1990-10-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2211203A1 (de) | Carbonylierungsverfahren | |
DE1286031B (de) | Verfahren zur Herstellung cyclischer Di-(ª‡,ª‡,ª‡',ª‡')-tetrafluor-p-xylylene | |
DE3882606T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von monohalogeniertem Benzocyclobuten. | |
DE1159949B (de) | Verfahren zur Herstellung Cyclopentadienyl-Metallverbindungen | |
DE3878465T2 (de) | Methode zum reinigen von alkylseleniden und alkyltelluriden. | |
DE69317820T2 (de) | Verfahren zur Herstellung hochreiner Monoalkylphosphine | |
DE4234998C2 (de) | Cyclische Amide des Siliciums und des Germaniums | |
DE2747758A1 (de) | Verfahren zur herstellung von phthaloyldichloriden von hoher reinheit | |
DE2253594A1 (de) | Verfahren zur trennung von tertiaeren polyalkylenpolyaminen | |
DE10100213B4 (de) | Verfahren zur Herstellung von 1,1,1,5,5,5-Hexafluoracetylaceton mit einer Reinheit von wenigstens 99,7% | |
CH462164A (de) | Verfahren zur Herstellung von chlorierten Derivaten des Pyridins | |
DE893197C (de) | Verfahren zur Anreicherung und Trennung der Elemente Niob und Tantal | |
DE3903716A1 (de) | Verfahren zur gleichzeitigen herstellung von n-phosphonomethyl-imino-diessigsaeure und alkylcarbonsaeurechlorid | |
DE1545981C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Alkylen-2,2'-bipyridyliumdichloriden | |
DE1181919B (de) | Verfahren zur Herstellung von hochreinem Arsen | |
DE60219953T2 (de) | Trennung von diastereoisomeren | |
DE2708388A1 (de) | Verfahren zur herstellung von 4,4'- dihydroxydiphenylsulfon | |
DE2259791A1 (de) | Verfahren zur herstellung von thionamiden | |
DE2729843A1 (de) | Verfahren zur rueckgewinnung von tellur bei der herstellung von glykolestern | |
CH654029A5 (de) | Verfahren zur herstellung einer selektiv absorbierenden schicht fuer solarkollektoren. | |
DE919168C (de) | Verfahren zur Herstellung von chlorhaltigen Urethanen | |
DE2802442A1 (de) | Verfahren zum gewinnen und reinigen von carboranverbindungen | |
DE842047C (de) | Verfahren zur Herstellung von Fumarsaeure aus Maleinsaeureanhydrid enthaltenden Gasen, die durch katalytische Dampfphasenoxydation von organischen Verbindungen erhalten werden | |
DE2256039C3 (de) | Herstellung von 1,4-Dicyanbutenen | |
DE1135486B (de) | Verfahren zur Herstellung von Hydrochinon oder Chinhydron |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |