DE3534807A1

DE3534807A1 - Geraet zum abziehen von dendritischem siliziumgewebe aus einer siliziumschmelze

Info

Publication number: DE3534807A1
Application number: DE19853534807
Authority: DE
Inventors: William Clyde North Huntingdon Pa. Higginbotham
Original assignee: Westinghouse Electric Corp
Current assignee: CBS Corp
Priority date: 1984-10-29
Filing date: 1985-09-30
Publication date: 1986-06-05
Also published as: GB8524260D0; FR2572424B1; GB2166062B; JPS61174188A; JPH0784358B2; GB2166062A; FR2572424A1; IN161924B

Description

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PATENTANWALT D-4000 DÜSSELDORF 1 · SCHADOWPLATZ 9

VNR: 109126

Düsseldorf, 27. Sept. 1985

Westinghouse Electric Corporation Pittsburgh, Pa., 15222, USA

Gerät zum Abziehen von dendritischem Siliziumgewebe aus einer Siliziumschmelze

Die Erfindung betrifft allgemein ein Gerät zum Abziehen von dendritischem Siliziumgewebe aus einer Schmelze, insbesondere aber eine verbesserte Barriere zur Benutzung in einem Quarztxegelschmelzsystem, das einen ununterbrochenen Ersatz für die Schmelze ermöglicht.

Beim Wachstum von dendritischem Siliziumgewebe in einem Schraelzsystem, einschließlich einem induktiv erhitzten Aufnehmer, der einen Tiegel enthält, hat die Schmelzennachfüllung erhebliche Aufmerksamkeit als ein Mittel zur Verringerung der Kosten und zur Verbesserung der Kristallqualität erhalten. Bei einem derartigen System werden Teilchen oder Pellets von einem oder beiden Enden des Tiegels hinzugefügt, während die Gewebekristalle gewachsen werden; jedoch erzeugt die absorbierte Hitze in den Bereichen, wo die Schmelzung des Ersatzmaterials stattfindet, ein erhebliches thermisches Ungleichgewicht in dem Bereich, von dem das Gewebe gezogen wird.

Die ideale thermische Situation wäre eine solche, die eine heiße Region besitzen würde, wo die Pellets hinzugefügt

werden, während der Rest des Tiegels durch das Hinzufügen von Material nicht beeinflußt wird. Eine dem Fachmann bekannte Lösung liegt in der Verwendung von einer oder mehreren Barrieren innerhalb des Tiegels, um die relativ heißen Schmelzerneuerungsbereiche von den Bereichen zu lokalisieren, von denen das dendritische Gewebe gezogen wird. Zusätzlich werden verschiedene Arten von thermischen Modifikationen durchgeführt, in dem die Abschirmung variiert wird oder in dem die Induktionsheizspule bewegt wird; jedoch neigen diese Veränderungen dazu, einen linearen Temperaturgradienten zwischen dem Schmelzbereich und dem Wachstumsbereich zu liefern, was von unerwünschten Kristalleigenschaften begleitet ist. Auch stört der Strom von geschmolzenem Silizium von den Schmelzersatzbereichen durch die Barriere hindurch die Schmelze in der Wachstumsabteilung.

Aufgabe der Erfindung ist es demgemäß, ein Gerät zum Ziehen von dendritischem Siliziumgewebe aus einer Siliziumschmelze zu schaffen, die diese Nachteile nicht aufweist.

Gelöst wird diese Aufgabe durch ein Gerät der oben genannten Art, das aus einer langgestreckten Quarztiegel- £ einrichtung besteht, mit einem geschlossenen Bodenteil und Seitengliedern, die sich davon nach oben erstrecken, wobei der obere Teil der Tiegeleinrichtung eine zumindest teilweise offene Quarzbarriereeinrichtung darstellt, die seitlich innerhalb der Tiegeleinrichtung angeordnet ist, um eine Siliziumschmelzersatzabschnittseinrichtung sowie einen seperaten dendritischen Gewebeabzugsabschnitt zu schaffen, mit Heizeinrichtungen zum Heizen der Boden- und Seitenteile der Tiegeleinrichtungen, um darin Silizium zu schmelzen und einen vorbestimmten Pegel des Siliziums im geschmolzenen Zustand in dem Gewebeabzugsabschnitt der Tiegeleinrichtungen aufrechtzuerhalten, mit Einrichtungen zum Abziehen von dendritischem Siliziumgewebe mit einer vorbestimmten Rate aus der geschmolzenen Oberfläche des Siliziums, das

innerhalb des Gewebeabzugsabschnittes der Tiegeleinrichtungen enthalten ist, mit Siliziumersatzeinrichtungen für das Hinzufügen von ungeschmolzenem Silizium mit einer vorbestimmten Rate zu der Siliziumschmelzersatzabschnittseinrichtung der Tiegeleinrichtungen. Die Quarzbarriereeinrichtungen besitzen eine vorbestimmte Konfiguration, bestehend aus Bodenkanteneinrichtungen und seitlichen Kanteneinrichtungen und Oberkanteneinrichtungen, wobei die Bodenkanteneinrichtungen der Quarzbarriereeinrichtungen den Boden der Tiegeleinrichtungen abdichtend in Eingriff nehmen, und wobei Teile der seitlichen Kanteneinrichtungen der Quarzbarriereeinrichtungen die Seitenglieder der Tiegeleinrichtungen abdichtend in Eingriff nehmen, und wobei die Oberkanteneinrichtungen der Barriereeinrichtungen, die sich über den Pegel des geschmolzenen Siliziums hinauserstrecken, so ausgeführt sind, daß sie in der Tiegeleinrichtungsöffnungseinrichtung enthalten ist, die aus ausgeschnittenen Abschnitten bestehen, die in den seitlichen Kanteneinrichtungen der Barriereeinrichtungen angeordnet sind, um Öffnungen von vorbestimmten Dimensionen mit Teilen der Seitenwände der Tiegeleinrichtungen zu bilden, wobei die Öffnungseinrichtungen in einem vorbestimmten Abstand oberhalb des Bodens der Tiegeleinrichtungen angeordnet sind, um Silizium, das zuerst nahe dem Boden und den Seitenteilen der Tiegeleinrichtungen geschmolzen wird, zu veranlassen, sich an dem erhitzten Bodenteil der Siliziumersatzabschnittseinrichtungen der Tiegeleinrichtungen zu sammeln und zu verhindern, daß Silizium direkt nach dem Schmelzen in den dendritischen Gewebeabzugsabschnitt eindringt, bis eine vorbestimmte Sammeltiefe erreicht ist, wobei die Öffnungseinrichtungen auch in einer vorbestimmten Entfernung unterhalb des vorbestimmten Pegels von geschmolzenem Silizium in dem Schmelzersatzabschnitt mit Tiegeleinrichtungen angeordnet sind, um zu verhindern, daß geschmolzenes Silizium, das von dem geschmolzenen Silizium gestützt wird, von der Silizium-

schmelzersatzabschnittseinrichtung der Tiegeleinrichtung in dem Gewebeabzugsabschnitt der Tiegeleinrichtungen eindringt, wobei die Dimensionen der Öffnungseinrichtungen in den Barriereeinrichtungen ausreichend sind, um zumindest * eine adequate Strömung von geschmolzenem Silizium in den Gewebeabzugsabschnitt zu ermöglichen, und die Positionierung der Öffnungseinrichtungen in den Barriereeinrichtungen angrenzend zu den Seitenteilen der Tiegeleinrichtungen das geschmolzene Silizium veranlassen, in den Gewebeabzugsabschnitt nahe den erhitzten Seitenwänden der Tiegeleinrichtungen zu wandern, um sicherzustellen, daß das Silizium sich auf einer angemessenen Temperatur befindet, um dendritisches Siliziumgewebe zu ziehen.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert, die in den Zeichnungen dargestellt sind.

Es zeigt:

Fig. 1 eine Draufsicht auf einen Quarztiegel;

Fig. 2 eine Schnittansicht entlang der Linie II-II in Fig. 1 in Richtung der Pfeile;

Fig. 3 eine Draufsicht auf eine andere Ausführungsform eines Quarztiegels, der vertikale Seiten besitzt und der nur eine einzelne Barriere umschließt;

Fig. 4 eine Seitenansicht von einer Barriere gemäß dem Stand der Technik;

Fig. 5 eine Seitenansicht von einer anderen Art von bekannten Barriere;

Fig. 6 eine Seitenansicht von noch einer anderen Art bekannter Barriere;

Fig. 7 eine Seitenansicht einer Quarzbarriere gemäß einer erfindungsgemäßen Ausführungsform;

Fig. 8 eine Seitenansicht einer Quarzbarriere von einer anderen Ausführungsform;

Fig. 9 eine isometrische Darstellung eines Aufnahmegliedes, das in Verbindung mit einem Ziehapparat benutzt wird;

Fig. 10 eine isometrische Darstellung eines arbeitenden Aufnehmers, wobei in gestrichelten Linien dargestellt ist, wie dendritisches Siliziumgewebe davon gezogen wird;

Fig. 11 eine Schnittansicht entlang der Linie XI-XI in Fig. 10; und

Fig. 12 eine Seitenschnittansicht zur Darstellung des Betätigungsgerätes zusammen mit dem Ersatzsystem für ungeschmolzenes Silizium.

In den Figuren 1 und 2 ist mit der Bezugszahl 20 eine langgestreckte Quarztiegeleinrichtung wiedergegeben, die einen geschlossenen Bodenteil 22 sowie Seitenteile 2 4 aufweist, die sich davon nach oben erstrecken, wobei der obere Teil des Tiegels zumindest teilweise offen ist. Wie in der Schnittansicht der Fig. 2 dargestellt ist, sind Quarzbarriereeinrichtungen 26 seitlich innerhalb des Tiegels 20 angeordnet, um darin eine Siliziumschmelzersatzabschnittseinrichtung 28 und einen seperaten Abschnitt 30 zum Ziehen von dendritischem Gewebe zu schaffen. Eine alternative Ausführungsform eines Tiegels 32 ist in Fig. 3 dargestellt, wobei nur eine Barriere 26 benutzt wird, um einen Abschnitt 3 0 zum Ziehen von dendritischem Gewebe und einen Abschnitt 28 zum Ersatz von Siliziumschmelze zu

bilden. Auch in dieser Ausführungsform sind die Seiten 34 des Tiegels 32 vertikal angeordnet.

In den Fig. 4 und 6 sind Seitenansichten von Barrieregliedern gemäß dem Stand der Technik dargestellt. Das Barriereglied 36 der Fig. 4 ist mit einem ausgeschnittenen Abschnitt 38 an dessen Bodenteil versehen. Gemäß einer solchen Ausführungsform würde das Silizium, das anfänglich nahe dem Boden des Tiegels geschmolzen ist, unmittelbar in den Gewebeziehabschnitt fließen, was zu unerwünschten thermischen Gradienten innerhalb des Gewebeziehabschnittes führen würde.

Eine andere Ausführungsform 40, gemäß dem Stand der Technik, dargestellt in Fig. 5, ist als eine vierteiligen Barriere ausgebildet, mit zwei schmalen nach oben stehenden Abschnitten 42, die den Bodenabschnitt und den Deckelabschnitt miteinander verbinden. Bei dieser Ausführungsform tritt ein erheblicher Fluß durch den Mittelpunkt des gebildeten Gerätes 44 auf und es werden thermische Gradienten in dem Gewebeziehabschnitt aufgrund der Siliziumeinführung durch die äußersten Öffnungen und der Zentralö'ffnung erzeugt. Zusätzlich sind die schmelzungsverbundenen Teile der nach oben stehenden Abschnitte 42 vorzeitigem Versagen ausgesetzt.

In Fig. 6 ist noch eine andere bekannte Ausführungsform für eine Barriere 46 dargestellt, die nur eine Öffnung 48 von rechteckiger Konfiguration enthält, die etwas oberhalb des Bodens des Tiegels angeordnet ist. Bei einer derartigen Ausführungsform wird Strömung nur durch den Zentralabschnitt der Barriere ermöglicht, was einige physikalische Turbulenz wie auch thermische Probleme erzeugt, und was zusätzlich extrem aufwendig in der Herstellung einer derartigen Ausführungsform ist.

In Fig. 7 ist eine Barriereeinrichtung 50 dargestellt, die erfindungsgemäß gestaltet ist. Diese Barriereeinrichtung besitzt eine vorbestimmte Konfiguration, bestehend aus Bodenkanteneinrichtungen 52, seitlichen Kanteneinrichtungen 5 4 und einer Oberkanteneinrichtung 56. Die Bodenkante nimmt abdichtend den Boden 2 2 des Tiegels 2 0 in Eingriff, siehe Fig. 1 und 2. Teile der seitlichen Kante 54 sind an Seitengliedern 2 4 des Tiegels angeschmolzen und nehmen diese abdichtend in Eingriff. Die Oberkante 5 6 der Barriere erstreckt sich oberhalb des Pegels des geschmolzenen Siliziums, das so ausgeführt ist, daß es innerhalb des Quarztiegels 20 enthalten ist.

Gemäß der vorliegenden Erfindung sind Öffnungseinrichtungen 58, bestehend aus ausgeschnittenen Abschnitten, in den seitlichen Kanten 54 vorgesehen, um so Öffnungen von vorbestimmten Dimensionen zu bilden, mit Teilen der Seitenwände 2 4 des Tiegels 20, siehe Fig. 1 und 2. Die Öffnungen 58 sind in vorbestimmter Entfernung oberhalb des Bodens des Tiegels angeordnet, um Silizium, das zunächst nahe dem Boden und der Seitenteile des Tiegels 20 geschmolzen wird, zu veranlassen, sich an dem erhitzten Bodenteil der Siliziumersatzabschnitte 28 (siehe Fig.·1 und 2) des Tiegels zu sammeln und so zu verhindern, daß Silizium direkt nach dem Schmelzen in den Abzugsabschnitt 3 0 für dendritisches Gewebe einfließt, bis eine vorbestimmte Tiefe der Sammelstelle (Pool) erreicht ist. Die Öffnungseinrichtungen 58 sind auch in einer vorbestimmten Entfernung unterhalb des vorbestimmten Pegels des geschmolzenen Siliziums in dem Siliziumschmelzersatzabschnitt des Tiegels angeordnet, um zu verhindern, daß ungeschmolzenes Silizium, das von dem geschmolzenen Silizium innerhalb des Tiegels getragen wird, von dem Siliziumschmelzersatzabschnitt des Tiegels in den Abschnitt für das Gewebeziehen eindringt.

die Abmessungen der Öffnung 58 in der Barriere sind ausreichend, um zumindest einen vorbestimmten Durchfluß von Silizium zu dem Gewebeziehabschnitt zu ermöglichen, um eine ausreichende Strömung von geschmolzenem Silizium in den Gewebeziehabschnitt zu ermöglichen, und die Anordnung der Öffnungen in der Barriere angrenzend zu den Seitenteilen 2 des Tiegels 20 veranlaßt das geschmolzene Silizium, in den Gewebeziehabschnitt nahe den erhitzten Seitenwänden des Tiegels zu strömen, um sicherzustellen, daß das Silizium sich auf einer ausreichenden Temperatur befindet, um dendritisches Siliziumgewebe zu ziehen.

Die Barrieren können aus einem rechteckigen oder trapezförmigen Block aus Quarz hergestellt werden, der die gleiche Breite und Höhe wie die fertige Barriere besitzt, jedoch viel länger ist, als eine einzelne Barriere dick ist. Die Ausschnitte der seitlichen Kanten der Barriere können in den Seiten des Quarzblockes in der Form von Nuten eingearbeitet werden. Barrieren können dann von dem Block scheibenweise abgeschnitten werden, und zwar mit Hilfe einer Säge oder auch auf andere Weise.

Die Ausführungsform von 5 0a in Fig. 8 ist im wesentlichen identisch zu der, die in Fig. 7 gezeigt ist, mit der Ausnahme, daß die Seiten 5 4a der Barriere vertikal sind und so ausgeführt sind, daß sie in den in Fig. 3 dargestellten Tiegel eingeschlossen werden können.

Als ein besonderes Beispiel sei ein Tiegel erwähnt, der eine Länge von 20,3 cm (8,0 Zoll), eine Breite von 6,4 cm (2,5 Zoll) besitzt und so ausgeführt ist, daß er geschmolzenes Silizium bis zu einer Tiefe von 1,5 cm (0,6 Zoll) enthält. Für eine derartige Ausführungsform ist jede der Öffnungen 58 mit einer Querschnittsfläche von 0,38 cm² (0,059 Zoll²), versehen.

Fig. 9 erläutert eine isometrische Darstellung eines herkömmlichen Aufnehmers 62, der so ausgeführt ist, daß er mit dem vorliegenden erfindungsgemäßen Barrieretiegel betrieben werden kann. Der Tiegel ist so ausgeführt, daß er in die Öffnung 6 4 hineinpaßt, die auf der Oberseite des Aufnehmers angeordnet ist. Ein Quarztiegel, der in dem Aufnehmer 62 eingeschlossen ist, ist in Fig. 10 in einer isometrischen Darstellung zu erkennen, wobei das dendritische Siliziumgewebe 65 durch ein Deckelglied 68 gezogen wird, das oberhalb des Aufnehmers 62 angeordnet ist. Um die Beschreibung abzuschließen, sei erwähnt, daß das Glied ein Endhitzeschild darstellt, daß das Glied 72 ein Seitenhitzeschild ist, und daß der Deckel Hitzeschilder 74 besitzt, die darunter angeordnet sind. Zum Betrieb mit dieser Ausführungsform werden zwei gegenwärtige verbesserte Barriereglieder verwendet und ein Schmelzersatzabschnitt an beiden Enden des Tiegels angeordnet, wobei die Öffnung durch alle Deckelglieder hindurch vorgesehen ist, um Ersatzsilizium zu liefern.

Die Seitenschnittansicht in Fig. 11 zeigt den Ziehbetrieb in größeren Einzelheiten und der Aufnehmer 62 ist so ausgeführt, daß er von Spulen 78 induktiv erhitzt werden kann. Der Aufnehmer ist vorzugsweise aus Molybdän hergestellt, wie auch der Oberseitendeckel 68 des Aufjatnehmers. Es sollte hervorgehoben werden, daß im wesentlichen alle Teile dieses Gerätes an sich herkömmlich sind, mit der Ausnahme des verbesserten Tiegels und der Barriereanordnung .

Fig. 12 ist eine Schnittansicht zur Darstellung einer weiteren Ausführungsform des Gerätes, wobei ein Oberseitendeckelglied 80, das Teil der Wachstumskammer 82 bildet, Öffnungen durch den Oberteil davon besitzt, um ungeschmolzenes Silizium von einem Vorrat 84 durch Zuführröhren 8 6 durch die Öffnungen 76 hinzuzufügen, wodurch die

Siliziumersatzabschnitte 28 versorgt werden. Das Siliziumgewebe 66, so wie es dargestellt ist, ist fortlaufend, und mit der gegenwärtigen verbesserten Konstruktion wurden Gewebe von erheblicher Länge gezogen. Wie üblich enthält die Wachstumskammer 62 eine inerte Atmosphäre, wie beispielsweise Argon unter leicht oberhalb des Atmosphärendruckes liegendem Druck.

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Claims

PATENTANWALT D-4000 DÜSSELDORF 1 · SCHADOWPLATZ 9 VNR: 109126 Düsseldorf, 27. Sept. 1985 Westinghouse Electric Corporation Pittsburgh, Pa., 15222, USA Patentansprüche ;

1. Gerät zum Ziehen von dendritischem Siliziumgewebe (66) aus einer Siliziumschmelze, bestehend aus einer langgestreckten Quarztiegeleinrichtung (20) mit einem geschlossenen Bodenteil (22) und Seitengliedern (24), die sich von dem Bodenteil nach oben erstrecken, wobei der Deckelteil der Tiegeleinrichtung (20) zumindest teilweise offen ist, mit Quarzbarriereeinrichtungen (26, 56), die seitlich innerhalb der Tiegeleinrichtung (20) angeordnet sind, um darin Siliziumschmelzersatzabschnitteinrichtungen (28) und einen separaten dendritischen Gewebeziehabschnitt (30) zu bilden mit Heizeinrichtungen zum Heizen von Boden- (22) und Seitenteilen (34) der Tiegeleinrichtung (20), um darin Silizium zu schmelzen und einen vorbestimmten Pegel des Siliziums im geschmolzenen Zustand im Gewebeziehabschnitt (30) der Tiegeleinrichtung (20) aufrecht zu erhalten, mit Einrichtungen zum Ziehen von dendritischem Siliziumgewebe (66) mit einer vorbestimmten Rate von der geschmolzenen Oberfläche des Siliziums, das innerhalb des Gewebeziehabschnitts (30) der Tiegeleinrichtung (20) enthalten ist, und Siliziumer-

gänzungseinrichtungen zum Hinzufügen von ungeschmolzenem Silizium mit einer vorbestimmten Rate zu den Siliziumschmelzersatzabschnittseinrichtungen (30) der Tiegeleinrichtung (20); dadurch gekennzeichnet, daß die Quarzbarriereeinrichtungen (50) eine vorbestimmte Konfiguration besitzen, bestehend aus Bodenkanteneinrichtungen (52) und seitlichen Kanteneinrichtungen (54) und Oberkanteneinrichtungen (56), wobei die Bodenkanteneinrichtungen (52) der Quarzbarriereeinrichtungen den Boden (22) der Tiegeleinrichtung (20) abdichtend in Eingriff nehmen, während Teile der seitlichen Kanteneinrichtungen (54) der Quarzbarriereeinrichtungen (50) die Seitenteile (24) der Tiegeleinrichtung (20) abdichtend in Eingriff nehmen, und wobei die Oberkanteneinrichtungen (56) der Barriereeinrichtungen (50) sich oberhalb des Pegels des geschmolzenen Siliziums erstrecken, welches Silizium so ausgeführt ist, daß es in der Tiegeleinrichtung (20) enthalten ist, durch Öffnungseinrichtungen, die aus ausgeschnittenen Abschnitten bestehen, welche in den seitlichen Kanteneinrichtungen (54) der Barriereeinrichtungen (50) angeordnet sind, um Öffnungen (58) von vorbestimmten Dimensionen mit Teilen der Seitenwände (26) der Tiegeleinrichtung (20) zu bilden, wobei die Öffnungseinrichtungen eine vorbestimmte Entfernung oberhalb des Bodens (22) der Tiegeleinrichtung (20) angeordnet sind, um Silizium, das zuerst nahe dem Boden (22) und den Seitenteilen (24) der Tiegeleinrichtung (20) geschmolzen wird, zu veranlassen, sich an dem erhitzten Bodenteil der Siliziumersatzabschnitteinrichtungen (28) der Tiegeleinrichtung (20) zu sammeln und damit zu verhindern, daß Silizium beim Schmelzen direkt in den dendritischen Gewebeziehabschnitt (30) eindringt, bis eine vorbestimmte Tiefe des Sammelbereichs erreicht ist, wobei die Öffnungseinrichtungen (58) auch eine vorbestimmte Entfernung

unterhalb des vorbestimmten Pegels des geschmolzenen Siliziums in dem Schmelzersatzabschnitt (28) der Tiegeleinrichtung (20) angeordnet ist, um ungeschmolzenes Silizium, das von dem geschmolzenen Silizium getragen wird, daran zu hindern, von der Siliziumschmelzersatzabschnittseinrichtung (28) der Tiegeleinrichtung (20) in den Gewebeziehabschnitt (30) der Tiegeleinrichtung (20) einzudringen; wobei die Abmessungen der Öffnungseinrichtungen (58) in der Barriereeinrichtung (50) ausreichend sind, um einen zumindest adäquaten Strom von geschmolzenem Silizium in den Gewebeziehabschnitt (30) durchzulassen, und die Positionierung der Öffnungseinrichtung (58) in der Barriereeinrichtung (50) angrenzend zu den Seitenteilen (24) der Tiegeleinrichtung (20) das geschmolzene Silizium veranlaßt, in den Gewebeziehabschnitt (30) nahe den erhitzten Seitenwänden (24) der Tiegeleinrichtung (20) zu passieren, um sicherzustellen, daß das Silizium eine angemessene Temperatur zum Ziehen von dendritischem Siliziumgewebe besitzt.

2. Gerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine einzelne Quarzbarriere (50) benutzt wird, um innerhalb der Tiegeleinrichtung (20) einen einzelnen Gewebeziehabschnitt (30) und einen einzelnen Schmelzersatzabschnitt (28) zu bilden.

3. Gerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwei Quarzbarrieren (50) verwendet werden, um innerhalb der Tiegeleinrichtung (20) einen einzelnen Gewebeziehabschnitt (30) nahe dem mittleren Teil der Tiegeleinrichtung (20) und zwei Siliziumschmelzersatzabschnitte (28) nahe den Endteilen der Tiegeleinrichtung zu schaffen.

4. Gerät nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Gerät von einer Wachstumskammer (82) umschlossen ist, die auch eine inerte Gasatmosphäre umschließt.

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