DE3840445A1 - Verfahren und vorrichtung zum zufuehren eines pulvers fuer eine einrichtung zum ziehen von einkristallen - Google Patents

Verfahren und vorrichtung zum zufuehren eines pulvers fuer eine einrichtung zum ziehen von einkristallen

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Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Zuführen eines Pulvers, insbesondere eine Vorrichtung zum kontinuierlichen Zuführen von polykristallinem Siliciumpulver in einen Tiegel, der in einer Einrichtung zum Ziehen von Einkristallen verwendet wird.
Einkristalle aus Silicium können nach der konventionellen Czochralski-Methode (CZ-Methode) hergestellt werden. Bei diesem Verfahren in einem Vakuumschmelzofen einer Einrichtung zum Ziehen von Einkristallen ein Tiegel vorgesehen. Polykristallines Silicium im Tiegel wird zu geschmolzenem Silicium mittels einer ringförmigen Heizung erwärmt, die den Tiegel umrundet. Während des Ziehens eines Einkristalles wird polykristallines Siliciumpulver in den Tiegel zugeführt, so daß eine bestimmte Höhe der Flüssigkeitsoberfläche an geschmolzenem Silicium und die Konzentration an Verunreinigung des geschmolzenen Siliciums konstant gehalten werden. (Es kann beispielsweise die in der japanischen Patentanmeldung Nr. 103 918/86 vom 8. Mai 1986 beschriebene Einrichtung verwendet werden).
Da das zuzuführende polykristalline Siliciumpulver eine Partikelgröße von etwa 100 µm bis etwa 3 mm aufweist, schweben Teile der feinen Partikel, nachdem diese aus einer Versorgungsleitung ausgestoßen wurden, in der Luft und erreichen die Fest-Flüssig-Grenzfläche des Einkristalles, ohne daß sie direkt auf die Flüssigkeitsoberfläche des geschmolzenen Siliciums in dem Tiegel fallen. Als Ergebnis verschlechtert sich die Gleichmäßigkeit des wachsenden Kristalls. Ferner erreichen einige grobe Partikel des Pulvers die nähere Umgebung der Fest-Flüssig-Grenzfläche in einem festen Zustand, ohne daß diese sofort schmelzen.
Die von der Heizung erzeugte Wärme wird von dem seitlichen, umfänglichen Bereich des Tiegels her übertragen und in der geschmolzenen Kristallkomponente findet eine Wärmekonvektion statt. Die Strömungsrichtungen der Wärmekonvektion verlaufen in der Nähe des seitlichen, umfänglichen Bereichs des Tiegels in einer nach oben gerichteten Richtung, in der Nähe der Flüssigkeitsoberfläche der geschmolzenen Kristallkomponente in einer nach innen gerichteten Richtung, in der Nähe der Mittelachse des Tiegels in einer nach unten gerichteten Richtung, und in der Nähe des Bodens des Tiegels in einer nach außen gerichteten Richtung, so daß Wärme, die von der Heizung über den seitlichen, umfänglichen Bereich des Tiegels in die geschmolzene Kristallkomponente übertragen wird, rasch in Richtung Mitte des Tiegels überführt werden kann. Die Temperatur an der Flüssigkeitsoberfläche der geschmolzenen Kristallkomponente liegt daher in der Nähe der Temperatur der Fest-Flüssig-Grenzfläche des Einkristalls im Tiegel. Demzufolge kann das polykristalline Pulver nicht rasch schmelzen. Es ist daher möglich, daß nicht geschmolzenes Pulver mit dem Einkristall, während dieser gezogen wird, vermischt wird, so daß die Qualität des Einkristalles abnimmt.
Es ist Ziel der vorliegenden Erfindung, eine Einrichtung zum Ziehen zu schaffen, bei der ein Pulver, das in einen Tiegel in einer Einkristallziehausstattung gebracht werden soll, direkt auf die Flüssigkeitsoberfläche einer geschmolzenen Kristallkomponente abfallen gelassen werden kann, wobei verhindert werden soll, daß das Pulver derart in der Luft herumwirbelt, daß es bis in die Nähe einer Fest-Flüssig-Grenzfläche eines zu ziehenden Einkristalles dringen kann. Es ist ferner Ziel der vorliegenden Erfindung, eine Einrichtung zum Ziehen von Einkristallen derart zu unterteilen, daß verhindert werden kann, daß ein Oberflächenbereich der Kristallschmelze im Tiegel in der geschmolzenen Kristallkomponente auf die Mitte des Tiegels zu fließen kann.
Erfindungsgemäß wird eine Vorrichtung zum Zuführen eines Pulvers zu einem eine geschmolzene Kristallkomponente enthaltenden Tiegel in einer Einrichtung zum Ziehen von Einkristallen geschaffen, die Mittel zum Auftrennen des Raumes über der Oberfläche der Kristallschmelze in einen ersten und einen zweiten Bereich, sowie Mittel zum Zuführen des Pulvers zum ersten Bereich enthält, wobei der zweite Bereich dazu vorgesehen ist, daß in ihm ein Einkristall aus der Kristallschmelze gezogen wird, und die ferner Mittel zum Halten der Mittel zum Auftrennen aufweist.
Vorzugsweise bestehen die Mittel zum Auftrennen und die Mittel zum Halten aus hochreinem Quarz, und die Mittel zum Halten weisen eine Vielzahl an Stäben auf.
Höchst vorzugsweise enthalten die Mittel zum Auftrennen ein Plattenelement mit rechteckiger Form, das vertikal angeordnet ist. Das Plattenelement ist an eine Pulverzuführleitung befestigt, wobei die Mittel zum Halten zwischen dem Plattenelement und der Leitung angeordnet sind. Beide Seitenkanten der Mittel zum Auftrennen sind im Abstand von, jedoch nahe der inneren Umfangsfläche des Tiegels angeordnet. Die obere Kante des Plattenelements ist oberhalb des Öffnungsendes der Leitung angeordnet, und die untere Kante des Plattenelements ist in einer solchen Höhe über der Flüssigkeitsoberfläche der Kristallschmelze angeordnet, die geringer ist, als der entsprechende Partikeldurchmesser des zugeführten Pulvers. In diesem Fall kann verhindert werden, daß Pulver, das von der Leitung zugeführt wird, in der Luft bis in die unmittelbare Nähe der Fest- Flüssig-Grenzfläche gewirbelt wird, und es ist auch möglich zu verhindern, daß das Pulver, daß auf der Flüssigkeitsoberfläche schwimmt, sich auf die Fest-Flüssig-Grenzschicht zu bewegt. Die untere Kante des Plattenelements kann unterhalb oder in die Flüssigkeitsoberfläche im Tiegel eingetaucht angeordnet sein. Auch in diesem Fall kann verhindert werden, daß das von der Leitung zugeführte Puler, das in der Luft und auf der Flüssigkeitsoberfläche vorhanden ist, sich in die Nähe der Fest-Flüssig-Grenzfläche bewegt. Die Flüssigkeitsoberfläche und der Raum zum Zuführen des kristallinen Materials kann durch die Wärme, die von einer Heizung erzeugt wird, die längs des seitlichen umfänglichen Bereiches des Tiegels angeordnet ist, bei einer hohen Temperatur gehalten werden. Daher kann das von der Leitung zugeführte Pulver rasch geschmolzen werden.
Das Plattenelement kann aus einem halbzylindrischen Element bestehen, das längs einer längsverlaufenden Ebene, die den Durchmesser desselben enthält, geschnitten ist. Das halbzylindrische Element weist einen Krümmungsradius auf, der nicht größer als 80 mm ist, vorzugsweise 40 mm beträgt, falls der Innendurchmesser des Tiegels 40,64 cm (16 inch) beträgt.
Das Plattenelement kann ein halbelliptisches Element sein, das längs einer längsverlaufenden Ebene, die die Hauptachse einschließt, geschnitten ist.
Ebenfalls bevorzugt können die Mittel zum Auftrennen eine ringförmige Wand aufweisen, deren Innendurchmesser größer ist als der Durchmesser des zu ziehenden Einkristalles. Die ringförmige Wand ist koaxial mit dem Tiegel angeordnet, weist ein unteres Ende auf, das unterhalb der Flüssigkeitsoberfläche der Kristallschmelze angeordnet ist, und sie ist mit dem Tiegel durch die Mittel zum Halten zwischen der ringförmigen Wand und dem Tiegel befestigt.
Der Innendurchmesser der ringförmigen Wand ist etwa 160 bis 240 mm, vorzugsweise 200 mm größer als der Durchmesser des zu ziehenden Einkristalles.
Die ringförmige Wand kann eine Vielzahl an Ringen, vorzugsweise zwei Ringen aufweisen, die koaxial mit dem Tiegel in einer Mehrfachanordnung positioniert sind.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand einiger ausgewählter Ausführungsbeispiele in Zusammenhang mit den beiliegenden Zeichnungen näher beschrieben und erläutert. Es zeigt
Fig. 1 eine perspektivische teilweise Ansicht eines ersten Ausführungsbeispiels einer erfindungsgemäßen Vorrichtung,
Fig. 2 eine perspektivische teilweise Ansicht eines weiteren erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiels,
Fig. 3 eine perspektivische Ansicht eines dritten Ausführungsbeispiels einer erfindungsgemäßen Vorrichtung,
Fig. 4 einen vertikalen Schnitt, der die Anordnung eines erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiels einer Vorrichtung zum Ziehen zeigt, und
Fig. 5 eine ausschnittsweise geschnittene Darstellung einer Abwandlung der Anordnung von Fig. 4.
Ein in Fig. 1 dargestellter zylindrischer Quarztiegel 1 (ein schalenförmiger Tiegel) ist von einer (hier nicht dargestellten) ringförmigen Heizung umrundet. Der Tiegel 1 ist in einem luftleeren Raum in einem Vakuumschmelzofen befestigt, der in einer Einrichtung zum Ziehen von Einkristallen verwendet wird. Der Innendurchmesser des Tiegels beträgt 40,64 cm (16 inch). Polykristallines Silicium, das im Tiegel 1 enthalten ist, ist aufgrund der Wärme, die von der Heizung erzeugt wurde, geschmolzen, so daß geschmolzenes Silicium 2 als geschmolzene Kristallkomponente vorliegt. Zur Aufrechterhaltung der Konzentration an Verunreinigungen im geschmolzenen Silicium in konstanter Art und Weise, führen (hier nicht dargestellte) Zuführmittel ein polykristallines Siliciumpulver (kristallines Material) zu einer Flüssigkeitsoberfläche 4 des geschmolzenen Siliciums 2, wie dies durch einen Pfeil 20 angedeutet ist, und zwar durch eine Zuführungsleitung 3 für das kristalline Material, die aus Quarz hergestellt ist und die einen Bohrungsdurchmesser von 10 mm aufweist. Das äußere Ende der Leitung 3 ist in der Nähe des umfänglichen Abschnittes des Tiegels 1 angeordnet. Der Abstand zwischen dem offenen Ende der Leitung 3 und der Flüssigkeitsoberfläche 4 beträgt 20 mm. Die Verteilung der Partikelgröße des zugeführten Pulvers liegt von etwa 100 µm bis etwa 3 mm.
Ein halbzylindrisches Element 6, das aus Quarz hergestellt ist und das als Trennmittel dient, ist durch Quarzstäbe 12 an einen Endbereich der Leitung 3 befestigt, so daß die Leitung 3, die oberhalb der Flüssigkeitsoberfläche 4 angeordnet ist, teilweise umschlossen ist. Das halbzylindrische Element 6 trennt den Raum oberhalb der Flüssigkeitsoberfläche 4 in zwei Räume auf. Derjenige abgetrennte Raum, der die Leitung 3 enthält, stellt den Raum zum Zuführen des kristallinen Materials dar, und der andere abgetrennte Raum stellt den Raum zum Ziehen des Einkristalles dar. Die Leitung 3 und das halbzylindrische Element 6 sind durch Anschmelzen an die Stäbe 12 befestigt.
Das halbzylindrische Element 6 weist vorzugsweise einen Krümmungsradius von 40 mm, eine Höhe von 50 mm und eine Plattenstärke von 3 mm auf. Der Durchmesser jedes Stabes 12 beträgt 5 mm.
Das halbzylindrische Element 6 ist derart angeordnet, daß ein geringer Abstand zwischen den beiden Seitenkanten des halbzylindrischen Elements 6 und der inneren umfänglichen Fläche des Tiegels 1 gebildet ist. Der Abstand zwischen der unteren Kante des halbzylindrischen Elementes 6 und der Flüssigkeitsoberfläche 4 ist geringer als der Durchmesser der feinen Teile, die im zugeführten Pulver enthalten sind. Als Ergebnis wird nicht nur ein Drehen des Tiegels 1 ermöglicht, sondern es ist auch erreicht, daß kein Pulver außerhalb des halbzylindrischen Elements 6 in der Luft schwebt oder wirbelt, d. h., daß kein Pulver bis zur Fest-Flüssig-Grenzfläche des zu ziehenden Einkristalles (nicht dargestellt) gelangt.
Die untere Kante des halbzylindrischen Elements 6 kann, vorzugsweise 5 mm in das geschmolzene kristalline Material 2 eintauchen. Wird derart verfahren, so ist nicht nur möglich, den Tiegel 1 zu drehen, sondern es kann auch verhindert werden, daß Pulver aus der Leitung 3 in der Luft auf der Flüssigkeitsoberfläche 4 außerhalb des halbzylindrischen Elements 6 befindlich ist, d. h., daß dieses nicht bis zur Fest-Flüssig- Grenzfläche eines zu ziehenden Einkristalles (nicht dargestellt) gelangt. Zusätzlich kann das geschmolzene Silicium 2, das innerhalb des halbzylindrischen Elements 6 angeordnet ist, durch die von der Heizung erzeugte Wärme bei einer hohen Temperatur gehalten werden. Demzufolge kann das von der Leitung 3 zugeführte Pulver rasch geschmolzen werden.
Ein anderes Ausführungsbeispiel der Erfindung wird unter Bezugnahme auf Fig. 2 beschrieben. In Fig. 2 werden gleiche Bauteile wie in Fig. 1 mit denselben Bezugsziffern versehen und eine Erläuterung ihres Aufbaus und ihrer Struktur wird unterlassen.
Eine in Fig. 2 dargestellte gekrümmte Platte 8 ist aus Quarz hergestellt und dient als Mitel zum Auftrennen. Die Platte 8 weist einen Krümmungsradius von etwa 180 mm, eine horizontale Länge von 150 mm, eine Höhe von 40 mm und eine Plattenstärke von 3 mm auf. Sie weist einen bogenförmigen Plattenabschnitt 7 auf, der vertikal und koaxial mit dem Tiegel 1 angeordnet ist. Sie enthält ferner zwei ebene Plattenabschnitte 9, 9′, die jeweils an den beiden seitlichen Enden des bogenförmigen Plattenabschnittes 7 angeordnet sind, einstückig mit diesem ausgebildet und sich schräg von der äußeren umfänglichen Seite des bogenförmigen Plattenabschnittes 7 weg erstrecken. Jeder der ebenen Plattenabschnitte 9, 9′ weist eine horizontale Länge von 30 mm, eine Höhe von 40 mm und eine Plattenstärke von 3 mm auf. Der bogenförmige Plattenabschnitt 7 ist durch die Stäbe 12 an der Leitung 3 befestigt und sie trennt den Raum oberhalb der Flüssigkeitsoberfläche 4 in zwei Räume auf. Derjenige abgetrennte Raum, der die Leitung 3 enthält, stellt den Raum zum Zuführen des kristallinen Materials dar und der andere Raum dient zum Ziehen des Einkristalles. Der Abstand zwischen dem Tiegel 1 und dem bogenförmigen Plattenabschnitt 7 ist derart, daß ein geringer Abstand zwischen jeder Seitenkante des ebenen Plattenabschnittes 9 bzw. 9′ und der inneren umfänglichen Wandung des Tiegels 1 geschaffen ist. Die untere Kante der gekrümmten Platte ist, vorzugsweise 5 mm, in die geschmolzene Kristallkomponente 2 eingetaucht.
Das Ausführungsbeispiel von Fig. 2 hat dieselben Auswirkungen, wie dies durch die Materialzuführungsleitung von Fig. 1 erreicht wird. Die gekrümmte Platte 8 hat den zusätzlichen Effekt, daß bei einem Drehen des Tiegels 1 die geschmolzene Kristallkomponente 2 sich im Hinblick auf den bogenförmigen Plattenabschnitt 7 sanft im Kreis bewegen kann, da der bogenförmige Plattenabschnitt 7 längs des Umfanges des Tiegels 1 angeordnet ist.
Bei einem in Fig. 3 dargestellten Ausführungsbeispiel ist ein äußerer Ring 10 (Ringwand) aus Quarz hergestellt, weist eine Stärke von 3 mm, einen Innendurchmesser von 375 mm und eine Höhe von 20 mm auf. Ein innerer Ring 11 (Ringwand) ist aus Quarz hergestellt und weist eine Stärke von 3 mm, einen Innendurchmesser von 325 mm und eine Höhe von 20 mm auf. Der innere Ring 11 verläuft koaxial mit dem äußeren Ring 10. Der äußere Ring 10 und der innere Ring 11 sind durch vier Stäbe 13, die aus Quarz bestehen und die in regelmäßigen Abständen angeordnet sind, miteinander verbunden. Der Durchmesser jedes Stabes 13 beträgt 5 mm. Die Stäbe 13 sind an die Ringe 10 bzw. 11 durch Anschmelzen befestigt. An der äußeren Umfangsfläche des äußeren Ringes 10 sind vier Stäbe 14 in entsprechender Anordnung, wie die Stäbe 13, durch Schweiß- oder Schmelzmittel befestigt. Die Stäbe 13 bzw. 14 erstrecken sich in radialen Richtungen. Jeder der Stäbe 14 weist einen Durchmesser von 5 mm auf und ist aus Quarz hergestellt.
Wie aus Fig. 4 zu entnehmen, sind die Ringe 10 bzw. 11 dadurch im Tiegel 1 gehalten, daß die Enden der Stäbe 14 an der inneren umfänglichen Wand des Tiegels 1 durch Verschweißen oder Verschmelzen befestigt sind.
Alternativ dazu können, wie in Fig. 5 dargestellt, die Enden der Stäbe 14 in entsprechende Nuten 17, die im Tiegel 1 eingeformt sind, eingeschoben werden, so daß dadurch diese in ihrer Lage fixiert sind.
In der jeweiligen festen Lage der Stäbe 14 sind die Ringe 10 bzw. 11 derart in vertikaler Richtung positioniert, daß die Flüssigkeitsoberfläche 4 der geschmolzenen Kristallkomponente 2 im Tiegel 1 etwa auf der halben Höhe der Ringe 10 bzw. 11 zum Liegen kommt, wobei die Ringe den Raum oberhalb der Flüssigkeitsoberfläche 4 in drei Räume aufteilen. Derjenige abgetrennte Raum, der die Leitung 3 aufnimmt, ist der Raum zum Zuführen des kristallinen Materials. Derjenige Raum, der die Mitte des Tiegels 1 einschließt, dient zum Ziehen eines Einkristalls 15.
Die Flüssigkeitsoberfläche 4 wird dabei so gesteuert, daß sie auf einem konstanten Niveau gehalten wird, so daß verhindert wird, daß sich die Flüssigkeitsoberfläche 4 nach unten bewegt, während sich das geschmolzene Silicium in den festen Zustand beim Ziehen des Einkristalles 15 umwandelt. Dazu wird beispielsweise eine kontrollierte Menge an polykristallinem Siliciumpulver 5 durch eine Leitung 3 in den Tiegel 1 geführt, wobei dies durch nicht dargestellte Mittel zum Zuführen von polykristallinem Siliciumpulver erfolgt. Der Abstand zwischen dem Boden des Tiegels 1 und den unteren Enden der Ringe 10 bzw. 11 ist derart, daß die Wärmekonvektion des unterhalb der unteren Enden der Ringe 10, 12 gelegenen geschmolzenen Siliciums ohne Behinderung im gesamten horizontalen Querschnittsbereich des geschmolzenen Siliciums 2 stattfinden kann, wie dies in Fig. 4 durch Pfeile 18 angedeutet ist. Die Größenverteilung der Partikel des Pulvers 5 bewegt sich zwischen 100 µm und etwa 3 mm.
In der Nähe eines zwischenliegenden Bereiches der Leitung 3 ist eine elektrische Heizung 16 angeordnet, um das Pulver 5, das durch die Leitung 3 gefördert wird, zu erwärmen, so daß das Pulver 5 einfach und rasch im Tiegel 1 geschmolzen werden kann.
Die Arbeitsweise des Tiegels und seiner zugehörigen Elemente wird nachfolgend erläutert.
Erzeugt die (hier nicht dargestellte) um den Tiegel 1 angeordnete ringförmige Heizung Wärme, so wird ein Wärmekonvektionsstrom 18 im geschmolzenen kristallinen Silicium oder der Komponente 2 im Tiegel 1 erzeugt. Aufgrund der Tatsache, daß die Ringe 10, 11 etwa 10 mm in die geschmolzene Komponente 2 eingetaucht sind, kann durch die Ringe 10 bzw. 11 die Wärmekonvektion in die nach innen gerichtete Richtung am Oberflächenbereich der geschmolzenen kristallinen Komponente 2 behindert werden. Daher kann Wärme, die von der Heizung durch die seitlichen Umfangsbereiche des Tiegels 1 auf die geschmolzene kristalline Komponente 2 übertragen wird, daran gehindert werden, in die Nähe der Fest-Flüssig-Grenzfläche des zu ziehenden Einkristalles 15 weiter überführt zu werden. Als Ergebnis wird erhalten, daß die Temperatur insbesondere in einem Oberflächenbereich der geschmolzenen kristallinen Komponente 2 zwischen der äußern Fläche des Ringes 10 und der inneren Oberfläche des Tiegels 1 erhöht wird.
Demzufolge kann, falls das Pulver 5 durch die Leitung 3 in den Raum zwischen dem Ring 10 und dem Tiegel 1, wie es in Fig. 4 dargestellt ist, zugeführt wird, das Pulver rasch im Oberflächenbereich der geschmolzenen Kristallkomponente geschmolzen werden.
Wenn auch die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen in Zusammenhang mit den beiligenden Zeichnungen beschrieben wurde, ist selbstverständlich, daß die Erfindung nicht auf die Detaills der Beschreibung beschränkt wird oder anderweitig spezifiziert ist, sondern die Erfindung ist in einem solchen breiten Rahmen zu verstehen, wie er durch die beiliegenden Ansprüche umgrenzt ist.

Claims (21)

1. Vorrichtung zum Zuführen eines Pulvers (5) zu einem eine geschmolzene Kristallkomponente (2) enthaltenden Tiegel (1) in einer Einrichtung zum Ziehen von Einkristallen (15), mit
  • a) Mittel zum Auftrennen des Raumes über der Oberfläche der geschmolzenen Kristallkomponente (2) in einen ersten und einen zweiten Bereich,
  • b) mit Mittel zum Zuführen des Pulvers (5) zum ersten Bereich, wobei der zweite Bereich dazu vorgesehen ist, daß in ihm ein Einkristall (15) aus der geschmolzenen Kristallkomponente (2) gezogen wird, und
  • c) mit Mittel zum Halten der Mittel zum Auftrennen.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der die Mittel zum Auftrennen und die Mittel zum Halten aus Quarz hergestellt sind.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, bei der die Mittel zum Halten eine Vielzahl an Stäben (12, 13, 14) aufweisen, die die Mittel zum Trennen mit den Mitteln zum Zuführen verbinden.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei der die Mittel zum Auftrennen ein rechteckförmiges Plattenelement (6, 7, 8) aufweisen, das vertikal angeordnet ist, und daß die Mittel zum Zuführen eine Leitung (3) aufweisen.
5. Vorrichtung nach Anspruch 4, bei der die Mittel zum Halten eine Vielzahl an Stäben (12) aufweisen, die zwischen dem plattenförmigen Element (6, 7, 8) und der Leitung (3) angeordnet sind und diese miteinander verbinden.
6. Vorrichtung nach Anspruch 5, bei der beide Seitenkanten der Mittel zum Auftrennen mit geringem Abstand zur inneren Umfangsfläche des Tiegels (1) angeordnet sind, bei der die obere Kante des Plattenelements (6, 7, 8) oberhalb des offenen Endes der Leitung (3) angeordnet ist, und bei der die untere Kante des Plattenelements (6, 7, 8) in einem geringeren Abstand von der Oberfläche (4) der geschmolzenen Kristallkomponente (2) angeordnet ist, als dies dem Partikeldurchmesser des Pulvers (5) entspricht.
7. Vorrichtung nach Anspruch 6, bei der die untere Kante des Plattenelements (6, 7, 8) oberhalb der Flüssigkeitsoberfläche (4) angeordnet ist.
8. Vorrichtung nach Anspruch 6, bei der die untere Kante des Plattenelements (6, 7, 8) unterhalb der Flüssigkeitsoberfläche (4) angeordnet ist.
9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 4 bis 8, bei der das Plattenelement ein halbzylindrisches Element (6) aufweist.
10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 4 bis 8, wobei das Plattenelement ein halbelliptisches Element enthält, das längs einer längsverlaufenden Ebene, die die Hauptachse einschließt, geschnitten ist.
11. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei der die Mittel zum Auftrennen zumindest eine ringförmige Wand (10, 11) aufweisen, wobei der Innendurchmesser der Wand größer ist als der Durchmesser des zu ziehenden Einkristalles (15).
12. Vorrichtung nach Anspruch 11, bei der die zumindest eine ringförmige Wand (10, 11) koaxial zum Tiegel (1) angeordnet ist, und bei der die zumindest eine ringförmige Wand (10, 11) ein unteres Ende aufweist, das unterhalb der Oberfläche (4) der geschmolzenen Kristallkomponente (2) angeordnet ist.
13. Vorrichtung nach Anspruch 11 oder 12, bei der die zumindest eine ringförmige Wand (10, 11) am Tiegel (1) befestigt ist, und bei der die Mittel zum Halten zwischen der ringförmigen Wand (10, 11) und dem Tiegel (1) angeordnet sind.
14. Vorrichtung nach Anspruch 11 oder 12, bei der der Innendurchmesser der zumindest einen ringförmigen Wand (10, 11) etwa um 160 bis 240 mm größer ist als der Durchmesser des zu ziehenden Einkristalles (15).
15. Vorrichtung nach Anspruch 14, bei der der Innendurchmesser der zumindest einen ringförmigen Wand um 200 mm größer ist als der Durchmesser des zu ziehenden Einkristalles.
16. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 15, bei der die Mittel zum Auftrennen eine Vielzahl an Ringen (10, 11) aufweisen, die koaxial im Tiegel (1) angeordnet sind.
17. Vorrichtung nach Anspruch 16, bei der zwei konzentrische Ringe (10, 11) enthalten sind.
18. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 17, bei der die Mittel zum Auftrennen sich sowohl oberhalb als auch unterhalb der Oberfläche (4) der geschmolzenen Kristallkomponente (2) erstrecken.
19. Vorrichtung zum Zuführen eines Pulvers in einen eine geschmolzene Kristallkomponente (2) enthaltenden Tiegel (1) in einer Einrichtung zum Ziehen von Einkristallen, mit
  • a) einem Element zum Zuführen von Pulver (5), wobei das Element oberhalb der Oberfläche (4) der geschmolzenen Kristallkomponente (2) angeordnet ist,
  • b) mit einer Vorrichtung zum Auftrennen, die unmittelbar benachbart zum Zuführelement angeordnet ist und die zumindest nahe der Oberfläche (4) der geschmolzenen Kristallkomponente (2) angeordnet ist, so daß ein Wandern des Pulvers über die Oberfläche (4) verhindert ist, und
  • c) mit Mittel zum Halten der Auftrennvorrichtung in Stellung.
20. Verfahren zum Zuführen eines Pulvers zu einem eine geschmolzene Kristallkomponente (2) enthaltenden Tiegel (1) in einer Einrichtung zum Ziehen von Einkristallen (15) mit den Schritten:
  • a) Auftrennen der Oberfläche der geschmolzenen Kristallkomponente (2) in einen ersten und einen zweiten Bereich, die, soweit es das Bewegen des Pulvers über die Oberfläche betrifft, im wesentlichen isoliert voneinander sind,
  • b) Zuführen des Pulvers zum ersten Bereich,
  • c) Schmelzen des Pulvers in dem ersten Bereich, um die geschmolzene Kristallkomponente nachzufüllen, und
  • d) Ziehen des Einkristalles (15) aus dem zweiten Bereich, wobei das Pulver (5) im nicht geschmolzenen Zustand vom Einkristall (15) getrennt ist.
21. Verfahren zum Verhindern, daß ein pulveriges Material (5) einen Einkristall (15) in einem Tiegel (1) berührt, der eine geschmolzene Kristallkomponente (2) enthält, wobei die Komponente geschmolzenes Pulvermaterial aufweist, mit den Schritten:
  • a) Auftrennen der Oberfläche (4) der geschmolzenen Kristallkomponente (2) in einen ersten und einen zweiten Bereich, um eine Sperre bezüglich des Bewegens des Pulvers über die Oberfläche (4) zu schaffen,
  • b) Zuführen des Pulvermaterials (5) lediglich zum ersten Bereich, und
  • c) Ziehen des Einkristalls (15) nur aus dem zweiten Bereich.
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